CN115705852A - 可配置校验电平 - Google Patents

Abstract

本申请涉及可配置校验电平。主机装置可确定存储在存储器装置中的数据集的目标可靠性水平。所述主机装置可向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，及基于或响应于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求。所述存储器装置可基于或响应于所述命令而确定所述目标可靠性水平及所述对应错误管理操作。所述存储器装置可执行所述数据集的所述错误管理操作。所述存储器装置可基于或响应于所述命令及执行一组错误管理操作而向所述主机装置传输所述数据集的可靠性水平的指示。

Description

可配置校验电平

交叉引用

本专利申请要求卡列罗(CARIELLO)在2021年8月6日提交的标题为“可配置校验电平(CONFIGURABLE VERIFY LEVEL)”的第17/396,443号美国专利申请的优先权，所述专利申请转让给本受让人且明确地以引用方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及可配置校验电平。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可经编程为两个支持状态中的一个，常常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，存储器单元可存储所述两个可能状态中的任一个。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)及与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。除非由外部电源周期性地更新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含存储器装置及与所述存储器装置耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备从主机装置接收指示与存储在所述存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及基于执行所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

描述一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器。所述控制器可经配置以使所述设备确定与存储在与所述存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及基于所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及基于执行所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包含指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于所述目标可靠性水平执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及基于所述一或多个错误管理操作，响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

附图说明

图1说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。

图2说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。

图3说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统的实例。

图4说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的流程图的实例。

图5展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的存储器系统的框图。

图6展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的主机系统的框图。

图7及8展示说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

在一些存储器系统中，主机装置可将校验命令传输到存储器装置。校验命令可指示存储在存储器装置处的数据集，及检查数据集的可靠性或有效性的请求。存储器装置可基于或响应于校验命令而读取数据集，以确定数据集是否有效。在一些实例中，存储器装置可读取对应于数据的逻辑值，且将逻辑值与阈值相比较以确定数据集是否有效。存储器装置可将指示数据集是否有效的校验命令状态响应传输到主机装置。如果数据集无效，则主机装置可发布读取及写入命令以重写数据集。在一些实例中，主机装置可在对应于校验命令的校验错误恢复模式页中设定启用早期恢复(EER)位。存储器装置可根据基于或响应于EER位值的持续时间执行错误恢复过程。主机装置可基于或响应于数据集的目标可靠性水平而设定EER位。然而，在一些实例中，EER位可能无法为主机装置提供足够的粒度以准确地指示目标可靠性水平。此外，EER位可指示错误处理操作的持续时间，但EER位可能不对应于数据集的目标可靠性水平。另外或替代地，设定EER位及执行错误处理操作可能导致时延增加且功耗相对高。

描述系统、装置及技术以使主机装置经由校验命令指示一或多个目标可靠性水平及一或多个对应错误管理操作，这可提供更精细的粒度及减少的时延及功耗。主机装置可基于或响应于要针对所述数据集执行的一或多个命令、对应于所述数据集的操作模式、所述数据集可能经历的物理应力源等而确定所述数据集的目标可靠性水平。在一些实例中，可从一组可能的目标可靠性水平中选择目标可靠性水平。与校验命令相关联的位、位字段或属性可经配置以指示目标可靠性水平。位、位字段或属性可指示与目标可靠性水平相关联的一或多个错误管理操作，或存储器装置可配置有对应于每个目标可靠性水平的一组错误管理操作。存储器装置可读取及校验数据集，并且基于或响应于校验命令及数据的当前可靠性水平而执行所指示的错误管理操作。根据目标可靠性水平，错误管理操作可包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、错误处理操作或其任何组合。经由如本文所描述的校验命令指示目标可靠性水平及对应错误管理操作可提供降低的功耗及降低的时延，由此改进错误管理过程及存储在存储器装置处的数据的可靠性。

最初参考图1到3在系统、装置及电路的上下文中描述本公开的特征。参考图4在流程图的上下文中描述本公开的特征。参考图5到8在涉及可配置校验电平的设备图及流程图的上下文中进一步说明及描述本公开的这些及其它特征。

图1说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。

存储器系统110可为或包含任何装置或装置的集合，其中所述装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。举例来说，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪装置、通用串行总线(USB)快闪装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)，或非易失性DIMM(NVDIMM)，以及其它可能性。

系统100可包含在计算装置中，所述计算装置例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、启用物联网(IoT)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器及处理装置的任何其它计算装置。

系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述主机系统控制器可为经配置以使主机系统105根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组及通过处理器芯片组执行的软件堆栈。举例来说，主机系统105可包含被配置成用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)，及存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(PCIe)控制器、串行高级技术附件(SATA)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110，例如，将数据写入到存储器系统110及从存储器系统110读取数据。尽管图1中展示一个存储器系统110，但是主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。

主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105及存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于SATA接口、UFS接口、eMMC接口、PCIe接口、USB接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(SCSI)、串行连接的SCSI(SAS)、双数据速率(DDR)接口、DIMM接口(例如，支持DDR的DIMM套接接口)、开放NAND快闪接口(ONFI)，及低功率双数据速率(LPDDR)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式在其间得到支持。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每个存储器装置130的相应物理主机接口，或经由用于包含在存储器系统110中的每个类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。

存储器系统110可包含存储器系统控制器115及一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管图1的实例中示出两个存储器装置130-a及130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含超过一个存储器装置130，则存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。

存储器系统控制器115可与主机系统105耦合及通信(例如，经由物理主机接口)，并且可为经配置以使存储器系统110根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合及通信，以在存储器装置130处执行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据，或刷新数据，以及其它此类操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行这些命令(例如，在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，并且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器装置130的期望存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于或以其它方式结合来自主机系统105的命令)。举例来说，存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。

存储器系统控制器115可配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测操作或错误校正操作等错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、背景刷新、健康监测，及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA))及与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。

存储器系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑的电路系统，以执行本文中归因于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP))，或任何其它合适的处理器或处理电路系统。

存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(ROM)或可存储操作代码(例如，可执行指令)的其它存储器，所述操作代码可由存储器系统控制器115执行以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(SRAM)或可供存储器系统控制器115用于内部存储或计算，例如与本文中属于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或计算的其它存储器。另外或替代地，本地存储器120可用作存储器系统控制器115的高速缓存。举例来说，如果从存储器装置130读取或向其写入，则数据可存储在本地存储器120中，并且数据可在本地存储器120内供主机系统105(例如，相对于存储器装置130具有减小的时延)用于后续根据高速缓存策略进行检索或操控(例如，更新)。

尽管图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在一些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135，以执行本文中属于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下替代地由主机系统105、本地控制器135或其任何组合进行。在一些情况下，至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含NAND(例如，NAND快闪)存储器、ROM、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(RAM)(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、NOR(例如，NOR快闪)存储器、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含RAM存储器单元，例如动态RAM(DRAM)存储器单元及同步DRAM(SDRAM)存储器单元。

在一些实例中，存储器装置130可包含(例如，在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135，其可在相应存储器装置130的一或多个存储器单元上执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可执行本文中属于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1中所说明，存储器装置130-a可包含本地控制器135-a，并且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。

在一些情况下，存储器装置130可为或包含NAND装置(例如，NAND快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况下，存储器装置130可为包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可为从晶片切割的一块电子级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每个裸片160可包含一或多个平面165，并且每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页面175，并且每个页面175可包含一组存储器单元。

在一些情况下，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储一个信息位的存储器单元，其可称为单层级单元(SLC)。另外或替代地，NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储多个信息位的存储器单元，如果经配置以各自存储两个信息位，则其可称为多层级单元(MLC)，如果经配置以各自存储三个信息位，则其可称为三层级单元(TLC)，如果经配置以各自存储四个信息位，则其可称为四层级单元(QLC)，或更一般地称为多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于SLC存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及用于支持电路系统的更窄读取或写入裕度或更大复杂度。

