CN115332420A - 一种植入式μLED光电极 - Google Patents

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CN115332420A CN202211255043.5A CN202211255043A CN115332420A CN 115332420 A CN115332420 A CN 115332420A CN 202211255043 A CN202211255043 A CN 202211255043A CN 115332420 A CN115332420 A CN 115332420A
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Abstract

本申请属于生物医学工程技术领域，公开了一种植入式μLED光电极，包括μLED光源和设置在所述μLED光源下侧的导电增透结构，所述μLED光源用于发出照射光；所述导电增透结构包括四个结构层，从上到下，四个所述结构层分别为第一透明层、透光金属层、第二透明层和第三透明层；所述导电增透结构中，各所述结构层的界面的反射光干涉相消以提高所述导电增透结构的对所述照射光的透射率；可提高μLED光源发出的光的透射率，从而有利于降低植入式μLED光电极的发热量。

Description

一种植入式μLED光电极
技术领域
本申请涉及生物医学工程技术领域，具体而言，涉及一种植入式μLED光电极。
背景技术
光电极是一种植入式的光遗传学工具，用于将一定强度的光安全导入大脑，以刺激大脑中的光敏通道蛋白，实现对神经元的有效调控并记录生理电信号。通过光电极，可以更好地了解神经活动机制，实现对神经元的精准调控，起到预防和治疗癫痫、抑郁、帕金森综合征等神经系统疾病的作用。
现有的光电极主要包括光波导光电极和植入式μLED（微米级发光二极管）光电极。光波导光电极的光源与采集电极分离，光源在体外，通过光波导结构将体外光源引导至脑内，由于光波导的横向面积受限，光耦合效率不高，实际应用效果不佳。植入式μLED光电极以μLED为光源，将该光源封装在柔性电极采集端，一同植入脑内，从而可直接照射神经元，量能利用率更高。
然而，现有的植入式μLED光电极，直接用一层柔性透明材料对μLED光源进行封装，μLED光源发出的光中被该柔性透明材料层反射的部分较多，为了保证透过光（即透过柔性透明材料层的光）满足要求，需要μLED光源以较大的功率工作，从而导致植入式μLED光电极发热量较大，容易引发安全问题，因此不适合长时间使用。
发明内容
本申请的目的在于提供一种植入式μLED光电极，可提高μLED光源发出的光的透射率，从而有利于降低植入式μLED光电极的发热量。
本申请提供了一种植入式μLED光电极，包括μLED光源和设置在所述μLED光源下侧的导电增透结构，所述μLED光源用于发出照射光；所述导电增透结构包括四个结构层，从上到下，四个所述结构层分别为第一透明层、透光金属层、第二透明层和第三透明层；
所述导电增透结构中，各所述结构层的界面的反射光干涉相消以提高所述导电增透结构的对所述照射光的透射率。
通过在μLED光源下侧设置导电增透结构，利用导电增透结构中各结构层的界面的反射光干涉相消的原理以提高导电增透结构整体的透射率，与现有技术相比，在透过光强度相同的情况下，μLED光源的工作功率更小，从而能够降低μLED光源的发热量，进而有利于降低植入式μLED光电极的发热量，提高使用安全性和使用时长。
优选地，所述导电增透结构满足以下条件：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE002
为所述透光金属层、所述第二透明层和所述第三透明层的总反射系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE004
为虚数符号，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE005
为所述第一透明层上表面相对真空的反射系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE006
为所述第一透明层和所述透光金属层之间的界面的反射系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE007
为所述透光金属层与所述第二透明层之间的界面的反射系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE008
为所述第二透明层与所述第三透明层之间的界面的反射系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE009
为所述第一透明层的折射率，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE010
为所述第一透明层的厚度，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE011
为所述透光金属层的消光系数，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE012
为所述透光金属层的厚度，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE013
为所述第二透明层的折射率，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE014
为所述第二透明层的厚度，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE015
为所述照射光的波长。
从而大大地降低被导电增透结构反射回来的光，有效提高透射率。
优选地，所述透光金属层的厚度小于10nm。
从而确保透光金属层的光透过性，减小被透光金属层直接吸收的光能，进一步降低植入式μLED光电极的发热。
优选地，所述透光金属层为Ag、Au、Cu或Al。
优选地，所述透光金属层、所述第二透明层和所述第三透明层满足以下条件：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE016
