CN115343916A - 通过激光光刻装置在光刻材料中产生三维结构的方法 - Google Patents

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Abstract

一种通过激光光刻装置在光刻材料中产生三维目标结构(42)的方法，其中目标结构被定义为在激光光刻装置的写入区域内，激光写入束的聚焦区域(26)穿过通过光刻材料的扫描歧管(38)，其中在激光写入束的聚焦区域中，曝光剂量被照射到光刻材料中，并且结构区域(52)被局部定义，其中确定表示作为位置函数的扫描歧管的局部曝光剂量的至少一个曝光数据集，其中近似目标结构的结构基于该至少一个曝光数据集定义，其中分析此结构并确定至少一个代表分析结构的分析数据集，其中确定代表已定义结构与目标结构的偏差的偏差数据集，其中确定至少一个校正曝光数据集，并且其中定义基于该至少一个校正曝光数据集的校正结构。本发明还涉及一种激光光刻装置。

Description

通过激光光刻装置在光刻材料中产生三维结构的方法
技术领域
本发明涉及一种通过激光光刻装置在光刻材料中产生三维目标结构的方法。本发明还涉及一种适用于该方法的激光光刻装置。
背景技术
这种类型的技术特别用于在需要高精度并且同时需要对要产生的结构的设计自由度的区域中产生微结构或纳米结构。在这样的激光光刻方法中，通常通过将曝光剂量辐射到激光写入束的聚焦区域中的光刻材料中，并因此局部定义结构区域，例如通过局部硬化或聚合光刻材料，来写入结构。然后可以通过移位光刻材料中的聚焦区域来产生三维整体结构。
从DE 10 2017 110 241 A1已知一种激光光刻方法，其中通过局部改变辐射的曝光剂量(曝光变化)来产生所需结构的表面。
为了能够使用这种曝光变化产生高精度的结构，必须在曝光剂量和曝光结果之间建立联系。为此，通常需要相应的校准过程。为此目的，已知在实际写入所需结构之前产生具有预定曝光剂量的参考结构，然后显影它们并随后以光学或机械方式测量它们的表面。然后根据测量结果，通常会相应地调整曝光剂量，并反复重复该过程，直到达到的结果满足规定的要求。然而，这样的优化过程通常耗时且难以自动化。此外，这种校准过程通常必须以一定的时间间隔再次进行。
发明内容
本发明的目的是以简单快速的方式在光刻材料中产生高精度的三维结构。
该目的通过根据方案1的方法实现。该方法是在光刻材料的体积和/或填充有光刻材料的体积中通过激光光刻装置的激光光刻方法，该方法特别是所谓的直接激光写入。根据该方法，通过依次定义相加形成目标结构的多个结构区域(以下也称为“体素”)(即，通过用激光光刻装置在光刻材料中“写入”)，而在光刻材料中写入和/或定义目标结构。
为了写入结构区域并因此写入目标结构，激光写入束的聚焦区域贯穿通过光刻材料的扫描歧管。在简单的情况下，扫描歧管可以是扫描曲线，但也可以做得更复杂。换言之，激光写入束的聚焦区域移位通过光刻材料。为此目的，激光写入束在激光光刻装置的写入区域内是可控的，具有结构化目的所需的精度。例如，激光写入束可以通过束引导设备以受控方式偏转。然而，也可以想到，光刻材料或具有光刻材料的基板通过定位设备以受控方式相对于激光写入束移位。移位的两个概念也可以一起使用。
在激光写入束的聚焦区域中，向光刻材料照射曝光剂量，特别是利用多光子吸收，对光刻材料进行局部改性，从而产生或写入结构区域。在这方面，光刻材料是局部结构化的，特别是利用多光子吸收。特别地，光刻材料通过激光写入束的曝光剂量而被化学和/或物理改性，例如硬化或聚合。曝光剂量特别是辐射能量的体积剂量。光刻材料中改性结构区域(“体素”)的大小取决于曝光剂量。通过改变曝光剂量，而可以修改每个结构区域或体素的空间扩展，特别是结构高度。
