CN115419309A - 一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质 - Google Patents

一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质,涉及调节系统领域,应用于智能隔振支座,智能隔振支座包括上压板、下压板、橡胶垫块、位移测量装置、控制处理器、可变电源、励磁电路、阻尼管、设置于阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;阻尼管以橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;方法包括:获取橡胶垫块的形变数据;根据形变数据确定橡胶垫块的压力数据;根据压力数据,确定励磁电路的第一电流值,并根据第一电流值向励磁电路供电;根据阻尼器内活塞体的位移速度,确定励磁电路的第二电流值,并通过第一电流值以及第二电流值,更改励磁电路内的电流值大小。

Description

一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质
技术领域
本申请涉及建筑工程领域,具体涉及一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质。
背景技术
建筑隔振技术是通过延长建筑结构周期并给予结构较大的阻尼来减少水平地震能量向上部结构传递,使上部结构的加速度反应降低。同时,结构产生的较大位移由隔振层来承受,从而提高上部结构的安全度。
现有技术中主要采用普通橡胶隔振支座和铅芯橡胶隔振支座,因其良好的隔振性能以及良好的耐久性能成为了隔振结构中主流的隔振支座类型。然而,普通橡胶隔振支座和铅芯橡胶隔振支座的刚度和固有频率是恒定的;无法根据振动激励的大小调整隔振支座自身的刚度和频率,在大载荷冲击时受其材料限制,不能智能地调节自身刚度来抵抗冲击力破坏,也不能改变自身阻尼来耗散冲击能量,总体上缺乏良好的抗冲减振和耗能的兼容能力,因此,隔振效果较差,给结构系统的抗冲防护带来极大安全隐患。
发明内容
为了解决上述问题,本申请提出了一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法、设备及介质,其中方法应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;所述方法包括:所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
在一个示例中,所述根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小,具体包括:确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度值;若所述位移速度大于第一预设阈值,则将所述励磁电路内的电流值更改为所述第一电流值与所述第二电流值之和;若所述位移速度小于第二预设阈值,则将所述励磁电路内的电流值大小更改为所述第一电流值与所述第二电流值之差。
在一个示例中,所述根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,具体包括:将所述压力数据输入第二模型,以得到所述第一电流值;所述确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度大小之后,所述方法还包括:确定所述位移速度与第三预设阈值的位移速度差;将所述位移速度差输入第三模型,以确定所述第二电流值;所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据之前,所述方法还包括:获取训练数据,并通过所述训练数据训练所述第一模型、所述第二模型以及所述第三模型。
在一个示例中,所述阻尼器包括:与所述阻尼管同轴的活塞体、用于连接所述活塞体以及所述上压板的活塞杆;所述智能隔振支座还设置有用于存储所述磁性粘滞介质的介质存储管,所述介质存储管通过第二橡胶通道与各个阻尼管底部相连。
在一个示例中,所述第一橡胶通道与所述阻尼管连接处设置有第一通道开关,所述第二橡胶通道与所述阻尼管连接处设置有第二通道开关,所述第一通道开关、所述第二通道开关与所述控制处理器电连接;根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值之前,所述方法还包括:确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度大小;若所述位移速度大于第四预设阈值,则开启所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关。
在一个示例中,所述开启所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关之后,所述方法还包括:若所述位移速度大于第五预设阈值,且所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关都已开启,则开启所述第一阻尼管的第二通道开关。
在一个示例中,所述阻尼管的管体材料使用导磁金属制成。
在一个示例中,所述励磁电路连接有电流检测装置。
本申请还提供了一种基于智能隔振支座的建筑隔振设备,应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;包括:至少一个处理器;以及,与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行:所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
本申请还提供了一种非易失性计算机存储介质,存储有计算机可执行指令,应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;所述计算机可执行指令设置为:所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