在一些情况下，平面165可指块170的群组，并且在一些情况下，可在不同平面165内发生并行操作。举例来说，可对不同块170内的存储器单元执行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中。在一些情况下，个别块170可称为物理块，并且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的群组。举例来说，可对分别在平面165-a、165-b、165c及165-d内的块170-a、170-b、170-c及170-d执行并行操作，并且块170-a、170-b、170-c及170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含在存储器装置130-a及存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”等)。在一些情况下，在不同平面165中执行并行操作可受制于一或多个限制，例如对不同页175内的存储器单元执行并行操作，所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如，与命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统相关)。

在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)及列(例如，串，未展示)的存储器单元。举例来说，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，并且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如，与其耦合)。

对于一些NAND架构，存储器单元可在第一粒度级别(例如，在页粒度级别)读取及编程(例如，写入)，但可在第二粒度级别(例如，在块粒度级别)擦除。也就是说，页175可为可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的一部分同时编程或读取)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元，且块170可为可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的一部分同时擦除)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元。此外，在一些情况下，NAND存储器单元可在其可用新数据重写之前进行擦除。因此，举例来说，在一些情况下，可直到包含页175的整个块170已被擦除才更新所使用的页175。

在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的一部分)，例如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。举例来说，在存储器装置130内，块170可具有包含有效数据的一些页175及包含无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除及重复使用块170，可调用称为“垃圾收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指媒体管理操作集，其包含例如选择包含有效及无效数据的块170、选择块中包含有效数据的页175、将来自所选择页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的数据标记为无效，及擦除所选择块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收到的数据)。

系统100可包含支持可配置校验电平的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如，固件)以执行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。举例来说，如果由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115，或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行，则此类指令可使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文中所描述的一或多个相关联功能。

在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115以提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列及与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例为受管理NAND(MNAND)系统。

在一些情况下，主机系统105(例如，主机系统控制器106)可将校验命令传输到存储器系统110。校验命令可指示存储在存储器装置130处的数据集，及检查数据集的可靠性或有效性的请求。存储器系统110(例如，存储器系统控制器115、与存储器装置130相关联的本地控制器135，或在存储器系统110内的某一其它组件)可基于或响应于校验命令而读取数据集，以确定数据集是否有效。在一些实例中，存储器系统110可读取对应于数据的逻辑值，且将逻辑值与阈值相比较以确定数据集是否有效。存储器系统110可将指示数据集是否有效的校验命令状态响应传输到主机系统105。

如果数据集无效，则主机系统105可发布读取及写入操作以重写数据集。另外或替代地，主机系统105可在对应于校验命令的校验错误恢复模式页中设定EER位。存储器系统110执行错误恢复过程，并且错误恢复过程的持续时间可基于或响应于EER位的值。然而，设定EER位及执行错误恢复过程可能会导致与执行校验操作相关联的相对高的功耗及时延。此外，EER位可指示错误处理操作的持续时间，但是EER位可不对应于维持或确保数据集的目标可靠性水平。

描述系统、装置技术以使主机系统105经由校验命令指示一或多个目标可靠性水平及一或多个对应错误管理操作。主机系统105可基于或响应于要针对数据集执行的一或多个命令、对应于数据集的操作模式、数据集可能经历的物理应力源等而确定所述数据集的目标可靠性水平。在一些实例中，可从一组可能的目标可靠性水平中选择目标可靠性水平。与校验命令相关联的位、位字段或属性可经配置以指示目标可靠性水平。位、位字段或属性可指示与目标可靠性水平相关联的一或多个错误管理操作，或存储器系统110可配置有对应于每个目标可靠性水平的一组错误管理操作。

存储器系统110可读取及校验由存储器装置130存储的数据集。存储器系统110可基于或响应于校验命令及数据的当前可靠性水平而执行所指示的错误管理操作。根据目标可靠性水平，错误管理操作可包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、错误处理操作或其任何组合。经由如本文所描述的校验命令指示目标可靠性水平及对应错误管理操作可提供降低的功耗及降低的时延，由此改进错误管理过程及存储在存储器装置130处的数据的可靠性。

图2说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统200的实例。系统200可为如参考图1或其方面所描述的系统100的实例。系统200可包含存储器系统210，其经配置以存储从主机系统205接收到的数据，且如果由主机系统205使用存取命令(例如，读取命令或写入命令)来请求，则将数据发送到主机系统205。系统200可实施如参考图1所描述的系统100的方面。举例来说，存储器系统210及主机系统205可分别是存储器系统110及主机系统105的实例。

存储器系统210可包含存储器装置240，以例如响应于从主机系统205接收到存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传递的数据，如本文中所描述。存储器装置240可包含如参考图1所描述的一或多个存储器装置。举例来说，存储器装置240可包含NAND存储器、PCM、自选存储器、3D交叉点、其它基于硫族化物的存储器、FERAM、MRAM、NOR(例如，NOR快闪)存储器、STT-MRAM、CBRAM、RRAM，或OxRAM。

存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递，例如用于存储数据、检索数据，及确定待将数据存储在其中及待从其检索数据的存储器位置。存储控制器230可使用特定于每种类型的存储器装置240的协议直接地或经由总线(未展示)与存储器装置240通信。在一些情况下，单个存储控制器230可用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下，存储器系统210可包含多个存储控制器230，例如，用于每种类型的存储器装置240的不同存储控制器230。在一些情况下，存储控制器230可实施如参考图1所描述的本地控制器135的方面。

存储器系统210可另外包含用于与主机系统205通信的接口220及用于在主机系统205与存储器装置240之间传递的数据的临时存储的缓冲器225。接口220、缓冲器225及存储控制器230可用于在主机系统205与存储器装置240之间转换数据，例如，如由数据路径250所示，并且可统称为数据路径组件。

在传递期间使用缓冲器225临时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据，由此减少命令之间的时延且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处理命令突发，且一旦突发停止，就可存储或传输(或两者)经缓冲数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如，一些类型的易失性存储器，例如SRAM或DRAM)或硬件加速器或这两者，以允许快速存储及检索进出缓冲器225的数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传递的数据路径切换组件。

数据在缓冲器225内的临时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说，在完成存取命令后，相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如，可用额外存取命令的数据覆写)。此外，缓冲器225可为非高速缓存缓冲器。也就是说，主机系统205可不直接从缓冲器225读取数据。举例来说，可将读取命令添加到队列中，而无需进行将地址与缓冲器225中已经存在的地址进行匹配的操作(例如，没有高速缓存地址匹配或查找操作)。

存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收到的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可为如参考图1所描述的存储器系统控制器115的实例。总线235可用于在系统组件之间通信。

在一些情况下，一或多个队列(例如，命令队列260、缓冲器队列265及存储队列270)可用于控制存取命令的处理及对应数据的移动。例如，如果存储器系统210并行处理来自主机系统205的多于一个存取命令，则这可为有益的。作为可能实施方案的实例，分别在接口220、存储器系统控制器215及存储控制器230处描绘命令队列260、缓冲器队列265及存储队列270。然而，队列(如果使用的话)可位于存储器系统210内的任何位置。

在主机系统205与存储器装置240之间传递的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如，命令、状态信息)不同的路径。举例来说，存储器系统210中的系统组件可使用总线235彼此通信，而数据可通过数据路径组件而不是总线235使用数据路径250。存储器系统控制器215可通过在总线235上与数据路径组件通信(例如，使用特定于存储器系统210的协议)而控制如何及是否在主机系统205与存储器装置240之间传递数据。

