CN115497414A - 显示装置 - Google Patents

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film
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李淳奎
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括:像素部分,包括像素;传感器部分,与像素部分叠置并且包括传感器;以及传感器驱动器,在第一模式下将感测信号发送给传感器部分的第一区域中的p个传感器,在第二模式下将感测信号发送给第一区域中的q个传感器,并且在第三模式下将感测信号发送给第一区域中的r个传感器,其中,p是大于0的整数,q和r是大于p的整数,并且传感器驱动器将感测频率、第一区域、每感测帧周期的感测时间的数量、传感器驱动器是否与像素部分的时序信号同步和感测信号的电压电平中的至少一者设定为在第二模式下和第三模式下不同。

Description

显示装置
本申请要求于2021年6月17日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0079005号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其驱动方法。
背景技术
显示装置是用于以视觉形式呈现信息的输出装置。例如,显示装置是用户与信息之间的连接媒介。因此,诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等的显示装置越来越多地用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视的各种电子装置中。
显示装置可以采用响应于用户的触摸的触摸屏技术。这种显示装置可以包括用于显示图像的显示部分和用于感测触摸位置的传感器部分。在这种情况下,传感器部分可以用于测量对象的触摸位置的坐标,或者可以用于检查对象是否接近。
发明内容
本发明提供了一种显示装置及其驱动方法,该显示装置及其驱动方法可以进一步有效地确定对象是否在附近,具体地,可以进一步有效地确定对象的释放。
本发明的实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:像素部分,包括像素;传感器部分,与像素部分叠置并且包括传感器;以及传感器驱动器,在包括多个感测时间的第一模式下在每个感测时间内将感测信号发送给传感器部分的第一区域中的p个传感器,在包括多个感测时间的第二模式下在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的q个传感器,并且在包括多个感测时间的第三模式下在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的r个传感器,其中,p是大于0的整数,q和r是大于p的整数,并且传感器驱动器将感测频率、第一区域、每感测帧周期的感测时间的数量、传感器驱动器是否与像素部分的时序信号同步和感测信号的电压电平中的至少一者设定为在第二模式和第三模式下不同。
传感器驱动器可以将第三模式的感测频率设定为低于第二模式的感测频率。
传感器驱动器可以将第一模式的感测频率设定为高于第二模式的感测频率。
传感器驱动器可以将第三模式的第一区域设定为小于第二模式的第一区域。
传感器驱动器可以在第三模式下仅向第一区域的传感器供应感测信号,并且传感器驱动器可以在第二模式下向第一区域外部的传感器供应感测信号。
传感器驱动器可以将第三模式的第一区域设定为与第二模式的第一区域部分地叠置或者不与第二模式的第一区域叠置。
传感器驱动器可以将第三模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为大于第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。
传感器驱动器可以将第一模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为小于第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。
时序信号可以包括水平同步信号,并且传感器驱动器可以在供应感测信号时在第三模式下与水平同步信号不同步。
传感器驱动器可以在供应感测信号时在第二模式下与水平同步信号同步。
传感器驱动器可以将第三模式的感测信号的电压设定为小于第二模式的感测信号的电压。
传感器驱动器可以将第一模式的感测信号的电压设定为与第二模式的感测信号的电压相同。
像素部分可以在第一模式和第二模式下处于显示状态,并且在第三模式下处于非显示状态。
本发明的实施例提供了一种显示装置的驱动方法,所述驱动方法包括:在包括多个感测时间的第一模式下,通过传感器驱动器在每个感测时间内将感测信号发送给传感器部分的第一区域中的p个传感器;在包括多个感测时间的第二模式下,通过传感器驱动器在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的q个传感器;以及在包括多个感测时间的第三模式下,通过传感器驱动器在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的r个传感器,其中,p是大于0的整数,q和r是大于p的整数,并且感测频率、第一区域、每感测帧周期的感测时间的数量、传感器驱动器是否与像素部分的时序信号同步和感测信号的电压中的至少一者在第二模式和第三模式下不同。
附图说明
图1是用于说明根据本发明的实施例的显示装置的图。
图2是用于说明图1的显示装置的示例堆叠结构的图。
图3是用于说明根据本发明的实施例的第一传感器和第二传感器的图。
图4和图5是用于说明根据本发明的实施例的互感测时段的图。
图6、图7和图8是用于说明根据本发明的实施例的第一自感测时段和第二自感测时段的图。
图9是用于说明根据本发明的实施例的显示装置的驱动方法的图。
图10是用于说明根据本发明的实施例的第一区域的图。
图11和图12是用于说明在第二模式下的第一区域和在第三模式下的第一区域的感测方法的图。
图13、图14和图15是用于说明根据本发明的实施例的在各个模式下设定的感测频率的图。
图16是用于说明根据本发明的实施例的在每种模式下设定的感测信号的电压的图。
图17、图18和图19是用于说明根据本发明的实施例的在第二模式下设定的第一区域与在第三模式下设定的第一区域之间的差异的图。
图20是用于说明根据本发明的实施例的显示部分和显示驱动器的图。
图21是用于说明根据本发明的实施例的像素的图。
图22、图23和图24是用于说明根据本发明的实施例的传感器驱动器的时序信号和像素部分的时序信号是否同步的图。
图25、图26、图27、图28、图29、图30和图31是用于说明显示装置的示例构造的图。
图32、图33和图34是用于说明根据本发明的另一实施例的包括像素的显示装置的图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图更充分地描述本发明的实施例。如本领域技术人员将认识到的,本发明可以以各种不同的方式修改,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。
为了清楚地描述本发明,已经在一个实施例中描述的部分在另一实施例中可以不重新描述。另外,在整个描述和附图中,同样的附图标记可以指代同样的元件。
此外,在附图中,为了清楚起见,可以夸大每个元件的尺寸。
在以下描述中,表述“等于……或与……相同”可以表示“基本上等于……或与……基本上相同”。
图1是用于说明根据本发明的实施例的显示装置的图。
参照图1,根据本发明的实施例的显示装置1可以包括面板10和用于驱动面板10的驱动电路部分20。
例如,面板10可以包括用于显示图像的显示部分110和用于感测触摸、压力、指纹和悬停的传感器部分120。例如,面板10可以包括像素PX和设置为与像素PX中的至少一些叠置的传感器SC。在本实施例中,传感器SC可以包括第一传感器TX和第二传感器RX。在本发明的另一实施例(例如,自电容方法)中,传感器SC可以被配置为一种类型的传感器,而没有第一传感器与第二传感器之间的区分。驱动电路部分20可以包括用于驱动显示部分110的显示驱动器210和用于驱动传感器部分120的传感器驱动器220。例如,像素PX可以以显示帧周期为单位显示图像。例如,传感器SC可以以感测帧周期为单位感测用户输入。感测帧周期和显示帧周期可以彼此独立并且可以彼此不同。感测帧周期和显示帧周期可以同步,或者可以不同步。
在本发明的一些实施例中,显示部分110和传感器部分120可以被单独制造,然后可以被设置为和/或组合为使得显示部分110的至少一个区域和传感器部分120彼此叠置。可选地,在本发明的另一实施例中,显示部分110和传感器部分120可以被一体地制造。例如,传感器部分120可以直接形成在形成显示部分110的至少一个基底(例如,显示面板的上基底和/或下基底或者薄膜封装层)或其他绝缘层或各种功能膜(例如,光学层或钝化层)上。
在图1中,传感器部分120被示出为设置在显示部分110的前表面(例如,其中显示有图像的上表面)上,但是传感器部分120的位置不限于此。例如,在本发明的另一实施例中,传感器部分120可以设置在显示部分110的后表面或其他表面上。在本发明的另一实施例中,传感器部分120可以设置在显示部分110的至少一个边缘区域上。
显示部分110可以包括显示基底111和形成在显示基底111上的多个像素PX。像素PX可以设置在显示基底111的显示区域DA中。
显示基底111可以包括其中显示有图像的显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。在本发明的一些实施例中,显示区域DA可以设置在显示部分110的中心区域中,并且非显示区域NDA可以设置在显示部分110的边缘区域中以围绕显示区域DA。
显示基底111可以是刚性基底或柔性基底,并且显示基底111的材料或物理特性不被特别限制。例如,显示基底111可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基底或者由薄膜(由塑料或金属材料制成的薄膜)形成的柔性基底。
在显示区域DA中,设置有扫描线SL和数据线DL以及连接到扫描线SL和数据线DL的像素PX。像素PX通过从扫描线SL供应的导通电平的扫描信号而被选择以从数据线DL接收数据信号,并且发射具有与数据信号对应的亮度的光。因此,在显示区域DA中显示与数据信号对应的图像。在本发明中,像素PX的结构和驱动方法不被特别限制。例如,像素PX可以用各种结构和驱动方法来实现。
在非显示区域NDA中,可以设置内部电路部分和/或连接到显示区域DA的像素PX的各种布线。例如,在非显示区域NDA中,可以设置用于向显示区域DA供应各种电力和控制信号的多条布线,另外,还可以设置扫描驱动器等。
在本发明中,显示部分110的类型不被特别限制。例如,显示部分110可以是诸如有机发光显示面板的自发光型显示面板。然而,当显示部分110是自发光型时,每个像素PX不限于仅包括有机发光元件的情况。例如,每个像素PX的发光元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管和/或量子点/量子阱发光二极管。每个像素PX可以设置有多个发光元件。在这种情况下,多个发光元件可以串联连接、并联连接或串联/并联连接。可选地,显示部分110可以是诸如液晶显示面板的非发光型显示面板。当显示部分110是非发光型时,显示装置1可以另外包括诸如背光单元的光源。
传感器部分120包括传感器基底121和形成在传感器基底121上的多个传感器SC。传感器SC可以在传感器基底121上设置在感测区域SA中。
传感器基底121可以包括能够感测触摸输入等的感测区域SA以及在感测区域SA外部的外围区域NSA。在本发明的一些实施例中,感测区域SA可以与显示区域DA的至少一个区域叠置。例如,感测区域SA可以对应于显示区域DA(例如,感测区域SA可以与显示区域DA完全叠置),并且外围区域NSA可以对应于非显示区域NDA(例如,外围区域NSA可以与非显示区域NDA完全叠置)。在这种情况下,当在显示区域DA上提供触摸输入等时,能够通过传感器部分120检测触摸输入。
