CN115693152A - 天线去耦组件及天线 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种天线去耦组件及天线，所述天线去耦组件用于设置在天线的反射板上，且设置在天线的辐射单元周围，所述天线去耦组件包括去耦隔墙，所述去耦隔墙包括介质基板与设置于介质基板上的多个去耦导体，所述去耦导体的延伸长度小于所述辐射单元的最低工作频率的四分之一波长，多个去耦导体依次间隔排列形成去耦列，所述去耦列用于降低设置于所述去耦隔墙周围的辐射单元之间的互耦。如此，设于去耦隔墙周围的辐射单元的信号在去耦导体的分布区域内产生的耦合路径发生改变，并改变辐射单元间信号的耦合路径，使得耦合路径与相邻的辐射单元的辐射路径相抵消，降低辐射单元之间的互耦作用，提升辐射单元的隔离度。

Description

天线去耦组件及天线

技术领域

本发明属于移动通信技术领域，具体涉及一种天线去耦组件及配置了所述天线去耦组件的天线。

背景技术

随着移动通信技术的快速发展，业内致力于提供高品质和高速率的通信服务，以解决射频频谱资源短缺的问题，多输入多输出（MIMO）技术成为了解决该问题的关键技术。多输入多输出技术是指在发射端和接收端同时使用多个发射天线和接收天线，使信号通过发射端和接收端的多个天线发射和接收，实现高速数据传输并显著提升信道容量。

然而，随着天线数量的急剧增加，天线结构越发紧凑，天线阵列中辐射单元的间距越小，加剧了天线间的互耦，导致天线隔离度变差，方向图畸变，从而导致天线指标恶化，影响通信效率。因此，降低小间距阵列天线辐射单元间的互耦对当前移动通信天线尤其是应用3D MIMO技术的天线而言至关重要。

业内目前改善阵列天线辐射单元间互耦主要通过加高辐射单元之间的隔离条的高度，以减弱互耦强度。但隔离条高度过高将影响天线的波束形状，恶化天线交叉极化电平。

发明内容

本发明的目的在于解决上述问题至少之一而提供一种天线去耦组件及天线。

适应本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：

适应本发明的目的之一而提供一种天线去耦组件，用于设置在天线的反射板上，且设置在天线的辐射单元周围，所述天线去耦组件包括去耦隔墙，所述去耦隔墙包括介质基板与设置于介质基板上的多个去耦导体，所述去耦导体的延伸长度小于所述辐射单元的最低工作频率的四分之一波长，多个去耦导体依次间隔排列形成去耦列，所述去耦列用于降低设置于所述去耦隔墙周围的辐射单元之间的互耦。

