CN115480428A - 抗反射的显示面板及显示装置、制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗反射的显示面板及显示装置、制作方法，抗反射的显示面板包括彩膜基板、与彩膜基板相对设置的阵列基板以及位于彩膜基板与阵列基板之间的液晶层，彩膜基板上设有黑矩阵、色阻以及抗反射电极，黑矩阵将多个色阻相互间隔开，抗反射电极位于黑矩阵和色阻远离液晶层的一侧，抗反射电极为网格状结构并覆盖整个彩膜基板。通过在彩膜基板上设置抗反射电极，抗反射电极本身具有抗反射或低反射率的效果，不仅可以降低黑矩阵和色阻对环境光的反射，还可以起到防止静电以及屏蔽外界电场的作用；而且再将抗反射电极设置为网格状结构，网格状结构可以进一步增加抗反射电极的抗反射效果，使得显示面板的对环境光的反射率大大降低。
Description
技术领域
本发明涉及显示器的技术领域，特别是涉及一种抗反射的显示面板及显示装置、制作方法。
背景技术
随着技术的发展，消费者对显示面板的要求越来越高，特别是在外观和性能上，外观、性能已经成为消费者购买显示屏幕应用产品的关键因素。作为用户交互操作的第一界面，显示面板是用户与消费产品操作和交互的窗口，对于室内及户外型应用产品，消费者要求其在高亮光环境下，也能做到高对比度、高清晰率等，同时还追求美观的屏框一体化。降低屏幕反射率既能增加产品在各个视角下的可读性，又能有效维持整个显示面板融于边框黑色，实现更漂亮的外观。因此，对显示面板低反射的要求日趋增高。
而现有显示面板为解决静电电场影响，通常需在彩膜基板表面会额外增加一层导电ITO膜，将残留静电或外部电场引出到阵列驱动板的接地端，由于导电ITO膜的折射率和玻璃的折射率差异较大，导电ITO膜会形成一层反射层。同时，显示面板的彩膜基板上通常会设有色阻和黑矩阵，但是，色阻和黑矩阵存在较大的反射率，会降低产品在强光下的可视性。因此，由于导电ITO膜形成的反射层以及色阻和黑矩阵的反射作用，显示面板反射率将大大提高，大幅降低了产品的强光下可读性。在车载显示面板上，为了保证行车安全，反射率要求在＜1％，较高的反射率不仅会降低产品在强光下可读性，也会大大增加行车危险。
针对上述问题，目前显示行业的一般做法是导电ITO膜减薄或导电ITO膜消影，但导电ITO膜减薄的工艺复杂，控制难度高，导电ITO膜更容易被腐蚀，可靠性低，而导电ITO膜消影则需要在导电ITO膜镀上一层AR增透膜，增大工艺难度和产品成本，总体上导电ITO膜减薄或导电ITO膜消影的工艺改善空间有限，无法有效降低屏幕反射率达到用户要求的状态。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种抗反射的显示面板及显示装置、制作方法，以解决现有技术中显示面板反射率较大的问题。
本发明的目的通过下述技术方案实现：
本发明提供一种抗反射的显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对设置的阵列基板以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述彩膜基板上设有黑矩阵、色阻以及抗反射电极，所述黑矩阵将多个所述色阻相互间隔开，所述抗反射电极位于所述黑矩阵和所述色阻远离所述液晶层的一侧，所述抗反射电极为网格状结构并覆盖整个所述彩膜基板。
进一步地，所述抗反射电极包括相互层叠设置的金属层和金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述金属层远离所述液晶层的一侧，所述金属层和所述金属氧化物层在所述彩膜基板上的投影相互重合。
进一步地，所述抗反射电极包括金属氧化物层，所述金属氧化物层和所述黑矩阵在所述彩膜基板上的投影相互重合。
进一步地，所述抗反射电极还包括与所述金属氧化物层相互层叠设置的金属层，所述金属氧化物层位于所述金属层远离所述液晶层的一侧，所述金属层和所述金属氧化物层在所述彩膜基板上的投影相互重合。
进一步地，所述抗反射电极设于所述彩膜基板靠近所述液晶层的一侧；或所述抗反射电极设于所述彩膜基板远离所述液晶层的一侧。
进一步地，所述抗反射电极远离所述液晶层的表面为粗糙表面。
进一步地，所述彩膜基板上设有平坦保护层，所述平坦保护层覆盖住所述抗反射电极。
本申请中还提供一种显示装置，包括如上所述的抗反射的显示面板。
本申请中还提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法用于制作如上所述的抗反射的显示面板，所述制作方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上依次覆盖抗反射电极层和光阻层；