通过多光子吸收施加曝光剂量在当前情况下使用的3D激光写入类型中可能是特别有利的。为此目的，光刻材料优选以这样的方式设计，并且激光写入束以这样的方式被调谐到光刻材料，使得光刻材料的变化(例如局部聚合)仅通过多个光子的吸收是可能的。为此目的，例如，可以选择激光写入束的波长，从而-并且因此相关联的量子能量可以具有这样的量级使得-改性光刻材料所需的能量输入仅通过同时吸收两个或更多的量子来实现。这种过程的概率不是线性依赖于强度，并且与写入束的其余部分相比，在聚焦区域中显著增加。仔细考虑表明，吸收两个或更多量子的概率是辐射强度的平方或更高幂的函数。与此相反，线性吸收过程的概率显示出不同的强度依赖性，特别是辐射强度的较低功率。由于激光写入束对光刻材料的穿透被减弱(例如，根据比尔定律)，使用线性吸收过程在聚焦区域中的光刻材料液体表面下方的深处写入将是有问题的，因为由于衰减，即使在聚焦区域的表面下方有焦点，也不一定给出最高的吸收概率。另一方面，多光子吸收机制使得即使在一定体积的光刻材料内部，也就是在液体表面下方相对较深的地方，也可以局部地传递所需的曝光剂量，并且可以改性光刻材料。因此，不需要如现有技术中已知的用于逐步降低光刻材料浴中的支撑结构的装置。
为了解决该任务，特别建议首先提供至少一个曝光数据集，其表示作为位置函数的扫描歧管的局部曝光剂量(步骤a)。特别地，该至少一个曝光数据集可以表示沿激光写入束穿过光刻材料的扫描曲线的每个扫描点的局部曝光剂量。在这方面，该至少一个曝光数据集指定了要在扫描歧管的特定位置使用的曝光剂量。该至少一个曝光数据集特别是或者可以存储在激光光刻装置的控制设备的存储器中。可以特别地通过以下方式提供该至少一个曝光数据集：提供表示要生成的目标结构的结构数据集(例如CAD数据)和/或将其存储在控制设备中，然后使用它在计算机辅助下，例如通过为此目的配置的激光光刻装置的控制设备，确定该至少一个曝光数据集。
在进一步的步骤中，然后基于该至少一个曝光数据集在光刻材料中定义或生成近似目标结构的结构(步骤b)。为此，特别地，根据该至少一个曝光数据集控制激光光刻装置，使得结构区域根据由该至少一个曝光数据集指定的曝光剂量顺序地写入光刻材料中。
然后使用具有空间分辨率的成像测量方法分析已经定义的结构的至少一部分(步骤c)。可以设想，仅在完成写入过程之后才分析结构。还可以考虑在其定义期间(可以说是“在线”)分析正在分析的结构。特别地，测量定义的结构的形貌或形状。特别地，可以使用光学测量设备、例如基于OCT(光学相干断层扫描)来捕获图像。可以分析完整的、已经定义的结构。但是，也有可能只分析已定义结构的子区域-例如，那些需要特殊优化的子区域(例如，由分隔的写入区域产生的子结构并置产生的过渡区域，参见以下)。
在结构分析期间或之后，由计算机确定至少一个分析数据集，该分析数据集表示所分析的结构，特别是其形状或形貌。
然后由计算机确定偏差数据集，其表示已经定义的结构与目标结构的偏差，特别是在形貌或形状方面的偏差(步骤d)。偏差数据集特别通过将该至少一个分析数据集与代表要生成的目标结构的结构数据集进行比较来确定。该结构数据集特别可以是该至少一个曝光数据集。偏差特别理解为是指目标结构的目标形貌与基于该至少一个曝光数据集定义的结构的实际形貌之间的差异。
在进一步的步骤(步骤e)中，由计算机确定至少一个校正曝光数据集，特别是基于偏差数据集，该偏差数据集表示补偿偏差所需的校正曝光剂量，作为位置的函数用于扫描歧管。
然后基于该至少一个校正曝光数据集生成校正结构(步骤f)。
可以设想，基于校正曝光数据集，生成单独的结构，特别是在空间上与基于曝光数据集定义的结构分离。然后，至少一个校正曝光数据集可以指定曝光剂量，特别是用于扫描歧管，作为位置的函数，其中曝光剂量以这样的方式确定，即基于校正曝光数据集写入的结构与目标结构的偏差比基于曝光数据集的先前写入的结构与目标结构的偏差更小。校正结构也可以用于对最初基于至少一个曝光数据集写入的结构进行后校正。然后，至少一个校正曝光数据集可以指定曝光剂量，特别是用于扫描歧管，作为位置的函数，其中曝光剂量被确定为使得已经定义的结构和目标结构之间的偏差通过在校正曝光数据集的基础上写入结构来减少。例如，可以将校正结构应用于已经写入的结构。