传感器基底121可以是刚性基底或柔性基底,并且可以被构造为至少一个绝缘层。另外,传感器基底121可以是透明或半透明的透射基底,但不限于此。换言之,在本发明中,传感器基底121的材料和物理性质不被特别限制。例如,传感器基底121可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基底或者由薄膜(由塑料或金属材料制成的薄膜)形成的柔性基底。另外,在本发明的一些实施例中,设置在显示部分110的内表面和/或外表面上的绝缘膜和功能膜中的至少一层或者形成显示部分110的至少一个基底(例如,显示基底111、封装基底和/或薄膜封装层)可以用作传感器基底121。
感测区域SA(换言之,传感器的有效区域)能够对触摸输入作出反应。为了实现这一点,用于感测触摸输入等的传感器SC可以设置在感测区域SA中。在本发明的一些实施例中,传感器SC可以包括第一传感器TX和第二传感器RX。
例如,第一传感器TX可以在第一方向DR1上延伸。第一传感器TX可以在第二方向DR2上布置。第二方向DR2可以与第一方向DR1不同。例如,第二方向DR2可以是与第一方向DR1正交的方向。在本发明的另一实施例中,第一传感器TX的延伸方向和布置方向可以具有其他配置。第一传感器TX中的每个可以具有其中具有相对大的区域的第一单元和具有相对窄的区域的第一桥彼此连接的结构。在图1中,每个第一单元被示出为菱形形状,但是可以被构造为诸如圆形、四边形、三角形和网格形式的各种形状。例如,第一桥可以与第一单元一体地形成在同一层。在本发明的另一实施例中,第一桥可以与第一单元形成在不同的层中,以将相邻的第一单元电连接。
例如,每个第二传感器RX可以在第二方向DR2上延伸。第二传感器RX可以在第一方向DR1上布置。在本发明的另一实施例中,第二传感器RX的延伸方向和布置方向可以具有其他配置。每个第二传感器RX可以具有其中具有相对大的区域的第二单元和具有相对窄的区域的第二桥彼此连接的结构。在图1中,每个第二单元被示出为菱形形状,但是可以被构造为诸如圆形、四边形、三角形和网格形式的各种形状。例如,第二桥可以与第二单元一体地形成在同一层。在本发明的另一实施例中,第二桥可以与第二单元形成在不同的层中,以将相邻的第二单元电连接。
在本发明的一些实施例中,第一传感器TX和第二传感器RX中的每个可以通过包括金属材料、透明导电材料和各种其他导电材料中的至少一种而具有导电性。例如,第一传感器TX和第二传感器RX可以包括诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和铂(Pt)的各种金属材料中的至少一种或它们的合金。在这种情况下,第一传感器TX和第二传感器RX可以被构造为网格形式。另外,第一传感器TX和第二传感器RX可以包括诸如银纳米线(AgNW)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锑锌(AZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、碳纳米管和石墨烯的各种透明导电材料中的至少一种。另外,第一传感器TX和第二传感器RX可以通过包括各种导电材料中的至少一种而具有导电性。另外,第一传感器TX和第二传感器RX中的每个可以由单层或多层制成,并且第一传感器TX和第二传感器RX的剖面结构不被特别限制。
在传感器部分120的外围区域NSA中,可以设置用于将传感器TX和RX电连接到传感器驱动器220的传感器线等。
驱动电路部分20可以包括用于驱动显示部分110的显示驱动器210和用于驱动传感器部分120的传感器驱动器220。在本实施例中,显示驱动器210和传感器驱动器220可以由彼此分离的集成芯片(例如,如图1中所示出的T-IC和D-IC)构成。在本发明的另一实施例中,显示驱动器210的至少一部分和传感器驱动器220的至少一部分可以一起集成在一个集成电路(IC)中。
显示驱动器210电连接到显示部分110以驱动像素PX。例如,显示驱动器210可以包括数据驱动器12和时序控制器11,并且扫描驱动器13可以单独安装在显示部分110的非显示区域NDA中(见图20)。在本发明的另一实施例中,显示驱动器210可以包括数据驱动器12、时序控制器11和扫描驱动器13中的全部或至少一些。
传感器驱动器220电连接到传感器部分120以驱动传感器部分120。传感器驱动器220可以包括传感器发送器和传感器接收器。在本发明的一些实施例中,传感器发送器和传感器接收器可以集成到一个IC中,但是本发明不限于此。
图2是用于说明图1的显示装置的示例堆叠结构的图。
参照图2,例如,传感器部分120可以堆叠在显示部分110上,并且窗WIN可以堆叠在传感器部分120上。
显示部分110可以包括显示基底111、形成在显示基底111上的电路元件层BPL和形成在电路元件层BPL上的发光元件LD。电路元件层BPL可以包括用于驱动像素PX的发光元件LD的像素电路、扫描线SL、数据线DL等。
传感器部分120可以包括传感器基底121、形成在传感器基底121上的传感器SC和覆盖传感器SC的钝化膜122。例如,钝化膜122可以覆盖传感器SC并且在相邻的传感器SC之间接触传感器基底121。在图2中,传感器基底121以覆盖像素PX的封装膜的形式被示出。例如,传感器基底121可以覆盖发光元件LD并且在相邻发光元件LD之间接触电路元件层BPL。在本发明的另一实施例中,传感器基底121可以与覆盖像素PX的封装膜分开地存在。
窗WIN可以是设置在显示装置1的最上部分处的保护构件,并且可以是基本上透明的透射基底。窗WIN可以具有选自玻璃基底、塑料膜和塑料基底的多层结构。窗WIN可以包括刚性基底或柔性基底,并且包括在窗WIN中的材料不被特别限制。
显示装置1还可以包括用于防止外部光在窗WIN与传感器部分120之间反射的偏振板(或其他类型的防反射层)。
图3是用于说明根据本发明的实施例的第一传感器和第二传感器的图。
参照图3,作为示例示出了设置在感测区域SA中的第一传感器TX1、TX2、TX3和TX4以及第二传感器RX1、RX2、RX3和RX4。为了更好地理解和易于描述,假设四个第一传感器TX1至TX4和四个第二传感器RX1至RX4设置在感测区域SA中。在实际的显示装置中,可以设置数十至数百个第一传感器TX和第二传感器RX。
由于第一传感器TX1至TX4和第二传感器RX1至RX4的描述与图1的第一传感器TX和第二传感器RX的描述相同,因此将省略重复描述。
图4和图5是用于说明根据本发明的实施例的互感测时段的图。
互感测时段MSP可以是其中传感器部分120和传感器驱动器220以互电容模式驱动的时段。在图4中,基于一个传感器通道222示出了传感器部分120和传感器驱动器220的构造。
传感器驱动器220可以包括传感器接收器TSC和传感器发送器TDC。在互感测时段MSP中,传感器发送器TDC可以连接到第一传感器TX,并且传感器接收器TSC可以连接到第二传感器RX。
传感器接收器TSC可以包括运算放大器AMP、模数转换器(ADC)224和处理器(MPU)226。例如,每个传感器通道222可以被实现为包括至少一个运算放大器AMP的模拟前端(AFE)。可以针对每个传感器通道222设置模数转换器224和处理器226,或者模数转换器224和处理器226可以由多个传感器通道222共享。
运算放大器AMP的第一输入端子IN1可以连接到对应的第二传感器RX,并且运算放大器AMP的第二输入端子IN2可以连接到参考电源GND。例如,第一输入端子IN1可以是反相端子,并且第二输入端子IN2可以是非反相端子。参考电源GND可以是地电压或特定电位的电压。
模数转换器224可以连接到运算放大器AMP的输出端子OUT1。电容器Ca和开关SWr可以并联连接在第一输入端子IN1与输出端子OUT1之间。
参照图5,在互感测时段MSP期间,传感器驱动器220(例如,传感器发送器TDC)可以向第一传感器TX1至TX4顺序地供应第一感测信号。例如,第一感测信号可以被供应给第一传感器TX1两次(例如,在时间点t1b和t2b),第一感测信号可以被供应给第一传感器TX2两次(例如,在时间点t3b和t4b),第一感测信号可以被供应给第一传感器TX3两次(例如,在时间点t5b和t6b),并且第一感测信号可以被供应给第一传感器TX4两次(例如,在时间点t7b和t8b)。在本发明的一些实施例中,向第一传感器TX1至TX4中的每个供应第一感测信号的次数可以多于2次。
第一感测信号中的每个可以对应于上升转变和/或下降转变。例如,在时间点t1b的第一感测信号可以对应于上升转变。换言之,在时间点t1b的第一感测信号可以从低电平上升至高电平。在时间点t2b的第一感测信号可以对应于下降转变。换言之,在时间点t2b的第一感测信号可以从高电平下降至低电平。然而,在一些实施例中,在时间点t1b的第一感测信号可以从高电平下降至低电平,并且在时间点t2b的第一感测信号可以从低电平上升至高电平。
传感器接收器TSC可以包括连接到多个第二传感器RX的多个传感器通道222。各个传感器通道222可以从对应的第二传感器RX接收与第一感测信号对应的第一采样信号。例如,响应于在时间点t1b施加到第一传感器TX1的第一感测信号,连接到第二传感器RX1至RX4的传感器通道222可以独立地接收第一采样信号。另外,响应于在时间点t2b施加到第一传感器TX1的第一感测信号,连接到第二传感器RX1至RX4的传感器通道222可以独立地接收第一采样信号。
在感测区域SA中,第一传感器TX1至TX4与第二传感器RX1至RX4之间的互电容可以根据对象OBJ(诸如用户的手指)的位置而变化,因此,由传感器通道222接收的第一采样信号可以彼此不同。可以通过使用第一采样信号之间的差异来检测对象OBJ的触摸位置。
传感器通道222可以生成与第一输入端子IN1和第二输入端子IN2之间的电压差对应的输出信号。例如,传感器通道222可以以与预定增益对应的程度放大并输出第一输入端子IN1与第二输入端子IN2之间的电压差。
在本发明的一些实施例中,传感器通道222可以被实现为积分器。在这种情况下,如图4中所示,电容器Ca和开关SWr可以在运算放大器AMP的第一输入端子IN1与输出端子OUT1之间彼此并联连接。例如,开关SWr在接收第一采样信号之前导通,使得电容器Ca的电荷可以被初始化。当接收到第一采样信号时,开关SWr可以处于截止状态。
模数转换器224将从每个传感器通道222输入的模拟信号转换为数字信号。处理器226可以对数字信号进行分析以检测用户输入。
图6至图8是用于说明根据本发明的实施例的第一自感测时段和第二自感测时段的图。
图6基于一个传感器通道222示出了传感器部分120和传感器驱动器220的构成元件。传感器接收器TSC和传感器发送器TDC的内部构造可以基本上等同于图4的传感器接收器TSC和传感器发送器TDC的内部构造。将省略其重复描述,并且下面将主要描述它们之间的差异。
参照图6和图7,第一自感测时段STP可以是其中传感器部分120和传感器驱动器220以自电容模式驱动的时段。在第一自感测时段STP中,传感器发送器TDC可以连接到每个传感器通道222的第二输入端子IN2,并且对应的第一传感器TX可以连接到每个传感器通道222的第一输入端子IN1。在本发明的另一实施例中,传感器发送器TDC可以连接到第一输入端子IN1。在这种情况下,参考电压或地电压可以被施加到第二输入端子IN2。
例如,在第一自感测时段STP期间,传感器发送器TDC可以向每个传感器通道222的第二输入端子IN2供应第二感测信号。在这种情况下,第二感测信号可以根据运算放大器AMP的特性被供应给连接到第一输入端子IN1的第一传感器TX。在本实施例中,传感器驱动器220可以在第一自感测时段STP期间同时向第一传感器TX1至TX4供应第二感测信号。例如,参照图7,在各个时间点t1c、t2c、t3c、t4c、t5c、t6c、t7c和t8c的第二感测信号可以被同时供应给第一传感器TX1至TX4。例如,感测信号可以在时间点t1c被供应给第一传感器TX1至TX4中的每个。另外,感测信号可以在时间点t2c被供应给第一传感器TX1至TX4中的每个。在这种情况下,第二传感器RX1至RX4可以接收单独的参考电压,或者可以处于浮置状态。各个第二感测信号可以对应于上升转变和/或下降转变。
