CN115407937A - 单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

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CN115407937A CN202211009118.1A CN202211009118A CN115407937A CN 115407937 A CN115407937 A CN 115407937A CN 202211009118 A CN202211009118 A CN 202211009118A CN 115407937 A CN115407937 A CN 115407937A
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陈妃味
陈伟杰
刘晖
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TCL Air Conditioner Zhongshan Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括获取单片机的电压检测值，电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，第一电压为触发中断电压，第二电压为复位电压，第三电压为恢复中断复位电压，第三电压大于第一电压且第一电压大于第二电压；根据电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且电压检测值在大于第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作。本申请在执行写入记忆数据操作时无需增加备份区域对记忆数据进行备份，所以减少了存储容量空间的使用以降低了开发成本。

Description

单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本申请涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
单片机为了满足个性化需求，需要对个性化数据进行记忆，并将记忆数据存储至单片机的FLASH存储器。而现有技术中为了确保数据存储的可靠性，一般都会增加备份区域对数据进行备份，以减少数据丢失的可能性。但由于增加备份区域会对单片机的存储容量需求增加，因而增加了开发的成本。
因此，有必要提供一种不需要备份的数据存储方法。
发明内容
本申请提供一种单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，以解决现有技术中对数据进行备份所产生存储容量需求增加而导致开发成本增加的问题。
第一方面，本申请提供一种单片机数据存储方法，所述方法包括：
获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
在本申请的一实施例中，所述根据所述电压检测值执行对应的操作的步骤还包括：
若所述电压检测值大于所述第一电压，则判断是否需要写入记忆数据；
若需要写入记忆数据，则将所述记忆数据转换为预设存储格式。
在本申请的一实施例中，所述根据所述电压检测值执行对应的操作的步骤还包括：
若所述电压检测值等于所述第一电压，则触发中断；
若需要写入记忆数据，则在中断处理中关闭负载后执行屏蔽中断操作以延长单片机掉电时间；
若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断。
在本申请的一实施例中，所述电压检测值在大于所述第二电压且小于所述第一电压时，执行写入记忆数据操作，所述执行写入记忆数据操作的时间小于单片机从所述第一电压下降至所述第二电压的时间。
在本申请的一实施例中，在执行写入数据操作之后，所述方法还包括：
判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
在本申请的一实施例中，在所述执行写入数据操作之后，所述方法还包括：
若所述单片机的当前电压大于所述第三电压时，恢复之前在所述第一电压时所关闭的负载。
在本申请的一实施例中，所述若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断，所述方法还包括：
判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
在本申请的一实施例中，所述执行写入记忆数据操作的步骤包括：
将所述记忆数据写入单片机的FLASH存储器对应的存储区域，该存储区域为记忆区域，该记忆区域与备份区域不同。