这种方法使得可以表征已经在原位写入的结构并直接纠正与期望目标结构的偏差。结果，可以以相对较少的时间和设备支出来产生具有高精度的结构。尤其是，该方法使得可以直接在已经产生的结构上检测与期望目标结构的偏差，而不必预先准备结构用于分析。
特别地，在定义结构(步骤b)和分析结构(步骤c)之间没有发生光刻材料的显影。因此，特别地，没有去除未曝光的光刻材料，并且基于曝光数据集已经产生的结构也没有硬化。使用这种方法，因此可以原位优化写入结构，从而实现更快的循环时间。特别是，该方法使得可以实现自动化结构优化，因为不再需要复杂的显影步骤。
曝光剂量(曝光变化)可以通过激光调制来修改，例如通过现有技术中已知的声光调制器，或通过自动偏振器。也可以使用其他束整形方法来改变曝光，其中可以调整激光写入束的幅度、相位或偏振。
在本上下文中，光刻材料通常用于指其化学和/或物理材料特性可以通过用写入激光束照射来改变的物质，例如所谓的光刻漆。根据写入束引起的改性类型，光刻材料可分为所谓的负性抗蚀剂(其中辐照导致局部硬化，或在显影剂介质中的溶解度降低)和所谓的正性抗蚀剂(其中辐照局部增加在显影介质中的溶解度)。
根据有利的发展，上述方法的步骤c)至f)、即分析结构并确定至少一个分析数据集(步骤c)、确定偏差数据集(步骤d)、确定至少一个校正曝光数据集(步骤e)和定义校正结构(步骤f)被迭代地重复，使得实际定义的结构与期望的目标结构的偏差逐渐减小，即在每个迭代过程中。换言之，在已经写入校正结构之后，再次分析得到的结构，并且如果需要，写入进一步的校正结构。优选迭代地重复步骤c)至f)，直到所确定的偏差低于预定的或可预定的阈值，尤其是存储在或可以存储在控制设备中的阈值。
用于分析定义结构的成像测量方法特别可以是光学显微方法，更特别是非线性显微方法。可以设想，例如，首先用激发光照射被分析的结构，并且通过光学测量设备检测由被分析的结构反向散射、反射或透射的反射辐射。测量设备特别可以包括测量光学器件，其优选地与生成激光写入束的设备(例如，束引导设备)共焦地形成。如果激光写入束穿过透镜进入光刻材料以定义结构，并且如果该透镜也用于收集由要分析的结构发射的辐射，这也可以是特别有利的。然而，原则上也可以将单独的测量设备、特别是单独的透镜用于显微术。
特别地，结构通过共焦荧光显微术进行分析。在这方面，特别是评估当激发光照射到光刻材料中时由光刻材料生成的荧光信号。根据光刻材料是处于其未改性的初始状态(例如，处于未聚合状态)还是处于被激光写入束改性的状态(例如，处于聚合状态)，生成不同的荧光信号，使得可以检测到结构对比。
在该方法的特别有利的实施例中，为了分析已经定义的结构，可以用激光写入束对其进行光学扫描以进行成像，并且通过测量设备检测被反向散射、反射、透射或由荧光产生的辐射。在这方面，激光写入束用于用激发光照射正在分析的结构。这种使用激光写入束的扫描本身具有不需要额外的成像设备的优点。此外，以这种方式可以特别快速地进行分析，因为特别是不需要光学器件的转换。为了扫描结构，优选将曝光剂量选择为足够低，使得在扫描期间在光刻材料中没有定义任何结构。特别地，选择低于光刻材料发生明显聚合的阈值(聚合阈值)的激光强度。用不同激光波长的激光照射被检查的结构也是可能的，该波长在光刻材料中具有如此低的线性或非线性吸收，以至于在扫描期间在光刻材料中没有定义结构。
此外或作为替代，已经定义的结构也可以使用扫描尖端，例如以针的形式，通过机械扫描来分析-以原子力显微镜的方式。这种配置在初始状态下为液体的光刻材料的情况下是特别有利的。