其中，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE017
为所述第二透明层的传播相位，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE018
为所述透光金属层和所述第二透明层之间的界面的反射相位，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE019
为所述第二透明层和所述第三透明层之间的界面的反射相位。
优选地，所述第二透明层对所述照射光的折射率为所述第三透明层对所述照射光的折射率的2倍以上；
所述透光金属层和所述第二透明层满足以下条件：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE020
；
其中，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE021
为所述透光金属层和所述第二透明层之间的界面的反射相位。
优选地，所述第一透明层和所述透光金属层满足以下条件：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE022
其中，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE023
为所述第一透明层的传播相位，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE024
为所述第一透明层和所述透光金属层之间的界面的反射相位，
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE025
为所述第一透明层上表面相对真空的反射相位。
优选地，所述导电增透结构的下表面设置有至少一个电信号采集口，所述电信号采集口从所述第三透明层的下表面贯通至所述透光金属层的下表面。
优选地，所述导电增透结构的上侧设置有覆盖所述μLED光源的柔性导热材料层。
优选地，所述柔性导热材料层由柔性高分子聚合材料和导热填充颗粒组合而成。
有益效果：
本申请提供的植入式μLED光电极，通过在μLED光源下侧设置导电增透结构，利用导电增透结构中各结构层的界面的反射光干涉相消的原理以提高导电增透结构整体的透射率，与现有技术相比，在透过光强度相同的情况下，μLED光源的工作功率更小，从而能够降低μLED光源的发热量，进而有利于降低植入式μLED光电极的发热量，提高使用安全性和使用时长。
附图说明
图1为本申请实施例提供的植入式μLED光电极的结构示意图。
图2为一种示例性的反射光干涉相消的原理图。
图3为一种示例性的导电增透结构与单层PDMS层的透射率对比图。
标号说明：1、μLED光源；2、导电增透结构；3、第一透明层；4、透光金属层；5、第二透明层；6、第三透明层；7、电信号采集口；8、柔性导热材料层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1，本申请一些实施例中的一种植入式μLED光电极，包括μLED光源1和设置在μLED光源1下侧的导电增透结构2，μLED光源1用于发出照射光；导电增透结构2包括四个结构层，从上到下，四个结构层分别为第一透明层3、透光金属层4、第二透明层5和第三透明层6；
在导电增透结构2中，各结构层的界面的反射光干涉相消以提高导电增透结构2的对照射光的透射率。
通过在μLED光源1下侧设置导电增透结构2，利用导电增透结构2中各结构层的界面的反射光干涉相消的原理以提高导电增透结构2整体的透射率，与现有技术相比，在透过光强度相同的情况下，μLED光源的工作功率更小，从而能够降低μLED光源的发热量，进而有利于降低植入式μLED光电极的发热量，提高使用安全性和使用时长。
在一些优选实施方式中，导电增透结构2满足以下条件（以下称之为条件一）：
Figure 207562DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 718177DEST_PATH_IMAGE002
为透光金属层4、第二透明层5和第三透明层6的总反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE027
为虚数符号，
Figure DEST_PATH_IMAGE028
为第一透明层3上表面相对真空的反射系数（即，当第一透明层3上表面与真空接触时，真空与第一透明层3之间的界面的反射系数），
Figure 643056DEST_PATH_IMAGE006
为第一透明层3和透光金属层4之间的界面的反射系数，
Figure 772686DEST_PATH_IMAGE007
为透光金属层4与第二透明层5之间的界面的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE029
为第二透明层5与第三透明层6之间的界面的反射系数，
Figure 649375DEST_PATH_IMAGE009
为第一透明层3的折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE030
为第一透明层3的厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE031
为透光金属层4的消光系数，
Figure 127630DEST_PATH_IMAGE012
为透光金属层4的厚度，
Figure 863505DEST_PATH_IMAGE013
为第二透明层5的折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE032
为第二透明层5的厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE033
为照射光的波长。
参考图2，在满足上述条件时，由第二透明层5和第三透明层6反射的光在透光金属层4与第二透明层5之间的界面处形成的总反射光、第一透明层3和透光金属层4之间的界面处的反射光、第一透明层3上表面相对真空的反射光之间的相互抵消，从而大大地降低被导电增透结构2反射回来的光，有效提高透射率。