第二方面，本申请还提供一种单片机数据存储装置，所述装置包括：
电压检测模块，用于获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
执行模块，用于根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
在本申请的一实施例中，所述装置还包括：
单片机电源检测模块，用于检测单片机的电源电压，并将所述电压电压与所述第一电压、所述第二电压以及所述第三电压进行比较，比较完成后执行对应的触发中断、复位以及恢复中断复位的操作。
第三方面，本申请还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述单片机数据存储方法的步骤。
第四方面，本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述单片机数据存储方法的步骤。
本申请提供的一种单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取单片机的电压检测值，并根据获取到的电压检测值在大于第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，由于本申请在执行写入记忆数据操作时无需增加备份区域对所述记忆数据进行备份，所以减少了存储容量空间的使用以降低了开发成本。
而且，本申请的电压检测值是在大于第二电压且小于第一电压的条件下才执行写入记忆数据的操作，所以减少了写入次数以提高单片机存储空间的读写寿命。
进一步地，本申请由于在执行写入记忆数据操作时会关闭负载，所以减少了单片机在写数据时对设备运行的影响以提高单片机的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的单片机数据存储方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的单片机数据存储方法的流程示意图；
图3是本申请实施例提供的单片机数据存储空间的示意图；
图4是本申请实施例提供的单片机电压变化示意图；
图5是本申请提供的单片机数据存储装置的结构示意图；
图6是本申请实施例提供的单片机数据存储装置的结构示意图；
图7是本申请提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
以下对本申请涉及的技术术语进行描述：
ROM(Read Only Memory，简称ROM，程序存储器)是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。ROM中所存数据稳定，一旦存储数据就再也无法将之改变或者删除，断电后所存数据也不会消失。其结构简单，因而常用于存储各种固化程序和数据。为了便于使用和大批量生产，进一步发展出可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
RAM(Random Access Memory，简称RAM，随机访问存储器)，RAM又称随机存取存储器，其存储单元的内容可按照需要随机取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关。RAM在断电时，将丢失其存储内容，所以主要用于存储短时间使用的程序。RAM主要用来存储程序中用到的变量。凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量(包括全局变量、局部变量、堆栈段等)，都存储在RAM中。
FLASH存储器(FLASH EEPROM)，又称闪存，快闪。它结合了ROM和RAM的长处。不仅具备电子可擦除可编辑(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。FLASH存储器与EEPROM的最大区别是，FLASH存储器按扇区(block)操作，而EEPROM按照字节操作。
本申请为了解决现有技术中对数据进行备份所产生存储容量需求增加而导致开发成本增加的问题，而提供一种单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取单片机的电压检测值，并根据获取到的电压检测值在大于第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，由于本申请在执行写入记忆数据操作时无需增加备份区域对所述记忆数据进行备份，所以减少了存储容量空间的使用以降低了开发成本。
下面结合图1-图7描述本申请的单片机数据存储方法、装置、电子设备及存储介质。