根据有利的发展，目标结构可以通过顺序定义的多个部分结构来定义，这些部分结构一起至少近似于目标结构。如果要产生的目标结构大于激光光刻装置的最大写入区域，这种配置特别有利。为了生成部分结构，目标结构优选地由计算机光栅化，特别是分解成结构区域(体素)，并且部分结构分别由一组优选地邻接的结构区域(体素)形成。为了生成部分结构，然后由计算机从至少一个曝光数据集或至少一个校正曝光数据集确定另外的部分曝光数据集，这些数据集表示用于每个部分结构的扫描歧管的局部曝光剂量。特别地，在每个部分结构已经被定义之后，激光光刻装置的写入区域被移位，例如通过现有技术中已知的定位装置。
原则上，部分结构可以具有不同的形状。如果要产生的目标结构在高度方向上具有大于激光光刻装置的最大写入高度的延伸，则在目标结构至少分段分解成彼此在层中堆叠的部分结构时可以是特别有利的。在这方面，部分结构的至少一个子集被设计成使得目标结构近似为多个部分结构，这些部分结构彼此在层中堆叠，即，在高度方向上一个在另一个之上。在写入每个部分结构之后，光刻材料和/或具有光刻材料的基板然后以受控方式向下移动，特别是通过定位设备。
根据有利的发展，至少一个曝光数据集和至少一个校正曝光数据集可以分别包括至少一个灰度图像数据集，其中不同的灰度值代表不同的曝光剂量。特别地，至少一个曝光数据集和至少一个校正曝光数据集各自由灰度图像数据集组成。在这方面，数据集可以可视化为灰度图像。特别地，激光光刻装置被控制为灰度图像数据集的函数。优选地，通过将灰度图像文件读取到激光光刻装置的控制设备中并将其存储在存储器中来提供至少一个曝光数据集。
如果如上所述，目标结构是由彼此在层中堆叠的部分结构构成的，那么，如果将至少一个曝光数据集和至少一个校正曝光数据集设计为灰度图像数据集，则至少一个曝光数据集的灰度图像数据集和/或至少一个校正曝光数据集的灰度图像数据集分割成多个部分灰度图像数据集。然后，部分灰度图像数据集一起表示沿部分结构的堆叠方向的图像堆叠。然后每个灰度图像的最高灰度值对应于导致最大结构高度的曝光剂量，该最大结构高度可以用激光光刻装置在一个平面上写入(即，光刻材料不必在高度方向上相对于激光写入束的聚集区域移动)。
根据有利的改进方案，至少一个分析数据集还可以包括至少一个灰度图像数据集，并且特别地可以由它组成，具有不同的灰度值，代表被分析结构的不同结构高度。然后可以通过将至少一个分析数据集与至少一个曝光数据集进行比较来确定偏差数据集，特别是校正曝光数据集。
开头所述的目的也通过根据方案12的激光光刻装置来实现。激光光刻装置被设计用于在光刻材料中产生三维目标结构。激光光刻装置包括用于发射激光写入束的激光源。此外，激光光刻装置包括束引导设备，特别是包括用于对定义激光写入束从激光源到光刻材料的束路径进行定义的光学装置，例如透镜、反射镜等。此外，提供了聚焦光学器件，其设计用于将激光写入束聚焦在聚焦区域中。还提供了用于相对于光刻材料移位激光写入束的聚焦区域的扫描设备。扫描设备可以是偏转设备(例如，包括偏转镜)，用于修改激光写入束在光刻材料中的聚焦区域的位置。附加地或替代地，扫描设备还可以包括定位设备，通过该定位设备可以使光刻材料或具有光刻材料的基板相对于激光写入束移位。
激光光刻装置还包括成像测量设备，用于分析通过激光写入束定义或写入光刻材料中的结构。特别地，测量设备可以包括用于检测被来自被分析结构的荧光反向散射、反射、透射或产生的辐射的检测设备。附加地或替代地，测量设备可以包括具有扫描尖端的探针，通过该探针可以对结构进行机械扫描。
激光光刻装置还包括控制设备，其被配置为执行上述方法。控制设备特别包括计算单元和非易失性存储器，在其中存储或可以存储上述数据集。
附图说明
下面，将使用附图更详细地描述本发明。
在附图中：
图1是激光光刻装置的简化示意图；
图2a、图2b是说明用于生成三维结构的方法的子步骤的示意图；
图3是用于生成三维结构的方法的实施例的示意流程图；和
图4和图5是说明将曝光数据集划分为部分曝光数据集的示意图。
具体实施方式
在以下描述和附图中，相同的附图标记用于相同或对应的特征。
图1是激光光刻装置的示意图，其整体由附图标记10表示。激光光刻装置10包括用于发射激光写入束14的激光源12。激光光刻装置10还包括束引导设备16，用于定义激光写入束14从激光源12到要结构化的光刻材料20的束路径18，该光刻材料20作为示例示出为液体材料浴。
