CN115702471A - 电弧路径形成部以及包括其的直流继电器 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。根据本发明的各种实施例的电弧路径形成部包括在形成于内部的空间部形成磁场的海尔贝克阵列和磁铁部。海尔贝克阵列和磁铁部形成的磁场与施加到各个固定触头的电流一起形成电磁力。此时，在各个固定触头附近形成的电磁力朝远离空间部的中心部的方向或远离各个固定触头的方向形成。因此，所产生的电弧被电磁力引导，从而能够迅速到消灭和排出所产生的电弧。

Description

电弧路径形成部以及包括其的直流继电器

技术领域

本发明涉及电弧路径形成部以及包括其的直流继电器，更具体而言，涉及一种能够有效地向外部引导所产生的电弧的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

背景技术

直流继电器(Direct current relay)是利用电磁原理来传递机械式的驱动或电流信号的装置。直流继电器也可以被称作电磁开闭器(Magnetic switch)，一般分类为电性电路开闭装置。

直流继电器包括固定触点和可动触点。固定触点与外部的电源和负载可通电地连接。固定触点和可动触点可以彼此接触或分离。

基于直流继电器的通电通过固定触点和可动触点的接触和分离来允许或禁止。所述移动通过对可动触点施加驱动力的驱动部来实现。

如果固定触点和可动触点分离，则在固定触点和可动触点之间产生电弧(arc)。电弧是高压、高温的电流的流动。因此，需要使所产生的电弧通过预先设定的路径迅速地从直流继电器排出。

电弧的排出路径通过设置于直流继电器的磁铁来形成。所述磁铁在固定触点和可动触点所接触的空间的内部形成磁场。电弧的排出路径可以由通过所形成的磁场和电流的流动而产生的电磁力来形成。

参照图1，示出了设置于现有技术的直流继电器1000的固定触点1100和可动触点1200接触的空间。如上所述，在所述空间设置有永磁体1300。

永磁体1300包括位于上侧的第一永磁体1310和位于下侧的第二永磁体1320。

第一永磁体1310设置有复数个，并且朝向第二永磁体1320的各个面的极性被磁化(magnetize)为不同的极性。位于图1的左侧的第一永磁体1310的下侧被磁化为N，位于图1的右侧的第二永磁体1310的下侧被磁化为S极。

另外，第二永磁体1320也设置有复数个，并且朝向第一永磁体1310的各个面的极性被磁化为不同的极性。位于图1的左侧的第二永磁体1320的上侧被磁化为S极，位于图1的右侧的第二永磁体1320的上侧被磁化为N极。

图1的(a)示出了电流通过左侧的固定触点1100流入，并通过右侧的固定触点1100的流出的状态。根据弗莱明左手定则，形成如箭头的电磁力。

具体而言，位于左侧的固定触点1100朝外侧形成电磁力。因此，在该位置产生的电弧可以向外侧排出。

但是，位于右侧的固定触点1100朝内侧，即可动触点1200的中央部分形成电磁力。因此，无法立即向外侧排出在该位置产生的电弧。

另外，图1的(b)示出了电流通过右侧的固定触点1100流入，并通过左侧的固定触点1100流出的状态。根据弗莱明左手定则，形成如箭头的电磁力。

具体而言，位于右侧的固定触点1100朝外侧形成电磁力。因此，在该位置产生的电弧可以向外侧排出。

但是，位于左侧的固定触点1100朝内侧，即可动触点1200的中央部分形成电磁力。因此，无法向外侧立即排出在该位置产生的电弧。

在直流继电器1000的中央部分，即在各个固定触点1100之间的空间设置有用于沿上下方向驱动可动触点1200的各种构件。作为一例，轴、贯穿插入到轴的弹簧构件等设置于该位置。

因此，如图1所示，在所产生的电弧朝中央部分移动或者移动到中央部分的电弧不能够立即向外部移动的情况下，存在设置于所述位置的各种构件因电弧的能量而受损的隐患。

另外，如图1所示，在现有技术的直流继电器1000的内部形成的电磁力的方向取决于在固定触点1200流动的电流的方向。即，在各个固定触点1100产生的电磁力中，朝内侧的方向形成的电磁力的方向根据电流的方向而不同。

即，用户在每一次使用直流继电器时需要考虑电流的方向。这会给直流继电器的使用带来不便。另外，也不能排除与用户的意图无关地因操作不熟练等导致施加到直流继电器的电流的方向出错的状况。

在此情况下，设置于直流继电器的中央部分的构件可能因所产生电弧而受损。由此，不仅减少直流继电器的使用寿命，而且存在发生安全事故隐患。

韩国授权专利文献第10-1696952号公开了一种直流继电器。具体而言，公开了一种能够利用复数个永磁体来防止可动触点的移动的结构的直流继电器。

但是，虽然上述结构的直流继电器能够利用复数个永磁体来防止可动触点的移动，但是存在没有关于用于控制电弧的排出路径的方向的考察的限制。

韩国授权专利文献第10-1216824号公开了一种直流继电器。具体而言，能够利用衰减磁铁来防止可动触点和固定触点之间任意分离的结构的直流继电器。

但是，上述结构的直流继电器仅提示了用于保持可动触点和固定触点的接触状态的方案。即，并不能提示用于形成在可动触点和固定触点分离时产生的电弧的排出路径的方案。

专利文献1：韩国授权专利文献第10-1696952号2017.01.16

专利文献2：韩国授权专利文献第10-1216824号2012.12.28

发明内容

所要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够解决上述问题的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

首先，本发明的一目的在于，提供一种能够迅速地消灭和排出随着通电中的电流断开而产生的电弧的结构电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

另外，本发明的一目的在于，提供一种能够强化用于引导所产生的电弧的力的大小的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

另外，本发明的一目的在于，提供一种能够防止用于通电的构成要素因所产生的电弧而受损的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

另外，本发明的一目的在于，提供一种能够使在复数个位置产生的电弧彼此不相遇地行进的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

另外，本发明的一目的在于，提供一种能够在没有过多的设计变更的情况下实现上述目的的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种电弧路径形成部，该电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，固定触头和可动触头容纳于所述空间部；海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面以及所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。

另外，所述电弧路径形成部的所述磁铁部可以包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

另外，在所述电弧路径形成部中，复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列的复数个所述块可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第五磁铁部的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列的复数个所述块可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第五磁铁部的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部可以包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列可以分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部可以包括：第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面、所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列可以分别包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面可以被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，本发明提供一种直流继电器，该直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，并且位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。

另外，所述直流继电器的所述磁铁部可以包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对；复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，所述直流继电器的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部可以包括：第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，所述直流继电器的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；所述磁铁部可以包括：第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置；所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面、所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置；所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上与复数个所述固定触头中的任意一个以上分别重叠。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一海尔贝克阵列的所述第二块和所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的彼此相对各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性，所述第一海尔贝克阵列的所述第三块和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的彼此相对的各个面可以被磁化为所述不同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第一海尔贝克阵列可以位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面中的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第一块，配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列重叠；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第一块，配置为在所述另一方向上与所述第一海尔贝克阵列重叠；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；所述第一海尔贝克阵列可以配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠，所述第二海尔贝克阵列可以配置为与复数个所述固定触头中的另一个在所述另一方向上重叠。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面中的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列设置有复数个，并且复数个所述海尔贝克阵列中的任意一个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，复数个所述海尔贝克阵列中的另外的两个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，配置于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置的所述任意一个以上的所述海尔贝克阵列和配置于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置的所述两个以上的所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的复数个所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及第四海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列、所述第三海尔贝克阵列以及所述第四海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面可以分别被磁化为相同的极性，所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第四海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面可以分别被磁化为与所述极性相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的复数个所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第二海尔贝克阵列；位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；所述第一海尔贝克阵列可以配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列和所述第三海尔贝克阵列中的任意一个重叠。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列以及所述第三海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面以及所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面可以分别被磁化为相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的复数个所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第二海尔贝克阵列；位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；所述第一海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列和所述第三海尔贝克阵列分别重叠。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列以及所述第三海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面以及所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面可以分别被磁化为相同的极性。

另外，本发明提供一种直流继电器，所述直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置；所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上与复数个所述固定触头中的任意一个以上分别重叠，所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

另外，本发明提供一种直流继电器，所述直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

另外，本发明可以包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的所述一方向的长度可以大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架可以包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列可以设置有复数个，并且复数个所述海尔贝克阵列中的任意一个以上可以配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，复数个所述海尔贝克阵列中的另外两个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置的所述任意一个以上的所述海尔贝克阵列和配置于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置的所述两个以上的所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，与复数个所述固定触头中的任意一个以上在所述另一方向上重叠。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，并且配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠，所述海尔贝克阵列可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的面中朝向所述空间部的面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所所述第二块的面中朝向所述空间部的面和所述第三块的面中朝向所述空间部的面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一块的面中朝向所述空间部的面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，所述磁铁部沿所述一方向延伸，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，并且配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面和所述磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠；以及第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置，配置为与复数个所述固定触头中的另一个在所述另一方向上重叠。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述磁铁部与所述第一海尔贝克阵列的彼此相对的各个面和所述磁铁部与所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面以及所述磁铁部的面中朝向所述空间部的面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面和所述第三块的面中朝向所述磁铁部的面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一块和所述磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，本发明提供一种电弧路径形成部，所述电弧路径形成部包括：磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，分别位于偏向所述第三面和所述第四面中的彼此不同的面的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

另外，所述电弧路径形成部的所述磁铁部可以包括：第一磁铁部，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二磁铁部，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；所述海尔贝克阵列可以位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置，并且配置为在所述另一方向上与所述第一磁铁部和所述第二磁铁部中的任意一个重叠。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面和所述第二磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面可以被磁化为相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置，配置为与所述第一磁铁部和所述第二磁铁部中的任意一个相对。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述第一磁铁部或所述第二磁铁部的面、所述第一磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置，所述磁铁部延伸长度可以是复数个所述固定触头的彼此隔开的距离以上。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列和所述磁铁部的彼此相对的各个面，和所述第二海尔贝克阵列和所述磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列可以分别包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面以及所述磁铁部的面中朝向所述第一海尔贝克阵列或所述第二海尔贝克阵列的面可以被磁化为彼此相同的极性。

另外，所述电弧路径形成部的所述海尔贝克阵列可以包括：第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

另外，在所述电弧路径形成部中，所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面和所述第三块的面中朝向所述磁铁部的面可以被磁化为彼此相同的极性，所述第一块和所述磁铁部的彼此相对的各个面可以被磁化为与所述极性不同的极性。

另外，本发明提供一种直流继电器，所述直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，与复数个所述固定触头中的任意一个以上在所述另一方向上重叠。

另外，本发明提供一种直流继电器，所述直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，所述磁铁部沿所述一方向延伸，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

另外，本发明提供一种直流继电器，所述直流继电器包括：固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；可动触头，与所述固定触头接触或分离；磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，与所述第一面和所述第二面分别连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部配置为与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近，分别位于偏向所述第三面和所述第四面中的彼此不同的面的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

技术效果

根据本发明的实施例，能够实现如下的效果。

首先，电弧路径形成部包括海尔贝克阵列和磁铁部。海尔贝克阵列和磁铁部分别在电弧路径形成部的内部形成磁场。所形成的磁场与在容纳于电弧路径形成部的固定触头和可动触头流动的电流一起形成电磁力。

此时，所产生的电弧朝远离固定触头的方向形成。因固定触头和可动触头的分离而产生的电弧可以被所述电磁力引导。

由此，能够迅速地消灭和向电弧路径形成部和直流继电器的外部排出所产生的电弧。

另外，电弧路径形成部包括海尔贝克阵列。海尔贝克阵列包括沿一方向并排配置的复数个磁体。复数个磁体能够强化与所述一方向不同的另一方向的两侧中的任意一侧的磁场的强度。

此时，海尔贝克阵列的所述一侧，即磁场的强度被强化的方向被配置为朝向电弧路径形成部的空间部。即，通过海尔贝克阵列，能够强化在空间部内部形成的磁场的强度。

由此，依赖磁场的强度而存在的电磁力的强度也能够得到强化。其结果，引导所产生的电弧的电磁力的强度得到强化，从而能够有效地消灭和排出所产生的电弧。

另外，由海尔贝克阵列以及磁铁部形成的磁场和在固定触头和可动触头流动的电流形成的电磁力的方向，朝远离中心部的方向形成。

进一步，如上所述，由于磁场和电磁力的强度因海尔贝克阵列和磁铁部而得到强化，因此能够迅速地消灭和朝远离中心部的方向排出所产生电弧。

因此，能够防止为了直流继电器的动作而设置在中心部的附近的各种构成要素受损。

另外，在各种实施例中，可以设置有复数个固定触头。设置于电弧路径形成部的海尔贝克阵列或磁铁部在各个固定触头附近形成彼此不同的方向的磁场。因此，在各个固定触头的附近产生的电弧的路径朝彼此不同的方向行进。

因此，在各个固定触头的附近产生的电弧不会彼此相遇。由此，能够预防因在彼此不同的位置产生的电弧的碰撞而可能引起的错误动作或安全事故。

另外，为了实现上述目的和效果，电弧路径形成部包括设置于空间部的海尔贝克阵列和磁铁部。海尔贝克阵列和磁铁部位于包围空间部的磁铁框架的各个面的内侧。即，无需为了将海尔贝克阵列和磁铁部设置于空间部的外部而另行设计变更。

因此，根据本发明的各种实施例的电弧路径形成部可以直接设置于直流继电器，而无需过多的设计变更。由此，能够减少用于应用本发明的各种实施例的电弧路径形成部的时间和成本等。

附图说明

图1是示出现有技术的直流继电器的概念图。

图2是示出本发明实施例的直流继电器的立体图。

图3是示出图2的直流继电器的构成的剖视图。

图4是将设置于图2的直流继电器的电弧路径形成部的第一实施例开放并示出的立体图。

图5是示出本发明一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图6是示出通过图5的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图7是示出本发明另一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图8是示出通过图7的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图9和图10是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图11和图12是示出通过图9和图10的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图13和图14是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图15和图16是示出通过图13和图14的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图17是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图18是示出通过图17的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图19和图20是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图21和图22是示出通过图19和图20的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图23和图24是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图25和图26是示出通过图23和图24的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图27是将设置于图2的直流继电器的电弧路径形成部的第二实施例开放并示出的立体图。

图28是示出本发明一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图29是示出通过图28的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图30和图31是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图32是示出通过图30和图31的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图33是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图34是示出通过图33实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图35至图38是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图39是示出通过图35至图38的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图40和图41是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图42是示出通过图40和图41的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图43和图44是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图45是示出通过图43和图44的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图46是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图47是示出通过图46的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图48至图51是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图52是示出通过图48至图51的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图53是将设置于图2的直流继电器的电弧路径形成部的第三实施例开放并示出的立体图。

图54至图57是示出本发明一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图58是示出通过图54至图57的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图59至图62是示出对本发明又实施例的电弧路径形成部的概念图。

图63是示出通过图59至图62的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图64至图67是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图68是示出通过图64至图67的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图69和图70是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图71是示出通过图69和图70的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图72和图73是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图74是示出通过图72和图73所示的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图75和图76是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图77是示出通过图75和图76所示的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图78和图79是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图80是示出通过图78和图79所示的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图81和图82是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图83是示出通过图81和图82所示的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

图84和图85是示出本发明又一实施例的电弧路径形成部的概念图。

图86是示出通过图84和图85所示的实施例的电弧路径形成部形成的磁场和电弧的路径的概念图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900以及包括其的直流继电器1进行详细的说明。

在以下说明中，为了明确本发明的特征，可以省略关于一部分构成要素的说明。

1.术语的定义

如果提及到某个结构要素“连接(connected)”或““耦合(coupled)”于另一结构要素，则应理解为可能是直接连接于或耦合于该另一结构要素，但也可能它们中间存在有其它结构要素。

反之，如果提及到某个结构要素“直接连接”或“直接耦合”于另一结构要素，则应当被理解为是它们之间不存在有其它结构要素。

除非在上下文中明确表示有不同的含义，否则单数的表达方式应包括复数的表达方式。

在以下的说明中使用到的术语“磁化，magnetize”是指使某物体在磁场内具有磁性的现象。

在以下的说明中使用到的术语“极性，polarity”是指电极的阳极和阴极等所具有的彼此不同的性质。在一实施例中，极性可以被区分为N极或S极。

在以下的说明中使用到的术语“通电，electric current”是指两个以上的构件处于电连接的状态。

在以下的说明中使用到的术语“电弧的路径，arc path，A.P”是指所产生的电弧移动的路径，或者被消灭的同时移动的路径。

在以下的附图中示出的标记“⊙”是指电流从可动触头43向固定触头22流动的方向(即，上侧方向)，即朝从纸面出来的方向流动。

在以下的附图中示出的标记

是指电流从固定触头22向可动触头43流动的方向，(即，下侧方向)，即朝穿过纸面进入的方向流动。

在以下的说明中使用到的“海尔贝克阵列，(Halbach array)”是指通过将复数个磁体并排配置而以行(column)或列(row)构成的集合体。

构成海尔贝克阵列的复数个磁体可以按规定的规则配置。复数个磁体可以自身形成磁场或者在彼此之间产生磁场。

海尔贝克阵列包括相对长的两个面和剩余的相对短的两个面。通过构成海尔贝克阵列的磁体形成的磁场可以在所述较长的两个面中的任意一个面的外侧以更强的强度形成。

在以下的说明中使用到的术语“磁铁部”是指由磁体形成并且能够形成磁场的任意形态的物体。在一实施例中，磁铁部可以由永磁体或电磁铁等构成。所述磁铁部是与构成所述海尔贝克阵列的磁体不同的磁体，即是与所述海尔贝克阵列分开而单独设置的磁体。

磁铁部可以自身形成磁场或者与其它磁体一起形成磁场。

磁铁部可以沿一方向延伸。磁铁部可以被磁化为在所述一方向的两侧端部的极性不同(即，在长度方向上具有不同的极性)。另外，磁铁部可以被磁化为与所述一方向不同的另一方向的两侧面的极性不同(即，在宽度方向上具有不同的极性)。

在以下的说明中，将在通过海尔贝克阵列形成的磁场中，朝空间部115、215、315、415、515、615、715、815、915的方向形成的磁场的强度更强作为前提进行说明。

在各个附图中，用点划线来示出由本发明实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成的磁场。

在以下的说明中使用到的术语“左侧”、“右侧”、“上侧”、“下侧”、“前方侧”以及“后方侧”可以参照图2所示的坐标系理解。

2.关于本发明实施例的直流继电器1的构成的说明

参照图2至图3，本发明实施例的直流继电器1包括框架部10、通断部20、铁芯部30以及可动触头部40。

另外，参照图4至图86，本发明实施例的直流继电器1包括电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900。

电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900可以形成所产生的电弧的排出路径。

以下，参照附图对本发明实施例的直流继电器1的各个构成进行说明，对于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900另行进行说明。

以下说明到的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900以设置于直流继电器(Direct current relay)1的情形为前提进行说明。

但是，可以理解为，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900可以应用于电磁接触器(Magnetic Contactor)、电磁开闭器(Magnetic Switch)等能够通过固定触点与可动触点的接触和分离来与外部通电和解除通电的形态的装置。

1.框架部10的说明

框架部10形成直流继电器1的外侧。在框架部10的内部形成有规定的空间。在所述空间可以容纳有用于直流继电器1执行施加或断开来自外部的电流的功能的各种装置。

即，框架部10作为一种罩体发挥功能。

框架部10可以由合成树脂等绝缘性材料形成。这是为了防止框架部10的内部和外部任意通电。

框架部10包括上部框架11、下部框架12、绝缘板13以及支撑板14。

上部框架11形成框架部10的上侧。在上部框架11的内部形成有规定的空间。

在上部框架11的内部空间可以容纳有通断部20和可动触头部40。另外，在上部框架11的内部空间可以容纳有电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700。

上部框架11可以与下部框架12结合。在上部框架11和下部框架12之间的空间可以设置有绝缘板13和支撑板14。

通断部20的固定触头22位于上部框架11的一侧，即在图示的实施例中的上侧。固定触头22的一部分向上部框架11的上侧露出，从而能够与外部的电源或负载可通电地连接。

为此，在上部框架11的上侧可以形成有供固定触头22贯穿结合的通孔。

下部框架12形成框架部10的下侧。在下部框架12的内部形成有规定的空间。在下部框架12的内部空间可以容纳有铁芯部30。

下部框架12可以与上部框架11结合。在下部框架12和上部框架11之间的空间可以设置有绝缘板13和支撑板14。

绝缘板13和支撑板14将上部框架11的内部空间和下部框架12的内部空间电分开和物理分开。

绝缘板13位于上部框架11和下部框架12之间。绝缘板13使上部框架11和下部框架12电隔开。为此，绝缘板13可以由合成树脂等绝缘性材料形成。

通过绝缘板13，能够防止容纳于上部框架11内部的通断部20、可动触头部40以及电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900与容纳于下部框架12内部的铁芯部30之间任意通电。

在绝缘板13的中心部形成有通孔(未图示)。可动触头部40的轴44以能够沿上下方向移动的方式贯穿结合在所述通孔(未图示)。

支撑板14位于绝缘板13的下侧。绝缘板13可以被支撑板14支撑。

支撑板14位于上部框架11和下部框架12之间。

支撑板14使上部框架11和下部框架12物理隔开。另外，支撑板14支撑绝缘板13。

支撑板14可以由磁体形成。因此，支撑板14可以与铁芯部30的轭33一起形成磁路(magnetic circuit)。通过所述磁路，可以形成用于使铁芯部30的可动铁芯32向固定铁芯31移动的驱动力。

在支撑板14的中心部形成有通孔(未图示)。轴44以能够沿上下方向移动的方式贯穿结合于所述通孔(未图示)。

因此，在可动铁芯32朝固定铁芯31的方向或从固定铁芯31隔开的方向移动的情况下，轴44和与轴44连接的可动触头43也可以一起朝相同的方向移动。

2.关于通断部20的说明

通断部20根据铁芯部30的动作允许或切断电流的通电。具体而言，通断部20可以通过固定触头22和可动触头43接触或分离来允许或切断电流的通电。

通断部20容纳于上部框架11的内部空间。通断部20可以借助绝缘板13和支撑板14来与铁芯部30电隔开和物理隔开。

通断部20包括电弧腔室21、固定触头22以及密封(sealing)构件23。

另外，在电弧腔室21的外侧可以设置有电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900。电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900可以形成用于形成在电弧腔室21的内部产生的电弧的路径A.P的磁场。对此的详细说明将在后面进行。

电弧腔室21在内部空间消灭(extinguish)因固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧(arc)。在此，也可以将电弧腔室21称作“灭弧部”。

电弧腔室21密闭并容纳固定触头22和可动触头43。即，固定触头22和可动触头43容纳于电弧腔室21的内部。因此，固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧不会任意地向外部流出。

在电弧腔室21的内部可以填充有灭弧用气体。灭弧用气体可以使所产生的电弧消灭并通过预先设定的路径排出至直流继电器1的外部。为此，在包围电弧腔室21的内部空间的壁体可以贯穿形成有连通孔(未图示)。

电弧腔室21可以由绝缘性材料形成。另外，电弧腔室21可以由具有较高的耐压性和较高的耐热性的材料形成。这是因为所产生的电弧是高温高压的电子的流动。在一实施例中，电弧腔室21可以由陶瓷(ceramic)材料形成。

在电弧腔室21的上侧可以形成有复数个通孔。在所述通孔中的每一个可以贯穿结合有固定触头22。

在图示的实施例中，设置有两个固定触头22，包括第一固定触头22a和第二固定触头22b。由此，形成在电弧腔室21的上侧的通孔也可以是两个。

如果固定触头22贯穿结合于所述通孔，则所述通孔被密闭。即，固定触头22密闭结合于所述通孔。因此，所产生的电弧不会通过所述通孔任意地向外部排出。

电弧腔室21的下侧可以被开放。在电弧腔室21的下侧可以接触有绝缘板13和密封构件23。即，电弧腔室21的下侧被绝缘板13和密封构件23密闭。

因此，电弧腔室21可以与上部框架11的外侧空间电隔开、物理隔开。

在电弧腔室21中被消灭的电弧通过预先设定的路径排出至直流继电器1的外部。在一实施例中，被消灭的电弧可以通过所述连通孔(未图示)排出至电弧腔室21的外部。

固定触头22通过与可动触头43接触或分离来施加或切断直流继电器1的内部和外部的通电。

具体而言，如果固定触头22与可动触头43接触，则直流继电器1的内部和外部可以通电。相反，如果固定触头22和可动触头43分离，则直流继电器1的内部和外部的通电被切断。

从名称上可以知道，固定触头22不能移动。即，固定触头22固定结合于上部框架11和电弧腔室21。因此，固定触头22和可动触头43的接触和分离通过可动触头43的移动来实现。

固定触头22的一侧端部，在图示的实施例中为上侧端部向上部框架11的外侧露出。电源或负载分别可通电地连接于所述一侧端部。

固定触头22可以设置有复数个。在图示的实施例中，固定触头22设置有两个，包括左侧的第一固定触头22a和右侧的第二固定触头22b。

第一固定触头22a位于从可动触头43的长度方向的中心偏向一侧的位置，在图示的实施例中位于偏向左侧的位置。另外，第二固定触头22b位于从可动触头43的长度方向的中心偏向另一侧的位置，在图示的实施例中位于偏向右侧的位置。

电源可以可通电地与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个连接。另外，负载可以可通电地与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的另一个连接。

在本发明实施例的直流继电器1中，可以与连接于固定触头22的电源或负载的方向无关地形成电弧的路径A.P。这由电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900来实现，对此的详细说明将在后面进行。

固定触头22的另一侧端部，在图示的实施例中为下侧端部朝可动触头43延伸。

如果可动触头43朝固定触头22的方向，在图示的实施例中为上侧移动，则所述下侧端部与可动触头43接触。由此，直流继电器1的外部和内部可以通电。

固定触头22的所述下侧端部位于电弧腔室21的内部。

在控制电源被切断的情况下，可动触头43可以通过复位弹簧36的弹力而从固定触头22分离。

此时，随着固定触头22和可动触头43的分离，在固定触头22和可动触头43之间产生电弧。产生的电弧可以被电弧腔室21内部的灭弧用气体消灭，并沿由电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成的路径向外部排出。

密封构件23阻断电弧腔室21与上部框架11内部的空间任意连通。密封构件23与绝缘板13以及支撑板14一起密闭电弧腔室21的下侧。

具体而言，密封构件23的上侧与电弧腔室21的下侧结合。另外，密封构件23的径向内侧与绝缘板13的外周结合，密封构件23的下侧与支撑板14结合。

由此，在电弧腔室21产生的电弧和被灭弧用气体消灭的电弧不会从上部框架11的内部空间任意流出。

另外，密封构件23可以构成为阻断筒37的内部空间和框架部10的内部空间的任意连通。

3.关于铁芯部30的说明

铁芯部30根据控制电源的施加使可动触头部40向上侧移动。另外，在解除控制电源的施加的情况下，铁芯部30使可动触头部40再次向下侧移动。

铁芯部30可以通过与外部的控制电源(未图示)可通电地连接来接收控制电源。

铁芯部30位于通断部20的下侧。另外，铁芯部30容纳于下部框架12的内部。铁芯部30和通断部20可以被绝缘板13和支撑板14电隔开、物理隔开。

可动触头部40位于铁芯部30和通断部20之间。可动触头部40可以通过铁芯部30施加的驱动力来移动。由此，可以通过可动触头43和固定触头22接触使直流继电器1通电。

铁芯部30包括固定铁芯31、可动铁芯32、轭33、绕线架34、线圈35、复位弹簧36以及筒37。

固定铁芯31被在线圈35产生的磁场磁化(magnetize)，由此产生电磁引力。通过所述电磁引力，可动铁芯32朝固定铁芯31移动。(图3中的上侧方向)。

固定铁芯31不能移动。即，固定铁芯31与支撑板14以及筒37固定结合。

固定铁芯31可以以能够被磁场磁化从而产生电磁力的任意形态设置。在一实施例中，固定铁芯3可以由永磁体或电磁铁等构成。

固定铁芯31的一部分容纳于筒37内部的上侧空间。另外，固定铁芯31的外周与筒37的内周接触。

固定铁芯31位于支撑板14和可动铁芯32之间。

在固定铁芯31的中心部形成有通孔(未图示)。轴44以能够上下移动的方式贯穿结合于所述通孔(未图示)。

固定铁芯31位于与可动铁芯32隔开规定距离的位置。因此，可动铁芯32能够向固定铁芯31移动的距离被所述规定距离限制。在此，可以将所述规定距离定义为“可动铁芯32的移动距离”。

在固定铁芯31的下侧与复位弹簧36的一侧端部接触，在图示的实施例中与复位弹簧36的上侧端部接触。如果可动铁芯32因固定铁芯31被磁化而向上侧移动，则复位弹簧36被压缩并且存储恢复力。

由此，如果固定铁芯31的磁化因解除控制电源的施加而结束，则可动铁芯32可以利用所述恢复力而再次向下侧复位。

如果施加控制电源，则可动铁芯32因固定铁芯31产生的电磁引力而向固定铁芯31移动。

随着可动铁芯32的移动，与可动铁芯32结合的轴44向固定铁芯31的方向移动，在图示的实施例中向上侧移动。另外，随着轴44移动，与轴44结合的可动触头部40向上侧移动。

由此，直流继电器1可以通过固定触头22和可动触头43的接触来与外部的电源或负载通电。

可动铁芯32可以以能够接收电磁力的任意形态设置。在一实施例中，可动铁芯32可以由磁体材料形成或者由永磁体或电磁铁等构成。

可动铁芯32容纳于筒37的内部。另外，可动铁芯32可以在筒37的内部沿筒37的长度方向，在图示的实施例中为上下方向移动。

具体而言，可动铁芯32可以朝固定铁芯31的方向和远离固定铁芯31的方向移动。

可动铁芯32与轴44结合。可动铁芯32可以与轴44一体地移动。如果可动铁芯32向上侧或下侧移动，则轴44也向上侧或下侧移动。由此，可动触头43也向上侧或下侧移动。

可动铁芯32位于固定铁芯31的下侧。可动铁芯32与固定铁芯31隔开规定距离。如上所述，所述规定距离是可动铁芯32能够沿上下方向移动的距离。

可动铁芯32沿长度方向延伸而形成。在可动铁芯32的内部形成有沿长度方向延伸的中空部，所述中空部凹陷规定距离而形成。复位弹簧36的下侧一部分和贯穿结合于复位弹簧36的轴44的下侧一部分容纳于所述中空部。

在所述中空部的下侧形成有沿长度方向贯穿的通孔。所述中空部与所述通孔连通。插入到所述中空部的轴44的下侧端部可以向所述通孔行进。

在可动铁芯32的下侧端部形成有凹陷规定距离的空间部。所述空间部与所述通孔连通。轴44的下侧头部位于所述空间部。

轭33随着控制电源的施加而形成磁路(magnetic circuit)。轭33形成的磁路可以构成为调节线圈35形成的磁场的方向。

由此，如果施加控制电源，则线圈35可以朝可动铁芯32向固定铁芯31移动的方向形成磁场。轭33可以由可通电的导电性材料形成。

轭33容纳于下部框架12的内部。轭33包围线圈35。线圈35可以容纳于轭33的内部并且与轭33的内周面隔开规定距离。

在轭33的内部容纳有绕线架34。即，从下部框架12的外周朝径向内侧的方向依次配置有轭33、线圈35以及缠绕有线圈35的绕线架34。

轭33的上侧与支撑板14接触。另外，轭33的外周可以与下部框架12的内周接触，或者位于从下部框架12的内周隔开规定距离的位置。

在绕线架34上缠绕有线圈35。绕线架34容纳于轭33的内部。

绕线架34可以包括：上部和下部，呈平板状；以及圆筒形状的柱部，沿长度方向延伸而形成，连接所述上部和所述下部。即，绕线架34呈线轴(bobbin)形状。

绕线架34的上部与支撑板14的下侧接触。在绕线架34的柱部缠绕有线圈35。线圈35的缠绕厚度可以小于或等于绕线架34的上部的直径和下部的直径。

在绕线架34的柱部贯穿形成有沿长度方向延伸的中空部。在所述中空部可以容纳有筒37。绕线架34的柱部可以配置为具有与固定铁芯31、可动铁芯32以及轴44相同的中心轴。

线圈35通过被施加的控制电源来产生磁场。通过线圈35产生的磁场，固定铁芯31被磁化，从而可以对可动铁芯32施加电磁引力。

线圈35缠绕在绕线架34上。具体而言，线圈35缠绕在绕线架34的柱部，并且朝所述柱部的径向外侧层叠。线圈35容纳于轭33的内部。

如果施加控制电源，则线圈35形成磁场。此时，可以通过轭33来控制线圈35产生的磁场的强度或方向等。固定铁芯31被线圈35产生的磁场磁化。

如果固定铁芯31被磁化，则可动铁芯32承受朝固定铁芯31的方向的电磁力，即承受引力。由此，可动铁芯32朝固定铁芯31的方向移动，在图示的实施例中朝上侧移动。

如果在可动铁芯32朝固定铁芯31移动之后解除控制电源的施加，则复位弹簧36提供用于使可动铁芯32复位到原位置的恢复力。

随着可动铁芯32向固定铁芯31移动，复位弹簧36被压缩并且存储恢复力。此时，优选，所存储的恢复力小于固定铁芯31被磁化而作用于可动铁芯32的电磁引力。这是为了防止在施加控制电源的期间可动铁芯32因复位弹簧36而任意地复位到原位置。

如果解除控制电源的施加，则可动铁芯32承受基于复位弹簧36的恢复力。当然，基于可动铁芯32的自身重量(empty weight)的重力也可以作用于可动铁芯32。由此，可动铁芯32可以朝远离固定铁芯31的方向移动并复位到原位置。

复位弹簧36可以以能够通过变形来存储恢复力并通过形状复原来向外部传递恢复力的任意形态设置。在一实施例中，复位弹簧36可以由螺旋弹簧(coil spring)构成。

在复位弹簧36贯穿结合有轴44。轴44可以在结合有复位弹簧36的状态下与复位弹簧36的变形无关地沿上下方向移动。

复位弹簧36容纳于在可动铁芯32的上侧凹陷形成的中空部。另外，复位弹簧36的朝向固定铁芯31的一侧端部，在图示的实施例中为上侧端部容纳于在固定铁芯31的下侧凹陷形成的中空部。

筒37容纳固定铁芯31、可动铁芯32、复位弹簧36以及轴44。可动铁芯32和轴44可以在筒37的内部朝上侧方向和下侧方向移动。

筒37位于在绕线架34的柱部形成的中空部。筒37的上侧端部与支撑板14的下侧面接触。

筒37的侧面与绕线架34的柱部的内周面接触。筒37的上侧开口部可以被固定铁芯31密闭。筒37的下侧面可以与下部框架12的内表面接触。

4.关于可动触头部40的说明

可动触头部40包括可动触头43和用于使可动触头43移动的构成。通过可动触头部40，直流继电器1可以与外部的电源或负载通电。

可动触头部40容纳于上部框架11的内部空间。另外，可动触头部40可以以能够上下移动的方式容纳于电弧腔室21的内部。

固定触头22位于可动触头部40的上侧。可动触头部40以能够朝固定触头22的方向和远离固定触头22的方向移动的方式容纳于电弧腔室21的内部。

铁芯部30位于可动触头部40的下侧。可动触头部40的所述移动可以通过可动铁芯32的移动来实现。

可动触头部40包括罩体41、盖42、可动触头43、轴44以及弹性部45。

罩体41容纳可动触头43和弹性支撑可动触头43的弹性部45。

在图示的实施例中，罩体41的一侧和与其相对的另一侧开放。在所述开放的部分可以贯穿插入有可动触头43。

罩体41的未开放的侧面可以构成为包围被容纳的可动触头43。

在罩体41的上侧设置有盖42。盖42覆盖容纳于罩体41的可动触头43的上侧面。

优选，罩体41和盖42由绝缘性材料形成，以防止发生意图之外的通电。在一实施例中，罩体41和盖42可以由合成树脂等形成。

罩体41的下侧与轴44连接。如果与轴44连接的可动铁芯32向上侧或下侧移动，则罩体41和容纳于该罩体41中的可动触头43也可以向上侧或下侧移动。

罩体41和盖42可以通过任意构件来结合。在一实施例中，罩体41和盖42可以通过螺栓、螺母等紧固构件(未图示)来结合。

可动触头43随着控制电源的施加而与固定触头22接触，由此使直流继电器1与外部的电源以及负载通电。另外，可动触头43在控制电源的施加被解除的情况下与固定触头22分离，由此切断直流继电器1与外部的电源以及负载通电。

可动触头43位于与固定触头22邻近的位置。

可动触头43的上侧的一部分被盖42覆盖。在一实施例中，可动触头43的上侧面的一部分可以与盖42的下侧面接触。

可动触头43的下侧被弹性部45弹性支撑。弹性部45可以在被压缩相当于规定距离的状态下弹性支撑可动触头43，以防止可动触头43向下侧任意移动。

可动触头43沿长度方向延伸而形成，在图示的实施例中沿左右方向延伸而形成。即，可动触头43的长度大于可动触头43的宽度。因此，容纳于罩体41的可动触头43的长度方向的两侧端部向罩体41的外侧露出。

在所述两侧端部可以形成有向上侧凸出规定距离的接触凸出部。所述接触凸出部与固定触头22接触。

所述接触凸出部可以在与各个固定触头22a、22b对应的位置形成。由此，可动触头43的移动距离减小，能够提高固定触头22和可动触头43的接触可靠性。

可动触头43的宽度可以与罩体41的各个侧面彼此隔开的距离相同。即，在可动触头43容纳于罩体41的情况下，可动触头43的宽度方向两侧面可以与罩体41的各个侧面的内表面接触。

由此，能够稳定地保持可动触头43容纳于罩体41的状态。

轴44将随着铁芯部30动作而产生的驱动力传递给可动触头部40。具体而言，轴44与可动铁芯32以及可动触头43连接。在可动铁芯32向上侧或下侧移动的情况下，可动触头43也可以通过轴44来向上侧或下侧移动。

轴44沿长度方向延伸而形成，在图示的实施例中沿上下方向延伸而形成。

轴44的下侧端部插入结合于可动铁芯32。如果可动铁芯32沿上下方向移动，则轴44可以与可动铁芯32一起沿上下方向移动。

轴44的主体部以能够上下移动的方式贯穿结合于固定铁芯31。在轴44的主体部贯穿结合有复位弹簧36。

轴44的上侧端部与罩体41结合。如果可动铁芯32移动，则轴44和罩体41可以一起移动。

轴44的上侧端部和下侧端部的直径可以大于轴的主体部的直径。由此，能够保持轴44与罩体41以及可动铁芯32的稳定的结合状态。

弹性部45弹性支撑可动触头43。在可动触头43与固定触头22接触的情况下，可动触头43因电磁斥力而具有从固定触头22分离的趋势。

此时，弹性部45通过弹性支撑可动触头43来防止可动触头43从固定触头22任意分离。

弹性部45可以以能够通过变形来存储恢复力，并将所存储的恢复力提供给其它构件的任意形态设置。在一实施例中，弹性部45可以由螺旋弹簧构成。

弹性部45的朝可动触头43的一侧端部与可动触头43的下侧接触。另外，与所述一侧端部相对的另一侧端部与罩体41的上侧接触。

弹性部45可以以被压缩规定距离从而存储有恢复力的状态弹性支撑可动触头43。由此，即便在可动触头43和固定触头22之间产生电磁斥力，可动触头43也不会任意移动。

为了弹性部45的稳定的结合，在可动触头43的下侧可以凸出形成有插入到弹性部45的凸出部(未图示)。同样地，在罩体41的上侧也可以凸出形成插入到弹性部45的凸出部(未图示)。

3.关于本发明第一实施例的电弧路径形成部的说明

参照图4至图26，示出了本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700。各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700在电弧腔室21的内部形成磁场。通过在直流继电器1流动的电流和所形成的磁场，在电弧腔室21的内部形成电磁力。

随着固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧因所形成的电磁力而向电弧腔室21的外部移动。具体而言，产生的电弧沿所形成的电磁力的方向移动。在此，可以视为电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700形成作为供所产生的电弧流动的路径的电弧的路径A.P。

电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700位于在上部框架11的内部形成的空间。电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700配置为包围电弧腔室21。换言之，电弧腔室21位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700的内部。

固定触头22和可动触头43位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700的内部。因固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧可以被由电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700形成的电磁力引导。

根据本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700包括海尔贝克阵列或磁铁部。海尔贝克阵列或磁铁部在容纳有固定触头22和可动触头43的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700的内部形成磁场。此时，海尔贝克阵列或磁铁部可以自身形成磁场，也可以在彼此之间形成磁场。

海尔贝克阵列和磁铁部形成的磁场与在固定触头22和可动触头43流动的电流一起形成电磁力。所形成的电磁力引导在固定触头22和可动触头43分离时产生的电弧。

此时，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700形成朝远离空间部115、215、315、415、515、615、715的中心部C的方向的电磁力。由此，电弧的路径A.P也朝远离空间部的中心部C的方向形成。

其结果，设置于直流继电器1的各个构成要素不会因所产生的电弧而受损。进一步，能够向电弧腔室21的外部迅速地排出所产生的电弧。

下面，参照附图，对各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700的构成以及通过各种电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

以下说明到的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700可以设置有位于前方侧和后方侧中的至少一侧的海尔贝克阵列。

另外，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700可以设置有具有长度方向的极性的磁铁部，所述磁铁部位于左侧和右侧中的至少一侧。

如后述，可以将后方侧定义为与第一面111、211、311、411、511、611、711邻近的位置，将前方侧定义为第二面112、212、312、412、512、612、712邻近的位置。

另外，可以将左侧定义为与第三面113、213、313、413、513、613、713邻近的位置，将右侧定义为与第四面114、214、314、414、514、614、714邻近的位置。

1.关于本发明一实施例的电弧路径形成部100的说明

下面，参照图5和图6对本发明一实施例的电弧路径形成部100进行详细的说明。

参照图5，图示的实施例的电弧路径形成部100包括磁铁框架110、海尔贝克阵列120和磁铁部130。

磁铁框架110形成电弧路径形成部100的骨架。在磁铁框架110配置有海尔贝克阵列120和磁铁部130。在一实施例中，海尔贝克阵列120和磁铁部130可以与磁铁框架110结合。

磁铁框架110具有沿长度方向，在图示的实施例中为左右方向延伸形成的矩形的截面。磁铁框架110的形状可以根据上部框架11和电弧腔室21的形状而发生变化。

磁铁框架110包括第一面111、第二面112、第三面113、第四面114以及空间部115。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114形成磁铁框架110的外周面。即，第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114作为磁铁框架110的壁发挥功能。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的外侧可以接触或固定结合于上部框架11的内表面。另外，海尔贝克阵列120和磁铁部130可以位于第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的内侧。

在图示的实施例中，第一面111形成后方侧面。第二面112形成前方侧面并且与第一面111相对。另外，第三面113形成左侧面。第四面114形成右侧面并且与第三面113相对。

即，第一面111和第二面112隔着空间部115彼此相对。另外，第三面113和第四面114隔着空间部115彼此相对。

第一面111与第三面113以及第四面114连接。第一面111可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第二面112与第三面113以及第四面114连接。第二面112可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第一面111至第四面114的彼此连接的各个棱可以被倒角(taper)。

在一实施例中，海尔贝克阵列120和磁铁部130可以与各个面111、112、113、114结合。为了各个面111、112、113、114与第一海尔贝克阵列120以及第二海尔贝克阵列130的结合，可以设置有紧固构件(未图示)。

虽然未图示，在第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114中的至少一面可以贯穿形成有电弧排出孔(未图示)。电弧排出孔(未图示)可以作为使在空间部115产生的电弧排出的通路发挥功能。

可以将被第一面111至第四面114包围的空间定义为空间部115。

在空间部115容纳有固定触头22和可动触头43。另外，在空间部115容纳有电弧腔室21。

在空间部115中，可动触头43可以朝固定触头22的方向(即，下侧方向)或者远离固定触头22的方向(即，朝上侧方向)移动。

另外，在空间部115形成有在电弧腔室21产生的电弧的路径A.P。这通过海尔贝克阵列120和磁铁部130形成的磁场来实现。

可以将空间部115的中央部分定义为中心部C。从第一面至第四面111、112、113、114的彼此连接的棱到中心部C的直线距离可以相同。

中心部C位于第一固定触头22a和第二固定触头22b之间。另外，可动触头部40的中心部分位于中心部C的垂直下方。即，罩体41、盖42、可动触头43、轴44以及弹性部45等的中心部分位于中心部C的垂直下方。

因此，在产生的电弧向中心部C移动的情况下，可能使所述构成受损。为了防止构成受损，本实施例的电弧路径形成部100包括海尔贝克阵列120和磁铁部130。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列120的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，海尔贝克阵列120沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列120可以与其它磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列120可以与第一磁铁部至第五磁铁部131、132、133、134、135一起形成磁场。

海尔贝克阵列120位于与第一面111和第二面112中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列120可以与所述任意一面的内侧(即朝向空间部115的一侧)结合。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列120在第一面111的内侧配置为与第一面111邻近。虽然未图示，海尔贝克阵列120可以在第二面112的内侧配置为与第二面邻近

海尔贝克阵列120配置为与磁铁部130中的任意一个相对。在图示的实施例中，海尔贝克阵列120配置为与位于第二面112的内侧第五磁铁部135相对。

空间部115以及容纳于空间部115的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列120和第五磁铁部135之间。

海尔贝克阵列120可以强化其自身形成的磁场和与磁铁部130形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列120形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列120包括第一块121、第二块122以及第三块123。可以理解为，构成海尔贝克阵列120的复数个磁体分别被命名为块121、122、123。

第一块至第三块121、122、123可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块121、122、123可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块121、122、123可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块121、122、123可以沿第一面111延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块121、122、123中第一块121配置于最左侧，第三块123配置于最右侧。另外，第二块122位于第一块121和第三块123之间。

在一实施例中，第二块122可以与第一块121以及第三块123分别接触。

第一块121和第三块123可以配置为在朝空间部115的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块121、122、123包括复数个面。

具体而言，第一块121包括：第一内表面121a，朝向第二块122；以及第一外表面121b，与第二块122相反。

第二块122包括：第二内表面122a，朝向空间部115或第五磁铁部135；以及第二外表面122b，与空间部115或第二海尔贝克阵列130相反。

另外，第三块123包括：第三内表面123a，朝向第二块122；以及第三外表面123b，与第三块123相反。

各个块121、122、123的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面121a、122a、123a被磁化为彼此相同的极性。此时，第一内表面至第三内表面121a、122a、123a可以被磁化为与磁铁部130的第一相反面至第四相反面131b、132b、133b、134b和第五相对面135a的极性相同。

另外，第一外表面至第三外表面121b、122b、123b被磁化为与所述极性不同的极性。此时，第一外表面至第三外表面121b、122b、123b可以被磁化为与磁铁部130的第一相对面至第四相对面131a、132a、133a、134a和第五相反面135b的极性相同。

磁铁部130其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列120一起形成磁场。通过磁铁部130形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

磁铁部130可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，磁铁部130可以由永磁体或电磁铁等构成。

磁铁部130可以设置有复数个。在图示的实施例中，磁铁部130包括第一磁铁部至第五磁铁部131、132、133、134、135。

复数个磁铁部130可以位于与第一面至第四面111、112、113、114中的剩余的面邻近的位置。在一实施例中，复数个磁铁部130中的各个可以与第一面至第四面111、112、113、114中的不同的面的内侧(即，朝向空间部115的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一磁铁部131和第二磁铁部132位于与第三面113邻近的位置。第三磁铁部133和第四磁铁部134位于与第四面114邻近的位置。另外，第五磁铁部135位于与第二面112邻近的位置。

第一磁铁部至第四磁铁部131、132、133、134沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部131、132、133、134沿前后方向延伸而形成。

第五磁铁部135沿另一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第五磁铁部135沿左右方向延伸而形成。

第一磁铁部131和第二磁铁部132可以沿其延伸方向(即，在图示的实施例中为前后方向)配置为并排且彼此相对。第一磁铁部131和第二磁铁部132位于彼此邻近的位置。在一实施例中，第一磁铁部131和第二磁铁部132可以彼此接触。

第三磁铁部133和第四磁铁部134可以沿其延伸方向(即，在图示的实施例中为前后方向)配置为并排且彼此相对。第三磁铁部133和第四磁铁部134位于彼此邻近的位置。在一实施例中，第三磁铁部133和第四磁铁部134可以彼此接触。

各个磁铁部131、132、133、134、135包括复数个面。

具体而言，第一磁铁部131包括：第一相对面131a，朝向第二磁铁部132；以及第一相反面131b，与第二磁铁部132相反。

第二磁铁部132包括：第二相对面132a，朝向第一磁铁部131；以及第二相反面132b，与第一磁铁部131相反。

第三磁铁部133包括：第三相对面133a，朝向第四磁铁部134；以及第三相反面133b与第四磁铁部134相反。

第四磁铁部134包括：第四相对面134a，朝向第三磁铁部133；以及第四相反面134b，与第三磁铁部133相反。

另外，第五磁铁部135包括：第五相对面135a，朝向空间部115或海尔贝克阵列120；以及第五相反面135b，与空间部115或海尔贝克阵列120相反。

第一磁铁部至第五磁铁部131、132、133、134、135的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第一相对面至第四相对面131a、132a、133a、134a被磁化为与海尔贝克阵列120的第一外表面至第三外表面121b、122b、123b和第五相反面135b相同的极性。

同样地，第一相反面至第四相反面131b、132b、133b，134b被磁化为与海尔贝克阵列120的第一内表面至第三内表面121a、122a、123a和第五相对面135a相同的极性。

下面，参照图6对由本实施例的电弧路径形成部100形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图6，海尔贝克阵列120的第一内表面至第三内表面121a、122a、123a和第五磁铁部135的第五相对面135a被磁化为N极。另外，根据所述规定的规则，各个相对面131a、132a、133a、134a被磁化为不同的极性，即S极。

由此，在海尔贝克阵列120和第五磁铁部135之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在海尔贝克阵列120和第一磁铁部至第四磁铁部131、132、133、134之间形成从第二内表面122a朝第一相对面至第四相对面131a、132a、133a、134a的方向的磁场。

进一步，在第五磁铁部135和第一磁铁部至第四磁铁部131、132、133、134之间形成从第五相对面135a朝第一相对面至第四相对面131a、132a、133a、134a的方向的磁场。

在图6的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则(Fleming’s rule)，则在第一固定触头22a附近产生电磁力朝前方的左侧。由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图6的(b)所示的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列120和磁铁部130的各个面的极性发生变化的情况下，在海尔贝克阵列120和磁铁部130形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图6的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图6的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部100可以与海尔贝克阵列120和磁铁部130的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

2.关于本发明另一实施例的电弧路径形成部200的说明

下面，参照图7和图8对本发明另一实施例的电弧路径形成部200进行详细的说明。

参照图7，图示的实施例的电弧路径形成部200包括磁铁框架210、第一海尔贝克阵列220、第二海尔贝克阵列230以及磁铁部240。

本实施例的磁铁框架210的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架210的第一海尔贝克阵列220、第二海尔贝克阵列230以及磁铁部240的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架210的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列220的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列220可以与其它磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220可以与第二海尔贝克阵列230以及磁铁部240一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列220可以位于与第一面211和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列220可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220在第一面211的内侧位置为与第一面211邻近，并且与位于第二面212的内侧的第二海尔贝克阵列230相对。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230之间。

第一海尔贝克阵列220可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列230和磁铁部240形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列220形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220包括第一块221、第二块222、第三块223、第四块224以及第五块225。可以理解，构成第一海尔贝克阵列220的复数个磁体分别被命名为块221、222、223、224、225。

第一块至第五块221、222、223、224、225可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块221、222、223、224、225可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块221、222、223、224、225可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块221、222、223、224、225沿第一面211延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块221、222、223、224、225沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块221、222、223、224、225中，第一块221配置于最左侧，第五块225配置于最右侧。另外，第二块至第四块222、223、224在第一块221和第五块225之间沿从左侧朝右侧的方向依次配置。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块221、222、223、224、225可以彼此接触。

此时，第一块221和第五块225可以配置为在朝空间部215的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块221、222、223、224、225包括复数个面。

具体而言，第一块221包括：第一内表面221a，朝向空间部215或第二海尔贝克阵列230；以及第一外表面221b，与空间部215或第二海尔贝克阵列230相反。

第二块222包括：第二内表面222a，朝向第一块221；以及第二外表面222b，朝向第三块223。

第三块223包括：第三内表面223a，朝向空间部215或第二海尔贝克阵列230；以及第三外表面223b，与空间部215或第二海尔贝克阵列230相反。

第四块224包括：第四内表面224a，朝向第三块223；以及第四外表面224b，朝向第五块225。

第五块225包括：第五内表面225a，朝向空间部215或第二海尔贝克阵列230；以及第五外表面225b，与空间部215或者第二海尔贝克阵列230相反。

各个块221、222、223、224、225的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面221a、第二内表面222a、第五内表面225a、第三外表面223b以及第四外表面224b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与磁铁部240的各个相对面241a、242a、243a、244a的极性相同。

另外，第一外表面221b、第二外表面222b、第五外表面225b、第三内表面223a以及第四内表面224a均被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与磁铁部240的各个相反面241b、242b、243b、244b的极性相同。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列230的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列230可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230可以与第一海尔贝克阵列220以及磁铁部240一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列230可以位于与第一面211和第二面212中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列230可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230在第二面212的内侧配置为与第二面212邻近，并且与位于第一面211的内侧的第一海尔贝克阵列220相对。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列230和第一海尔贝克阵列220之间。

第二海尔贝克阵列230可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列220和磁铁部240形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列230形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230包括第一块231、第二块232、第三块233、第四块234以及第五块235。可以理解，构成第二海尔贝克阵列230的复数个磁体分别被命名为块231、232、233、234、235。

第一块至第五块231、232、233、234、235可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块231、232、233、234、235可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块231、232、233、234、235可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块231、232、233、234、235沿第二面212延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块231、232、233、234、235沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块231、232、233、234、235中第一块231配置于最左侧，第五块235配置于最右侧。另外，第二块至第四块232、233、234在第一块231和第五块235之间沿所述方向从左侧向右侧依次配置。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块231、232、233、234、235可以彼此接触。

此时，第一块231和第五块235可以配置为在朝空间部215的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

另外，第一海尔贝克阵列220的各个块221、222、223、224、225和第二海尔贝克阵列230的各个块231、232、233、234、235可以配置为在前后方向上彼此重叠。

各个块231、232、233、234、235包括复数个面。

具体而言，第一块231包括：第一内表面231a，朝向空间部215或第一海尔贝克阵列220；以及第一外表面231b，与空间部215或第一海尔贝克阵列220相反。

第二块232包括：第二内表面232a，朝向第一块231；以及第二外表面232b，朝向第三块233。

第三块233包括：第三内表面233a，朝向空间部215或第一海尔贝克阵列220；以及第三外表面233b，与空间部215或第一海尔贝克阵列220相反。

第四块234包括：第四内表面234a，朝向第三块233；以及第四外表面234b，朝向第五块235。

第五块235包括：第五内表面235a，朝向空间部215或第一海尔贝克阵列220；以及第五外表面235b，与空间部215或第一海尔贝克阵列220相反。

各个块231、232、233、234、235的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面231a、第二内表面232a、第五内表面235a、第三外表面233b以及第四外表面234b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与磁铁部240的各个相对面241a、242a、243a、244a的极性相同。

另外，第一外表面231b、第二外表面232、第五外表面235b、第三内表面233a以及第四内表面234a均被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与磁铁部240的各个相反面241b、242b、243b、244b的极性相同。

另外，第二海尔贝克阵列230的各个块231、232、233、234、235的各个面的极性可以与第一海尔贝克阵列220的各个块221、222、223、224、225的各个面的极性相同。

即，第一海尔贝克阵列220的第一内表面221a、第二内表面222a、第五内表面225a被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第一内表面231a、第二内表面232a、第五内表面235a彼此相同的极性，第一海尔贝克阵列220的第三外表面223b、第四外表面224b被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第三外表面233b、第四外表面234b彼此相同的极性。

另外，第一海尔贝克阵列220的第一外表面221b、第二外表面222b、第五外表面225b被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第一外表面231b、第二外表面232b、第五外表面235b彼此相同的极性，第一海尔贝克阵列220的第三内表面223a、第四内表面224a被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第三内表面233a、第四内表面234a彼此相同的极性。

可以说第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的相对极性关系在前后方向上几何对称。

即，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230被磁化为相对于经过各个固定触头22a、22b的假想直线对称。

磁铁部240其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230一起形成磁场。通过磁铁部240形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

磁铁部240可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，磁铁部240可以由永磁体或电磁铁等构成。