进一步的，所述去耦导体与所述反射板相间隔绝缘设置。

进一步的，所述介质基板的其中一面或两面上设有一组或多组去耦列，所述多组去耦列自介质基板的底部向顶部方向依次设置。

具体的，所述去耦导体呈长条状、工字状、方波状、三角波状、波浪状、矩形环状、沙漏形中的任意一项。

进一步的，所述去耦隔墙还包括金属隔离板，所述金属隔离板设置于所述介质基板与所述反射板之间。

优选的，所述去耦导体与所述金属隔离板保持绝缘间隔设置。

进一步的，所述去耦导体的长度、宽度及与相邻去耦导体之间的间距可调，通过调节所述长度、宽度或间距可对应调节所述辐射单元之间耦合信号的幅度和相位。

适应本发明的目的之一而提供一种天线，包括辐射单元、反射板及如前一目的任意一项所述的天线去耦组件，所述天线去耦组件设置于所述反射板上并位于所述辐射单元的周围。

进一步的，所述天线包括两个相邻的辐射单元，相邻两个辐射单元之间设有一个或两个去耦隔墙。

进一步的，所述辐射单元的四周均设有所述去耦隔墙。

进一步的，设于所述辐射单元四周的所述去耦隔墙包括相对设置的两个第一去耦隔墙和相对设置的两个第二去耦隔墙，所述第一去耦隔墙与所述第二去耦隔墙的结构相同或不相同。

进一步的，所述辐射单元的工作频段1710～2170MHz。

进一步的，所述辐射单元为双极化振子，所述双极化振子包括辐射臂和支撑并对所述辐射臂馈电的馈电结构，所述辐射臂的末端具有朝所述反射板方向弯折延伸的折弯导体。

相对于现有技术，本发明具有多方面的优势，包括但不限于：

本发明的天线去耦组件通过采用去耦隔墙，设置去耦隔墙的去耦导体的延伸长度小于所述辐射单元的最低工作频率的四分之一波长，多个去耦导体依次间隔排列形成去耦列，可形成超表面结构，以使设于去耦隔墙周围的辐射单元的信号在去耦导体的分布区域内产生的耦合路径发生改变，以改变辐射单元间信号的耦合路径，使得耦合路径与辐射单元的辐射路径产生抵消，从而削弱辐射单元之间的耦合，提升辐射单元之间的隔离度，相对于常规天线阵列能改善至少3dB以上的辐射单元间隔离度指标，在中心频率附近甚至能改善至少5dB以上，从而大幅提升天线的辐射性能，对于大规模阵列天线的通信效率的改善尤其明显。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明典型实施例的天线去耦组件设置于反射板上的结构示意图。

图2为本发明典型实施例的另一天线去耦组件设置于反射板上的结构示意图。

图3为本发明一个实施例的去耦导体的多个示意图。

图4为本发明另一实施例的天线去耦组件设置于反射板上的结构示意图。

图5为本发明又一实施例的天线去耦组件设置于反射板上的结构示意图。

图6为本发明一个实施例的天线去耦组件的去耦隔墙幕的结构示意图。

图7为去耦结构阵列天线与常规阵列天线在频段1.6-2.3GHz时的隔离度曲线图。

图8为去耦结构阵列天线与常规阵列天线的方向图对比图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是实例性的，仅用于解释本发明而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语），具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本发明提供了一种天线去耦组件，该天线去耦组件设有去耦隔墙，去耦隔墙上设有去耦导体，去耦导体的延伸长度小于所述辐射单元的最低工作频率的四分之一波长，多个去耦导体依次间隔排列形成去耦列，可形成超表面结构，以使设于去耦隔墙周围的辐射单元的信号在去耦导体的分布区域内产生的耦合路径发生改变，并以改变辐射单元间信号的耦合路径，使得耦合路径与辐射单元的辐射路径产生抵消，从而削弱辐射单元之间的耦合，提升辐射单元之间的隔离度。

结合图1与图2，所述天线去耦组件100包括去耦结构，所述去耦结构设置于天线的反射板200上。所述去耦结构包括去耦隔墙120，所述去耦隔墙120设置于天线的辐射单元300周围，具体在本实施例中可以设置在天线的相邻两个辐射单元300之间。

具体言之，所述去耦隔墙120包括介质基板121和设置于介质基板121上的多个去耦导体122，多个去耦导体122依次排列形成去耦列123，所述去耦列123用于降低设置于所述去耦隔墙120周围的辐射单元300之间的互耦作用。所述介质基板121设置于所述反射板200上，所述去耦导体122设置于介质基板121上，且去耦导体122在介质基板121上的延伸长度小于辐射单元300的最低工作频率的四分之一波长。如此，可使设于去耦隔墙120周围的辐射单元300的信号在去耦导体122的分布区域内产生的耦合路径发生改变，并以改变辐射单元300间信号的耦合路径，使得耦合路径与辐射单元300的辐射路径产生抵消，从而削弱辐射单元300之间的耦合，提升辐射单元300之间的隔离度。

在一个实施例中，所述去耦导体122贴设于介质基板121上。优选的，所述介质基板121为PCB电路基板，所述去耦导体122印制于所述介质基板121上，采用PCB工艺制作去耦隔墙120较为简单方便。

在本实施例中，去耦导体122为片状结构或条状结构，去耦导体122沿介质基板121的高度方向设置，所述高度方向为自介质基板121的底部1211向介质基板121的顶部1212的延伸方向，介质基板121的底部1211与反射板200相连接。去耦导体122沿介质基板121的高度方向延伸，并且多个去耦导体122依次相间隔设置形成所述去耦列123。具体在本实施例中，去耦导体122所在平面与辐射单元300的辐射面所在的平面呈能相交的方向设置。较为优选的是，去耦隔墙120垂直于反射板200设置。

