CN115516616A - 高温真空密封 - Google Patents

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Abstract

描述了气体分配组件和包括气体分配组件的处理腔室。气体分配组件包括气体分配板、盖、和主要O形环。将主要O形环放置于气体分配板的第一接触表面的净化通道和第二接触表面之间。描述了使用公开的气体分配组件密封处理腔室的方法。

Description

高温真空密封
技术领域
本公开内容的实施方式一般涉及用于真空密封处理腔室的设备和方法。特定地，本公开内容的实施方式涉及能够减少氧气渗透的高温真空密封的设备和方法
背景技术
在半导体制造期间，处理腔室在处理期间通常需要高温真空密封、超纯环境和低分子氧含量。处理腔室部件使用O形环连接，以防止金属与金属接触并形成密封。形成的密封大部分是不透流体的，但可允许某些大气气体渗透。气体的渗透是温度敏感的，在更高的温度下渗透增加。由于处理腔室通常在升高的温度下操作，O形环的气体渗透会显著增加。
在常规处理腔室中，具有足够的差动泵送的双密封经常与高温真空组件一起使用。在存在空间限制的情况下，双密封的应用具有局限性。此外，采用双密封通常还具有更长的前置时间及增加的订制O形环的成本。因此，在本领域中需要用于密封处理腔室环境以防止周围气体物质迁移的设备和方法。
发明内容
本公开内容的一个或多个实施方式涉及一种气体分配组件，包括：气体分配板、盖及主要O形环。该气体分配板具有前表面及背表面以界定厚度。该气体分配板包括延伸穿过该气体分配板的该厚度的多个孔。该气体分配板在外边缘处具有密封区域。该密封区域具有第一接触表面及第二接触表面，且该第一接触表面包括在该第一接触表面中形成的净化通道。该盖具有前表面及背表面以界定厚度。放置该盖的该前表面相邻于该气体分配板的该背表面。该盖包括净化气体管线入口及净化气体管线出口，该净化气体管线入口在该前表面处具有开口，该净化气体管线出口在该前表面处具有开口。该入口开口及该出口开口与该第一接触表面的该净化通道对准。在该第一接触表面的该净化通道及该第二接触表面之间放置该主要O形环。
本公开内容的额外实施方式涉及一种处理腔室，包括：腔室主体，该腔室主体具有侧壁及底部以将处理空间设界。基板支撑件在该处理空间内且具有支撑表面。气体分配组件包括气体分配板、盖、及主要O形环以将该处理空间设界。该气体分配板具有面对该基板支撑件的该支撑表面的前表面及背表面以界定厚度。该气体分配板包括延伸穿过该气体分配板的该厚度的多个孔。该气体分配板在外边缘处具有密封区域且该密封区域具有第一接触表面及第二接触表面。该第一接触表面包括在该第一接触表面中形成的净化通道。该盖具有前表面及背表面以界定厚度。放置该盖的该前表面相邻于该气体分配板的该背表面。该盖包括净化气体管线入口及净化气体管线出口，该净化气体管线入口在该前表面处具有开口，该净化气体管线出口在该前表面处具有开口。该入口开口及该出口开口与该第一接触表面的该净化通道对准，且在该第一接触表面的该净化通道及该第二接触表面之间放置该主要O形环。
本公开内容的进一步实施方式涉及一种密封处理腔室的方法。测量净化气体管线出口下游的净化气体管线中的压力，该净化气体管线出口与气体分配组件中的净化通道对准，该气体分配组件包括由主要O形环分开的气体分配板及盖。该净化气体管线与净化通道及净化气体管线入口流体连通。该净化气体管线入口及该净化气体管线出口的每一者与该净化通道对准。提供惰性气体的流量进入该净化通道，使得该气体分配板及该净化通道之间实质无压力差异。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式来对本公开内容进行更详细的描述(在上面简要地概述)，其中一些在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示了本公开内容的典型实施方式，因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
图1展示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室的横截面等距视图；
图2展示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室的横截面视图；
图3是根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理站的分解横截面视图；
图4是根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理平台的示意图；
图5是根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室的横截面示意视图；
图6是类似于图5的区域VI的区域的部分横截面示意视图；
图7是在类似于图6的区域内的气体分配组件的部分横截面分解示意视图；及
图8是类似于图5的区域VIII的区域的部分横截面示意视图。
具体实施方式
在描述本公开内容的几个示例性实施方式之前，应理解，本公开内容不限于在以下描述中阐述的构造或处理步骤的细节。本公开内容能够具有其他实施方式且能够以各种方式被实现或实行。
如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“基板”是指处理作用于其上的表面或表面的一部分。本领域技术人员还将理解的是，除非上下文另外明确指出，否则对基板的引用也可仅指基板的一部分。另外，提及在基板上沉积可指裸基板和在其上沉积或形成一个或多个膜或特征的基板两者。
如本文所用，“基板”是指在制造处理期间在其上执行膜处理的基板上形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上执行处理的基板表面包括材料，例如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(SOI)、碳掺杂的氧化硅、非晶硅、掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石、及其他任何材料，例如金属、金属氮化物、金属合金、和其他导电材料，取决于应用。基板包括但不限于半导体晶片。可将基板暴露于预处理的处理以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、UV固化、电子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上进行膜处理之外，在本公开内容中，所公开的任何膜处理步骤也可在形成于基板上的底层上进行，如下面更详细地公开的，且术语“基板表面”旨在包括上下文指示的底层。因此，例如，在膜/层或部分膜/层已沉积在基板表面上的情况下，新沉积的膜/层的暴露表面成为基板表面。
如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语“前体”、“反应物”、“反应气体”等可互换使用，是指可与基板表面或与在基板表面上形成的膜反应的任何气态物质。
本公开内容的一个或多个实施方式有利地提供了能够进行高温真空密封的技术。一些实施方式提供了用于有效去除从O形环脱气的气态物质、最小化或消除处理环境中大气分子氧(O2)的负面影响的设备和方法。
本公开内容的一些实施方式涉及具有泵送净化通道以及单个密封(O形环)的气体分配组件。在一些实施方式中，通道被惰性气体(例如，Ar、N2)连续净化以在腔室和通道中维持相等的压力。换句话说，最小化通道和处理腔室之间的压力差异(ΔP)。在一些实施方式中，压力差异实质为零(ΔP＝0)。零压力差异防止了惰性或净化气体(例如，Ar、N2)流动进入腔室的反应空间。
在一些实施方式中，使用压力转换器以相对于处理腔室中的压力来控制净化通道中的压力。在一些实施方式中，气体分配组件包括多于一个净化气体通道，或处理腔室包括多于一个具有净化气体通道的气体分配组件。在一些实施方式中，相对于周围气体压力单独地控制每一净化通道压力。在一些实施方式中，由于净化通道将被连续净化和泵送离开，扩散进入腔室或进入喷头中的气体通道的净化气体(例如，Ar、N2)实质为零。在一些实施方式中，使用脉冲净化机构以去除或消除由于O形环缺陷或捕获的气体引起的污染。
与常规的双密封处理腔室相比，本公开内容的一些实施方式使用更少的空间来并入净化通道机构。在一些实施方式中，如本领域技术人员所理解的，在没有双密封布置的情况下将处理腔室与大气隔离。在一些实施方式中，高温引起的O形环脱气被净化离开系统而没有流动进入处理空腔。在一些实施方式中，O形环材料不直接暴露于处理化学物质。一些实施方式防止了O形环缺陷迁移和/或化学副产物流动进入腔室。一些实施方式相对于常规双密封系统为气体分配组件提供了改善的制造前置时间。在一些实施方式中，腔室中的氧(O2)含量减低。
本公开内容提供了与单晶片或多晶片(也称为批次)处理腔室一起使用的气体分配组件。图1和图2图示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室100。图1展示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的以横截面等距视图图示的处理腔室100。图2以横截面展示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理腔室100。据此，本公开内容的一些实施方式涉及并入基板支撑件200和顶部板300的处理室100。
处理腔室100具有带有壁104和底部106的壳体102。壳体102与顶部板300一起界定了处理空间109，也称为内部空间。
所图示的处理腔室100包括多个处理站110。处理站110位于壳体102的内部空间109中，且以圆形布置绕着基板支撑件200的旋转轴211而放置。每一处理站110包括具有前表面114的气体分配板112(也称为气体喷射器)。在一些实施方式中，每一气体喷射器112的前表面114实质共平面。处理站110被界定为其中可进行处理的区域。例如，在一些实施方式中，处理站110被界定为由加热器230的支撑表面231(如下述)和气体喷射器112的前表面114设界的区域。在所图示的实施方式中，加热器230用作基板支撑表面并形成基板支撑件200的部分。
处理站110可经配置以执行任何合适的处理并提供任何合适的处理条件。所使用的气体分配板112的类型取决于例如所执行的处理类型及喷头或气体喷射器的类型。例如，经配置以操作用作原子层沉积设备的处理站110可具有喷头或涡旋型气体喷射器。然而，经配置以操作用作等离子体站的处理站110可具有一个或多个电极和/或接地板的配置以产生等离子体，同时允许等离子体气体流向晶片。在图2中图示的实施方式在图的左侧(处理站110a)上与图的右侧(处理站110b)上具有不同类型的处理站110。合适的处理站110包括但不限于热处理站、微波等离子体、三电极CCP、ICP、平行板CCP、UV曝光、激光处理、泵送腔室、退火站和计量站。
图3图示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的用于在处理站110或处理腔室中使用的气体分配组件105的分解视图。本领域技术人员将理解到，图3中所图示的实施方式可为一般示意图且省略细节(例如，气体通道)。所图标的气体分配组件105包括三个主要部件：气体分配板112、盖180、和可选的间隔器330。间隔器330也称为泵/净化间隔器、插件或泵/净化插件。在一些实施方式中，间隔器330连接至真空(排气)或与真空(排气)流体连通。在一些实施方式中，间隔器330连接至净化气体源或与净化气体源流体连通。
顶部板300中的开口310的尺寸可均匀或具有不同的尺寸。不同尺寸/形状的气体喷射器112可与泵/净化间隔器330一起使用，适当地将泵/净化间隔器330成形以从开口310过渡到气体分配板112。例如，如所图示，泵/净化间隔器330包括顶部331和具有侧壁335的底部333。当插入顶部板300中的开口310时，壁架334经配置以放置于开口310中。
泵/净化间隔器330包括开口339，气体分配板112可插入开口339中。所图示的气体分配板112具有凸缘342，凸缘342可与由相邻于泵/净化间隔器330的顶部331的背表面332形成的壁架接触。气体分配板112的直径或宽度可为任何合适的尺寸，该尺寸可适配于泵/净化间隔器330的开口339内。这允许在顶部板300中的相同开口310内使用各种类型的气体喷射器112。
图4展示了根据本公开内容的一个或多个实施方式的处理平台400。图4中所图示的实施方式仅表示一种可能的配置且不应被视为限制本公开内容的范围。例如，在一些实施方式中，处理平台400具有与所图示实施方式不同数量的处理腔室100、缓冲站420和/或机器人430配置的其中一者或多者。
示例性的处理平台400包括中央传送站410，具有多个侧411、412、413、414。所展示的传送站410具有第一侧411、第二侧412、第三侧413、和第四侧414。尽管展示了四个侧，本领域技术人员将理解，取决于例如处理平台400的整体配置，传送站410可有任何合适数量的侧。在一些实施方式中，传送站410具有三个侧、四个侧、五个侧、六个侧、七个侧或八个侧。
传送站410具有放置在传送站410中的机器人430。机器人430可为能够在处理期间移动晶片的任何合适的机器人。在一些实施方式中，机器人430具有第一臂431和第二臂432。第一臂431和第二臂432可独立于其他臂移动。第一臂431和第二臂432可在x-y平面和/或沿着z轴移动。在一些实施方式中，机器人430包括第三臂(未展示)或第四臂(未展示)。每一臂可独立于其他臂移动。
所图示的实施方式包括六个处理腔室100，其中两个处理腔室100连接到中央传送站410的第二侧412、第三侧413、和第四侧414的每一者。每一处理腔室100可经配置以执行不同的处理。
处理平台400也可包括连接到中央传送站410的第一侧411的一个或多个缓冲站420。缓冲站420可执行相同或不同的功能。例如，缓冲站可收容被处理并返回到原始盒的晶片盒，或缓冲站的其中一者可收容在处理之后被移动到另一缓冲站的未处理晶片。在一些实施方式中，一个或多个缓冲站经配置以在处理之前和/或之后对晶片进行预处理、预加热或清洁。
处理平台400也可包括在中央传送站410和任何处理腔室100之间的一个或多个狭缝阀418。狭缝阀418可开启和关闭以将处理腔室100内的内部空间与中央传送站410内的环境隔离。例如，如果处理腔室在处理期间产生等离子体，可有利于关闭处理腔室的狭缝阀，以防止杂散等离子体损坏传送站中的机器人。
处理平台400可连接到工厂接口450，以允许将晶片或晶片盒装载进入处理平台400。工厂接口450内的机器人455可用于将晶片或晶片盒移动进入及离开缓冲站。可由中央传送站410中的机器人430在处理平台400内移动晶片或盒。在一些实施方式中，工厂接口450是另一群集工具(即，另一多腔室处理平台)的传送站。
可提供控制器495且将控制器495耦合到处理平台400的各种部件以控制其操作。控制器495可为控制整个处理平台400的单个控制器，或控制处理平台400的各个部分的多个控制器。例如，一些实施方式的处理平台400包括用于以下一者或多者的单独的控制器：个别的处理腔室100、中央传送站410、工厂界面450和/或机器人430。
在一些实施方式中，处理腔室100进一步包括连接至多个实质共平面的支撑表面231的控制器495，控制器495经配置以控制第一温度或第二温度的其中一者或多者。在一个或多个实施方式中，控制器495控制基板支撑件200(图2)的移动速度。
在一些实施方式中，控制器495包括中央处理单元(CPU)496、存储器497、和支持电路498。控制器495可直接控制处理平台400，或经由与特定处理腔室和/或支持系统部件相关联的计算机(或控制器)来控制处理平台400。
控制器495可为可在工业环境中用于控制各种腔室和子处理器的任何形式的通用计算机处理器中的一种。控制器495的存储器497或计算机可读介质可为容易取得的存储器的其中一者或多者，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、光学存储介质(例如，光盘或数字视频盘)、闪存驱动器、或任何其他形式的本地或远程的数字存储。存储器497可保留可由处理器(CPU 496)操作以控制处理平台400的参数和部件的指令集。
支持电路498耦合至CPU 496以用于以常规方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等。一个或多个处理可作为软件例程存储在存储器498中，该软件例程在被处理器执行或调用时使处理器以本文所述的方式控制处理平台400或各个处理腔室的操作。该软件例程也可由位于由CPU 496控制的硬件远程的第二CPU(未展示)存储和/或执行。
也可在硬件中执行本公开内容的一些或全部处理和方法。这样，处理可以软件实现且可使用计算机系统以硬件执行(例如，特殊应用集成电路或其他类型的硬件实现)或以软件和硬件的组合来执行。当由处理器执行时，软件例程将通用计算机转换成控制腔室操作以执行处理的专用计算机(控制器)。
在一些实施方式中，控制器495具有一个或多个配置以执行单独的处理或子处理以执行该方法。控制器495可连接到且配置以操作中间部件以执行所述方法的功能。例如，控制器495可连接到且配置以控制气体阀、致动器、马达、狭缝阀、真空控制或其他部件的其中一者或多者。
在一个或多个实施方式中，处理腔室100在支撑表面上进一步包括至少一个晶片。在一些实施方式中，第一发射率和第一温度和/或第二发射率和第二温度在第一站和在第二站中提供晶片的稳态温度。
图5至图8图标了气体分配组件105的一个或多个实施方式。图5图标了具有气体分配组件105的处理腔室100的横截面示意视图。图6图标了类似于图5中的区域VI的气体分配组件105的示意横截面视图。图7图标了图6的气体分配组件105的分解视图。图8图标了类似于图5中的区域VIII的气体分配组件105的示意横截面视图。
在一些实施方式中，气体分配组件105包括具有盖180的气体分配板112。气体分配板105具有前表面114和背表面115以界定气体分配板112的厚度。在所图示的实施方式中，气体分配板112的外周边区域具有如下所述的表面特征和接触表面，且不被视为是背表面115的部分。背表面115是气体分配板112的表面，另一部件可接触该表面且提供气体的流体路径以通过气体分配板112的厚度而穿过延伸穿过该厚度的多个孔133。
在所图示的实施方式中，气体分配板112包括在背表面115中形成的多个通道130。多个通道130的每一者向着前表面114延伸一距离至通道底部131，且将孔133放置于通道130内以从通道底部131延伸到气体分配板112的前表面114。
在所图示的实施方式中，气体分配板112在外周边边缘处具有密封区域135。一些实施方式的密封区域135延伸超出背表面115且不是背表面115的部分。一些实施方式的密封区域135具有一个或多个接触表面，所述接触表面经配置以放置成相邻于或接触相邻的部件。在一些实施方式中，密封区域135具有第一接触表面136和第二接触表面137。
在一些实施方式中，第一接触表面136包括在第一接触表面136中形成的净化通道140。净化通道140具有从气体分配板的中央向着气体分配板的外边缘测量的宽度Wp，及从接触表面进入气体分配板的主体测量的深度Dp。净化通道140的宽度Wp可为任何合适的宽度。在一些实施方式中，净化通道140的宽度Wp在约0.1mm至约50mm的范围中，或在约0.5mm至约25mm的范围中，或在约1mm至约10mm的范围中。在一些实施方式中，净化通道140的深度Dp在约0.1mm至约10mm的范围中，或在约0.5mm至约5mm的范围中。
净化通道140绕着气体分配板112的背表面115的周边延伸。一些实施方式的背表面115的边界是在净化通道140的周长内的气体分配板112的区域。在一些实施方式中，净化通道140的宽度和/或深度沿着通道的长度改变，使得净化通道在一些区域更宽而在其他区域更深。在一些实施方式中，净化通道的宽度和/或深度沿着长度(在通道的中间宽度处测量的周长)保持实质相同。如以此方式使用的，术语“实质相同”是指在任何位置处的通道宽度在通道的平均宽度的±10％、±5％、±2％或±1％内。
气体分配组件105包括盖180。盖180具有背表面181和前表面182。盖180经配置以使前表面182放置相邻于气体分配板112的背表面115。在一些实施方式中，盖180直接接触气体分配板112。在一些实施方式中，盖180经由一个或多个O形环接触气体分配板。
一些实施方式的盖180包括净化气体管线190，净化气体管线190在盖180的前表面182处具有一个或多个开口191。在一些实施方式中，净化气体管线190的开口191绕着前表面182的周边延伸，且将前表面182与净化气体管线开口191的周长外部的接触表面分开。净化气体管线190具有净化气体管线入口192(如图8中所展示)和净化气体管线出口193(如图6和图7中所展示)。净化气体管线入口192和出口193的每一者在前表面182处具有开口191。在一些实施方式中，入口192的开口191和出口193的开口191与在气体分配板112的第一接触表面136中形成的净化通道140对准。
在一些实施方式中，将主要O形环150放置于第一接触表面136的净化通道140和第二接触表面137之间。在一些实施方式中，将主要O形环150放置于气体分配板112的第一接触表面136中的主要O形环凹槽151中。主要O形环凹槽151的深度可基于例如所使用的特定的O形环150或盖的形状而变化。主要O形环150可使用本领域技术人员已知的任何合适的材料。
在一些实施方式中，如图6及图7中所展示，将次要O形环155放置于气体分配板112的背表面115和盖180的前表面182之间。在一些实施方式中，如所图示，将次要O形环155放置于净化通道190的与主要O形环150相对的侧上。换句话说，在一些实施方式中，将次要O形环155放置于主要O形环150的周边内或在净化通道190的周边内。一些实施方式的次要O形环155隔离了气体分配板的通道之间的隔离O形环的通道。
一些实施方式的次要O形环155隔离了在气体分配板112的背表面115中形成的相邻通道130。在一些实施方式中，将次要O形环155放置于在气体分配板112的背表面115或盖180的前表面182的其中一者或多者中形成的凹槽184内。图示的实施方式展示了放置于盖180的前表面182中的凹槽184内的次要O形环155。一些实施方式的次要O形环155与最外通道130a的外边缘138对准。一些实施方式的次要O形环155将从盖180穿过气体分配板112至处理腔室的气体流动路径与净化通道190分开。
在一些实施方式中，在气体分配板112的背表面115中的每一通道130之间放置次要O形环155。在一些实施方式中，次要O形环155与分开相邻通道的分隔件对准。在一些实施方式中，通道130形成一个或多个缠绕的螺旋路径，且凹槽184具有互补的形状，且次要O形环155沿着凹槽184延伸。
气体分配板112的一些实施方式进一步包括在气体分配板112和顶部板300中的开口310之间的间隔器环330。间隔器环330具有内部表面337、外部表面338、和背表面332。将内部表面337放置相邻于气体分配板112的外部表面141。如图7中所展示，在一些实施方式中，将间隔器环330的背表面332放置相邻于气体分配板112的密封区域135中的第三接触表面143。
参照图5和图8，一些实施方式的气体分配板112进一步包括从密封区域135的背表面延伸穿过气体分配板112至第三接触表面143的间隔器环净化气体管线336。在一些实施方式中，间隔器环净化气体管线336包括在气体分配板112的密封区域135的背表面处具有开口341的间隔器环净化气体管线入口336a和在气体分配板112的密封区域135的背表面处具有开口341的间隔器环净化气体管线出口336b。在一些实施方式中，入口开口341和出口开口341与间隔器环净化通道371对准。在一些实施方式中，如图8中所展示，在气体分配板112的第三接触表面143中形成间隔器环净化通道371。在一些实施方式中，如图7中所展示，在隔离器环330的背表面332中形成间隔器环净化通道371。在一些实施方式中，间隔器环净化通道O形环372在间隔器环净化通道371中。
如图5和图8中所展示，气体分配组件105的一些实施方式进一步包括与净化气体管线入口192连通的压力转换器390。在一些实施方式中，压力转换器390与净化气体管线入口192流体连通，使得可控制流经管线392的净化气体391以维持压力差异。在一些实施方式中，压力转换器390控制净化气体同时流动进入净化气体管线入口192和间隔器环净化气体管线入口336a两者。在一些实施方式中，与净化气体管线入口192相比，存在用于间隔器环净化气体管线336a的单独的压力转换器。在一些实施方式中，压力计393在入口192上游的净化气体管线中。在一些实施方式中，在净化气体管线出口193中置有压力计393。在一些实施方式中，压力转换器390与间隔器环净化气体管线入口336a的一个或多个净化气体管线入口192连通。在一些实施方式中，压力转换器390与净化气体管线入口192或间隔器环净化气体管线入口336a的其中一者或多者连通。在一些实施方式中，将压力计393放置于净化气体管线出口193或间隔器环气体管线出口336b的其中一者或多者中。
气体分配组件105的一些实施方式包括控制器495，如图4中所展示。一些实施方式的控制器495经配置以基于来自压力计393的测量值来控制压力转换器390，以提供进入净化气体管线入口192的惰性气体流量，该流量足以维持气体分配板112及净化通道140之间实质无压力差异。在一些实施方式中，控制器495经配置以基于来自压力计393的测量值来控制压力转换器390，以提供惰性气体流量进入净化气体管线入口192或间隔器环气体管线入口336a的其中一者或多者，该流量足以维持气体分配板112与净化通道140之间或气体分配板112与间隔器环净化通道371之间实质无压力差异。
本公开内容的一个或多个实施方式涉及密封处理腔室的方法。在沿着净化气体的流动路径的任何合适的位置处测量净化气体管线中的压力。在一些实施方式中，在净化气体管线入口上游在净化气体管线通道内或净化气体管线出口下游测量压力。提供惰性气体流量进入净化通道，使得气体分配板(或处理压力)和净化通道之间实质无压力差异。
处理通常可作为软件例程存储在存储器中，该软件例程在被处理器执行时使处理腔室执行本公开内容的处理。该软件例程也可由位于由处理器控制的硬件远程的第二处理器(未展示)存储和/或执行。也可在硬件中执行本公开内容的一些或全部方法。这样，处理可以软件实现且可使用计算机系统以硬件执行(例如，特殊应用集成电路或其他类型的硬件实现)或以软件和硬件的组合来执行。当由处理器执行时，软件例程将通用计算机转换成控制腔室操作以执行处理的专用计算机(控制器)。
在一些实施方式中，控制器495具有一个或多个配置以执行单独的处理或子处理以执行该方法。控制器495可连接到且配置以操作中间部件以执行所述方法的功能。例如，控制器495可连接到且配置以控制气体阀、致动器、马达、狭缝阀、真空控制等的其中一者或多者。