其中，上述的反射系数，是指对于TE偏振光的反射系数，上述的照射光为TE偏振光。对于两种介质层之间的界面处的反射系数，可通过以下公式计算得到：
Figure DEST_PATH_IMAGE034
（1）；
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE035
、
Figure DEST_PATH_IMAGE036
分别为两种介质层的表征符号，
Figure DEST_PATH_IMAGE037
为照射光从介质层
Figure 983777DEST_PATH_IMAGE035
射入介质层
Figure 246131DEST_PATH_IMAGE036
时两种介质层之间的界面处的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE038
为介质层
Figure 304741DEST_PATH_IMAGE035
对照射光的复折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE039
为介质层
Figure 121387DEST_PATH_IMAGE036
对照射光的复折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE040
为入射角，
Figure DEST_PATH_IMAGE041
为折射角。
其中，复折射率为材料的固有特性，是已知量，复折射率与折射率之间存在以下关系：
Figure DEST_PATH_IMAGE042
，
Figure DEST_PATH_IMAGE044
为复折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE046
为折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE027A
为虚数符号，
Figure DEST_PATH_IMAGE048
为消光系数。在本实施例中，μLED光源1发出的照射光基本垂直于各结构层的界面，从而，
Figure 701142DEST_PATH_IMAGE040
和
Figure 549494DEST_PATH_IMAGE041
的值取零。
在本实施例中，当介质层
Figure 572813DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 283280DEST_PATH_IMAGE036
分别为真空和第一透明层3时，则根据上式（1）可得到
Figure 151879DEST_PATH_IMAGE028
；当介质层
Figure 264192DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 192834DEST_PATH_IMAGE036
分别为第一透明层3和透光金属层4时，则根据上式（1）可得到
Figure 390597DEST_PATH_IMAGE006
；当介质层
Figure 62886DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 29705DEST_PATH_IMAGE036
分别为透光金属层4和第二透明层5时，则根据上式（1）可得到
Figure 535773DEST_PATH_IMAGE007
；当介质层
Figure 79887DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 431234DEST_PATH_IMAGE036
分别为第二透明层5和第三透明层6时，则根据上式（1）可得到
Figure 377193DEST_PATH_IMAGE029
。
其中，设置透光金属层4是为了保证植入式μLED光电极具有导电性以实现电信号采集功能。实际上，透光金属层4对照射光的吸收率随厚度增大而增大，当透光金属层4的厚度小于10nm时，可保证被透光金属层4直接吸收的光能足够小，从而确保透光金属层的光透过性足够大，并进一步降低植入式μLED光电极的发热。因此，在一些优选实施方式中，透光金属层4的厚度小于10nm。
一般地，可选用低损耗和高导电性的金属薄膜作为透光金属层4，例如，透光金属层4为Ag、Au、Cu或Al等，但不限于此。
在一些优选实施方式中，为了减小
Figure 788583DEST_PATH_IMAGE002
，透光金属层4、第二透明层5和第三透明层6满足以下条件（以下把该条件称为条件二）：
Figure 819993DEST_PATH_IMAGE016
其中，
Figure 709451DEST_PATH_IMAGE017
为第二透明层5的传播相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE049
为透光金属层4和第二透明层5之间的界面的反射相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE050
为第二透明层5和第三透明层6之间的界面的反射相位。
当满足该条件二时，透光金属层4和第二透明层5之间的界面的反射光与第二透明层5和第三透明层6之间的界面的反射光干涉相消，从而大大减小
Figure 840743DEST_PATH_IMAGE002
，进而大大地减小透光金属层4、第二透明层5和第三透明层6的总反射光能量，进一步提高导电增透结构2的透射率。
优选地，当第二透明层5对照射光的折射率为第三透明层6对照射光的折射率的2倍以上，可认为第二透明层5的折射率远大于第三透明层6的折射率，从而使
Figure DEST_PATH_IMAGE051
；
进而，透光金属层4和第二透明层5满足以下条件（以下称之为条件三）：
Figure DEST_PATH_IMAGE052
。
即，由于
Figure 750930DEST_PATH_IMAGE051
，因此条件二简化为条件三。
为了进一步提高导电增透结构2的透射率，第一透明层3和透光金属层4满足以下条件（以下称之为条件四）：
Figure DEST_PATH_IMAGE053
其中，
Figure 738478DEST_PATH_IMAGE023