提供一具有图案画的掩模板，以所述掩模板为遮挡对所述光阻层进行曝光处理；
对所述光阻层进行显影处理，使所述光阻层形成网格状结构；
以网格状结构的所述光阻层为阻挡，对所述抗反射电极层进行蚀刻处理，使所述抗反射电极层形成网格状结构的的抗反射电极；
在所述衬底上制作黑矩阵和色阻，所述黑矩阵将多个所述色阻相互间隔开；
提供阵列基板和液晶层，将所述衬底、所述阵列基板以及所述液晶层进行成盒处理，所述液晶层密封于所述衬底和所述阵列基板之间。
进一步地，所述抗反射电极设于所述衬底远离所述液晶层的一侧，所述抗反射电极包括金属层和金属氧化物层，所述制作方法包括：在所述衬底上依次覆盖所述金属层、所述金属氧化物层以及所述光阻层；
或者，所述抗反射电极设于所述衬底靠近所述液晶层的一侧，所述抗反射电极包括金属层和金属氧化物层，所述制作方法包括：在所述衬底上依次覆盖所述金属氧化物层、所述金属层以及所述光阻层；
或者，所述抗反射电极设于所述衬底靠近所述液晶层的一侧，所述抗反射电极包括金属氧化物层，所述制作方法包括：在所述衬底上依次覆盖所述金属氧化物层和所述光阻层。
本发明有益效果在于：通过在彩膜基板上设置抗反射电极，抗反射电极本身具有抗反射或低反射率的效果，不仅可以降低黑矩阵和色阻对环境光的反射，还可以起到防止静电以及屏蔽外界电场的作用，同时也大大减小了显示面板的厚度以及制作成本；而且再将抗反射电极设置为网格状结构，网格状结构可以进一步增加抗反射电极的抗反射效果，使得显示面板的对环境光的反射率大大降低，提高显示面板在强光下的可读性。
附图说明
图1是本发明实施例一中显示装置在黑态的结构示意图；
图2是本发明实施例一中显示装置在白态的结构示意图；
图3是本发明实施例一中抗反射电极的平面结构示意图；
图4a-4g是本发明实施例一中彩膜基板制作过程的结构示意图；
图5是本发明实施例二中显示装置在黑态的结构示意图；
图6是本发明实施例二中显示装置在白态的结构示意图；
图7是本发明实施例二中抗反射电极的平面结构示意图；
图8是本发明实施例三中显示装置在黑态的结构示意图；
图9是本发明实施例三中显示装置在白态的结构示意图；
图10a-10g是本发明实施例三中彩膜基板制作过程的结构示意图；
图11是本发明实施例四中显示装置在黑态的结构示意图；
图12是本发明实施例四中显示装置在白态的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的抗反射的显示面板及显示装置、制作方法的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
[实施例一]
图1是本发明实施例一中显示面板在黑态的结构示意图。图2是本发明实施例一中显示面板在白态的结构示意图。图3是本发明实施例一中抗反射电极的平面结构示意图。
如图1至图3所示，本发明实施例一提供的一种抗反射的显示面板10，包括彩膜基板11、与彩膜基板11相对设置的阵列基板12以及位于彩膜基板11与阵列基板12之间的液晶层13，彩膜基板11上设有黑矩阵111、色阻112以及抗反射电极14，黑矩阵111将多个色阻112相互间隔开，抗反射电极14位于黑矩阵111和色阻112远离液晶层13的一侧，抗反射电极14为网格状结构并覆盖整个彩膜基板11，同时可以通过银胶与抗反射电极14电连接，以将残留静电或外部电场引出到阵列驱动板的接地端。其中，抗反射电极14具有抗反射以及导电性的双重特性，抗反射电极14例如为金属氧化物(例如氧化钼)、金属氧化物(例如氧化钼)和金属(例如铝、钼)的结合。当然，抗反射电极14也可以采用其他具有低反射率以及导电性的材料制成。抗反射电极14的网格状结构具有根据实际情况来设置孔隙率，其中，孔隙率在一定范围内，孔隙率加大可以增加显示面板透光率，但会降低抗反射电极14的抗反射效果；孔隙率减小可以增加抗反射电极14的抗反射效果，但会降低显示面板透光率。
本申请通过在彩膜基板11上设置抗反射电极14，抗反射电极14本身具有抗反射或低反射率的效果，不仅可以降低黑矩阵111和色阻112对环境光的反射，还可以起到防止静电以及屏蔽外界电场的作用，同时也大大减小了显示面板10的厚度以及制作成本；而且再将抗反射电极14设置为网格状结构，网格状结构可以进一步增加抗反射电极14的抗反射效果，使得显示面板10的对环境光的反射率大大降低，提高显示面板10在强光下的可读性。