如果主机系统205将存取命令传输到存储器系统210，则命令可由接口220例如根据协议(例如，UFS协议或eMMC协议)接收。因此，接口220可被视为存储器系统210的前端。在接收到每个存取命令后，接口220可例如经由总线235将命令传送到存储器系统控制器215。在一些情况下，可通过接口220将每个命令添加到命令队列260，以将命令传送到存储器系统控制器215。

存储器系统控制器215可基于或响应于来自接口220的通信而确定是否已接收到存取命令。在一些情况下，存储器系统控制器215可确定已通过从命令队列260检索命令而接收到存取命令。在例如已经由存储器系统控制器215从命令队列260中检索命令之后，可将其从命令队列260中去除。在一些情况下，存储器系统控制器215可使接口220例如经由总线235从命令队列260中去除命令。

在确定已接收到存取命令后，存储器系统控制器215就可执行存取命令。对于读取命令，这可意味着从存储器装置240获得数据及将数据传输到主机系统205。对于写入命令，这可意味着从主机系统205接收数据及将数据移动到存储器装置240。

在任一情况下，存储器系统控制器215可使用缓冲器225临时存储从主机系统205接收或发送到主机系统205的数据，以及其它用处。缓冲器225可被视为存储器系统210的中端。在一些情况下，缓冲器地址管理(例如，寻址缓冲器225中的位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如，专用电路)执行。

为了处理从主机系统205接收到的写入命令，存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定缓冲器225内可用于存储与写入命令相关联的数据的空间量。

在一些情况下，缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流，包含写入命令。缓冲器队列265可包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下，命令队列260中的命令可通过存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265，且可在相关联数据存储在缓冲器225中的同时保留在缓冲器队列265中。在一些情况下，缓冲器队列265中的每个命令可与缓冲器225处的地址相关联。也就是说，可维持指示在缓冲器225中存储与每个命令相关联的数据的位置的指针。使用缓冲器队列265，可从主机系统205循序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少部分。

如果缓冲器225具有足够空间来存储写入数据，则存储器系统控制器215可使接口220例如根据协议(例如，UFS协议或eMMC协议)将可用性的指示传输到主机系统205(例如，“准备好传递”指示)。当接口220随后从主机系统205接收与写入命令相关联的数据时，接口220可使用数据路径250将数据传递到缓冲器225以用于临时存储。在一些情况下，接口220可从缓冲器225或缓冲器队列265获得要存储数据的缓冲器225内的位置。接口220可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成到缓冲器225的数据传递。

一旦写入数据已经通过接口220存储在缓冲器225中，数据可传递到缓冲器225之外并存储于存储器装置240中。这可使用存储控制器230完成。举例来说，存储器系统控制器215可使存储控制器230使用数据路径250检索缓冲器225之外的数据，并将数据传递到存储器装置240。存储控制器230可被视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示去往存储器装置240的存储器装置的数据传递已经完成。

在一些情况下，存储队列270可用于辅助写入数据的传递。举例来说，存储器系统控制器215可将写入命令从缓冲器队列265推送(例如，经由总线235)到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每一存取命令的条目。在一些实例中，存储队列270可另外包含：缓冲器指针(例如，地址)，其可指示在缓冲器225中存储与命令相关联的数据的位置；及存储指针(例如，地址)，其可指示存储器装置240中与数据相关联的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得要从其获得数据的缓冲器225内的位置。存储控制器230可管理存储器装置240内的存储数据(例如，进行耗损均衡、垃圾收集等)的位置。可例如通过存储器系统控制器215将条目添加到存储队列270。在完成数据的传递后，可例如通过存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270去除条目。

为了处理从主机系统205接收的读取命令，存储器系统控制器215可再次首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说，存储器系统控制器215可例如经由固件(例如，控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与读取命令相关联的数据的空间量。

在一些情况下，缓冲器队列265可用于以与上文关于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。举例来说，如果缓冲器225具有足够空间来存储读取数据，则存储器系统控制器215可使存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据并且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以用于临时存储。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示对完成到缓冲器225的数据传递的响应。

在一些情况下，存储队列270可用于辅助读取数据的传递。举例来说，存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内的从其检索数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内用于存储数据的位置。在一些情况下，存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内的用于存储数据的位置。在一些情况下，存储器系统控制器215可将由存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。

一旦数据已通过存储控制器230存储在缓冲器225中，就可将数据从缓冲器225传递且发送到主机系统205。举例来说，存储器系统控制器215可使接口220使用数据路径250从缓冲器225检索数据，并且例如根据协议(例如，UFS协议或eMMC协议)将数据传输到主机系统205。举例来说，接口220可处理来自命令队列260的命令，且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成到主机系统205的数据传输。

存储器系统控制器215可根据次序(例如，根据命令队列260的次序的先入先出次序)执行接收到的命令。对于每一命令，存储器系统控制器215可使得对应于命令的数据进出缓冲器225移动，如上文所论述。当将数据移动到缓冲器225中且存储在缓冲器225内时，命令可保持在缓冲器队列265中。如果已完成命令的处理(例如，如果已从缓冲器225传递对应于存取命令的数据)，则可例如通过存储器系统控制器215从缓冲器队列265去除命令。如果从缓冲器队列265移除命令，则先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。

存储器系统控制器215可另外经配置用于与存储器装置240相关联的操作。举例来说，存储器系统控制器215可执行或管理操作，例如，耗损均衡操作、垃圾收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测，及与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如，LBA)及与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。也就是说，主机系统205可发出指示一或多个LBA的命令，并且存储器系统控制器215可识别由LBA指示的一或多个物理块地址。在一些情况下，一或多个连续LBA可对应于不连续的物理块地址。在一些情况下，存储控制器230可经配置以结合或代替存储器系统控制器215执行以上操作中的一或多个。在一些情况下，存储器系统控制器215可执行存储控制器230的功能并且可省略存储控制器230。

在一些情况下，主机系统205可向存储器系统210传输校验命令。校验命令可指示存储在存储器系统210的存储器装置240中的数据集，及校验数据集的可靠性的请求。存储器系统210可从媒体读取数据，且基于或响应于校验命令向主机系统205传输指示数据的有效性的校验命令状态响应。在一些实例中，如果数据无效，则主机系统205可执行读取及写入过程以写回数据。在一些实例中，主机系统205可在对应于校验命令的校验错误恢复模式页中设定EER位。EER位可指示存储器系统210执行数据集的错误处理操作的请求及用于执行错误处理操作的持续时间。举例来说，与设定为0的EER位相比，设定为1的EER位可指示用于执行错误处理操作的较短持续时间。主机系统205可基于或响应于数据集的目标可靠性水平而设定EER位。然而，在一些实例中，EER位可能无法为主机系统205提供足够的粒度以准确地指示目标可靠性水平。另外或替代地，设定EER位以检测边缘数据可防止存储器系统210恢复数据。在此类情况下，主机系统205可在复位EER位之后读取数据，并且将读取数据写回到存储器系统210(例如，存储器系统210中的存储器装置240)以强制刷新且恢复数据可靠性。与EER位相关联的额外读取及写入操作可能会导致增加的时延及相对较高的功耗。