磁铁部240可以设置有复数个。在图示的实施例中，磁铁部240包括第一磁铁部至第四磁铁部241、242、243、244。

复数个磁铁部240可以位于与第一面至第四面211、212、213、214中的剩余的面邻近的位置。在一实施例中，复数个磁铁部240中的各个可以与第一面至第四面211、212、213、214中的不同的面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一磁铁部241和第二磁铁部242位于与第三面213邻近的位置。第三磁铁部243和第四磁铁部244位于与第四面214邻近的位置。

第一磁铁部至第四磁铁部241、242、243、244沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部241、242、243、244沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部241和第二磁铁部242可以沿其延伸方向(即，在图示的实施例中为前后方向)配置为并排且彼此相对。第一磁铁部241和第二磁铁部242在所述延伸方向上位于彼此邻近的位置。在一实施例中，第一磁铁部241和第二磁铁部242可以彼此接触。

第三磁铁部243和第四磁铁部244可以沿其延伸方向(即，在图示的实施例中为前后方向)配置为并排且彼此相对。第三磁铁部243和第四磁铁部244在所述延伸方向上位于彼此邻近的位置。在一实施例中，第三磁铁部243和第四磁铁部244可以彼此接触。

各个磁铁部241、242、243、244包括复数个面。

具体而言，第一磁铁部241包括：第一相对面241a，朝向第二磁铁部242；以及第一相反面241b，与第二磁铁部242相反。

第二磁铁部242包括：第二相对面242a，朝向第一磁铁部241；以及第二相反面242b，与第一磁铁部241相反。

第三磁铁部243包括：第三相对面243a，朝向第四磁铁部244；以及第三相反面243b，与第四磁铁部244相反。

第四磁铁部244包括：第四相对面244a，朝向第三磁铁部243；以及第四相反面244b，与第三磁铁部243相反。

第一磁铁部至第四磁铁部241、242、243、244的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，各个相对面241a、242a、243a、244a被磁化为与各个海尔贝克阵列220、230的第一内表面221a、231a和第五内表面、225a、235a相同的极性。

同样地，各个相反面241b、242b、243b、244b被磁化为与各个海尔贝克阵列220、230的第三内表面223a、233a相同的极性。

下面，参照图8对由本实施例的电弧路径形成部200形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图8，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的第一内表面221a、231a、第五内表面225a、235a被磁化为S极。此时，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的第三内表面223a、233a被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，磁铁部240的各个相对面241a、242a、243a、244a被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第一海尔贝克阵列220和磁铁部240之间以及第二海尔贝克阵列230和磁铁部240之间形成从第三内表面223a、233a朝各个相对面241a、242a、243a、244a的方向的磁场。

在图8的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图8的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列220、第二海尔贝克阵列230以及磁铁部240的各个面的极性发生变化的情况下，在各个海尔贝克阵列220、230和磁铁部240形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图8的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图8的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部200可以与海尔贝克阵列220和磁铁部240的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

3.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部300的说明

下面，参照图9至图12对本发明又一实施例的电弧路径形成部300进行说明。

参照图9和图10，图示的实施例的电弧路径形成部300包括磁铁框架310、第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330、第一磁铁部340以及第二磁铁部350。

本实施例的磁铁框架310的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架310的第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330、第一磁铁部340以及第二磁铁部350的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架310的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列320的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列320可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320可以与第二海尔贝克阵列330、第一磁铁部340以及第二磁铁部350一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列320可以位于与第一面311和第二面312中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列320可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320在第一面311的内侧配置为与第一面311邻近，并且与位于第二面312的内侧的第二海尔贝克阵列330相对。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330之间。

第一海尔贝克阵列320可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列330、第一磁铁部340以及第二磁铁部350形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列320形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320包括第一块321、第二块322以及第三块323。可以理解，构成第一海尔贝克阵列320的复数个磁体分别被命名为块321、322、323。

第一块至第三块321、322、323可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块321、322、323可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块321、322、323可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块321、322、323沿第一面311延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块321、322、323沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块321、322、323中，第一块321配置于最左侧，第三块323配置于最右侧。另外，第二块322位于第一块321和第三块323之间。

在一实施例中，第二块322可以与第一块321和第三块323接触。

此时，第一块321和第三块323可以配置为在朝空间部315的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b分别重叠。

各个块321、322、323包括复数个面。

具体而言，第一块321包括：第一内表面321a，与第二块322相反；以及第一外表面321b，朝向第二块322。

第二块322包括：第二内表面322a，朝向空间部315或第二海尔贝克阵列330；以及第二外表面322b，与空间部315或第二海尔贝克阵列330相反。

第三块323包括：第三内表面323a，朝向第二块322；以及第三外表面323b，与第二块322相反。

各个块321、322、323的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面321a、第二外表面322b以及第三外表面323b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列330的第一内表面331a、第二外表面332b、第三外表面333b以及磁铁部340、350的各个相对面341、351的极性相同。

另外，第一外表面321b、第二内表面322a以及第三内表面323a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列330的第一外表面331b、第二内表面332a、第三内表面333a以及各个磁铁部340、350的各个相反面342、352的极性相同。

构成第二海尔贝克阵列330的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列330可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330可以与第一海尔贝克阵列320、第一磁铁部340以及第二磁铁部350一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列330可以位于与第一面311和第二面312中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列330可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330在第二面312的内侧配置为与第二面312邻近，并且与位于第一面311的内侧的第一海尔贝克阵列320相对。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列330和第一海尔贝克阵列320之间。

第二海尔贝克阵列330可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列320、第一磁铁部340以及第二磁铁部350形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列330形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330包括第一块331、第二块332以及第三块333。可以理解，构成第二海尔贝克阵列330的复数个磁体分别被命名为块331、332、333。

第一块至第三块331、332、333可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块331、332、333可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块331、332、333可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块331、332、333沿第二面312延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块331、332、333沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块331、332、333中，第一块331配置于最左侧，第三块333配置于最右侧。另外，第二块332位于第一块331和第三块323之间。

在一实施例中，第二块332可以与第一块331和第三块323接触。

此时，第一块331和第三块333可以配置为在朝空间部315的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b分别重叠。

另外，第一海尔贝克阵列320的各个块321、322、323和第二海尔贝克阵列330的各个块331、332、333可以配置为在前后方向上彼此重叠。

各个块331、332、333包括复数个面。

具体而言，第一块331包括：第一内表面331a，与第二块332相反；以及第一外表面331b，朝向第二块332。

第二块332包括：第二内表面332a，朝向空间部315或第一海尔贝克阵列320；以及第二外表面332b，与空间部315或第一海尔贝克阵列320相反。

第三块333包括：第三内表面333a，朝向第二块332；以及第三外表面333b，与第二块332相反。

各个块331、332、333的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面331a、第二面外表面332b以及第三外表面333b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列320的第一内表面321a、第二外表面322b、第三外表面323b以及第一磁铁部和第二磁铁部340、350的各个相对面341、351的极性相同。

另外，第一外表面331b、第二内表面332a以及第三内表面333a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列320的第一外表面321b、第二内表面322a、第三内表面323a以及第一磁铁部和第二磁铁部340、350的各个相反面342、352的极性相同。

第一磁铁部340和第二磁铁部350其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330一起形成磁场。通过第一磁铁部340和第二磁铁部350形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部340和第二磁铁部350可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部340和第二磁铁部350可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部340可以位于与第三面313和第四面314中的任意一面邻近的位置。另外，第二磁铁部350可以位于与第三面313和第四面314中的另一面邻近的位置。

在一实施例中，第一磁铁部340和第二磁铁部350可以分别与第三面313和第四面314的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一磁铁部340位于与第三面313邻近的位置。另外，第二磁铁部350位于与第四面314邻近的位置。

第一磁铁部340和第二磁铁部350沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部340和第二磁铁部350沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部340和第二磁铁部350可以配置为隔着空间部315彼此相对。

第一磁铁部340位于偏向第一面311和第二面312中的任意一面的位置。另外，第二磁铁部350位于偏向第一面311和第二面312中的另一面的位置。

在图9示出的实施例中，第一磁铁部340位于偏向第二面312的位置，第二磁铁部350位于偏向第一面311的位置。在图10示出的实施例中，第一磁铁部340位于偏向第一面311的位置，第二磁铁部350位于偏向第二面312的位置。

第一磁铁部340包括：第一相对面341，与所述第一磁铁部340所偏向的所述任意一面相反；以及第一相反面342，朝向所述任意一面。即，第一相对面341和所述任意一面之间的距离大于第一相反面342和所述任意一面之间的距离。

第二磁铁部350包括：第二相对面351，与所述第二磁铁部350所偏向的所述另一面相反；以及第二相反面352。朝向所述任意一面。即，第二相对面351和所述另一面之间的距离大于第二相反面352和所述另一面之间的距离。

第一磁铁部340至第二磁铁部350的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，各个相对面341、351被磁化为与第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330的第一内表面321a、331a、第二外表面322b、332b以及第三外表面323b、333b相同的极性。

同样地，各个相反面342、352被磁化为与第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330的第一外表面321b、331b、第二内表面322a、332a以及第三内表面323a、333a相同的极性。

下面，参照图11和图12对由本实施例的电弧路径形成部300形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图11，第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330的第二内表面322a、332a被磁化为N极。另外，根据所述规定的规则，各个相对面341、351被磁化为不同的极性，即S极。

由此，在第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330与第一磁铁部340、第二磁铁部350之间形成从第二内表面322a、332a朝各个相对面341、351的方向的磁场。

在图11的(a)和图12的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图11的(b)和图12的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330、第一磁铁部340以及第二磁铁部350的各个面的极性发生变化的情况下，第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330和第一磁铁部340、第二磁铁部350形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图11的(a)和图12的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图11的(b)如图12的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部300可以与第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330和第一磁铁部340、第二磁铁部350的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

4.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部400说明

下面，参照图13至图16对本发明又一实施例的电弧路径形成部400进行说明。

参照图13和图14，图示的实施例的电弧路径形成部400包括磁铁框架410、第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450。

本实施例的磁铁框架410的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架410的第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架410的说明。

构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列420可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列420可以位于与第一面411和第二面412中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420在第一面411的内侧配置为与第一面411邻近，并且与位于第二面412的内侧的第二海尔贝克阵列430相对。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430之间。

第一海尔贝克阵列420可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列420形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420包括第一块421、第二块422、第三块423、第四块424以及第五块425。可以理解，构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体分别被命名为块421、422、423、424、425。

第一块至第五块421、422、423、424、425可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块421、422、423、424、425可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块421、422、423、424、425可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块421、422、423、424、425沿第一面411延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块421、422、423、424、425沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块421、422、423、424、425中，第一块421配置于最左侧，第五块425配置于最右侧。另外，第二块至第四块422、423、424在第一块421和第五块425之间沿从左侧朝右侧的方向并排配置。

在一实施例中，第一块至第五块421、422、423、424、425可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块421和第五块425可以配置为在朝空间部415的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块421、422、423、424、425包括复数个面。

具体而言，第一块421包括：第一内表面421a，朝向空间部415或第二海尔贝克阵列430；以及第一外表面421b，与空间部415或第二海尔贝克阵列430相反。

第二块422包括：第二内表面422a，朝向第一块421；以及第二外表面422b，朝向第三块423。

第三块423包括：第三内表面423a，朝向空间部415或第二海尔贝克阵列430；以及第三外表面423b，与空间部415或第二海尔贝克阵列430相反。

第四块424包括：第四内表面424a，朝向第三块423；以及第四外表面424b，朝向第五块425。

第五块425包括：第五内表面425a，朝向空间部415或第二海尔贝克阵列430；以及第五外表面425b，与空间部415或第二海尔贝克阵列430相反。

各个块421、422、423、424、425的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面421a、第二内表面422a、第五内表面425a、第三外表面423b以及第四外表面424b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列430的第一内表面431a、第二内表面432a、第五内表面435a、第三外表面433b、第四外表面434b以及第一磁铁部440和第二磁铁部450的各个相对面441、451的极性相同。

另外，第一外表面421b、第二外表面422b、第五外表面425b、第三内表面423a以及第四内表面424a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列430的第一外表面431b，第二外表面432b、第五外表面435b、第三内表面433a、第四内表面434a以及第一磁铁部440和第二磁铁部450的各个相反面442、452的极性相同。

构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列430可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与第一海尔贝克阵列420以及磁铁部440、450一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列430可以位于与第一面411和第二面412中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与位于第一面411的内侧的第一海尔贝克阵列420相对。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列430和第一海尔贝克阵列420之间。

第二海尔贝克阵列430可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列420和磁铁部440、450形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列430形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430包括第一块431、第二块432、第三块433、第四块434以及第五块435。可以理解，构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体分别被命名为块431、432、433、434、435。

第一块至第五块431、432、433、434、435可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块431、432、433、434、435可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块431、432、433、434、435可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块431、432、433、434、435沿第二面412延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块431、432、433、434、435沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块431、432、433、434、435中，第一块431配置于最左侧，第五块435配置于最右侧。另外，第二块至第四块432、433、434在第一块431和第五块435之间沿从左侧朝右侧的方向并排配置。

在一实施例中，第一块至第五块431、432、433、434、435可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块431和第五块435可以配置为在朝空间部415的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块431、432、433、434、435包括复数个面。

具体而言，第一块431包括：第一内表面431a，朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420；以及第一外表面431b，与空间部415或第一海尔贝克阵列420相反。

第二块432包括：第二内表面432a，朝向第一块431；以及第二外表面432b，朝向第三块433。

第三块433包括，第三内表面433a朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420；以及第三外表面433b，与空间部415或第一海尔贝克阵列420相反。

第四块434包括：第四内表面434a，朝向第三块433；以及第四外表面434b，朝向第五块435。

第五块435包括：第五内表面435a，朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420；以及第五外表面435b，与空间部415或第一海尔贝克阵列420相反。

各个块431、432、433、434、435的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面431a、第二内表面432a、第五内表面435a、第三外表面433b以及第四外表面434b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列420的第一内表面421a、第二内表面422a、第五内表面425a、第三外表面423b、第四外表面424b以及第一磁铁部440和第二磁铁部450的各个相对面441、451的极性相同。

另外，第一外表面431b、第二外表面432b、第五外表面435b、第三内表面433a以及第四内表面434a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列420的第一外表面421b、第二外表面422b、第五外表面425b、第三内表面423a、第四内表面424a以及第一磁铁部440和第二磁铁部450的各个相反面442、452的极性相同。

第一磁铁部440和第二磁铁部450其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430一起形成磁场。通过第一磁铁部440和第二磁铁部450形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部440和第二磁铁部450可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部440和第二磁铁部450可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部440可以位于与第三面413和第四面414中的任意一面邻近的位置。另外，第二磁铁部450可以位于与第三面413和第四面414中的另一面邻近的位置。

在图示的实施例中，第一磁铁部440位于与第三面413邻近的位置。另外，第二磁铁部450位于与第四面414邻近的位置。

在一实施例中，第一磁铁部440和第二磁铁部450可以分别与第三面413和第四面414的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

第一磁铁部440和第二磁铁部450沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部440和第二磁铁部450沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部440和第二磁铁部450可以配置为隔着空间部415彼此相对。

第一磁铁部440位于偏向第一面411和第二面412中的任意一面的位置。另外，第二磁铁部450位于偏向第一面411和第二面412中的另一面的位置。

在图13示出的实施例中，第一磁铁部440位于偏向第二面412的位置，第二磁铁部450位于偏向第一面411的位置。在图14示出的实施例中，第一磁铁部440位于偏向第一面411的位置，第二磁铁部450位于偏向第二面412的位置。

第一磁铁部440包括：第一相对面441，与所述第一磁铁部440所偏向的任意一面相反；以及第一相反面442，朝向所述任意一面。即，第一相对面441和所述任意一面之间的距离可以大于第一相反面442和所述任意一面之间的距离。

第二磁铁部450包括：第二相对面451，与第二磁铁部450所偏向的另一面相反；以及第二相反面452，朝向所述任意一面。即，第二相对面451和所述另一面之间的距离大于第二相反面452和所述另一面之间的距离。

第一磁铁部440至第二磁铁部450的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，各个相对面441、451被磁化为与海尔贝克阵列420、430的第一内表面421a、431a、第二内表面422a、432a、第五内表面425a、435a、第三外表面423b、433b以及第四外表面424b、434b相同的极性。

同样地，各个相反面442、452被磁化为与各个海尔贝克阵列420、430的第一外表面421b、431b、第二外表面422b、432b、第五外表面、425b、435b、第三内表面423a、433a以及第四内表面424a、434a相同的极性。

下面，参照图15和图16对由本实施例的电弧路径形成部400形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图15，第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430的第一外表面421b、431b、第二外表面422b、432b、第五外表面425b、435b、第三内表面423a、433a以及第四内表面424a、434a被磁化为N极。另外，根据所述规定的规则，第一磁铁部440和第二磁铁部450的各个相对面441、451被磁化为不同的极性，即S极。

由此，在第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430与第一磁铁部440、第二磁铁部450之间，根据极性形成磁场。

具体而言，在第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430与第一磁铁部440、第二磁铁部450之间形成从第三内表面423a、433a朝各个相对面441、451的方向的磁场。

在图15的(a)和图16的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图15的(b)和图16的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450的各个面的极性发生变化的情况下，在第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430、第一磁铁部440以及第二磁铁部450形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图15的(a)和图16的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图15的(b)和图16的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部400可以与海尔贝克阵列420和磁铁部430的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

5.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部500的说明

下面，参照图17和图18对本发明又一实施例的电弧路径形成部500进行说明。

参照图17，图示的实施例的电弧路径形成部500包括磁铁框架510、第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540、第二磁铁部550、第三磁铁部560以及第四磁铁部570。

本实施例的磁铁框架510的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架510的第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540、第二磁铁部550、第三磁铁部560以及第四磁铁部570的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架510的说明。

构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列520可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与第二海尔贝克阵列530以及第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列520可以位于与第一面511和第二面512中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与位于第二面512的内侧的第二海尔贝克阵列530相对。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间。

第一海尔贝克阵列520可以强化其自身形成的磁场以及与第二海尔贝克阵列530和磁铁部540、550、560、570形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列520形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520包括第一块521、第二块522以及第三块523。可以理解，构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体分别被命名为块521、522、523。

第一块至第三块521、522、523可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块521、522、523可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块521、522、523可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块521、522、523沿第一面511延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块521、522、523沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块521、522、523中，第一块521配置于最左侧，第三块523配置于最右侧。另外，第二块522位于第一块521和第三块523之间。

在一实施例中，第一块至第三块521、522、523可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块521和第三块523可以配置为在朝空间部515的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块521、522、523包括复数个面。

具体而言，第一块521包括：第一内表面521a，与第二块522相反；以及第一外表面521a，朝向第二块522。

第二块522包括：第二内表面522a，朝向空间部515或第二海尔贝克阵列530；以及第二外表面522b，与空间部515或第二海尔贝克阵列530相反。

第三块523包括：第三内表面523a，朝向第二块522；以及第三外表面523b，与第二块522相反。

各个块521、522、523的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一外表面521b、第二内表面522a以及第三内表面523a被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列530的第一外表面531b、第二内表面532a、第三内表面533a以及第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个相反面542、552、562、572的极性相同。

另外，第一内表面521a、第二外表面522b以及第三外表面523b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列530的第一内表面531a、第二外表面532b、第三外表面533b以及第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个相对面541、551、561、571的极性相同。

构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列530可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与第一海尔贝克阵列520以及磁铁部540、550、560、570一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列530可以位于与第一面511和第二面512中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与位于第一面511的内侧的第一海尔贝克阵列520相对。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列530和第一海尔贝克阵列520之间。

第二海尔贝克阵列530可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列520和磁铁部540、550、560、570形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列530形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530包括第一块531、第二块532以及第三块533。可以理解，构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体分别被命名为块531、532、533。

第一块至第三块531、532、533可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块531、532、533可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块531、532、533可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块531、532、533沿第二面512延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块531、532、533沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块531、532、533中，第一块531配置于最左侧，第三块533配置于最右侧。

另外，第二块532位于第一块531和第三块533之间。

在一实施例中，第一块至第三块531、532、533可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块531和第三块533可以配置为在朝空间部515的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块531、532、533包括复数个面。

具体而言，第一块531包括：第一内表面531a，与第二块532相反；以及第一外表面531a，朝向第二块532。

第二块532包括：第二内表面532a，朝向空间部515或第一海尔贝克阵列520；以及第二外表面532b，与空间部515或第一海尔贝克阵列520相反。

第三块533包括：第三内表面533a，朝向第二块522；以及第三外表面523b，与第二块532相反。

各个块531、532、533的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一外表面531b、第二内表面532a以及第三内表面532a、533a被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列520的第一外表面521b、第二内表面522a、第三内表面523a以及第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个相反面542、552、562、572的极性相同。

另外，第一内表面531a、第二外表面532b以及第三外表面533b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列520的第一内表面521a、第二外表面522b、第三外表面523b以及第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个相对面541、551、561、571的极性相同。

第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530一起形成磁场。通过第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部540和第二磁铁部550可以位于与第三面513和第四面514中的任意一面邻近的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部540和第二磁铁部550位于与第三面513邻近的位置。

第一磁铁部540和第二磁铁部550可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上并排并且邻近。在一实施例中，第一磁铁部540和第二磁铁部550可以彼此接触。

第一磁铁部540和第二磁铁部550分别可以位于偏向第一面511和第二面512中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部540位于偏向第一面511的位置，第二磁铁部550位于偏向第二面512的位置。

第三磁铁部560和第四磁铁部570可以位于与第三面513和第四面514中的另一面邻近的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部560和第四磁铁部570位于与第四面514邻近的位置。

第三磁铁部560和第四磁铁部570可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上并排并且邻近。在一实施例中，第三磁铁部560和第四磁铁部570可以彼此接触。

第三磁铁部560和第四磁铁部570可以分别位于偏向第一面511和第二面512的另一面的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部560位于偏向第一面511的位置，第四磁铁部570位于偏向第二面512的位置。

在一实施例中，第一磁铁部540和第二磁铁部550可以与第三面513的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合，第三磁铁部560和第四磁铁部570可以与第四面514的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570沿沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部540和第三磁铁部560可以配置为隔着空间部515彼此相对。另外，第二磁铁部550和第四磁铁部570可以配置为隔着空间部515彼此相对。

各个磁铁部540、550、560、570包括复数个面。

第一磁铁部540包括：第一相对面541，朝向第二磁铁部550；以及第一相反面542，与第二磁铁部550相反。

第二磁铁部550包括：第二相对面551，朝向第一磁铁部540；以及第二相反面552，与第一磁铁部540相反。

第三磁铁部560包括：第三相对面561，朝向第四磁铁部570；以及第三相反面562，与第四磁铁部570相反。

第四磁铁部570包括：第四相对面571，朝向第三磁铁部560；以及第四相反面572，与第三磁铁部560相反。

第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，各个相对面541、551、561、571被磁化为与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的第一内表面521a、531a、第二外表面522b、532b以及第三外表面523b、533b相同的极性。

同样地，各个相反面542、552、562、572被磁化为与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的第一外表面521b、531b、第二内表面522a、532a以及第三内表面523a、533a相同的极性。

下面，参照图18对由本实施例的电弧路径形成部500形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图18，第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的第一外表面521b、531b、第二内表面522a、532a以及第三内表面523a、533a被磁化为N极。另外，根据所述规定的规则，第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570的各个相对面541、551、561、571被磁化为不同的极性，即S极。

由此，在第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530与第一磁铁部至第四磁铁部540、550、560、570之间形成从各个第二内表面522a、532a朝各个相对面541、551、561、571的方向的磁场。

在图18的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图18的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列520、530和磁铁部540、550、560、570的各个面的极性发生变化的情况下，在海尔贝克阵列520、530和磁铁部540、550、560、570形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图18的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图18的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部500可以与海尔贝克阵列520、530和磁铁部540、550、560、570的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

6.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部600的说明

下面，参照图19至图22对本发明又一实施例的电弧路径形成部600进行说明。

参照图19至图20，图示的实施例的电弧路径形成部600包括磁铁框架610、第一海尔贝克阵列620、第二海尔贝克阵列630、第一磁铁部640、第二磁铁部650、第三磁铁部660以及第四磁铁部670。

本实施例的磁铁框架610的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架610的第一海尔贝克阵列620、第二海尔贝克阵列630、第一磁铁部640、第二磁铁部650、第三磁铁部660以及第四磁铁部670的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架610的说明。

构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列620可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与第二海尔贝克阵列630以及第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列620可以位于与第一面611和第二面612中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图19中示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与位于第二面612的内侧的第二海尔贝克阵列630相对。

在图20示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与位于第一面611的内侧的第二海尔贝克阵列630相对。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630之间。

第一海尔贝克阵列620可以强化其自身形成的磁场以及与第二海尔贝克阵列630和第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列620形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620包括第一块621、第二块622、第三块623、第四块624以及第五块625。可以理解，构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体分别被命名为块621、622、623、624、625。

第一块至第五块621、622、623、624、625可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块621、622、623、624、625可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块621、622、623、624、625可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块621、622、623、624、625沿第一面611或第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块621、622、623、624、625沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块621、622、623、624、625中，第一块621配置于最左侧，第五块625配置于最右侧。另外，第二块至第四块622、623、624在第一块621和第五块625之间沿从左侧朝右侧的方向并排配置。

在一实施例中，第一块至第五块621、622、623、624、625可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块621和第五块625可以配置为在朝第二面612的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。

各个块621、622、623、624、625包括复数个面。

具体而言，第一块621包括：第一内表面621a，朝向空间部615或第二海尔贝克阵列630；以及第一外表面621b，与空间部615或第二海尔贝克阵列630相反。

第二块622包括：第二内表面622a，朝向第一块621；以及第二外表面622b，朝向第三块623。

第三块623包括：第三内表面623a，朝向空间部615或第二海尔贝克阵列630；以及第三外表面623b，与空间部615或第二海尔贝克阵列630相反。

第四块624包括：第三内表面624a，朝向第三块623；以及第四外表面624b，朝向第五块625。

第五块625包括，第五内表面625a，朝向空间部615或第二海尔贝克阵列630；以及第五外表面625b，与空间部615或第二海尔贝克阵列630相反。

各个块621、622、623、624、625的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面621a、第二内表面622a、第五内表面625a、第三外表面623b以及第四外表面624b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列630的第一内表面631a、第二外表面632b、第三外表面633b以及第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个相对面641、651、661、671的极性相同。

另外，第一外表面621b、第二外表面622b、第五外表面625b、第三内表面623a以及第四内表面624a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第二海尔贝克阵列630的第二内表面632a、第三内表面633a、第一外表面631b、第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个相反面642、652、662、672的极性相同。

构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列630可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与第一海尔贝克阵列620以及第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列630可以位于与第一面611和第二面612中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图19示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与位于第一面611的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

在图20示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与位于第二面612的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列630和第一海尔贝克阵列620之间。

第二海尔贝克阵列630可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列620和第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列630形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630包括第一块631、第二块632以及第三块633。可以理解，构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体分别被命名为块631、632、633。

第一块至第三块631、632、633可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块631、632、633可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块631、632、633可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块631、632、633沿第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块631、632、633沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块631、632、633中，第一块631配置于最左侧，第三块633配置于最右侧。

另外，第二块632位于第一块631和第三块633之间。

在一实施例中，第一块至第三块631、632、633可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块631和第三块633可以配置为在朝第二面612的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b分别重叠。在所述实施例中，第一海尔贝克阵列620的延伸长度和第二海尔贝克阵列630的延伸长度可以相同。

各个块631、632、633包括复数个面。

具体而言，第一块631包括：第一内表面631a，与第二块632相反；以及第一外表面631a，朝向第二块632。

第二块632包括：第二内表面632a，朝向空间部615或第一海尔贝克阵列620；以及第二外表面632b，与空间部615或第一海尔贝克阵列620相反。

第三块633包括：第三内表面633a，朝向第二块622；以及第三外表面633b，与第二块632相反。

各个块631、632、633的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面631a、第二外表面632b以及第三外表面633b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列620的第一内表面621a、第二外表面622b、第三外表面623b以及第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个相对面641、651、661、671的极性相同。

另外，第一外表面631b、第二内表面632a以及第三内表面633a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第一海尔贝克阵列620的第一外表面621b、第二内表面622a、第三内表面623a以及第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个相反面642、652、662、672的极性相同。

第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630一起形成磁场。通过第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部640和第二磁铁部650可以位于与第三面613和第四面614中的任意一面邻近的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部640和第二磁铁部650位于与第三面613邻近的位置。

第一磁铁部640和第二磁铁部650可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上彼此并排并且邻近。在一实施例中，第一磁铁部640和第二磁铁部650可以彼此接触。