本实施例中，抗反射电极14设于彩膜基板11远离液晶层13的一侧，黑矩阵111和色阻112设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，即抗反射电极14相对于黑矩阵111和色阻112更加靠近外环境。其中，色阻112包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的色阻材料，并对应形成红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的子像素，黑矩阵111设于每个子像素的边缘并呈网格状结构。如图3所示，抗反射电极14和黑矩阵111在彩膜基板11上的投影形状不相同，黑矩阵111的网格状结构为矩形结构，抗反射电极14的网格状结构为菱形结构。采用菱形结构的抗反射电极，不会影响显示面板的透过率。
本实施例中，抗反射电极14包括相互层叠设置的金属层141和金属氧化物层142，金属氧化物层142位于金属层141远离液晶层13的一侧，金属层141和金属氧化物层142在彩膜基板11上的投影相互重合。其中，金属氧化物层142具有低反射率，金属氧化物层142搭配金属层141，不仅可以降低金属氧化物层142的反射率，还可以降低金属氧化物层142的阻抗。金属层141例如为铝、钼，金属氧化物层142例如为氧化钼，氧化钼的反射率约4.5％，黑矩阵111和色阻112的反射率约5.3％，在黑矩阵111和色阻112靠近外环境的一侧设置抗反射电极14，可以大大降低显示面板的反射率。
进一步地，抗反射电极14远离液晶层13的表面为粗糙表面，例如抗反射电极14中的金属氧化物层142的表面为粗糙表面，可以对抗反射电极14远离液晶层13的金属氧化物层142的表面进行物理打磨或者化学试剂打磨，使得抗反射电极14远离液晶层13的金属氧化物层142的表面形成粗糙表面，从而进一步降低抗反射电极14的反射率。
进一步地，彩膜基板11上设有平坦保护层113，平坦保护层113覆盖住抗反射电极14。平坦保护层113不仅可以对抗反射电极14起到平坦化作用，还可以对抗反射电极14起到保护作用。其中，平坦保护层113可以采用OC或者透明防水油墨。
本实施例中，液晶层13优选采用正性液晶分子，即介电各向异性为正的液晶分子。初始状态的时候，液晶层13中的正性液晶分子平行于彩膜基板11和阵列基板12进行配向，靠近彩膜基板11一侧的正性液晶分子与靠近阵列基板12一侧的正性液晶分子的配向方向平行或反向平行。当然，在其他实施例中，液晶层13也可采用负性液晶分子，液晶层13中的负性液晶分子可垂直于彩膜基板11和阵列基板12进行配向，即类似于VA显示模式的配向方式。
进一步地，彩膜基板11上设有第一偏光片21，阵列基板12上设有第二偏光片22，第一偏光片21的透光轴与第二偏光片22的透光轴相互垂直。
如图1所示，本实施例中，阵列基板12朝向液晶层13的一侧还设有公共电极121，公共电极121与像素电极122位于不同层并通过绝缘层绝缘隔离。公共电极121可位于像素电极122上方或下方(图1中所示为公共电极121位于像素电极122的下方)。优选地，公共电极121为整面设置的面状电极，像素电极122为在每个像素单元内整块设置的块状电极或者具有多个电极条的狭缝电极，以形成边缘场开关模式(Fringe Field Switching，FFS)。当然，在其他实施例中，像素电极122与公共电极121可位于同一层，但是两者相互绝缘隔离开，像素电极122和公共电极121各自均可包括多个电极条，像素电极122的电极条和公共电极121的电极条相互交替排列，以形成面内切换模式(In-Plane Switching，IPS)；或者，在其他实施例中，阵列基板12在朝向液晶层13的一侧设有像素电极122，彩膜基板11在朝向液晶层13的一侧设有公共电极121，以形成TN模式或VA模式。
其中，彩膜基板11以及阵列基板12可以用玻璃、丙烯酸和聚碳酸酯等材料制成。公共电极121以及像素电极122的材料可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
本实施例中还提供一种显示装置，如图1和图2所示，显示装置包括背光模组30以及如上所述的显示面板10。背光模组30位于显示面板10的下方，用于给显示面板10提供背光源。
背光模组30可以是侧入式背光模组，也可以是直下式背光模组。优选地，背光模组30采用准直背光(CBL，collimated backlight)模式，可对光线起到收光的作用，保证显示效果。