第一传感器TX1至TX4可以具有自电容。在这种情况下,当对象OBJ(诸如用户的手指)接近第一传感器TX1至TX4时,第一传感器TX1至TX4的自电容可以根据在对象OBJ的表面OE与第一传感器TX之间形成的电容而变化。反映自电容的第二感测信号可以被称为第二采样信号。可以通过使用针对第一传感器TX1至TX4的第二采样信号之间的差异来检测对象OBJ在第二方向DR2上的触摸位置(见图3)。
参照图6和图8,第二自感测时段SRP可以是其中传感器部分120和传感器驱动器220以自电容模式驱动的时段。在第二自感测时段SRP中,传感器发送器TDC可以连接到每个传感器通道222的第二输入端子IN2,并且对应的第二传感器RX可以连接到每个传感器通道222的第一输入端子IN1。
例如,在第二自感测时段SRP期间,传感器发送器TDC可以向每个传感器通道222的第二输入端子IN2供应第三感测信号。在这种情况下,第三感测信号可以根据运算放大器AMP的特性被供应给连接到第一输入端子IN1的第二传感器RX。在本实施例中,传感器驱动器220可以在第二自感测时段SRP期间同时向第二传感器RX1至RX4供应第三感测信号。例如,参照图8,在各个时间点t1d、t2d、t3d、t4d、t5d、t6d、t7d和t8d的第三感测信号可以被同时供应给第二传感器RX1至RX4。在这种情况下,第一传感器TX1至TX4可以接收单独的参考电压,或者可以处于浮置状态。各个第三感测信号可以对应于上升转变和/或下降转变。
第二传感器RX1至RX4可以具有自电容。在这种情况下,当对象OBJ(诸如用户的手指)接近第二传感器RX1至RX4时,第二传感器RX1至RX4的自电容可以根据在对象OBJ的表面OE与第二传感器RX之间形成的电容而变化。反映自电容的第三感测信号可以被称为第三采样信号。可以通过使用针对第二传感器RX1至RX4的第三采样信号之间的差异来检测对象OBJ在第一方向DR1上的触摸位置(见图3)。
图9是用于说明根据本发明的实施例的显示装置的驱动方法的图。图10是用于说明根据本发明的实施例的第一区域的图。图11和图12是用于说明在第二模式下的第一区域和在第三模式下的第一区域的感测方法的图。
首先,传感器驱动器220可以以第一模式操作(S101)。第一模式可以是用于感测触摸位置的模式。例如,传感器驱动器220可以根据感测频率(或报告速率)来确定对象OBJ的触摸发生在传感器部分120的哪个位置(或坐标)。例如,当感测频率为120Hz时,传感器驱动器220可以每秒生成120次触摸坐标。感测帧周期是用于生成一个触摸坐标的周期,并且可以对应于感测频率的倒数。例如,当感测频率为120Hz时,感测帧周期可以为1/120秒。
在第一模式下,传感器驱动器220可以根据互感测时段MSP、第一自感测时段STP和第二自感测时段SRP中的至少一个针对传感器部分120的整个感测区域SA进行操作(见图5、图7和图8)。换言之,在第一模式下,每个感测帧周期可以包括互感测时段MSP、第一自感测时段STP和第二自感测时段SRP中的至少一个。
传感器驱动器220在第一模式下可以以p个传感器为单位将感测信号发送给传感器部分120的第一区域PSA1。换言之,在包括多个感测时间的第一模式下,传感器驱动器220可以在每个感测时间内将感测信号发送给传感器部分120的第一区域PSA1中的p个传感器。第一区域PSA1是感测区域SA的一部分,并且为了接近感测,第一区域PSA1的初始位置可以被预设。例如,第一区域PSA1可以是预期将被用户的耳朵或脸颊触摸的部分。在第一模式下,接近感测不是必需的。因此,传感器驱动器220在第一模式下可以以p个传感器为单位将感测信号既发送给传感器部分120的第一区域PSA1又发送给传感器部分120的整个感测区域SA。
p可以是大于零的整数。例如,参照图5,由于感测信号在互感测时段MSP中以不同的时序被发送给每个第一传感器TX,因此p可以是1。在其中设置有数十至数百个第一传感器TX的实际显示装置中,p可以是大约4。例如,感测信号可以被同时供应给四个第一传感器TX1至TX4,然后感测信号可以被同时供应给接下来的四个第一传感器。
当显示装置1以第一模式操作时,可能存在需要接近感测的情况(S102)。例如,当用户按下显示装置1的电话应用中的呼叫按钮时,可能需要接近感测。
当确定接近感测是必需的时,传感器驱动器220可以以第二模式操作(S103)。第二模式可以是用于在接近感测期间检测对象OBJ正在接近的模式。例如,传感器驱动器220在第二模式下可以对第一区域PSA1执行接近感测(见图11)。例如,在第二模式下,传感器驱动器220可以在感测区域SA的除第一区域PSA1之外的区域中执行触摸位置感测(见图5、图7和图8)。在第二模式下,根据本发明的实施例,触摸位置感测和接近感测可以在时间上/空间上不同地组合。
传感器驱动器220在第二模式下可以以q个传感器为单位将感测信号发送给第一区域PSA1。换言之,在包括多个感测时间的第二模式下,传感器驱动器220可以在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域PSA1中的q个传感器。在这种情况下,第一区域PSA1可以被称为接近感测区域。在接近感测中,确定对象OBJ与传感器部分120之间的分离距离比确定触摸位置更重要。当然,即使在接近感测的情况下,确定对象OBJ与传感器部分120之间的分离距离比感测触摸位置难,但是传感器驱动器220还是可以确定触摸位置。q可以是大于p的整数。例如,参照图11,q可以是2。参照图11,首先,可以将感测信号供应给两个第一传感器TX1和TX2(例如,在时间点t1b和t2b将感测信号供应给两个第一传感器TX1和TX2),然后可以将感测信号供应给两个第一传感器TX3和TX4(例如,在时间点t3b和t4b将感测信号供应给两个第一传感器TX3和TX4)。例如,可以在第一时间点t1b将感测信号同时供应给第一传感器TX1和TX2,然后在第二时间点t2b将感测信号同时供应给第一传感器TX1和TX2。与在触摸位置感测中相比(对比图5和图11),在根据本实施例的接近感测中在每个时间点的电场较强,因此,即使当对象OBJ悬停时,也能够计算传感器部分120与对象OBJ之间的距离。在其中设置有数十至数百个第一传感器TX的实际显示装置中,q可以是大约10。例如,可以将感测信号同时供应给十个第一传感器TX,然后可以将感测信号同时供应给接下来的十个第一传感器TX。在本实施例中,对于接近感测可以使用互电容模式,并且在本发明的另一实施例中可以使用自电容模式。
传感器驱动器220可以在以第二模式操作时检测对象OBJ的接近(S104)。参照图12,示出了由传感器部分120检测的传感器部分120与对象OBJ之间的每时刻的示例距离图。例如,在当传感器部分120与对象OBJ之间的距离对应于第一阈值距离ds1的时间点t1e处,传感器驱动器220可以确定对象OBJ充分接近。像素部分14可以显示图像(例如,显示状态或开启状态)直至时间点t1e为止。在时间点t1e之后,像素部分14可以不显示图像(例如,非显示状态或关闭状态)。例如,当用户的耳朵或脸颊靠近第一区域PSA1时,用户不能观看像素部分14,因此如果像素部分14不显示图像也不是问题。
当检测到对象OBJ的接近时,传感器驱动器220可以以第三模式操作(S105)。第三模式可以是用于在接近感测期间检测对象OBJ被释放的模式。换言之,第三模式可以是用于确定对象OBJ不再在用于接近感测的距离阈值内的模式。例如,传感器驱动器220在第三模式下可以在第一区域PSA1中执行接近感测(见图11)。然而,在第三模式下,传感器驱动器220可以在感测区域SA的除第一区域PSA1之外的区域中不执行任何感测。例如,在第三模式期间,用户可以在他或她的耳朵或者脸颊在显示装置1上的情况下继续呼叫,使得在呼叫完成之前不期望交互。
传感器驱动器220在第三模式下可以以r个传感器为单位将感测信号发送给第一区域PSA1。换言之,在包括多个感测时间的第三模式下,传感器驱动器220可以在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域PSA1中的r个传感器。r可以是大于p的整数。例如,参照图11,r可以是2。参照图11,首先,可以将感测信号供应给两个第一传感器TX1和TX2(例如,在时间点t1b和T2b将感测信号供应给两个第一传感器TX1和TX2),然后可以将感测信号供应给两个第一传感器TX3和TX4(例如,在时间点t3b和T4b将感测信号供应给两个第一传感器TX3和TX4)。在时间点t2b与t3b之间可以存在间隙,并且在该时间段中,可以不发送感测信号。
第二模式下的q和第三模式下的r可以相同。在本发明的另一实施例中,q和r可以不同。例如,r可以大于q。因此,与在第二模式下检测对象OBJ的接近相比,可以更快速且准确地检测第三模式下对象OBJ的释放。
传感器驱动器220可以在以第三模式操作时检测对象OBJ的释放(S106)。例如,参照图12,在当传感器部分120与对象OBJ之间的距离对应于第二阈值距离ds2的时间点t2e,传感器驱动器220可以确定对象OBJ被充分释放。在本实施例中,第二阈值距离ds2可以大于第一阈值距离ds1。因此,在用户在呼叫期间无意地将他们的身体移动远离显示装置1的程度上,第三模式不会被终止,从而提高用户的便利性。在时间点t2e之后,像素部分14可显示图像(例如,显示状态)。
在时间点t2e之后,传感器驱动器220可以根据显示装置1的场景以第一模式(S107和S108)或以第二模式(S107和S103)操作。
根据本实施例,传感器驱动器220可以在第二模式下和第三模式下不同地设定感测频率、第一区域PSA1、每感测帧周期的感测时间的数量、是否与像素部分14的时序信号同步以及感测信号的电压电平中的至少一者。这将参照图10至图24详细描述。
图13至图15是用于说明根据本发明的实施例的在各个模式下设定的感测频率的图。
参照图13至图15,作为示例示出了在每种模式下设定的频率(例如,感测频率)。
参照图13,传感器驱动器220可以将第三模式的感测频率fq3设定为低于第二模式的感测频率fq2。因此,第三模式下的感测帧周期比第二模式下的感测帧周期长。因此,与在第二模式下相比,传感器驱动器220可以在第三模式的每个感测帧周期中基于感测信号更多地使用数据,并且可以更准确地检测传感器部分120与对象OBJ之间的分离距离和触摸位置。因此,与第二模式下对象OBJ的接近相比,可以更快速且更准确地检测第三模式下对象OBJ的释放。
另外,传感器驱动器220可以在第一区域PSA1中将第一模式的感测频率fq1设定为高于第二模式的感测频率fq2。因此,在第二模式下的接近感测的情况下,通过使用比第一模式下的触摸位置感测的感测帧周期长的感测帧周期,可以更准确地检测传感器部分120与对象OBJ之间的分离距离和触摸位置。
在图13中,第一模式的感测频率fq1可以在时间点t1f之前并且在时间点t4f之后保持第一水平,第二模式的感测频率fq2可以从时间点t1f至时间点t2f以及从时间点t3f至时间点t4f保持第二水平,并且第三模式的感测频率fq3可以从时间点t2f至时间点t3f保持第三水平。
参照图14,传感器驱动器220可以将第二模式的感测频率设定为在第一范围rg1内逐渐改变,并且将第三模式的感测频率设定为在第二范围rg2内逐渐改变。例如,传感器驱动器220可以将第二模式的感测频率设定为在第一范围rg1内以阶梯式(stepwise)方式改变,并且将第三模式的感测频率设定为在第二范围rg2内以阶梯式方式改变。在图14中,第二模式的感测频率可以从时间点t1f至时间点t2f减小,并且第三模式的感测频率可以从时间点t2f减小。
第二范围rg2的下限频率可以低于第一范围rg1的下限频率。第一范围rg1的上限频率可以高于第二范围rg2的上限频率。第一范围rg1的上限频率可以低于第一模式的感测频率fq1。在本发明的一些实施例中,第一范围rg1和第二范围rg2可以部分重叠。在本发明的另一实施例中,第一范围rg1和第二范围rg2可以彼此不重叠。
另外,参照图15,传感器驱动器220可以将第二模式的感测频率设定为在第一范围rg1内不规则地改变,并且将第三模式的感测频率设定为在第二范围rg2内不规则地改变。例如,传感器驱动器220可以将第二模式的感测频率设定为在第一范围rg1内重复地减小和增大(例如,跳频),并且将第三模式的感测频率设定为在第二范围rg2内重复地减小和增大。