通过本申请提出的方法能够带来如下有益效果:通过橡胶垫块的形变量确定所受载荷,从而通过改变励磁电路的通电电流大小,控制阻尼管内磁性粘滞介质的阻尼强度及支座刚度,提高隔振支座的隔振效果。同时,还根据活塞体的位移速度,对电流大小进行二次调整,从而进一步提高隔振支座的隔振效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为本申请实施例中一种智能隔振支座的部分结构示意图;
图2为本申请实施例中一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法的流程示意图;
图3为本申请实施例中一种基于智能隔振支座的建筑隔振设备的结构示意图。
其中,1、上压板,2、下压板,3、橡胶垫块,4、位移测量装置,5、励磁电路,6、阻尼管,7、阻尼器,701、活塞杆,702、活塞体,8磁性粘滞介质,901、第一橡胶通道,902、第二橡胶通道,903、第一通道开关,904、第二通道开关。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
以下结合附图,详细说明本申请各实施例提供的技术方案。
图2为本说明书一个或多个实施例提供的一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法的流程示意图。该方法可以应用于不同的建筑领域,比如,桥梁建筑、地下建筑、地上建筑等。该流程可以由相应领域的计算设备(文中为智能隔振支座内的控制处理器)执行,流程中的某些输入参数或者中间结果允许人工干预调节,以帮助提高准确性。
本申请实施例涉及的分析方法的实现可以为终端设备,也可以为服务器,本申请对此不作特殊限制。
如图2所示,本申请实施例提供一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法,应用于如图1所示的智能隔振支座,其中能隔振支座包括:上压板1、下压板2、设置于上压板1与下压板2之间的橡胶垫块3、与橡胶垫块3相连的位移测量装置4、与位移测量装置4电连接的控制处理器、与控制处理器相连的可变电源、与可变电源相连的励磁电路5、与励磁电路5接触连接的设置于上压板1与所述下压板2之间的阻尼管6、设置于阻尼管6内的阻尼器7以及磁性粘滞介质8;阻尼管6以橡胶垫块3为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管6之间通过第一橡胶通道901连接。在现有的智能隔振支座中,其普遍智能感受较小范围内的载荷,一旦当上压板1及下压板2的面积变大,其将会出现载荷感受不准确或是阻尼调节不准确的情况。本申请提供的技术方案中,通过在水平方向上以圆环形状设置阻尼管6,当感受到不均匀的载荷时,能够通过改变不同方向或是不同距离的阻尼管6外的励磁电路5内的电流,从而改变阻尼管6内的磁性粘滞介质8的刚性及阻尼,从而起到隔振的作用。同时,本申请方案中,智能隔振支座包含的阻尼管6以及励磁电路5皆可为多个,且励磁电路5缠绕在阻尼管6上。以某一圆弧内存在四个阻尼管6为例,此时四个阻尼管6将会呈现以橡胶垫块3为圆心的四分之一圆弧的形状,且四个阻尼管6之间存在断开处,以方便励磁电路5的缠绕。
在隔振实现过程中,基于智能隔振支座的建筑隔振方法包括:
S101:所述控制处理器通过所述位移测量装置4获取所述橡胶垫块3的形变数据。
需要说明的是,这里的位移测量装置4可以理解为形变测量装置,用于测量橡胶垫块3的形变。也可以理解为简单地测量橡胶垫块3位移的位移装测量置,此时形变数据即为橡胶垫块3的位移数据。
S102:将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块3的压力数据。
将获取到的形变数据输入至第一模型,以确定橡胶垫块3所承受的来自于上压板1以及下压板2的压力数据,这里的第一模型即为形变数据与压力数据进行转换的数学模型。
S103:根据所述压力数据,确定所述励磁电路5的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路5供电。
获得橡胶垫块3的压力数据之后,根据压力数据,确定励磁电路5的第一电流值,并根据第一电流值向励磁电路5供电。需要说明的是,由于阻尼管6内为磁性粘滞介质8,通过阻尼管6外的励磁电路5的影响,能够改变磁性粘滞介质8的阻尼以及刚性。因此,这里的第一电流值指的是根据压力数据,预估阻尼管6外应有的磁场变化量,以及能够达成该磁场变化量的电流值,再将该第一电流值作为励磁电路5内的电流值进行输入,即可改变阻尼管6的刚性,从而在压板进行位移时,能够达到减振的效果。
S104:根据所述励磁电路5对应的阻尼器7内活塞体702的位移速度,确定所述励磁电路5的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路5内的电流值大小。
向励磁电路5输入第一电流值之后,励磁电路5会产生磁场,从而导致阻尼管6的刚性发生变化,从而阻碍上压板1以及下压板2之间的相对位移,但是相对位移在减缓之后,还是会发生,同时会导致阻尼管6内活塞体702的位移。此时根据活塞体702的位移速度,即可判断目前阻尼管6的刚性是否符合要求,若活塞体702的位移速度过快,则说明对压板相对位移的阻碍能力较弱,进而能够根据活塞体702的位移速度,确定第二电流值,从而根据第二电流值以及第一电流值,更改励磁电路5内的电流值。
在一个实施例中,根据第二电流值以及第一电流值,更改励磁电路5内的电流值大小,具体包括:首先应当确定励磁电路5对应的所述活塞体702的位移速度,若活塞体702的位移速度大于第一预设阈值,即位移速度过快,则说明对压板相对位移的阻碍能力较弱,此时应当加大阻尼管6的刚性,即此时应当加大励磁电路5内的电流,即将励磁电路5内的电流值更改为第一电流值与第二电流值之和。基于同样原理,若活塞体702的位移速度小于第二设阈值,即位移速度过慢,则说明对压板相对位移的阻碍能力较强,此时应当减小阻尼管6的刚性,从而保证智能隔振支座的正常工作寿命,即此时应当减小励磁电路5内的电流,即将励磁电路5内的电流值更改为第一电流值与第二电流值之差。需要说明的是,如果位移速度处于第一阈值与第二阈值之间,则说明当前阻尼管6刚性满足减振要求,此时第二电流值可为零。
进一步地,根据压力数据,确定励磁电路5的第一电流值时,是将压力数据输入第二模型,以得到第一电流值的。这里的第二模型为压力数据与第一电流值之间的映射关系。在确定励磁电路5对应的活塞体702的位移速度大小之后,需要确定位移速度与第三预设阈值的位移速度差,然后将位移速度差输入第三模型,以确定第二电流值,这里的第三模型为位移速度差与第二电流值之间的映射关系。需要说明的是,在通过智能隔振支座进行减振之前,需要在实验室中获取该智能隔振支座的实验数据,即第一模型、第二模型以及第三模型的训练数据,并通过训练数据训练第一模型、第二模型以及第三模型。
上述训练数据可以预先存储在计算机设备的存储装置中,当需要对模型进行训练时,计算机设备可以从存储装置中选取训练数据。当然,计算机设备还可以从其它外部设备中获取该训练数据。比如,将训练数据存储在云端,当需要对模型进行训练时,计算机设备可以从云端获取训练数据,本实施例对训练数据的获取方式不做限定。
其中,第一模型、第二模型、第三模型为基于机器学习算法构建的数学模型,包括但不限于神经网络模型、支持向量机模型等,通过训练数据集预先对构建的第一模型、第二模型、第三模型进行训练,当达到设定的训练精度、准确度时,确定当前次训练的第一模型、第二模型、第三模型完成训练,以便用于映射处理。
如图1所示,阻尼管6内的阻尼器7具体包括:与阻尼管6同轴的活塞体702以及用于连接活塞体702以及上压板1的活塞杆701。当上压板1以及下压板2发生相对位移时,阻尼管6内活塞杆701会带动活塞体702进行位移,推动阻尼管6内填充的磁性粘滞介质8。需要说明的是,活塞体702会将阻尼管6分为上腔体以及下腔体,磁性粘滞介质8始终处于下腔体内。同时,智能隔振支座还设置有用于存储磁性粘滞介质8的介质存储管,该介质存储管通过第二橡胶通道902与各个阻尼管6底部相连。当压板的相对位移过大时,阻尼管6内的磁性粘滞介质8可以通过第二橡胶通道902流向介质存储管。
进一步地,第一橡胶通道901与阻尼管6连接处设置有第一通道开关903,第二橡胶通道902与阻尼管6连接处设置有第二通道开关904,且第一通道开关903、第二通道开关904与控制处理器电连接,即可通过控制处理器控制第一通道开关903、第二通道开关904的启闭。根据励磁电路5对应的阻尼器7内活塞体702的位移速度,确定励磁电路5的第二电流值之前,为防止局部载荷过大,可以确定励磁电路5对应的活塞体702的位移速度大小,若位移速度大于第四预设阈值,即当前阻尼管6上方对应的压力较大,则开启活塞体702所在的第一阻尼管6对应的第一通道开关903,以及第一阻尼管6相邻的第二阻尼管6的第一通道开关903。需要说明的是,这里的第一阻尼管6为活塞体702所在的阻尼管6,第二阻尼管6为与第一阻尼管6相邻的阻尼管6。通过开启第一通道开关903,可以使局部压力过大的阻尼管6内的磁性粘滞介质8流向附近的阻尼管6,从而增加区域阻尼管6的总体刚性。
更进一步地,为了保护智能隔振支座,若位移速度大于第五预设阈值,且活塞体702所在的第一阻尼管6对应的第一通道开关903,以及第一阻尼管6相邻的第二阻尼管6的第一通道开关903都已开启,则开启第一阻尼管6的第二通道开关904。也就是在第一阻尼管6内磁性粘滞介质8已经流向其他阻尼管6的情况下,局部荷载仍然很大,此时可以开启活塞体702所在阻尼管6的第二通道开关904,即将磁性粘滞介质8流向介质存储管,从而防止压力过大导致智能隔振支座损坏。同时,由于介质存储管密闭,向介质存储管内输送磁性粘滞介质8,也能起到减振的作用。
在一个实施例中,阻尼管6的管体材料使用导磁金属制成。
在一个实施例中,励磁电路5连接有电流检测装置,以方便控制处理器能够实时获取励磁电路5内的电流值大小。
如图3所示,本申请实施例还提供了一种基于智能隔振支座的建筑隔振设备,同样应用于智能隔振支座,设备包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够:
所述控制处理器通过所述位移测量装置4获取所述橡胶垫块3的形变数据;将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块3的压力数据;根据所述压力数据,确定所述励磁电路5的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路5供电;根据所述励磁电路5对应的阻尼器7内活塞体702的位移速度,确定所述励磁电路5的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路5内的电流值大小。
基于同样的发明构思,本申请实施例还提供了一种非易失性计算机存储介质,存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令设置为:
所述控制处理器通过所述位移测量装置4获取所述橡胶垫块3的形变数据;将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块3的压力数据;根据所述压力数据,确定所述励磁电路5的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路5供电;根据所述励磁电路5对应的阻尼器7内活塞体702的位移速度,确定所述励磁电路5的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路5内的电流值大小。
本申请中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于设备和介质实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本申请实施例提供的设备和介质与方法是一一对应的,因此,设备和介质也具有与其对应的方法类似的有益技术效果,由于上面已经对方法的有益技术效果进行了详细说明,因此,这里不再赘述设备和介质的有益技术效果。
本领域内的技术人员应明白,本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此,本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
在一个典型的配置中,计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。