在一些实例中，主机系统205可经由校验命令指示目标可靠性水平及对应于目标可靠性水平的一或多个错误管理操作，这可提供更精细的粒度、降低的时延和降低的功耗。主机系统205可基于或响应于要针对数据集执行的一或多个命令、对应于数据集的操作模式、数据集可能经历的物理应力源等而确定所述数据集的目标可靠性水平。在一些实例中，可从一组可能的目标可靠性水平中选择目标可靠性水平。与校验命令相关联的位、位字段或属性可经配置以指示目标可靠性水平。位、位字段或属性可指示与目标可靠性水平相关联的一或多个错误管理操作，或存储器系统210可配置有对应于每个目标可靠性水平的一组错误管理操作。存储器系统210可读取及校验数据集，并且基于或响应于校验命令及数据的当前可靠性水平而执行所指示的错误管理操作。根据目标可靠性水平，错误管理操作可包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、错误处理操作或其任何组合。经由如本文所描述的校验命令指示目标可靠性水平及对应错误管理操作可提供降低的功耗及降低的时延，由此改进错误管理过程及存储在存储器装置处的数据的可靠性。

图3说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的系统300的实例。系统300可为如参考图1及2所描述的系统100或系统200的实例。系统300可包含存储器系统310及主机装置305。存储器系统310可包含命令处理器315及经配置以存储数据的存储器装置330。系统300可支持用于主机装置305的接口，以将校验命令320(例如，以及其它命令，例如读取或写入命令)传输到存储器系统310且响应于校验命令320从存储器系统310接收状态报告。

存储器系统310可包含可充当主机装置305与存储器系统310之间的接口的命令处理器315。命令处理器315可为如参考图2所描述的示例性装置中的一者或组合的实例。举例来说，命令处理器315可为接口220、存储器系统控制器215、存储控制器230或其组合的实例。存储器系统310可包含存储器装置330，所述存储器装置可为参考图1及2所描述的存储器装置的实例。

主机装置305可传输一或多个命令，例如读取命令、写入命令或校验命令320，其可指示将由存储器系统310执行的操作。主机装置305可将命令传输到命令处理器315，且命令处理器315可对命令进行解码且存取存储在存储器装置330中的相关数据或将命令转发到存储器装置330(例如，存储器装置330的控制器)。

主机装置305可将校验命令320传输到存储器系统310，以请求存储器系统310检查存储在存储器装置330中的数据的错误。在一些实例中，主机装置305可传输校验命令320以确定数据是否由在存储器装置330上执行的其它操作破坏，或主机装置305可传输校验命令320以识别可在存储器装置330中复制的数据集中的哪些数据与最高可靠性相关联。校验命令320可指示存储器装置330中的起始逻辑块地址，及以对应校验操作为目标的连续逻辑数据块的量(例如，数据范围或数据集)。

命令处理器315可接收并解码校验命令320以识别数据集。命令处理器315、存储器系统310、存储器装置330，或其任何组合可读取所指示的数据集以确定与数据集相关联的可靠性水平。在一些实例中，命令处理器315可通过读取与数据集相关联的逻辑电平及将逻辑电平与可称为读取裕度的阈值电平相比较来确定数据的可靠性。因此，命令处理器315可确定数据集中是否存在错误(例如，数据是否有效)。命令处理器315可将校验命令状态响应325传输到主机装置305以指示数据集是否有效。在一些实例中，状态响应325可经由UFS协议接口单元(UPIU)传输。由此，主机装置305可接收指示数据集的质量或可靠性，而不起始读取操作的状态响应325，这可减少处理及时延。

在一些实例中，主机装置305可在发布校验命令320之前基于要针对数据集执行的一或多个操作而确定数据集的目标可靠性水平。目标可靠性水平可对应于一种可靠性水平，所述可靠性水平可提供数据集以在一或多个操作或其它物理应力源(例如，空中(OTA)更新操作)期间适当地保留所存储的信息，或在存储器装置330的板上再加工(例如，如果数据集在高温下经受延长时间，则对存储器装置330进行焊接或其它再加工，或其它应力源)。在一些情况下，如果状态响应325指示数据集无效，则主机装置305可起始用于数据集的一或多个错误管理过程。然而，在一些情况下，主机装置305利用校验命令320来确定数据集是否满足目标可靠性水平且指示用于校正数据集中的任何错误的错误管理恢复过程可为有利的。

在一些情况下，主机装置305可利用对应于校验命令320的校验错误恢复模式页来指示存储器装置330可在执行校验操作时使用的错误恢复参数。校验错误恢复模式页可经配置以将一或多个错误恢复参数传送到存储器装置330，以结合校验命令320使用。在一些情况下，主机装置305可基于或响应于数据集的目标可靠性水平而在校验错误恢复模式页中设置错误恢复参数中的一或多个。举例来说，主机装置305可基于或响应于数据集的目标可靠性水平而将校验错误恢复模式页中的EER位设置为高或低(例如，1或0)。EER位可指示存储器装置330响应于校验命令320而执行的错误恢复过程的速率。

错误恢复过程可包含存储器装置330对数据集的一或多个读取。如果存储器装置330在第一次读取之后识别出数据没有损坏，则存储器装置330可终止错误恢复过程并且向命令处理器315指示数据有效。命令处理器315可向主机装置305传输指示状态GOOD的状态响应325。如果存储器装置330识别错误，则存储器装置330可使用不同阵列及错误校正码(ECC)设置继续读取用于所配置数量的读取(例如，重新读取尝试)的数据以恢复数据集。如果主机装置305在校验命令恢复模式页中将EER位设定为低，则存储器装置330将执行可降低错误误检测风险的错误恢复过程，这可为相对缓慢的错误恢复过程。也就是说，存储器装置330可在使用ECC之前执行所配置数量的读取中的每一个。如果将EER位设定为高，则存储器装置330将执行相对有利的错误恢复过程以校正数据中的所识别错误。也就是说，存储器装置330可在使用ECC之前不耗尽读取量，这可能会增加错误误检测的概率，但可能会减少时延及功耗。

如果主机装置305确定数据集的相对较高的目标可靠性水平(例如，如果数据集包含关键数据，或者经受相对高的应力源，例如在高温下延长时间、对板进行焊接或其它再加工或其它应力源)，则主机装置305可将EER位设定为高。如果数据集略微可靠并且将EER位设定为高，则存储器装置330可以比没有设定EER位时更频繁地刷新数据集(例如，重写或校正数据集)。如果主机装置305确定数据集的相对较低的目标可靠性水平，则主机装置305可将EER位设定为低。

如果存储器装置330识别数据集中的错误，同时基于或响应于EER位执行校验操作，则存储器装置330将向命令处理器315指示错误。命令处理器315可向主机装置305传输故障状态响应325(例如，状态响应CHECK CONDITION)。在一些情况下，响应于故障状态报告，主机装置305可发出读取命令以从存储器装置330检索数据且响应于故障校验命令重写数据，这可进一步增加时延及功耗。

因此，在校验命令恢复模式页中设定EER位可产生相对较大的功耗及与校验操作相关联的增加的时延。另外，EER位指示存储器装置330将执行错误恢复过程的速率。EER位不直接对应于数据集的可靠性，或可用于在存在错误的情况下恢复数据集的不同错误管理操作。也就是说，虽然主机装置305可通过设定EER位来调整错误恢复的持续时间及与执行错误恢复相关联的功耗，但是主机装置305可不使用EER位向存储器系统310指示目标可靠性水平。另外或替代地，EER位可能无法为主机装置305提供足够粒度。举例来说，EER位可能不提供给主机装置305以指示多于两个错误恢复水平。

如本文所描述，校验命令320的命令描述符块(CDB)可指示数据集的目标可靠性水平，及对应于目标可靠性水平的一或多个错误管理操作。因此，存储器装置330可响应于校验命令320而执行所指示的错误管理操作，以校验数据集满足目标可靠性水平。通过使用校验命令320以指示不同校验操作水平，主机装置305可改进与校验操作相关联的时延及功耗。举例来说，主机装置305可通过基于或响应于要由存储器装置330执行的一或多个命令、存储器装置330或存储器系统310的操作模式、存储器装置330可经历的其它物理应力源、可用于执行校验操作的时间、可靠性，或其任何组合而从一组配置的目标可靠性水平中选择目标可靠性水平来平衡可靠性、功耗及时延。