背光模组30包括背光源31和防窥层(图中未示出)，防窥层用于缩小光线射出角度的范围。背光源31和防窥层之间还设有增亮膜32，增亮膜32增加背光模组30的亮度。其中，防窥层相当一个微型的百叶窗结构，可以阻挡入射角度较大的光线，使入射角度较小的光线穿过，使穿过防窥层的光线的角度范围变小。防窥层包括多个平行设置的多个光阻墙和位于相邻两个光阻墙之间的透光孔，光阻墙的两侧设有吸光材料。当然，背光源31也可以是采用集光式背光源，从而无需设置防窥层，但是集光式背光源较常规的背光源更加昂贵。
图4a-4g是本发明实施例一中彩膜基板制作过程的结构示意图。包括图4a-4g所示的彩膜基板的制作方法，本实施例中还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的显示面板，该制作方法包括：
如图4a和图4b所示，提供一衬底1，在衬底1上依次覆盖抗反射电极层和光阻层2。其中，衬底1可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。抗反射电极层具有抗反射以及导电性的双重特性，抗反射电极14例如为金属氧化物(例如氧化钼)、金属氧化物(例如氧化钼)和金属(例如铝、钼)的结合。当然，抗反射电极14也可以采用其他具有低反射率以及导电性的材料制成。光阻层2可以采用正性光阻材料，也可以采用负性光阻材料。
本实施例中，抗反射电极14设于衬底1远离液晶层13的一侧，抗反射电极14包括金属层141和金属氧化物层142，该制作方法具体包括：在衬底1上依次覆盖金属层141、金属氧化物层142以及光阻层2，即金属层141位于衬底1和金属氧化物层142之间。其中，金属层141例如为铝、钼，金属氧化物层142例如为氧化钼。
如图4c所示，提供一具有图案画的掩模板3，以掩模板3为遮挡对光阻层2进行曝光处理。掩模板3具有透光区域和阻光区域，其中，阻光区域为菱形的网格状结构。
如图4d所示，对光阻层2进行显影处理，去除被曝光区域的光阻材料，使光阻层2形成菱形的网格状结构。
如图4e所示，以网格状结构的光阻层2为阻挡，对抗反射电极层进行蚀刻处理，使抗反射电极层形成网格状结构的的抗反射电极14。具体地，金属层141和金属氧化物层142均会形成相同的网格状结构。
如图4f-4g所示，剥离掉光阻层2，然后在衬底1上覆盖平坦保护层113，坦保护层113覆盖住抗反射电极14。最后在衬底1的另一侧表面上制作黑矩阵111和色阻112，黑矩阵111将多个色阻112相互间隔开，最终形成彩膜基板11。在其它实施例中，在剥离掉光阻层2后，还可以进一步对金属氧化物层142的表面进行物理打磨或者化学试剂打磨，使得金属氧化物层142远离液晶层13的表面形成粗糙表面，从而进一步降低抗反射电极14的反射率。
最后，提供阵列基板12和液晶层13，将彩膜基板11、阵列基板12以及液晶层13进行成盒处理，液晶层13密封于彩膜基板11和阵列基板12之间从而形成显示面板10。
[实施例二]
图5是本发明实施例二中显示装置在黑态的结构示意图。图6是本发明实施例二中显示装置在白态的结构示意图。图7是本发明实施例二中抗反射电极的平面结构示意图。如图5-图7所示，本发明实施例二提供的显示面板及显示装置、制作方法与实施例一(图1至图4g)中的显示面板及显示装置、制作方法基本相同，抗反射电极14为网格状结构并覆盖整个彩膜基板11，同时可以通过银胶与抗反射电极14电连接，以将残留静电或外部电场引出到阵列驱动板的接地端。不同之处在于，在本实施例中，抗反射电极14为矩形的网格状结构，抗反射电极14和黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，即抗反射电极14与黑矩阵111一样，只位于像素开口区的边缘。因此，在制作抗反射电极14和制作黑矩阵111时，可以采用相同的掩模板3。
本实施例通过将抗反射电极14在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，从而使得抗反射电极14不会影响显示面板10的透光率，同时还可以降低黑矩阵111对环境光的反射效果，以降低显示面板10的反射率，以及进一步减少制作成本。
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
[实施例三]
图8是本发明实施例三中显示装置在黑态的结构示意图。图9是本发明实施例三中显示装置在白态的结构示意图。如图8-图9所示，本发明实施例三提供的显示面板及显示装置、制作方法与实施例一(图1至图4g)中的显示面板及显示装置、制作方法基本相同，，抗反射电极14为网格状结构并覆盖整个彩膜基板11，同时可以通过银胶与抗反射电极14电连接，以将残留静电或外部电场引出到阵列驱动板的接地端。不同之处在于，在本实施例中，抗反射电极14为矩形的网格状结构，抗反射电极14和黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，即抗反射电极14与黑矩阵111一样，只位于像素开口区的边缘。
