CN115516556A - 基于存储器子系统中的检测到的电压参数电平的功率管理 - Google Patents

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Abstract

在存储器子系统的多个存储器裸片上执行一组存储器管理操作。确定与所述一组存储器管理操作相对应的电压参数电平。基于所述一组电压参数电平确定表示所述一组存储器管理操作的电压参数电平和对应部分的信息。从主机系统接收用于执行存储器管理操作的目标部分的请求。标识与所述存储器管理操作的所述目标部分相对应的第一信息。基于所述第一电压参数电平，执行功率管理动作。

Description

基于存储器子系统中的检测到的电压参数电平的功率管理
技术领域
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，并且更具体地说，涉及基于存储器子系统中的检测到的电压参数电平的功率管理。
背景技术
存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
图2为根据一些实施例的考虑到存储器裸片的电压参数电平而执行功率管理动作的实例方法的流程图。
图3说明根据一些实施例根据一些实施例的包含被配置成管理存储器裸片的功率电平的功率管理组件的实例系统。
图4说明根据一些实施例的被配置成基于电压参数电平执行与操作序列的一部分相对应的功率管理动作的实例功率管理组件。
图5为本公开的实施方案可以在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
本公开的方面涉及基于存储器子系统中的检测到的电压参数电平的功率管理。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。通常，主机系统可使用包含例如存储数据的存储器装置之类的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，并且可请求从存储器子系统检索数据。
存储器子系统可执行涉及具有多个存储器裸片的多个存储器装置的多个并行操作(例如，随机读取、循序读取、随机写入、循序写入等)。为了执行存储器管理操作(例如，读取操作、编程操作、擦除操作等)，存储器子系统可执行相应的一组子操作。例如，可通过测量存储器单元的阈值电压以与读取电压电平进行比较以确定所存储数据值来执行读取操作。涉及多个存储器装置的多个存储器管理操作的并行执行会产生对电源的消耗更高的电流和更高的峰值功率需求，从而对数据存储和数据传输的稳定性和可靠性产生负面影响。此外，在实际工作环境中，许多应用程序或主机系统由于多个存储器裸片同时操作时的大峰值电流汲取而引起电压参数发生显著变化(例如，电压下降、电压降等)。
为了解决由重叠操作产生的峰值功率问题，常规存储器装置采用峰值功率预算来设置多个多裸片存储器装置可在并发操作的执行期间在其内操作的电平或限制。然而，这种方法会导致建立一个预定义的峰值功率性能水平，所述峰值功率性能水平是根据表征阶段的假设最坏情况或模拟确定的，这会降低系统的整体效率。因此，常规系统中的控制器受到预定义峰值性能水平的限制，并且被迫限制在给定时间可以激活的存储器裸片的数量，以执行并行的编程操作、擦除操作和读取操作。此外，还以独立于实际主机系统和对应功率输送网络设计的方式，为存储器子系统建立了预定义的峰值功率电平和对活动存储器裸片数量的对应限制。然而，相同峰值电流或功率电平可使具有不同操作参数(例如，阻抗、频域等)的不同主机系统和功率输送网络设计在执行操作(例如，读取、编程、擦除等)期间产生不同的电压参数。因此，鉴于不同的主机系统需求，常规功率管理系统无法被配置成对前述功耗差异作出解释。
本公开的方面通过存储器子系统解决以上和其它缺陷，所述存储器子系统可将训练命令序列发布到存储器子系统的多个存储器裸片。在此训练阶段期间，每个存储器裸片执行多个存储器管理操作(例如，读取操作、编程操作、擦除操作、功率测试操作)并且确定存储器管理操作的对应相应部分的电压参数(例如，电压下降等)。例如，所述一组存储器管理操作可包含读取操作(例如，执行一组子操作来执行读取操作的指令集)、编程操作(例如，执行一组子操作来执行编程操作的指令集)、擦除操作(例如，执行一组子操作来执行擦除操作的指令集)、峰值功率模拟操作(例如，产生一或多个峰值功率或峰值电流汲取事件的指令集)等中的一或多个。
在训练阶段期间，每个目标存储器裸片执行一组存储器管理操作以引起一或多个峰值电流汲取事件(例如，存储器裸片汲取超出峰值电流电平阈值的电流电平的一或多个例子)。结合峰值电流汲取事件中的每一个确定电压参数电平(例如，电压下降值、电压降数值等)。每个电压参数电平(例如，电压下降值)与一组存储器管理操作的相应部分相关联。电压参数电平和标识存储器管理操作的引起电压参数电平的对应部分的信息可以被编码(例如，作为令牌)和存储。在实施例中，为多个存储器裸片中的每个存储器裸片生成并存储一组令牌，其中每个令牌表示与峰值电流汲取事件相关联的电压参数电平和标识命令序列的引起电压参数电平的对应部分(例如，存储器管理操作部分)的信息。存储器子系统的控制器可继续将训练命令序列依次发布到每个存储器裸片，直到存储器子系统的所有存储器裸片完成训练阶段为止。