每个目标可靠性水平可对应于一或多个错误管理操作，例如根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、错误处理操作、一或多个其它错误管理操作，或其任何组合。降低的错误校正能力可对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作。错误校正操作可表示使用ECC来校正数据集中的错误的一或多种类型的错误校正操作的实例。举例来说，存储器装置330可使用低密度奇偶校验(LDPC)代码或其它错误处理算法来调整用于数据集的每次读取尝试的读取裕度。在一些实例中，错误校正操作可能需要更多时间来恢复比不太边缘的其它数据更边缘的数据。降低的错误校正能力可指示用于执行纠错操作错误校正操作的所配置时间段，这可降低可恢复的数据的边缘化水平。然而，所配置时间段可减少与执行错误校正操作相关联的时延及功耗。

读取裕度调整操作可对应于存储器装置330在一或多个边缘读取期间调整读取裕度以校验数据集(例如，检查数据集的可靠性)。可称为阈值读取裕度的读取裕度可对应于参考电压值，所述参考电压值可指示存储在存储器单元中的逻辑值。举例来说，如果从存储器单元(例如，单层级存储器单元)读取的电势高于阈值读取裕度，存储器装置330确定存储器单元存储逻辑1。如果电势低于阈值读取裕度，则存储器装置330确定存储器单元存储逻辑0。在一些实例中，错误可扭曲对应于每个逻辑值的电压的阈值电压分布，使得与存储逻辑值1的存储器单元相关联的电势可低于阈值读取裕度，反之亦然。通过执行读取裕度调整操作，存储器装置330可增加及/或减小一或多个读取的阈值读取裕度以确定数据集的边缘程度，这可指示数据集的可靠性水平。

读取裕度调整操作可指示数据的有效性，以确保未来是否将准确地存储数据集(例如，在针对数据集执行操作或数据暴露于物理应力源之后)。可在操作期间调整阈值读取裕度的量(例如，以伏特或毫伏为单位的调整范围)对应于目标可靠性水平。举例来说，与相对较低的目标可靠性水平相比，相对较高的目标可靠性水平可对应于更多调整范围。在一些实例中，可针对每个目标可靠性水平配置调整范围。另外或替代地，可在设计时间，或基于或响应于存储器装置330的疑惑多个定义参数或设置针对存储器装置330确定每个目标可靠性水平的调整范围。

主机装置305因此可传输校验命令320，所述校验命令指示针对存储器装置330中的数据集执行的校验操作的一组目标可靠性水平中的目标可靠性水平。校验命令320可指示存储器装置330执行对应于目标可靠性水平的一或多个错误管理操作的请求，这可减少校验操作的时延及功耗。本文中其它地方更详细地，包含参考图4描述校验命令及目标可靠性水平。

图4说明根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的流程图400的实例。流程图400可说明可由如参考图1到3所描述的系统100(或其一或多个组件)、系统200(或其一或多个组件)，或系统300(或其一或多个组件)实施的过程。流程图可说明用于基于或响应于可配置校验命令执行校验操作的过程。

流程图400的方面可由一或多个控制器，以及其它组件(例如，存储器系统的存储器系统控制器、存储器系统的命令处理器、主机系统的主机系统控制器)实施。另外或替代地，流程图400的方面可实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在与存储器系统耦合的存储器中的固件)。举例来说，如果由控制器执行，则指令可使控制器执行流程图400的操作。可实施以下内容的替代实例，其中一些过程以与所描述的次序不同的次序执行或根本不执行。在一些情况下，操作可包含下文未提及的特征，或可添加额外操作。

在405处，可确定存储在存储器装置中的数据集的目标可靠性水平。在一些实例中，主机装置可确定数据集的目标可靠性水平。主机装置可基于或响应于要在数据集上执行的一或多个命令、与存储器装置或包含存储器装置的存储器系统相关联的操作模式、可用于主机装置执行校验命令及对应验证操作的时间、数据集的尺寸(例如，逻辑范围)、与数据集相关联的物理应力源等而确定目标水平或可靠性。也就是说，目标可靠性水平可基于或响应于时间与数据集的可靠性之间的折衷。在一些实例中，存储器装置可向主机装置指示数据集的可靠性水平，并且主机装置可基于或响应于所指示的可靠性水平而确定目标可靠性水平。

在410处，可接收到命令。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于主机装置确定目标可靠性水平而从主机装置接收命令。命令可为校验命令且可指示数据集的目标可靠性水平。命令可指示基于或响应于目标可靠性水平而执行数据集的错误管理操作的请求。存储器装置可在命令中(例如，在命令的CDB)中识别指示目标可靠性水平的位、位字段或属性。表1中说明实例校验命令CDB。

表1：实例校验命令CDB

如由表1中的实例校验命令CDB所说明，校验命令CDB可包含经配置以指示针对校验操作选择的数据集的LBA的一组位。举例来说，校验命令CDB可指示对应于数据集的LBA的最低有效位及最高有效位。校验命令CDB可另外或替代地包含指示命令类型的操作代码及一或多个保留位集。在一些实例中，可从校验命令CDB内的保留位集中选择位、位字段或两者，以传送目标可靠性水平及用于校验操作的一或多个错误管理操作。如果经由位字段传送目标可靠性水平，则每个目标可靠性水平及每个错误管理操作可与位字段中的一或多个位相关联，并且主机装置可选择或指示哪一目标水平或错误管理操作将在校验操作期间使用位掩码选择相应位来执行。换句话说，每个目标可靠性水平可对应于位字段中的不同位组合。

在一些实例中，可经由与校验命令相关联的属性指示目标可靠性水平及一或多个对应错误管理操作。表2中说明专用于指示校验操作的可靠性水平的实例属性。属性可提供用于主机装置以指示目标可靠性水平及对应错误管理操作，而不改变或更改校验命令CDB。在一些实例中，属性可包含用于UFS装置的参数。

表2：实例校验命令属性

在415处，可从一组目标可靠性水平中确定目标可靠性水平。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于命令(例如，基于或响应于位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数)而确定针对数据集指示所述一组目标可靠性水平中的哪一目标可靠性水平。所述一组目标可靠性水平可经配置用于存储器装置，并且集合中的每个目标可靠性水平对应于一或多个错误管理操作的相应集合。另外或替代地，存储器装置可基于校验命令中的指示而确定一或多个错误管理操作。

一或多个错误管理操作可包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、错误处理操作、一或多个其它错误管理操作或其任何组合。错误管理操作可表示参考图3描述的错误管理操作的实例。因此，存储器装置可基于或响应于命令而识别对应于数据集的目标可靠性水平的一或多个错误管理操作。

在420处，如果目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平，则可执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于命令及第一目标可靠性水平而执行数据集的读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个，其中第一目标可靠性水平可对应于读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。

在425处，如果目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平，则可执行读取裕度调整操作及错误校正操作两者。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于命令及第二目标可靠性水平而执行数据集的读取裕度调整操作及错误校正操作，其中第二目标可靠性水平可对应于读取裕度调整操作及错误校正操作两者。

在430处，如果目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平，则可执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于命令及第三目标可靠性水平而执行数据集的读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个，其中第三目标可靠性水平可对应于读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。第三目标可靠性水平可另外或替代地对应于与数据集的刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在435处，如果目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平，则可执行读取裕度调整操作及错误校正操作两者。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于命令及第四目标可靠性水平而执行数据集的读取裕度调整操作及错误校正操作，其中第四目标可靠性水平可对应于读取裕度调整操作及错误校正操作两者。第四目标可靠性水平可另外或替代地对应于与数据集的刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在440处，可确定数据集的读取裕度是否满足对应于第三及第四目标可靠性水平的阈值读取裕度。在一些实例中，存储器装置可通过确定数据集的逻辑电平(例如，电势)高于还是低于对应于阈值读取裕度的阈值逻辑电平来确定读取裕度是否满足阈值读取裕度。在执行对应于第三或第四目标可靠性水平的读取裕度调整操作、错误校正操作或两者之后，存储器装置可确定读取裕度是否满足阈值读取裕度。

在445处，如果读取裕度未能满足阈值读取裕度，则可针对数据集执行刷新操作。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于读取裕度未能满足阈值并且确定目标可靠性水平是第三或第四目标可靠性水平而执行刷新操作。读取裕度未能满足阈值可指示数据集中存在一或多个错误。可执行刷新操作以确保数据集中的错误固定，使得数据集可实现第三或第四目标可靠性水平。

尽管说明四个实例目标可靠性水平，但应理解，可经由校验命令配置及指示任何数量的目标可靠性水平。另外或替代地，目标可靠性水平可对应于未展示的任何错误管理操作，或错误管理操作的任何组合。在一个实例中，校验命令可指示第五目标可靠性水平。第五目标可靠性水平可类似于主机装置在校验错误恢复模式页中将EER位设定为低(例如，到0)，如参考图3所描述。

在450处，如果读取裕度满足阈值读取裕度，或如果目标可靠性水平是第一或第二目标可靠性水平，或在执行刷新操作之后，可传输数据集的可靠性水平的指示。在一些实例中，存储器装置可基于或响应于校验命令及执行一或多个错误管理操作而将数据集的可靠性水平的指示传输到主机装置。在一些实例中，可经由响应UPIU传输可靠性水平的指示。响应UPIU可指示状态响应GOOD、BUSY，或CHECK CONDITION。状态响应GOOD可指示数据集有效或未损坏，并且成功地执行错误管理操作。如果存储器装置仍在处理校验命令，则可传输状态响应BUSY。状态响应CHECK CONDITION可指示在校验操作期间发生故障。存储器装置可传输除了状态响应CHECK CONDITION之外的SENSE KEY，以向主机装置指示在校验操作期间出现的故障类型。因此，在执行校验操作及错误管理操作之后，校验命令状态响应可指示数据集的可靠性水平。

在一些实例中，主机装置可基于或响应于所指示的可靠性水平而确定数据集的第二目标可靠性水平。在此类情况下，主机装置可基于或响应于第二目标可靠性水平而将第二校验命令传输到存储器装置。

如本文所描述的系统因此可支持可配置校验过程，使得主机装置可将指示来自一组所配置目标可靠性水平的目标可靠性水平的校验命令传输到存储器装置。存储器装置可执行经配置用于所指示目标可靠性水平的一或多个错误管理操作。此校验技术可提供用于存储器装置以校验数据集，并且基于数据状态及数据的目标可靠性水平而执行所配置的错误管理水平。与校验命令可指示要针对数据集执行的一或两个操作的其它校验技术相比，根据可配置校验电平执行的校验操作可减少时延及功耗并且改进所存储数据的可靠性。

图5展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的存储器系统520的框图500。存储器系统520可为如参考图1到4所描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统520或其各种组件可为用于执行如本文所描述的可配置校验电平的各种方面的装置的实例。举例来说，存储器系统520可包含命令组件525、目标可靠性组件530、错误管理组件535、可靠性组件540、读取裕度组件545、刷新组件550，或其任何组合。这些组件中的每一者可直接地或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。

命令组件525可经配置为或以其它方式支持用于从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令的装置，其中命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求。目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于基于命令从一组目标可靠性水平确定目标可靠性水平的装置，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中目标可靠性水平对应于一或多个错误管理操作。错误管理组件535可经配置为或以其它方式支持用于基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的装置。可靠性组件540可经配置为或以其它方式支持用于基于执行一或多个错误管理操作而响应于命令向主机装置传输与数据集相关联的可靠性水平的指示的装置。

在一些实例中，目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于在命令中识别经配置以指示目标可靠性水平的位、位字段或属性的装置，其中从所述一组目标可靠性水平确定目标可靠性水平基于位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数。

在一些实例中，命令是包含CDB内的保留位集的校验命令，并且位、位字段或两者从保留位集选择以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在一些实例中，根据目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。在一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作。在一些实例中，执行读取裕度调整操作包含调整读取裕度以校验数据集。

在一些实例中，目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于基于命令确定目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平的装置，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作。在一些实例中，错误管理组件535可经配置为或以其它方式支持用于根据第一目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个的装置。

在一些实例中，目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于基于命令确定目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平的装置，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作。在一些实例中，错误管理组件535可经配置为或以其它方式支持用于根据第二目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作的装置。

在一些实例中，目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于基于命令确定目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平的装置，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。在一些实例中，错误管理组件535可经配置为或以其它方式支持用于根据第三目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个的装置。在一些实例中，读取裕度组件545可经配置为或以其它方式支持用于基于第三目标可靠性水平确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度，并且执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个的装置。

在一些实例中，刷新组件550可经配置为或以其它方式支持用于基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作的装置。

在一些实例中，目标可靠性组件530可经配置为或以其它方式支持用于基于命令确定目标可靠性水平是所述一组目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平的装置，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。在一些实例中，错误管理组件535可经配置为或以其它方式支持用于根据第四目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作的装置。在一些实例中，读取裕度组件545可经配置为或以其它方式支持用于基于第四目标可靠性水平确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度，并且执行读取裕度调整操作及错误校正操作的装置。

在一些实例中，刷新组件550可经配置为或以其它方式支持用于基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作的装置。

在一些实例中，命令组件525可经配置为或以其它方式支持用于基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而从主机装置接收指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令的装置。

图6展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的主机系统620的框图600。主机系统620可为如参考图1到4所描述的主机系统的方面的实例。主机系统620或其各种组件可为用于执行如本文所描述的可配置校验电平的各种方面的装置的实例。举例来说，主机系统620可包含目标可靠性组件625、命令组件630、可靠性组件635、错误管理组件640，或其任何组合。这些组件中的每一者可直接地或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。

目标可靠性组件625可经配置为或以其它方式支持用于确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的装置。命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于向存储器装置传输指示目标可靠性水平的命令的装置，其中所述命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求。可靠性组件635可经配置为或以其它方式支持用于基于一或多个错误管理操作而响应于命令从存储器装置接收与数据集相关联的可靠性水平的指示的装置。

在一些实例中，目标可靠性组件625可经配置为或以其它方式支持用于在命令中传输经配置以指示从一组目标可靠性水平中选择的目标可靠性水平的位、位字段或属性的装置，其中经由位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数指示目标可靠性水平。在一些实例中，命令是包含CDB内的保留位集的校验命令，并且位、位字段或两者从保留位集选择以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在一些实例中，从一组目标可靠性水平中选择目标可靠性水平。在一些实例中，根据所选择的目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。在一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作。在一些实例中，读取裕度调整操作对应于读取裕度的调整以校验数据集。

在一些实例中，为了支持传输命令，命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于传输指示所述一组目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平的命令的装置，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个。

在一些实例中，为了支持传输命令，命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于传输指示所述一组目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平的命令的装置，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作。

在一些实例中，为了支持传输命令，命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于传输指示所述一组目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平的命令的装置，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在一些实例中，为了支持传输命令，命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于传输指示所述一组目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平的命令的装置，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在一些实例中，命令组件630可经配置为或以其它方式支持用于基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而向存储器装置传输指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令的装置。