为第一透明层3的传播相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE054
为第一透明层3和透光金属层4之间的界面的反射相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE055
为第一透明层3上表面相对真空的反射相位。当满足条件四时，第一透明层3和透光金属层4之间的界面反射的光与第一透明层3上表面相对真空的反射光干涉相消，可进一步提高导电增透结构2的透射率。
实际上，两种介质层之间的界面处的反射系数为复数，可表达为以下形式：
Figure DEST_PATH_IMAGE056
（2）；
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE057
为
Figure 680895DEST_PATH_IMAGE037
的模，
Figure DEST_PATH_IMAGE058
为介质层
Figure 804709DEST_PATH_IMAGE035
和介质层
Figure 557901DEST_PATH_IMAGE036
之间的界面的反射相位。通过公式（1）得到
Figure 560973DEST_PATH_IMAGE037
后，即可根据公式（2）计算得到
Figure 57814DEST_PATH_IMAGE058
。
在本实施例中，当介质层
Figure 973817DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 756966DEST_PATH_IMAGE036
分别为真空和第一透明层3时，则根据上式（2）可得到
Figure 125630DEST_PATH_IMAGE055
（事实上，
Figure 285216DEST_PATH_IMAGE055
等于
Figure DEST_PATH_IMAGE059
）；当介质层
Figure 649201DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 478617DEST_PATH_IMAGE036
分别为第一透明层3和透光金属层4时，则根据上式（2）可得到
Figure 459211DEST_PATH_IMAGE054
；当介质层
Figure 297854DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 516346DEST_PATH_IMAGE036
分别为透光金属层4和第二透明层5时，则根据上式（2）可得到
Figure DEST_PATH_IMAGE060
；当介质层
Figure 641297DEST_PATH_IMAGE035
、介质层
Figure 718974DEST_PATH_IMAGE036
分别为第二透明层5和第三透明层6时，则根据上式（2）可得到
Figure 485942DEST_PATH_IMAGE050
。
当选定各结构层的材料后，则各结构层的折射率、各界面的反射系数和反射相位均是确定的，因此，可根据条件一至条件四来确定各结构层的厚度。
其中，各结构层的材料可根据实际需要设置。第三透明层6优选为柔性透光材料，例如PDMS、聚酰亚胺等，但不限于此。第二透明层5优选为比第三透明层6折射率高的透光材料，例如TiO2、Ti2O3、ZnO等，但不限于此。第一透明层3可以但不限于为SiO2、Al2O3等。
在本实施例中，见图1，导电增透结构2的下表面设置有至少一个电信号采集口7，该电信号采集口7从第三透明层6的下表面贯通至透光金属层4的下表面。从而使透光金属层4可接触到被检测的脑部组织，以采集电信号
在一些优选实施方式中，见图1，导电增透结构2的上侧设置有覆盖μLED光源1的柔性导热材料层8。通过柔性导热材料层8可对μLED光源1工作时产生的热量和植入式μLED光电极吸收反射光后产生的热量进行导热，以与脑组织液进行热对流换热，从而降低神经元周围的局部温度，进一步降低安全风险和提高使用时长。
柔性导热材料层8的材料可以根据实际需要设置。
在本实施例中，柔性导热材料层8由柔性高分子聚合材料和导热填充颗粒组合而成。由柔性高分子聚合材料保证柔性导热材料层8整体的柔软性，以避免损伤脑部，由导热填充颗粒保证柔性导热材料层8的导热性能。
其中，柔性高分子聚合材料可以但不限于是聚酰亚胺、硅胶或PDMS等，导热填充颗粒可以包括碳纳米管、石墨烯、纳米氧化铝、纳米氧化镁、氮化硅中的一种或多种，但不限于此。为了确保植入的安全性，柔性导热材料层8的弹性模量需要与脑部组织的弹性模量相匹配，同时为了提高导热系数，增强散热，导热填充颗粒的填充体积分数应为10%-30%。
在一个具体实施例中，μLED光源1发出的照射光的波长为470nm；导电增透结构2的透光金属层4的材料为Ag，对于波长为470nm的照射光，其折射率为0.0567，消光系数为2.445，其厚度为6nm；第一透明层3的材料为SiO2，对于波长为470nm的照射光，其折射率为1.578，根据条件四确定其厚度为77nm；第二透明层5的材料为TiO2，对于波长为470nm的照射光，其折射率为2.224，根据条件三确定其厚度为30nm；为保证第二透明层5的折射率远大于第三透明层6的折射率，第三透明层6的材料为PDMS，其厚度为10um。单层的厚度为10um的PDMS层与该导电增透结构2的透射率随照射光的波长的变化情况如图3所示，图中的结构A即单层的厚度为10um的PDMS层，结构B即为该导电增透结构2，符号T为透射率，从图中可以看到，当照射光的波长在430nm-630nm范围内，结构B的透射率明显大于结构A的透射率，当照射光的波长为470nm时，两者之间的差别最大，此时，结构B的透射率为96.24%，而结构A的透射率为94.46%。
综上所述，本方案的植入式μLED光电极，通过导电增透结构2，能够增强照射光的透射率，在保证对神经元辐照强度一定的情况下，可以降低μLED光源1的功率，减少发热量，更安全；另一方面，设置在μLED光源1背面的柔性导热材料层8，具有较高的导热系数，起到更好的散热作用，在μLED光源1的功率一定的情况下，达到热平衡时，μLED光源1的温度更低，可以降低神经元周围的局部温度，减少安全风险，更适合光电极植入后的长期使用。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种植入式μLED光电极，包括μLED光源（1）和设置在所述μLED光源（1）下侧的导电增透结构（2），所述μLED光源（1）用于发出照射光；其特征在于，所述导电增透结构（2）包括四个结构层，从上到下，四个所述结构层分别为第一透明层（3）、透光金属层（4）、第二透明层（5）和第三透明层（6）；