根据图14和图15的实施例,传感器驱动器220可以在每种模式下找到用于当前环境的最佳感测频率。例如,传感器驱动器220可以在每种模式下通过避免当前环境的主要噪声频率来找到最佳感测频率。
图16是用于说明根据本发明的实施例的在每种模式下设定的感测信号的电压的图。
参照图16,传感器驱动器220可以将第三模式的感测信号的电压vt2设定为小于第二模式的感测信号的电压vt1。在本实施例中,传感器驱动器220可以将第一模式的感测信号的电压vt1设定为与第二模式的感测信号的电压vt1相同。
在本实施例中,传感器驱动器220可以将第三模式的感测信号的电压设定为在比第二模式的感测信号的电压vt1小的电压范围vtr内。例如,电压范围vtr可以具有比第二模式的感测信号的电压vt1小的上限vt3。
在第三模式下,由于显示装置1处于非显示状态,因此显示噪声非常小,因此可以通过降低第三模式的感测信号的电压来降低功耗。另外,当一起使用本发明的另一实施例时,由于第三模式的准确度提高,因此能够通过降低第三模式的感测信号的电压来降低功耗。
图17至图19是用于说明根据本发明的实施例的在第二模式下设定的第一区域与在第三模式下设定的第一区域之间的差异的图。
传感器驱动器220可以在第三模式的初始时间点将第一区域PSA1用作接近感测区域。在这种情况下,第一区域PSA1可以相对大。这是因为,由于在第三模式的初始时间点对象OBJ处于悬停状态,因此不清楚对象OBJ将在何处接触传感器部分120。
此后,传感器驱动器220可以在第三模式期间基于对象OBJ的位置来改变第一区域PSA1。当对象OBJ的位置被指定时,参照图17,传感器驱动器220可以减小第一区域PSA1以设定新的第一区域PSA2a。换言之,传感器驱动器220可以将第三模式的第一区域PSA2a设定为小于第二模式的第一区域PSA1。这里,新的第一区域PSA2a完全位于先前的第一区域PSA1内。
另外,传感器驱动器220可以将第三模式的第一区域PSA2b设定为与第二模式的第一区域PSA1部分地叠置(见图18)。这里,例如,新的第一区域PSA2b部分地位于先前的第一区域PSA1内。另外,传感器驱动器220可以将第三模式的第一区域PSA2c设定为不与第二模式的第一区域PSA1叠置(见图19)。这里,例如,新的第一区域PSA2c可以不位于先前的第一区域PSA1内。
根据本实施例,传感器驱动器220在第三模式下可以仅向与第一区域PSA1、PSA2a、PSA2b和PSA2c对应的传感器供应感测信号。然而,传感器驱动器220在第二模式下需要向与第一区域PSA1、PSA2a、PSA2b和PSA2c的外部对应的传感器供应感测信号。这是因为,在第二模式下,还必须执行触摸位置感测。
根据本实施例,在第三模式下,由于不需要向不必要的第一传感器TX供应感测信号,因此可以降低功耗。例如,在图17和图18的情况下,向第一传感器TX1和TX2供应感测信号不是必需的。另外,在图19的情况下,向第一传感器TX1和TX4供应感测信号不是必需的。
在本实施例中,通过设定为在第三模式下不从不必要的第二传感器RX接收采样信号,能够进一步降低功耗。例如,在图17的情况下,可以不从第二传感器RX3和RX4接收采样信号,在图18的情况下,可以不从第二传感器RX1和RX4接收采样信号,在图19的情况下,可以不从第二传感器RX1和RX2接收采样信号。
根据本发明的实施例,显示装置1包括:像素部分14,包括像素PX;传感器部分120,与像素部分14叠置并且包括传感器SC;以及传感器驱动器220,在第一模式下将感测信号发送给传感器部分120的第一区域(图10的PSA1)中的p个传感器,在第二模式下将感测信号发送给第一区域(图17的PSA1)中的q个传感器,并且在第三模式下将感测信号发送给第一区域(图17的PSA2a)中的r个传感器,其中,p是大于0的整数,并且q和r是大于p的整数。另外,传感器驱动器220将感测频率(fq2、fq3)、第一区域、每感测帧周期的感测时间的数量、传感器驱动器220是否与像素部分14的时序信号同步和感测信号的电压电平(vt1、vt2、vt3)中的至少一者设定为在第二模式下和第三模式下不同。
图20是用于说明根据本发明的实施例的显示部分和显示驱动器的图。
参照图20,显示驱动器210可以包括数据驱动器12和时序控制器11,并且显示部分110可以包括扫描驱动器13和像素部分14。然而,如上所述,各个功能部分将集成到一个IC中或集成到多个IC中还是将安装在显示基底111上可以根据显示装置1的规格而不同地构造。
时序控制器11可以从处理器9接收用于每个显示帧周期的灰度和时序信号。这里,处理器9可以对应于图形处理单元(GPU)、中央处理单元(CPU)和应用处理器(AP)中的至少一者。时序信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号等。
垂直同步信号的每个周期可以对应于每个显示帧周期。水平同步信号(例如,Hsync)的每个周期可以对应于每个水平周期。可以响应于数据使能信号的使能电平的脉冲而在每个水平周期中以水平线为单位供应灰度。水平线可以表示连接到同一扫描线的像素(例如,像素行)。
时序控制器11可以将灰度渲染为与显示装置1的规格对应。例如,处理器9可以为每个单位点(unit dot)提供红色灰度、绿色灰度和蓝色灰度。例如,当像素部分14具有RGB条结构时,像素可以一对一地对应于每个灰度。在这种情况下,灰度的渲染可能不是必需的。然而,例如,当像素部分14具有
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结构时,由于相邻的单位点共享像素,因此像素可能不一对一地对应于每个灰度。在这种情况下,灰度的渲染可能是必需的。渲染的或未渲染的灰度可以被提供给数据驱动器12。另外,时序控制器11可以向数据驱动器12提供数据控制信号。此外,时序控制器11可以向扫描驱动器13提供扫描控制信号。
数据驱动器12可以通过使用从时序控制器11接收的灰度和数据控制信号来生成将要提供给数据线DL1、DL2、DL3和DL4的数据电压。
扫描驱动器13可以使用从时序控制器11接收的时钟信号、扫描起始信号等来生成将要提供给扫描线SL1和SL2的扫描信号。扫描驱动器13可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地供应给扫描线SL1和SL2。例如,扫描驱动器13可以在其中供应有灰度的有效时段期间以与水平同步信号的周期对应的周期向扫描线SL1和SL2供应导通电平的扫描信号。扫描驱动器13可以包括以移位寄存器的形式配置的扫描级。扫描驱动器13可以通过根据时钟信号的控制将作为导通电平的脉冲类型的扫描起始信号顺序地发送给下一扫描级的方法来生成扫描信号。
像素部分14包括像素。各个像素可以连接到对应的数据线和扫描线。例如,像素PXij可以连接到第i扫描线和第j数据线。像素可以包括发射第一颜色光的像素、发射第二颜色光的像素和发射第三颜色光的像素。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以是不同的颜色。例如,第一颜色可以是红色、绿色和蓝色中的一种颜色,第二颜色可以是红色、绿色和蓝色中的除第一颜色之外的一种颜色,并且第三颜色可以是红色、绿色、蓝色中的除第一颜色和第二颜色之外的剩余颜色。另外,可以使用品红色、青色和黄色代替红色、绿色和蓝色作为第一颜色至第三颜色。
图21是用于说明根据本发明的实施例的像素的图。
参照图21,示出了像素PXij。由于其他像素也可以具有基本上等同的构造,因此将省略重复描述。
晶体管T1的栅电极可以连接到存储电容器Cst的第二电极,晶体管T1的第一电极可以连接到第一电力线ELVDDL,并且晶体管T1的第二电极可以连接到发光元件LD的阳极。晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
晶体管T2的栅电极可以连接到第i扫描线SLi,晶体管T2的第一电极可以连接到第j数据线DLj,并且晶体管T2的第二电极可以连接到存储电容器Cst的第二电极。晶体管T2可以被称为扫描晶体管。
存储电容器Cst的第一电极可以连接到第一电力线ELVDDL,并且存储电容器Cst的第二电极可以连接到晶体管T1的栅电极。
发光元件LD的阳极可以连接到晶体管T1的第二电极,并且发光元件LD的阴极可以连接到第二电力线ELVSSL。发光元件LD可以是发光二极管。如上所述,每个像素的发光元件可以是有机发光元件、无机发光元件或量子点/量子阱发光元件。另外,每个像素可以设置有多个发光元件。在这种情况下,多个发光元件可以串联、并联或串联/并联连接。在发光元件LD的发光时段期间,施加到第一电力线ELVDDL的第一电力电压可以大于施加到第二电力线ELVSSL的第二电力电压。
这里,晶体管T1和T2被示出为P型晶体管,但是可以通过反转信号的极性来用N型晶体管替换晶体管中的至少一个。
当导通电平的扫描信号施加给第i扫描线SLi时,晶体管T2可以导通。在这种情况下,充入在第j数据线DLj中的数据电压可以存储在存储电容器Cst中。晶体管T1可以响应于由存储电容器Cst保持的栅-源电压差而允许驱动电流流动。驱动电流可以通过第一电力线ELVDDL、晶体管T1、发光元件LD和第二电力线ELVSSL的路径流动。发光元件LD可以发射具有与驱动电流的量对应的亮度的光。
图22至图24是用于说明根据本发明的实施例的传感器驱动器的时序信号和像素部分的时序信号是否同步的图。
参照图22,示出了与像素PXij连接的第i扫描线SLi和第j数据线DLj的信号。另外,作为示例示出了第k第一传感器TXk的信号。水平周期1H可以包括连接到第i扫描线SLi的像素(第i像素行)的数据写入时段(换言之,数据电压存储时段)。
如上所述,处理器9可以将诸如水平同步信号Hsync的时序信号提供给时序控制器11或显示驱动器210。在图22的实施例中,传感器驱动器220可以被配置为接收时序信号中的至少一些。传感器驱动器220可以直接从处理器9接收时序信号,或者可以从时序控制器11(或显示驱动器210)接收时序信号。例如,传感器驱动器220可以接收水平同步信号Hsync。
水平周期1H从时间点t1g起直到下一时间点t8g,在所述时间点t1g,水平同步信号Hsync由第一逻辑电平(例如,低逻辑电平)改变为第二逻辑电平(例如,高逻辑电平),并且在所述下一时间点t8g,水平同步信号Hsync由第一逻辑电平改变为第二逻辑电平。
数据驱动器12(或显示驱动器210)可以在水平周期1H期间在时间点t1g开始针对像素PX中的至少一些(例如,第i像素行)输出数据电压(DATAij,...),并且可以在水平周期1H的时间点t6g结束数据电压(DATAij,...)的输出。例如,数据驱动器12可以在时段t1g至t6g期间向第j数据线DLj输出数据电压DATAij。
传感器驱动器220(或传感器发送器TDC)可以在水平周期1H期间在与时间点t1g和t6g不同的时间点t2g向传感器TX中的至少一些(例如,第k第一传感器TXk)发送感测信号(例如,上升转变信号)。例如,传感器驱动器220可以在时间点t5g向第k第一传感器TXk供应感测信号(例如,下降转变信号)。可以在输出数据电压DATAij的同时供应感测信号。
数据电压DATAij在其改变的时间点t1g可以对应于传感器弱时段wp1。在第k第一传感器TXk与像素PXij之间可能存在无意的寄生电容,并且在时间点t1g数据电压DATAij的改变可能作为感测噪声作用于传感器部分120。因此,传感器驱动器220应当避开用于感测的传感器弱时段wp1。
另外,其中扫描晶体管T2导通而数据线DLj由于数据电压DATAij的供应的终止而被浮置的从t6g至t7g的时段可以对应于显示弱时段wp2。当在显示弱时段wp2期间供应感测信号时,不正确的数据电压可能被写入像素PXij。因此,传感器驱动器220应当在避开显示弱时段wp2的同时进行感测。
根据本实施例,扫描驱动器13可以在水平周期1H期间从时间点t4g至时间点t7g针对像素PXij中的至少一些输出导通电平的扫描信号。在这种情况下,从时间点t6g至时间点t7g,可以不供应感测信号。