第一磁铁部640和第二磁铁部650可以分别位于偏向第一面611和第二面612中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部640位于偏向第一面611的位置，第二磁铁部650位于偏向第二面612的位置。

第三磁铁部660和第四磁铁部670可以位于与第三面613和第四面614中的另一面邻近的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部660和第四磁铁部670位于与第四面614邻近的位置。

第三磁铁部660和第四磁铁部670可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上并排并且邻近。在一实施例中，第三磁铁部660和第四磁铁部670可以彼此接触。

第三磁铁部660和第四磁铁部670可以分别位于偏向第一面611和第二面612中的另一面的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部660位于偏向第一面611的位置，第四磁铁部670位于偏向第二面612的位置。

在一实施例中，第一磁铁部640和第二磁铁部650可以与第三面613的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合，第三磁铁部660和第四磁铁部670可以与第四面614的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部640和第三磁铁部660可以配置为隔着空间部615彼此相对。另外，第二磁铁部650和第四磁铁部670可以配置为隔着空间部615彼此相对。

各个磁铁部640、650、660、670包括复数个面。

第一磁铁部640包括：第一相对面641，朝向第二磁铁部650；以及第一相反面642，与第二磁铁部650相反。

第二磁铁部650包括：第二相对面651，朝向第一磁铁部640；以及第二相反面652，与第一磁铁部640相反。

第三磁铁部660包括：第三相对面661，朝向第四磁铁部670；以及第三相反面662，与第四磁铁部670相反。

第四磁铁部670包括：第四相对面671，朝向第三磁铁部660；以及第四相反面672，与第三磁铁部660相反。

第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，各个相对面641、651、661、671被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一内表面621a、第二内表面622a、第五内表面625a、第三外表面623b以及第四外表面624b相同的极性。另外，各个相对面641、651、661、671被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一内表面631a、第二外表面632b以及第三外表面633b相同的极性。

同样地，各个相反面642、652、662、672被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一外表面621b、第二外表面622b、第五外表面625b、第三内表面623a以及第四内表面624a相同的极性。另外，各个相反面642、652、662、672被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一外表面631b、第二内表面632a以及第三内表面633a相同的极性。

下面，参照图21至图22对由本实施例的电弧路径形成部600形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图21和图22，第一海尔贝克阵列620的第一外表面621b、第二外表面622b、第五外表面625b、第三内表面623a以及第四内表面624a被磁化为N极。第二海尔贝克阵列630的第一外表面631b、第二内表面632a以及第三内表面633a也被磁化为N极。

进一步，根据所述规定的规则，第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670的各个相对面641、651、661、671被磁化为不同的极性，即S极。

由此，在第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，第一海尔贝克阵列620、第二海尔贝克阵列630与第一磁铁部至第四磁铁部640、650、660、670之间形成从第三内表面623a和第二内表面632a朝各个相对面641、651、661、671的方向的磁场。

在图21的(a)和图22的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图21的和图22的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列620、630和磁铁部640、650、660、670的各个面的极性发生变化的情况下，在海尔贝克阵列620，630和磁铁部640、650、660、670形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图21的(a)和图22a的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图21的(b)和图22的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部600可以与海尔贝克阵列620、630和磁铁部640、650、660、670的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

7.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部700的说明

下面，参照图23至图26对本发明又一实施例的电弧路径形成部700进行说明。

参照图23和图24，图示的实施例的电弧路径形成部700包括磁铁框架710、海尔贝克阵列720、第一磁铁部730、第二磁铁部740、第三磁铁部750、第四磁铁部760以及第五磁铁部770。

本实施例的磁铁框架710的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架710的海尔贝克阵列720、第一磁铁部730、第二磁铁部740、第三磁铁部750、第四磁铁部760以及第五磁铁部770的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架710的说明。

构成海尔贝克阵列720的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列720沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列720可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列720可以与第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770一起形成磁场。

海尔贝克阵列720可以位于与第一面711和第二面712中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列720可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

在图23示出的实施例中，海尔贝克阵列720在第一面711的内侧配置为与第一面711邻近，并且与位于第二面712的内侧的第五磁铁部770相对。

在图24示出的实施例中，海尔贝克阵列720在第二面712的内侧配置为与第二面712邻近，并且与位于第一面711的内侧的第五磁铁部770相对。

空间部715以及容纳于空间部715的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列720和第五磁铁部770之间。

海尔贝克阵列720可以强化其自身形成的磁场和与第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列720形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列720包括第一块721、第二块722、第三块723、第四块724以及第五块725。可以理解，构成海尔贝克阵列720的复数个磁体分别被命名为块721、722、723、724、725。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725沿第一面711延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块721、722、723、724、725沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块721、722、723、724、725中，第一块721配置于最左侧，第五块725配置于最右侧。另外，第二块至第四块722、723、724在第一块721和第五块725之间沿从左侧朝右侧的方向并排配置。

在一实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725可以与彼此邻近的其它块接触。

此时，第一块721和第五块725可以配置为在朝第二面712的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上分别与第一固定触头22a和第二固定触头22b重叠。

各个块721、722、723、724、725包括复数个面。

具体而言，第一块721包括：第一内表面721a，朝向空间部715或第五磁铁部770；以及第一外表面721b，与空间部715或第五磁铁部770相反。

第二块722包括：第二内表面722a，朝向第一块721；以及第二外表面722b，朝向第三块723。

第三块723包括：第三内表面723a，朝向空间部715或第五磁铁部770；以及第三外表面723b，与空间部715或第五磁铁部770相反。

第四块724包括：第四内表面724a，朝向第三块723；以及第四外表面724b，朝向第五块725。

第五块725包括：第五内表面725a，朝向空间部715或第五磁铁部770；以及第五外表面725b，与空间部715或第五磁铁部770相反。

各个块721、722、723、724、725的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面721a、第二内表面722a、第五内表面725a、第三外表面723b以及第四外表面724b被磁化为彼此相同的极性。此时，所述极性可以与第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760的第一相对面至第四相对面731、741、751、761和第五磁铁部770的第五相反面772的极性相同。

另外，第一外表面721b、第二外表面722b、第五外表面725b、第三内表面723a以及第四内表面724a被磁化为与所述极性不同的极性。此时，所述极性可以与第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760的第一相反面至第四相反面732、742、752、762和第五磁铁部770的第五相对面771的极性相同。

第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列720一起形成磁场。通过第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部730和第二磁铁部740可以位于与第三面713和第四面714中的任意一面邻近的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部730和第二磁铁部740位于与第三面713邻近的位置。

第一磁铁部730和第二磁铁部740可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上并排并且邻近。在一实施例中，第一磁铁部730和第二磁铁部740可以彼此接触。

第一磁铁部730和第二磁铁部740可以分别位于偏向第一面711和第二面712中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部730位于偏向第一面711的位置，第二磁铁部740位于偏向第二面712的位置。

第三磁铁部750和第四磁铁部760可以位于与第三面713和第四面714中的另一面邻近的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部750和第四磁铁部760位于与第四面714邻近的位置。

第三磁铁部750和第四磁铁部760可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在前后方向上并排并且邻近。在一实施例中，第三磁铁部750和第四磁铁部760可以彼此接触。

第三磁铁部750和第四磁铁部760可以分别位于偏向第一面711和第二面712中的另一面的位置。在图示的实施例中，第三磁铁部750位于偏向第一面711的位置，第四磁铁部760位于偏向第二面712的位置。

在一实施例中，第一磁铁部740和第二磁铁部750可以与第三面713的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合，第三磁铁部760和第四磁铁部760、770可以与第四面714的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760沿一方向延伸而形成。在图示的实施例中，第一磁铁部至第四磁铁部740、750、760、770沿前后方向延伸而形成。

第一磁铁部730和第三磁铁部750可以配置为隔着空间部715彼此相对。另外，第二磁铁部740和第四磁铁部760可以配置为隔着空间部715彼此相对。

第五磁铁部770可以位于与第一面711和第二面712中的另一面邻近的位置。第五磁铁部770配置为隔着空间部715与海尔贝克阵列720相对。

在图23所示的实施例中，第五磁铁部770位于与第二面712邻近的位置。在图24所示的实施例中，第五磁铁部770位于与第一面711邻近的位置。

第五磁铁部770可以位于所述另一面的中央部分。第五磁铁部770可以沿所述另一面的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸而形成。第五磁铁部770可以配置为在朝空间部715的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与各个固定触头22a、22b重叠。

各个磁铁部730、740、750、760，770包括复数个面。

第一磁铁部730包括：第一相对面731，朝向第二磁铁部740；以及第一相反面732，与第二磁铁部740相反。

第二磁铁部740包括：第二相对面741，朝向第一磁铁部730；以及第二相反面742，与第一磁铁部730相反。

第三磁铁部750包括：第三相对面751，朝向第四磁铁部760；以及第三相反面752，与第四磁铁部760相反。

第四磁铁部760包括：第四相对面761，朝向第三磁铁部750；以及第四相反面762，与第三磁铁部750相反。

第五磁铁部770包括：第五相对面771，朝向空间部715或海尔贝克阵列720；以及第五相反面772，与空间部715或海尔贝克阵列720相反。

第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770的各个面可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第一相对面至第四相对面731、741、751、761和第五相反面772被磁化为与海尔贝克阵列720的第一内表面721a、第二内表面722a、第五内表面725a、第三外表面723b以及第四外表面724b相同的极性。

同样地，第一相反面至第四相反面732、742、752、762和第五相对面771被磁化为与海尔贝克阵列720的第一外表面721b、第二外表面722b、第五外表面725b、第三内表面723a以及第四内表面724a相同的极性。

下面，参照图25和图26对由本实施例的电弧路径形成部700形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图25和图26，第一海尔贝克阵列720的第一外表面721b，第二外表面722b、第五外表面725b、第三内表面723a以及第四内表面724a被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760的各个相对面731、741、751、761被磁化为不同的极性，即S极。

进一步，根据所述规定的规则，第五磁铁部770的第五相对面771被磁化为与所述极性相同的极性，即N极。

由此，在海尔贝克阵列720和第五磁铁部770之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，海尔贝克阵列720和第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760之间形成从第三内表面723a朝各个相对面731、741、751、761的方向的磁场。

同样地，在第五磁铁部770和第一磁铁部至第四磁铁部730、740、750、760之间形成从第五相对面771朝各个相对面731、741、751、761的方向的磁场。

在图25的(a)和图26的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图25的(b)和图26的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列720和第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770的各个面的极性发生变化的情况下，在海尔贝克阵列720和第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图25的(a)和图26的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图25的(b)和图26的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部700可以与海尔贝克阵列720和第一磁铁部至第五磁铁部730、740、750、760、770的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

4.关于本发明的第二实施例的电弧路径形成部的说明

参照图27至图52，示出了根据本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800。各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800在电弧腔室21的内部形成磁场。通过在直流继电器1流动的电流和所形成的磁场，在电弧腔室21的内部形成电磁力。

随着固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧，借助所形成的电磁力而向电弧腔室21的外部移动。具体而言，所产生的电弧沿所形成的电磁力的方向移动。在此，可以说是电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800形成作为供所产生的电弧流动的路径的电弧的路径A.P。

电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800位于在上部框架11的内部形成的空间。电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800配置为包围电弧腔室21。换言之，电弧腔室21位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800的内部。

固定触头22和可动触头43位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800的内部。因固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧可以被由电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800形成的电磁力引导。

本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800包括海尔贝克阵列。海尔贝克阵列在容纳有固定触头22和可动触头43的电弧路径形成部100的内部形成磁场。此时，海尔贝克阵列可以自身形成磁场，也可以在彼此之间形成磁场。

海尔贝克阵列形成的磁场与在固定触头22和可动触头43流动的电流一起形成电磁力。所形成的电磁力引导在固定触头22和可动触头43分离时产生的电弧。

此时，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800形成朝远离空间部115的中心部C的方向的电磁力。由此，电弧的路径A.P也朝远离空间部的中心部C的方向形成。

其结果，设置于直流继电器1的各个构成要素不会因所产生的电弧而受损。进一步，能够迅速地向电弧腔室21的外部排出所产生的电弧。

下面，参照附图对各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800的构成以及由各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

在以下说明到的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800可以具有分别位于前方侧和后方侧的海尔贝克阵列。

如后述，可以将后方侧定义为与第一面111、211、311、411、511、611、711、811邻近的位置，可以将前方侧定义为与第二面112、212、312、412、512、612、712、812邻近的位置。

另外，可以将左侧定义为与第三面113、213、313、413、513、613、713、813邻近的位置，可以将右侧定义为与第四面114、214、314、414、514、614、714、814邻近的位置。

1.关于本发明一实施例的电弧路径形成部100的说明

下面，参照图28和图29对本发明一实施例的电弧路径形成部100进行详细的说明。

参照图28，图示的实施例的电弧路径形成部100包括磁铁框架110、第一海尔贝克阵列(Halbach array)120和第二海尔贝克阵列130。

磁铁框架110形成电弧路径形成部100的骨架。在磁铁框架110配置有海尔贝克阵列120。在一实施例中，海尔贝克阵列120可以与磁铁框架110结合。

磁铁框架110具有沿长度方向，在图示的实施例中为左右方向延伸形成的矩形截面。磁铁框架110的形状可以根据上部框架11和电弧腔室21的形状而发生变化。

磁铁框架110包括第一面111、第二面112、第三面113、第四面114以及空间部115。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114形成磁铁框架110的外周面。即，第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114作为磁铁框架110的壁发挥功能。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的外侧可以接触或固定结合于上部框架11的内表面。另外，海尔贝克阵列120可以位于第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的内侧。

在图示的实施例中，第一面111形成后方侧面。第二面112形成前方侧面并且与第一面111相对。另外，第三面113形成左侧面。第四面114形成右侧面并且与第三面113相对。

即，第一面111和第二面112隔着空间部115彼此相对。另外，第三面113和第四面114隔着空间部115彼此相对。

第一面111与第三面113以及第四面114连接。第一面111可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第二面112与第三面113以及第四面114连接。第二面112可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第一面111至第四面114的彼此连接的各个棱可以被倒角(taper)。

为了各个面111、112、113、114和海尔贝克阵列120的结合，可以设置有紧固构件(未图示)。

虽然未图示，在第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114中的至少一面可以贯穿形成有电弧排出孔(未图示)。电弧排出孔(未图示)可以作为使在空间部115产生的电弧排出的通路发挥功能。

可以将被第一面111至第四面114包围的空间定义为空间部115。

在空间部115容纳有固定触头22和可动触头43。另外，在空间部115容纳有电弧腔室21。

在空间部115中，可动触头43可以朝固定触头22的方向(即，下侧方向)或者远离固定触头22的方向(即，朝上侧方向)移动。

另外，在空间部115形成有在电弧腔室21产生的电弧的路径A.P。这通过海尔贝克阵列120形成的磁场来实现。

可以将空间部115的中央部分定义为中心部C。从第一面至第四面111、112、113、114的彼此连接的棱到中心部C的直线距离可以相同。

中心部C位于第一固定触头22a和第二固定触头22b之间。另外，可动触头部40的中心部分位于中心部C的垂直下方。即，罩体41、盖42、可动触头43、轴44以及弹性部45等的中心部分位于中心部C的垂直下方。

因此，在产生的电弧向中心部C移动的情况下，可能使所述构成受损。为了防止构成受损，本实施例的电弧路径形成部100包括第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列120的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列120沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列120可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列120可以与第二海尔贝克阵列130一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列120可以位于与第一面111和第二面112中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列120可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部115的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列120在第一面111的内侧配置为与第一面111邻近，并且与位于第二面112的内侧的第二海尔贝克阵列130相对。

空间部115以及容纳于空间部115的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130之间。

第一海尔贝克阵列120可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列130形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列120形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列120包括第一块121、第二块122以及第三块123。可以理解，构成第一海尔贝克阵列120的复数个磁体分别被命名为块121、122、123。

第一块至第三块121、122、123可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块121、122、123可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块121、122、123可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块121、122、123沿第一面111延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块121、122、123沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块121、122、123中，第二块122配置于最左侧，第三块123配置于最右侧。另外，第一块121位于第二块122和第三块123之间。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块121、122、123可以彼此接触。

第一块至第三块121、122、123可以配置为在朝第二海尔贝克阵列130的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列130的第一块至第三块131、132、133重叠。

此时，第二块122可以配置为在朝第二面112的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

另外，第三块123可以配置为在朝第二面112的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块121、122、123包括复数个面。

具体而言，第一块121包括：第一内表面121a，朝向空间部115或第二海尔贝克阵列130；以及第一外表面121b，与空间部115或第二海尔贝克阵列130相反。

第二块122包括：第二内表面122a，朝向第一块121；以及第二外表面122b，与第一块121相反。

第三块123包括：第三内表面123a，朝向第一块121；以及第三外表面123b，朝向第一块121。

各个块121、122、123的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面121a、122a、123a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面121b、122b、123b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面121a、122a、123a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列130的第一内表面至第三内表面131a、132a、133a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面121b、122b、123b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列130的第一外表面至第三外表面131b、132b、133b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列130的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列130沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列130可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列130可以与第一海尔贝克阵列120一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列130可以位于与第一面111和第二面112中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列130可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部115的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列130在第二面112的内侧配置为与第二面112邻近，并且与位于第一面111的内侧的第一海尔贝克阵列120相对。

空间部115以及容纳于空间部115的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列130和第一海尔贝克阵列120之间。

第二海尔贝克阵列130可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列120形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列130形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列130包括第一块131、第二块132以及第三块133。可以理解，构成第二海尔贝克阵列130的复数个磁体分别被命名为块131、132、133。

第一块至第三块131、132、133可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块131、132、133可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块131、132、133可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块131、132、133沿第二面112延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块131、132、133沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块131、132、133中，第二块132配置于最左侧，第三块133配置于最右侧。另外，第一块131位于第二块132和第三块133之间。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块131、132、133可以彼此接触。

第一块至第三块131、132、133可以配置为在朝第一海尔贝克阵列120的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列120的第一块至第三块121、122、123分别重叠。

此时，第二块132可以配置为在朝第一面111的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

另外，第三块133可以配置为在朝第一面111的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块131、132、133包括复数个面。

具体而言，第一块131包括：第一内表面131a，朝向空间部115或第一海尔贝克阵列120；以及第一外表面131b，与空间部115或第一海尔贝克阵列120相反。

第二块132包括：第二内表面132a，朝向第一块131；以及第二外表面132b，与第一块131相反。

第三块133包括：第三内表面133a，朝向第一块131；以及第三外表面133b，与第一块131相反。

各个块131、132、133的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面131a、132a、133a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面131b、132b、133b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面131a、132a、133a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列120的第一内表面至第三内表面121a、122a、123a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面131b、132b、133b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列120的第一外表面至第三外表面121b、122b、123b相同的极性。

可以说第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130的相对极性关系在前后方向上几何对称。

即，第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130被磁化为相对于经过各个固定触头22a、22b的假想直线对称。

下面，参照图29对由本实施例的电弧路径形成部100形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图29，第一海尔贝克阵列120的第一内表面至第三内表面121a、122a、123a被磁化为N极。另外，第二海尔贝克阵列130的第一内表面至第三内表面131a、132a、133a也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一海尔贝克阵列和第二海尔贝克阵列120、130的各个第一外表面至第三外表面121b、131b、122b、132b、123b、133b被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图29的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则(Fleming’s rule)，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图29的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130的各个面的极性发生变化的情况下，在各个海尔贝克阵列120、130形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图29的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图29的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部100可以与第一海尔贝克阵列120和第二海尔贝克阵列130的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

2.关于本发明另一实施例的电弧路径形成部200的说明

下面，参照图30至图32对本发明另一实施例的电弧路径形成部200进行详细的说明。

参照图30和图31，图示的实施例的电弧路径形成部200包括磁铁框架210、第一海尔贝克阵列220以及第二海尔贝克阵列230。

本实施例的磁铁框架210的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架210的第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架210的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列220的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列220可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220可以与第二海尔贝克阵列230形成磁场。

第一海尔贝克阵列220可以位于与第一面211和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列220可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220在第一面211的内侧配置为与第一面211邻近，并且与位于第二面212的内侧的第二海尔贝克阵列230相对。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230之间。

第一海尔贝克阵列220位于偏向第三面213和第四面214中的任意一面的位置。在图30示出的实施例中，第一海尔贝克阵列220位于偏向第四面214的位置。在图31示出的实施例中，第二海尔贝克阵列230位于偏向第三面213的位置。

第一海尔贝克阵列220可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列230形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列220形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列220包括第一块221和第二块222。可以理解，构成第一海尔贝克阵列220的复数个磁体分别被命名为块221、222。

第一块221和第二块222可以由磁体形成。在一实施例中，第一块221和第二块222可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块221和第二块222可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块221和第二块222沿第一面211延伸的方向，即左右方向并排配置。

在图30示出的实施例中，第一块221位于中央部分，第二块222位于第一块221的右侧。在图31示出的实施例中，第一块221位于中央部分，第二块222位于第一块221的左侧。

在一实施例中，第一块221和第二块222可以彼此接触。

第一块221可以配置为在朝第二海尔贝克阵列230的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列230的第一块231重叠。

此时，第二块222可以配置为在朝第二面212的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

在图30示出的实施例中，第二块222配置为与第二固定触头22b在前后方向上重叠。在图31示出的实施例中，第二块222与第一固定触头22a在前后方向上重叠。

各个块221、222包括复数个面。

具体而言，第一块221包括：第一内表面221a，朝向空间部215或第二海尔贝克阵列230；以及第一外表面221b，与空间部215或第二海尔贝克阵列230相反。

第二块222包括：第二内表面222a朝向第一块221；以及第二外表面222b，与第一块221相反。

各个块221、222的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面221a和第二内表面222a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面221b和第二外表面222b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面221a和第二内表面222a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第一内表面231a和第二内表面232a相同的极性。同样地，第一外表面221b和第二外表面222b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列230的第一外表面231b和第二外表面232b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列230的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列230可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230可以与第一海尔贝克阵列220一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列230可以位于与第一面211和第二面212中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列230可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230在第二面212的内侧配置为与第二面212邻近，并且与位于第一面211的内侧的第一海尔贝克阵列220相对。

第二海尔贝克阵列230位于偏向第三面213和第四面214中的另一面的位置。在图30示出的实施例中，第二海尔贝克阵列230位于偏向第三面213的位置。在图31示出的实施例中，第二海尔贝克阵列230位于偏向第四面214的位置。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列230和第一海尔贝克阵列220之间。

第二海尔贝克阵列230可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列220形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列230形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列230包括第一块231和第二块232。可以理解，构成第二海尔贝克阵列230的复数个磁体分别被命名为块231、232。

第一块231和第二块232可以由磁体形成。在一实施例中，第一块231和第二块232可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块231和第二块232可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块231和第二块232沿第二面212延伸的方向，即左右方向并排配置。

在图30示出的实施例中，第一块231位于中央部分，第二块232位于第一块231的左侧。在图31示出的实施例中，第一块231位于中央部分，第二块232位于第一块231的右侧。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块231、232可以彼此接触。

第一块231可以配置为在朝第一海尔贝克阵列220的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列220的第一块221重叠。

此时，第二块222可以配置为在朝第二面212的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

在图30示出的实施例中，第二块222与第一固定触头22a在前后方向上重叠。在图31示出的实施例中，第二块222与第二固定触头22b在前后方向上重叠。

各个块231、232包括复数个面。

具体而言，第一块231包括：第一内表面231a，朝向空间部215或第一海尔贝克阵列220；以及第一外表面231b，与空间部215或第一海尔贝克阵列220相反。

第二块232包括：第二内表面232a，朝向第一块231；以及第二外表面232b，与第一块231相反。

各个块231、232的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面231a和第二内表面232a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面231b和第二外表面232b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面231a和第二内表面232a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列220的第一内表面221a和第二内表面222a相同的极性。同样地，第一外表面231b和第二外表面232b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列220的第一外表面221b和第二外表面222b相同的极性。

可以说第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的相对极性关系在前后方向上几何对称。

即，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230被磁化为相对于经过各个固定触头22a、22b的假想直线对称。

下面，参照图32对由本实施例的电弧路径形成部200形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图32，第一海尔贝克阵列220的第一内表面221a和第二内表面222a被磁化为N极。另外，第二海尔贝克阵列230的第一内表面231a和第二内表面232a也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的各个第一外表面221b、231b和第三外表面222b、232b被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230之间形成彼此排斥的方向的磁场。

此时，第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的第二块222、232形成为强化所述磁场。

在图32的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图32的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列220、230形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图32的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图32的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部200可以与第一海尔贝克阵列220和第二海尔贝克阵列230的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

3.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部300的说明

下面，参照图33和图33对本发明又一实施例的电弧路径形成部300进行详细的说明。

参照图33，图示的实施例的电弧路径形成部300包括磁铁框架310、第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330、第三海尔贝克阵列340以及第四海尔贝克阵列350。

本实施例的磁铁框架310的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架310的第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330、第三海尔贝克阵列340以及第四海尔贝克阵列350的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架310的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列320的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列320可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320可以与第三海尔贝克阵列340一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列320可以位于与第一面311和第二面312中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列320可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320在第一面311的内侧配置为与第一面311邻近，并且与位于第二面312的内侧的第三海尔贝克阵列340或第四海尔贝克阵列350相对。

第一海尔贝克阵列320配置为在其延伸方向上与第二海尔贝克阵列330并排配置。第一海尔贝克阵列320配置为与第二海尔贝克阵列330邻近。在一实施例中，第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330可以彼此接触。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列320和第三海尔贝克阵列340之间或第四海尔贝克阵列350之间。

第一海尔贝克阵列320位于偏向第三面313和第四面314中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320位于偏向第三面313的位置。

第一海尔贝克阵列320可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列至第四海尔贝克阵列330、340、350形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列320形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列320包括第一块321、第二块322以及第三块323。可以理解，构成第一海尔贝克阵列320的复数个磁体分别被命名为块321、322、323。

第一块至第三块321、322、323可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块321、322、323可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块321、322、323可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块321、322、323沿第一面311延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块321位于第一海尔贝克阵列320的中央部分。第二块322位于第一块321的左侧，第三块323位于第一块321的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块321、322、323可以彼此接触。

第一块321可以配置为在朝第三海尔贝克阵列340的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第三海尔贝克阵列340的第一块341重叠。

另外，第一块321可以配置为在朝第三海尔贝克阵列340的方向上，在图示的实施例中为前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块321、322、323包括复数个面。

具体而言，第一块321包括：第一内表面321a，朝向空间部315或第三海尔贝克阵列340；以及第一外表面321b，与空间部315或第三海尔贝克阵列340相反。

第二块322包括：第二内表面322a，朝向第一块321；以及第二外表面322b，与第一块321相反。

第三块323包括：第三内表面323a，朝向第一块321；以及第三外表面323b，与第一块321相反。

各个块321、322、323的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面321a、322a、323a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面321b、322b、323b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面321a、322a、323a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一内表面至第三内表面331a、332a、333a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面321b、322b、323b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一外表面至第三外表面331b、332b、333b相同的极性。

第一内表面至第三内表面321a、322a、323a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一内表面至第三内表面341a、342a、343a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面321b、322b、323可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一外表面至第三外表面341b、342b、343b相同的极性。

第一内表面至第三内表面321a、322a、323a可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一内表面至第三内表面351a、352a、353a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面321b、322b、323可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一外表面至第三外表面351b、352b、353b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列330的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列330可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330可以与第四海尔贝克阵列350一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列330可以位于与第一面311和第二面312中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列330可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330在第一面311的内侧配置为与第一面311邻近，并且与位于第二面312的内侧的第三海尔贝克阵列340或第四海尔贝克阵列350相对。

第二海尔贝克阵列330配置为在其延伸方向上与第一海尔贝克阵列320并排。第二海尔贝克阵列330配置为与第一海尔贝克阵列320邻近。在一实施例中，第二海尔贝克阵列330和第一海尔贝克阵列320可以彼此接触。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列330和第三海尔贝克阵列340之间或第四海尔贝克阵列350之间。

第二海尔贝克阵列330位于偏向第三面313和第四面314中的另一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330位于偏向第四面314的位置。

第二海尔贝克阵列330可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列320、第三海尔贝克阵列340以及第四海尔贝克阵列350形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列330形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列330包括第一块331、第二块332以及第三块333。可以理解，构成第二海尔贝克阵列330的复数个磁体分别被命名为块331、332、333。

第一块至第三块331、332、333可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块331、332、333可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块331、332、333可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块331、332、333沿第一面311延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块331位于第二海尔贝克阵列330的中央部分。第二块332位于第一块331的左侧，第三块333位于第一块331的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块331、332、333可以彼此接触。