本实施例中，抗反射电极14设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，平坦保护层113同样也设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧并覆盖住抗反射电极14。黑矩阵111和色阻112设于平坦保护层113靠近液晶层13的一侧。
本实施例通过将抗反射电极14在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，从而使得抗反射电极14不会影响显示面板10的透光率，同时还可以降低黑矩阵111对环境光的反射效果，以降低显示面板10的反射率。以及将抗反射电极14设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，从而在制作彩膜基板11时，无需将衬底1进行翻面，黑矩阵111和色阻112直接设于平坦保护层113上，简化制作工艺，同时降低抗反射电极14被损坏的风险。
图10a-10g是本发明实施例三中彩膜基板制作过程的结构示意图。如图10a-10g所示，本实施例中还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的显示面板，该制作方法包括：
如图10a和图10b所示，提供一衬底1，在衬底1上依次覆盖抗反射电极层和光阻层2。其中，衬底1可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。抗反射电极层具有抗反射以及导电性的双重特性，抗反射电极14例如为金属氧化物(例如氧化钼)、金属氧化物(例如氧化钼)和金属(例如铝、钼)的结合。当然，抗反射电极14也可以采用其他具有低反射率以及导电性的材料制成。光阻层2可以采用正性光阻材料，也可以采用负性光阻材料。
本实施例中，抗反射电极14设于衬底1靠近液晶层13的一侧，抗反射电极14包括金属层141和金属氧化物层142，制作方法包括：在衬底1上依次覆盖金属氧化物层142、金属层141以及光阻层2，即金属氧化物层142位于衬底1和金属层141之间。其中，金属层141例如为铝、钼，金属氧化物层142例如为氧化钼。
如图10c所示，提供一具有图案画的掩模板3，以掩模板3为遮挡对光阻层2进行曝光处理。掩模板3具有透光区域和阻光区域，其中，阻光区域为矩形的网格状结构。
如图10d所示，对光阻层2进行显影处理，去除被曝光区域的光阻材料，使光阻层2形成矩形的网格状结构。
如图10e所示，以网格状结构的光阻层2为阻挡，对抗反射电极层进行蚀刻处理，使抗反射电极层形成网格状结构的的抗反射电极14。具体地，金属层141和金属氧化物层142均会形成相同的网格状结构。
如图10f-10g所示，剥离掉光阻层2，然后在衬底1上覆盖平坦保护层113，坦保护层113覆盖住抗反射电极14。最后在平坦保护层113的表面上制作黑矩阵111和色阻112，黑矩阵111将多个色阻112相互间隔开，最终形成彩膜基板11。其中，抗反射电极14在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，在制作抗反射电极14和制作黑矩阵111时，可以采用相同的掩模板3。
最后，提供阵列基板12和液晶层13，将彩膜基板11、阵列基板12以及液晶层13进行成盒处理，液晶层13密封于彩膜基板11和阵列基板12之间从而形成显示面板10。
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
[实施例四]
图11是本发明实施例四中显示装置在黑态的结构示意图。图12是本发明实施例四中显示装置在白态的结构示意图。如图11-图12所示，本发明实施例四提供的显示面板及显示装置、制作方法与实施例一(图1至图4g)中的显示面板及显示装置、制作方法基本相同，抗反射电极14为网格状结构并覆盖整个彩膜基板11，同时可以通过银胶与抗反射电极14电连接，以将残留静电或外部电场引出到阵列驱动板的接地端。不同之处在于，在本实施例中，抗反射电极14和黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，即抗反射电极14与黑矩阵111一样，只位于像素开口区的边缘。
本实施例中，抗反射电极14设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，平坦保护层113同样也设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧并覆盖住抗反射电极14。黑矩阵111和色阻112设于平坦保护层113靠近液晶层13的一侧。
本实施例通过将抗反射电极14在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，从而使得抗反射电极14不会影响显示面板10的透光率，同时还可以降低黑矩阵111对环境光的反射效果，以降低显示面板10的反射率。以及将抗反射电极14设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，从而在制作彩膜基板11时，无需将衬底1进行翻面，黑矩阵111和色阻112直接设于平坦保护层113，简化制作工艺，同时降低抗反射电极14被损坏的风险。
本实施例中，由于抗反射电极14设于彩膜基板11靠近液晶层13的一侧，抗反射电极14与黑矩阵111之间的间距较小，因此，抗反射电极14只采用金属氧化物层142即可，金属氧化物层142在搭配黑矩阵111的情况下，也可以降低金属氧化物层142的反射率。
本实施例中还提供一种显示面板的制作方法，该制作方法用于制作如上所述的显示面板，该制作方法包括：
提供一衬底1，在衬底1上依次覆盖抗反射电极层和光阻层2。其中，衬底1可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。抗反射电极层具有抗反射以及导电性的双重特性，抗反射电极14例如为金属氧化物(例如氧化钼)。当然，抗反射电极14也可以采用其他具有低反射率以及导电性的材料制成。光阻层2可以采用正性光阻材料，也可以采用负性光阻材料。
本实施例中，抗反射电极14设于衬底1靠近液晶层13的一侧，抗反射电极14包括金属氧化物层142，该制作方法包括：在衬底1上依次覆盖金属氧化物层142和光阻层2。
提供一具有图案画的掩模板3，以掩模板3为遮挡对光阻层2进行曝光处理。掩模板3具有透光区域和阻光区域，其中，阻光区域为矩形的网格状结构。
对光阻层2进行显影处理，去除被曝光区域的光阻材料，使光阻层2形成矩形的网格状结构。
以网格状结构的光阻层2为阻挡，对抗反射电极层进行蚀刻处理，使抗反射电极层形成网格状结构的的抗反射电极14。
剥离掉光阻层2，然后在衬底1上覆盖平坦保护层113，坦保护层113覆盖住抗反射电极14。最后在平坦保护层113的表面上制作黑矩阵111和色阻112，黑矩阵111将多个色阻112相互间隔开，最终形成彩膜基板11。其中，金属氧化物层142在彩膜基板11上的投影与黑矩阵111在彩膜基板11上的投影相互重合，在制作金属氧化物层142和制作黑矩阵111时，可以采用相同的掩模板3。
最后，提供阵列基板12和液晶层13，将彩膜基板11、阵列基板12以及液晶层13进行成盒处理，液晶层13密封于彩膜基板11和阵列基板12之间从而形成显示面板10。
本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。
在本文中，所涉及的上、下、左、右、前、后等方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。还应当理解，本文中使用的术语“第一”和“第二”等，仅用于名称上的区分，并不用于限制数量和顺序。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限定，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰，为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种抗反射的显示面板，其特征在于，包括彩膜基板(11)、与所述彩膜基板(11)相对设置的阵列基板(12)以及位于所述彩膜基板(11)与所述阵列基板(12)之间的液晶层(13)，所述彩膜基板(11)上设有黑矩阵(111)、色阻(112)以及抗反射电极(14)，所述黑矩阵(111)将多个所述色阻(112)相互间隔开，所述抗反射电极(14)位于所述黑矩阵(111)和所述色阻(112)远离所述液晶层(13)的一侧，所述抗反射电极(14)为网格状结构并覆盖整个所述彩膜基板(11)。
