CN115424993A - 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法 - Google Patents

一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115424993A
CN115424993A CN202211083372.6A CN202211083372A CN115424993A CN 115424993 A CN115424993 A CN 115424993A CN 202211083372 A CN202211083372 A CN 202211083372A CN 115424993 A CN115424993 A CN 115424993A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat exchange
nanopore
chip
layer
boiling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211083372.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115424993B (zh
Inventor
石尔
易苹
赵斌
姜昌伟
汪琼
王友兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changsha University of Science and Technology
Original Assignee
Changsha University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changsha University of Science and Technology filed Critical Changsha University of Science and Technology
Priority to CN202211083372.6A priority Critical patent/CN115424993B/zh
Publication of CN115424993A publication Critical patent/CN115424993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115424993B publication Critical patent/CN115424993B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B1/00—Devices without movable or flexible elements, e.g. microcapillary devices
    • B81B1/002—Holes characterised by their shape, in either longitudinal or sectional plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00087—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00214—Processes for the simultaneaous manufacturing of a network or an array of similar microstructural devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法，属于浸没式液冷技术领域。换热结构加工于芯片硅衬底上，与芯片形成一体，其中换热结构为周期性条纹结构嵌套纳米孔的双层结构。针对强化沸腾换热，本发明一方面增加了气泡有效气化核心数目，另一方面实现了气液通道的分离，在高热流密度下将新鲜液体及时供给到气泡中心底部，主动形成用于液体补充和气泡逸出的流动路径，从而降低沸腾起始过热度，显著提高核态沸腾的换热性能和临界热流密度。本发明方法工艺简单，生产成本低，制造的换热结构直接嵌入芯片的有效区域下方，避免了接触热阻的影响，不需要消耗额外的泵送功率，产品高度可控，适合大规模产业化。

Description

一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法
技术领域
本发明属于强化传热技术领域，具体涉及一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法。
背景技术
5G、工业互联网、云计算成为数字经济时代的新型基础设施，作为其“骨骼”的数据中心在规模和数量方面都呈现出爆发式增长态势，高/超高电子元器件集成度和大量数据吞吐和运算带来的高热流密度机械电子装置的散热问题已成为电子行业继续发展的瓶颈。
浸没式沸腾传热是将高热流密度电子器件直接浸没在绝缘电子冷却液中，利用沸腾时的汽化潜热带走热量的一种高强度换热方式。这种换热方式具有极高的传热系数和良好的均温性，同时大幅度削减了散热系统的空间占用、系统复杂性和泵功率，受到国内外很多学者的广泛关注。但是，相比于水，电子冷却液表面张力较小，汽化潜热和导热系数较低，其局限性在于其换热系数和临界热流密度不易提升。
在现有技术中，微电子器件的生产工艺使得其裸露在外的硅衬底表面通常为光滑面，其气化核心数量少，导致沸腾启动困难，因此，利用强化表面技术来提高沸腾换热显得尤为重要。很多学者提出开发多孔介质表面能显著促进沸腾传热性能，但未能解决高热流密度时沸腾性能恶化的问题。
在近年的研究发现，在高热流密度区或接近临界热流密度时，换热表面产生的大量气体脱离换热表面，气液两相之间的摩擦阻力显著增大，从而增大了新鲜液体在垂直于换热表面方向上的补给难度，这是导致临界热流密度难以进一步提高的主要原因。因此减小垂直于换热表面方向上的气液两相间摩擦阻力，将气体脱离路径和液体补给路径分开，对进一步提高换热表面高热流密度区换热性能和临界热流密度有重要作用。