第一块331可以配置为在朝第四海尔贝克阵列350的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第四海尔贝克阵列350的第一块351重叠。

另外，第一块331可以配置为在朝第四海尔贝克阵列350的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块331、332、333包括复数个面。

具体而言，第一块331包括：第一内表面331a，朝向空间部315或第四海尔贝克阵列350；以及第一外表面331b，与空间部315或第四海尔贝克阵列350相反。

第二块332包括：第二内表面332a，朝向第一块331；以及第二外表面332b，与第一块331相反。

第三块333包括：第三内表面333a，朝向第一块331；以及第三外表面333b，与第一块331相反。

各个块331、332、333的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面331a、332a、333a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面331b、332b、333b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面331a、332a、333a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一内表面至第三内表面321a、323a、323a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面331b、332b、333b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一外表面至第三外表面321b、322b、323b相同的极性。

第一内表面至第三内表面331a、332a、333a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一内表面至第三内表面341a、342a、343a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面331b、332b、333b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一外表面至第三外表面341b、342b、343b相同的极性。

第一内表面至第三内表面331a、332a、333a可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一内表面至第三内表面351a、352a、353a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面331b、332b、333b可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一外表面至第三外表面351b、352b、353b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第三海尔贝克阵列340的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列340沿左右方向延伸而形成。

第三海尔贝克阵列340可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列340可以与第一海尔贝克阵列320一起形成磁场。

第三海尔贝克阵列340可以位于与第一面311和第二面312中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第三海尔贝克阵列340可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列340在第二面312的内侧配置为与第二面312邻近，并且与位于第一面311的内侧的第一海尔贝克阵列320或第二海尔贝克阵列330相对。

第三海尔贝克阵列340配置为在其延伸方向上与第四海尔贝克阵列350并排。第三海尔贝克阵列340配置为与第四海尔贝克阵列350邻近。在一实施例中，第三海尔贝克阵列340和第四海尔贝克阵列350可以彼此接触。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第三海尔贝克阵列340和第一海尔贝克阵列320或第二海尔贝克阵列330之间。

第三海尔贝克阵列340位于偏向第三面313和第四面314中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列340位于偏向第三面313的位置。

第三海尔贝克阵列340可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列320、第二海尔贝克阵列330以及第四海尔贝克阵列350形成的磁场的强度。由于由第三海尔贝克阵列340形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列340包括第一块341、第二块342以及第三块343。可以理解，构成第三海尔贝克阵列340的复数个磁体分别被命名为块341、342、343。

第一块至第三块341、342、343可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块341、342、343可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块341、342、343可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块341、342、343沿第二面312延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块341位于第三海尔贝克阵列340的中央部分。第二块342位于第一块341的左侧，第三块343位于第一块341的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块341、342、343可以彼此接触。

第一块341可以配置为在朝第一海尔贝克阵列320的方向上，在图示的实施例为在前后方向上与第一海尔贝克阵列320的第一块321重叠。

另外，第一块341可以配置为在朝第一海尔贝克阵列320的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块341、342、343包括复数个面。

具体而言，第一块341包括：第一内表面341a，朝向空间部315或第一海尔贝克阵列320；以及第一外表面341b，与空间部315或第一海尔贝克阵列320相反。

第二块342包括：第二内表面342a，朝向第一块341；以及第二外表面342b，与第一块341相反。

第三块343包括：第三内表面343a，朝向第一块341；以及第三外表面343b，与第一块341相反。

各个块341、342、343的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面341a、342a、343a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面341b、342b、343b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面341a、342a、343a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一内表面至第三内表面321a、323a、323a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面341b、342b、343b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一外表面至第三外表面321b、323b、323b相同的极性。

第一内表面至第三内表面341a、342a、343a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一内表面至第三内表面331a、332a、333a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面341b、342b、343b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一外表面至第三外表面331b、332b、333b相同的极性。

第一内表面至第三内表面341a、342a、343a可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一内表面至第三内表面351a、352a、353a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面341b、342b、343b可以被磁化为与第四海尔贝克阵列350的第一外表面至第三外表面351b、352b、353b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第四海尔贝克阵列350的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第四海尔贝克阵列350沿左右方向延伸而形成。

第四海尔贝克阵列350可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第四海尔贝克阵列350可以与第二海尔贝克阵列330一起形成磁场。

第四海尔贝克阵列350可以位于与第一面311和第二面312中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第四海尔贝克阵列350可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图示的实施例中，第四海尔贝克阵列350在第二面312的内侧配置为与第二面312邻近，并且与位于第一面311的内侧的第一海尔贝克阵列320或第二海尔贝克阵列330相对。

第四海尔贝克阵列350配置为在其延伸方向上与第三海尔贝克阵列340并排。第四海尔贝克阵列350配置为与第三海尔贝克阵列340邻近。在一实施例中，第三海尔贝克阵列340和第四海尔贝克阵列350可以彼此接触。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于第四海尔贝克阵列350和第一海尔贝克阵列320或第二海尔贝克阵列330之间。

第四海尔贝克阵列350位于偏向第三面313和第四面314中的另一面的位置。在图示的实施例中，第四海尔贝克阵列350位于偏向第四面314的位置。

第四海尔贝克阵列350可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列至第三海尔贝克阵列320、330、340形成的磁场的强度。由于由第四海尔贝克阵列350形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第四海尔贝克阵列350包括第一块351、第二块352以及第三块353。可以理解，构成第四海尔贝克阵列350的复数个磁体分别被命名为块351、352、353。

第一块至第三块351、352、353可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块351、352、353可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块351、352、353可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块351、352、353沿第二面312延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块351位于第四海尔贝克阵列350的中央部分。第二块352位于第一块351的左侧，第三块353位于第一块351的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块351、352、353可以彼此接触。

第一块351可以配置为在朝第二海尔贝克阵列330的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列330的第一块321重叠。

另外，第一块351可以配置为在朝第二海尔贝克阵列330的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块351、352、353包括复数个面。

具体而言，第一块351包括：第一内表面351a，朝向空间部315或第二海尔贝克阵列330；以及第一外表面351b，与空间部315或第二海尔贝克阵列330相反。

第二块352包括：第二内表面352a，朝向第一块351；以及第二外表面352b，与第一块351相反。

第三块353包括：第三内表面353a，朝向第一块351；以及第三外表面353b，与第一块351相反。

各个块351、352、353的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面351a、352a、353a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面351b、352b、353b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面351a、352a、353a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一内表面至第三内表面321a、323a、323a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面351b、352b、353b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列320的第一外表面至第三外表面321b、323b、323b相同的极性。

第一内表面至第三内表面351a、352a、353a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一内表面至第三内表面331a、332a、333a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面351b、352b、353b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列330的第一外表面至第三外表面331b、332b、333b相同的极性。

第一内表面至第三内表面351a、352a、353a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一内表面至第三内表面331a、332a、333a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面351b、352b、353b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列340的第一外表面至第三外表面341b、342b、343b相同的极性。

下面，参照图34对由本实施例的电弧路径形成部300形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图34，第一海尔贝克阵列320的各个内表面321a、322a、323a，第二海尔贝克阵列330的各个内表面331a、332a、333a，第三海尔贝克阵列340的各个内表面341a、342a、343a以及第四海尔贝克阵列350的各个内表面351a、352a、353a被磁化为N极。

由此，在第一海尔贝克阵列320和第三海尔贝克阵列340之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，第二海尔贝克阵列330和第四海尔贝克阵列350之间也形成彼此排斥的方向的磁场。

在图34的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图34的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列320、330形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图34的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图34的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部300可以与第一海尔贝克阵列320和第二海尔贝克阵列330的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

4.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部400的说明

下面，参照图35至图39对本发明又一实施例的电弧路径形成部400进行详细的说明。

参照图35至图38，图示的实施例的电弧路径形成部400包括磁铁框架410、第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及第三海尔贝克阵列440。

本实施例的磁铁框架410的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架410的第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及第三海尔贝克阵列440的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架410的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列420可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列420可以位于与第一面411和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图35和图36示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420在第一面411的内侧配置为与第一面411邻近，并且与位于第二面412的内侧的第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440相对。

在图37和图38示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与位于第一面411的内侧的第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440相对。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440之间。

第一海尔贝克阵列420位于偏向第三面413和第四面414中的任意一面的位置。

在图35和图37示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420位于偏向第三面413的位置。在图36和图38示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420位于偏向第四面414的位置。

第一海尔贝克阵列420可以强化其自身形成的磁场以及与第二海尔贝克阵列430和第三海尔贝克阵列440形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列420形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420包括第一块421、第二块422以及第三块423。可以理解，构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体分别被命名为块421、422、423。

第一块至第三块421、422、423可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块421、422、423可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块421、422、423可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块421、422、423沿第一面411延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块421位于第一海尔贝克阵列420的中央部分。第二块422位于第一块421的左侧，第三块423位于第一块421的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块421、422、423可以彼此接触。

第一块421可以配置为在朝第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列430的第一块431或第三海尔贝克阵列440的第一块441重叠。

另外，第一块421可以配置为在朝第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块421、422、423包括复数个面。

具体而言，第一块421包括：第一内表面421a，朝向空间部415或第二海尔贝克阵列430或第三海尔贝克阵列440；以及第一外表面421b，与空间部415或第二海尔贝克阵列430相反。

第二块422包括：第二内表面422a，朝向第一块421；以及第二外表面422b，与第一块421相反。

第三块423包括：第三内表面423a，朝向第一块421；以及第三外表面423b，与第一块421相反。

各个块421、422、423的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面421a、422a、423a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面421b、422b、423b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面421a、422a、423a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一内表面至第三内表面431a、432a、433a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面421b、422b、423b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一外表面至第三外表面431b、432b、433b相同的极性。

第一内表面至第三内表面421a、422a、423a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列440的第一内表面至第三内表面441a、442a、443a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面421b、422b、423b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列440的第一外表面至第三外表面441b、442b、443b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列430可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与第一海尔贝克阵列420一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列430可以位于与第一面411和第二面412中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与位于第一面411的内侧的第一海尔贝克阵列420相对。

第二海尔贝克阵列430配置为在其延伸方向上与第三海尔贝克阵列440并排。第二海尔贝克阵列430配置为与第三海尔贝克阵列440邻近。在一实施例中，第二海尔贝克阵列430和第三海尔贝克阵列440可以彼此接触。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列430和第一海尔贝克阵列420之间。

第二海尔贝克阵列430位于偏向第三面413和第四面414中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430位于偏向第三面413的位置。

第二海尔贝克阵列430可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列420和第三海尔贝克阵列440形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列430形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430包括第一块431、第二块432以及第三块433。可以理解，构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体分别被命名为块431、432、433。

第一块至第三块431、432、433可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块431、432、433可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块431、432、433可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块431、432、433沿第二面412延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块431位于第二海尔贝克阵列430的中央部分。第二块432位于第一块431的左侧，第三块433位于第一块431的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块431、432、433可以彼此接触。

第一块431可以配置为在朝第一海尔贝克阵列420的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列420的第一块421重叠。

另外，第一块431可以配置为在朝第一海尔贝克阵列420的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

各个块431、432、433包括复数个面。

具体而言，第一块431包括：第一内表面431a，朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420；以及第一外表面431b，与空间部415或第一海尔贝克阵列420相反。

第二块432包括：第二内表面432a朝向第一块431；以及第二外表面432b，与第一块431相反。

第三块433包括：第三内表面433a，朝向第一块431；以及第三外表面433b，与第一块431相反。

各个块431、432、433的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面431a、432a、433a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面431b、432b、433b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面431a、432a、433a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一内表面至第三内表面421a、422a、423a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面431b、432b、433b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一外表面至第三外表面421b、422b、423b相同的极性。

第一内表面至第三内表面431a、432a、433a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列440的第一内表面至第三内表面441a、442a、443a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面431b、432b、433b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列440的第一外表面至第三外表面441b、442b、443b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第三海尔贝克阵列440的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列440沿左右方向延伸而形成。

第三海尔贝克阵列440其自身可以形成磁场。即，第三海尔贝克阵列440中包括的复数个磁体可以在彼此之间形成磁场。

另外，第三海尔贝克阵列440可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列440可以与第一海尔贝克阵列420一起形成磁场。

第三海尔贝克阵列440可以位于与第一面411和第二面312中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第三海尔贝克阵列440可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列440在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与位于第一面411的内侧的第一海尔贝克阵列420相对。

第三海尔贝克阵列440配置为在其延伸方向上与第二海尔贝克阵列430并排。第三海尔贝克阵列440配置为与第二海尔贝克阵列430邻近。在一实施例中，第三海尔贝克阵列440和第三海尔贝克阵列440可以彼此接触。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第三海尔贝克阵列440和第一海尔贝克阵列420之间。

第三海尔贝克阵列440位于偏向第三面413和第四面414中的另一面的位置。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列440位于偏向第四面414的位置。

第三海尔贝克阵列440可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430形成的磁场的强度。由于由第三海尔贝克阵列440形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列440包括第一块441、第二块442以及第三块443。可以理解，构成第三海尔贝克阵列440的复数个磁体分别被命名为块441、442、443。

第一块至第三块441、442、443可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块441、442、443可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块441、442、443可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块441、442、443沿第二面412延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块441位于第三海尔贝克阵列440的中央部分。第二块442位于第一块441的左侧，第三块443位于第一块441的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块441、442、443可以彼此接触。

第一块441可以配置为在朝第一海尔贝克阵列420的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列420的第一块421重叠。

另外，第一块441可以配置为在朝第一海尔贝克阵列420的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块441、442、443包括复数个面。

具体而言，第一块441包括：第一内表面441a，朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420；以及第一外表面441b，与空间部415或第一海尔贝克阵列420相反。

第二块442包括：第二内表面442a，朝向第一块441；以及第二外表面442b，与第一块441相反。

第三块443包括：第三内表面443a，朝向第一块441；以及第三外表面443b，与第一块441相反。

各个块441、442、443的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面441a、442a、443a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面441b、442b、443b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面441a、442a、443a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一内表面至第三内表面421a、422a、423a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面441b、442b、443b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一外表面至第三外表面421b、423b、423b相同的极性。

第一内表面至第三内表面441a、442a、443a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一内表面至第三内表面431a、432a、433a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面441b、442b、443b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一外表面至第三外表面431b、432b、433b相同的极性。

下面，参照图39对由本实施例的电弧路径形成部400形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图39，第一海尔贝克阵列420的各个内表面421a、422a、423a，第二海尔贝克阵列430的各个内表面431a、432a、433a以及第三海尔贝克阵列440的各个内表面441a、442a、443a被N极。

由此，在第一海尔贝克阵列420和第三海尔贝克阵列440之间形成彼此排斥的方向的磁场。

虽然未图示，但是可以理解，在第一海尔贝克阵列420位于偏向第四面414的位置并且与第三海尔贝克阵列440相对的实施例中，在第一海尔贝克阵列420和第三海尔贝克阵列440之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图39的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图39的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列至第三海尔贝克阵列420、430、440的个面的极性发生变化时，各个海尔贝克阵列420、430形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在图39的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图39的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部400可以与第一海尔贝克阵列至第三海尔贝克阵列420、430、440的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

5.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部500的说明

下面，参照图40至图42对发明又一实施例的电弧路径形成部500进行详细的说明。

参照图40和图41，图示的实施例的电弧路径形成部500包括磁铁框架510、第一海尔贝克阵列520以及第二海尔贝克阵列530。

本实施例的磁铁框架510的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架510的第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架510的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列520可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与第二海尔贝克阵列530一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列520可以位于与第一面511和第二面512中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与位于第二面512的内侧的第二海尔贝克阵列530在对角线方向上相对。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间。在一实施例中，中心部C可以在连接第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的假想直线上。

第一海尔贝克阵列520位于偏向第三面513和第四面514中的任意一面的位置。在图40示出的实施例中，第一海尔贝克阵列520位于偏向第三面513的位置。在图41示出的实施例中，第一海尔贝克阵列520位于偏向第四面514的位置。

第一海尔贝克阵列520可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列530形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列520形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520包括第一块521、第二块522以及第三块523。可以理解，构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体分别被命名为块521、522、523。

第一块至第三块521、522、523可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块521、522、523可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块521、522、523可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块521、522、523沿第一面511延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块521位于第一海尔贝克阵列520的中央部分。第二块522位于第一块521的左侧，第三块523位于第一块521的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块521、522、523可以彼此接触。

另外，第一块521可以配置为在朝第二海尔贝克阵列530或第二面512的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

在图40示出的实施例中，第一海尔贝克阵列520与第一固定触头22a重叠。在图41示出的实施例中，第二海尔贝克阵列530与第二固定触头22b重叠。

各个块521、522、523包括复数个面。

具体而言，第一块521包括：第一内表面521a，朝向空间部515、或第二海尔贝克阵列530或第二面512；以及第一外表面521b，与空间部515或第二海尔贝克阵列530相反。

第二块522包括：第二内表面522a，朝向第一块521；以及第二外表面522b，与第一块521相反。

第三块523包括：第三内表面523a，朝向第一块521；以及第三外表面523b，与第一块521相反。

各个块521、522、523的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面521a、522a、523a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面521b、522b、523b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面521a、522a、523a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一内表面至第三内表面531a、532a、533a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面521b、522b、523b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一外表面至第三外表面531b、532b、533b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列530可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与第一海尔贝克阵列520一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列530可以位于与第一面511和第二面512中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与位于第一面511的内侧的第一海尔贝克阵列520在对角线方向上相对。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列530和第一海尔贝克阵列520之间。

第二海尔贝克阵列530位于偏向第三面513和第四面514中的另一面的位置。在图40示出的实施例中，第二海尔贝克阵列530位于偏向第四面514的位置。在图41示出的实施例中，第二海尔贝克阵列530位于偏向第三面513的位置。

第二海尔贝克阵列530可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列520形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列530形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530包括第一块531、第二块532以及第三块533。可以理解，构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体分别被命名为块531、532、533。

第一块至第三块531、532、533可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块531、532、533可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块531、532、533可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块531、532、533沿第二面512延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块531位于第二海尔贝克阵列530的中央部分。第二块532位于第一块531的左侧，第三块533位于第一块531的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块531、532、533可以彼此接触。

第一块531可以配置为在朝第一海尔贝克阵列520的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

在图40示出的实施例中，第一块531配置为与第二固定触头22b在前后方向上重叠。在图41示出的实施例中，第二块532与第一固定触头22a在前后方向上重叠。

各个块531、532、533包括复数个面。

具体而言，第一块531包括：第一内表面531a，朝向空间部515或第一海尔贝克阵列520；以及第一外表面531b，与空间部515或第一海尔贝克阵列520相反。

第二块532包括：第二内表面532a，朝向第一块531；以及第二外表面532b，与第一块531相反。

第三块533包括：第三内表面533a，朝向第一块531；以及第三外表面533b，与第一块531相反。

各个块531、532、533的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面531a、532a、533a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面531b、532b、533b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面531a、532a、533a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一内表面至第三内表面521a、522a、523a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面531b、532b、533b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一外表面至第三外表面521b、522b、523b相同的极性。

下面，参照图42对由本实施例的电弧路径形成部500形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图42，第一海尔贝克阵列520的各个内表面521a、522a、523a和第二海尔贝克阵列530的各个内表面531a、532a、533a被磁化为N极。

由此，在第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图42的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图42的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列520、530形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在图42的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图42的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部500可以与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

6.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部600的说明

下面，参照图43至图45对本发明又一实施例的电弧路径形成部600进行详细的说明。电弧路径形成部600在电弧腔室21的内部形成磁场。通过在直流继电器1流动的电流和所形成的磁场，在电弧腔室21的内部形成电磁力。

参照图43至图45，图示的实施例的电弧路径形成部600包括磁铁框架610、第一海尔贝克阵列620、第二海尔贝克阵列630以及第三海尔贝克阵列640。

本实施例的磁铁框架610的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架610的第一海尔贝克阵列620、第二海尔贝克阵列630以及第三海尔贝克阵列640的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架610的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列620可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列620可以位于与第一面611和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图43示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与位于第二面612的内侧的第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640相对。

在图44示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与位于第一面611的内侧的第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640相对。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640之间。

第一海尔贝克阵列620可以位于第一面611或第二面612的延伸方向的中央部分。即，第一海尔贝克阵列620与第三面613的最短距离和第一海尔贝克阵列620与第四面614的最短距离可以相同。

第一海尔贝克阵列620可以强化其自身形成的磁场以及与第二海尔贝克阵列630和第三海尔贝克阵列640形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列620形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620包括第一块621、第二块622以及第三块623。可以理解，构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体分别被命名为块621、622、623。

第一块至第三块621、622、623可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块621、622、623可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块621、622、623可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块621、622、623沿第一面611延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块621位于第一海尔贝克阵列620的中央部分。第二块622位于第一块621的左侧，第三块623位于第一块621的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块621、622、623可以彼此接触。

第一块621可以配置为在朝第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与可动触头43的中央部分重叠。在一实施例中，第一块621可以配置为在前后方向上与中心部C重叠。

另外，第二块622和第三块623可以配置为在朝第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个分别重叠。

各个块621、622、623包括复数个面。

具体而言，第一块621包括：第一内表面621a，朝向空间部615或第二海尔贝克阵列630或第三海尔贝克阵列640；以及第一外表面621b，与空间部615或第二海尔贝克阵列630相反。

第二块622包括：第二内表面622a，朝向第一块621；以及第二外表面622b，与第一块621相反。

第三块623包括：第三内表面623a，朝向第一块621；以及第三外表面623b，与第一块621相反。

各个块621、622、623的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面621a、622a、623a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面621b、622b、623b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面621a、622a、623a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一内表面至第三内表面631a、632a、633a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面621b、622b、623b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一外表面至第三外表面631b、632b、633b相同的极性。

第一内表面至第三内表面621a、622a、623a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列640的第一内表面至第三内表面641a、642a、643a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面621b、622b、623b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列640的第一外表面至第三外表面641b、642b、643b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列630可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与第一海尔贝克阵列620一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列630可以位于与第一面611和第二面612中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图43示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与位于第一面611的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

在图44示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与位于第二面612的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

第二海尔贝克阵列630配置为在其延伸方向上与第三海尔贝克阵列640并排。第二海尔贝克阵列630配置为与第三海尔贝克阵列640邻近。在一实施例中，第二海尔贝克阵列630和第三海尔贝克阵列640可以彼此接触。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列630和第一海尔贝克阵列620之间。

第二海尔贝克阵列630位于偏向第三面613和第四面614中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630位于偏向第三面613的位置。

第二海尔贝克阵列630可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列620和第三海尔贝克阵列640形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列630形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630包括第一块631、第二块632以及第三块633。可以理解，构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体分别被命名为块631、632、633。

第一块至第三块631、632、633可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块631、632、633可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块631、632、633可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块631、632、633沿第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块631位于第二海尔贝克阵列630的中央部分。第二块632位于第一块631的左侧，第三块633位于第一块631的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块631、632、633可以彼此接触。

第一块631可以配置为在朝第一海尔贝克阵列620的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列620的第二块622重叠。

另外，第一块631可以配置为在朝第一海尔贝克阵列620的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

各个块631、632、633包括复数个面。

具体而言，第一块631包括：第一内表面631a，朝向空间部615或第一海尔贝克阵列620；以及第一外表面631b，与空间部615或第一海尔贝克阵列620相反。

第二块632包括：第二内表面632a，朝向第一块631；以及第二外表面632b，与第一块631相反。

第三块633包括：第三内表面633a，朝向第一块631；以及第三外表面633b，与第一块631相反。

各个块631、632、633的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面631a、632a、633a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面631b、632b、633b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面631a、632a、633a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一内表面至第三内表面621a、622a、623a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面631b、632b、633b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一外表面至第三外表面621b、622b、623b相同的极性。

第一内表面至第三内表面631a、632a、633a可以被磁化为与第三海尔贝克阵列640的第一内表面至第三内表面641a、642a、643a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面631b、632b、633b可以被磁化为与第三海尔贝克阵列640的第一外表面至第三外表面641b、642b、643b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第三海尔贝克阵列640的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列640沿左右方向延伸而形成。

第三海尔贝克阵列640可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列640可以与第一海尔贝克阵列620一起形成磁场。

第三海尔贝克阵列640可以位于与第一面611和第二面312中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第三海尔贝克阵列640可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图43示出的实施例中，第三海尔贝克阵列640在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与位于第一面611的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

在图44示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与位于第二面612的内侧的第一海尔贝克阵列620相对。

第三海尔贝克阵列640配置为在其延伸方向上与第二海尔贝克阵列630并排。第三海尔贝克阵列640配置为与第二海尔贝克阵列630邻近。在一实施例中，第三海尔贝克阵列640和第二海尔贝克阵列630可以彼此接触。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第三海尔贝克阵列640和第一海尔贝克阵列620之间。

第三海尔贝克阵列640位于偏向第三面613和第四面614中的另一面的位置。在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列640位于偏向第四面614的位置。

第三海尔贝克阵列640可以强化其自身形成的磁场以及与第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630形成的磁场的强度。由于由第三海尔贝克阵列640形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第三海尔贝克阵列640包括第一块641、第二块642以及第三块643。可以理解，构成第三海尔贝克阵列640的复数个磁体分别被命名为块641、642、643。

第一块至第三块641、642、643可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块641、642、643可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块641、642、643可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块641、642、643沿第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块641位于第三海尔贝克阵列640的中央部分。第二块642位于第一块641的左侧，第三块643位于第一块641的右侧。在一实施例中，彼此邻近的各个块641、642、643可以彼此接触。

第一块641可以配置为在朝第一海尔贝克阵列620的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列620的第三块623重叠。

另外，第一块641可以配置为在朝第一海尔贝克阵列620的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一个固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

各个块641、642、643包括复数个面。

具体而言，第一块641包括：第一内表面641a，朝向空间部615或第一海尔贝克阵列620；以及第一外表面641b，与空间部615或第一海尔贝克阵列620相反。

第二块642包括：第二内表面642a，朝向第一块641；以及第二外表面642b，与第一块641相反。

第三块643包括：第三内表面643a，朝向第一块641；以及第三外表面643b，与第一块641相反。

各个块641、642、643的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面641a、642a、643a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面641b、642b、643b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面641a、642a、643a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一内表面至第三内表面621a、622a、623a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面641b、642b、643b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一外表面至第三外表面621b、622b、623b相同的极性。

第一内表面至第三内表面641a、642a、643a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一内表面至第三内表面631a、632a、633a相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面641b、642b、643b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一外表面至第三外表面631b、632b、633b相同的极性。

下面，参照图45对由本实施例的电弧路径形成部600形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图45，第一海尔贝克阵列620的各个内表面621a、622a、623a，第二海尔贝克阵列630的各个内表面631a、632a、633a以及第三海尔贝克阵列640的各个内表面641a、642a、643a被磁化为N极。

由此，在第一海尔贝克阵列620与第二海尔贝克阵列630之间、第一海尔贝克阵列620与第三海尔贝克阵列640之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图45的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图45的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列至第三海尔贝克阵列620、630、640的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列620、630、640形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图45的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图45的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部600可以与第一海尔贝克阵列至第三海尔贝克阵列620、630、640的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

7.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部700的说明

下面，参照图46和图47对本发明又一实施例的电弧路径形成部700进行详细的说明。

参照图46，图示的实施例的电弧路径形成部700包括磁铁框架710、第一海尔贝克阵列720以及第二海尔贝克阵列730。

本实施例的磁铁框架710的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架710的第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架710的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列720的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列720沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列720可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列720可以与第二海尔贝克阵列730一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列720可以位于与第一面711和第二面712中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列720可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列720在第一面711的内侧配置为与第一面711邻近，并且与位于第二面712的内侧的第二海尔贝克阵列730相对。

空间部715以及容纳于空间部715的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730之间。在一实施例中，中心部C在连接第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730的假想的直线上。

第一海尔贝克阵列720可以位于第一面711的中央部分。换言之，第一海尔贝克阵列720与第三面713之间的最短距离和第一海尔贝克阵列720与第四面714之间最短距离可以相同。

第一海尔贝克阵列720可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列730形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列720形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列720包括第一块721、第二块722、第三块723、第四块724以及第五块725。可以理解，构成第一海尔贝克阵列720的复数个磁体分别被命名为块721、722、723、724、725。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725沿第一面711延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块721位于第一海尔贝克阵列720的中央部分。

第二块722位于第一海尔贝克阵列720的最左侧。即，第二块722位于与第三面713邻近的位置。第三块723位于第一海尔贝克阵列720的最右侧。即，第三块723位于与第四面714邻近的位置。

第四块724位于第一块721和第二块722之间。另外，第五块725位于第一块721和第三块723之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块721、722、723、724、725可以彼此接触。