结合图2，当设置于去耦隔墙120的第一侧的第一辐射单元310向设置于去耦隔墙120的第二侧的第二辐射单元320所在方向辐射信号时，去耦隔墙120的介质基板121上的去耦导体122将给予信号相应的相位补偿，使得信号的发射方向发射偏转，从而改变第一辐射单元310所发射信号的耦合路径的方向，使得耦合路径与第二辐射单元320发射的信号的辐射路径相矢量同向叠加，以使得第一辐射单元310的耦合路径与第二辐射单元320的辐射路径相抵消，从而降低相邻两个辐射单元300之间的互耦作用。

且，当第一辐射单元310对外发射信号时，第一辐射单元310所辐射的信号发射至去耦隔墙120所在区域时，去耦隔墙120将会阻挡信号的穿透，降低信号的强度，削减耦合路径的强度，使得耦合路径可与相邻的辐射单元的辐射路径相抵消。

在一个实施例中，上述去耦导体122与反射板200相间隔绝缘设置。即去耦导体122相对于反射板200悬空设置而不与反射板200相物理接触，如此可以避免反射板200的表面波串扰，减小表面波干扰，从而优化天线的无源互调电平。

在一个实施例中，通过调整去耦导体122的长度与宽度以及相邻两个去耦导体122之间的间距，来调整辐射单元300的耦合信号的幅度和相位，以优化辐射单元300的方向图。

例如，通过调整去耦导体122的长度，使得去耦隔墙120的去耦合效率增大或缩小；通过调整去耦导体122的宽度，使得去耦隔墙120的去耦合效率增大或缩小；通过调整相邻两个去耦导体122之间的间距，使得去耦隔墙120的去耦合效率增大或缩小。

在本实施例中，结合图4，所述介质基板126上设置有一组去耦列123。结合图6所示，在另一个实施例中，所述介质基板127上设有多组去耦列123，该多组去耦列123沿介质基板121的高度方向依次设置。通过设置多组去耦列123可提高去耦隔墙120的去耦性能，提升辐射单元300的辐射性能。

在一个实施例中，结合图3，所述去耦导体122还可呈工字状122b、方波状122c、三角波状122d、波浪状122f、矩形环状122e、沙漏形状122g中的其中一种。虽然本发明提供了以上多种去耦导体122的示例性形状，但不应理解为对本发明的限制，本领域技术人员在了解了本发明的上述多种实施例的基础上，可以以此为基础灵活变通运用，在此为节省篇幅，恕不赘述。通过将去耦导体122设置为不同的形状样式，可改变去耦导体122的去耦合效率，使得去耦隔墙120的去耦合效率增大。

结合图1，所述去耦隔墙120还包括金属隔离板124，所述金属隔离板124设置于反射板200与介质基板121之间，金属隔离板124设置于反射板200上，介质基板121设置于金属反射板200上。具体而言，金属隔离板124的底部1241与反射板200相接设置，介质基板121的底部1211与金属隔离板124的顶部1242相接设置。每个金属隔离板124对应与一个去耦隔墙120相设置。金属隔离板124可以阻挡辐射单元300所辐射的部分电磁波耦合到相邻辐射单元300上，进而降低了耦合度，改善了天线方向图，提高了整个天线阵列的去耦效果。

在一个实施例中，去耦导体122与金属隔离板124保持绝缘间隔设置，以避免来自金属隔离板124和反射板200的表面波串扰，减小表面波干扰，从而优化天线的无源互调电平。

结合图1-5所示，本发明实施例还提供了一种天线，该天线包括辐射单元300、反射板200及上述天线去耦组件100，天线去耦组件100设置于反射板200上并位于辐射单元300的周围。

在一个实施例中，结合图5，相邻两个辐射单元之间设有两个去耦隔墙120，通过设置两个去耦隔墙120可极大降低相邻两个辐射单元之间互耦作用，提升辐射单元的隔离度，提升天线的辐射性能。

结合图1与图2，在本发明的典型实施例中，在天线中一般设有多个辐射单元300，多个辐射单元300以阵列的形式布置，使得天线中的部分辐射单元在各个方向上分别与不同的辐射单元相邻设置，对应为辐射单元300设置多个去耦隔墙131，使得辐射单元300与其相邻的各个辐射单元均通过去耦隔墙131相间隔设置。

进一步的，设置于辐射单元300周围的多个去耦隔墙131相连接可形成安装位130，所述辐射单元300设置于所述安装位130内，使得辐射单元300在安装位内与相邻的各个辐射单元相间隔设置，降低辐射单元300与相邻的各个辐射单元之间的互耦作用，提升辐射单元300的辐射性能。