请参考图1，图1是本申请提供的单片机数据存储方法的流程示意图。一种单片机数据存储方法，所述方法包括：
步骤S110，获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压。
示例性地，可以通过预设软件读取单片机内部的寄存器而得到当前电压的AD值(该AD值为模拟量转数字量的值)，然后再转换为单片机的电压检测值。该电压检测值也可以通过主控软件定时检测和判断而得到。
另外，通过获取单片机的电源电压，并将单片机的电源电压与预设电压(例如第一电压、第二电压、第三电压)进行比较，比较完成后可以执行相应的动作，例如触发中断、复位、恢复中断复位。
示例性地，大于第一电压为单片机正常工作的电压范围。当单片机的电压检测值等于第一电压时，进入低电压中断。例如，当单片机的电压检测值小于第一电压时为掉电状态。掉电是描述用电设备因断电、失电、或电的质量达不到要求而不能正常工作。
步骤S120，根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作。其中，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
需要说明的是，本申请执行写入记忆数据操作可以在掉电瞬间或者是电压不稳而产生波动变化的情况下，将所述记忆数据写入单片机的FLASH存储器对应的存储区域，该存储区域为记忆区域，该记忆区域与备份区域不同。
由此可知，本申请通过获取单片机的电压检测值，并根据获取到的电压检测值在大于第二电压且小于第一电压时，执行写入记忆数据操作，由于本申请在执行写入记忆数据操作时无需增加备份区域对所述记忆数据进行备份，所以减少了存储容量空间的使用以降低了开发成本。而且，本申请的电压检测值是在大于第二电压且小于第一电压的条件下才执行写入记忆数据操作，所以减少了写入次数以提高单片机存储空间的读写寿命。
以下通过实施例对本申请所述单片机数据存储方法进行描述。
请参考图2，图2是本申请实施例提供的单片机数据存储方法的流程示意图，一种单片机数据存储方法，所述方法包括：
步骤201，单片机处于正常运行状态。
示例性地，预先设定第一电压U1为触发中断电压，第二电压U2为复位电压，第三电压U3为恢复中断复位电压，其中，U3>U1>U2。大于第三电压U3为单片机的正常工作电压范围，所以当检测到单片机的电压检测值大于第三电压U3，表示单片机处于正常运行状态。
步骤202，检测单片机状态变更。
示例性地，当检测得单片机的当前电压低于第三电压U3且在第一电压U1以上时，电压变化引起单片机状态发生变更。此时，单片机仍然处于正常运行状态，但单片机不进行写入记忆数据操作，可进行是否需要写入记忆数据的判断。如果判断出需要写入记忆数据，则将所述记忆数据转换为预设存储格式。
步骤203，检测到单片机的当前电压下降至第一电压，触发中断。
示例性地，当检测到单片机的当前电压下降至第一电压U1时，则触发单片机中断程序。其中，第三电压U3大于第一电压U1。
步骤204，是否需要写记忆数据。
示例性地，步骤204的判断是否需要写记忆数据可以在步骤203之前执行。若需要写入记忆数据，则执行步骤208；若不需要写入记忆数据，则执行步骤205。
步骤205，设置为低电压复位模式后退出中断。
步骤206，判断单片机的当前电压是否恢复到第三电压。
示例性地，若检测到单片机的当前电压已经恢复到第三电压U3，则将单片机重新设置为中断复位模式，并恢复到记忆的运行状态，返回执行步骤201。若检测到单片机的当前电压未恢复到第三电压U3，则执行步骤207。
步骤207，判断单片机的当前电压是否下降到第二电压。
示例性地，若检测到单片机的当前电压已经下降到第二电压U2，则单片机复位并结束操作，等待下次单片机重新运行起来。若检测到单片机的当前电压未下降到第二电压U2，则返回执行步骤206。其中，第一电压U1大于第二电压U2，而第二电压U2大于或等于0。
步骤208，关闭负载后执行屏蔽中断操作以延长单片机掉电时间。
示例性地，若需要写记忆数据，那么单片机无负载时的电压从第一电压U1下降至第二电压U2的时间需满足大于单片机写入记忆数据的时间，这样有足够的时间能保证成功写入记忆数据。
需要说明的是，设置第一电压的目的是触发中断，并在中断处理中关闭负载，但关闭负载之后需屏蔽中断操作以防在写入记忆数据时产生中断而导致写入失败。
步骤208，执行写入记忆数据操作。
示例性地，将所述记忆数据写入单片机的FLASH存储器对应的存储区域，该存储区域为记忆区域，该记忆区域与备份区域不同。
示例性地，单片机实现写入记忆数据时需要划分部分FLASH区空间作为数据存储的空间，在写入数据时，需按以下步骤执行：