在所示示例中，束引导设备16具有多个模块，这些模块实现光学和/或机械功能。例如，束路径16可以首先贯穿调制模块22以形成合适的束脉冲。激光光刻装置10还包括用于将激光写入束14聚焦在激光写入束14的聚焦区域26(也参见图2a)中的聚焦光学器件24。聚焦光学器件24包括例如透镜模块28，激光写入束14通过透镜模块28照射到光刻材料20中。
在所示示例中，激光光刻装置10还包括扫描设备30，借助该扫描设备30，激光写入束14的聚焦区域26可以相对于光刻材料20在写入区域32中以结构化所需的精度移位。在所示示例中，扫描设备30包括束引导模块34，其可以包括例如用于激光束14的受控偏转的检流计扫描器单元。在未示出的实施例中，也可以将扫描设备30包括定位设备，其用于相对于激光写入束14的聚焦区域26精确地移动光刻材料20或具有光刻材料20的基板36。附图还示出了具有相互正交的轴x、y、z的坐标系，其中x轴和y轴定义写入平面，z轴对应于垂直方向。
激光光刻装置10还包括控制设备(未示出)，其包括计算单元和非易失性存储器。
为了在光刻材料中生成三维结构，激光写入束14的聚焦区域26被扫描设备30相对于光刻材料20移位，使得聚焦区域26穿过通过光刻材料20的扫描歧管(由图1中的箭头38指示)。在激光写入束14的聚焦区域26中，曝光剂量被局部照射到光刻材料20中，使得结构区域40(见图2b)是局部定义的，特别是利用多光子吸收。例如，光刻材料20是局部聚合的，因此是结构化的。
下面参考图2a至图5来解释通过激光光刻装置、特别是通过上面解释的激光光刻装置10来产生三维结构的方法的有利实施例。
图2a在截面图中示意性地示出了目标结构的示例，该目标结构将通过3D激光光刻写入到光刻材料20的体积中。目标结构42在图2a中由附图标记42表示，并且具有在图2a中以虚线示出的外表面44。在所示示例中，目标结构42具有明显的高度轮廓46，其用于解释曝光剂量变化的影响。然而，当然也可以想到其他几何形状。例如，42的外表面44也可以具有带不同梯度或曲线的轮廓。
对于目标结构42的光刻产生，首先提供曝光数据集，其表示作为位置函数的扫描歧管38的局部曝光剂量(图3中的步骤100)。曝光数据集特别可以是表示目标结构42的灰度图像数据集。例如，可以将灰度图像文件读入激光光刻装置10的控制设备中。也可以最初提供表示目标结构42的结构数据集(例如，CAD数据)，然后由计算机根据该结构数据集确定曝光数据集。
在下一步骤(图3中的步骤102)中，然后根据曝光数据集控制激光光刻装置10，从而产生至少接近目标结构42的结构48(该结构的外表面在图2b中用实线绘制，并由附图标记50表示)。如图2a中的示例所示，结构48例如可以通过聚焦区域26穿过扫描歧管38并且在发射具有定义的脉冲速率和脉冲长度的激光脉冲序列的过程中定义。这定义了沿扫描歧管38的形成结构48的一系列结构区域52(体素)。结构区域52彼此在形状上相似或在形状上相同。写入结构区域52的尺寸以及因此结构高度与吸收的曝光剂量有关。
由于不同的影响(例如，光刻材料对激光输入的局部不同响应、光学误差、基板36的倾斜等)，基于曝光数据集生成的结构48通常不完全对应于所需的目标结构42。根据该方法，在进一步的步骤(图3中的步骤104)中，因此分析已经定义的结构48，特别是测量定义的结构48的形貌或形状。这发生在原位，即，特别是在没有首先显影光刻材料20或定义结构48的情况下。根据第一实施例，使用共焦荧光显微镜检查定义结构48，其中首先使用激光写入束14对已定义的结构48进行光学扫描，然后分析样品发射的荧光信号。为此，激光光刻装置10然后可以具有相应的测量设备54(见图1)，例如荧光检测器。作为示例并且优选地，由样品发射的辐射的束路径沿着激光写入束的束路径延伸。