另外，第一块721可以配置为在朝第二海尔贝克阵列730或第二面712的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列730的第一块731以及中心部C重叠。

另外，第二块722和第三块723可以配置为与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个分别重叠。在图示的实施例中，第二块722配置为与第一固定触头22a重叠，第三块723配置为与第二固定触头22b重叠。

各个块721、722、723、724、725包括复数个面。

具体而言，第一块721包括：第一内表面721a，朝向空间部715或第二海尔贝克阵列730；以及第一外表面721b，与空间部715或第二海尔贝克阵列730相反。

第二块722包括：第二内表面722a，朝向空间部715或第二海尔贝克阵列730；以及第二外表面722b，与空间部715或第二海尔贝克阵列730相反。

第三块723包括：第三内表面723a，朝向空间部715或第二海尔贝克阵列730；以及第三外表面723b，与空间部715或第二海尔贝克阵列730相反。

第四块724包括：第四内表面724a，朝向第二块722；以及第四外表面724b，朝向第一块721。可以理解，第四内表面724a和第四外表面724b位于彼此相反的位置。

第五块725包括：第五内表面725a，朝向第一块721；以及第五外表面725b，朝向第三块723。可以理解，第五内表面725a和第五外表面725b位于彼此相反的位置。

各个块721、722、723、724、725的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面721a和第五内表面725a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面722a至第四内表面722a、723a、724a可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面721a和第五内表面725a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列730的第一内表面731a和第五内表面731a，735a相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面722a、723a、724a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列730的第二内表面至第四内表面732a、733a、734a相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列730的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列730沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列730可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列730可以与第一海尔贝克阵列720一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列730可以位于与第一面711和第二面712中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列730可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列730在第二面712的内侧配置为与第二面712邻近，并且与位于第一面711的内侧的第一海尔贝克阵列720相对。

空间部715以及容纳于空间部715的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列730和第一海尔贝克阵列720之间。

第二海尔贝克阵列730可以位于第一面711的中央部分。换言之，第二海尔贝克阵列730与第三面713之间的最短距离和第二海尔贝克阵列730与第四面714之间的最短距离可以相同。

第二海尔贝克阵列730可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列720形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列730形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列730包括第一块731、第二块732、第三块733、第四块734以及第五块735。可以理解，构成第二海尔贝克阵列730的复数个磁体分别被命名为块731、732、733、734、735。

第一块至第五块731、732、733、734、735可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块731、732、733、734、735可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块731、732、733、734、735可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块731、732、733、734、735沿第二面712延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块731位于第二海尔贝克阵列730的中央部分。

第二块732位于第二海尔贝克阵列730的最左侧。即，第二块732位于与第三面713邻近的位置。第三块733位于第二海尔贝克阵列730的最右侧。即，第三块733位于与第四面714邻近的位置。

第四块734位于第一块731和第二块732之间。另外，第五块735位于第一块731和第三块733之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块731、732、733、734、735可以彼此接触。

另外，第一块731可以配置为在朝第二海尔贝克阵列730或第二面712的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列730的第一块731以及中心部C分别重叠。

另外，第二块732和第三块733可以配置为与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。在图示的实施例中，第二块732配置为与第一固定触头22a重叠，第三块733配置为与第二固定触头22b重叠。

各个块731、732、733、734、735包括复数个面。

具体而言，第一块731包括：第一内表面731a，朝向空间部715或第一海尔贝克阵列720；以及第一外表面731b，与空间部715或第一海尔贝克阵列720相反。

第二块732包括：第二内表面732a，朝向空间部715或第一海尔贝克阵列720；以及第二外表面732b，与空间部715或第一海尔贝克阵列720相反。

第三块733包括：第三内表面733a，朝向空间部715或第一海尔贝克阵列720；以及第三外表面733b，与空间部715或第一海尔贝克阵列720相反。

第四块734包括：第四内表面734a，朝向第二块732；以及第四外表面734b，朝向第一块731。可以理解，第四内表面734a和第四外表面734b位于彼此相反的位置。

第五块735包括：第五内表面735a，朝向第一块731；以及第五外表面735b，朝向第三块733。可以理解，第五内表面735a和第五外表面735b位于彼此相反的位置。

各个块731、732、733、734、735的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面731a和第五内表面735a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面732a、733a、734a可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面731a和第五内表面735a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列720的第一内表面721a和第五内表面725a相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面732a、733a、734a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列720的第二内表面至第四内表面722a、723a、724a相同的极性。

下面，参照图47对由本实施例的电弧路径形成部700形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图47，第一海尔贝克阵列720的第一内表面721a被磁化为N极。此时，第一海尔贝克阵列720的第二内表面722a和第三内表面723a被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列720形成从第一内表面721a朝第二内表面722a和第三内表面723a的方向的磁场。

另外，第二海尔贝克阵列730的第一内表面731a也被磁化为N极。此时，第二海尔贝克阵列9730的第二内表面732a和第三内表面733a被磁化为S极。

由此，在第二海尔贝克阵列730形成从第一内表面731a朝第二内表面732a和第三内表面733a的方向的磁场。

其结果，在各个固定触头22a、22b附近形成从第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730之间朝彼此排斥的方向的磁场。

在图47的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图47的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列720、730形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图47的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图47的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部700可以与第一海尔贝克阵列720和第二海尔贝克阵列730的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

8.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部800的说明

下面，参照图48至图52对本发明又一实施例的电弧路径形成部800进行详细的说明。

参照图48至图51，图示的实施例的电弧路径形成部800包括磁铁框架810、第一海尔贝克阵列820以及第二海尔贝克阵列830。

本实施例的磁铁框架810的结构和功能与前述实施例的磁铁框架110的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架810的第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架110的说明来替代磁铁框架810的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列820的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列820沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列820可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列820可以与第二海尔贝克阵列830一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列820可以位于与第一面811和第二面812中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列820可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部815的一侧)结合。

在图48和图49示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820在第一面811的内侧配置为与第一面811邻近，并且与位于第二面812的内侧的第二海尔贝克阵列830相对。

在图50和图51示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820在第二面812的内侧配置为与第二面812邻近，并且与位于第一面811的内侧的第二海尔贝克阵列830相对。

空间部815以及容纳于空间部815的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830之间。

第一海尔贝克阵列820可以位于偏向第三面813和第四面814中的任意一面的位置。在图48和图50示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820位于偏向第三面813的位置。在图49和图51示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820位于偏向第四面814的位置。

第一海尔贝克阵列820可以配置为在朝空间部815或第二海尔贝克阵列830的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列830重叠。

第一海尔贝克阵列820可以配置为在朝空间部815或第二海尔贝克阵列830的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。

在图48和图50示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820与第一固定触头22a在前后方向上重叠。另外，在图49和图51示出的实施例中，第一海尔贝克阵列820与第二固定触头22b在前后方向上重叠。

第一海尔贝克阵列820可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列830形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列820形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列820包括第一块821、第二块822以及第三块823。可以理解，构成第一海尔贝克阵列820的复数个磁体分别被命名为块821、822、823。

第一块至第三块821、822、823可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块821、822、823可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块821、822、823可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块821、822、823沿第一面811延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块821位于第一海尔贝克阵列820的中央部分。第二块822位于第一块821的左侧。另外，第三块823位于第一块821的右侧。

在一实施例中，彼此邻近的各个块821、822、823可以彼此接触。

各个块821、822、823包括复数个面。

具体而言，第一块821包括：第一内表面821a，朝向空间部815或第二海尔贝克阵列830；以及第一外表面821b，与空间部815或第二海尔贝克阵列830相反。

第二块822包括：第二内表面822a，朝向第一块821；以及第二外表面822b，与第一块821相反。

第三块823包括：第三内表面823a，朝向第一块821；以及第三外表面823b，与第一块821相反。

各个块821、822、823的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面821a、822a、823a可以磁化为相同的极性。另外，第一外表面至第三外表面821b、822b、823b可以磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面821a、822a、823a可以磁化为与第二海尔贝克阵列830的第一内表面831a相同的极性。另外，第一内表面至第三内表面821a、822a、823a可以磁化为与第二海尔贝克阵列830的第二内表面832a和第三内表面833a相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列830的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列830沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列830可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列830可以与第一海尔贝克阵列820一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列830可以位于与第一面811和第二面812中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列830可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部815的一侧)结合。

在图48和图49示出的实施例中，第二海尔贝克阵列830在第二面812的内侧配置为与第二面812邻近，并且与位于第一面811的内侧的第一海尔贝克阵列820相对。

在图50和图51示出的实施例中，第二海尔贝克阵列830在第一面811的内侧配置为与第一面811邻近，并且与位于第二面812的内侧的第一海尔贝克阵列820相对。

空间部815以及容纳于空间部815的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列830和第一海尔贝克阵列820之间。

第二海尔贝克阵列830可以位于第一面811的中央部分。换言之，第二海尔贝克阵列830与第三面813之间的最短距离和第二海尔贝克阵列830与第四面814之间的最短距离可以相同。

第二海尔贝克阵列830可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列820形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列830形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列830包括第一块831、第二块832、第三块833、第四块834以及第五块835。可以理解，构成第二海尔贝克阵列830的复数个磁体分别被命名为块831、832、833、834、835。

第一块至第五块831、832、833、834、835可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块831、832、833、834、835可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块831、832、833、834、835可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块831、832、833、834、835沿第二面812延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块831位于第二海尔贝克阵列830的中央部分。

第二块832位于第二海尔贝克阵列830的最左侧。即，第二块832位于与第三面813邻近的位置。第三块833位于第二海尔贝克阵列830的最右侧。即，第三块833位于与第四面814邻近的位置。

第四块834位于第一块831和第二块832之间。另外，第五块835位于第一块831和第三块833之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块831、832、833、834、835可以彼此接触。

另外，第一块831可以配置为在朝第二海尔贝克阵列830或空间部815的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列830的第一块831和中心部C重叠。

另外，第二块832和第三块833可以配置为与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个分别重叠。在图示的实施例中，第二块832配置为与第一固定触头22a重叠，第三块833配置为与第二固定触头22b重叠。

各个块831、832、833、834、835包括复数个面。

具体而言，第一块831包括：第一内表面831a，朝向空间部815或第一海尔贝克阵列820；以及第一外表面831b，与空间部815或第一海尔贝克阵列820相反。

第二块832包括：第二内表面832a，朝向空间部815或第一海尔贝克阵列820；以及第二外表面832b，与空间部815或第一海尔贝克阵列820相反。

第三块833包括：第三内表面833a，朝向空间部815或第一海尔贝克阵列820；以及第三外表面833b，与空间部815或第一海尔贝克阵列820相反。

第四块834包括：第四内表面834a，朝向第二块832；以及第四外表面834b，朝向第一块831。可以理解，第四内表面834a和第四外表面834b位于彼此相反的位置。

第五块835包括：第五内表面835a，朝向第一块831；以及第五外表面835b，朝向第三块833。可以理解，第五内表面835a和第五外表面835b位于彼此相反的位置。

各个块831、832、833、834、835的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面831a和第五内表面835a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面832a、833a、834a可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面831a和第五内表面835a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列820的第一内表面至第三内表面821a、822a、823a相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面832a、833a、834a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列820的第一外表面至第三外表面821b、822b、823b相同的极性。

下面，参照图52对由本实施例的电弧路径形成部800形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图52，第一海尔贝克阵列820的第一内表面至第三内表面821a、822a、823a被磁化为N极。此时，第一海尔贝克阵列820的第一外表面至第三外表面821b、822b、823b被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列820形成从第一内表面821a朝第二内表面822a和第三内表面823a的方向的磁场。

另外，第二海尔贝克阵列830的第一内表面831a也被磁化为N极。此时，第二海尔贝克阵列730的第二内表面832a和第三内表面833a被磁化为S极。

由此，在第二海尔贝克阵列830形成从第一内表面831a朝第二内表面832a和第三内表面833a的方向的磁场。

另外，在第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830之间形成从第一内表面821a朝第二内表面832a和第三内表面833a的方向的磁场。

其结果，在各个固定触头22a、22b附近形成在第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830之间朝彼此排斥的方向的磁场。

在图52的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图52的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，在第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830的各个面的极性发生变化的情况下，各个海尔贝克阵列820、830形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图52的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图52的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部800可以与第一海尔贝克阵列820和第二海尔贝克阵列830的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

5.关于本发明的第三实施例的电弧路径形成部的说明

参照图53至图86，示出了本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900。各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900在电弧腔室21的内部形成磁场。通过在直流继电器1流动的电流和所形成的磁场，在电弧腔室21的内部形成电磁力。

因固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧借助所形成的电磁力而向电弧腔室21的外部移动。具体而言，所产生的电弧沿所形成的电磁力的方向移动。在此，可以说是电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成作为供所产生的电弧流动的路径的电弧的路径A.P

电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900位于在上部框架11的内部形成的空间。电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900配置为包围电弧腔室21。换言之，电弧腔室21位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900的内部。

固定触头22和可动触头43位于电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900的内部。随着固定触头22和可动触头43分离而产生的电弧可以被由电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成的电磁力引导。

本发明的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900包括海尔贝克阵列或磁铁部。海尔贝克阵列或磁铁部在容纳有固定触头22和可动触头43的电弧路径形成部100的内部形成磁场。此时，海尔贝克阵列或磁铁部其自身可以形成磁场，也可以在彼此之间形成磁场。

海尔贝克阵列和磁铁部形成的磁场与在固定触头22和可动触头43流动的电流一起形成电磁力。所形成的电磁力引导在固定触头22和可动触头43分离时产生的电弧。

此时，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成朝远离空间部115的中心部C的方向的电磁力。由此，电弧的路径A.P也朝远离空间部的中心部C的方向形成。

其结果，设置于直流继电器1的各种构成要素不会因所产生的电弧而受损。进一步，能够向电弧腔室21的外部迅速地排出所产生的电弧。

下面，参照附图对各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900的构成以及由各个电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

以下说明到的各种实施例的电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900可以设置有位于前方侧和后方侧中的任意一侧的海尔贝克阵列。

另外，电弧路径形成部100、200、300、400、500、600、700、800、900可以设置有位于前方侧和后方侧中的另一侧的具有宽度方向的极性的磁铁部。

如后述，可以将后方侧定义为与第一面111、211、311、411、511、611、711、811、911邻近的位置，可以将前方侧定义为与第二面112、212、312、412、512、612、712、812、912邻近的位置。

另外，可以将左侧定义为与第三面113、213、313、413、513、613、713、813、913邻近的位置，可以将右侧定义为与第四面114、214、314、414、514、614、714、814、914邻近的位置。

1.关于本发明一实施例的电弧路径形成部100的说明

下面，参照图54至图58对本发明一实施例的电弧路径形成部100进行详细的说明。

参照图54至图57，图示的实施例的电弧路径形成部100包括磁铁框架110、海尔贝克阵列(Halbach array)12以及磁铁部130。

磁铁框架110形成电弧路径形成部100的骨架。在磁铁框架110配置有海尔贝克阵列120和磁铁部130。在一实施例中，海尔贝克阵列120和磁铁部130可以与磁铁框架110结合。

磁铁框架110具有沿长度方向，在图示的实施例中为左右方向延伸形成的矩形截面。磁铁框架110的形状可以根据上部框架11和电弧腔室21的形状而发生变化。

磁铁框架110包括第一面111、第二面112、第三面113、第四面114以及空间部115。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114形成磁铁框架110的外周面。即，第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114作为磁铁框架110的壁发挥功能。

第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的外侧可以接触或固定结合于上部框架11的内表面。另外，海尔贝克阵列120和磁铁部130可以位于第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114的内侧。

在图示的实施例中，第一面111形成后方侧面。第二面112形成前方侧面并且与第一面111相对。另外，第三面113形成左侧面。第四面114形成右侧面并且与第三面113相对。

即，第一面111和第二面112隔着空间部115彼此相对。另外，第三面113和第四面114隔着空间部115彼此相对。

第一面111与第三面113以及第四面114连接。第一面111可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第二面112与第三面113以及第四面114连接。第二面112可以与第三面113以及第四面114形成规定的角度而结合。在一实施例中，所述规定的角度可以是直角。

第一面111至第四面114的彼此连接的各个棱可以被倒角(taper)。

为了各个面111、112、113、114和磁铁部130的结合，可以设置有紧固构件(未图示)。

虽然未图示，在第一面111、第二面112、第三面113以及第四面114中的至少一面可以贯穿形成有电弧排出孔(未图示)。电弧排出孔(未图示)可以作为使在空间部115产生的电弧排出的通路发挥功能。

可以将被第一面111至第四面114包围的空间定义为空间部115。

在空间部115容纳有固定触头22和可动触头43。另外，在空间部115容纳有电弧腔室21。

在空间部115中，可动触头43可以朝固定触头22的方向(即，下侧方向)或者远离固定触头22的方向(即，朝上侧方向)移动。

另外，在空间部115形成有在电弧腔室21产生的电弧的路径A.P。这通过海尔贝克阵列120和磁铁部130形成的磁场来实现。

可以将空间部115的中央部分定义为中心部C。从第一面至第四面111、112、113、114的彼此连接的棱到中心部C的直线距离可以相同。

中心部C位于第一固定触头22a和第二固定触头22b之间。另外，可动触头部40的中心部分位于中心部C的垂直下方。即，罩体41、盖42、可动触头43、轴44以及弹性部45等的中心部分位于中心部C的垂直下方。

因此，在产生的电弧向中心部C移动的情况下，可能使所述构成受损。为了防止构成受损，本实施例的电弧路径形成部100包括海尔贝克阵列120和磁铁部130。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列120的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列120沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列120可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列120可以与磁铁部130一起形成磁场。

海尔贝克阵列120可以位于与第一面111和第二面112中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列120可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部115的一侧)结合。

在图54和图55示出的实施例中，海尔贝克阵列120在第二面112的内侧配置为与第二面112邻近，并且与位于第一面111的内侧的磁铁部130相对。

在图56和图57示出的实施例中，海尔贝克阵列120在第一面111的内侧配置为与第一面111邻近，并且与位于第二面112的内侧的磁铁部130相对。

海尔贝克阵列120可以位于偏向第三面113和第四面114中的任意一面的位置。在图54和图56示出的实施例中，海尔贝克阵列120位于偏向第三面113的位置。在图55和图57示出的实施例中，海尔贝克阵列120位于偏向第四面114的位置。

空间部115以及容纳于空间部115的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列120和磁铁部130之间。

海尔贝克阵列120可以强化其自身形成的磁场和与磁铁部130形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列120形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列120包括第一块121和第二块122。可以理解，构成海尔贝克阵列120的复数个磁体分别被命名为块121、122。

第一块121和第二块122可以由磁体形成。在一实施例中，第一块121和第二块122可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块121和第二块122可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块121和第二块122沿第一面111或第二面112延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块121和第二块122沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块121和第二块122中，第一块121配置于中央部分，第二块122位于第一块121的左侧或右侧。

在图54和图56示出的实施例中，第二块122位于第一块121的左侧。在图55和图57示出的实施例中，第二块122位于第一块121的右侧。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块121、122可以彼此接触。

第一块121和第二块122可以配置为在朝磁铁部130的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与磁铁部130分别重叠。

此时，第二块122可以配置为在朝磁铁部130的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a或第二固定触头22b重叠。

在图54和图56示出的实施例中，第二块122配置为与第一固定触头22a在前后方向上重叠。在图55和图57示出的实施例中，第二块122配置为与第二固定触头22b重叠。

各个块121、122包括复数个面。

具体而言，第一块121包括：第一内表面121a，朝向空间部115或磁铁部130；以及第一外表面121b，与空间部115或磁铁部130相反。

第二块122包括：第二内表面122a，朝向第一块121；以及第二外表面122b，与第一块121相反。

各个块121、122的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面121a和第二内表面122a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面121b和第二外表面122b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面121a和第二内表面122a可以被磁化为与磁铁部130的相对面131相同的极性。同样地，第一外表面121b和第二外表面122b可以被磁化为与磁铁部130的相反面132相同的极性。

磁铁部130其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列120一起形成磁场。通过磁铁部130形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

磁铁部130可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，磁铁部130可以由永磁体或电磁铁等构成。

磁铁部130可以位于与第一面111和第二面112中的另一面邻近的位置。在一实施例中，磁铁部130可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部115的一侧)结合。

在图54和图55示出的实施例中，磁铁部130在第一面111的内侧配置为与第一面111邻近，并且与位于第二面112的内侧的海尔贝克阵列120相对。

在图56和图57示出的实施例中，磁铁部130在第二面112的内侧配置为与第二面112邻近，并且与位于第一面111的内侧的海尔贝克阵列120相对。

空间部115以及容纳于空间部115的固定触头22和可动触头43位于磁铁部130和海尔贝克阵列120之间。

磁铁部130可以沿第一面111或第二面112延伸的方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。在一实施例中，磁铁部130的延伸长度可以大于海尔贝克阵列120的延伸长度。

磁铁部130配置为在朝空间部115或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列120重叠。另外，磁铁部130配置为在所述方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b分别重叠。

磁铁部130包括复数个面。

具体而言，磁铁部130包括：相对面131，朝向空间部115或海尔贝克阵列120；以及相反面132，与空间部115或海尔贝克阵列120相反。

相对面131和相反面132可以按规定的规则被磁化。

具体而言，相对面131可以被磁化为与海尔贝克阵列120的第一内表面121a和第二内表面122a相同的极性。另外，相反面132可以被磁化为与海尔贝克阵列120的第一外表面121b和第二外表面122b相同的极性。

下面，参照图58对由本实施例的电弧路径形成部100形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图58，海尔贝克阵列120的第一内表面121a和第二内表面122a被磁化为N极。另外，磁铁部130的相对面131也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，海尔贝克阵列120的第一外表面121b和第二外表面122b被磁化为S极。另外，磁铁部130的相反面132也被磁化为S极。

由此，在海尔贝克阵列120和磁铁部130之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图58的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则(Fleming’s rule)，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图58的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列120和磁铁部130的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列120和磁铁部130形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图58的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图58的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部100可以与海尔贝克阵列120和磁铁部130的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

2.关于本发明另一实施例的电弧路径形成部200的说明

下面，参照图59至图63对本发明另一实施例的电弧路径形成部200进行详细的说明。

1.关于电弧路径形成部200的构成的说明

参照图59至图62，图示的实施例的电弧路径形成部200包括磁铁框架210、海尔贝克阵列220、第一磁铁部230以及第二磁铁部240。

本实施例的磁铁框架210的结构和功能与前述实施例的磁铁框架210的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架210的海尔贝克阵列220、第一磁铁部230以及第二磁铁部240的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架210的说明来替代磁铁框架210的说明。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列220的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列220沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列220可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列220可以与第一磁铁部230以及第二磁铁部240一起形成磁场。

海尔贝克阵列220可以位于与第一面211和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列220可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图59和图60示出的实施例中，海尔贝克阵列220在第二面212的内侧配置为与第二面212邻近，并且与位于第一面211的内侧的第一磁铁部230和第二磁铁部240相对。

在图61和图62示出的实施例中，海尔贝克阵列220在第一面211的内侧配置为与第一面211邻近，并且与位于第二面212的内侧的第一磁铁部230和第二磁铁部240相对。

海尔贝克阵列220可以位于偏向第三面213和第四面214中的任意一面的位置。在图59和图61示出的实施例中，海尔贝克阵列220位于偏向第三面213的位置。在图60和图62示出的实施例中，海尔贝克阵列220位于偏向第四面214的位置。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列220和第一磁铁部230或第二磁铁部240之间。

海尔贝克阵列220可以强化其自身形成的磁场和与第一磁铁部230或第二磁铁部240形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列220形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列220包括第一块221和第二块222。可以理解，构成海尔贝克阵列220的复数个磁体分别被命名为块221、222。

第一块221和第二块222可以由磁体形成。在一实施例中，第一块221和第二块222可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块221和第二块222可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块221和第二块222沿第一面211或第二面212延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块221和第二块222沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块221和第二块222中，第一块221配置于中央部分，第二块222位于第一块221的左侧或右侧。

在图59和图61示出的实施例中，第二块222位于第一块221的左侧。在图60和图62示出的实施例中，第二块222位于第一块221的右侧。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块221、222可以彼此接触。

第二块222可以配置为在朝第一磁铁部230或第二磁铁部240的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一磁铁部230和第二磁铁部240中的任意一个重叠。

在图59和图61示出的实施例中，第二块222配置为与第一磁铁部230在前后方向上重叠。在图60和图62示出的实施例中，第二块222配置为与第二磁铁部240在前后方向上重叠。

此时，第二块222可以配置为在朝第二面212的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a或第二固定触头22b重叠。

在图59和图61示出的实施例中，第二块222配置为与第一固定触头22a在前后方向上重叠。在图60和图62示出的实施例中，第二块222配置为与第二固定触头22b重叠。

各个块221、222包括复数个面。

具体而言，第一块221包括：第一内表面221a，朝向空间部215或第一磁铁部230和第二磁铁部240；以及第一外表面221b，与空间部215或第一磁铁部230和第二磁铁部240相反。

第二块222包括：第二内表面222a，朝向第一块221；以及第二外表面222b，与第一块221相反。

各个块221、222的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面221a和第二内表面222a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面221b和第二外表面222b可以被磁化为彼此相同的极性。

此时，第一内表面221a和第二内表面222a可以被磁化为与第一磁铁部230的第一相对面231和第二磁铁部240的第二相对面241相同的极性。同样地，第一外表面221b和第二外表面222b可以被磁化为与第一磁铁部230的第一相反面232和第二磁铁部240的第二相反面242相同的极性。

第一磁铁部230其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列220一起形成磁场。通过第一磁铁部230形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部230可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部230可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部230可以位于与第一面211和第二面212中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第一磁铁部230可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图59和图60示出的实施例中，第一磁铁部230在第一面211的内侧配置为与第一面211邻近，并且与位于第二面212的内侧的海尔贝克阵列220相对。

在图61和图62示出的实施例中，第一磁铁部230在第二面212的内侧配置为与第二面212邻近，并且与位于第一面211的内侧的海尔贝克阵列220相对。

第一磁铁部230位于偏向第三面213和第四面214中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部230位于偏向第三面213的位置。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第一磁铁部230和海尔贝克阵列220之间。

第一磁铁部230沿第一面211或第二面212延伸的方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第一磁铁部230配置为在朝空间部215或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列220重叠。具体而言，第一磁铁部230配置为在所述方向上与海尔贝克阵列220的第二块222重叠。

另外，第一磁铁部230在所述方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的任意一个重叠。在图示的实施例中，第一磁铁部230配置为在所述方向上第一固定触头22a重叠。

第一磁铁部230包括复数个面。

具体而言，第一磁铁部230包括：第一相对面231，朝向空间部215或海尔贝克阵列220；以及第一相反面232，与空间部215或海尔贝克阵列220相反。

第一相对面231和第一相反面232可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第一相对面231可以被磁化为与海尔贝克阵列220的第一内表面221a和第二内表面222a相同的极性。另外，第一相反面232可以被磁化为与海尔贝克阵列220的第一外表面221b和第二外表面222b相同的极性。

第二磁铁部240其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列220一起形成磁场。通过第二磁铁部240形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第二磁铁部240可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第二磁铁部240可以由永磁体或电磁铁等构成。

第二磁铁部240可以位于与第一面211和第二面212中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二磁铁部240可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部215的一侧)结合。

在图59和图60示出的实施例中，第二磁铁部240在第一面211的内侧配置为与第一面211邻近，并且与位于第二面212的内侧的海尔贝克阵列220相对。

在图61和图62示出的实施例中，第二磁铁部240在第二面212的内侧配置为与第二面212邻近，并且与位于第一面211的内侧的海尔贝克阵列220相对。

第二磁铁部240位于偏向第三面213和第四面214中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第二磁铁部240位于偏向第四面214的位置。

第二磁铁部240和第一磁铁部230配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上并排。在一实施例中，第二磁铁部240和第一磁铁部230可以彼此接触。

空间部215以及容纳于空间部215的固定触头22和可动触头43位于第二磁铁部240和海尔贝克阵列220之间。

第二磁铁部240沿第一面211或第二面212延伸的方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第二磁铁部240配置为在朝空间部215或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列220重叠。具体而言，第二磁铁部240配置为在所述方向上与海尔贝克阵列220的第二块222重叠。

另外，第二磁铁部240配置为在所述方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b中的另一个重叠。在图示的实施例中，第二磁铁部240配置为在所述方向上与第二固定触头22b重叠。

第二磁铁部240包括复数个面。

具体而言，第二磁铁部240包括：第二相对面241，朝向空间部215或海尔贝克阵列220；以及第二相反面242，与空间部215或海尔贝克阵列220相反。

第二相对面241和第二相反面242可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第二相对面241可以被磁化为与海尔贝克阵列220的第一内表面221a和第二内表面222a相同的极性。另外，第二相反面242可以被磁化为与海尔贝克阵列220的第一外表面221b和第二外表面222b相同的极性。