步骤1，检查写入区域是否为空，若为空，执行步骤3；若不为空，执行步骤2。
步骤2，擦除所写区域，再次返回执行步骤1。
步骤3，将记忆数据写入到对应的存储区域。所述记忆数据可以是功能设定和参数等数据。
以上步骤可通过软件程序执行完成，完成以上步骤后，数据就记忆到单片机的FLASH的存储区域。由于单片机的FLASH擦除的特性，每次擦除必须为特定固定大小的空间，如单片机有空间x*1024的容量，x为大于0的自然数。该单片机每次擦除的最小擦除单位为1024，单片机的空间会拆分为如图3所示的存储区域，每个区域为1024大小，执行擦除时选择要擦除的区域把区域内的所有数据擦除。
而本申请所述单片机数据存储方法，只需要使用图3所示的其中的一个存储区域作为记忆区域，不需要增加备份区域，可减少存储空间的使用，是一种对单片机存储空间利用的优化方法。
需要说明的是，现有技术中单片机对数据存储一般是将FLASH数据读到RAM然后修改，然后擦除扇区，最后将修改后的数据写入扇区。具体是，第一步把FLASH数据读到RAM然后修改，第二步擦除扇区，第三步将修改后的数据写入扇区。在这个过程里面，最消耗时间的是擦除扇区，也是最危险的时候(例如STC的51单片机需要21毫秒)因为如果单片机突然掉电，在RAM的数据已经没有，FLASH的数据又被擦除了，那这个数据就丢失了。所以，现有技术是通过增设备份区域的方式以减少数据丢失的可能性。也就是说需要设置至少两个存储区域，一个存储区域作为写入记忆数据的记忆区域，另外一个存储区域作为备份区域。
而本申请是在电压检测值大于第二电压且小于第一电压时，才执行写入记忆数据操作，可避免数据丢失，提高数据存储的可靠性，也就是说，本申请可以在掉电瞬间进行记忆数据写入操作，减少了写入次数。所以，本申请在执行写入记忆数据操作时，无需增加备份区域，减少了存储容量空间的使用以降低了开发成本。
步骤210，判断单片机的当前电压是否恢复到第三电压。
示例性地，若检测到单片机的当前电压已经恢复到第三电压U3，则将单片机重新设置为中断复位模式，并恢复到记忆的运行状态，返回执行步骤201。若检测到单片机的当前电压未恢复到第三电压U3，则执行步骤211。
需要说明的是，设置第三电压U3的目的是恢复中断复位模式，因为在写入记忆数据时已屏蔽了中断功能，所以需要重新恢复中断功能以便等待再次电压下降时候能够触发中断。而复位功能是一直都在检测并没有被屏蔽的。
步骤211，判断单片机的当前电压是否下降到第二电压。
示例性地，若检测到单片机的当前电压已经下降到第二电压U2，则单片机复位并结束操作，等待下次单片机重新运行起来。若检测到单片机的当前电压未下降到第二电压U2，则返回执行步骤210。
以下对因单片机的电压变化而执行对应操作进行描述。
请参考图4，图4是本申请实施例提供的单片机电压变化示意。首先利用单片机的中断复位功能，可通过设置寄存器，单片机可在特定电压下进入中断和复位操作，并设定中断电压为第一电压U1，复位电压为第二电压U2，该电压检测和判断可由单片机自动执行。
其次，通过预设软件读取单片机内部的寄存器，得到当前电压的AD值，再转换为单片机的当前电压Un，用于比较恢复中断复位功能，并设定恢复中断复位电压为第三电压U3。其中，Un>U3，Un可以通过主控软件定时检测和判断得到。
图4示出的单片机的电压变化的情况如下：
第①区间：该区域电压Un为单片机的正常工作电压范围，在该区间中单片机保留记忆数据的指令，并等待电压下降。
第②区间：该区间电压在下降，但仍然在第一电压U1以上，所以单片机仍然在正常工作。当下降到第一电压U1时，触发低电压中断。若需要写入记忆数据，则可通过软件在中断处理中关掉所有负载后再屏蔽中断功能。屏蔽中断功能，也就是说若不重新开启中断功能，后续就算满足条件也不会再进入中断。通过屏蔽中断功能可以延长芯片掉电时间。
第③区间：该区间电压在大于第二电压U2且小于第一电压U1时，若需要写入记忆数据，则将记忆数据写入到存储空间中；若不需要写入记忆数据，则屏蔽中断功能。
第④区间：在第③区间执行完记忆数据后，则保持当前状态等待电压继续下降到第二电压U2，或者等待电压恢复到第三电压U3。图4示出的是等待电压恢复到第三电压U3。
第⑤区间：当检测到该区间电压Un>U3时，则重新设置寄存器，并重新开启中断功能。在该区间单片机恢复正常工作，同时恢复在第②区间中已关闭的负载，以使得负载能够正常运行，并等待下次电压的下降。
第⑥区间：当检测到单片机的当前电压下降到第一电压U1时，再次进入低电压中断，若需要写入记忆数据，可通过软件在中断处理中关闭负载后屏蔽中断功能。
第⑦区间：该区间电压在大于第二电压U2且小于第一电压U1时，若需要写入记忆数据，则将记忆数据写入到存储空间中，若不需要写入记忆数据，则屏蔽中断功能。