也可以通过扫描尖端(未示出)对结构48进行机械扫描以对其进行分析。在这种情况下，激光光刻装置10可以包括扫描仪(未示出)。
在结构48的分析期间和/或之后，然后确定代表定义的结构48、特别是其形貌或形状的分析数据集。作为示例并且优选地，分析数据集也是灰度图像数据集，其中不同的灰度值代表不同的结构高度(在z方向上)。
在进一步的步骤(图3中的步骤106)中，现在通过比较表示目标结构42的曝光数据集和表示已定义的结构48与目标结构42的偏差的分析数据集来确定偏差数据集(见图2b)。特别地，可以通过曝光数据集和分析数据集的灰度图像数据集之间的差异来确定偏差数据集。
然后进行检查以确定所确定的偏差是否低于预定阈值(图3中的步骤108)。因此检查已定义的结构48是否已经充分对应于期望的目标结构42。如果是这种情况，则结束该方法(图3中的步骤110)。然而，如果偏差高于阈值，则在进一步的步骤中，基于偏差数据集确定校正曝光数据集(图3中的步骤112)，其表示扫描歧管38的每个扫描点的校正曝光剂量，以补偿或至少减少与目标结构42的偏差。
在进一步的步骤中，然后基于校正曝光数据集控制激光光刻装置10(图3中的步骤114)，从而定义校正结构。有可能基于校正曝光数据集，生成与基于曝光数据集定义的结构空间分离的“新”结构，特别是在基板36上的不同位置处。校正结构也可以仅用于对先前基于至少一个曝光数据集写入的结构进行后校正。在这种情况下，根据校正曝光数据集，特别是激光写入束14的聚焦区域26可以再次行进先前经过的扫描歧管38，其中适当地调整的曝光剂量用作位置的函数。
迭代地重复步骤104到114，直到实际产生的结构48与期望的目标结构42的确定偏差降到阈值以下。
如果期望的目标结构42大于激光光刻装置10的最大写入区域34，则目标结构42可以在计算上被分解为一起近似目标结构42的部分结构。为了生成部分结构，然后由计算机确定另外的部分曝光数据集，特别是根据至少一个曝光数据集，其代表每个部分结构的扫描歧管38的局部曝光剂量。然后依次写入部分结构，并根据上述方法分析和优化所得结构。在这种情况下，分析数据集、偏差数据集和/或校正曝光数据集可选地根据部分结构分解成部分数据集。
图4描绘了目标结构在扫描平面(x-y平面)中具有比激光光刻装置10的写入区域34更大的延伸的情况的示例。表示曝光数据集的灰度图像56显示为图4中的示例。如图4中的示例所示，灰度图像56或曝光数据集可以分解为部分灰度图像56a-d和/或部分灰度图像数据集，然后在其基础上写入部分结构。
在目标结构42在高度方向(z方向)上的延伸大于激光光刻装置10每个扫描平面的最大写入高度的情况下，目标结构42可以被分解为例如在层中彼此叠置的部分结构。这种情况在图5中以草图形式描绘。为了定义部分结构，曝光数据集(在图5中由灰度图像58描绘)然后可以分解为多个部分曝光数据集(在图5中描绘为图5由一叠相应的灰度图像58a-h)。灰度图像58和58a-h在图5中仅以草图形式显示以解释图像栈。然而，特别地，图5中的每个灰度图像58或58a-h对应于以图4中所示的灰度图像56的方式的图像。

Claims (12)

1.一种用于通过激光光刻装置(10)在光刻材料(20)中产生三维目标结构(42)的方法，其中，所述目标结构(42)被定义为，在所述激光光刻装置(10)的写入区域(34)内，激光写入束(14)的聚焦区域(26)穿过通过所述光刻材料(20)的扫描歧管(38)，其中，在所述激光写入束(14)的聚焦区域(26)中，曝光剂量照射到所述光刻材料(20)中并且局部定义结构区域(52)，所述方法包括：
a)提供至少一个曝光数据集，所述曝光数据集表示作为位置的函数的所述扫描歧管(38)的局部曝光剂量；
b)基于所述至少一个曝光数据集来定义近似所述目标结构(42)的结构(48)；
c)通过空间分辨成像测量方法来分析已经定义的结构(48)，并确定代表分析的结构(48)的至少一个分析数据集；