且，辐射单元300与不同的辐射单元相邻时，可选择分别对应设置不同类型的去耦隔墙131，以适应性的降低互耦。

在本实施例中，结合图1，所述安装位130由两个第一去耦隔墙131和两个第二去耦隔墙132相围设形成。四个去耦隔墙依次相连接形成安装位130，使安装位130呈四边形状，其中，两个第一去耦隔墙131相对设置，两个第二去耦隔墙132也相对设置。优选的，所述安装位130呈矩形槽状。

在本实施例中，所述第一去耦隔墙131包括第一金属隔离板1311、第一介质基板1312及设置于第一介质基板1312的内侧面1313上的两组去耦列123，所述两组去耦列123相平行设置。所述第二去耦隔墙132包括第二金属隔离板1321、第二介质基板1322以及设置于第二介质基板1322的内侧面1323上的一组去耦列123。

所述第二去耦隔墙132的高度与所述第一去耦隔墙131的高度相等，使得两个第一去耦隔墙131与两个第二去耦隔墙132相围设形成等深槽状结构的安装位130。因第一介质基板1312上设置两组去耦列123，第二介质基板1322上设置一组去耦列123，第一介质基板1312的高度大于第二介质基板1322的高度，以便于在第一介质基板1312上设置两个去耦列123。优选的，第二介质基板1322的高度为第一介质基板1312的高度的二分之一。

因第一去耦隔墙131与第二去耦隔墙132的高度相等，且第一介质基板1312的高度大于第二介质基板1322的高度，使得第一金属隔离板1311的高度小于第二金属隔离板1321的高度。优选的，所述第一金属隔离板1311的高度为第二金属隔离板1321的高度的二分之一。

在另一个实施例中，结合图4，所述安装位130也由两个第六去耦隔墙135和两个第七去耦隔墙136相围设形成。四个去耦隔墙依次相连接形成安装位130，使安装位130呈四边形状，其中，两个第六去耦隔墙135相对设置，两个第七去耦隔墙136也相对设置。

第六去耦隔墙135与第七去耦隔墙136中未设有金属隔离板。第六去耦隔墙135由第六介质基板1351和设置于第六介质基板1351的内侧面上的两组去耦列123相形成；第七去耦隔墙136由第七介质基板1361和设置于第七介质基板1361的内侧面上的一组去耦列123相形成。第六介质基板1351与第七介质基板1361直接与反射板200相接设置。

第六去耦隔墙135的高度与第七去耦隔墙136的高度不相等，第六去耦隔墙135的高度大于第七去耦隔墙136的高度。因第六介质基板1351上需设置两组去耦列123，而第七介质基板1361上设置一组去耦列123，使得第六介质基板1351的高度大于第七介质基板1361的高度。优选的，所述第七介质基板1361的高度为第六介质基板1351的高度二分之一至四分之三。

在本发明的典型实施例中，结合图2，所述天线去耦组件100中设有多个安装位130，多个安装位130相邻设置，且相邻两个安装位130之间共用同一去耦隔墙，以节省所述天线去耦组件100的制造材料，且便于生产制造。

第一安装位141与第二安装位142共用第五去耦隔墙1411，所述第五去耦隔墙1411作为第一安装位141的第一去耦隔墙131，且第五去耦隔墙1411作为第二安装位142的第三去耦隔墙133。第五去耦隔墙1411的介质基板1412的第一面1413上设置第一安装位141的第一去耦隔墙131的去耦列123，第五去耦隔墙1411的介质基板的第二面（未示出）上设置第二安装位142的第三去耦隔墙133的去耦列123，使得在第五去耦隔墙1411的介质基板1412的两侧面上分别设置两个安装位130各自对应的去耦列123，便于第一安装位141与第二安装位142之间共用同一去耦隔墙。

进一步的，第一安装位141与多个安装位130相邻设置，则第一安装位141与相邻设置的各个安装位130分别共用对应的去耦隔墙。例如，第一安装位141分别与第二安装位142、第三安装位143、第四安装位144以及第五安装位145相邻设置。其中，结合图1与图2，第一安装位141由四个去耦隔墙相围设形成，第一安装位141与第二安装位142共用第一安装位141的第一去耦隔墙131，第一安装位141与第三安装位143共用第一安装位141的第二去耦隔墙132，第一安装位141与第四安装位144共用第一安装位141的第三去耦隔墙133，第一安装位141与第五安装位145共用第一安装位141的第四去耦隔墙134，从而提高第一安装位141的各个去耦隔墙的利用率。