下面，参照图63对由本实施例的电弧路径形成部200形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图63，海尔贝克阵列220的第一内表面221a和第二内表面222a被磁化为N极。另外，第一磁铁部230的第一相对面231和第二磁铁部240的第二相对面241也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，海尔贝克阵列220的第一外表面221b和第二外表面222b被磁化为S极。另外，第一磁铁部230的第一相反面232和第二磁铁部240的第二相反面242也被磁化为S极。

由此，在海尔贝克阵列220和第一磁铁部2300之间、海尔贝克阵列220和第二磁铁部240之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图63的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图63的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列220、第一磁铁部230以及第二磁铁部240的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列220、第一磁铁部230以及第二磁铁部240形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图63的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图63的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部200可以与海尔贝克阵列220、第一磁铁部230和第二磁铁部240的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

3.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部300的说明

下面，参照图64至图68对本发明又一实施例的电弧路径形成部300进行详细的说明。

参照图64至图67，图示的实施例的电弧路径形成部300包括磁铁框架310和海尔贝克阵列320。

本实施例的磁铁框架310的结构和功能与前述实施例的磁铁框架310的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架310的海尔贝克阵列320的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架310的说明来替代磁铁框架310的说明。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列320的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列320沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列320可以位于与第一面311和第二面212中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列320可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部315的一侧)结合。

在图64和图65示出的实施例中，海尔贝克阵列320在第二面312的内侧配置为与第二面312邻近，并且与第一面311相对。

在图66和图67示出的实施例中，海尔贝克阵列320在第一面311的内侧配置为与第一面311邻近，并且与第二面312相对。

海尔贝克阵列320可以位于偏向第三面313和第四面314中的任意一面的位置。在图64和图66示出的实施例中，海尔贝克阵列320位于偏向第三面313的位置。在图65和图67示出的实施例中，海尔贝克阵列320位于偏向第四面314的位置。

空间部315以及容纳于空间部315的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列320和与海尔贝克阵列320相对的面311、312之间。

海尔贝克阵列320可以强化其自身形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列320形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列320包括第一块321和第二块322。可以理解，构成海尔贝克阵列320的复数个磁体分别被命名为块321、322。

第一块321和第二块322可以由磁体形成。在一实施例中，第一块321和第二块322可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块321和第二块322可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块321和第二块322沿第一面311或第二面312延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块321和第二块322沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块321和第二块322中，第一块321配置于中央部分，第二块322位于第一块321的左侧或右侧。

在图64和图66示出的实施例中，第二块322位于第一块321的左侧。在图65和图67示出的实施例中，第二块322位于第一块321的右侧。

在一实施例中，配置为彼此邻近的各个块321、322可以彼此接触。

第二块322可以配置为在朝空间部315的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a或第二固定触头22b重叠。

在图64和图66示出的实施例中，第二块322配置为与第一固定触头22a在前后方向上重叠。在图65和图67示出的实施例中，第二块322与第二固定触头22b重叠。

各个块321、322包括复数个面。

具体而言，第一块321包括：第一内表面321a，朝向空间部315；以及第一外表面321b，与空间部315相反。

第二块322包括：第二内表面322a，朝向第一块321；以及第二外表面322b，与第一块321相反。

各个块321、322的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面321a和第二内表面322a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面321b和第二外表面322b可以被磁化为彼此相同的极性。

下面，参照图68对由本实施例的电弧路径形成部300形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图68，海尔贝克阵列320的第一内表面321a和第二内表面322a被磁化为N极。另外，根据所述规定的规则，海尔贝克阵列320的第一外表面321b和第二外表面322b被磁化为S极。

由此，在各个固定触头22a、22b周边形成从第一内表面321a朝第三面313和第四面314的方向的磁场。

在图68的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图68的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列320的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列320形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图68的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图68的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部300可以与海尔贝克阵列320的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

4.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部400的说明

下面，参照图69至图71对本发明另一实施例的电弧路径形成部400进行详细的说明。

参照图69至图70，图示的实施例的电弧路径形成部400包括磁铁框架410、第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及磁铁部440。

本实施例的磁铁框架410的结构和功能与前述实施例的磁铁框架410的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架410的第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及磁铁部440的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架410的说明来替代磁铁框架410的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列420可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与第二海尔贝克阵列430或磁铁部440一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列420可以位于与与第一面411和第二面412中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列420可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图69示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与位于第一面411的内侧的磁铁部440相对。

在图70示出的实施例中，第一海尔贝克阵列420在第一面411的内侧配置为与第一面411邻近，并且与位于第二面412的内侧的磁铁部440相对。

第一海尔贝克阵列420可以位于偏向第三面413和第四面414中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420位于偏向第三面413的位置。

第一海尔贝克阵列420配置为在朝空间部415或磁铁部440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与磁铁部440重叠。另外，第一海尔贝克阵列420配置为在所述方向上与第一固定触头22a重叠。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列420和磁铁部440之间。

第一海尔贝克阵列420可以强化其自身形成的磁场和与磁铁部440形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列420形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列420包括第一块421、第二块422以及第三块423。可以理解，构成第一海尔贝克阵列420的复数个磁体分别被命名为块421、422、423。

第一块至第三块421、422、423可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块421、422、423可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块421、422、423可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块421、422、423沿第一面411或第二面412延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块421、422、423沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块421、422、423中，第一块421配置于中央部分。第二块422位于第一块421的左侧，第三块423位于第一块421的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块421、422、423可以彼此接触。

第一块421可以配置为在朝空间部415或磁铁部440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

各个块421、422、423包括复数个面。

具体而言，第一块421包括：第一内表面421a，朝向空间部415或磁铁部440；以及第一外表面421b，与空间部415或磁铁部440相反。

第二块422包括：第二内表面422a，朝向第一块421；以及第二外表面422b，与第一块421相反。

第三块423包括：第三内表面423a，朝向第一块421；以及第三外表面423b，与第一块421相反。

各个块421、422、423的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面421a、422a、423a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面421b、422b、423b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面421a、422a、423a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一内表面至第三内表面431a、432a、433a以及磁铁部440的相对面441相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面421b、422b、423b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一外表面至第三外表面431b、432b、433b以及磁铁部440的相反面442相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列430可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与第一海尔贝克阵列420或磁铁部440一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列430可以位于与第一面411和第二面412中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列430可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图69示出的实施例中，第二海尔贝克阵列430在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与配置于第一面411的内侧的磁铁部440相对。

在图70示出的实施例中，第二海尔贝克阵列430在第一面411的内侧配置为与第一面411邻近，并且与位于第二面412的内侧的磁铁部440相对。

第二海尔贝克阵列430可以位于偏向第三面413和第四面414中的另一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430位于偏向第四面414的位置。

第二海尔贝克阵列430和第一海尔贝克阵列420可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上并排。在一实施例中，第二海尔贝克阵列430和第一海尔贝克阵列420可以彼此接触。

第二海尔贝克阵列430配置为在朝空间部415或磁铁部440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与磁铁部440重叠。另外，第二海尔贝克阵列430在所述方向上与第二固定触头22b重叠。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列430和磁铁部440之间。

第二海尔贝克阵列430可以强化其自身形成的磁场和与磁铁部440形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列430形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列430包括第一块431、第二块432以及第三块433。可以理解，构成第二海尔贝克阵列430的复数个磁体分别被命名为块431、432。

第一块至第三块431、432、433可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块431、432、433可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块431、432、433可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块431、432、433沿第一面411或第二面412延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块431、432、433沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块431、432、433中，第一块431配置于中央部分。第二块432位于第一块431的左侧，第三块433位于第一块431的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块431、432、433可以彼此接触。

第一块431可以配置为在朝空间部415或磁铁部440的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块431、432、433包括复数个面。

具体而言，第一块431包括：第一内表面431a，朝向空间部415或磁铁部440；以及第一外表面431b，与空间部415或磁铁部440相反。

第二块432包括：第二内表面432a，朝向第一块431；以及第二外表面432b，与第一块431相反。

第三块433包括：第三内表面433a，朝向第一块431；以及第三外表面433b，与第一块431相反。

各个块431、432、433的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面431a、432a、433a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面431b、432b、433b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面431a、432a、433a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一内表面至第三内表面421a、422a、423a以及磁铁部440的相对面441相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面431b、432b、433b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一外表面至第三外表面421b、422b、423b以及磁铁部440的相反面442相同的极性。

磁铁部440其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430一起形成磁场。通过磁铁部440形成的磁场，可以在电弧腔室41的内部形成电弧的路径A.P。

磁铁部440可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，磁铁部440可以由永磁体或电磁铁等构成。

磁铁部440可以位于与第一面411和第二面412中的另一面邻近的位置。在一实施例中，磁铁部440可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部415的一侧)结合。

在图69示出的实施例中，磁铁部440在第一面411的内侧配置为与第一面411邻近，并且与配置于第二面412的内侧的第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430相对。

在图70示出的实施例中，磁铁部440在第二面412的内侧配置为与第二面412邻近，并且与配置于第一面411的内侧的第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430相对。

磁铁部440可以位于第一面411或第二面412的中央部分。换言之，磁铁部440与第三面413之间的最短距离和磁铁部440与第四面414之间的最短距离可以相同。

磁铁部440可以沿第一面411或第二面412的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。在一实施例中，磁铁部440的延伸长度可以大于第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430的延伸长度。

空间部415以及容纳于空间部415的固定触头22和可动触头43位于磁铁部440与第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430之间。

在图示的实施例中，第一固定触头22a位于磁铁部440和第一海尔贝克阵列420之间。另外，第二固定触头22b位于磁铁部440和第二海尔贝克阵列430之间。

磁铁部440可以配置为在朝空间部415或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430分别重叠。

磁铁部440包括复数个面。

具体而言，磁铁部440包括：相对面441，朝向空间部415或第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430；以及相反面442，与空间部415或第一海尔贝克阵列420和第二海尔贝克阵列430相反。

相对面441和相反面442可以按规定的规则被磁化。

具体而言，相对面441可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一内表面至第三内表面421a、422a、423a相同的极性。同样地，相对面441可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一内表面至第三内表面431a、432a、433a相同的极性。

另外，相反面442可以被磁化为与第一海尔贝克阵列420的第一外表面至第三外表面421b、422b、423b相同的极性。同样地，相对面441可以被磁化为与第二海尔贝克阵列430的第一外表面至第三外表面431b、432b、433b相同的极性。

下面，参照图71对由本实施例的电弧路径形成部400形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图71，第一海尔贝克阵列420的第一内表面至第三内表面421a、422a、423a被磁化为N极。另外，第二海尔贝克阵列430的第一内表面至第三内表面431a、432a、433a和磁铁部440的相对面441也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一海尔贝克阵列420的第一外表面至第三外表面421b、422b、423b被磁化为S极。另外，第二海尔贝克阵列430的第一外表面至第三外表面431b、432b、433b和磁铁部440的相反面442也被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列420和磁铁部440之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第二海尔贝克阵列430和磁铁部440之间也形成彼此排斥的方向的磁场。

在图71的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图71的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，放大在第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及磁铁部440的各个面的极性发生变化的情况下，由第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及磁铁部440形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图71的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图71的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部400可以与第一海尔贝克阵列420、第二海尔贝克阵列430以及磁铁部440的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

5.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部500的说明

下面，参照图72至图74对本发明又一实施例的电弧路径形成部500进行详细的说明。

参照图72和图73，图示的实施例的电弧路径形成部500包括磁铁框架510、第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540以及第二磁铁部550。

本实施例的磁铁框架510的结构和功能与前述实施例的磁铁框架510的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架510的第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540以及第二磁铁部550的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架510的说明来替代磁铁框架510的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列520可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与第二海尔贝克阵列530或第一磁铁部540一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列520可以位于与第一面511和第二面512中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列520可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图72示出的实施例中，第一海尔贝克阵列520在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与配置于第一面511的内侧的第一磁铁部540相对。

在图73示出的实施例中，第一海尔贝克阵列520在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与位于第二面512的内侧的第一磁铁部540相对。

第一海尔贝克阵列520可以位于偏向第三面513和第四面514中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520位于偏向第三面513的位置。

第一海尔贝克阵列520配置为在朝空间部515或第一磁铁部540的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一磁铁部540重叠。另外，第一海尔贝克阵列520配置为在所述方向上与第一固定触头22a重叠。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列520和第一磁铁部540之间。

第一海尔贝克阵列520可以强化其自身形成的磁场和与第一磁铁部540形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列520形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列520包括第一块521、第二块522以及第三块523。可以理解，构成第一海尔贝克阵列520的复数个磁体分别被命名为块521、522、523。

第一块至第三块521、522、523可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块521、522、523可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块521、522、523可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块521、522、523沿第一面511或第二面512延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块521、522、523沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块521、522、523中，第一块521配置于中央部分。第二块522位于第一块521的左侧，第三块523位于第一块521的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块521、522、523可以彼此接触。

第一块521可以配置为在朝空间部515或第一磁铁部540的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

各个块521、522、523包括复数个面。

具体而言，第一块521包括：第一内表面521a，朝向空间部515或第一磁铁部540；以及第一外表面521b，与空间部515或第一磁铁部540相反。

第二块522包括：第二内表面522a，朝向第一块521；以及第二外表面522b，与第一块521相反。

第三块523包括，第三内表面523a，朝向第一块521；以及第三外表面523b，与第一块521相反。

各个块521、522、523的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面521a、522a、523a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面521b、522b、523b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面521a、522a、523a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一内表面至第三内表面531a、532a、533a相同的极性。

另外，第一内表面至第三内表面521a、522a、523a可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相对面541以及第二磁铁部550的第二相对面551相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面521b、522b、523b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一外表面至第三外表面532b、532b、533b相同的极性。

另外，第一外表面至第三外表面521b、522b、523b可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相反面542以及第二磁铁部550的第二相反面552相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列530可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与第二磁铁部550一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列530可以位于与第一面511和第二面512中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列530可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图72示出的实施例中，第二海尔贝克阵列530在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与配置于第一面511的内侧的第一磁铁部540相对。

在图73示出的实施例中，第二海尔贝克阵列530在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与位于第二面512的内侧的第一磁铁部540相对。

第二海尔贝克阵列530可以位于偏向第三面513和第四面514中的另一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530位于偏向第四面514的位置。

第二海尔贝克阵列530和第一海尔贝克阵列520可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上并排。在一实施例中，第二海尔贝克阵列530和第一海尔贝克阵列520可以彼此接触。

第二海尔贝克阵列530配置为在朝空间部515或第二磁铁部550的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二磁铁部550重叠。另外，第二海尔贝克阵列530配置为在所述方向上与第二固定触头22b重叠。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列530和第二磁铁部550之间。

第二海尔贝克阵列530可以强化其自身形成的磁场和与第二磁铁部550形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列530形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列530包括第一块531、第二块532以及第三块533。可以理解，构成第二海尔贝克阵列530的复数个磁体分别被命名为块531、432。

第一块至第三块531、532、533可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块531、532、533可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块531、532、533可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块531、532、533沿第一面511或第二面512延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块531、532、533沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块531、532、533中，第一块531配置于中央部分。第二块532位于第一块531的左侧，第三块533位于第一块531的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块531、532、533可以彼此接触。

第一块531可以配置为在朝空间部515或第二磁铁部550的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块531、532、533包括复数个面。

具体而言，第一块531包括：第一内表面531a，朝向空间部515或第二磁铁部550；以及第一外表面531b，与空间部515或第二磁铁部550相反。

第二块532包括：第二内表面532a，朝向第一块531；以及第二外表面532b，与第一块531相反。

第三块533包括：第三内表面533a，朝向第一块531；以及第三外表面533b，与第一块531相反。

各个块531、532、533的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面531a、532a、533a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面532b、532b、533b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面531a、532a、533a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一内表面至第三内表面521a、522a、523a相同的极性。

另外，第一内表面至第三内表面531a、532a、533a可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相对面541以及第二磁铁部550的第二相对面551相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面531b、532b、533b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一外表面至第三外表面521b、522b、523b相同的极性。

另外，第一外表面至第三外表面531b、532b、533b可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相反面543以及第二磁铁部550的第二相反面553相同的极性。

第一磁铁部540其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530一起形成磁场。通过第一磁铁部540形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部540可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部540可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部540可以位于与第一面511和第二面512中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第一磁铁部540可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图72示出的实施例中，第一磁铁部540在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与配置于第二面512的内侧的第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相对。

在图73示出的实施例中，第一磁铁部540在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与配置于第一面511的内侧的第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相对。

第一磁铁部540可以位于偏向第三面513和第四面514中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部540位于偏向第三面513的位置。

第一磁铁部540可以沿第一面511或第二面512的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第一磁铁部540可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上与第二磁铁部550并排。在一实施例中，第一磁铁部540和第二磁铁部550可以接触。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第一磁铁部540与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间。

在图示的实施例中，第一固定触头22a位于第一磁铁部540和第一海尔贝克阵列520之间。

第一磁铁部540配置为在朝空间部515或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一海尔贝克阵列520重叠。

第一磁铁部540包括复数个面。

具体而言，第一磁铁部540包括：第一相对面541，朝向空间部515或第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530；以及第一相反面542，与空间部515或第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相反。

第一相对面541和第一相反面542可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第一相对面541可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一内表面至第三内表面521a、522a、523a相同的极性。同样地，第一相对面541可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一内表面至第三内表面531a、532a、533a相同的极性。

另外，第一相对面541可以被磁化为与第二磁铁部550的第二相对面551相同的极性。

另外，第一相反面542可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一外表面至第三外表面521b、522b、523b相同的极性。同样地，第一相反面542可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一外表面至第三外表面532b、532b、533b相同的极性。

另外，第一相反面542可以被磁化为与第二磁铁部550的第二相反面552相同的极性。

第二磁铁部550其自身形成磁场或者与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530一起形成磁场。通过第二磁铁部550形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第二磁铁部550可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第二磁铁部550可以由永磁体或电磁铁等构成。

第二磁铁部550可以位于与第一面511和第二面512中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二磁铁部550可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部515的一侧)结合。

在图72示出的实施例中，第二磁铁部550在第一面511的内侧配置为与第一面511邻近，并且与配置于第二面512的内侧的第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相对。

在图73示出的实施例中，第二磁铁部550在第二面512的内侧配置为与第二面512邻近，并且与配置于第一面511的内侧的第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相对。

第二磁铁部550可以位于偏向第三面513和第四面514中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第二磁铁部550位于偏向第四面514的位置。

第二磁铁部550可以沿第一面511或第二面512的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第二磁铁部550可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上与第一磁铁部540并排。在一实施例中，第二磁铁部550和第一磁铁部540可以接触。

空间部515以及容纳于空间部515的固定触头22和可动触头43位于第二磁铁部550与第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530之间。

在图示的实施例中，第二固定触头22b位于第二磁铁部550和第二海尔贝克阵列530之间。

第二磁铁部550配置为在朝空间部515或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二海尔贝克阵列530重叠。

第二磁铁部550包括复数个面。

具体而言，第二磁铁部550包括：第二相对面551，朝向空间部515或第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530；以及第二相反面552，与空间部515或第一海尔贝克阵列520和第二海尔贝克阵列530相反。

第二相对面551和第二相反面552可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第二相对面551可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一内表面至第三内表面521a、522a、523a相同的极性。同样地，第二相对面551可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一内表面至第三内表面531a、532a、533a相同的极性。

另外，第二相对面551可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相对面541相同的极性。

另外，第二相反面552可以被磁化为与第一海尔贝克阵列520的第一外表面至第三外表面521b、522b、523b相同的极性。同样地，第二相反面552可以被磁化为与第二海尔贝克阵列530的第一外表面至第三外表面532b、532b、533b相同的极性。

另外，第二相反面552可以被磁化为与第一磁铁部540的第一相反面542相同的极性。

下面，参照图74对由本实施例的电弧路径形成部500形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图74，第一海尔贝克阵列520的第一内表面至第三内表面521a、522a、523a和第二海尔贝克阵列530的第一内表面至第三内表面531a、532a、533a被磁化为N极。

另外，第一磁铁部540的第一相对面541和第二磁铁部550的第二相对面551也被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一海尔贝克阵列520的第一外表面至第三外表面521b、522b、523b和第二海尔贝克阵列530的第一外表面至第三外表面532b、532b、533b被磁化为S极。

另外，第一磁铁部540的第一相反面542和第二磁铁部550的第二相反面552也被磁化为S极。

由此，在第一海尔贝克阵列520和第一磁铁部540之间形成彼此排斥的方向的磁场。另外，在第二海尔贝克阵列530和第二磁铁部550之间也形成彼此排斥的方向的磁场。

在图74的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图74的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540以及第二磁铁部550的各个面的极性发生变化的情况下，由第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540以及第二磁铁部550形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图74的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图74的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部500可以与第一海尔贝克阵列520、第二海尔贝克阵列530、第一磁铁部540和第二磁铁部550的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

6.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部600的说明

下面，参照图75至图77对本发明又一实施例的电弧路径形成部600进行详细的说明。

参照图75和图76，图示的实施例的电弧路径形成部600包括磁铁框架610、第一海尔贝克阵列620以及第二海尔贝克阵列630。

本实施例的磁铁框架610的结构和功能与前述实施例的磁铁框架610的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架610的第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架610的说明来替代磁铁框架610的说明。

在图示的实施例中，构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620沿左右方向延伸而形成。

第一海尔贝克阵列620可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与第二海尔贝克阵列630一起形成磁场。

第一海尔贝克阵列620可以位于与第一面611和第二面612中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第一海尔贝克阵列620可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图75示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与第一面611相对。

在图76示出的实施例中，第一海尔贝克阵列620在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与第二面612相对。

第一海尔贝克阵列620可以位于偏向第三面613和第四面614中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620位于偏向第三面613的位置。

第一海尔贝克阵列620配置为在朝空间部615的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第一海尔贝克阵列620与第一面611和第二面612中的另一面之间。

第一海尔贝克阵列620可以强化其自身形成的磁场和与第二海尔贝克阵列630形成的磁场的强度。由于由第一海尔贝克阵列620形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第一海尔贝克阵列620包括第一块621、第二块622以及第三块623。可以理解，构成第一海尔贝克阵列620的复数个磁体分别被命名为块621、622、623。

第一块至第三块621、622、623可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块621、622、623可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块621、622、623可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块621、622、623沿第一面611或第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块621、622、623沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块621、622、623中，第一块621配置于中央部分。第二块622位于第一块621的左侧，第三块623位于第一块621的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块621、622、623可以彼此接触。

第一块621可以配置为在朝空间部615的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

各个块621、622、623包括复数个面。

具体而言，第一块621包括：第一内表面621a，朝向空间部615；以及第一外表面621b，与空间部615相反。

第二块622包括：第二内表面622a，朝向第一块621；以及第二外表面622b，与第一块621相反。

第三块623包括：第三内表面623a，朝向第一块621；以及第三外表面623b，与第一块621相反。

各个块621、622、623的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面621a、622a、623a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面621b、622b、623b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面621a、622a、623a可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一内表面至第三内表面631a、632a、633a相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面621b、622b、623b可以被磁化为与第二海尔贝克阵列630的第一外表面至第三外表面631b、632b、633b相同的极性。

在图示的实施例中，构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630沿左右方向延伸而形成。

第二海尔贝克阵列630可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与第一海尔贝克阵列620一起形成磁场。

第二海尔贝克阵列630可以位于与第一面611和第二面612中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，第二海尔贝克阵列630可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部615的一侧)结合。

在图75示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第二面612的内侧配置为与第二面612邻近，并且与第一面611相对。

在图77示出的实施例中，第二海尔贝克阵列630在第一面611的内侧配置为与第一面611邻近，并且与第二面612相对。

第二海尔贝克阵列630可以位于偏向第三面613和第四面614中的另一面的位置。在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630位于偏向第四面614的位置。

第二海尔贝克阵列630和第一海尔贝克阵列620可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上并排。在一实施例中，第二海尔贝克阵列630和第一海尔贝克阵列620可以彼此接触。

第二海尔贝克阵列630配置为在朝空间部615的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

空间部615以及容纳于空间部615的固定触头22和可动触头43位于第二海尔贝克阵列630与第一面611和第二面612中的另一面之间。

第二海尔贝克阵列630可以强化其自身形成的磁场和与第一海尔贝克阵列620形成的磁场的强度。由于由第二海尔贝克阵列630形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，第二海尔贝克阵列630包括第一块631、第二块632以及第三块633。可以理解，构成第二海尔贝克阵列630的复数个磁体分别被命名为块631、632、633。

第一块至第三块631、632、633可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第三块631、632、633可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第三块631、632、633可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第三块631、632、633沿第一面611或第二面612延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第三块631、632、633沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第三块631、632、633中，第一块631配置于中央部分。第二块632位于第一块631的左侧，第三块633位于第一块631的右侧。

在一实施例中，第一块至第三块631、632、633可以彼此接触。

第一块631可以配置为在朝空间部615的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块631、632、633包括复数个面。

具体而言，第一块631包括：第一内表面631a，朝向空间部615；以及第一外表面631b，与空间部615相反。

第二块632包括：第二内表面632a，朝向第一块631；以及第二外表面632b，与第一块631相反。

第三块633包括：第三内表面633a，朝向第一块631；以及第三外表面633b，与第一块631相反。

各个块631、632、633的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面至第三内表面631a、632a、633a可以被磁化为彼此相同的极性。同样地，第一外表面至第三外表面631b、632b、633b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面至第三内表面631a、632a、633a可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一内表面至第三内表面621a、622a、623a相同的极性。

同样地，第一外表面至第三外表面631b、632b、633b可以被磁化为与第一海尔贝克阵列620的第一外表面至第三外表面621b、622b、623b相同的极性。

下面，参照图77对由本实施例的电弧路径形成部600形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图77，第一海尔贝克阵列620的第一内表面至第三内表面621a、622a、623a和第二海尔贝克阵列630的第一内表面至第三内表面631a、632a、633a被磁化为N极。

另外，根据所述规定的规则，第一海尔贝克阵列620的第一外表面至第三外表面621b、622b、623b和第二海尔贝克阵列630的第一外表面至第三外表面631b、632b、633b被磁化为S极。

由此，在第一固定触头22a附近形成从第一内表面621a朝第三面613的方向的磁场。另外，在第二固定触头22b附近形成从第二内表面622a朝第四面614的方向的磁场。

在图77的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图77的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630的各个面的极性发生变化的情况下，由第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图77的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图77的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部600可以与第一海尔贝克阵列620和第二海尔贝克阵列630的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

7.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部700的说明

下面，参照图78至图80对本发明另一实施例的电弧路径形成部700进行详细的说明。

参照图78和图79，图示的实施例的电弧路径形成部700包括磁铁框架710、海尔贝克阵列720以及磁铁部730。

本实施例的磁铁框架710的结构和功能与前述实施例的磁铁框架710的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架710的海尔贝克阵列720和磁铁部730的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架710的说明来替代磁铁框架710的说明。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列720的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列720沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列720可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列720可以与磁铁部730一起形成磁场。

海尔贝克阵列720可以位于与第一面711和第二面712中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列720可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

在图78示出的实施例中，海尔贝克阵列720在第二面712的内侧配置为与第二面712邻近，并且与配置于第一面711的内侧的磁铁部730相对。

在图79示出的实施例中，海尔贝克阵列720在第一面711的内侧配置为与第一面711邻近，并且与位于第二面712的内侧的磁铁部730相对。

海尔贝克阵列720可以沿第一面711或第二面712的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。海尔贝克阵列720可以位于第一面711或第二面712的中央附近。

换言之，海尔贝克阵列720与第三面713之间的最短距离和海尔贝克阵列720与第四面714之间的最短距离可以相同。

海尔贝克阵列720配置为在朝空间部715或磁铁部730的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与磁铁部730重叠。在一实施例中，海尔贝克阵列720和磁铁部730的延伸长度可以相同。

另外，海尔贝克阵列720配置为在所述方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b重叠。

空间部715以及容纳于空间部715的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列720和磁铁部730之间。

海尔贝克阵列720可以强化其自身形成的磁场和与磁铁部730形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列720形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列720包括第一块721、第二块722、第三块723、第四块724以及第五块725。可以理解，构成海尔贝克阵列720的复数个磁体分别被命名为块721、722、723、724、725。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块721、722、723、724、725可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块721、722、723、724、725沿第一面711或第二面712延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块721、722、723、724、725沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块721、722、723、724、725中，第一块721配置于中央部分。