图7展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的方法700的流程图。方法700的操作可由如本文所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法700的操作可由如参考图1到5所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。

在705处，所述方法可包含从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求。可根据如本文所公开的实例执行705的操作。在一些实例中，705的操作的方面可由如参考图5所描述的命令组件525来执行。

在710处，所述方法可包含基于命令从一组目标可靠性水平确定目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中目标可靠性水平对应于一或多个错误管理操作。可根据如本文所公开的实例执行710的操作。在一些实例中，710的操作的方面可由如参考图5所描述的目标可靠性组件530执行。

在715处，所述方法可包含基于目标可靠性水平而对数据集执行一或多个错误管理操作。可根据如本文所公开的实例执行715的操作。在一些实例中，715的操作的方面可由如参考图5所描述的错误管理组件535执行。

在720处，所述方法可包含基于执行一或多个错误管理操作而响应于命令向主机装置传输与数据集相关联的可靠性水平的指示。可根据如本文所公开的实例执行720的操作。在一些实例中，720的操作的方面可由如参考图5所描述的可靠性组件540执行。

在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法700的一或多种方法。设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：从主机装置接收与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求；基于命令从一组目标可靠性水平确定目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中目标可靠性水平对应于一或多个错误管理操作；基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作；及基于执行一或多个错误管理操作而响应于命令向主机装置传输与数据集相关联的可靠性水平的指示。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在命令中识别经配置以指示目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中从所述一组目标可靠性水平确定目标可靠性水平可基于位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数。

在方法700及本文所描述的设备的一些实例中，命令可为包含CDB内的保留位集的校验命令，并且可从保留位集选择位、位字段或两者以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在方法700及本文所描述的设备的一些实例中，根据目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作、或其任何组合。

在方法700及本文所描述的设备的一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作，并且执行读取裕度调整操作包含调整读取裕度以校验数据集。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于命令确定目标可靠性水平可为所述一组目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作；及根据第一目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于命令确定目标可靠性水平可为所述一组目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作；及根据第二目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于命令确定目标可靠性水平可为所述一组目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据第三目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个；及基于第三目标可靠性水平并且执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个而确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于命令确定目标可靠性水平可为所述一组目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据第四目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作；及基于第四目标可靠性水平并且执行读取裕度调整操作及错误校正操作而确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作。

方法700及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而从主机装置接收指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

图8展示根据如本文所公开的实例的支持可配置校验电平的方法800的流程图。方法800的操作可由如本文所描述的主机系统或其组件实施。举例来说，可由如参考图1到4及6描述的主机系统执行方法800的操作。在一些实例中，主机系统可执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地，主机系统可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。

在805处，所述方法可包含确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平。可根据如本文所公开的实例执行805的操作。在一些实例中，805的操作的方面可由如参考图6所描述的目标可靠性组件625执行。

在810处，所述方法可包含向存储器装置传输指示目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求。可根据如本文所公开的实例执行810的操作。在一些实例中，810的操作的方面可由如参考图6所描述的命令组件630执行。

在815处，所述方法可包含基于一或多个错误管理操作而响应于命令从存储器装置接收与数据集相关联的可靠性水平的指示。可根据如本文所公开的实例执行815的操作。在一些实例中，815的操作的方面可由如参考图6所描述的可靠性组件635执行。

在一些实例中，如本文所描述的设备可执行例如方法800的一或多种方法。设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向存储器装置传输指示目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求；及基于一或多个错误管理操作而响应于命令从存储器装置接收与数据集相关联的可靠性水平的指示。

方法800及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在命令中传输经配置以指示从一组目标可靠性水平选择的目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中可经由位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数指示目标可靠性水平。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，命令可为包含CDB内的保留位集的校验命令，并且可从保留位集选择位、位字段或两者以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，可从一组目标可靠性水平选择目标可靠性水平，并且根据所选择的目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包含根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作，并且读取裕度调整操作对应于读取裕度的调整以校验数据集。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，传输命令可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：传输指示所述一组目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平的命令，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，传输命令可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：传输指示所述一组目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平的命令，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，传输命令可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：传输指示所述一组目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平的命令，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在方法800及本文所描述的设备的一些实例中，传输命令可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：传输指示所述一组目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平的命令，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

方法800及本文所描述的设备的一些实例可进一步包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而向存储器装置传输指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

应注意，上文所描述的方法描述可能的实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。另外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。

描述一种设备。设备可包含存储器装置及与存储器装置耦合的控制器。控制器可经配置以使设备从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于目标可靠性水平而执行数据集的一或多个错误管理操作的请求；至少部分地基于命令从多个目标可靠性水平确定目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于一或多个错误管理操作；至少部分地基于目标可靠性水平而执行数据集的一或多个错误管理操作；及至少部分地基于执行一或多个错误管理操作，响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备在命令中识别经配置以指示目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中从多个目标可靠性水平确定目标可靠性水平至少部分地基于位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数。

在设备的一些实例中，命令为包括命令描述符块内的保留位集的校验命令，并且从保留位集选择位、位字段或两者以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在设备的一些实例中，根据目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包括根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。

在设备的一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作，并且执行读取裕度调整操作包含包括调整读取裕度以校验数据集。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备：至少部分地基于命令确定目标可靠性水平是多个目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作；及根据第一目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个。

在一些情况下，控制器进一步经配置以使设备：至少部分地基于命令确定目标可靠性水平是多个目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作；及根据第二目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备：至少部分地基于命令确定目标可靠性水平是多个目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据第三目标可靠性水平执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个；及至少部分地基于第三目标可靠性水平并且执行读取裕度调整操作或错误校正操作中的一个而确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备至少部分地基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备：至少部分地基于命令确定目标可靠性水平是多个目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度；根据第四目标可靠性水平执行读取裕度调整操作及错误校正操作；及至少部分地基于第四目标可靠性水平并且执行读取裕度调整操作及错误校正操作而确定与数据集相关联的读取裕度是否满足阈值读取裕度。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备至少部分地基于确定与数据集相关联的读取裕度未能满足阈值读取裕度而执行数据集的刷新操作。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备至少部分地基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而从主机装置接收指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

描述一种设备。所述设备可包含经配置以与存储器系统耦合的控制器。所述控制器可经配置以使设备：确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；向存储器装置传输指示目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于目标可靠性水平执行数据集的一或多个错误管理操作的请求；及至少部分地基于一或多个错误管理操作而响应于命令从存储器装置接收与数据集相关联的可靠性水平的指示。

在一些情况下，控制器可进一步经配置以使设备在命令中传输经配置以指示从多个目标可靠性水平选择的目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中经由位的值、位字段的值，或经由属性传送的一或多个参数指示目标可靠性水平。

在设备的一些实例中，命令为包括命令描述符块内的保留位集的校验命令，并且从保留位集选择位、位字段或两者以传送对应于校验操作的目标可靠性水平。

在设备的一些实例中，从多个目标可靠性水平选择目标可靠性水平，并且根据所选择目标可靠性水平，一或多个错误管理操作包括根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。

在设备的一些实例中，降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的错误校正操作，并且读取裕度调整操作对应于读取裕度的调整以校验数据集。

在设备的一些实例中，当传输命令时，控制器可进一步经配置以使设备传输指示多个目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平的命令，其中第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个。

在设备的一些实例中，当传输命令时，控制器可进一步经配置以使设备传输指示多个目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平的命令，其中第二目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作及根据降低的错误校正能力的错误校正操作。