d)确定偏差数据集，其表示已经定义的结构(48)与所述目标结构(42)的偏差；
e)确定至少一个校正曝光数据集，所述校正曝光数据集表示作为位置的函数的补偿所述扫描歧管(38)的偏差所需的校正曝光剂量；
f)基于所述至少一个校正曝光数据集来定义校正结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在定义所述结构(48)(步骤b)和分析所述结构(48)(步骤c)之间不发生所述光刻材料(20)的显影。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中，步骤c)到f)以这样的方式迭代地重复，使得已经定义的所述结构(48)与所述目标结构(42)的偏差逐渐减小，特别是直到确定的偏差低于预定或能预定的阈值。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过光学显微术、特别是通过共焦荧光显微术，来分析定义的结构(48)。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，为了分析已经定义的所述结构(48)，用所述激光写入束(14)对其进行扫描，并且为了成像，通过测量设备(54)检测反向散射、反射、透射或荧光产生的辐射，特别是其中，用于扫描的曝光剂量被选择为足够低以至于在所述光刻材料(20)中没有定义结构。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，为了分析已经定义的所述结构(48)，利用扫描尖端对其进行机械扫描。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述目标结构(42)通过顺序定义的多个部分结构来定义，所述部分结构一起近似所述目标结构(42)，其中，由计算机确定进一步的部分曝光数据集，用于从所述至少一个曝光数据集和/或所述至少一个校正曝光数据集来定义所述部分结构，所述进一步的部分曝光数据集表示沿每个部分结构的扫描歧管的局部曝光剂量。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述部分结构在层中彼此叠置。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个曝光数据集和所述至少一个校正曝光数据集各自包括至少一个灰度图像数据集，其中，不同的灰度值代表不同的曝光剂量。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，为了确定部分曝光数据集，所述至少一个曝光数据集和/或所述至少一个校正曝光数据集的至少一个灰度图像数据集被划分为多个部分灰度图像数据集，所述部分灰度图像数据集一起形成沿所述部分结构的堆叠方向的图像堆叠(58a-h)。
11.根据权利要求9或10中任一项所述的方法，其中，所述至少一个分析数据集还包括至少一个灰度图像数据集，其中，不同的灰度值代表不同的结构高度，并且其中，所述偏差数据集通过比较所述至少一个分析数据集与所述至少一个曝光数据集来确定。
12.一种用于在光刻材料(20)中产生三维目标结构(42)的激光光刻设备(10)，包括用于发射激光写入束(14)的激光源(12)、用于定义所述激光写入束(14)从所述激光源(12)到所述光刻材料(20)的束路径(18)的束引导设备(16)、用于将所述激光写入束(14)聚焦在聚焦区域(26)中的聚焦光学器件(24)、用于使所述激光写入束(14)的聚焦区域(26)相对于所述光刻材料(20)移位的扫描设备(30)，其特征在于
用于分析已经定义的结构(48)的成像测量设备(54)，以及
控制设备，其被配置为执行根据权利要求1至11中任一项所述的方法。
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