所述导电增透结构（2）中，各所述结构层的界面的反射光干涉相消以提高所述导电增透结构（2）的对所述照射光的透射率。
2.根据权利要求1所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述导电增透结构（2）满足以下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE002
为所述透光金属层（4）、所述第二透明层（5）和所述第三透明层（6）的总反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE004
为虚数符号，
Figure DEST_PATH_IMAGE005
为所述第一透明层（3）上表面相对真空的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE006
为所述第一透明层（3）和所述透光金属层（4）之间的界面的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE007
为所述透光金属层（4）与所述第二透明层（5）之间的界面的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE008
为所述第二透明层（5）与所述第三透明层（6）之间的界面的反射系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE009
为所述第一透明层（3）的折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE010
为所述第一透明层（3）的厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE011
为所述透光金属层（4）的消光系数，
Figure DEST_PATH_IMAGE012
为所述透光金属层（4）的厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE013
为所述第二透明层（5）的折射率，
Figure DEST_PATH_IMAGE014
为所述第二透明层（5）的厚度，
Figure DEST_PATH_IMAGE015
为所述照射光的波长。
3.根据权利要求1所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述透光金属层（4）的厚度小于10nm。
4.根据权利要求1所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述透光金属层（4）为Ag、Au、Cu或Al。
5.根据权利要求2所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述透光金属层（4）、所述第二透明层（5）和所述第三透明层（6）满足以下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE016
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE017
为所述第二透明层（5）的传播相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE018
为所述透光金属层（4）和所述第二透明层（5）之间的界面的反射相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE019
为所述第二透明层（5）和所述第三透明层（6）之间的界面的反射相位。
6.根据权利要求2所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述第二透明层（5）对所述照射光的折射率为所述第三透明层（6）对所述照射光的折射率的2倍以上；
所述透光金属层（4）和所述第二透明层（5）满足以下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE020
；
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE021
为所述透光金属层（4）和所述第二透明层（5）之间的界面的反射相位。
7.根据权利要求2所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述第一透明层（3）和所述透光金属层（4）满足以下条件：
Figure DEST_PATH_IMAGE022
其中，
Figure DEST_PATH_IMAGE023
为所述第一透明层（3）的传播相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE024
为所述第一透明层（3）和所述透光金属层（4）之间的界面的反射相位，
Figure DEST_PATH_IMAGE025
为所述第一透明层（3）上表面相对真空的反射相位。
8.根据权利要求1所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述导电增透结构（2）的下表面设置有至少一个电信号采集口（7），所述电信号采集口（7）从所述第三透明层（6）的下表面贯通至所述透光金属层（4）的下表面。
9.根据权利要求1所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述导电增透结构（2）的上侧设置有覆盖所述μLED光源（1）的柔性导热材料层（8）。
10.根据权利要求9所述的植入式μLED光电极，其特征在于，所述柔性导热材料层（8）由柔性高分子聚合材料和导热填充颗粒组合而成。
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