在设备的一些实例中，当传输命令时，控制器可进一步经配置以使设备传输指示多个目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平的命令，其中第三目标可靠性水平对应于刷新操作及读取裕度调整操作或根据降低的错误校正能力的错误校正操作中的一个，并且其中第三目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在设备的一些实例中，当传输命令时，控制器可进一步经配置以使设备传输指示多个目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平的命令，其中第四目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作、根据降低的错误校正能力的错误校正操作及刷新操作，并且其中第四目标可靠性水平指示与刷新操作相关联的阈值读取裕度。

在设备的一些实例中，当传输命令时，控制器可进一步经配置以使设备至少部分地基于数据集的可靠性水平的指示及一或多个错误管理操作而向存储器装置传输指示与数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

可使用多种不同技术及技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起，则组件发起允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离，则控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

术语“如果”、“当…时”、“基于”或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当……时”、“基于”，或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，则所述术语可互换。

术语“响应于”可指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不是完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可进行第一条件或动作，且作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)，第二条件或动作可至少部分地发生。

另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指一个条件或动作作为先前条件或动作的直接结果而发生。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件进行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”这种其它条件或动作而进行。

本文中论述的包含存储器阵列的装置可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极及栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，大部分载流子是电子)，则FET可称为n型FET。如果沟道是p型(即，大部分载流子是空穴)，则FET可称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。在大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极的情况下，晶体管可“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，则晶体管可“断开”或“去激活”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文所用的术语“示例性”意指“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构及装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短横及在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，则描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。

本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，则可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的本质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。

举例来说，结合本文的公开内容描述的各种说明性块及组件可使用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。

如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A及B及C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示例性步骤可基于条件A及条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机可读存储媒体及通信媒体两者，通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、压缩光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外线、无线电及微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文所使用的磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软磁盘及蓝光光盘，其中磁盘通常是以磁性方式再现数据，而光盘是用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例及设计，而是被赋予与本文公开的原理及新颖特征一致的最宽范围。

Claims (25)

1.一种设备，其包括：

存储器装置；及

控制器，其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备：

从主机装置接收指示与存储在所述存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；

至少部分地基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；

至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及

至少部分地基于执行所述一或多个错误管理操作而响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

在所述命令中识别经配置以指示所述目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中从所述多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平至少部分地基于所述位的值、所述位字段的值，或经由所述属性传送的一或多个参数。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述命令是包括命令描述符块内的保留位集的校验命令，并且从所述保留位集选择所述位、所述位字段或两者以传送对应于校验操作的所述目标可靠性水平。

4.根据权利要求1所述的设备，其中根据所述目标可靠性水平，所述一或多个错误管理操作包括根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。

5.根据权利要求4所述的设备，其中：

所述降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的所述错误校正操作；及

执行所述读取裕度调整操作包括调整读取裕度以校验所述数据集。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平，其中所述第一目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作；及

根据所述第一目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的一个。

7.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平，其中所述第二目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作及根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作；及

根据所述第二目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作。

8.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平，其中所述第三目标可靠性水平对应于所述刷新操作及所述读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作中的一个，并且其中所述第三目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度；

根据所述第三目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的一个；及

至少部分地基于所述第三目标可靠性水平且执行所述读取裕度调整操作或所述错误校正操作中的所述一个而确定与所述数据集相关联的读取裕度是否满足所述阈值读取裕度。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于确定与所述数据集相关联的所述读取裕度未能满足所述阈值读取裕度而执行所述数据集的所述刷新操作。

10.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述命令而确定所述目标可靠性水平是所述多个目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平，其中所述第四目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作、根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作，及所述刷新操作，并且其中所述第四目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度；

根据所述第四目标可靠性水平而执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作；及

至少部分地基于所述第四目标可靠性水平且执行所述读取裕度调整操作及所述错误校正操作而确定与所述数据集相关联的读取裕度是否满足所述阈值读取裕度。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于确定与所述数据集相关联的所述读取裕度未能满足所述阈值读取裕度而执行所述数据集的所述刷新操作。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述数据集的所述可靠性水平的所述指示及所述一或多个错误管理操作而从所述主机装置接收指示与所述数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

13.一种设备，其包括：

控制器，其经配置以与存储器系统耦合，其中所述控制器经配置以使所述设备：

确定与存储在与所述存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；

向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及

至少部分地基于所述一或多个错误管理操作而响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：

在所述命令中传输经配置以指示从多个目标可靠性水平中选择的所述目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中经由所述位的值、所述位字段的值，或经由所述属性传送的一或多个参数指示所述目标可靠性水平。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述命令是包括命令描述符块内的保留位集的校验命令，并且从所述保留位集选择所述位、所述位字段或两者以传送对应于校验操作的所述目标可靠性水平。

16.根据权利要求13所述的设备，其中：

从多个目标可靠性水平中选择所述目标可靠性水平；及

根据所述所选择目标可靠性水平，所述一或多个错误管理操作包括根据降低的错误校正能力的错误校正操作、读取裕度调整操作、刷新操作、启用早期恢复操作，或其任何组合。

17.根据权利要求16所述的设备，其中：

所述降低的错误校正能力对应于在所配置时间段中执行的所述错误校正操作；及

所述读取裕度调整操作对应于读取裕度的调整以校验所述数据集。

18.根据权利要求16所述的设备，其中当传输所述命令时，所述控制器进一步经配置以使所述设备：

传送指示所述多个目标可靠性水平中的第一目标可靠性水平的命令，其中所述第一目标可靠性水平对应于读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作中的一个。

19.根据权利要求16所述的设备，其中当传输所述命令时，所述控制器进一步经配置以使所述设备：

传输指示所述多个目标可靠性水平中的第二目标可靠性水平的命令，其中所述第二目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作及根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作。

20.根据权利要求16所述的设备，其中当传输所述命令时，所述控制器进一步经配置以使所述设备：

传输指示所述多个目标可靠性水平中的第三目标可靠性水平的命令，其中所述第三目标可靠性水平对应于所述刷新操作及所述读取裕度调整操作或根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作中的一个，并且其中所述第三目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度。

21.根据权利要求16所述的设备，其中当传输所述命令时，所述控制器进一步经配置以使所述设备：

传输指示所述多个目标可靠性水平中的第四目标可靠性水平的命令，其中所述第四目标可靠性水平对应于所述读取裕度调整操作、根据所述降低的错误校正能力的所述错误校正操作，及所述刷新操作，并且其中所述第四目标可靠性水平指示与所述刷新操作相关联的阈值读取裕度。

22.根据权利要求13所述的设备，其中当传输所述命令时，所述控制器进一步经配置以使所述设备：

至少部分地基于所述数据集的所述可靠性水平的所述指示及所述一或多个错误管理操作而向所述存储器装置传输指示与所述数据集相关联的第二目标可靠性水平的第二命令。

23.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置：

从主机装置接收指示与存储在存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；

至少部分地基于所述命令从多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平，每个目标可靠性水平对应于相应的一或多个错误管理操作，其中所述目标可靠性水平对应于所述一或多个错误管理操作；

至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的所述一或多个错误管理操作；及

至少部分地基于执行所述一或多个错误管理操作而响应于所述命令向所述主机装置传输与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

24.根据权利要求23所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置：

在所述命令中识别经配置以指示所述目标可靠性水平的位、位字段或属性，其中从所述多个目标可靠性水平确定所述目标可靠性水平至少部分地基于所述位的值、所述位字段的值，或经由所述属性传送的一或多个参数。

25.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置：

确定与存储在与存储器系统耦合的存储器装置中的数据集相关联的目标可靠性水平；

向所述存储器装置传输指示所述目标可靠性水平的命令，其中所述命令指示至少部分地基于所述目标可靠性水平而执行所述数据集的一或多个错误管理操作的请求；及

至少部分地基于所述一或多个错误管理操作而响应于所述命令从所述存储器装置接收与所述数据集相关联的可靠性水平的指示。

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