CN115563303A - 一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法及系统 - Google Patents

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Abstract

一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法及系统。通过导入已有SCD模型文件，获取虚端子连接信息，通过对知识的抽取和加工，形成一套泛化的基于知识图谱的虚回路关系规则库，通过对实体虚回路的一致性推理，校验二次虚回路连线的正确性。本发明解决了常规SCD校验工具无法校验虚回路连接正确性的问题。较人工检查提高了效率，减少了漏检错检的可能性。

Description

一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法及系统
技术领域
本发明属于智能变电站模型校验技术领域，具体涉及虚端子连线的正确性校验及错误定位方法及系统。
背景技术
在智能变电站中，变电站配置描述文件SCD模型具有举足轻重的作用，变电站的各个智能电子设备(IED)的实例化功能配置均需要从SCD模型文件中获取，因此，对于SCD模型的校验至关重要。当前，SCD的语法和语义方面的校验有明确的标准，但是对于虚端子连线的功能性校验缺乏校验依据，需要建立一套虚端子功能性规则库对校验系统提供支撑。
中国专利CN113780598A《一种智能变电站虚端子校核方法》公开了一种智能变电站虚端子校核方法，通过建立典型IED模板，设置变电站的电压等级、接线方式，选择不同类型的典型IED模板生成变电站模板，将待校验SCD文件中的IED虚端子连接关系与典型IED模板中的虚端子连接关系比较，输出虚端子校验结果，实现智能变电站虚端子的校验。但是实现校验功能需要穷举各种IED硬件配置，模板库的配置和管理复杂，对于未知IED的适应能力差。
中国专利CN114491973A《一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备》公开了一种虚端子回路校核方法，通过接收待校核变电站的配置描述文件，从配置描述文件中提取待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称。根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构。采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核。由于SSD部分在我国的变电站配置中并没有实际推广，所以此方法在实际应用中具有一定的局限性。
发明内容
为解决现有技术中存在的不足，本发明提供一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法及系统。通过导入已有SCD模型文件，获取虚端子连接信息，通过对知识的抽取和加工，形成一套泛化的基于知识图谱的虚回路关系规则库，通过对实体虚回路的一致性推理，校验二次虚回路连线的正确性。本发明以一次设备间隔为单位，忽略物理上装置的型号和数量配置差异，通过建立一套可以反映正确虚端子连接的功能知识图谱，校验的是各间隔内和间隔之间的虚回路连接关系是否能满足功能要求，虚端子的本体库和关系规则库完全独立，维护简单，准确度高。
本发明采用如下的技术方案。
一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，包括以下步骤：
步骤1，构建间隔及虚端子的本体模型；
步骤2，构建泛化的虚端子本体库；
步骤3，构建基于间隔的关系规则库；
步骤4，导入SCD文件，解析获取变电站的间隔和虚端子连接信息，对虚端子进行功能标记，整理形成虚端子知识库；
步骤5，逐间隔提取间隔图谱，与泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性；
步骤6，生成校验报告，展示结果；
步骤7，对未识别实体的属性进行推理，得出增量数据，更新到本体库和关系规则库中。
优选地，步骤1中，所述间隔的本体模型包括电压等级、一次设备类型、描述、关系；所述虚端子的本体模型包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED、61850索引。
优选地，步骤2中，所述泛化的虚端子本地库根据Q/GDW 1396—2012标准对装置模型的要求，形成一套标准化的虚端子信息；虚端子以功能标识和类型作区分，不考虑物理装置的划分，仅考虑逻辑功能上的区别。