第⑧区间：该区间电压下降到第二电压U2时，单片机复位并停止工作。
下面对本申请提供的单片机数据存储装置进行描述，下文描述的单片机数据存储装置与上文描述的单片机数据存储方法可相互对应参照。
请参阅图5，图5是本申请提供的单片机数据存储装置的结构示意图。一种单片机数据存储装置500，其包括电压检测模块510和执行模块520。
示例性地，电压检测模块510用于获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
示例性地，执行模块520用于根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
示例性地，执行模块520还用于：
若所述电压检测值大于所述第一电压，则判断是否需要写入记忆数据；若需要写入记忆数据，则将所述记忆数据转换为预设存储格式。
示例性地，执行模块520还用于：
若所述电压检测值等于所述第一电压，则触发中断；
若需要写入记忆数据，则在中断处理中关闭负载后执行屏蔽中断操作以延长单片机掉电时间；若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断。
示例性地，所述电压检测值在大于所述第二电压且小于所述第一电压时，执行写入记忆数据操作，所述执行写入记忆数据操作的时间小于单片机从所述第一电压下降至所述第二电压的时间。
示例性地，执行模块520还用于：
在所述执行写入数据操作之后，判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
示例性地，执行模块520还用于：
在所述执行写入数据操作之后，若所述单片机的当前电压大于所述第三电压时，恢复之前在所述第一电压时所关闭的负载。
示例性地，执行模块520还用于：
在所述若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断之后，判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
示例性地，执行模块520还用于：
将所述记忆数据写入单片机的FLASH存储器对应的存储区域，该存储区域为记忆区域，该记忆区域与备份区域不同。
以下再通过一实施例描述本申请所述单片机数据存储装置。
请参阅图6，图6是本申请实施例提供的单片机数据存储装置的结构示意图。一种单片机数据存储装置，其包括电压检测模块510、执行模块520以及单片机电源检测模块530。其中执行模块520包括中断复位检测模块521、控制模块522以及FLASH存储器523。
示例性地，单片机电源检测模块530用于检测单片机的电源电压，该检测可以通过单片机自动执行。通过单片机电源检测模块530获取单片机的电源电压，并将单片机的电源电压与预设电压(例如第一电压、第二电压)进行比较，比较完成后可以执行相应的动作，例如复位、恢复复位&中断、触发中断。
示例性地，电压检测模块510可以通过预设软件读取单片机内部的寄存器而得到当前电压的AD值(模拟量转数字量的值)，然后再转换为单片机的电压检测值。
示例性地，中断复位检测模块521通过对比检测到的单片机的电源电压和预设电压(例如第一电压U1，第二电压U2)的大小关系产生中断或者复位操作，该比较操作也可以通过单片机自动执行。
示例性地，控制模块522接收中断复位检测模块521发来的中断或复位标志。例如，若收到中断标志，则在中断处理中关闭负载后执行屏蔽中断操作以延长单片机掉电时间，并将需要写入的记忆数据写入到FLASH存储器523对应的存储区域。若产生复位标志后，则单片机停止工作。若检测到单片机的当前电压已经恢复到第三电压U3，则重新开启单片机的中断检测。
示例性地，FLASH存储器523用于根据接收到控制模块522的指令对非空存储区域进行擦除并把记忆数据写入对应存储区域。
在此需要说明的是，本申请实施例提供的上述单片机数据存储装置，能够实现上述单片机数据存储方法实施例所实现的所有方法步骤，且能够达到相同的技术效果，在此不再对本实施例中与方法实施例相同的部分及有益效果进行具体赘述。
图7示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图7所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)710、通信接口(Communications Interface)720、存储器(Memory)730和通信总线740，其中，处理器710，通信接口720，存储器730通过通信总线740完成相互间的通信。处理器710可以调用存储器730中的逻辑指令，以执行单片机数据存储方法，所述方法包括：
