CN115659795A - 一种双断口断路器的寿命评估方法、介质及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种双断口断路器的寿命评估方法、介质及系统,包括:建立双断口断路器模拟模型;获取每次烧蚀试验导致的电弧累计转移的电荷量和能量;根据每次烧蚀试验对应的动态电阻‑行程测量试验,绘制动态电阻‑行程曲线,并从中获取特征参数;以不同次数烧蚀试验的电弧累计转移的电荷量和能量,特征参数作为第一特征变量,组成训练样本;将训练样本输入训练后的神经网络,得到每类第一特征变量的贡献度;选择贡献度最大的预设数量的第一特征变量作为第二特征变量;采集实际双断口断路器的第二特征变量,并输入训练后的神经网络,输出实际双断口断路器的寿命分数,并确定寿命等级。本发明可准确评估双断口断路器寿命。
Description
技术领域
本发明涉及双断口断路器技术领域,尤其涉及一种双断口断路器的寿命评估方法、介质及系统。
背景技术
高压断路器作为电力系统中的重要组成元件,主要起控制和保护作用,既可以开断正常负载电流和过负荷电流,又能开断各种短路电流,因此断路器能否正常运行直接影响电力系统的可靠稳定性。双断口断路器的操动机构可以正常动作数千次甚至上万次,而在开断额定短路电流的情况下,其寿命只有短短的数十次。双断口断路器的两个灭弧室各存在两对触头—主触头和弧触头,主触头和弧触头又分别由动静触头组成,两对触头在灭弧室内并联存在。其中主触头主要起承载电流的作用,弧触头起引燃电弧的作用,在开断和关合的过程中都会对触头产生一定的烧蚀。实验证明,影响寿命的关键因素就是电流对弧触头的烧蚀。随着开断次数和开断电流的增加,触头的烧蚀逐渐变得严重。当发展到一定程度时,会出现开断失败甚至伴随着爆炸情况的发生。因此,及时检测和判断双断口断路器的触头状态,可以判断双断口断路器的寿命,针对不同寿命的双断口断路器提出相应的运维措施。
动态电阻-行程曲线可以通过测量双断口断路器分闸过程中断口间接触电阻与触头行程之间的关系曲线得到,以判断触头状态,进而进行寿命评估。目前针对动态电阻-行程曲线开展的研究都基于单断口断路器,缺乏对双断口断路器的研究,单断口断路器所提取的动态电阻特征参数并不适用于双断口断路器的寿命评估。因此,亟需建立双断口断路器的寿命评估方法。
发明内容
本发明实施例提供一种双断口断路器的寿命评估方法、介质及系统,以解决现有技术的方法不适用于双断口断路器的寿命评估的问题。
第一方面,提供一种双断口断路器的寿命评估方法,包括:
建立双断口断路器模拟模型;
每采用所述双断口断路器模拟模型进行一次烧蚀试验后,进行所述双断口断路器模拟模型的动态电阻-行程测量试验,直到测量得到的触头的动态电阻超过预设电阻阈值;
获取每次所述烧蚀试验导致的电弧累计转移的电荷量和能量;
根据每次所述烧蚀试验对应的动态电阻-行程测量试验,绘制动态电阻-行程曲线,并从所述动态电阻-行程曲线中获取特征参数;
以不同次数所述烧蚀试验的所述电弧累计转移的电荷量和能量,以及,对应的所述特征参数作为第一特征变量,组成训练样本;
将所述训练样本输入训练后的所述神经网络,得到每类所述第一特征变量的贡献度;
选择贡献度最大的预设数量的所述第一特征变量作为第二特征变量;
采集现场运行的实际双断口断路器的第二特征变量,并输入训练后的所述神经网络,输出所述实际双断口断路器的寿命分数,并按照所述寿命分数确定所述实际双断口断路器的寿命等级。
第二方面,提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令;所述计算机程序指令被处理器执行时实现如上述第一方面实施例所述的双断口断路器的寿命评估方法。
第三方面,提供一种双断口断路器的寿命评估系统,包括:如上述第二方面实施例所述的计算机可读存储介质。
这样,本发明实施例,通过模拟烧蚀试验和测量动态电阻-行程曲线试验,以便从曲线中提取可准确表征分闸过程中两个断口的触头接触状态的特征值,采用神经网络结合平均影响值算法确定了各特征值对双断口断路器寿命的影响权重,建立了客观准确的双断口断路器寿命评估方法,对现场双断口断路器在线监测及寿命评估有重要意义。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例的双断口断路器的寿命评估方法的流程图;
图2是本发明实施例的双断口断路器模拟模型的烧蚀试验的电路图;
图3是本发明实施例的双断口断路器模拟模型的动态电阻-行程测量试验的电路图;
图4是本发明实施例的双断口断路器模拟模型分闸动作中的电压电流波形图;
图5是本发明实施例的双断口断路器模拟模型的典型动态电阻-行程曲线图;
图6是本发明实施例的双断口断路器模拟模型的动态电阻-行程曲线在26.8-28.4mm内的斜率曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种双断口断路器的寿命评估方法。如图1所示,该方法包括如下的步骤:
步骤S101:建立双断口断路器模拟模型。
具体的,该模型通过如下的方式建立:
将单断口断路器的相邻两相中的第一相的下端口与第二相的上端口相连,模拟双断口断路器模拟模型。即通过单断口断路器相邻两相串联的形式模拟了实际的双断口断路器。
例如,将单断口SF6断路器的B相的下端口与C相的上端口相连模拟实际双断口断路器。
步骤S102:每采用双断口断路器模拟模型进行一次烧蚀试验后,进行双断口断路器模拟模型的动态电阻-行程测量试验,直到测量得到的触头的动态电阻超过预设电阻阈值。
具体的,烧蚀试验可搭建如下的试验电路:
如图2所示,将工频变压器8、限流电阻9、整流元件10、充电开关11和电容12依次连接成一充电回路。其中,电容12的正极板连接充电开关11,电容12的负极板连接工频变压器8,并且接地。将电感13的两端分别连接电容12的正极板和辅助合闸断路器14的一端,将辅助合闸断路器14的另一端连接双断口断路器模拟模型1的第一相的上端口。将保护断路器16的两端分别连接电容12的负极板和双断口断路器模拟模型1的第二相的下端口。在保护断路器16与双断口断路器模拟模型1的第二相的下端口的连接电路中设置霍尔传感器3。辅助合闸断路器14和保护断路器16可采用真空断路器。在双断口断路器模拟模型1的第一相的上端口和下端口,双断口断路器模拟模型1的第二相的上端口和下端口,均设置电压传感器15。电压传感器15可选用衰减比200:1的高压探头。将霍尔传感器3和四个电压传感器15均连接示波器7。
通过上述的电路设计,采用L-C串联振荡回路,提供不同幅值的工频衰减振荡电流。由于双断口断路器模拟模型1实际开断过程中,触头的烧蚀主要来源于大电流,而只有在电流过零点时才会产生幅值较大瞬态恢复电压,因此,L-C振荡回路可满足模拟实际烧蚀过程的需要。
通过上述烧蚀试验电路,采用如下的流程进行烧蚀试验:
(1)将双断口断路器模拟模型1设置为合闸状态,辅助合闸断路器14设置为分闸状态,保护断路器16设置为合闸状态。
(2)闭合充电开关11,通过工频变压器8向电容12充电,待充电到预设电压后,断开充电开关11。
(3)将辅助合闸断路器14合闸,回路中出现工频电流,经过预设延时时间后,将双断口断路器模拟模型1分闸,以开断电流并在双断口断路器模拟模型1的灭弧室内产生电弧,对双断口断路器模拟模型1的触头产生侵蚀。
具体的,可通过时序控制系统输出的电平信号控制回路中断路器开断次序。延时时间可以为5ms。
(5)待电弧熄灭后,完成一次双断口断路器烧蚀试验的模拟。
(6)通过示波器7记录:模拟双断口断路器烧蚀试验的过程中电压传感器15采集的双断口断路器模拟模型1的第一相的上端口和下端口的对地电压,双断口断路器模拟模型1的第二相的上端口和下端口的对地电压,霍尔传感器3采集的电流。
其中,回路电流作为示波器7记录的触发信号。采集的信号如图4所示。图中,17表示C相燃弧时刻,18表示B相燃弧时刻,19表示熄弧时刻。
具体的,动态电阻-行程测量试验可搭建如下的试验电路:
如图3所示,将双断口断路器模拟模型1的第一相的上端口和第二相的下端口分别连接超级电容器2的两极板。将直流电源5连接双断口断路器模拟模型1的操动机构,将旋转传感器4连接在双断口断路器模拟模型1的操动机构箱内的拐臂箱转轴上。在双断口断路器模拟模型1的第二相的下端口和超级电容器2的连接电路中设置霍尔传感器3。在直流电源5和双断口断路器模拟模型1的操动机构的连接电路中设置罗氏线圈6。将双断口断路器模拟模型1的第一相的上端口和第二相的下端口,旋转传感器4,霍尔传感器3,以及,罗氏线圈6均连接示波器7。
通过上述的电路结构,可通过四线法测量双断口断路器模拟模型1分闸过程中的电压和电流,以便通过欧姆定律计算触头接触电阻。
超级电容器2可提供测量微欧级别小电阻时稳定的大幅值直流电流,可输出2kA的直流电流。相较于蓄电池重量大不易携带,提供电流单一等缺点,超级电容器2可以通过调节充电电压改变提供直流电流的幅值,重量较轻,可提供多种稳定的直流电流。
直流电源5采用110V/220V规格,其为分合闸线圈提供分合闸电流。
旋转传感器4具体可通过螺栓接于拐臂箱转轴,并通过磁性底座固定于双断口断路器模拟模型1主体,以便测量分闸动作时的旋转角度,其可换算成触头行程参数。相较于直线传感器需要安装在操作箱内部,还需加装固定支点,旋转传感器4安装更加方便,成本更低。
霍尔传感器3用于测量分闸动作时回路中的电流信号。
罗氏线圈6用于测量分合闸线圈电流,其开环结构可以安装在方便操作的位置,不需要单独接线串联于回路中。
示波器7具有高采样率,可以避免数据失真,更好地反应电压电流等信号的变化情况,可实现数据的呈现和保存。
通过上述动态电阻-行程测量试验电路,采用如下的流程进行测量试验:
(1)将双断口断路器模拟模型1设置为分闸状态,并且弹簧已储能。
这样避免回路接通导致超级电容器2等设备损毁。
(2)对超级电容器2进行充电后,对双断口断路器模拟模型1的合闸线圈供电,使双断口断路器模拟模型1进行合闸动作预设时间后,对双断口断路器模拟模型1的分闸线圈供电,使双断口断路器模拟模型1进行分闸动作,通过示波器7记录电压、电流和行程信号。
以合闸线圈电流作为其它测量设备的触发信号,可以实现测量信号的同步性。
(3)通过计算记录的相同采集时间的电压和电流的商,得到双断口断路器模拟模型的触头的动态电阻。
该触头的动态电阻为触头接触电阻。
为了使后续步骤从动态电阻-行程曲线中获取的特征参数更加准确,优选的,每进行一次烧蚀试验,可进行多次动态电阻-行程测量试验。例如,本发明实施例每进行一次烧蚀试验,进行五次动态电阻-行程测量试验。这样在后续的步骤中,可采用多次的平均值,以提高准确率。
步骤S103:获取每次烧蚀试验导致的电弧累计转移的电荷量和能量。
通过对每次烧蚀试验中采集的对地电压和电流积分,可以得到对应的电弧累计转移的电荷量和能量。
具体的,将端口对地电压相减,即可得到烧蚀过程中产生的电弧电压。以相减得到的电压波形的陡升点为燃弧时刻,电流的过零点为熄弧时刻,熄弧时刻减去燃弧时刻即可得到电弧的持续时间,以燃弧时刻和熄弧时刻作为积分的上下限,分别对电流和电流与电压的乘积进行积分,分别得到燃弧过程中转移的电荷量及电弧能量。
其中,累计可以这样理解,例如,第二次累计转移的电荷量是第一次烧蚀试验转移的电荷量与本次烧蚀试验转移的电荷量的和,同理,累计转移的能量也这样计算。
步骤S104:根据每次烧蚀试验对应的动态电阻-行程测量试验,绘制动态电阻-行程曲线,并从动态电阻-行程曲线中获取特征参数。
具体的,以相同采集时间的行程信号的行程作为横坐标,触头的动态电阻作为纵坐标,绘制动态电阻-行程曲线。
对于双断口断路器的触头的动态电阻而言,两个断口的触头运动并非完全同步,进而会出现以下阶段:两个断口的主触头都尚未分离,处于接触阶段,至此曲线出现明显跃升点,以此为分界点;一个断口的主触头已经分离不再接触,转变为弧触头进行接触,而另一断口的主触头仍处于接触状态,至此曲线再次跃升至某一极大值,以此为分界点;当电阻上升至无限大超出量程后,分闸动作完成,两个断口的主触头都已完全分离,两者都处于弧触头接触状态。