优选地，步骤3中，所述关系规则库分为间隔内的虚端子关系、间隔外的虚端子关系；间隔内关系规则以接收端虚端子为基准，描述其外部发送端虚端子；间隔间关系规则以某类型间隔的接收虚端子为基准，描述其外部发送端的间隔类型和虚端子；每条关系都配置相应的关联度，包括强相关、弱相关。强相关时，表示此关系必须存在；弱相关时，此关系可选。
优选地，步骤5中，所述一致性推理包括以下步骤：
步骤5.1，选择任一间隔，得到间隔的一次类型属性值为A，提取该间隔的图谱；
步骤5.2，在典型图谱中，查找并提取一次类型属性值为A的图谱；
步骤5.3，遍历上述步骤中提取的图谱中入度为2的顶点P1i，并找到与该顶点关系为GOOSE或SV的顶点P2i。形成两个以P1i的功能标识为key，以P2i的功能标识为value的字典G＝{P1i功能标识，P2i功能标识}。
优选地，步骤6中，按照电压等级-间隔-装置的层级进行展示。
优选地，步骤7中，包括对于实体功能标识属性的补全推理和新增典型关系规则两部分。
所述补全推理包括以下步骤：
步骤701，遍历虚端子表，查找功能标识为空的虚端子。
步骤702，提取待补全虚端子和对侧虚端子的属性和关系，导入虚端子知识库中，对待补全虚端子的类型、套别、所属IED、从属关系，对侧虚端子的类型、套别、功能标识、所属IED、从属关系进行匹配。
步骤703，若匹配到一致的知识，则将匹配到的知识的功能标识标记到待补全虚端子的功能标识中。
所述新增典型关系规则包括以下步骤：
步骤711，导入SCD，解析出SCD中的虚端子信息和其他相关信息；
步骤712，选择需要新增的典型关系规则的虚端子回路实例；
步骤713，通过解析SCD得到的信息对虚回路两端虚端子的属性进行补全；
步骤714，补全后，得到发送和接收规则；若无可作为样本的虚回路实例，可手动录入规则；
步骤715，将生成的规则存入关系规则库中。
一种智能变电站二次虚回路功能性校验系统，包括本体模型构建模块、信息库和规则库构建模块、二次虚回路图谱构建模块、二次虚回路校验模块。
本体模型构建模块构建间隔和虚端子的本体模型。间隔包括电压等级、一次设备类型、描述3个属性；虚端子包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED属性。
信息库和规则库构建模块基于端子本身功能构建泛化的虚端子信息库；基于虚端子信息库，采用自顶至下的方法归纳不同类型间隔内、间隔间虚端子典型关系规则。
二次虚回路图谱构建模块导入并解析SCD文件，抽取变电站二次虚回路信息，对虚端子进行功能性标识，生成基于间隔划分的二次虚回路知识图谱。
二次虚回路校验模块逐间隔提取间隔图谱，与其他模块形成的泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性，并生成校验报告，展示结果。
本发明的有益效果在于，与现有技术相比，
1、本发明基于知识图谱的智能变电站二次虚回路功能性校验方法，解决了常规SCD校验工具无法校验虚回路连接正确性的问题。较人工检查提高了效率，减少了漏检错检的可能性。
2、本发明淡化了硬件配置变化对校验工作的影响，完全从功能性角度构建知识图谱。通过图谱推理实现了对未知端子的识别，进一步增强了校验功能的实用性。
附图说明
图1为本发明智能变电站二次虚回路功能性校验方法流程图；
图2为本发明实施例中的虚端子本体模型图；
图3为本发明实施例中的间隔本体模型图；
图4为本发明实施例110kV线路间隔间二次虚回路图谱举例示意图；
图5为本发明实施例110kV线路间隔内二次虚回路图谱举例示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，以220kV智能变电站110kV线路间隔为例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。本申请所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部实施例。基于本发明精神，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明的实施例1提供了一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤1，构建间隔及虚端子的本体模型。
步骤1中，构建所述间隔的本体模型，如图3所示，间隔包括电压等级、一次设备类型、描述、关系4个属性。电压等级为间隔所在电压等级，对于主变间隔，以高压侧电压等级为准。一次设备类型即所在间隔所保护的一次设备，如变压器、母线、线路、分段、母联、电动机、电容器等。间隔与间隔之间存在关系，关系可描述为GOOSE输入、GOOSE输出、SV输入、SV输出。本实施例中使用到的间隔模型为110kV母线间隔模型和110kV线路间隔模型，在系统构建阶段，会将220kV、110kV、35/10kV的各种典型间隔模型都建好。
所述构建虚端子本体模型，如图2所示，虚端子包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED、61850索引。其中类型指虚端子的功能类型，包括GOOSE输入、GOOSE输出、SV输入、SV输出。61850索引是IEC61850标准对数据的标识，按照IED模型的树状层次:PHD(物理设备)→LD(逻辑设备)→LN(逻辑节点)→DO(数据对象)→DA(数据属性)进行描述。除IEDname作为PHD(物理设备)的唯一标识，每个装置均不同外，其他部分由IEC61850标准和我国的相关规范进行了标准化的定义，具有功能自描述的能力，可根据其内容对虚端子的功能进行分析标识。套别指虚端子所在IED套别。功能标识是对虚端子功能的标记，由SCD导入时，通过对实体的分析得出。所属IED，可从实体虚端子的索引中抽取。虚端子与间隔之间存在从属关系，与其他虚端子形成连线，关系可分为SV连线和GOOSE连线两类，即需要校验的虚二次回路。
步骤2，构建泛化的虚端子本体库。
步骤2中，根据Q/GDW 1396—2012标准对装置模型的要求，形成一套标准化的虚端子信息，导入系统，形成一套泛化的虚端子信息库。虚端子以“功能标识和类型”作区分，即不考虑物理装置的划分，仅考虑逻辑功能上的区别。比如，GOOSE输入(如“保护TJR三跳”)、GOOSE输出(如“断路器位置”)、SV输入(如“级联母线保护电压A相1”)、SV输出(如“保护电流A相2”)，均以端子本身功能定义。
步骤3，构建基于间隔的关系规则库。
所述关系规则库分为两部分，一部分是间隔内的虚端子关系，另一部分是间隔外的虚端子关系。采用自顶至下的方法，归纳出不同类型间隔的间隔内虚端子典型关系和间隔间虚端子典型关系。间隔内关系规则以接收端虚端子为基准，描述其外部发送端虚端子，记录为一条规则。间隔间关系规则以某类型间隔的接收虚端子为基准，描述其外部发送端的间隔类型和虚端子，记录为一条规则。每条关系都配置相应的关联度，包括强相关、弱相关。强相关时，表示此关系必须存在；弱相关时，此关系可选。
步骤4，导入SCD文件，解析获取变电站的间隔和虚端子连接信息，对虚端子进行功能标记，整理形成虚端子知识库。
导入SCD文件，解析模型数据，根据标准化IEDname解析、自然语义识别方法对IED设备的间隔进行划分，并识别出间隔的电压等级、一次设备类型。本实施例间隔为某220kV站的110kV线路1，相关间隔共两个，一个是110kV线路1间隔，另一个是110kV母线间隔。其中110kV线路1间隔包括保测一体装置PCL1101X，合智一体装置MIL1101X；110kV母线间隔共5台装置110kV母线保护装置P_M1112X，110kV母线合并单元M_M1112A、M_M1112B，110kVⅠ、Ⅱ母线智能终端I_M2201X、I_M2202X。由于是标准化IEDname，可从IEDname中直接识别出间隔的电压等级、一次设备类型。
从SCD文件的inputs标签中抽取变电站二次虚回路信息，以接收端为基准存储。对二次虚回路两端的虚端子进行功能性标识，标识标签内容应存在于步骤2所生成的虚端子本体库中。对以上信息进行整合，生成一套基于间隔划分的二次虚回路知识图谱。可以抽取实体间隔中的二次虚回路图谱和间隔间的二次虚回路图谱。
步骤5，逐间隔提取间隔图谱，与泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性。
由步骤2和步骤3可以得到一个泛化的各类间隔的典型图谱结构，由步骤4可以抽取出各实体间隔的二次虚回路知识图谱，两者通过属性一致性推理方法对功能标识属性进行比照。所述间隔内、间隔间知识图谱如图4、5所示。
所述一致性推理，包括以下步骤：
步骤5.1，选择任一间隔，得到间隔的一次类型属性值为A，提取该间隔的图谱；
步骤5.2，在典型图谱中，查找并提取一次类型属性值为A的图谱；
步骤5.3，遍历上述步骤中提取的图谱中入度为2的顶点P1i，并找到与该顶点关系为GOOSE或SV的顶点P2i。形成两个以P1i的功能标识为key，以P2i的功能标识为value的字典G＝{P1i功能标识，P2i功能标识}；
完成步骤5的校验后，有以下几种结果：
1.虚回路两端功能标识完整，但是在典型图谱中不存在，即多余的虚回路；
2.虚回路两端有一端功能标识属性为空，但其他可与典型图谱匹配，即一端正确性存疑的虚回路；
3.虚回路两端有一端功能标识属性不匹配，但其他可与典型图谱匹配，即一端连接错误的虚回路；