第二块722位于海尔贝克阵列720的最左侧，第三块723位于海尔贝克阵列720的最右侧。第四块724位于第一块721和第二块722之间。第五块725位于第一块721和第三块723之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块721、722、723、724、725可以彼此接触。

第二块722可以配置为在朝空间部715或磁铁部730的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a重叠。

第三块723可以配置为在朝空间部715或磁铁部730的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第二固定触头22b重叠。

各个块721、722、723、724、725包括复数个面。

具体而言，第一块721包括：第一内表面721a，朝向空间部715或磁铁部730；以及第一外表面721b，与空间部715或磁铁部730相反。

第二块722包括：第二内表面722a，朝向空间部715或磁铁部730；以及第二外表面722b，与空间部715或磁铁部730相反。

第三块723包括：第三内表面723a，朝向空间部715或磁铁部730；以及第三外表面723b，与空间部715或磁铁部730相反。

第四块724包括：第四内表面724a，朝向第二块722；以及第四外表面724b，朝向第一块721。

第五块725包括：第五内表面725a，朝向第一块721；以及第五外表面725b，朝向第三块723。

各个块721、722、723、724、725的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面721a、第四外表面724b以及第五内表面725a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面722a、723a、724a、第一外表面721b以及第五外表面725b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面721a可以被磁化为与磁铁部730的相对面731相同的极性。

同样地，第二内表面至第四内表面722a、723a、724a可以被磁化为与磁铁部730的相反面732相同的极性。

磁铁部730其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列720一起形成磁场。通过磁铁部730形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

磁铁部730可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，磁铁部730可以由永磁体或电磁铁等构成。

磁铁部730可以位于与第一面711和第二面712中的另一面邻近的位置。在一实施例中，磁铁部730可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部715的一侧)结合。

在图78示出的实施例中，磁铁部730在第一面711的内侧配置为与第一面711邻近，并且与配置于第二面712的内侧的海尔贝克阵列720相对。

在图79示出的实施例中，磁铁部730在第二面712的内侧配置为与第二面712邻近，并且与配置于第一面711的内侧的海尔贝克阵列720相对。

磁铁部730可以位于第一面711或第二面712的中央部分。换言之，磁铁部730与第三面713之间的最短距离和磁铁部730与第四面714之间的最短距离可以相同。

磁铁部730可以沿第一面711或第二面712的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。在一实施例中，磁铁部730的延伸长度可以与海尔贝克阵列720的延伸长度相同。

空间部715以及容纳于空间部715的固定触头22和可动触头43位于磁铁部730和海尔贝克阵列720之间。

磁铁部730配置为在朝空间部715或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列720重叠。

磁铁部730包括复数个面。

具体而言，磁铁部730包括：相对面731，朝向空间部715或海尔贝克阵列720；以及相反面732，与空间部715或海尔贝克阵列720相反。

相对面731和相反面732可以按规定的规则被磁化。

具体而言，相对面731可以被磁化为与海尔贝克阵列720的第一内表面721a相同的极性。另外，相对面731可以被磁化为与海尔贝克阵列720的第二内表面722a和第三内表面723a不同的极性。

另外，相反面732可以被磁化为与海尔贝克阵列720的第二内表面722a和第三内表面723a相同的极性。另外，相反面732可以被磁化为与海尔贝克阵列720的第一内表面721a不同的极性。

下面，参照图80对由本实施例的电弧路径形成部700形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图80，海尔贝克阵列720的第一内表面721a被磁化为N极。另外，海尔贝克阵列720的第二内表面722a和第三内表面723a被磁化为S极。

因此，在海尔贝克阵列720形成从第一内表面721a朝第二内表面722a和第三内表面723a的方向的磁场。

另外，根据所述规定的规则，磁铁部730的相对面731被磁化为N极。

由此，在海尔贝克阵列720和磁铁部730之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图80的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图80的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列720和磁铁部730的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列720和磁铁部730形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图80的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图80的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部700可以与海尔贝克阵列720和磁铁部730的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

8.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部800的说明

下面，参照图81至图83对本发明另一实施例的电弧路径形成部800进行详细的说明。

参照图81和图82，图示的实施例的电弧路径形成部800包括磁铁框架810、海尔贝克阵列820、第一磁铁部830以及第二磁铁部840。

本实施例的磁铁框架810的结构和功能与前述实施例的磁铁框架810的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架810的海尔贝克阵列820、第一磁铁部830以及第二磁铁部840的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架810的说明来替代磁铁框架810的说明。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列820的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列820沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列820可以与其他磁体一起形成磁场。在图示的实施例中，海尔贝克阵列820可以与第一磁铁部830以及第二磁铁部840一起形成磁场。

海尔贝克阵列820可以位于与第一面811和第二面812中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列820可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部815的一侧)结合。

在图81示出的实施例中，海尔贝克阵列820在第二面812的内侧配置为与第二面812邻近，并且与配置于第一面811的内侧的第一磁铁部830和第二磁铁部840相对。

在图82示出的实施例中，海尔贝克阵列820在第一面811的内侧配置为与第一面811邻近，并且与位于第二面812的内侧的第一磁铁部830和第二磁铁部840相对。

海尔贝克阵列820可以沿第一面811或第二面812的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。海尔贝克阵列820可以位于第一面811或第二面812的中央附近。

换言之，海尔贝克阵列820与第三面813之间的最短距离和海尔贝克阵列820与第四面814之间的最短距离可以相同。

海尔贝克阵列820配置为在朝空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一磁铁部830和第二磁铁部840分别重叠。在一实施例中，海尔贝克阵列820延伸长度可以大于第一磁铁部830和第二磁铁部840的延伸长度。

另外，海尔贝克阵列820配置为在所述方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b重叠。

空间部815以及容纳于空间部815的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列820与第一磁铁部830和第二磁铁部840之间。

具体而言，第一固定触头22a位于海尔贝克阵列820和第一磁铁部830之间。另外，第二固定触头22b位于海尔贝克阵列820和第二磁铁部840之间。

海尔贝克阵列820可以强化其自身形成的磁场以及与第一磁铁部830和第二磁铁部840形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列820形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列820包括第一块821、第二块822、第三块823、第四块824以及第五块825。可以理解，构成海尔贝克阵列820的复数个磁体分别被命名为块821、822、823、824、825。

第一块至第五块821、822、823、824、825可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块821、822、823、824、825可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块821、822、823、824、825可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块821、822、823、824、825沿第一面811或第二面812延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块821、822、823、824、825沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块821、822、823、824、825中，第一块821配置于中央部分。

第二块822位于海尔贝克阵列820的最左侧，第三块823位于海尔贝克阵列820的最右侧。第四块824位于第一块821和第二块822之间。第五块825位于第一块821和第三块823之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块821、822、823、824、825可以彼此接触。

各个块821、822、823、824、825包括复数个面。

具体而言，第一块821包括：第一内表面821a，朝向空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840；以及第一外表面821b，与空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840相反。

第二块822包括：第二内表面822a，朝向空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840；以及第二外表面822b，与空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840相反。

第三块823包括：第三内表面823a，朝向空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840；以及第三外表面823b，与空间部815或第一磁铁部830和第二磁铁部840相反。

第四块824包括：第四内表面824a，朝向第二块822；以及第四外表面824b，朝向第一块821。

第五块825包括：第五内表面825a，朝向第一块821；以及第五外表面825b，朝向第三块823。

各个块821、822、823、824、825的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面821a、第四外表面824b以及第五内表面825a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面822a、823a、824a、第一外表面821b以及第五外表面825b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

此时，第一内表面821a可以被磁化为与第一磁铁部830的第一相对面831以及第二磁铁部840的第二相对面841相同的极性。

同样地，第二内表面至第四内表面822a、823a、824a可以被磁化为与第一磁铁部830的第一相反面832以及第二磁铁部840的第二相反面842相同的极性。

第一磁铁部830其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列820一起形成磁场。通过第一磁铁部830形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第一磁铁部830可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第一磁铁部830可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一磁铁部830可以位于与第一面811和第二面812中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第一磁铁部830可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部815的一侧)结合。

在图81示出的实施例中，第一磁铁部830在第一面811的内侧配置为与第一面811邻近，并且与配置于第二面812的内侧的海尔贝克阵列820相对。

在图82示出的实施例中，第一磁铁部830在第二面812的内侧配置为与第二面812邻近，并且与配置于第一面811的内侧的海尔贝克阵列820相对。

第一磁铁部830可以位于偏向第三面813和第四面814中的任意一面的位置。在图示的实施例中，第一磁铁部830位于偏向第三面813的位置。

第一磁铁部830可以沿第一面811或第二面812的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第一磁铁部830可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上与第二磁铁部840并排。在一实施例中，第一磁铁部830和第二磁铁部840可以接触。

空间部815以及容纳于空间部815的固定触头22和可动触头43位于第一磁铁部830和海尔贝克阵列820之间。

在图示的实施例中，第一固定触头22a位于第一磁铁部830和海尔贝克阵列820之间。

第一磁铁部830配置为在朝空间部815或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列820重叠。

第一磁铁部830包括复数个面。

具体而言，第一磁铁部830包括：第一相对面831，朝向空间部815或海尔贝克阵列820；以及第一相反面832，与空间部815或海尔贝克阵列820相反。

第一相对面831和第一相反面832可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第一相对面831可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第一内表面821a相同的极性。另外，第一相对面831可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第二内表面822a以及第三内表面823a不同的极性。

另外，第一相对面831可以被磁化为与第二磁铁部840的第二相对面841相同的极性。

另外，第一相反面842可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第二内表面至第四内表面822a、823a、824a相同的极性。进一步，第一相反面832可以被磁化为与第二磁铁部840的第二相反面842相同的极性。

第二磁铁部840其自身形成磁场或者与海尔贝克阵列820一起形成磁场。通过第二磁铁部840形成的磁场，可以在电弧腔室21的内部形成电弧的路径A.P。

第二磁铁部840可以以能够通过被磁化而形成磁场的任意形态设置。在一实施例中，第二磁铁部840可以由永磁体或电磁铁等构成。

第二磁铁部840可以位于与第一面811和第二面812中的另一面邻近的位置。在一实施例中，第二磁铁部840可以与所述另一面的内侧(即，朝向空间部815的一侧)结合。

在图81示出的实施例中，第二磁铁部840在第一面811的内侧配置为与第一面811邻近，并且与配置于第二面812的内侧的海尔贝克阵列820相对。

在图82示出的实施例中，第二磁铁部840在第二面812的内侧配置为与第二面812邻近，并且与配置于第一面811的内侧的海尔贝克阵列820相对。

第二磁铁部840可以位于偏向第三面813和第四面814中的另一面的位置。在图示的实施例中，第二磁铁部840位于偏向第四面814的位置。

第二磁铁部840可以沿第一面811或第二面812的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。

第二磁铁部840可以配置为在其延伸方向上，在图示的实施例中为在左右方向上与第一磁铁部830并排。在一实施例中，第二磁铁部840和第一磁铁部830可以接触。

空间部815以及容纳于空间部815的固定触头22和可动触头43位于第二磁铁部840和海尔贝克阵列820之间。

在图示的实施例中，第二固定触头22b位于第二磁铁部840和海尔贝克阵列820之间。

第二磁铁部840配置为在朝空间部815或固定触头22a、22b的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与海尔贝克阵列820重叠。

第二磁铁部840包括复数个面。

具体而言，第二磁铁部840包括：第二相对面841，朝向空间部815或海尔贝克阵列820；以及第二相反面842，与空间部815或海尔贝克阵列820相反。

第二相对面841和第二相反面842可以按规定的规则被磁化。

具体而言，第二相对面841可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第一内表面821a相同的极性。同样地，第二相对面841可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第二内表面至第四内表面822a、823a、824a不同的极性。

另外，第二相对面841可以被磁化为与第一磁铁部830的第一相对面831相同的极性。

另外，第二相反面842可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第二内表面至第四内表面822a、823a、824a相同的极性。同样地，可以被磁化为与海尔贝克阵列820的第一内表面821a不同的极性。

另外，第二相反面842可以被磁化为与第一磁铁部830的第一相反面832相同的极性。

下面，参照图83对由本实施例的电弧路径形成部800形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图83，海尔贝克阵列820的第一内表面821a被磁化为N极。另外，海尔贝克阵列820的第二内表面822a和第三内表面823a被磁化为S极。

因此，在海尔贝克阵列820形成从第一内表面821a朝第二内表面822a和第三内表面823a的方向的磁场。

另外，根据所述规定的规则，第一磁铁部830的第一相对面831和第二磁铁部840的第二相对面841被磁化为N极。

由此，在海尔贝克阵列820与第一磁铁部830以及第二磁铁部840之间形成彼此排斥的方向的磁场。

在图83的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图83的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列820的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列820形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图83的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图83的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部800可以与海尔贝克阵列820的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

9.关于本发明又一实施例的电弧路径形成部900的说明

下面，参照图84至图86对本发明又一实施例的电弧路径形成部900进行详细的说明。

参照图84和图85，图示的实施例的电弧路径形成部900包括磁铁框架910和海尔贝克阵列920。

本实施例的磁铁框架910的结构和功能与前述实施例的磁铁框架910的结构和功能相同。但是，配置于本实施例的磁铁框架910的海尔贝克阵列920的配置方式存在差异。

在此，用前述实施例的磁铁框架910的说明来替代磁铁框架910的说明。

在图示的实施例中，构成海尔贝克阵列920的复数个磁体从左侧向右侧连续地并排配置。即，在图示的实施例中，海尔贝克阵列920沿左右方向延伸而形成。

海尔贝克阵列920可以与其他磁体一起形成磁场。

海尔贝克阵列920可以位于与第一面911和第二面912中的任意一面邻近的位置。在一实施例中，海尔贝克阵列920可以与所述任意一面的内侧(即，朝向空间部915的一侧)结合。

在图84示出的实施例中，海尔贝克阵列920在第二面912的内侧配置为与第二面912邻近，并且与第一面911相对。

在图85示出的实施例中，海尔贝克阵列920在第一面911的内侧配置为与第一面911邻近，并且与第二面912相对。

海尔贝克阵列920可以沿第一面911或第二面912的延伸方向，在图示的实施例中为左右方向延伸。海尔贝克阵列920可以位于第一面911或第二面912的中央附近。

换言之，海尔贝克阵列920与第三面913之间的最短距离和海尔贝克阵列920与第四面914之间的最短距离可以相同。

海尔贝克阵列920配置为在朝空间部915的方向上，在图示的实施例中为在前后方向上与第一固定触头22a和第二固定触头22b重叠。

空间部915以及容纳于空间部915的固定触头22和可动触头43位于海尔贝克阵列920与第一面911和第二面912中的另一面之间。

海尔贝克阵列920可以强化其自身形成的磁场的强度。由于由海尔贝克阵列920形成的磁场的方向和强化磁场的过程是公知的技术，因此省略对其的详细说明。

在图示的实施例中，海尔贝克阵列920包括第一块921、第二块922、第三块923、第四块924以及第五块925。可以理解，构成海尔贝克阵列920的复数个磁体分别被命名为块921、922、923、924、925。

第一块至第五块921、922、923、924、925可以由磁体形成。在一实施例中，第一块至第五块921、922、923、924、925可以由永磁体或电磁铁等构成。

第一块至第五块921、922、923、924、925可以沿一方向并排配置。在图示的实施例中，第一块至第五块921、922、923、924、925沿第一面911或第二面912延伸的方向，即左右方向并排配置。

第一块至第五块921、922、923、924、925沿所述方向并排配置。具体而言，在第一块至第五块921、922、923、924、925中，第一块921配置于中央部分。

第二块922位于海尔贝克阵列920的最左侧，第三块923位于海尔贝克阵列920的最右侧。第二块922位于第一块921和第二块922之间。第五块925位于第一块921和第三块923之间。

在一实施例中，彼此邻近的各个块921、922、923、924、925可以彼此接触。

各个块921、922、923、924、925包括复数个面。

具体而言，第一块921包括：第一内表面921a，朝向空间部915；以及第一外表面921b，与空间部915相反。

第二块922包括：第二内表面922a，朝向空间部915；以及第二外表面922b，与空间部915相反。

第三块923包括：第三内表面923a，朝向空间部915；以及第三外表面923b，与空间部915相反。

第四块924包括：第四内表面924a，朝向第二块922；以及第四外表面924b，朝向第一块921。

第五块925包括：第五内表面925a，朝向第一块921；以及第五外表面925b，朝向第三块923。

各个块921、922、923、924、925的复数个所述面可以按规定的规则被磁化为构成海尔贝克阵列。

具体而言，第一内表面921a、第四外表面924b以及第五内表面925a可以被磁化为彼此相同的极性。另外，第二内表面至第四内表面922a、923a、924a、第一外表面921b以及第五外表面925b可以被磁化为与所述极性不同的极性。

下面，参照图86对由本实施例的电弧路径形成部900形成的电弧的路径A.P进行详细的说明。

参照图86，海尔贝克阵列920的第一内表面921a被磁化为N极。另外，海尔贝克阵列920的第二内表面922a和第三内表面923a被磁化为S极。

因此，在海尔贝克阵列920形成从第一内表面921a朝第二内表面922a和第三内表面923a的方向的磁场。此时，所述磁场也向第三面913和第四面914行进。

在图86的(a)示出的实施例中，电流的方向是从第二固定触头22b流入，并经由可动触头43从第一固定触头22a流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝前方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝前方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝前方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝前方的右侧形成。

在图86的(b)示出的实施例中，电流的方向是从第一固定触头22a流入，并经由可动触头43从第二固定触头22b流出的方向。

如果在第一固定触头22a使用弗莱明左手定则，则在第一固定触头22a附近产生的电磁力朝后方的左侧形成。

由此，在第一固定触头22a附近的电弧的路径A.P也朝后方的左侧形成。

同样地，如果在第二固定触头22b使用弗莱明左手定则，则在第二固定触头22b附近产生的电磁力朝后方的右侧形成。

由此，在第二固定触头22b附近的电弧的路径A.P也朝后方的右侧形成。

虽然未图示，但是在海尔贝克阵列920的各个面的极性发生变化的情况下，由海尔贝克阵列920形成的磁场的方向变为相反。因此，所产生的电磁力和电弧的路径A.P也形成为前后方向相反。

即，在如图86的(a)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝后方的右侧形成。

相似地，在如图86的(b)的通电状况下，第一固定触头22a附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的左侧形成。另外，第二固定触头22b附近的电磁力和电弧的路径A.P朝前方的右侧形成。

因此，本实施例的电弧路径形成部900可以与海尔贝克阵列920的极性或者在直流继电器1流动的电流的方向无关地，朝远离中心部C的方向形成电磁力和电弧的路径A.P。

因此，能够防止直流继电器1的配置于与中心部C邻近的位置的各个构成要素受损。更进一步，由于能够迅速地向外部排出所产生的电弧，因此能够提高直流继电器1的动作可靠性。

以上，虽然说明了本发明的优选实施例，但是对于本领域技术人员而言，可以理解，能够在不脱离权利要求书记载的本发明的思想范围内作出各种修正和变更。

Claims (79)

1.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面以及所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，

所述磁铁部设置有复数个，复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，

复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。

2.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，

所述磁铁部包括：

第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；

第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及

第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

3.根据权利要求2所述的电弧路径形成部，其中，

复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

4.根据权利要求3所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列的复数个所述块包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；

所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第五磁铁部的面被磁化为与所述极性相同的极性。

5.根据权利要求3所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列的复数个所述块包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；

所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第五磁铁部的面被磁化为与所述极性相同的极性。

6.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；

所述磁铁部包括：

第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及

第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置。

7.根据权利要求6所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

8.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；

在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，

在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。

9.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；

在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，

在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。

10.根据权利要求7所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；

在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，

在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。

11.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；

所述磁铁部包括：

第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及

第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置。

12.根据权利要求11所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面被磁化为与所述极性不同的极性。

13.根据权利要求12所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；

在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，

在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。

14.根据权利要求12所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第五块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块、第三块以及第四块，位于所述第一块和所述第五块之间，沿从所述第一块朝所述第五块的方向依次配置；

在所述第一海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性，

在所述第二海尔贝克阵列中，所述第二块的面中朝向所述第三块的面、所述第四块的面中朝向所述第三块的面以及所述第三块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性相同的极性。

15.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列(Halbach array)和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，并且位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置，

所述磁铁部设置有复数个，

复数个所述磁铁部中的任意一个以上位于与所述第三面邻近的位置，

复数个所述磁铁部中的另外的一个以上位于与所述第四面邻近的位置。

16.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，

所述磁铁部包括：

第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；

第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，在所述另一方向上彼此并排配置；以及

第五磁铁部，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对；

复数个所述块中的任意一块和所述第五磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

17.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；

所述磁铁部包括：

第一磁铁部和第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；以及

第三磁铁部和第四磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，沿所述另一方向并排配置；

所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部和所述第二磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性，所述第三磁铁部和所述第四磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

18.根据权利要求15所述的直流继电器，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；

所述磁铁部包括：

第一磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的任意一面的位置；以及

第二磁铁部，位于与所述第三面和所述第四面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第一面和所述第二面中的另一面的位置；

所述第一海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块和所述第二海尔贝克阵列中包括的复数个所述块中的任意一个块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述另一面的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述第一面和所述第二面中的所述任意一面的面被磁化为与所述极性不同的极性。

19.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置；

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上分别与复数个所述固定触头中的任意一个以上重叠。

20.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

21.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

22.根据权利要求21所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

23.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

24.根据权利要求23所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一海尔贝克阵列的所述第二块和所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的彼此相对各个面被磁化为与所述极性不同的极性，

所述第一海尔贝克阵列的所述第三块和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的彼此相对的各个面被磁化为所述不同的极性。

25.根据权利要求19所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间；

所述第一海尔贝克阵列位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置。

26.根据权利要求25所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性，

所述第二海尔贝克阵列的所述第二块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第三块的与所述第一海尔贝克阵列相对的面中的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

27.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

28.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

29.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第一块，配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列重叠；以及

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第一块，配置为在所述另一方向上与所述第一海尔贝克阵列重叠；以及

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置。

30.根据权利要求29所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

31.根据权利要求27所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

所述第二海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

所述第一海尔贝克阵列配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠，

所述第二海尔贝克阵列配置为与复数个所述固定触头中的另一个在所述另一方向上重叠。

32.根据权利要求31所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面中的各个面被磁化为彼此相同的极性。

33.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，

所述海尔贝克阵列设置有复数个，并且复数个所述海尔贝克阵列中的任意一个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

复数个所述海尔贝克阵列中的另外的两个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置。

34.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，

配置于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置的所述任意一个以上的所述海尔贝克阵列和配置于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置的所述两个以上的所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

35.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，

复数个所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及

第四海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置。

36.根据权利要求35所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列、所述第三海尔贝克阵列以及所述第四海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

37.根据权利要求36所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面分别被磁化为相同的极性，

所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第四海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面分别被磁化为与所述极性相同的极性。

38.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，

复数个所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

所述第一海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列和所述第三海尔贝克阵列中的任意一个重叠。

39.根据权利要求38所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列以及所述第三海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

40.根据权利要求39所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面以及所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面分别被磁化为相同的极性。

41.根据权利要求33所述的电弧路径形成部，其中，

复数个所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第二海尔贝克阵列；位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

所述第一海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上与所述第二海尔贝克阵列和所述第三海尔贝克阵列分别重叠。

42.根据权利要求41所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列、所述第二海尔贝克阵列以及所述第三海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

43.根据权利要求42所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面以及所述第三海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面分别被磁化为相同的极性。

44.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及

第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置；

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列配置为在所述另一方向上分别与复数个所述固定触头中的任意一个以上重叠，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

45.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第二海尔贝克阵列，包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

46.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的所述一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，

所述海尔贝克阵列设置有复数个，并且复数个所述海尔贝克阵列中的任意一个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

复数个所述海尔贝克阵列中的另外两个以上配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，

配置于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置的所述任意一个以上的所述海尔贝克阵列和配置于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置的所述两个以上的所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

47.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置并且配置为与复数个所述固定触头中的任意一个以上在所述另一方向上重叠。

48.根据权利要求47所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，并且配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠，

所述海尔贝克阵列包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；以及

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

49.根据权利要求47所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置。

50.根据权利要求49所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的面中朝向所述空间部的面被磁化为彼此相同的极性。

51.根据权利要求49所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

52.根据权利要求51所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面和所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述空间部的面被磁化为彼此相同的极性。

53.根据权利要求47所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

54.根据权利要求53所述的电弧路径形成部，其中，

所述第二块的面中朝向所述空间部的面和所述第三块的面中朝向所述空间部的面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一块的面中朝向所述空间部的面被磁化为与所述极性不同的极性。

55.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

所述磁铁部沿所述一方向延伸，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

56.根据权利要求55所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，并且配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠。

57.根据权利要求56所述的电弧路径形成部，其中，

所述磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为相同的极性。

58.根据权利要求56所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置。

59.根据权利要求58所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面和所述磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面被磁化为彼此相同的极性。

60.根据权利要求55所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置，配置为与复数个所述固定触头中的任意一个在所述另一方向上重叠；以及

第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置，配置为与复数个所述固定触头中的另一个在所述另一方向上重叠。

61.根据权利要求60所述的电弧路径形成部，其中，

所述磁铁部与所述第一海尔贝克阵列的彼此相对的各个面和所述磁铁部与所述第二海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为彼此相同的极性。

62.根据权利要求60所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

63.根据权利要求62所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面以及所述磁铁部的面中朝向所述空间部的面被磁化为彼此相同的极性。

64.根据权利要求55所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

65.根据权利要求64所述的电弧路径形成部，其中，

所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面和所述第三块的面中朝向所述磁铁部的面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一块和所述磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

66.一种电弧路径形成部，其中，包括：

磁铁框架，在内部形成有空间部，复数个固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

所述磁铁部设置有复数个，

复数个所述磁铁部配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，分别位于偏向所述第三面和所述第四面中的彼此不同的面的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

67.根据权利要求66所述的电弧路径形成部，其中，

所述磁铁部包括：

第一磁铁部，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第二磁铁部，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

所述海尔贝克阵列位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置，并且配置为在所述另一方向上与所述第一磁铁部和所述第二磁铁部中的任意一个重叠。

68.根据权利要求67所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面和所述第二磁铁部和所述海尔贝克阵列的彼此相对的各个面被磁化为相同的极性。

69.根据权利要求67所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置，配置为与所述第一磁铁部和所述第二磁铁部中的任意一个相对。

70.根据权利要求69所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述第一磁铁部或所述第二磁铁部的面、所述第一磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面以及所述第二磁铁部的面中朝向所述海尔贝克阵列的面被磁化为彼此相同的极性。

71.根据权利要求66所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第一海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；以及

第二海尔贝克阵列，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置，

所述磁铁部的延伸长度为复数个所述固定触头的彼此隔开的距离以上。

72.根据权利要求71所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述磁铁部的彼此相对的各个面和所述第二海尔贝克阵列和所述磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为相同的极性。

73.根据权利要求71所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间。

74.根据权利要求73所述的电弧路径形成部，其中，

所述第一海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面、所述第二海尔贝克阵列的所述第一块的面中朝向所述磁铁部的面以及所述磁铁部的面中朝向所述第一海尔贝克阵列或所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为彼此相同的极性。

75.根据权利要求66所述的电弧路径形成部，其中，

所述海尔贝克阵列包括：

第二块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；

第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；

第一块，位于所述第二块和所述第三块之间；

第四块，位于所述第一块和所述第二块之间；以及

第五块，位于所述第一块和所述第三块之间。

76.根据权利要求75所述的电弧路径形成部，其中，

所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面和所述第三块的面中朝向所述磁铁部的面被磁化为彼此相同的极性，

所述第一块和所述磁铁部的彼此相对的各个面被磁化为与所述极性不同的极性。

77.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，与复数个所述固定触头中的任意一个以上在所述另一方向上重叠。

78.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

所述磁铁部沿所述一方向延伸，配置于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

79.一种直流继电器，其中，包括：

固定触头，设置有复数个，位于沿一方向彼此隔开的位置；

可动触头，与所述固定触头接触或分离；

磁铁框架，在内部形成有空间部，所述固定触头和所述可动触头容纳于所述空间部；以及

海尔贝克阵列和与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述海尔贝克阵列和所述磁铁部位于所述磁铁框架的所述空间部并且在所述空间部形成磁场；

所述空间部的一方向的长度大于所述空间部的另一方向的长度，

所述磁铁框架包括：

第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及

第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；

所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，所述海尔贝克阵列配置于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，

所述磁铁部设置有复数个，

复数个所述磁铁部配置为与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近，分别位于偏向所述第三面和所述第四面中的彼此不同的面的位置，配置为隔着所述空间部与所述海尔贝克阵列相对。

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