或者，所述第一安装位141设置于天线去耦组件100的边缘，第一安装位141与两个或三个安装位相邻设置，第一安装位141与相邻的两个或三个安装位共用相对应的去耦隔墙。

在一个实施例中，结合图5，所述安装位130的其中两个去耦隔墙不与其它安装位相共用，而安装位130的另外两个去耦隔墙可与其它安装位相共用。

例如，第六安装位146的第一去耦隔墙1461与第三去耦隔墙1462相对设置，第一去耦隔墙1461与第三去耦隔墙1462不与相邻的安装位相共用。具体言之，第六安装位146的第一去耦隔墙1461与第七安装位147的第三去耦隔墙1472相邻设置，且第六安装位146的第一去耦隔墙1461与第七安装位147的第三去耦隔墙1472相间隔设置；第六安装位146的第三去耦隔墙1462与第八安装位148的第一去耦隔墙1481相邻设置，且第六安装位146的第三去耦隔墙1462与第八安装位148的第一去耦隔墙1481相间隔设置，使得第六安装位146与相邻的第七安装位147和第八安装位148相间隔设置。

第六安装位146的第一去耦隔墙1461和/或第三去耦隔墙1462不与相邻的两个的安装位相共用，使得设置于第六安装位146内的第一辐射单元310所发射的信号需要穿过两个去耦隔墙才能进入相邻的安装位中，通过两个去耦隔墙极大地削减了第一辐射单元310发射的信号的强度，使得第一辐射单元310的耦合路径与相邻的辐射单元的辐射路径相抵消，降低互耦作用，提升隔离度。

或者，如所述第七安装位147设置于天线去耦组件100的边缘，第七安装位147仅与第六安装位146相邻设置，第六安装位146的第一去耦隔墙1461与第七安装位147的第三去耦隔墙1472相邻设置，第六安装位146的第一去耦隔墙1461与第七安装位147的第三去耦隔墙1472相间隔设置。

在另一个实施例中，所述第一安装位141的各个去耦隔墙均不与相邻的安装位相共用，以提升第一安装位141的去耦效率，提升隔离度。第一安装位141的多个去耦隔墙均不与相邻的多个的安装位相共用，使得设置于第一安装位141内的第一辐射单元310所发射的信号需要穿过两个去耦隔墙才能进入相邻的安装位中，通过两个去耦隔墙极大地削减了第一辐射单元310发射的信号的强度，使得第一辐射单元310的耦合路径与相邻的辐射单元的辐射路径相抵消，降低互耦作用，提升隔离度。

例如，第一安装位141分别与第二安装位142、第三安装位143、第四安装位144以及第五安装位145相邻设置，其中，第一安装位141的第一隔离墙与第二安装位142的第三隔离墙相邻且相间隔设置，第一安装位141的第二隔离墙与第三安装位143的第四隔离墙相邻且相间隔设置，第一安装位141的第三隔离墙与第四安装位144的第一隔离墙相邻且相间隔设置，第一安装位141的第四隔离墙与第五安装位145的第二隔离墙相邻且相间隔设置。

在一个实施例中，结合图6，沿同一方向延伸设置的多个去耦隔墙120共同组成隔离墙幕125，所述隔离墙幕125一体成型设置。

具体在本实施例中，该天线中，设于去耦隔墙120两侧的相邻两个辐射单元300主要是指两个工作频段相同或者相近的辐射单元。去耦导体122的延伸长度小于辐射单元300的最低工作频率的四分之一波长，其中最低工作频率指的是两个辐射单元300中的工作频段最低的那个。

在一个实施例中，本实施列中，天线的工作频段1710-2170MHz，每列辐射单元的间距为65-100mm，最小间距65mm的等效波长为 1710MH波长的0.3705倍。

具体在本实施例中，结合图1-5所示，上述辐射单元300为双极化振子，该双极化振子包括辐射臂和支撑并对辐射臂馈电的馈电结构，辐射臂的末端具有朝所述反射板方向弯折延伸的折弯导体。辐射臂的末端具有朝反射板200延伸的折弯导体，可以缩小辐射单元300的口径，并对辐射单元300间互耦具有改善作用。辐射臂末端具有折弯结构的辐射单元还尤其适合用于小间距的大规模天线阵列中。