发明内容
本发明的目的是提供一种嵌入芯片内部衬底表面强化沸腾散热结构及制造方法，通过纳米多孔双层复合结构增加气化核心数目和分离气液两相流动通道的目的，达到降低沸腾起始过热度、提升沸腾传热系数与临界热流密度的效果。
本发明的目的还在于突破传统散热部件和电子元件分离的局限，提供硅衬底强化沸腾散热结构的制造方法，该方法可对衬底材料进行精准微纳结构加工，制备便捷，流程简单，产品可控，适合大规模产业化。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，所述换热结构适用于浸没式液冷服务器中的芯片，且所述换热结构设置于所述芯片的硅衬底表面；所述换热结构为硅衬底自身经过激光处理所形成的双层复合结构，复合结构的下层为周期性条纹嵌套纳米孔沟槽结构，上层为纳米孔链结构，且所述纳米孔链结构表面形成有自组织纳米颗粒。
优选地，所述周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构中，条纹宽度为2-50μm，间距为10-100μm。
优选地，所述纳米孔链结构中，单个纳米孔长度为200-800nm，宽度为100-300nm，纳米孔链间距为0.5-10μm。
优选地，所述周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构沿条纹的延伸方向贯穿硅衬底。
优选地，所述周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构的沟槽横截面为矩形、梯形或三角形。
一种制造如上述任一项所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构的方法，包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次经过丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，并用氮气吹干；
(2)将步骤(1)得到的硅衬底放置于三维微位移平台；
(3)按照设定的参数，采用聚焦透镜聚焦之后的飞秒激光光束对放置于三维微位移平台的硅衬底进行激光加工，第一次在硅衬底表面沿水平方向扫描出周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构，第二次沿所述周期性条纹的垂直方向扫描诱导纳米孔链结构，在表面同一位置先后烧蚀二次，形成正交扫描加工，实现下层周期沟槽和上层纳米孔链的气液分离通道。
优选地，在所述步骤(3)中，所述飞秒激光所采用的激光器波长为800nm，脉冲宽度为90-100fs，重复频率为1kHz，扫描速度为1-5mm/s，激光功率为1-10mW，激光偏振和扫描方向一致。
优选地，所述硅衬底的电阻率为0.1-3Ω·cm，平整度小于10μm，表面粗糙度小于0.5nm。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本申请中的技术方案，突破传统散热部件和电子元件分离的局限，在芯片硅衬底的光滑表面加工纳米多孔双层复合结构，增加了气化核心的数目，同时双层结构减小垂直于换热表面方向上的气液两相间摩擦阻力，将气体脱离通道和液体补给通道分开，使得超浸润性的绝缘电子冷却液在沸腾过程中能够产生更多的气泡，并且有利于气泡的脱离和液体的补充，降低了沸腾起始过热度，显著提高核态沸腾换热系数及临界热流密度，提升了芯片的液冷散热效果，大大减小了散热部件所占空间，有效解决芯片抛光表面沸腾冷却性能不好的难题。另外，本申请是自身形成的微纳结构，与现有的强化沸腾传热表面的微通道结构(CN113782452A)不同，现有技术中是先加工了微米结构再沉积纳米结构，会存在结合力的问题。
本发明利用飞秒激光微纳加工平台，通过精确控制激光能量密度、偏振方向、扫描方向、扫描速度和扫描次数可以实现硅衬底材料上沸腾微纳结构的精准、方便、快捷制造，在同一表面同时满足了减小核态沸腾起始过热度、增大传热系数和临界热流密度的多重需求，产品高度可控，适合大规模产业化。虽然使用激光在金属表面多次扫描是现有技术，也能形成与本申请相类似的结构，但是现有技术中的该方案仅公开用于生物微流体器件、太阳能电池吸收增强、显示、防伪、波导和数据存储等领域，并未提及该结构可以用于强化传热领域，本发明是首次将该方案用于强化传热。
附图说明
图1为本发明纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构的制造流程示意图；
图2为硅表面双层复合结构的扫描电镜图：(a)放大5000倍，(b)放大25000倍；
图3为光滑表面与硅基纳米多孔双层复合结构表面HFE-7100沸腾起始温度和临界热流密度比较(过冷度3K)(过热度与临界热流密度的曲线图)；
图4为光滑表面与硅基纳米多孔双层复合结构表面的沸腾传热系数比较(过冷度3K)(临界热流密度与沸腾换热系数的关系图)；
图5为光滑表面与硅基纳米多孔双层复合结构表面HFE-7100沸腾起始温度和临界热流密度比较(过冷度35K)(过热度与临界热流密度的曲线图)；
图6为光滑表面与硅基纳米多孔双层复合结构表面的沸腾传热系数比较(过冷度35K)(临界热流密度与沸腾换热系数的关系图)。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的描述。
请参照图1，本发明提供的制造方法如下：
硅片表面处理：选用掺P的N型硅片，硅样品尺寸为10mm×10mm，厚度为0.5mm，电阻率为1～3Ω·cm，晶相<100>，平整度小于10μm，粗糙度小于0.5nm，用丙酮、无水乙醇和去离子水分别超声清洗10min，并用氮气吹干。