换言之,在其中像素部分14处于显示状态的第二模式下,传感器驱动器220需要在避开传感器弱时段wp1和显示弱时段wp2的同时供应感测信号。因此,在第二模式下,传感器驱动器220应当与水平同步信号Hsync同步。
另一方面,在其中像素部分14处于非显示状态的第三模式下,传感器驱动器220可以与水平同步信号Hsync不同步(见图23)。这是因为在第三模式下不存在传感器弱时段wp1和显示弱时段wp2。在这种情况下,传感器驱动器220可以不接收诸如水平同步信号Hsync的时序信号。当传感器驱动器220与水平同步信号Hsync不同步时,可以自由地供应感测信号,使得供应感测信号的频率可以增大。例如,传感器驱动器220可以将第三模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为大于第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。另一方面,参照图13的感测频率,由于第一模式的感测帧周期比第二模式的感测帧周期短,因此传感器驱动器220可以将第一模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为小于第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。
在本发明的一些实施例中,即使在第三模式下,传感器驱动器220也可以与水平同步信号Hsync同步(见图24)。即使在这种情况下,由于不存在传感器弱时段wp1和显示弱时段wp2,因此与第一模式和第二模式相比,可以自由地供应感测信号并且可以增大供应感测信号的频率。然而,在图24的情况下供应感测信号的频率可以低于图23的不同步的情况下供应感测信号的频率。
传感器驱动器220可以在第一模式下与水平同步信号Hsync不同步。在本发明的另一实施例中,传感器驱动器220可以在第一模式下与水平同步信号Hsync同步。
图25至图31是用于说明显示装置的示例构造的图。图25至图31的附图标记和图1至图24的附图标记彼此独立。
图25是用于说明根据本发明的实施例的基底的图,并且图26是用于说明根据本发明的实施例的显示装置的图。
在以下实施例中,平面的位置可以由第一方向DR1和第二方向DR2限定,并且高度的位置可以由第三方向DR3(见图27)限定。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以是彼此正交的方向。
基底SUB可以包括显示区域DA、非显示区域NDA、第一附加区域ADA1和第二附加区域ADA2。
显示区域DA可以具有矩形形状。显示区域DA的每个拐角可以具有成角度的形状或弯曲的形状。另外,在圆形显示器的情况下,显示区域DA可以具有圆形形状。另外,显示区域DA可以具有除了四边形形状之外的多边形形状或椭圆形形状。如此,显示区域DA的形状可以根据产品不同地设定。
像素可以设置在显示区域DA中。根据显示装置DP的类型,各个像素可以包括发光二极管或液晶层。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的外围。例如,非显示区域NDA可以具有矩形形状。非显示区域NDA的每个拐角可以具有成角度的形状或弯曲的形状。图26示出了其中非显示区域NDA的每个拐角具有弯曲的形状的情况。非显示区域NDA可以具有圆形形状。由于非显示区域NDA可以被最小化以具有窄边框结构,因此非显示区域NDA的形状可以类似于显示区域DA的形状。
第一附加区域ADA1可以设置在非显示区域NDA与第二附加区域ADA2之间。第一附加区域ADA1可以在第一边界ED1处连接到非显示区域NDA。第一附加区域ADA1可以在第二边界ED2处连接到第二附加区域ADA2。第一边界ED1和第二边界ED2可以分别在第一方向DR1上延伸。
第一附加区域ADA1的宽度可以从第一边界ED1至第二边界ED2变窄。换言之,第一附加区域ADA1在第一方向DR1上的宽度可以朝向第二方向DR2变窄。因此,第一附加区域ADA1可以包括弯曲的第一侧表面RC1和第二侧表面RC2。第一侧表面RC1和第二侧表面RC2可以朝向基底SUB的内部(例如,基底SUB的中心)凸出。
在图26中,第一附加区域ADA1被示出为包括在第一方向DR1上的第二侧表面RC2和在第一方向DR1的相反方向上的第一侧表面RC1。在本发明的另一实施例中,因为定位在第一方向DR1上的边界与非显示区域NDA的边界重合,所以第一附加区域ADA1可以仅包括第一侧表面RC1。在本发明的另一实施例中,因为定位在第一方向DR1的相反方向上的边界与非显示区域NDA的边界重合,所以第一附加区域ADA1可以仅包括第二侧表面RC2。
第二附加区域ADA2可以具有矩形形状。第二附加区域ADA2的定位在第二方向DR2上的每个拐角可以具有成角度的形状或弯曲的形状。图26示出了其中第二附加区域ADA2的定位在第二方向DR2上的每个拐角具有成角度的形状的情况。
封装膜TFE可以设置在像素上。例如,封装膜TFE可以覆盖显示区域DA中的像素,并且封装膜TFE的边界可以设置在非显示区域NDA中。封装膜TFE覆盖显示区域DA的像素的发光元件和电路元件,从而防止来自外部的湿气或冲击的损坏。
感测电极SC1和SC2可以设置在封装膜TFE上。感测电极SC1和SC2可以检测由用户的身体引起的触摸、悬停、手势或接近等。感测电极SC1和SC2根据诸如电阻型、电容型、电磁(EM)型和光学型的各种类型而具有不同的形状。例如,当感测电极SC1和SC2被配置为电容型时,感测电极SC1和SC2可以被配置为自电容型或互电容型。在下文中,为了更好地理解和易于描述,作为示例,将描述其中感测电极SC1和SC2被配置为互电容型的情况。
当感测电极SC1和SC2被配置为互电容型时,通过与第一感测电极SC1对应的感测布线发送驱动信号,并且可以通过与同第一感测电极SC1形成互电容的第二感测电极SC2对应的感测布线接收感测信号。当用户的身体接近时,第一感测电极SC1与第二感测电极SC2之间的互电容可以改变,并且根据感测信号之间的差异,可以检测是否存在用户的触摸。在本发明的另一实施例中,通过与第二感测电极SC2对应的感测布线发送驱动信号,并且可以通过与同第二感测电极SC2形成互电容的第一感测电极SC1对应的感测布线接收感测信号。
垫(pad,或称为“焊盘”或“焊垫”)PDE1、PDE2和PDE3可以设置在第二附加区域ADA2中。垫PDE1和PDE3可以通过感测布线IST1和IST2连接到设置在封装膜TFE上的感测电极SC1和SC2。垫PDE1和PDE3可以连接到外部触摸集成芯片。另外,垫PDE2可以通过显示布线DST连接到设置在封装膜TFE下面的像素或像素的驱动器。垫PDE2可以定位在垫PDE1与PDE3之间。驱动器可以包括扫描驱动器、发光驱动器、数据驱动器等。驱动器可以设置在封装膜TFE下面,或者可以设置在通过垫PDE2连接的外部显示器集成芯片上。
当显示装置DP是互电容型时,触摸集成芯片可以通过第一感测布线IST1发送驱动信号,并且可以通过第二感测布线IST2接收感测信号。在本发明的另一实施例中,可以通过第二感测布线IST2发送驱动信号,并且可以通过第一感测布线IST1接收感测信号。作为参考,当显示装置DP是自电容型时,第一感测布线IST1和第二感测布线IST2的驱动方法可以不存在差异。显示布线DST可以包括控制线、数据线、电力线等,并且可以提供信号,使得像素可以显示图像。这些信号可以从连接到显示布线DST的驱动器提供。
图25示出了其中基底SUB弯曲的状态,并且图26示出了其中基底SUB未弯曲的状态。在将元件堆叠在处于如图26中所示的未弯曲的状态下的基底SUB上之后,可以如图25中所示地使显示装置DP弯曲。
基底SUB可以包括从第一附加区域ADA1的第一侧表面RC1延伸以与非显示区域NDA叠置的第一弯曲区域BA1。另外,第一弯曲区域BA1可以延伸为与显示区域DA叠置。换言之,显示区域DA、非显示区域NDA和第一附加区域ADA1中的每个可以与第一弯曲区域BA1部分地叠置。第一弯曲区域BA1可以具有在第一方向DR1上的宽度,并且可以在第二方向DR2上纵向延伸。第一弯曲轴BX1可以被称为在第二方向DR2上从第一弯曲区域BA1的中心延伸的折叠线。在本发明的一些实施例中,与第一弯曲区域BA1附近的其他部分不同,第一弯曲区域BA1可以是显示装置DP的其中通过去除显示装置DP的绝缘膜的一部分来减小应力的部分。在本发明的一些实施例中,第一弯曲区域BA1可以具有与第一弯曲区域BA1周围的其他部分的构造相同的构造。
基底SUB可以包括从第一附加区域ADA1的第二侧表面RC2延伸以与非显示区域NDA叠置的第三弯曲区域BA3。另外,第三弯曲区域BA3可以延伸为与显示区域DA叠置。换言之,显示区域DA、非显示区域NDA和第一附加区域ADA1中的每个可以与第三弯曲区域BA3部分地叠置。第三弯曲区域BA3可以具有在第一方向DR1上的宽度,并且可以在第二方向DR2上纵向延伸。第三弯曲轴BX3可以被称为在第二方向DR2上从第三弯曲区域BA3的中心延伸的折叠线。在本发明的一些实施例中,与第三弯曲区域BA3附近的其他部分不同,第三弯曲区域BA3可以是显示装置DP的其中通过去除显示装置DP的绝缘膜的一部分来减小应力的部分。在本发明的一些实施例中,第三弯曲区域BA3可以具有与第三弯曲区域BA3周围的其他部分的构造相同的构造。
第二附加区域ADA2可以包括第二弯曲区域BA2。第二弯曲区域BA2可以具有在第二方向DR2上的宽度,并且可以在第一方向DR1上纵向延伸。第二弯曲轴BX2可以被称为在第一方向DR1上从第二弯曲区域BA2的中心延伸的折叠线。在本发明的一些实施例中,与第二弯曲区域BA2附近的其他部分不同,第二弯曲区域BA2可以是显示装置DP的其中通过去除显示装置DP的绝缘膜的一部分来减小应力的部分。在本发明的一些实施例中,第二弯曲区域BA2可以具有与第二弯曲区域BA2周围的其他部分的构造相同的构造。
第一弯曲区域至第三弯曲区域BA1、BA2和BA3可以彼此不叠置。
这里,术语“折叠”可以表示形状不是固定的,而是原始形状可以改变为另一形状,并且该形状沿着一个或更多个弯曲轴折叠、弯曲或卷曲。通过第一弯曲区域BA1和第三弯曲区域BA3,可以减小显示装置DP的第一方向DR1的相反方向的侧边框的宽度和第一方向DR1的侧边框的宽度。另外,可以通过第二弯曲区域BA2来减小显示装置DP的第二方向DR2的侧边框的宽度。
图27是沿着图26的线I-I’截取的剖视图。假设图26中的线I-I’穿过第一垫PDE1和第一感测布线IST1。
首先,将描述显示区域DA。在本实施例中,像素PX设置在显示区域DA中。每个像素PX可以包括电容器Cst、连接到显示布线DST之中的对应的布线的晶体管和连接到晶体管的发光元件。在图27中,为了更好地理解和易于描述,针对一个像素PX示出了一个晶体管、一个发光元件和一个电容器Cst。
基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。另外,基底SUB可以由柔性材料制成以是可弯曲或可折叠的,并且可以具有单层结构或多层结构。
例如,基底SUB可以至少包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而,包括在基底SUB中的材料可以不同地改变,并且还可以包括纤维增强塑料(FRP)。
例如,当基底SUB具有多层结构时,诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机材料可以以单层或者以多个层置于多个层之间。
缓冲膜BF可以覆盖基底SUB。缓冲膜BF可以防止杂质扩散到晶体管的沟道中。缓冲膜BF可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。例如,缓冲膜BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等制成,并且可以根据基底SUB的材料和工艺条件而被省略。在本发明的一些实施例中,还可以设置阻挡层。