一些实施方式的控制器495具有选自以下的一个或多个配置：用于测量气体分配板112通道130或间隔器环净化气体通道371的其中一者或多者中的压力的配置；用于致动压力转换器390以使净化气体流动进入净化气体管线190或间隔器环净化气体管线336的配置；用于响应来自净化气体出口管线或气体分配板中的通道的其中一者或多者中的压力计的读数来控制净化气体的流量的配置。
在整个说明书中，对“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一个或多个实施方式”或“一实施方式”的引用是指结合该实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性被包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因此，在整个说明书中各个地方出现例如“在一个或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的术语不一定是指本公开内容的相同实施方式。此外，在一个或多个实施方式中，可以任何合适的方式组合特定的特征、结构、材料或特性。
尽管已参考特定实施方式描述了本文公开内容，本领域技术人员将理解，所述的实施方式仅是本公开内容的原理和应用的说明。对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，可对本公开内容的方法和设备进行各种修改和变化。因此，本公开内容可包括在所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变化。

Claims (20)

1.一种气体分配组件，包括：
气体分配板，所述气体分配板具有前表面及背表面以界定厚度，所述气体分配板包括延伸穿过所述气体分配板的所述厚度的多个孔，所述气体分配板在外边缘处具有密封区域，所述密封区域具有第一接触表面及第二接触表面，所述第一接触表面包括在所述第一接触表面中形成的净化通道；
盖，所述盖具有前表面及背表面以界定厚度，放置所述盖的所述前表面相邻于所述气体分配板的所述背表面，所述盖包括净化气体管线入口及净化气体管线出口，所述净化气体管线入口在所述前表面处具有开口，所述净化气体管线出口在所述前表面处具有开口，所述入口开口及所述出口开口与所述第一接触表面的所述净化通道对准；和
主要O形环，在所述第一接触表面的所述净化通道及所述第二接触表面之间放置所述主要O形环。
2.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述主要O形环放置于所述第一接触表面中的主要O形环凹槽中。
3.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包括次要O形环，所述次要O形环在所述气体分配板的所述背表面及所述盖的前表面之间。
4.如权利要求3所述的气体分配组件，其中所述次要O形环在所述净化通道的与所述主要O形环相对的一侧上。
5.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述次要O形环在凹槽中，在所述气体分配板的所述背表面或所述盖的前表面的其中一者或多者中形成所述凹槽。
6.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包括压力转换器，所述压力转换器与所述净化气体管线入口连通。
7.如权利要求6所述的气体分配组件，进一步包括压力计，在所述净化气体管线出口中放置所述压力计。
8.如权利要求7所述的气体分配组件，进一步包括控制器，所述控制器经配置以基于来自所述压力计的测量值来控制所述压力转换器，以提供惰性气体的流量进入所述净化气体管线入口，所述流量足以维持所述气体分配板及所述净化通道之间实质无压力差异。
9.如权利要求1所述的气体分配组件，进一步包括间隔器环，所述间隔器环具有内部表面及背表面，所述内部表面相邻于所述气体分配板的外部表面，所述背表面相邻于所述气体分配板的所述密封区域中的第三接触表面。
10.如权利要求9所述的气体分配组件，其中所述气体分配板进一步包括间隔器环净化气体管线，所述间隔器环净化气体管线从所述背表面延伸穿过所述气体分配板至所述第三接触表面，所述间隔器环净化气体管线包括间隔器环净化气体管线入口及间隔器环净化气体管线出口，所述间隔器环净化气体管线入口在所述气体分配板的所述背表面处具有开口，所述间隔器环净化气体管线出口在所述气体分配板的所述背表面处具有开口，所述入口开口及所述出口开口与间隔器环净化通道对准。