2.根据权利要求1所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述抗反射电极(14)包括相互层叠设置的金属层(141)和金属氧化物层(142)，所述金属氧化物层(142)位于所述金属层(141)远离所述液晶层(13)的一侧，所述金属层(141)和所述金属氧化物层(142)在所述彩膜基板(11)上的投影相互重合。
3.根据权利要求1所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述抗反射电极(14)包括金属氧化物层(142)，所述金属氧化物层(142)和所述黑矩阵(111)在所述彩膜基板(11)上的投影相互重合。
4.根据权利要求3所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述抗反射电极(14)还包括与所述金属氧化物层(142)相互层叠设置的金属层(141)，所述金属氧化物层(142)位于所述金属层(141)远离所述液晶层(13)的一侧，所述金属层(141)和所述金属氧化物层(142)在所述彩膜基板(11)上的投影相互重合。
5.根据权利要求1所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述抗反射电极(14)设于所述彩膜基板(11)靠近所述液晶层(13)的一侧；或所述抗反射电极(14)设于所述彩膜基板(11)远离所述液晶层(13)的一侧。
6.根据权利要求1所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述抗反射电极(14)远离所述液晶层(13)的表面为粗糙表面。
7.根据权利要求1所述的抗反射的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(11)上设有平坦保护层(113)，所述平坦保护层(113)覆盖住所述抗反射电极(14)。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的抗反射的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1-7任一项所述的抗反射的显示面板，所述制作方法包括：
提供一衬底(1)，在所述衬底(1)上依次覆盖抗反射电极层和光阻层(2)；
提供一具有图案画的掩模板(3)，以所述掩模板(3)为遮挡对所述光阻层(2)进行曝光处理；
对所述光阻层(2)进行显影处理，使所述光阻层(2)形成网格状结构；
以网格状结构的所述光阻层(2)为阻挡，对所述抗反射电极层进行蚀刻处理，使所述抗反射电极层形成网格状结构的的抗反射电极(14)；
在所述衬底(1)上制作黑矩阵(111)和色阻(112)，所述黑矩阵(111)将多个所述色阻(112)相互间隔开；
提供阵列基板(12)和液晶层(13)，将所述衬底(1)、所述阵列基板(12)以及所述液晶层(13)进行成盒处理，所述液晶层(13)密封于所述衬底(1)和所述阵列基板(12)之间。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述抗反射电极(14)设于所述衬底(1)远离所述液晶层(13)的一侧，所述抗反射电极(14)包括金属层(141)和金属氧化物层(142)，所述制作方法包括：在所述衬底(1)上依次覆盖所述金属层(141)、所述金属氧化物层(142)以及所述光阻层(2)；
或者，所述抗反射电极(14)设于所述衬底(1)靠近所述液晶层(13)的一侧，所述抗反射电极(14)包括金属层(141)和金属氧化物层(142)，所述制作方法包括：在所述衬底(1)上依次覆盖所述金属氧化物层(142)、所述金属层(141)以及所述光阻层(2)；
或者，所述抗反射电极(14)设于所述衬底(1)靠近所述液晶层(13)的一侧，所述抗反射电极(14)包括金属氧化物层(142)，所述制作方法包括：在所述衬底(1)上依次覆盖所述金属氧化物层(142)和所述光阻层(2)。
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| CN115857210A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-28 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 盖板及制作方法、显示装置 |
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2022
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