有源膜ACT可以设置在缓冲膜BF上。有源膜ACT可以被图案化以形成晶体管的沟道、源电极和漏电极,或者形成布线。有源膜ACT可以由半导体材料制成。有源膜ACT可以是由多晶硅、非晶硅或氧化物半导体制成的半导体图案。晶体管的沟道是未掺杂有杂质的半导体图案,并且可以是本征半导体。源电极、漏电极和布线可以是掺杂有杂质的半导体图案。N型杂质、P型杂质和诸如金属的其他杂质可以用作杂质。
第一栅极绝缘膜GI1可以覆盖有源膜ACT。第一栅极绝缘膜GI1可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。作为无机材料,可以使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
晶体管的栅电极GE和电容器Cst的下电极LE可以设置在第一栅极绝缘膜GI1上。栅电极GE可以与对应于沟道的区域叠置。
栅电极GE和下电极LE可以由金属制成。例如,栅电极GE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或它们的合金制成。另外,栅电极GE可以形成为单膜,但不限于此,并且可以形成为其中金属和合金之中的两种或更多种材料堆叠的多膜。
第二栅极绝缘膜GI2可以覆盖栅电极GE和下电极LE。第二栅极绝缘膜GI2可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。作为无机材料,可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
电容器Cst的上电极UE可以设置在第二栅极绝缘膜GI2上。电容器Cst的上电极UE可以由金属制成。例如,上电极UE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或它们的合金制成。另外,上电极UE可以形成为单膜,但不限于此,并且可以形成为其中金属和合金之中的两种或更多种材料堆叠的多膜。
下电极LE和上电极UE可以构成电容器Cst,且第二栅极绝缘膜GI2置于下电极LE与上电极UE之间。在图27中,电容器Cst被示出为具有下电极LE和上电极UE的两层电极结构,但是在本发明的另一实施例中,电容器Cst可以通过使用有源膜ACT而具有三层电极结构,或者可以通过使用与第一连接图案CNP1同一层的电极而具有三层电极结构或者四层或更多层结构。
层间绝缘膜ILD可以覆盖上电极UE。层间绝缘膜ILD可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。作为无机材料,可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
为了在本实施例中更好地理解和易于描述,第一栅极绝缘膜GI1、第二栅极绝缘膜GI2和层间绝缘膜ILD可以被称为第一绝缘膜组ING1。第一绝缘膜组ING1可以覆盖晶体管的一部分。在本发明的一些实施例中,第一绝缘膜组ING1还可以包括缓冲膜BF。第一绝缘膜组ING1可以延伸到非显示区域NDA。
第一连接图案CNP1可以设置在层间绝缘膜ILD上。第一连接图案CNP1可以通过形成在层间绝缘膜ILD、第二栅极绝缘膜GI2和第一栅极绝缘膜GI1中的接触孔分别接触有源膜ACT的源电极和漏电极。
第一连接图案CNP1可以由金属制成。例如,第一连接图案CNP1可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或它们的合金制成。
在一些实施例中,钝化膜可以覆盖第一连接图案CNP1。钝化膜可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。作为无机材料,可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
第一过孔膜VIA1可以覆盖钝化膜或晶体管。第一过孔膜VIA1可以是由有机材料制成的有机绝缘膜。作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。可以通过诸如蒸发的方法沉积有机膜。
第二连接图案CNP2可以通过第一过孔膜VIA1的开口连接到第一连接图案CNP1。第二连接图案CNP2可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或它们的合金制成。
第二过孔膜VIA2可以覆盖第一过孔膜VIA1和第二连接图案CNP2。第二过孔膜VIA2可以是由有机材料制成的有机绝缘膜。作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
第一发光元件电极LDE1可以通过第二过孔膜VIA2的开口连接到第二连接图案CNP2。第一发光元件电极LDE1可以直接设置在第二过孔膜VIA2上。这里,在本发明的一些实施例中,第一发光元件电极LDE1可以是发光元件的阳极。
在本发明的一些实施例中,可以省略第二过孔膜VIA2和第二连接图案CNP2的构造,并且第一发光元件电极LDE1可以通过第一过孔膜VIA1的开口直接连接到第一连接图案CNP1。
第一发光元件电极LDE1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属和它们的合金以及/或者氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)制成。第一发光元件电极LDE1可以由一种类型的金属制成,但不限于此,并且可以由两种或更多种类型的金属(例如,Ag和Mg的合金)制成。
当要在基底SUB的下方方向上提供图像时,第一发光元件电极LDE1可以由透明导电膜形成,当要在基底SUB的上方方向上提供图像时,第一发光元件电极LDE1可以由金属反射膜和/或透明导电膜形成。
使每个像素PX的发光区域分隔的像素限定膜PDL设置在其上形成有第一发光元件电极LDE1的基底SUB上。像素限定膜PDL可以是由有机材料制成的有机绝缘膜。作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
像素限定膜PDL可以暴露第一发光元件电极LDE1的上表面,并且可以沿着像素PX的周界从基底SUB突出。发光膜EML可以设置在像素PX的被像素限定膜PDL围绕的区域中。换言之,发光膜EML可以设置在像素限定膜PDL的开口中。
发光膜EML可以包括低分子材料或高分子材料。低分子材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等。这些材料可以通过真空沉积的方法形成。高分子材料可以包括PEDOT、聚苯撑乙烯(PPV)类材料和聚芴类材料。
发光膜EML可以设置为单层,或者可以设置为包括各种功能层的多层。当发光膜EML设置为多层时,发光膜EML可以具有其中空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层以单一结构或复杂结构堆叠的结构。这种发光膜EML可以通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法或激光诱导热成像方法(LITI)形成。
在本发明的一些实施例中,发光膜EML中的至少一部分可以一体地形成在多个第一发光元件电极LDE1上,并且发光膜EML可以单独地设置,以与多个第一发光元件电极LDE1中的每个对应。
第二发光元件电极LDE2可以设置在发光膜EML上。第二发光元件电极LDE2可以针对每个像素PX设置,但是可以设置为覆盖显示区域DA的大部分并且可以由多个像素PX共享。例如,第二发光元件电极LDE2可以覆盖像素限定膜PDL。
在本发明的一些实施例中,第二发光元件电极LDE2可以用作阴极或阳极,当第一发光元件电极LDE1是阳极时,第二发光元件电极LDE2可以用作阴极,当第一发光元件电极LDE1是阴极时,第二发光元件电极LDE2可以用作阳极。
第二发光元件电极LDE2可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属膜以及/或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层形成。在本发明的实施例中,第二发光元件电极LDE2可以由包括金属薄膜的双膜或更多膜的多膜形成,或者例如由ITO/Ag/ITO的三膜形成。
当要在基底SUB的下方方向上提供图像时,第二发光元件电极LDE2可以由金属反射膜和/或透明导电膜形成,当要在基底SUB的上方方向上提供图像时,第二发光元件电极LDE2可以由透明导电膜形成。
上述第一发光元件电极LDE1、发光膜EML和第二发光元件电极LDE2的组可以被称为发光元件。
封装膜TFE可以设置在第二发光元件电极LDE2上。封装膜TFE可以形成为单层,但也可以形成为多层。在本实施例中,封装膜TFE可以包括第一封装膜至第三封装膜ENC1、ENC2和ENC3。第一封装膜至第三封装膜ENC1、ENC2和ENC3可以由有机材料和/或无机材料制成。设置在封装膜TFE的最外部分处的第三封装膜ENC3可以由无机材料制成。例如,第一封装膜ENC1可以是由无机材料制成的无机膜,第二封装膜ENC2可以是由有机材料制成的有机膜,并且第三封装膜ENC3可以是由无机材料制成的无机膜。与有机材料相比,无机材料具有较少的湿气和氧的渗透,但是由于其低弹性或低柔性而易受裂纹的影响。可以通过用无机材料形成第一封装膜ENC1和第三封装膜ENC3并且用有机材料形成第二封装膜ENC2来防止裂纹的传播。这里,由有机材料制成的层(换言之,第二封装膜ENC2)可以被第三封装膜ENC3完全覆盖,使得第二封装膜ENC2的端部不暴露于外部。作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)或苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料,作为无机材料,可以使用聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
形成发光元件的发光膜EML可能容易被来自外部的湿气或氧损坏。封装膜TFE通过覆盖发光膜EML来保护发光膜EML。封装膜TFE覆盖显示区域DA,并且可以延伸到显示区域DA外部的非显示区域NDA。然而,尽管由有机材料制成的绝缘膜在柔性和弹性方面是有用的,但是与由无机材料制成的绝缘膜相比,由有机材料制成的绝缘膜允许湿气和氧更容易地渗透。在本实施例中,为了防止湿气或氧通过由有机材料制成的绝缘膜渗透,由有机材料制成的绝缘膜的端部可以被由无机材料制成的绝缘膜覆盖,以不暴露于外部。例如,由有机材料制成的第一过孔膜VIA1、第二过孔膜VIA2和像素限定膜PDL不连续地延伸到非显示区域NDA,而是可以被第一封装膜ENC1覆盖。因此,像素限定膜PDL的上表面以及第一过孔膜VIA1、第二过孔膜VIA2和像素限定膜PDL的侧表面被包括无机材料的封装膜TFE封装,使得它们可以不暴露于外部。
然而,封装膜TFE是否为多层或者封装膜TFE的材料不限于此,并且可以不同地改变。例如,封装膜TFE可以包括交替堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
第一感测电极层ISM1可以设置在封装膜TFE上。在本发明的一些实施例中,可以在第一感测电极层ISM1与封装膜TFE之间设置附加的缓冲膜。第一感测电极层ISM1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属膜以及/或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层形成。
第一感测绝缘膜ISI1可以存在于第一感测电极层ISM1上。第一感测绝缘膜INI1可以是由无机材料制成的无机绝缘膜。作为无机材料,可以使用诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第二感测电极层ISM2可以存在于第一感测绝缘膜ISI1上。第二感测电极层ISM2可以与第一感测电极层ISM1间隔开。第二感测电极层ISM2可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属膜以及/或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层形成。
可以通过使用第一感测电极层ISM1、第一感测绝缘膜ISI1和第二感测电极层ISM2来构造各种输入检测器,这将稍后在图29至图31中描述。
在图27的实施例中,第二感测电极层ISM2可以被图案化,以构造第一感测布线IST1的第一图案IST1a。
第二感测绝缘膜ISI2可以存在于第二感测电极层ISM2上。第二感测绝缘膜ISI2可以由有机膜形成。例如,作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。例如,第二感测绝缘膜ISI2可以由聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯制成。
在下文中,将描述非显示区域NDA、第一附加区域ADA1和第二附加区域ADA2。在图27的剖视图中,将不单独描述非显示区域NDA和第一附加区域ADA1。在下文中,在非显示区域NDA和第二附加区域ADA2的描述中,将省略或简单地描述上面描述的内容,以避免重复描述。
坝DAM可以设置在第二封装膜ENC2的边界处。例如,坝DAM可以设置在平坦化膜FLT与第二封装膜ENC2之间。坝DAM可以具有多层结构,例如,可以包括第一坝DAM1和第二坝DAM2。第二坝DAM2可以堆叠在第一坝DAM1上,并且第一坝DAM1可以比第二坝DAM2宽。例如,第一坝DAM1和第二坝DAM2可以由有机材料制成。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个可以对应于第一过孔膜VIA1、第二过孔膜VIA2和像素限定膜PDL中的一个。例如,当第一坝DAM1与第一过孔膜VIA1通过相同的工艺由相同的材料制成时,第二坝DAM2可以与第二过孔膜VIA2或像素限定膜PDL通过相同的工艺由相同的材料制成。作为另一示例,当第一坝DAM1与第二过孔膜VIA2通过相同的工艺由相同的材料制成时,第二坝DAM2可以与像素限定膜PDL通过相同的工艺由相同的材料制成。另外,当在显示区域DA的像素限定膜PDL上形成间隔件时,可以通过使用与间隔件的材料相同的材料来形成坝DAM。
坝DAM防止第二封装膜ENC2的具有强流动性的有机材料在制造工艺期间溢出到坝DAM的外部。由无机材料制成的第一封装膜ENC1和第三封装膜ENC3覆盖坝DAM并延伸到坝DAM之外,从而增强对基底SUB或基底SUB上的其他膜的粘附性。例如,第一封装膜ENC1可以在坝DAM之外与层间绝缘膜ILD直接接触。
第一垫PDE1设置在基底SUB上,但是可以与平坦化膜FLT间隔开。第一垫PDE1可以由第二绝缘膜组ING2支撑。第二绝缘膜组ING2的绝缘膜中的每个可以对应于第一绝缘膜组ING1的绝缘膜中的每个。第一垫PDE1可以包括第一垫电极PDE1a和第二垫电极PDE1b。第一垫电极PDE1a可以与第一连接图案CNP1由相同的材料制成。第二垫电极PDE1b可以与第二连接图案CNP2由相同的材料制成。
平坦化膜FLT设置在基底SUB上,但是可以与由封装膜TFE覆盖的区域间隔开。平坦化膜FLT可以是由有机材料制成的有机绝缘膜。作为有机材料,可以使用诸如聚丙烯酰类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类碳化合物(诸如特氟隆)和苯并环丁烯化合物的有机绝缘材料。
在本实施例中,平坦化膜FLT可以在形成层间绝缘膜ILD之后并且在形成第一连接图案CNP1之前形成。因此,平坦化膜FLT和第一过孔膜VIA1可以通过不同的工艺形成。在本发明的一些实施例中,平坦化膜FLT和第一过孔膜VIA1可以包括不同的有机材料。
平坦化膜FLT的一端可以覆盖第一绝缘膜组ING1。另外,平坦化膜FLT的与第二弯曲区域BA2对应的部分可以填充第一绝缘膜组ING1与第二绝缘膜组ING2之间的第一沟槽TCH1。在第一沟槽TCH1中,平坦化膜FLT可以直接接触基底SUB。
由于无机绝缘膜与有机绝缘膜相比具有高硬度和低柔性,因此出现裂纹的可能性相对高。当在无机绝缘膜中出现裂纹时,裂纹可能传播到无机绝缘膜上的布线,并且最终可能出现诸如布线断裂的缺陷。
因此,如图27中所示,从第二弯曲区域BA2去除无机绝缘膜,从而可以形成第一沟槽TCH1,并且可以划分第一绝缘膜组ING1和第二绝缘膜组ING2。在本实施例中,示出了与第一沟槽TCH1的区域对应的无机绝缘膜中的全部被去除,但是在本发明的另一实施例中,可以保留无机绝缘膜中的一些。例如,无机绝缘膜中的一些可以接触基底SUB。在这种情况下,一些剩余的无机绝缘膜可以包括狭缝,从而分散弯曲应力。
第一感测布线IST1的第二图案IST1b可以在平坦化膜FLT上延伸,并且可以电连接到第一垫PDE1。在本实施例中,第二图案IST1b可以与第一连接图案CNP1通过相同的工艺由相同的材料制成。
第一布线保护膜LPL1可以覆盖平坦化膜FLT和第二图案IST1b。另外,第二布线保护膜LPL2可以覆盖第一布线保护膜LPL1。在本发明的一些实施例中,可以省略第二布线保护膜LPL2的构造。第一布线保护膜LPL1和第二布线保护膜LPL2可以由有机材料制成。第一布线保护膜LPL1和第二布线保护膜LPL2中的每个可以对应于第一过孔膜VIA1、第二过孔膜VIA2和像素限定膜PDL中的一个。例如,当第一布线保护膜LPL1与第一过孔膜VIA1通过相同的工艺由相同的材料制成时,第二布线保护膜LPL2可以与第二过孔膜VIA2或像素限定膜PDL通过相同的工艺由相同的材料制成。作为另一示例,当第一布线保护膜LPL1与第二过孔膜VIA2通过相同的工艺由相同的材料制成时,第二布线保护膜LPL2可以与像素限定膜PDL通过相同的工艺由相同的材料制成。
第一布线保护膜LPL1和第二布线保护膜LPL2以及第一感测绝缘膜ISI1可以包括其中第二图案IST1b与第一图案IST1a叠置的第一开口OPN1。
第一图案IST1a可以通过第一开口OPN1连接到第二图案IST1b。根据本实施例,设置在与第一绝缘膜组ING1的一端对应的平坦化膜FLT上的第二图案IST1b的高度可以大于设置在与第一沟槽TCH1对应的平坦化膜FLT上的第二图案IST1b的高度。
因此,第一图案IST1a和第二图案IST1b可以在没有桥布线的情况下直接连接,由于不存在桥布线,因此第一图案IST1a与第二图案IST1b之间的连接可靠性增加。另外,由于非显示区域NDA的长度可以减小桥布线的长度那么多,因此能够减小死区空间并且能够容易地实现薄边框。
第一感测布线IST1的第三图案IST1c可以将第一垫PDE1和第二图案IST1b连接。第三图案IST1c可以与晶体管的栅电极GE通过相同的工艺由相同的材料制成。在本发明的一些实施例中,第三图案IST1c可以与上电极UE通过相同的工艺由相同的材料制成。在本发明的一些实施例中,奇数编号的第三图案IST1c可以与晶体管的栅电极GE通过相同的工艺由相同的材料形成,并且偶数编号的第三图案IST1c可以与上电极UE通过相同的工艺由相同的材料形成。相反,偶数编号的第三图案IST1c可以与晶体管的栅电极GE通过相同的工艺由相同的材料形成,并且奇数编号的第三图案IST1c可以与上电极UE通过相同的工艺由相同的材料形成。因此,可以更有效地防止相邻布线之间的短路。
第二绝缘膜组ING2可以包括暴露第三图案IST1c的第二开口OPN2。另外,平坦化膜FLT可以包括与第二开口OPN2对应的开口。第二图案IST1b可以通过第二开口OPN2连接到第三图案IST1c。
图28是沿着图26的线II-II’截取的剖视图。
图26的线II-II’可以对应于第一弯曲轴BX1。然而,相同的实施例不仅可以应用于第一侧表面RC1,而且可以应用于第二侧表面RC2。
显示布线DST可以通过使用布线G1L、G2L和SDL中的至少一个由单层布线或多层布线构成。布线G1L可以与栅电极GE通过相同的工艺由相同的材料制成。布线G2L可以与上电极UE通过相同的工艺由相同的材料制成。布线SDL可以与第一连接图案CNP1通过相同的工艺由相同的材料制成。
第一感测布线IST1的第一图案IST1a和第二感测布线IST2的第二图案IST2a(基于第三方向DR3)设置在封装膜TFE和第一感测绝缘膜ISI1上,并且(基于第二方向DR2)设置在坝DAM与显示区域DA之间。第一感测绝缘膜ISI1可以设置在封装膜TFE与感测布线IST1和IST2之间。
图29和图30是用于说明根据本发明的实施例的感测电极和桥电极的图。图30示出了沿着图29的线III-III’截取的剖视图。
可以通过使第一感测电极层ISM1图案化来将桥电极CP1设置在封装膜TFE上。
第一感测绝缘膜ISI1覆盖桥电极CP1,并且可以包括使桥电极CP1的一部分暴露的接触孔CNT。
可以通过使第二感测电极层ISM2图案化来将第一感测电极SC1和第二感测电极SC2形成在第一感测绝缘膜ISI1上。第一感测电极SC1可以通过接触孔CNT连接到桥电极CP1。
通过使第二感测电极层ISM2图案化,第二感测电极SC2可以在同一层中具有连接图案CP2。换言之,第二感测电极SC2和连接图案CP2可以一体地形成。因此,用于连接第二感测电极SC2的单独的桥电极可以不是必需的。
在本发明的一些实施例中,第一感测电极SC1和第二感测电极SC2中的每个可以覆盖多个像素PX。在这种情况下,当第一感测电极SC1和第二感测电极SC2中的每个由不透明导电膜形成时,可以包括使被覆盖的多个像素PX通过其暴露的多个开口。例如,第一感测电极SC1和第二感测电极SC2中的每个可以被构造为网格形状。当第一感测电极SC1和第二感测电极SC2中的每个由透明导电膜形成时,第一感测电极SC1和第二感测电极SC2中的每个可以形成为没有开口的板的形式。
图31是用于说明根据本发明的另一实施例的感测电极和桥电极的图。
图31示出了沿着图29的线III-III’截取的另一剖视图。
可以通过使设置在封装膜TFE上的第一感测电极层ISM1图案化来形成第一感测电极SC1和第二感测电极SC2。
第一感测绝缘膜ISI1可以覆盖第一感测电极SC1和第二感测电极SC2,并且可以包括使第一感测电极SC1的一部分暴露的接触孔CNT。
可以通过使设置在第一感测绝缘膜ISI1上的第二感测电极层ISM2图案化来形成桥电极CP1。桥电极CP1可以通过接触孔CNT连接到第一感测电极SC1。
图32至图34是用于说明根据本发明的另一实施例的包括像素的显示装置的图。
图32示出了用于说明根据本发明的实施例的显示部分和显示驱动器的示意图。
参照图32,显示驱动器210可以包括时序控制器11和数据驱动器12,并且显示部分110可以包括扫描驱动器13、像素部分14和发射驱动器15。然而,如上所述,各个功能部分将集成到一个IC中或集成到多个IC中还是将安装在显示基底111上可以根据显示装置1的规格而不同地构造。
时序控制器11可以从处理器9接收用于每个显示帧周期的灰度和时序信号。这里,处理器9可以对应于图形处理单元(GPU)、中央处理单元(CPU)和应用处理器(AP)中的至少一个。时序信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号等。
垂直同步信号的每个周期可以对应于每个显示帧周期。水平同步信号的每个周期可以对应于每个水平周期。可以响应于数据使能信号的使能电平的脉冲而在每个水平周期中以水平线为单位供应灰度。水平线可以表示连接到同一扫描线和同一发光线的像素(例如,像素行)。
时序控制器11可以将灰度渲染为与显示装置1的规格对应。例如,处理器9可以为每个单位点提供红色灰度、绿色灰度和蓝色灰度。例如,当像素部分14具有RGB条纹结构时,像素可以一对一地对应于每个灰度。在这种情况下,灰度的渲染可能不是必需的。然而,例如,当像素部分14具有
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结构时,由于相邻的单位点共享像素,因此像素可能不一对一地对应于每个灰度。在这种情况下,灰度的渲染可能是必需的。渲染的或未渲染的灰度可以被提供给数据驱动器12。另外,时序控制器11可以向数据驱动器12提供数据控制信号。另外,时序控制器11可以向扫描驱动器13提供扫描控制信号,并且可以向发射驱动器15提供发光控制信号。
数据驱动器12可以通过使用从时序控制器11接收的灰度和数据控制信号来生成将要提供给数据线(DL1、DL2、DL3、DL4、...、DLn)的数据电压(换言之,数据信号)。n可以是大于零的整数。
