CN115354311A - 复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，所述微波发生部将微波馈入所述CRLH波导阵列，所述CRLH波导包括BJ26标准矩形波导、CRLH波导阵列、金属壁和缝隙阵列，所述缝隙阵列在CRLH波导阵列的中心线位置开槽；此开槽的横截面为矩形结构，该矩形长度为自由空间传播的微波半波长；共振腔设置在CRLH波导阵列的下方，高度为自由空间传播的微波半波长，底部设置若干个激发槽，槽横截为矩形结构，长度以及宽度取决于共振腔底部面磁流强场区域的分布；CVD反应室设置在共振腔下方，激发槽垂直切割表面电流，所辐射的能量使得工作气体电离，微波以表面波的形式沿着石英介质窗口的下表面传播，从而在石英介质窗口下形成均匀的表面波等离子体。
Description
技术领域
本发明属于等离子沉积技术领域，涉及一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置。
背景技术
纳米金刚石具有极好的物理、化学和表面摩擦性能，这使得在微机械系统、生物传感和高磨损应用领域有极大的应用价值和潜力。
热丝法(HFCVD)和微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)是广泛应用于生长的纳米金刚石的主要技术方法。前者被选择的主要原因是其成本较低和较好的扩展性。好的扩展性主要是通过延伸或添加更多的细丝来实现的，可以使得沉积面积达到几平方米。然而，在长时间的沉积生长过程中，灯丝被腐蚀以及其表面形成碳化物，表现为不稳定性，这会导致灯丝变形。另外灯丝本身在沉积过程中也会出现金属蒸发的现象，导致材料的污染。
因此，对于生长高纯度的金刚石薄膜，我们常采用共振腔式的微波等离子化学气相沉积系统。这类微波沉积系统的沉积面积受到气体放电形状和尺寸的限制，一般来说其等离子尺寸近似为波长的一半。当然，可以采用降低频率的方法来实现等离子体沉积面积的扩大，比如将微波频率从2.45GHz降低至915MHz，但这样同时也会使降低微波功率密度，导致成本的增加。
热丝法和谐振腔式式微波等离子法制备的金刚石薄膜，典型的沉积温度在500℃到1000℃，这种高温会限制金刚石合成的基底材料的范围。目前，多个研究小组已经成功地生长金刚石：在135℃条件下采用HFCVD法、在350℃条件下采用MPCVD法、在200℃条件下采用磁激发等离子法。作为HFCVD和谐振腔式MWPECVD的替代方案，可以使用分布式天线阵列(DAA)或者表面波等离子体(SWP)系统来缓解上述缺点。
SWP和DAA系统可以使用H2/CH4/CO2混合气体在低温下实现大面积和均匀的金刚石薄膜的沉积。这种方式对于沉积温度敏感的衬底来说非常有意义，比如低熔点的塑料衬底。金刚石在低温条件下生长可以降低由于衬底和沉积薄膜热胀系数不匹配而产生的应力。目前采用SWP法，已经成功地在100℃条件下，在塑料衬底上合成了纳米金刚石薄膜。
DAA系统是基于以方格矩阵排列地多个基本微波等离子体源。每一个等离子源对应的微波功率分布是通过基于波导的功率分配器分配，其后是一个匹配电路，该匹配电路包括调谐装置和铁氧体隔离器。因此，扩展DAA系统将会使得设备更加的复杂，并且成本更高。
而SWP系统可以由线性天线、缝隙天线或者其他类型地微波装置激发。线性天线SWP由一组同轴线性天线激励，每个天线被石英管包围，其低方向性导致朝向沉积区域具有低效的微波辐射分布(且分布较差)。另外由于沿每个天线形成驻波，也影响了电场和等离子体分布的均匀性。缝隙天线激发的SWP存在电弧放电、介质窗口发热和缝隙周围产生不均匀等离子导致等离子密度不均匀等问题。为了减轻这些影响，人们提出了各种先进几何形状的开槽天线的设计。然而，基于缝隙的方法的基本限制是相邻缝隙间距的最小距离ds的约束，其由波导表面电流分布决定，数值上等于波导波长的一半(ds＝λg/2)。
同时，现有的表面波等离子体发生装置在微波耦合入反应器之前，需要通过缝隙板，在缝隙版上产生偏振，不仅微波能量会大量损失，而且透过的微波也会出现不均匀的状况，不利于产生高密度大面积的均匀等离子体。
发明内容
为解决现有技术中的缺陷，本发明提供了一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，技术方案为：
包括微波发生部、CRLH波导、共振腔和CVD反应室，其中，
所述微波发生部将微波馈入所述CRLH波导阵列，所述CRLH波导包括依次设置的BJ26标准矩形波导、由若干个CRLH波导单元结构级联而成的CRLH波导阵列、金属壁和缝隙阵列，所述缝隙阵列在CRLH波导阵列的中心线位置顶部开槽；此开槽的横截面为矩形结构，该矩形长度为自由空间传播的微波波长的一半；
所述共振腔设置在CRLH波导下方，对缝隙阵列输出的微波能量进行汇聚，共振腔的高度为自由空间传播的微波波长的一半，共振腔的底部设置若干个激发槽，激发槽的横截面为矩形结构，长度以及宽度取决于共振腔底部面磁流强场区域的分布；
所述CVD反应室设置在共振腔下方，包括石英介质窗口和工字形沉积台，共振腔底部形成表面电流后，每一个激发槽垂直切割表面电流，所辐射的能量使得石英介质窗口附近的工作气体电离，并在石英介质窗口的外壁周围产生等离子体，微波以表面波的形式沿着石英介质窗口的下表面传播，从而在石英介质窗口下形成均匀的表面波等离子体。
优选地，所述微波发生部包括供电电源、磁控管、环形器和波导魔T结构，其中，环形器用于吸收反射功率、磁控管为全屏蔽式，波导魔T结构用于阻抗调谐。
优选地，所述波导魔T结构，具体为在标准BJ26波导上添加一个E-T支节和一个H-T支节，用于调整等离子体源的微波输入阻抗。
优选地，所述CRLH波导单元结构为任何基于复合左右手传输线的等效电路量化、并使得微波工作在无限波长传播状态的三维结构。
优选地，所述CVD反应室还包括观察窗口，设置在石英介质窗口下方的一侧，观察窗口与CVD反应室的连接处设置网状结构，阻碍微波透过圆孔辐射至CVD反应室外，表面波等离子体的激发透过观察窗口观察；网格直径小于自由空间传播的微波波长的八分之一。
优选地，所述CVD反应室还包括红外测温仪，设置在CVD反应室的上半部外壁。
优选地，所述CVD反应室还包括风冷设备，设置在CVD反应室的石英介质窗口旁，用于石英介质窗口的散热。
优选地，还包括水冷设备，设置在CVD反应室的底部的法兰盖、沉积台、磁控管和环形器部分。
优选地，所述工字形沉积台的高度可调。
优选地，所述缝隙阵列的开槽个数可调，与CRLH波导阵列的中心线夹角θ的范围为0°<θ<180°，用于匹配不同的共振腔尺寸，用于沉积更大面积的金刚石膜。
与现有技术相比，本发明至少包括以下有益效果：
1.通过调节复合左右手(CRLH)波导结构的尺寸，可以匹配大多数频率的微波，使得微波工作在“无限波长传播状态”，即这种状态下微波具有波长无限长且电磁能量依然可以传递的特性。CRLH波导在过渡频率以下表现为左手特性，在过渡频率以上表现为右手特性，相应的色散图中存在异向通带至右手通带的无缝过渡；
2.CRLH波导缝隙阵列不需要为等间距，综合仿真后的性能更好。微波沿着CRLH波导阵列传播时，频率相位不变，其表面电流方向朝向一致。相较于基于普通矩形波导的传统谐振波导缝隙阵列要满足同相激励的条件下阵元间距必须为等间距排列的限制，CRLH波导缝隙阵列间距的选择更为自由，在原有阵元数量以及阵元激励幅度的考虑因素下增加了非等间距这一可变因素，使得CRLH波导阵列的性能得到很大改善；
3.通过改变CRLH波导缝隙阵列开口的夹角以及数量，可以匹配更大的共振腔的尺寸，增大共振腔底部所感应的表面电流区域面积，可用于大面积纳米金刚石膜的沉积，同时，调整共振腔底部激发槽的数量以及位置也可以进一步实现表面波等离子体区域的扩大以及更为均匀的表面波等离子体分布；
4.取消了传统的表面波等离子沉积装置采用天线馈入的复杂结构，微波能量通过CRLH波导阵列的缝隙直接耦合进共振腔，降低了微波能量的衰减，提高耦合效率；
5.采用波导魔T结构代替传统的三销钉调谐器与短路活塞的设计，且装置本身采用的是磁耦合的调制模式，与传统的电耦合调制方式不同，装置可调谐性更好。
附图说明
图1为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列单元结构示意图；
图2为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列单元结构的色散图；
图3为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列的面电流密度矢量分布图；
图4为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列磁场矢量分布图；
图5为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列的单缝隙开槽的角度θ＝45°的EH面方向图；
图6为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导阵列的缝隙阵列的开槽为4，夹角θ＝45°的面电流密度幅度瞬时值分布图；
图7为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的激发槽为4，夹角θ＝45°时共振腔底部的磁场矢量分布图；
图8为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的激发槽为4，夹角θ＝45°时共振腔底部的面电流密度矢量分布图；
图9为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的微波发生部结构示意图；
图10为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的CRLH波导结构示意图；
图11为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的立体结构示意图；
图12为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置的共振腔与激发槽结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
相反，本发明涵盖任何由权利要求定义的在本发明的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步，为了使公众对本发明有更好的了解，在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。
参见图1、图11、图12，所示为本发明实施例的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，包括微波发生部、CRLH波导、共振腔30和CVD反应室40，其中，
微波发生部将微波馈入CRLH波导阵列22，CRLH波导包括依次设置的BJ26标准矩形波导21、由若干个CRLH波导单元结构级联而成的CRLH波导阵列22、金属壁23和缝隙阵列24，CRLH波导单元结构的结构参见图1，缝隙阵列24在CRLH波导阵列22的中心线位置顶部开槽，结构参见图10，图3是CRLH波导阵列22的俯视图，分析的是CRLH波导阵列22顶部的表面电流分布。相对应的，图10为CRLH波导阵列22的三维图，缝隙阵列24的开槽也就在CRLH波导阵列22的顶部。而在图11中，将CRLH波导阵列22结构应用到整体的表面波等离子体装置中时，需要将CRLH波导阵列22倒置180°，才能使得缝隙阵列24的开口朝下，向下辐射微波至共振腔30；此开槽的横截面为矩形结构，该矩形长度为自由空间传播的微波波长的一半，宽度可以通过分析输入端口的反射系数以及远场参数中的辐射功率大小来确定最优值；开槽的夹角决定了微波能量由缝隙阵列24辐射至共振腔30结构的分布与均匀性。参见图4，缝隙阵列24的夹角与水平中心线的夹角θ的范围为0°<θ<180°，激励幅度近似为余弦关系，将CRLH波导阵列22与缝隙阵列24结构相结合，等效为漏波天线，则单缝隙开槽的角度可以通过分析不同角度下远场方向图的参量变化来确定，也就是确定天线阵列的元因子，参见图5为CRLH波导阵列22的单缝隙开口角度θ＝45°的初始远场二维方向图；
缝隙阵列24的开槽的夹角以及数量是可调的，用以匹配更大的共振腔30尺寸，沉积大面积的纳米金刚石膜。图6为缝隙阵列24的开槽个数为4，角度为45°的等间距缝隙阵列24的面电流幅值分布，可以看到添加缝隙阵列24后，微波依旧处于无限波长传播状态，所有开槽均可获得同等相位的激励；天线阵因子的综合优化方法有许多选择，重点关注其远场区辐射功率的损耗以及沿着共振腔30底部中心的传播方向的增益。
CRLH波导阵列22具有可延展性，理论上可无限长，具体所需的长度取决于缝隙阵列24的开槽角度以及数量，在保证微波能量能够多数且均匀地辐射至共振腔30的情况下，所对应的CRLH波导单元结构的数量就是符合实际要求的；CRLH波导阵列22一端采用与微波频率所匹配的标准矩形波导21馈入微波，另一端采用金属壁23短路，反射波与入射波在CRLH波导阵列22内部激励形成驻波，CRLH波导阵列22结构如图11所示。短路金属壁23所引起的边界条件会强制CRLH波导阵列22的表面电流在任意时刻均沿同一方向且面电流的幅度沿中心线向两侧减小，如图3所示，在CRLH波导阵列22的中心线附近做缝隙开口可以获得最大的激励幅度。
共振腔30设置在CRLH波导下方，对缝隙阵列24输出的微波能量进行汇聚，共振腔30的高度为自由空间传播的微波波长的一半，共振腔30的底部设置若干个激发槽31，激发槽31的横截面为矩形结构，长度以及宽度取决于共振腔30底部面磁流强场区域的分布；激发槽31数量与位置是可调的，可以进一步实现表面波等离子体区域的扩大，同时位置一般考虑成中心对称的分布的排列，便于实现均匀的表面波等离子体沉积。共振腔30用来对缝隙阵列24的微波能量进行汇聚，可以由面电流幅值的增大所反应。具体实施例中，参见图7、8为激发槽31个数为4，角度为45°时共振腔30底部的表面电流幅值以及磁场矢量的分布；可以看到磁场的强场区较为狭长且略微弯曲，所以可以选择平面四边形的中心对称结构来较为均匀地辐射微波能量。
共振腔30的激发槽31的数量为4，是最为简单有效的设置方式，选取的结构截面为最为简单的长方形。当微波能量没有完全辐射出去时，激发槽31的数量可以通过减小截面尺寸以及缩短间距来进一步增加，相应地也更加密集，以此来达到调控表面波等离子体的作用。
腔体大小取决于缝隙阵列24所占据的面积，高度近似为自由空间传播的微波波长的而一半。缝隙阵列24的开槽内的电场等效为面磁流，向外辐射微波，在共振腔30底部产生感应电流。激发槽31的夹角选取与共振腔30底部的磁场矢量一致的方向，在共振腔30底部面电流幅值较大的区域进行开槽，最大程度地向CVD反应室40辐射微波能量。
CVD反应室40设置在共振腔30下方，包括石英介质窗口41和工字形沉积台42，共振腔30底部形成表面电流后，每一个激发槽31垂直切割表面电流，所辐射的能量使得石英介质窗口41附近的工作气体电离，并在石英介质窗口41的外壁周围产生等离子体，微波以表面波的形式沿着石英介质窗口41的下表面传播，从而在石英介质窗口41下形成均匀的表面波等离子体，石英介质窗口41靠近共振腔30底部的激发槽31，石英介质窗口41两侧的下方可以做一个略微突起的环状金属台，用于支撑圆柱石英介质窗口41，且其两侧还应与CVD反应室40的内壁做密封性处理。
在共振腔30底部形成表面电流后，每一个激发槽31垂直切割表面电流，所辐射的能量使得石英介质窗口41附近的工作气体电离，并在石英介质窗口41的外壁周围产生等离子体。当激发槽31的排列足够密集，每个激发槽31所形成的等离子体密度足够大时，微波将以表面波的形式沿着石英介质下表面传播，从而在石英介质窗口41下形成均匀的表面波等离子体，参见图12，为将图11所示结构中CRLH波导和共振腔30倒置180°的视角。
图11中，CRLH波导阵列22、共振腔30以及CVD反应室40都存在壁厚，缝隙阵列24与激发槽31都是在相应两者之间的金属壁23进行挖槽处理，所以CRLH波导阵列22、共振腔30以及CVD反应室40都是连接在一起的。由于仿真的时候不考虑金属外壁，所以此图中为了容易区分各部分结构就没有示出。
参见图9，微波发生部包括供电电源11、磁控管12、环形器13和波导魔T结构14，其中，环形器13用于吸收反射功率、磁控管12为全屏蔽式，波导魔T结构14用于阻抗调谐。波导魔T结构14，具体为在标准BJ26波导上添加一个E-T支节和一个H-T支节，调整等离子体源的微波输入阻抗。
CRLH波导单元结构为任何基于复合左右手传输线的等效电路量化、并使得微波工作在无限波长传播状态的三维结构。
CVD反应室40还包括观察窗口，设置在石英介质窗口41下方的一侧，观察窗口与CVD反应室40的连接处设置网状结构，阻碍微波透过圆孔辐射至CVD反应室40外，表面波等离子体的激发透过观察窗口观察；网格直径小于自由空间传播的微波波长的八分之一。
CVD反应室40还包括红外测温仪，设置在CVD反应室40的上半部外壁。
CVD反应室40还包括风冷设备，设置在CVD反应室40的下方；还包括水冷设备，设置在CVD反应室40的下方、沉积台42、磁控管12和环形器13部分，由分水阀调节水流量来匹配各个部分不同的冷秋要求，确保装置在高微波功率下的稳定运行。
工字形沉积台42的高度可调，用于匹配表面波等离子体沉积的最佳位置，装置整体的可调谐能力更好。
装置整体的设计思路：
首先，基于异向介质的传输线模型推导出复合左右手传输线的等效电路，进而分析群速度、相速度等相关电路参数，讨论其色散特性。然后可以将复合左右手传输线的等效电路量化为具体的三维结构，针对该结构在Ansys EM电磁仿真软件中进行本征模式的求解分析，通过匹配标准矩形波导21的内截面尺寸，调整其他可变尺寸，可以得到使得微波工作在“无限波长传播状态”的CRLH波导阵列22的单元结构。将该单元结构进行级联，一端采用标准矩形波导21馈入微波，另一端采用金属壁23短路，使得微波在CRLH波导级联结构中形成驻波。然后借助电磁仿真软件验证该结构表面电流的方向一致性，以及分析面电流幅值的变化趋势及规律。
其次，在CRLH波导阵列22结构上进行缝隙阵列24的开槽，这部分需要参考漏波天线的综合方法，针对缝隙阵列24开口角度、数量及位置，优化不同参数组合下天线的方向图，降低副瓣电平，提高CRLH波导缝隙阵列24天线的性能。
共振腔30位于CRLH波导的缝隙阵列24下方，大小由缝隙阵列24所占据的面积决定，高度近似为微波工作频率所对应的自由空间半波长，具体的尺寸可以通过调整参数时分析共振腔30底部的面电流强度与分布来优化。共振腔30底部激发槽31开口的角度与磁场矢量方向一致，位置以及数量与共振腔30底部所感应的表面电流区域有关。
最后，CVD反应室40位于共振腔30底部激发槽31的下方，宽度相较于共振腔30的尺寸略窄。CVD反应室40顶部设置石英介质窗口41，与CVD反应室40底部隔绝形成低压区，同时底部设置可升降的工字形沉积台42，用于表面波等离子体的沉积。工字形沉积台42的具体尺寸，需要针对多模耦合物理场分析、等离子体分布以及电子温度等进一步优化。
装置运行方式：
1.开启CVD反应室，放入沉积台沉积衬底，采用电极或者电动推杆调谐工字沉积衬底，选择合适的距离与等离子体接触；
2.开启水冷装置，打开电源，采用机械泵进行真空背底抽取，观察压力表显示；气氛采用惰性气体或者氨气；
3.起动微波电源，通过超材料波导导波以及槽天线使得微波功率耦合到谐振腔，进行点火启辉；工作功率控制再1kW～10kW之间；
4.沉积结束后，关闭微波电源、冷水机以及真空泵，结束纳米金刚石薄膜沉积系统。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，包括微波发生部、CRLH波导、共振腔和CVD反应室，其中，
所述微波发生部将微波馈入所述CRLH波导阵列，所述CRLH波导包括依次设置的BJ26标准矩形波导、由若干个CRLH波导单元结构级联而成的CRLH波导阵列、金属壁和缝隙阵列，所述缝隙阵列在CRLH波导阵列的中心线位置顶部开槽；此开槽的横截面为矩形结构，该矩形长度为自由空间传播的微波波长的一半；
所述共振腔设置在CRLH波导下方，对缝隙阵列输出的微波能量进行汇聚，共振腔的高度为自由空间传播的微波波长的一半，共振腔的底部设置若干个激发槽，激发槽的横截面为矩形结构，长度以及宽度取决于共振腔底部面磁流强场区域的分布；
所述CVD反应室设置在共振腔下方，包括石英介质窗口和工字形沉积台，共振腔底部形成表面电流后，每一个激发槽垂直切割表面电流，所辐射的能量使得石英介质窗口附近的工作气体电离，并在石英介质窗口的外壁周围产生等离子体，微波以表面波的形式沿着石英介质窗口的下表面传播，从而在石英介质窗口下形成均匀的表面波等离子体。
2.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述微波发生部包括供电电源、磁控管、环形器和波导魔T结构，其中，环形器用于吸收反射功率、磁控管为全屏蔽式，波导魔T结构用于阻抗调谐。
3.根据权利要求2所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述波导魔T结构，具体为在标准BJ26波导上添加一个E-T支节和一个H-T支节，用于调整等离子体源的微波输入阻抗。
4.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述CRLH波导单元结构为任何基于复合左右手传输线的等效电路量化、并使得微波工作在无限波长传播状态的三维结构。
5.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述CVD反应室还包括观察窗口，设置在石英介质窗口下方的一侧，观察窗口与CVD反应室的连接处设置网状结构，阻碍微波透过圆孔辐射至CVD反应室外，表面波等离子体的激发透过观察窗口观察；网格直径小于自由空间传播的微波波长的八分之一。
6.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述CVD反应室还包括红外测温仪，设置在CVD反应室的上半部外壁。
7.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述CVD反应室还包括风冷设备，设置在CVD反应室的石英介质窗口旁，用于石英介质窗口的散热。
8.根据权利要求2所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，还包括水冷设备，设置在CVD反应室的底部的法兰盖、沉积台、磁控管和环形器部分。
9.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述工字形沉积台的高度可调。
10.根据权利要求1所述的复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，其特征在于，所述缝隙阵列的开槽个数可调，与CRLH波导阵列的中心线夹角θ的范围为0°<θ<180°，用于匹配不同的共振腔尺寸，用于沉积更大面积的金刚石膜。
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