因此,提取特征参数的过程包括:
(1)从动态电阻-行程曲线中提取第一行程、第二行程和第三行程。
其中,第一行程Lm1为双断口断路器的两个断口都为主触头接触阶段的行程。第一行程的终点为动态电阻大于第一预设电阻并且斜率突然陡降的点。第一预设电阻可根据经验设定,例如,本发明实施例的第一预设电阻为200μΩ。
其中,“斜率突然陡降的点”指的是:在阻值大于第一预设电阻后,阻值第一次急剧增大的阶段中,首个斜率极小值点,具体的,如图6所示点26所指的27.7mm所对应的点。
其中,第二行程Lm2为双断口断路器的一个断口为主触头接触,并且另一个断口弧触头接触阶段的行程。第二行程的终点为动态电阻大于第二预设电阻的第一个极大值点。第二预设电阻可根据经验设定,例如,本发明实施例的第二预设电阻为400μΩ。应当理解的是,第二行程涵盖第一行程。
其中,第三行程La为双断口断路器的两个断口都处于弧触头接触阶段的行程。应当理解的是,第三行程的起点为第二行程的终点。
(2)计算第一行程的动态电阻的均值,得到两个断口都为主触头接触的电阻值。
(3)计算第三行程的动态电阻的均值,得到两个断口都为弧触头接触的电阻值。
(4)将第一行程、第二行程、第三行程、两个断口都为主触头接触的电阻值和两个断口都为弧触头接触的电阻值作为特征参数。
应当理解的是,当每进行一次烧蚀试验,进行多次动态电阻-行程测量试验时,上述的每类特征参数,为从多个动态电阻-行程曲线中提取的相应数值的平均值。
例如,如图5所示,20表示主触头接触电阻,21表示先分主触头接触行程Lm1,22表示弧触头接触电阻,23表示后分主触头接触行程Lm2,24表示弧触头接触行程La。
步骤S105:以不同次数烧蚀试验的电弧累计转移的电荷量和能量,以及,对应的特征参数作为第一特征变量,组成训练样本。
如前所述,特征参数为第一行程、第二行程、第三行程、两个断口都为主触头接触的电阻值和两个断口都为弧触头接触的电阻值,则加上该次电弧累计转移的电荷量和能量,一共有七个第一特征变量。
将训练样本记为Input=[X1,X2,X3,…,Xj],j=7。
其中,Xj为某个输入参数序列,Xj=[xj1,xj2,xj3,…,xjn]。n为单个第一特征变量的训练样本的总数。xjn为第j个第一特征变量的第n个数值,即共有n个训练样本。
优选的,为了使得后续计算更加准确,可对训练样本进行归一化处理,具体计算式如下:
其中,y表示归一化后的训练样本的值,ymax、ymin分别表示归一化后的训练样本的极大值和极小值,该极大值和极小值根据经验预设,x表示归一化前的训练样本的值,xmax、xmin分别表示归一化前的训练样本的最大值和最小值。例如,对于第一行程的训练样本x,可以从n个训练样本中确定xmax、xmin,则对于每一x采用上式计算得到归一化后每一y。
步骤S106:将训练样本输入训练后的神经网络,得到每类第一特征变量的贡献度。
其中,在将训练样本输入训练后的神经网络之前,先采用训练样本训练神经网络,具体过程如下:
(1)确定不同次数烧蚀试验对应的双断口断路器寿命分数。
对于寿命分数,将双断口断路器的寿命定义为0-100中的任一数值,0表示寿命完整,尚未投入使用;100表示断路器寿命已达到极限,即寿命终止。因此,寿命状态和寿命分数的对应关系可根据经验设置。
基于上述的关系,该步骤具体包括:
①当双断口断路器模拟模型进行一次烧蚀试验时,通过观察双断口断路器模拟模型的寿命状态,确定双断口断路器模拟模型的寿命分数。
②该次烧蚀试验后,将烧蚀试验的次数与该次的寿命分数对应。
(2)采用训练样本训练神经网络,直到神经网络输出的训练样本对应的寿命分数与训练样本对应的烧蚀试验的次数对应的寿命分数的误差小于预设误差。
其中,神经网络可选用BP神经网络。
具体的,对于训练样本可以按照4:1的比例分为训练集和验证集。通过训练集训练,通过验证集验证。