4.典型图谱中存在但实体图谱中不存在的关系，根据关联度，缺少强相关性的关系为错误，缺少弱相关性的关系为提示。
步骤6，生成校验报告，展示结果。
步骤6中，按照电压等级-间隔-装置的层级进行展示。将所有虚回路信息以接收端为基准，归属到各实体装置中。虚回路的展示包括装置虚回路图和虚回路列表两种方式。所述虚回路图以接收端装置为中心，展示装置的所有虚回路和缺少的虚回路，并用颜色区分。其中，正确回路用绿色表示、错误回路用红色表示，缺少回路用虚线表示。
步骤7，对未识别实体的属性进行推理，得出增量数据，更新到本体库和关系规则库中。
步骤7中，包括对于实体功能标识属性的补全推理和新增典型关系规则两部分。
补全推理包括以下内容：
1.遍历虚端子表，查找功能标识为空的虚端子。
2.提取待补全虚端子和对侧虚端子的属性和关系，导入虚端子知识库中，对待补全虚端子的类型、套别、所属IED、从属关系，对侧虚端子的类型、套别、功能标识、所属IED、从属关系进行匹配。
3.若匹配到一致的知识，则将匹配到的知识的功能标识标记到待补全虚端子的功能标识中。
新增典型关系规则包括以下内容：
1.导入SCD，解析出SCD中的虚端子信息和其他相关信息。
2.选择需要新增的典型关系规则的虚端子回路实例。
3.通过解析SCD得到的信息对虚回路两端虚端子的属性进行补全。
4.补全后，得到如下发送和接收规则，若无可作为样本的虚回路实例，可手动录入规则如下：
发送端：特殊标记.电压等级.间隔(本间隔/外间隔).所属设备类型(线路/主变/母线等).IED类型(保护/测控/合并单元/智能终端等).装置套别(第一套/第二套/单套).虚端子模型
接收端：特殊标记.电压等级.所属设备类型(线路/主变/母线等).IED类型(保护/测控/合并单元/智能终端等).装置套别(第一套/第二套/单套).虚端子模型
5.将生成的规则存入关系规则库中。
本发明的实施例2提供了一种智能变电站二次虚回路功能性校验系统，运行如实施例1所述的智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其包括：本体模型构建模块、信息库和规则库构建模块、二次虚回路图谱构建模块、二次虚回路校验模块。
本体模型构建模块构建间隔和虚端子的本体模型。间隔包括电压等级、一次设备类型、描述3个属性；虚端子包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED属性。
信息库和规则库构建模块基于端子本身功能构建泛化的虚端子信息库；基于虚端子信息库，采用自顶至下的方法归纳不同类型间隔内、间隔间虚端子典型关系规则。
二次虚回路图谱构建模块导入并解析SCD文件，抽取变电站二次虚回路信息，对虚端子进行功能性标识，生成基于间隔划分的二次虚回路知识图谱。
二次虚回路校验模块逐间隔提取间隔图谱，与其他模块形成的泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性，并生成校验报告，展示结果。
本公开可以是系统、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于使处理器实现本公开的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其它自由传播的电磁波、通过波导或其它传输媒介传播的电磁波(例如，通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。
用于执行本公开操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA)，该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本公开的各个方面。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (12)

1.一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，构建间隔及虚端子的本体模型；
步骤2，构建泛化的虚端子本体库；
步骤3，构建基于间隔的关系规则库；
步骤4，导入SCD文件，解析获取变电站的间隔和虚端子连接信息，对虚端子进行功能标记，整理形成虚端子知识库；
步骤5，逐间隔提取间隔图谱，与泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性；
步骤6，生成校验报告，展示结果；
步骤7，对未识别实体的属性进行推理，得出增量数据，更新到本体库和关系规则库中。