内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器,随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式,如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括,但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带,磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质,可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定,计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media),如调制的数据信号和载波。
还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种基于智能隔振支座的建筑隔振方法,其特征在于,应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;所述方法包括:
所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;
将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;
根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;
根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小,具体包括:
确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度值;
若所述位移速度大于第一预设阈值,则将所述励磁电路内的电流值更改为所述第一电流值与所述第二电流值之和;
若所述位移速度小于第二预设阈值,则将所述励磁电路内的电流值大小更改为所述第一电流值与所述第二电流值之差。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,具体包括:
将所述压力数据输入第二模型,以得到所述第一电流值;
所述确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度大小之后,所述方法还包括:
确定所述位移速度与第三预设阈值的位移速度差;
将所述位移速度差输入第三模型,以确定所述第二电流值;
所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据之前,所述方法还包括:
获取训练数据,并通过所述训练数据训练所述第一模型、所述第二模型以及所述第三模型。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻尼器包括:与所述阻尼管同轴的活塞体、用于连接所述活塞体以及所述上压板的活塞杆;
所述智能隔振支座还设置有用于存储所述磁性粘滞介质的介质存储管,所述介质存储管通过第二橡胶通道与各个阻尼管底部相连。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一橡胶通道与所述阻尼管连接处设置有第一通道开关,所述第二橡胶通道与所述阻尼管连接处设置有第二通道开关,所述第一通道开关、所述第二通道开关与所述控制处理器电连接;
根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值之前,所述方法还包括:
确定所述励磁电路对应的所述活塞体的位移速度大小;
若所述位移速度大于第四预设阈值,则开启所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述开启所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关之后,所述方法还包括:
若所述位移速度大于第五预设阈值,且所述活塞体所在的第一阻尼管对应的第一通道开关,以及所述第一阻尼管相邻的第二阻尼管的第一通道开关都已开启,则开启所述第一阻尼管的第二通道开关。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻尼管的管体材料使用导磁金属制成。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述励磁电路连接有电流检测装置。
9.一种基于智能隔振支座的建筑隔振设备,其特征在于,应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;包括:
至少一个处理器;以及,与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行:
所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;
将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;
根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;
根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
10.一种非易失性计算机存储介质,存储有计算机可执行指令,其特征在于,应用于智能隔振支座,所述智能隔振支座包括上压板、下压板、设置于所述上压板与所述下压板之间的橡胶垫块、与所述橡胶垫块相连的位移测量装置、与所述位移测量装置电连接的控制处理器、与所述控制处理器相连的可变电源、与所述可变电源相连的励磁电路、与所述励磁电路接触连接的设置于所述上压板与所述下压板之间的阻尼管、设置于所述阻尼管内的阻尼器以及磁性粘滞介质;所述阻尼管以所述橡胶垫块为中心,呈圆环状分布,且相邻阻尼管之间通过第一橡胶通道连接;所述计算机可执行指令设置为:
所述控制处理器通过所述位移测量装置获取所述橡胶垫块的形变数据;
将所述形变数据输入第一模型,确定所述橡胶垫块的压力数据;
根据所述压力数据,确定所述励磁电路的第一电流值,并根据所述第一电流值向所述励磁电路供电;
根据所述励磁电路对应的阻尼器内活塞体的位移速度,确定所述励磁电路的第二电流值,并通过所述第一电流值以及所述第二电流值,更改所述励磁电路内的电流值大小。
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