获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且小于所述第一电压时，执行写入记忆数据操作。
此外，上述的存储器730中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本申请还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的所述单片机数据存储方法。
又一方面，本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各提供的所述单片机数据存储方法。
本申请实施例提供的一种电子设备、一种计算机程序产品、一种处理器可读存储介质，其上存储的计算机程序使处理器能够实现上述方法实施例所实现的所有方法步骤，且能够达到相同的技术效果，在此不再对本实施例中与方法实施例相同的部分及有益效果进行具体赘述。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种单片机数据存储方法，其特征在于，所述方法包括：
获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
2.根据权利要求1所述的单片机数据存储方法，其特征在于，所述根据所述电压检测值执行对应的操作的步骤还包括：
若所述电压检测值大于所述第一电压，则判断是否需要写入记忆数据；
若需要写入记忆数据，则将所述记忆数据转换为预设存储格式。
3.根据权利要求1或2所述的单片机数据存储方法，其特征在于，所述根据所述电压检测值执行对应的操作的步骤还包括：
若所述电压检测值等于所述第一电压，则触发中断；
若需要写入记忆数据，则在中断处理中关闭负载后执行屏蔽中断操作以延长单片机掉电时间；
若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断。
4.根据权利要求1所述的单片机数据存储方法，其特征在于，所述电压检测值在大于所述第二电压且小于所述第一电压时，执行写入记忆数据操作，所述执行写入记忆数据操作的时间小于单片机从所述第一电压下降至所述第二电压的时间。
5.根据权利要求1所述的单片机数据存储方法，其特征在于，在执行写入数据操作之后，所述方法还包括：
判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
6.根据权利要求3所述的单片机数据存储方法，其特征在于，在所述执行写入数据操作之后，所述方法还包括：
若所述单片机的当前电压大于所述第三电压时，恢复之前在所述第一电压时所关闭的负载。
7.根据权利要求3所述的单片机数据存储方法，其特征在于，所述若不需要写入记忆数据，则将单片机设置为复位模式并退出所述中断，所述方法还包括：
判断单片机的当前电压是否下降至所述第二电压或者是否上升至所述第三电压；
若单片机的当前电压下降至所述第二电压时，则对所述单片机执行复位操作；若单片机的当前电压上升至所述第三电压，则对所述单片机执行恢复中断复位操作。
8.根据权利要求1所述的单片机数据存储方法，其特征在于，所述执行写入记忆数据操作的步骤包括：
将所述记忆数据写入单片机的FLASH存储器对应的存储区域，该存储区域为记忆区域，该记忆区域与备份区域不同。
9.一种单片机数据存储装置，其特征在于，所述装置包括：
电压检测模块，用于获取单片机的电压检测值，所述电压检测值包括第一电压、第二电压以及第三电压，所述第一电压为触发中断电压，所述第二电压为复位电压，所述第三电压为恢复中断复位电压，所述第三电压大于所述第一电压且所述第一电压大于所述第二电压；
执行模块，用于根据所述电压检测值执行对应的操作，所述对应的操作包括若判断出需要写入记忆数据，并且所述电压检测值在大于所述第二电压且关闭负载后执行屏蔽中断操作以执行写入记忆数据操作，所述电压检测值下降至所述第二电压的时间大于执行写入记忆数据操作的时间。
10.根据权利要求9所述的单片机数据存储装置，其特征在于，所述装置还包括：
单片机电源检测模块，用于检测单片机的电源电压，并将所述电压电压与所述第一电压、所述第二电压以及所述第三电压进行比较，比较完成后执行对应的触发中断、复位以及恢复中断复位的操作。
11.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至8任一项所述的单片机数据存储方法的步骤。
12.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述的单片机数据存储方法的步骤。
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