11.如权利要求10所述的气体分配组件，其中在所述第三接触表面或所述间隔器环的所述背表面的其中一者或多者中形成所述间隔器环净化通道。
12.如权利要求11所述的气体分配组件，进一步包括压力转换器，所述压力转换器与所述净化气体管线入口或所述间隔器环气体管线入口的其中一者或多者连通。
13.如权利要求12所述的气体分配组件，进一步包括压力计，在所述净化气体管线出口或所述间隔器环气体管线出口的其中一者或多者中放置所述压力计。
14.如权利要求13所述的气体分配组件，进一步包括控制器，所述控制器经配置以基于来自所述压力计的测量值来控制所述压力转换器，以提供惰性气体的流量进入所述净化气体管线入口或所述间隔器环气体管线入口的其中一者或多者，所述流量足以维持所述气体分配板及所述净化通道之间或所述气体分配板及所述间隔器环净化通道之间实质无压力差异。
15.如权利要求1所述的气体分配组件，其中所述气体分配板包括在所述背表面中形成的多个通道，所述多个通道的每一者向着所述前表面延伸一距离至通道底部且在所述通道内放置所述孔以从所述通道底部延伸至所述气体分配板的所述前表面。
16.一种处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有侧壁及底部以将处理空间设界；
基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理空间内，所述基板支撑件具有支撑表面；和
气体分配组件，所述气体分配组件包括气体分配板、盖、及主要O形环，所述气体分配板具有面对所述基板支撑件的所述支撑表面的前表面及背表面以界定厚度，所述气体分配板包括延伸穿过所述气体分配板的所述厚度的多个孔，所述气体分配板在外边缘处具有密封区域，所述密封区域具有第一接触表面及第二接触表面，所述第一接触表面包括在所述第一接触表面中形成的净化通道，所述盖具有前表面及背表面以界定厚度，放置所述盖的所述前表面相邻于所述气体分配板的所述背表面，所述盖包括净化气体管线入口及净化气体管线出口，所述净化气体管线入口在所述前表面处具有开口，所述净化气体管线出口在所述前表面处具有开口，所述入口开口及所述出口开口与所述第一接触表面的所述净化通道对准，且在所述第一接触表面的所述净化通道及所述第二接触表面之间放置所述主要O形环。
17.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述气体分配组件进一步包括间隔器环，所述间隔器环具有内部表面及背表面，所述内部表面相邻于所述气体分配板的外部表面，所述背表面相邻于所述气体分配板的所述密封区域中的第三接触表面。
18.如权利要求17所述的处理腔室，其中所述气体分配板进一步包括间隔器环净化气体管线，所述间隔器环净化气体管线从所述背表面延伸穿过所述气体分配板至所述第三接触表面，所述间隔器环净化气体管线包括间隔器环净化气体管线入口及间隔器环净化气体管线出口，所述间隔器环净化气体管线入口在所述气体分配板的所述背表面处具有开口，所述间隔器环净化气体管线出口在所述气体分配板的所述背表面处具有开口，所述入口开口及所述出口开口与间隔器环净化通道对准。
19.如权利要求18所述的处理腔室，进一步包括：压力转换器，所述压力转换器与所述净化气体管线入口或所述间隔器环气体管线入口的其中一者或多者连通，压力计，在所述净化气体管线出口或所述间隔器环气体管线出口的其中一者或多者中放置所述压力计，及控制器，所述控制器经配置以基于来自所述压力计的测量值来控制所述压力转换器，以提供惰性气体的流量进入所述净化气体管线入口或所述间隔器环气体管线入口的其中一者或多者，所述流量足以维持所述气体分配板及所述净化通道之间或所述气体分配板及所述间隔器环净化通道之间实质无压力差异。
20.一种密封处理腔室的方法，包括以下步骤：
测量净化气体管线出口下游的净化气体管线中的压力，所述净化气体管线出口与气体分配组件中的净化通道对准，所述气体分配组件包括由主要O形环分开的气体分配板及盖，所述净化气体管线与净化通道及净化气体管线入口流体连通，所述净化气体管线入口及所述净化气体管线出口的每一者与所述净化通道对准；和
提供惰性气体的流量进入所述净化通道，使得所述气体分配板及所述净化通道之间实质无压力差异。
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