在训练阶段中，系统可根据随相关联电压参数电平变化的风险级别(例如，高风险或低风险)对存储器管理操作的部分(例如，存储器管理操作的一或多个子操作)进行分类。例如，功率管理组件113可将具有超出电压参数电平阈值的电压参数电平的存储器管理操作部分分类为高风险。
在训练阶段之后，系统在由主机系统起始的存储器管理操作的执行期间管理存储器裸片的功率电平消耗。为了解决由通过并行操作的多个存储器裸片执行重叠存储器管理操作而引起的功率问题，系统可读出训练阶段期间生成的令牌并且执行一或多个功率管理动作(例如，暂停存储器管理操作的执行、延迟存储器管理操作的执行、将存储器裸片切换到低功率模式等)。
有利地，根据本公开的实施例的系统可确定训练阶段期间的电压参数电平，并且结合由主机系统起始的存储器管理操作的执行，使用与峰值电流汲取事件相关联的电压参数电平信息来执行功率管理动作以管理由存储器裸片消耗的功率。此外，可以针对各种主机系统设计和各种功率输送网络执行系统内训练阶段。因此，根据本公开的实施例的系统执行考虑真实或实际主机系统的设计和要求的功率管理动作。鉴于可适用的功率限制，这增加了吞吐能力并且优化了操作的执行。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此类的组合。
存储器子系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器、安全数字(SD)卡和硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)，以及各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。
计算系统100可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(IoT)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网市售装置中的计算机)，或这类包含存储器和处理装置(例如，处理器)的计算装置。
计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文所使用，“耦合到”或“与……耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有中间组件)，无论有线还是无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。
主机系统120可包含由处理器芯片组执行的处理器芯片组和软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存器、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)，和存储协议控制器(例如，PCIe控制器、SATA控制器)。主机系统120使用存储器子系统110以例如将数据写入到存储器子系统110和从存储器子系统110读取数据。
主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行连接的SCSI(SAS)、双数据速率(DDR)存储器总线、小型计算机系统接口(SCSI)、双列直插式存储器模块(DIMM)接口(例如，支持双数据速率(DDR)的DIMM套接接口)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。图1说明存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)类型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来进行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。NAND类型快闪存储器包含例如二维NAND(2D NAND)和三维NAND(3D NAND)。
存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如，单层级单元(SLC)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如SLC、MLC、TLC、QLC或此类存储器单元阵列的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的SLC部分，以及MLC部分、TLC部分或QLC部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页，所述页可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，NAND)，页可进行分组以形成块。
尽管描述了例如非易失性存储器单元的3D交叉点阵列及NAND型快闪存储器(例如，2D NAND、3D NAND)等非易失性存储器组件，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、或非(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
存储器子系统控制器115(为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以进行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路以执行本文所描述的操作。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适的处理器。
存储器子系统控制器115可包含被配置成执行存储于本地存储器119中的指令的处理器117(例如，处理装置)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含被配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作的各种过程、操作、逻辑流和例程，包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信。
在一些实施例中，本地存储器119可以包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然在图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是替代地可依靠外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。
通常，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令来实现对存储器装置130的所要存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(如，逻辑块地址(LBA)、名称空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
存储器子系统110还可包含未说明的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存器或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可从存储器子系统控制器115接收地址并且解码所述地址以存取存储器装置130。
在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130为受管理存储器装置，其为与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例为受管理NAND(MNAND)装置。
存储器子系统110包含功率管理组件113以管理训练阶段，在所述训练阶段期间将训练命令序列发布到存储器子系统的多个存储器裸片。在实施例中，可由存储器子系统控制器115起始或发布训练命令序列。在实施例中，功率管理组件113在与训练命令序列相关联的一组存储器管理操作的执行期间监测目标存储器裸片的执行。每个存储器管理操作可包含与一或多个任务或操作(例如，读取操作、编程操作、擦除操作、功率测试模拟操作等)的执行有关的一组子操作或功能。在实施例中，功率管理组件113又将训练命令序列发送到每个存储器裸片，直到所有存储器裸片已执行所述一组存储器管理操作为止。
在实施例中，功率管理组件113确定由存储器管理操作的每个部分的执行产生的电压参数电平(还被称为“存储器管理操作部分”)。在实施例中，电压参数电平可为电压下降电平(例如，由于驱动负载而经历的输出电压损失)。存储器管理操作部分可包含结合存储器管理操作(例如读取操作)的执行而执行的一或多个子操作(例如，位线预充电子操作、字线斜升子操作等)。在实施例中，对应于每个存储器管理操作部分的检测到的电压参数电平被编码以生成编码信息。编码信息存储在存储器子系统110的日志(例如，存储在易失性存储器(例如，控制器115的RAM或SRAM存储位置)或非易失性存储器(例如，存储器装置130的锁存器存储区域)中的编码信息日志)中。
在实施例中，功率管理组件113标识、编码和存储对应于峰值电流汲取事件的编码信息(例如，标识相关联存储器管理操作部分的电压参数电平和信息)(例如，其中存储器裸片汲取或消耗超过峰值电流汲取电平阈值的电流电平的例子)。对于每个存储器裸片，执行一组存储器管理操作会产生一或多个峰值电流汲取事件。功率管理组件113标识并编码标识存储器管理操作的一部分的信息以及对应于峰值电流汲取事件的电压参数电平。
在训练阶段期间，每个存储器裸片执行多个存储器管理操作并且确定与相应存储器管理操作部分相对应的电压参数(例如，电压下降等)。存储器子系统的控制器可继续将训练命令序列依次发布到每个存储器裸片，直到存储器子系统的所有存储器裸片完成训练阶段为止。
在训练阶段之后，功率管理组件113在由主机系统120请求的存储器管理操作的执行期间管理多个存储器裸片的功率电平消耗。响应于对特定存储器裸片执行存储器管理操作部分的请求，功率管理组件113读取对应于所请求的存储器管理操作部分的编码信息并且确定相关联的电压参数电平。使用所标识的电压参数电平，功率管理组件113可相对于所请求的存储器管理操作部分执行功率管理动作。实例功率管理动作可包含暂停或延迟所请求的存储器管理操作部分的执行、执行所请求的存储器管理操作部分、将存储器裸片切换到低功率模式等)。
在实施例中，功率管理组件113可确定当前存储器子系统中的聚合或总电压参数电平，并且确定与所请求的存储器管理操作部分相关联的电压参数电平是否将使总电压参数电平超出总电压参数电平阈值。
图2为标识并建立待同时激活以用于执行由主机系统请求的一或多个操作的一或多个存储器裸片的期望峰值功率模式配置的实例方法200的流程图。方法200可由处理逻辑进行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200由图1的功率管理组件113执行。另外，图3说明实例存储器子系统115，其包含被配置成执行方法200的操作的功率管理组件113。虽然以特定顺序或次序示出，但是除非另外规定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可以不同次序进行，且一些过程可并行地进行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
如图2所示，在操作210处，处理逻辑对存储器子系统的多个存储器裸片执行一组存储器管理操作。在实施例中，一组存储器管理操作可包含用以执行操作的指令集，所述操作例如读取操作、编程操作、擦除操作、功率模拟操作等。在实施例中，每个相应存储器裸片(例如，图3中的存储器裸片1到存储器裸片N)执行一组存储器管理操作，这使得从相应存储器裸片的电源350消耗功率(例如，汲取电流)，以执行每个存储器管理操作的相应部分(例如，一或多个子操作)。
在实施例中，处理逻辑执行用于由存储器子系统的一组存储器裸片执行一组存储器管理操作的命令。在实施例中，在训练阶段期间起始和执行命令，在所述训练阶段期间，存储器装置的每个存储器裸片执行一组存储器管理操作。
在实施例中，存储器子系统控制器115的功率管理组件113可起始命令序列以启用多个存储器裸片(例如，存储器裸片1到存储器裸片N)的执行。在实施例中，功率管理组件113可将每个训练命令序列又发布到存储器裸片(存储器裸片1到N)中的每一个，直到所有存储器裸片已执行一组存储器管理操作为止。在实施例中，功率管理组件113可以发布单个训练命令序列，所述单个训练命令序列被发送到存储器裸片中的每一个以用于并行执行一组存储器管理操作。
在操作220处，处理逻辑确定与一组存储器管理操作的执行相对应的一组电压参数电平。在实施例中，响应于由一组存储器裸片中的每个存储器裸片执行一组存储器管理操作的相应部分而检测电压参数电平。在实施例中，电压参数电平可为由于执行存储器管理操作部分而产生的存储器裸片的电压下降电平。
在实施例中，如图3所示，存储器裸片可包含一或多个电压检测器组件或电路(例如，存储器裸片1的电压检测器1到电压检测器X)，其各自具有相应阈值电压。电压检测器检测可确定与每个存储器管理操作部分的执行相关联的电压参数电平。在实施例中，过程逻辑确定对应于与存储器裸片相关联的每个峰值电流汲取事件的电压参数电平(例如，其中存储器管理操作部分的执行产生存储器裸片的超出峰值电流汲取阈值电平的电流汲取电平的例子)。
在操作230处，处理逻辑基于一组电压参数电平确定表示一组存储器管理操作的电压参数电平和对应部分的信息。在实施例中，如图3所示，编码器(例如，存储器裸片1的编码器1)生成表示与对应存储器管理操作部分的执行相关联的电压参数电平的编码信息。在实施例中，编码器生成包含编码或令牌信息的令牌并且将编码信息存储在编码信息日志(例如，存储与存储器裸片1相关联的编码信息的编码信息日志1、存储与存储器裸片N相关联的编码信息的编码信息日志N)中。例如，可以生成对与字线斜升子操作(例如，第一存储器管理操作部分)的执行相关联的第一电压参数电平进行编码的第一令牌值101，可以生成对与位线预充电子操作(例如，第二存储器管理操作部分)的执行相关联的第二电压参数电平进行编码的第二令牌值111等。在实施例中，编码器生成包含对应于相应存储器管理操作部分的电压参数电平的编码信息。在实施例中，编码信息包含电压参数电平和对应于所标识的峰值电流汲取事件的相关联存储器管理操作部分。在实施例中，编码信息日志1可为存储器裸片的存储位置(例如，存储器裸片的锁存器存储区域)或存储器子系统控制器115的易失性存储器(例如，RAM或SRAM存储器)。
在实施例中，在训练阶段完成(例如，由存储器子系统的每个存储器裸片执行命令序列)之后，每个存储器裸片的编码信息由功率管理组件(例如，功率管理组件1到功率管理组件N)存储并且可由所述功率管理组件存取。在实施例中，功率管理组件为功率管理组件113的部分，并且被配置成存取编码信息日志以读出所存储的编码信息(例如，所存储的令牌)。
在操作240处，处理逻辑从主机系统接收用于执行一组存储器管理操作中的存储器管理操作的目标部分的请求。在实施例中，目标部分是指存储器管理操作中的引起或产生一或多个峰值电流的一或多个子操作。处理逻辑标识存储器管理操作的与用于进一步处理的一或多个峰值电流事件相关联的目标部分(例如，高风险部分)，如下文所描述。
在实施例中，在训练阶段完成之后，功率管理组件113用于在来自主机系统120的操作请求的系统内执行期间管理存储器子系统的峰值功率电平。在实施例中，主机系统120请求存储器管理操作(例如，编程存储器管理操作)的执行，并且功率管理组件113标识待由一组存储器裸片中的存储器裸片执行的存储器管理操作的目标部分。
在操作250处，处理逻辑标识对应于存储器管理操作的目标部分的第一信息。在实施例中，第一信息是所存储的表示由于在训练阶段期间检测到的存储器管理操作的目标部分的执行而产生的电压参数电平的编码信息。在实施例中，功率管理组件113执行峰值功率管理程序以建立优化级别的存储器裸片，所述存储器裸片可鉴于可适用峰值功率限制(还被称作峰值功率预算)和电压参数电平阈值(例如，存储器子系统的限制或最大可允许电压参数电平)而并行激活。
在操作260处，处理逻辑基于第一信息的第一电压参数电平执行功率管理动作。在实施例中，功率管理动作可包含暂停或延迟存储器管理操作的目标部分的执行，使存储器裸片能够执行存储器管理操作的目标部分，将存储器裸片切换到不同功率模式。
在实施例中，功率管理组件113可将存储器裸片置于多个不同功率模式中的一个中。例如，可通过将存储器裸片的一或多个参数设置为第一组值以使得所得峰值功率电平低于阈值峰值功率电平而将存储器裸片置于低功率模式中。可通过将存储器裸片的一或多个参数设置为第二组值使得所得峰值功率电平等于阈值峰值功率电平而将存储器裸片置于中等功率模式中。可通过将存储器裸片的一或多个参数设置为第三组值使得所得峰值功率电平高于阈值峰值功率电平而将存储器裸片置于高功率模式中。
在实施例中，功率管理组件113可以根据随相关联电压参数电平变化的风险级别(例如，高风险或低风险)对存储器管理操作部分进行分类。例如，功率管理组件113可将具有超出电压参数电平阈值的电压参数电平的存储器管理操作部分分类为高风险。在实施例中，考虑到相关联第一电压参数电平超出电压参数电平阈值，功率管理组件113可标识存储器管理操作的表示高风险部分的所请求目标部分。在实施例中，通过确定与存储器管理操作部分的执行相关联的电压参数电平超出电压参数电平阈值而标识高风险存储器管理操作部分。在实施例中，功率管理组件113可标识存储器子系统的电压参数电平(例如，在特定时间帧中操作的当前活动存储器裸片的总电压参数电平)，并且确定存储器管理操作的目标部分的执行(如由主机系统120所请求的)是否将使更新的总电压参数电平(包含第一电压参数电平)超出总电压参数电平阈值。例如，功率管理组件113可确定由存储器裸片在当前时间执行存储器管理操作的目标部分将产生总电压参数电平以超出总电压参数电平阈值。作为响应，功率管理组件113可采取适当功率管理动作以防止发生状况(例如，总电压参数电平超出电压参数电平阈值)，所述功率管理动作例如延迟由存储器裸片执行存储器管理操作的目标部分或将存储器裸片切换到低功率模式中。
在实施例中，功率管理组件113可标识与对应于峰值电流汲取事件的一或多个存储器管理操作部分相关联的编码信息。在此实施例中，此编码信息可被标识或编码为与对应功率管理动作(例如，延迟或暂停执行或切换到低功率模式)相关联的“高风险”或标记部分。
如图3所示，编码信息(例如，编码信息1、编码信息N)可由功率管理组件113的功率管理模块共享以实现结合所请求的存储器管理操作部分的执行对功率管理动作的标识。图4说明包含功率管理模块(例如，功率管理模块1、2……N)的功率管理组件113，这些模块同步或共享在训练阶段确定的编码信息(例如，编码信息1、编码信息2……编码信息N)。在应用中(例如，当主机系统发送存储器管理操作请求以由一或多个存储器裸片执行时)，功率管理组件113可存取编码信息(例如，令牌集合)，以使功率管理组件113能够标识高风险存储器管理操作部分(例如，在训练阶段期间被确定为具有超出电压参数电平阈值的电压参数电平的存储器管理操作的部分)。对于这些高风险存储器管理操作部分(例如，具有最大相对电压下降值的那些)，功率管理组件113可执行功率管理动作，例如延迟高风险存储器管理操作部分的执行或将存储器裸片切换到低功率模式中以用于执行高风险存储器管理操作部分。
图5说明计算机系统500的实例机器，在所述实例机器内可执行用于使得所述机器执行本文所论述的方法中的任何一或多种的指令集。在一些实施例中，计算机系统500可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，所述主机系统包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的功率管理组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。
机器可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或桥接器或非数字电路系统，或能够(依序或以其它方式)执行指定待由机器采取的动作的一组指令的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以进行本文所论述的方法中的任何一或多种。
实例计算机系统500包含通过总线530彼此通信的处理装置502、主存储器504(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)的动态随机存取存储器(DRAM)、静态存储器506(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)和数据存储系统518。
处理装置502表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更特别地，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置502也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置502被配置成执行指令526，以用于执行本文所论述的操作和步骤。计算机系统500还可包含网络接口装置508以通过网络520通信。
数据存储系统518可包含机器可读存储媒体524(也被称为计算机可读媒体)，所述机器可读存储媒体上存储有一或多个指令集526或体现本文所描述的方法或功能中的任何一或多个的软件。指令526还可在由计算机系统500执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器504内和/或处理装置502内，主存储器504和处理装置502也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体524、数据存储系统518和/或主存储器504可以对应于图1的存储器子系统110。
在一个实施例中，指令526包含实施对应于数据保护组件(例如，图1的功率管理组件113)的功能性的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体524示出为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集合并且使机器执行本公开的方法中的任何一或多种的任何媒体。术语“机器可读存储媒体”可包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等等有时是便利的。
然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可指将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据操控和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。这一设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、CD-ROM和磁性光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自耦合到计算机系统总线。
本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文所描述的本公开的教示内容。
本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可以用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本发明的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书和图式。

Claims (20)

1.一种方法，包括：
由处理装置对存储器子系统的多个存储器裸片执行一组存储器管理操作；
确定与所述一组存储器管理操作的执行相对应的一组电压参数电平；
基于所述一组电压参数电平确定表示所述一组存储器管理操作的电压参数电平和对应部分的信息；
从主机系统接收用于执行所述一组存储器管理操作中的存储器管理操作的目标部分的请求；
标识与所述存储器管理操作的所述目标部分相对应的第一信息；以及
基于所述第一信息的第一电压参数电平执行功率管理动作。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
对所述电压参数电平和标识所述一组存储器管理操作的所述对应部分的信息进行编码以生成令牌；以及
将所述令牌存储在日志中。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定所述第一信息的所述第一电压参数电平与电压参数电平阈值的比较满足条件；以及
将所述存储器管理操作的所述目标部分分类为高风险存储器管理操作部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述功率管理动作包括以下各项中的一个：延迟所述高风险存储器管理操作部分的执行或将存储器裸片切换到低功率模式以用于执行所述高风险存储器管理操作部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组存储器管理操作包括以下各项中的一或多个：读取存储器管理操作、编程存储器管理操作、擦除存储器管理操作或功率模拟存储器管理操作。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定与所述多个存储器裸片相关联的总电压参数电平；
确定所述第一电压参数电平和所述总电压参数电平的总和超出总电压参数电平阈值；以及
执行所述功率管理动作包括以下各项中的一个：延迟所述存储器管理操作的所述目标部分的执行，或将存储器裸片切换到低功率模式以用于执行所述存储器管理操作的所述目标部分。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电压参数电平包括电压下降电平。
8.一种包括指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：
在训练阶段中，对存储器子系统的多个存储器裸片中的存储器裸片执行一组存储器管理操作；
标识通过执行所述一组存储器管理操作中的存储器管理操作部分而产生的峰值电流汲取事件；
检测与所述峰值电流汲取事件相对应的电压下降电平；以及
存储表示所述电压下降电平的令牌和标识所述存储器管理操作部分的信息。
9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，所述操作进一步包括：
响应于来自主机系统的用于执行所述存储器管理操作部分的请求而标识所述令牌；以及
基于所述电压下降电平执行功率管理动作。
10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述功率管理动作包括以下各项中的一个：延迟所述存储器管理操作部分的执行或将存储器裸片切换到低功率模式。
11.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中使用一或多个电压检测器检测所述电压下降电平。
12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述令牌存储于所述存储器子系统的控制器的存储位置中。
13.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读媒体，其中在所述训练阶段期间在所述存储器子系统的所述多个存储器裸片上执行所述一组存储器管理操作。
14.一种系统，其包括：
存储器装置；以及
处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行包括以下各项的操作：
起始用于由存储器子系统的多个存储器裸片执行一组存储器管理操作的命令；
对所述多个存储器裸片中的每个存储器裸片执行所述一组存储器管理操作；
确定与所述一组存储器管理操作的执行相对应的一组电压参数电平；
基于所述一组电压参数电平确定表示所述一组存储器管理操作的电压参数电平和对应部分的信息；
从主机系统接收用于执行存储器管理操作的目标部分的请求；
标识与所述存储器管理操作的所述目标部分相对应的第一信息；以及
基于所述第一信息的第一电压参数电平执行功率管理动作。
15.根据权利要求14所述的系统，所述操作进一步包括：
对所述电压参数电平和标识所述一组存储器管理操作的所述对应部分的信息进行编码以生成令牌；以及
将所述令牌存储在日志中。
16.根据权利要求14所述的系统，所述操作进一步包括：
确定所述第一信息的所述第一电压参数电平与电压参数电平阈值的比较满足条件；以及
将所述存储器管理操作的所述目标部分分类为高风险存储器管理操作部分。
17.根据权利要求16所述的系统，其中所述功率管理动作包括以下各项中的一者：延迟所述高风险存储器管理操作部分的执行或将存储器裸片切换到低功率模式以用于执行所述高风险存储器管理操作部分。
18.根据权利要求14所述的系统，其中所述一组存储器管理操作包括以下各项中的一或多个：读取存储器管理操作、编程存储器管理操作、擦除存储器管理操作或功率模拟存储器管理操作。
19.根据权利要求14所述的系统，其中所述一组存储器管理操作包括以下各项中的一或多个：读取存储器管理操作、编程存储器管理操作、擦除存储器管理操作或功率模拟存储器管理操作。
20.根据权利要求14所述的系统，所述操作进一步包括：
确定与所述多个存储器裸片相关联的总电压参数电平；
确定所述第一电压参数电平和所述总电压参数电平的总和超出总电压参数电平阈值；以及
执行所述功率管理动作包括以下各项中的一个：延迟所述存储器管理操作的所述目标部分的执行，或将存储器裸片切换到低功率模式以用于执行所述存储器管理操作的所述目标部分。
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