扫描驱动器13可以通过使用从时序控制器11接收的扫描控制信号(例如,时钟信号、扫描起始信号等)来生成将要提供给扫描线(SL0、SL1、SL2、...、SLm)的扫描信号。扫描驱动器13可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地供应给扫描线SL0至SLm。扫描驱动器13可以包括以移位寄存器的形式配置的扫描级。扫描驱动器13可以通过根据时钟信号的控制将作为脉冲类型的导通电平的扫描起始信号顺序地发送给下一扫描级的方法来生成扫描信号。m可以是大于零的整数。
发射驱动器15可以通过使用从时序控制器11接收的发光控制信号(例如,时钟信号、发光停止信号等)来生成将要提供给发光线(EL1、EL2、EL3、...、ELo)的发光信号。发射驱动器15可以将具有截止电平脉冲的发光信号顺序地供应给发光线EL1至ELo。发射驱动器15可以包括以移位寄存器的形式配置的发光级。发射驱动器15可以通过根据时钟信号的控制将具有截止电平脉冲的形式的发光停止信号顺序地发送给下一发光级来生成发光信号。o可以是大于零的整数。
像素部分14包括像素。每个像素PXij可以连接到对应的数据线、扫描线和发光线。像素可以包括发射第一颜色光的像素、发射第二颜色光的像素和发射第三颜色光的像素。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以是不同的颜色。例如,第一颜色可以是红色、绿色和蓝色中的一种颜色,第二颜色可以是红色、绿色和蓝色中的除第一颜色之外的一种颜色,并且第三颜色可以是红色、绿色、蓝色中的除第一颜色和第二颜色之外的剩余颜色。另外,可以使用品红色、青色和黄色代替红色、绿色和蓝色作为第一颜色至第三颜色。
图33是用于说明根据本发明的实施例的像素的图。
参照图33,像素PXij包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及发光元件LD。
在下文中,作为示例将描述由P型晶体管构造的电路。然而,通过改变施加到栅极端子的电压的极性,可以设计由N型晶体管构造的电路。还可以设计由P型晶体管和N型晶体管的组合构造的电路。P型晶体管指其中当栅电极与源电极之间的电压差在负方向上增大时电流的量增大的晶体管。N型晶体管指其中当栅电极与源电极之间的电压差在正方向上增大时电流的量增大的晶体管。晶体管可以具有诸如薄膜晶体管(TFT)、场效应晶体管(FET)和双极结型晶体管(BJT)的各种类型。
在第一晶体管T1中,栅电极可以连接到第一节点N1,第一电极可以连接到第二节点N2,并且第二电极可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
在第二晶体管T2中,栅电极可以连接到扫描线SLi1,第一电极可以连接到数据线DLj,并且第二电极可以连接到第二节点N2。第二晶体管T2可以被称为扫描晶体管。
在第三晶体管T3中,栅电极可以连接到扫描线SLi2,第一电极可以连接到第一节点N1,并且第二电极可以连接到第三节点N3。第三晶体管T3可以被称为二极管连接晶体管。
在第四晶体管T4中,栅电极可以连接到扫描线SLi3,第一电极可以连接到第一节点N1,并且第二电极可以连接到初始化线INTL。第四晶体管T4可以被称为栅极初始化晶体管。
在第五晶体管T5中,栅电极可以连接到第i发光线ELi,第一电极可以连接到第一电力线ELVDDL,并且第二电极可以连接到第二节点N2。第五晶体管T5可以被称为发光晶体管。在本发明的另一实施例中,第五晶体管T5的栅电极可以连接到与连接到第六晶体管T6的栅电极的发光线不同的发光线。
在第六晶体管T6中,栅电极可以连接到第i发光线ELi,第一电极可以连接到第三节点N3,并且第二电极可以连接到发光元件LD的阳极。第六晶体管T6可以被称为发光晶体管。在本发明的另一实施例中,第六晶体管T6的栅电极可以连接到与连接到第五晶体管T5的栅电极的发光线不同的发光线。在这种情况下,第五晶体管T5的栅极和第六晶体管T6的栅极可以不彼此连接。
在第七晶体管T7中,栅电极可以连接到扫描线SLi4,第一电极可以连接到初始化线INTL,并且第二电极可以连接到发光元件LD的阳极。第七晶体管T7可以被称为发光元件初始化晶体管。
存储电容器Cst的第一电极可以连接到第一电力线ELVDDL,并且存储电容器Cst的第二电极可以连接到第一节点N1。换言之,存储电容器Cst的第二电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极。
发光元件LD的阳极可以连接到第六晶体管T6的第二电极,并且发光元件LD的阴极可以连接到第二电力线ELVSSL。发光元件LD可以是发光二极管。发光元件LD可以包括有机发光二极管、无机发光二极管和量子点/量子阱发光二极管。发光元件LD可以以第一颜色、第二颜色和第三颜色中的一种发光。另外,在本实施例中,在每个像素中仅设置一个发光元件LD,但是在本发明的另一实施例中,可以在每个像素中设置多个发光元件。在这种情况下,多个发光元件可以串联、并联或串联/并联连接。
第一电源电压可以被施加到第一电力线ELVDDL,第二电源电压可以被施加到第二电力线ELVSSL,并且初始化电压可以被施加到初始化线INTL。例如,第一电源电压可以大于第二电源电压。例如,初始化电压可以等于或大于第二电源电压。例如,初始化电压可以对应于可以被提供的数据电压中的最小一个。在另一示例中,初始化电压可以小于可以被提供的数据电压。
图34是用于说明图33的像素的示例驱动方法的图。
在下文中,为了更好地理解和易于描述,假设扫描线SLi1、SLi2、SLi4为第i扫描线SLi,并且扫描线SLi3为第i-1扫描线SL(i-1)。然而,根据本发明的实施例,扫描线SLi1、SLi2、SLi3和SLi4可以具有各种连接关系。例如,扫描线SLi4可以是第i-1扫描线或第i+1扫描线。
首先,将具有截止电平(例如,逻辑高电平)的发光信号施加到第i发光线ELi,将用于第i-1像素的数据电压DATA(i-1)j施加到数据线DLj,并且将具有导通电平(例如,逻辑低电平)的扫描信号施加到扫描线SLi3。逻辑高电平或逻辑低电平可以根据晶体管是P型晶体管还是N型晶体管而变化。
在这种情况下,由于具有截止电平的扫描信号被施加到扫描线SLi1和SLi2,因此第二晶体管T2处于截止状态,并且其防止用于第i-1像素的数据电压DATA(i-1)j被输入到像素PXij。
在这种情况下,由于第四晶体管T4处于导通状态,因此第一节点N1连接到初始化线INTL,使得第一节点N1的电压被初始化。由于具有截止电平的发光信号被施加到发光线ELi,因此第五晶体管T5和第六晶体管T6处于截止状态,并且防止发光元件LD根据初始化电压施加过程的不必要的发光。
接着,将用于第i像素PXij的数据电压DATAij施加到数据线DLj,并且将具有导通电平的扫描信号施加到扫描线SLi1和SLi2。因此,第二晶体管T2、第一晶体管T1和第三晶体管T3导通,因此数据线DLj与第一节点N1电连接。因此,通过从数据电压DATAij减去第一晶体管T1的阈值电压而获得的补偿电压被施加到存储电容器Cst的第二电极(换言之,第一节点N1),并且存储电容器Cst保持与第一电源电压和补偿电压之间的差对应的电压。该时段可以被称为阈值电压补偿时段或数据写入时段。
另外,当扫描线SLi4是第i扫描线时,第七晶体管T7导通,因此发光元件LD的阳极和初始化线INTL连接,并且发光元件LD以与初始化电压和第二电源电压之间的电压差对应的电荷的量初始化。
此后,当将具有导通电平的发光信号施加到第i发光线ELi时,第五晶体管T5和第六晶体管T6可以导通。因此,形成将第一电力线ELVDDL、第五晶体管T5、第一晶体管T1、第六晶体管T6、发光元件LD和第二电力线ELVSSL连接的驱动电流路径。
根据保持在存储电容器Cst中的电压来调节流过第一晶体管T1的第一电极和第二电极的驱动电流的量。发光元件LD发射具有与驱动电流的量对应的亮度的光。发光元件LD发光,直到截止电平的发光信号被施加到发光线ELi为止。
当发光信号具有导通电平时,接收对应的发光信号的像素可以处于显示状态。因此,其中发光信号具有导通电平的时段可以被称为发光时段(或发光许可时段)EP。另外,当发光信号具有截止电平时,接收对应的发光信号的像素可以处于非显示状态。因此,其中发光信号具有截止电平的时段可以被称为非发光时段(或发光非许可时段)NEP。
图34中描述的非发光时段NEP是为了防止像素PXij在初始化时段和数据写入时段期间发射具有不期望亮度的光。
在将写入像素PXij中的数据保持(例如,一个帧周期)的同时,可以另外设置一个或更多个非发光时段NEP。这可以用于通过减少像素PXij的发光时段EP来有效地表达低灰度级,或者用于使图像的运动平滑地模糊。
虽然已经结合本发明的实施例描述了本发明,但是将理解的是,发明不限于所公开的实施例,而是旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。因此,本领域技术人员将理解的是,本发明的各种修改和其他等同实施例是可能的。

Claims (10)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素部分,包括像素;
传感器部分,与所述像素部分叠置并且包括传感器;以及
传感器驱动器,在包括多个感测时间的第一模式下在每个感测时间内将感测信号发送给所述传感器部分的第一区域中的p个传感器,在包括多个感测时间的第二模式下在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的q个传感器,并且在包括多个感测时间的第三模式下在每个感测时间内将感测信号发送给第一区域中的r个传感器,
其中,p是大于0的整数,
q和r是大于p的整数,并且
所述传感器驱动器将感测频率、第一区域、每感测帧周期的感测时间的数量、所述传感器驱动器是否与所述像素部分的时序信号同步和感测信号的电压电平中的至少一者设定为在所述第二模式和所述第三模式下不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第三模式的感测频率设定为低于所述第二模式的感测频率。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第一模式的感测频率设定为高于所述第二模式的感测频率。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第三模式的第一区域设定为小于所述第二模式的第一区域。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器在所述第三模式下仅向第一区域的传感器供应感测信号,并且
所述传感器驱动器在所述第二模式下向第一区域外部的传感器供应感测信号。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第三模式的第一区域设定为与所述第二模式的第一区域部分地叠置或者不与所述第二模式的第一区域叠置。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第三模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为大于所述第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器将所述第一模式的每感测帧周期的感测时间的数量设定为小于所述第二模式的每感测帧周期的感测时间的数量。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述时序信号包括水平同步信号,并且
所述传感器驱动器在供应感测信号时在所述第三模式下与所述水平同步信号不同步。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述传感器驱动器在供应感测信号时在所述第二模式下与所述水平同步信号同步。
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