2.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤1中，所述间隔的本体模型包括电压等级、一次设备类型、描述、关系；所述虚端子的本体模型包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED、61850索引。
3.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤2中，所述泛化的虚端子本地库根据Q/GDW 1396—2012标准对装置模型的要求，形成一套标准化的虚端子信息；虚端子以功能标识和类型作区分，不考虑物理装置的划分，仅考虑逻辑功能上的区别。
4.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤3中，所述关系规则库分为间隔内的虚端子关系、间隔外的虚端子关系；间隔内关系规则以接收端虚端子为基准，描述其外部发送端虚端子；间隔间关系规则以某类型间隔的接收虚端子为基准，描述其外部发送端的间隔类型和虚端子；每条关系都配置相应的关联度，包括强相关、弱相关。强相关时，表示此关系必须存在；弱相关时，此关系可选。
5.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤5中，所述一致性推理包括以下步骤：
步骤5.1，选择任一间隔，得到间隔的一次类型属性值为A，提取该间隔的图谱；
步骤5.2，在典型图谱中，查找并提取一次类型属性值为A的图谱；
步骤5.3，遍历上述步骤中提取的图谱中入度为2的顶点P1i，并找到与该顶点关系为GOOSE或SV的顶点P2i。形成两个以P1i的功能标识为key，以P2i的功能标识为value的字典G＝{P1i功能标识，P2i功能标识}。
6.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤6中，按照电压等级-间隔-装置的层级进行展示。
7.根据权利要求1所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤7中，包括对于实体功能标识属性的补全推理和新增典型关系规则两部分。
8.根据权利要求7所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤7中，所述补全推理包括以下步骤：
步骤701，遍历虚端子表，查找功能标识为空的虚端子。
步骤702，提取待补全虚端子和对侧虚端子的属性和关系，导入虚端子知识库中，对待补全虚端子的类型、套别、所属IED、从属关系，对侧虚端子的类型、套别、功能标识、所属IED、从属关系进行匹配。
步骤703，若匹配到一致的知识，则将匹配到的知识的功能标识标记到待补全虚端子的功能标识中。
9.根据权利要求7所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，其特征在于：
步骤7中，所述新增典型关系规则包括以下步骤：
步骤711，导入SCD，解析出SCD中的虚端子信息和其他相关信息；
步骤712，选择需要新增的典型关系规则的虚端子回路实例；
步骤713，通过解析SCD得到的信息对虚回路两端虚端子的属性进行补全；
步骤714，补全后，得到发送和接收规则；若无可作为样本的虚回路实例，可手动录入规则；
步骤715，将生成的规则存入关系规则库中。
10.一种智能变电站二次虚回路功能性校验系统，运行根据权利要求1-9所述的一种智能变电站二次虚回路功能性校验方法，包括本体模型构建模块、信息库和规则库构建模块、二次虚回路图谱构建模块、二次虚回路校验模块；其特征在于：
本体模型构建模块构建间隔和虚端子的本体模型；间隔包括电压等级、一次设备类型、描述3个属性；虚端子包括描述、类型、套别、功能标识、所属IED属性；
信息库和规则库构建模块基于端子本身功能构建泛化的虚端子信息库；基于虚端子信息库，采用自顶至下的方法归纳不同类型间隔内、间隔间虚端子典型关系规则；
二次虚回路图谱构建模块导入并解析SCD文件，抽取变电站二次虚回路信息，对虚端子进行功能性标识，生成基于间隔划分的二次虚回路知识图谱；
二次虚回路校验模块逐间隔提取间隔图谱，与其他模块形成的泛化间隔图谱进行一致性推理，校验二次虚回路连线正确性，并生成校验报告，展示结果。
11.一种终端，包括处理器及存储介质；其特征在于：
所述存储介质用于存储指令；
所述处理器用于根据所述指令进行操作以执行根据权利要求1-9任一项所述方法的步骤。
12.计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1-9任一项所述方法的步骤。
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