在一个实施例中，参见图7，为去耦结构阵列天线与常规阵列天线在频段1.6-2.3GHz时的隔离度曲线图。其中，所述去耦结构阵列天线配置了本发明的天线去耦组件的天线，其中所述实线表征去耦结构阵列天线的隔离度曲线；所述常规阵列天线为配置了传统的去耦结构的天线，其中虚线表征常规阵列天线的隔离度曲线。

从图7中可知，去耦结构阵列天线相较于常规阵列天线在频段1.6-2.3GHz时的隔离度改善至少了3dB以上,在中心频率附近改善了至少5dB以上，从而极大的提高了天线的辐射性能。

在一个实施例中，参见图8，为去耦结构阵列天线与常规阵列天线的方向图对比图。其中，其中所述实线表征去耦结构阵列天线的方向图曲线；其中虚线表征常规阵列天线的方向图曲线。

从图8中可知，去耦结构阵列天线相较于常规阵列天线在方向图性能上具有较大的改善。

本发明还提供了一种基站，所述基站包括如上文所述的天线。

综上所述，本发明提供了一种天线去耦组件，天线去耦组件包括去耦隔墙，去耦隔墙设置于相邻两个辐射单元之间，辐射单元对外发射信号时，辐射单元的耦合路径在去耦隔墙上的去耦列的作用下而改变方向，使得耦合路径与相邻辐射单元的辐射路径相交，而使得耦合路径与辐射路径相抵消，从而削弱辐射单元的互耦性能，提升辐射单元的隔离度。

以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中发明的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

Claims (13)

1.一种天线去耦组件，用于设置在天线的反射板上，且设置在天线的辐射单元周围，其特征在于，所述天线去耦组件包括去耦隔墙，所述去耦隔墙包括介质基板与设置于介质基板上的多个去耦导体，所述去耦导体的延伸长度小于所述辐射单元的最低工作频率的四分之一波长，多个所述去耦导体依次间隔排列形成去耦列，所述去耦列用于降低设置于所述去耦隔墙周围的辐射单元之间的互耦。

2.如权利要求1所述的天线去耦组件，其特征在于，所述去耦导体与所述反射板相间隔绝缘设置。

3.如权利要求1所述的天线去耦组件，其特征在于，所述介质基板的其中一面或两面上设有一组或多组去耦列，所述多组去耦列自介质基板的底部向顶部方向依次设置。

4.如权利要求1所述的天线去耦组件，其特征在于，所述去耦导体呈长条状、工字状、方波状、三角波状、波浪状、矩形环状、沙漏形中的任意一项。

5.如权利要求1所述的天线去耦组件，其特征在于，所述去耦隔墙还包括金属隔离板，所述金属隔离板设置于所述介质基板与所述反射板之间。

6.如权利要求5所述的天线去耦组件，其特征在于，所述去耦导体与所述金属隔离板保持绝缘间隔设置。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的天线去耦组件，其特征在于，所述去耦导体的长度、宽度及与相邻去耦导体之间的间距可调，通过调节所述长度、宽度或间距可对应调节所述辐射单元之间耦合信号的幅度和相位。

8.一种天线，其特征在于，包括辐射单元、反射板及如权利要求1至7任意一项所述的天线去耦组件，所述天线去耦组件设置于所述反射板上并位于所述辐射单元的周围。

9.如权利要求8所述的天线，其特征在于，所述天线包括两个相邻的辐射单元，相邻两个所述辐射单元之间设有一个或两个所述去耦隔墙。

10.如权利要求8所述的天线，其特征在于，所述辐射单元的四周均设有所述去耦隔墙。

11.如权利要求10所述的天线，其特征在于，设于所述辐射单元四周的所述去耦隔墙包括相对设置的两个第一去耦隔墙和相对设置的两个第二去耦隔墙，所述第一去耦隔墙与所述第二去耦隔墙的结构相同或不相同。

12.如权利要求8所述的天线，其特征在于，所述辐射单元的工作频段在1710～2170MHz。

13.如权利要求8至12中任意一项所述的天线，其特征在于，所述辐射单元为双极化振子，所述双极化振子包括辐射臂和支撑并对所述辐射臂馈电的馈电结构，所述辐射臂的末端具有朝所述反射板方向弯折延伸的折弯导体。

Images