预设误差为10%,如果误差小于10%,则认为训练效果良好,训练完成。如果误差不小于10%,则继续进行训练,可采用平均影响值算法继续进行训练。
具体的,得到每类第一特征变量的贡献度,包括如下的过程:
(1)对于每一第一特征变量,将训练样本中的该第一特征变量的训练样本的大小分别增加和减少预设百分比,得到第一训练样本和第二训练样本。
例如,预设百分比为10%,第一特征变量为第三行程,将第三行程的大小分别增加10%和减少10%。
(2)将第一训练样本和第二训练样本分别输入训练后的神经网络模型中,分别输出第一仿真结果和第二仿真结果。
其中,Cj表示第j类第一特征变量的贡献度,m表示第一特征变量的总数量,具体为7。
步骤S107:选择贡献度最大的预设数量的第一特征变量作为第二特征变量。
预设数量可根据经验选择。
步骤S108:采集现场运行的实际双断口断路器的第二特征变量,并输入训练后的神经网络,输出实际双断口断路器的寿命分数,并按照寿命分数确定实际双断口断路器的寿命等级。
根据DL/T 1686-2017六氟化硫高压断路器状态检修导则中将断路器状态分为正常状态、注意状态、异常状态与严重状态,来对应寿命分数。具体的,寿命分数与寿命等级的对应关系为:
(1)当寿命分数位于[0,25)数值区间内,寿命等级为正常状态等级。
(2)当寿命分数位于[25,50)数值区间内,寿命等级为注意状态等级。
(3)当寿命分数位于[50,75)数值区间内,寿命等级为异常状态等级。
(4)当寿命分数位于[75,100]数值区间内,寿命等级为严重状态等级。
因此,根据输出的寿命分数所位于的数值区间,可以确定寿命等级。
通过测试集验证,本发明实施例方法的评估准确率在90%以上。
本发明实施例还公开了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令;所述计算机程序指令被处理器执行时实现如上述实施例所述的双断口断路器的寿命评估方法。
本发明实施例还公开了一种双断口断路器的寿命评估系统,包括:如上述实施例所述的计算机可读存储介质。
综上,本发明实施例,通过单断口断路器两相串联的形式模拟了实际的双断口断路器,以进行模拟烧蚀试验和测量动态电阻-行程曲线试验,试验结果准确,采集的数据充足,通过从曲线中提取可准确表征分闸过程中两个断口的触头接触状态的特征值,采用BP神经网络结合平均影响值算法确定了各特征值对双断口断路器寿命的影响权重,建立了客观准确的双断口断路器寿命评估方法,对现场双断口断路器在线监测及寿命评估有重要意义。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,包括:
建立双断口断路器模拟模型;
每采用所述双断口断路器模拟模型进行一次烧蚀试验后,进行所述双断口断路器模拟模型的动态电阻-行程测量试验,直到测量得到的触头的动态电阻超过预设电阻阈值;
获取每次所述烧蚀试验导致的电弧累计转移的电荷量和能量;
根据每次所述烧蚀试验对应的动态电阻-行程测量试验,绘制动态电阻-行程曲线,并从所述动态电阻-行程曲线中获取特征参数;
以不同次数所述烧蚀试验的所述电弧累计转移的电荷量和能量,以及,对应的所述特征参数作为第一特征变量,组成训练样本;
将所述训练样本输入训练后的所述神经网络,得到每类所述第一特征变量的贡献度;
选择贡献度最大的预设数量的所述第一特征变量作为第二特征变量;
采集现场运行的实际双断口断路器的第二特征变量,并输入训练后的所述神经网络,输出所述实际双断口断路器的寿命分数,并按照所述寿命分数确定所述实际双断口断路器的寿命等级。
2.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,所述从所述动态电阻-行程曲线中提取特征参数的步骤,包括:
从所述动态电阻-行程曲线中提取第一行程、第二行程和第三行程,其中,所述第一行程为所述双断口断路器的两个断口都为主触头接触阶段的行程,所述第二行程为所述双断口断路器的一个断口为主触头接触,并且另一个断口弧触头接触阶段的行程,所述第三行程为所述双断口断路器的两个断口都处于弧触头接触阶段的行程,所述第一行程的终点为动态电阻大于第一预设电阻并且斜率突然陡降的点,所述第二行程的终点为动态电阻大于第二预设电阻的第一个极大值点;
计算所述第一行程的动态电阻的均值,得到两个断口都为主触头接触的电阻值;
计算所述第三行程的动态电阻值的均值,得到两个断口都为弧触头接触的电阻值;
将所述第一行程、所述第二行程、所述第三行程、所述两个断口都为主触头接触的电阻值和所述两个断口都为弧触头接触的电阻值作为所述特征参数。
3.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,所述将所述训练样本输入训练后的所述神经网络的步骤之前,所述方法包括:
确定不同次数所述烧蚀试验对应的所述双断口断路器模拟模型的寿命分数;
采用所述训练样本训练神经网络,直到所述神经网络输出的所述训练样本对应的寿命分数与所述训练样本对应的烧蚀试验的次数对应的寿命分数的误差小于预设误差。
4.根据权利要求3所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,所述确定不同次数所述烧蚀试验对应的所述双断口断路器模拟模型的寿命分数的步骤,包括:
当所述双断口断路器模拟模型进行一次所述烧蚀试验时,通过观察所述双断口断路器模拟模型的寿命状态,确定所述双断口断路器模拟模型的寿命分数;
该次所述烧蚀试验后,将所述烧蚀试验的次数与该次的所述寿命分数对应。
5.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,所述得到每类所述第一特征变量的贡献度的步骤,包括:
对于每一所述第一特征变量,将所述训练样本中的该第一特征变量的训练样本的大小分别增加和减少预设百分比,得到第一训练样本和第二训练样本;
将所述第一训练样本和所述第二训练样本分别输入训练后的所述神经网络模型中,分别输出第一仿真结果和第二仿真结果;
采用计算MIV值,其中,MIVj表示第j类第一特征变量的MIV值,表示第j类第一特征变量的第i个第一训练样本对应的第一仿真结果,表示第j类第一特征的变量的第i个第二训练样本对应的第二仿真结果,n表示训练样本的总数量;
6.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,
当所述寿命分数位于[0,25)数值区间内,所述寿命等级为正常状态等级;
当所述寿命分数位于[25,50)数值区间内,所述寿命等级为注意状态等级;
当所述寿命分数位于[50,75)数值区间内,所述寿命等级为异常状态等级;
当所述寿命分数位于[75,100]数值区间内,所述寿命等级为严重状态等级。
7.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于,所述建立双断口断路器模拟模型的步骤,包括:
将单断口断路器的相邻两相中的第一相的下端口与第二相的上端口相连,模拟所述双断口断路器模拟模型。
8.根据权利要求1所述的双断口断路器的寿命评估方法,其特征在于:所述神经网络为BP神经网络。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于:所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令;所述计算机程序指令被处理器执行时实现如权利要求1~8中任一项所述的双断口断路器的寿命评估方法。
10.一种双断口断路器的寿命评估系统,其特征在于,包括:如权利要求9所述的计算机可读存储介质。
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PB01 | Publication | ||
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