飞秒激光加工：用飞秒激光线扫描加工方式对硅片表面进行扫描加工，通过飞秒脉冲激光放大级输出脉冲宽度为100fs、重复频率1kHz飞秒激光脉冲(中心波长800nm，美国相干公司飞秒激光系统)，通过焦距为15cm的聚焦透镜聚焦后的飞秒激光光束直接对三维微位移平台上的硅样品进行激光线扫描直写。利用半波片和格兰棱镜的组合连续调节飞秒脉冲激光的输出能量，通过PC控制三维微位移平台在XYZ三个方向的移动。设定激光线扫描步进间距为10μm；激光功率2mW，线扫描速度1mm/s，飞秒激光在硅表面沿水平方向扫描加工一次后，再沿垂直方向扫描加工一次，在硅表面同一位置先后烧蚀二次，且激光的偏振方向和扫描方向一致，形成正交扫描加工，实现下层周期条纹和上层纳米孔链的分离通道，通过扫描电镜测得单个纳米孔近似为长方形，长约800nm，宽度300nm，纳米孔间距约为720nm。
图2展示了按以上方法所制造的纳米多孔复合结构的表面SEM表征图。显然，周期条纹嵌套纳米孔链结构的双层复合表面产生了诸多微纳米级空腔，而且在空腔附近形成大量的自组织纳米颗粒结构(见图2(b)的圆圈)，这些空腔和颗粒可成为潜在的有效汽化核心，同时纳米空腔的存在提高了毛细芯吸力。而整体结构呈现下层周期条纹和上层纳米孔链的嵌套结构，为汽液相分离提供可能。
加热体的处理：加热体为上述硅片，其电阻率为1～3Ω·cm，以实现硅片自身电阻加热。使用超声波焊机将硅片和铜线用焊锡连接起来，在焊接时注意控制焊头温度在350℃以防硅片开裂。焊接完成后，用40℃的无水乙醇对硅片超声清洗15min。用导热胶将热电偶粘到硅片背面以测量硅片表面温度。
换热性能的评估：采用池沸腾装置进行测试，与常用池沸腾装置类似，其包括：沸腾池腔体、加热体(硅片)、恒温控制系统(辅助加热棒与不锈钢盘管控温)、温度采集系统(热电偶采集)、冷凝系统(蛇形冷凝管冷却气态工质)、高速摄像机、绝热配件等。实验开始装入试件，注入低表面能电子冷却液HFE-7100，利用辅助加热棒和不锈钢盘管维持池沸腾腔体内的过冷度：3K-35K。缓慢提升加热体功率，全程记录热电偶温度数据。通过获取的不同沸腾阶段的温度数据，绘制出相应的沸腾曲线。
图3～图6展示了按以上方法所制造的周期条纹嵌套纳米孔链结构表面及光滑硅表面在不同过热度下，工质为HFE-7100的沸腾曲线。如图3和图4所示，在过冷度为3K时，光滑硅表面的沸腾起始过热度ΔTsat＝25.8K，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的ΔTsat＝19.6K，相对于光滑硅表面沸腾起始过热度降低了6.2K；光滑硅表面的最高沸腾换热系数为0.70W/(cm2·K)，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的最高沸腾换热系数为1.10W/(cm2·K)，沸腾换热系数增强了57.14％；光滑硅表面的临界热流密度为20.5W/cm2，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的临界热流密度为33.3W/cm2，临界热流密度提高了62.44％。
如图5和图6所示，在过冷度为35K时，光滑硅表面的沸腾起始过热度ΔTsat＝16.7K，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的ΔTsat＝12.3K，相对于光滑硅表面沸腾起始过热度降低了4.4K；光滑硅表面的最高沸腾换热系数为0.67W/(cm2·K)，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的最高沸腾换热系数为2.62W/(cm2·K)，沸腾换热系数增强了291.04％；光滑硅表面的临界热流密度为27.5W/cm2，而周期条纹嵌套纳米孔链结构表面的临界热流密度为62.9W/cm2，临界热流密度提高了128.73％。
相对于光滑硅表面，本发明所获得的周期条纹嵌套纳米孔链结构表面所需的起始沸腾过热度更低，临界热流密度更高，能够显著增强沸腾传热效果。同时说明在不同过热度下，周期条纹嵌套纳米孔链结构表面对沸腾传热的增强有不同的效果。
以上所述具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，本发明最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照最佳实施例对本发明做了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的所指和范围。

Claims (8)

1.一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，其特征在于，所述换热结构适用于浸没式液冷服务器中的芯片，且所述换热结构设置于所述芯片的硅衬底表面；所述换热结构为硅衬底自身经过激光处理所形成的双层复合结构，复合结构的下层为周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构，上层为孔径更大的纳米孔链结构，且所述纳米孔链结构表面形成有自组织纳米颗粒。
2.如权利要求1所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，其特征在于，所述周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构中，条纹宽度为2-50μm，间距为10-100μm。
3.如权利要求1所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，其特征在于，所述纳米孔链结构中，单个纳米孔长度为200-800nm，宽度为100-300nm，纳米孔链间距为0.5-10μm。
4.如权利要求1所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，其特征在于，所述下层周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构沿条纹的延伸方向贯穿硅衬底。
5.如权利要求1所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构，其特征在于，所述周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构的沟槽横截面为矩形、梯形或三角形。
6.一种制造如权利要求1-5任一项所述的纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次经过丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗，并用氮气吹干；
(2)将步骤(1)得到的硅衬底放置于三维微位移平台；
(3)按照设定的参数，采用聚焦透镜聚焦之后的飞秒激光光束对放置于三维微位移平台的硅衬底进行激光加工，第一次在硅衬底表面沿水平方向扫描出周期性条纹嵌套纳米孔的沟槽结构，第二次沿所述周期性条纹的垂直方向扫描诱导纳米孔链结构，在表面同一位置先后烧蚀二次，形成正交扫描加工，实现下层周期沟槽和上层纳米孔链的气液分离通道。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所述飞秒激光所采用的激光器波长为800nm，脉冲宽度为90-100fs，重复频率为1kHz，扫描速度为1-5mm/s，激光功率为1-10mW，激光偏振和扫描方向一致。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅衬底的电阻率为0.1-3Ω·cm，平整度小于10μm，表面粗糙度小于0.5nm。
CN202211083372.6A 2022-09-06 2022-09-06 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法 Active CN115424993B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211083372.6A CN115424993B (zh) 2022-09-06 2022-09-06 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211083372.6A CN115424993B (zh) 2022-09-06 2022-09-06 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115424993A true CN115424993A (zh) 2022-12-02
CN115424993B CN115424993B (zh) 2023-05-16

Family

ID=84201608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211083372.6A Active CN115424993B (zh) 2022-09-06 2022-09-06 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115424993B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683305A (zh) * 2012-05-14 2012-09-19 西安交通大学 一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构
CN109534286A (zh) * 2018-11-05 2019-03-29 广州大学 一种材料表面嵌套纳米结构及其制备方法
CN110842360A (zh) * 2019-11-28 2020-02-28 长春理工大学 一种基于飞秒激光拼接加工技术提升表面池沸腾换热性能的方法
CN113154927A (zh) * 2021-05-25 2021-07-23 中国核动力研究设计院 一种微纳结构表面强化传热方法
CN113305440A (zh) * 2021-05-25 2021-08-27 中国核动力研究设计院 微纳结构表面强化方法及高功率换热设备性能提升方法
CN113782452A (zh) * 2021-08-30 2021-12-10 北京航空航天大学 一种高效强化沸腾传热表面的微通道结构设计及制备方法
CN114023710A (zh) * 2021-12-03 2022-02-08 安徽工业大学 一种用于强化沸腾传热的复合微柱-多孔的表面结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683305A (zh) * 2012-05-14 2012-09-19 西安交通大学 一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构
CN109534286A (zh) * 2018-11-05 2019-03-29 广州大学 一种材料表面嵌套纳米结构及其制备方法
CN110842360A (zh) * 2019-11-28 2020-02-28 长春理工大学 一种基于飞秒激光拼接加工技术提升表面池沸腾换热性能的方法
CN113154927A (zh) * 2021-05-25 2021-07-23 中国核动力研究设计院 一种微纳结构表面强化传热方法
CN113305440A (zh) * 2021-05-25 2021-08-27 中国核动力研究设计院 微纳结构表面强化方法及高功率换热设备性能提升方法
CN113782452A (zh) * 2021-08-30 2021-12-10 北京航空航天大学 一种高效强化沸腾传热表面的微通道结构设计及制备方法
CN114023710A (zh) * 2021-12-03 2022-02-08 安徽工业大学 一种用于强化沸腾传热的复合微柱-多孔的表面结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
臧徐忠: "磁场调控磁性纳米流体流动和传热研究进展" *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115424993B (zh) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Ultrascalable three-tier hierarchical nanoengineered surfaces for optimized boiling
Betz et al. Do surfaces with mixed hydrophilic and hydrophobic areas enhance pool boiling?
Zhou et al. Heat transfer enhancement due to surface modification in the close-loop R410A flash evaporation spray cooling
Shi et al. Pool boiling heat transfer enhancement with copper nanowire arrays
Zhang et al. 3D heterogeneous wetting microchannel surfaces for boiling heat transfer enhancement
Cooke et al. Effect of open microchannel geometry on pool boiling enhancement
Sun et al. Hierarchically 3D-textured copper surfaces with enhanced wicking properties for high-power cooling
Khodabandeh et al. Heat transfer, flow regime and instability of a nano-and micro-porous structure evaporator in a two-phase thermosyphon loop
Zhao et al. Visualization-based nucleate pool boiling heat transfer enhancement on different sizes of square micropillar array surfaces
AU2007221497A1 (en) Porous layer
Li et al. Experimental study of enhanced nucleate boiling heat transfer on uniform and modulated porous structures
El-Genk Nucleate boiling enhancements on porous graphite and microporous and macro–finned copper surfaces
Bon et al. The hoodoo: A new surface structure for enhanced boiling heat transfer
Ma et al. Experimental investigation on boiling heat transfer enhanced by gradient aperture porous copper
Xu et al. Liquid‐Superspreading‐Boosted High‐Performance Jet‐Flow Boiling for Enhancement of Phase‐Change Cooling
Meng et al. Experimental study on the heat transfer performance of a vapour chamber with porous wick structures printed via metallic additive manufacturing
Chen et al. Enhanced boiling heat transfer performance on mini-pin-finned copper surfaces in FC-72
Kim et al. Pool boiling enhancement with surface treatments
Tang et al. Pool boiling heat transfer of dual-scale porous microchannel for high-power electronics cooling
Kalita et al. Pool boiling heat transfer enhancement and bubble visualization on a microporous copper over CuO filmed surface through combination of chemical etching and electrochemical deposition
Yuan et al. Experimental study on pool boiling enhancement by unique designing of porous media with a wettability gradient
Arik et al. Pool boiling critical heat flux in dielectric liquids and nanofluids
CN115424993A (zh) 一种纳米多孔双层强化芯片沸腾换热结构及其制造方法
Yuan et al. Synergistic effect of mixed wettability of micro-nano porous surface on boiling heat transfer enhancement
CN113782452B (zh) 一种高效强化沸腾传热表面的微通道结构设计及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant