CN115314016A - 一种薄膜体声波谐振器 - Google Patents
一种薄膜体声波谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115314016A CN115314016A CN202210853200.6A CN202210853200A CN115314016A CN 115314016 A CN115314016 A CN 115314016A CN 202210853200 A CN202210853200 A CN 202210853200A CN 115314016 A CN115314016 A CN 115314016A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- protrusion
- extending
- frame
- interdigital
- bulk acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02047—Treatment of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02062—Details relating to the vibration mode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，包括衬底、设置于衬底一侧的声学反射结构、叠设在声学反射结构一侧的底电极、覆盖底电极的压电薄膜以及叠设在压电薄膜的远离底电极侧的顶电极，顶电极远离压电薄膜的一侧设置有叉指型凸起框架，叉指型凸起框架包括相对设置的第一凸起框架和第二凸起框架，自第一凸起框架和第二凸起框架分别相向延伸且间隔预设距离并交叠形成的至少一对叉指结构，每一叉指结构包括沿交叠方向间隔预设距离的两个叉指。本发明能够对两种或两种以上横向瑞利‑兰姆波进行反射以实现高的反射效率，改善谐振器的反谐振频率对应的Q值。能够改善现有凸起框架闭环带来的剥离残留问题。
Description
技术领域
本发明属于谐振器领域，更具体地，涉及一种薄膜体声波谐振器。
背景技术
薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种使用硅衬底、借助MEMS技术以及薄膜技术制造而成的谐振器。在无线收发器中能够实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能，具有较高Q值和易实现微型化等特点。
常规的薄膜体声波谐振器通常由底电极、压电层和顶电极构成，工作时当射频电信号施加在顶电极和底电极上，在逆压电效应的作用下，压电薄膜在纵向方向上产生机械振动，并形成体声波，由于上、下电机表面具有全反射边界条件，传播的体声波将会被约束在换能器中，特定频率的体声波形成纵向传播的驻波。在压电效应的作用下，这些体声波被转换成电信号，其中谐振频率处的体声波转换的电信号强度最大，反谐振频率处的体声波转换的电信号强度最小，从而实现对不同频率电学信号的选择。但是由于边界电学条件和生长的压电层材料C轴存在倾斜等因素，常规的薄膜体声波谐振器激发的声学波模式不仅有期望的沿薄膜厚度方向传播的纵波，也包含沿薄膜水平方向传播的横向寄生声学波(主要是瑞利-兰姆波)，这些横向寄生声学波从谐振区边缘逃逸到谐振区外部时，会将谐振区的能量带走，从而导致谐振器的品质因数(Q值)减少。
发明内容
针对相关技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种薄膜体声波谐振器，旨在解决相关的谐振器品质因数不高的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，该谐振器包括衬底、设置于所述衬底一侧的声学反射结构、叠设在所述声学反射结构一侧的底电极、覆盖所述底电极的压电薄膜以及叠设在所述压电薄膜的远离所述底电极侧的顶电极，所述顶电极的远离所述压电薄膜的一侧设置有叉指型凸起框架，所述叉指型凸起框架包括相对间隔设置的第一凸起框架和第二凸起框架，以及自所述第一凸起框架和所述第二凸起框架分别相向延伸且彼此交叠形成的至少一对叉指结构，每一所述叉指结构包括沿交叠方向间隔预设距离的两个叉指。
优选的，所述叉指结构包括连接于所述第一凸起框架靠近所述第二凸起框架一侧且间隔设置的第一延伸凸起和第二延伸凸起，连接于所述第二凸起框架靠近所述第一凸起框架一侧且间隔设置的第三延伸凸起和第四延伸凸起，其中所述第一延伸凸起与所述第三延伸凸起之间间隔预设距离并交叠形成叉指结构；所述第二延伸凸起与所述第四延伸凸起之间间隔设置。
优选的，所述第二延伸凸起在其延伸方向上与所述第四延伸凸起正对间隔设置或所述第二延伸凸起与所述第四延伸凸起之间间隔预设距离并交叠形成叉指结构。
优选的，当所述第二延伸凸起在其延伸方向上与所述第四延伸凸起正对间隔设置时，所述叉指结构还包括连接所述第二延伸凸起和所述第四延伸凸起的连接凸起。
优选的，所述第二延伸凸起靠近所述第二凸起框架的端部朝向所述第一延伸凸起的方向弯折延伸有第一附加凸起，所述第三延伸凸起靠近所述第一凸起框架的端部朝向所述第四延伸凸起的方向弯折延伸有第二附加凸起；所述第一附加凸起与所述第二凸起框架平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构，所述第二附加凸起与所述第一凸起框架平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构。
优选的，所述第一延伸凸起和所述第二延伸凸起分别连接于所述第一凸起框架沿其延伸方向的相对两端部，所述第三延伸凸起和所述第四延伸凸起分别连接于所述第二凸起框架沿其延伸方向的靠近端部的位置处并位于所述第一凸起框架、所述第一延伸凸起和所述第二延伸凸起围成的空间内。
优选的，所述预设距离为横向寄生声学波四分之一波长的整数倍。
优选的，所述声学反射结构为形成在所述衬底内部的空腔或为形成在所述衬底靠近所述底电极的一侧的空腔或为形成在所述衬底表面的布拉格反射镜，当所述声学反射结构为空腔时，所述底电极沿所述薄膜体声波谐振器的厚度方向上的投影至少部分位于所述声学反射结构外。
优选的，所述声学反射结构、底电极、压电薄膜和顶电极沿所述薄膜体声波谐振器的厚度方向共同交叠重合形成的空间区域为谐振区，所述叉指型凸起框架位于所述谐振区内且靠近所述谐振区的边缘设置。
优选的，所述叉指型凸起框架为金属材料或介电材料或金属材料和介电材料的复合材料。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明通过设置叉指型凸起框架，能够依据不同区域的声阻抗差异实现对横向瑞利-兰姆波的反射，进而改善谐振器的反谐振频率fp对应的电阻Rp和Qp。与现有环形凸起框架技术(主要针对一种横向瑞利-兰姆波声学波)相比，本发明的叉指型凸起框架技术可以对两种或两种以上横向瑞利-兰姆波声学波进行反射以实现高的反射效率，进一步减少泄漏到谐振区外部的能量，提高谐振器的反谐振频率fp对应的电阻Rp和Qp。此外，该叉指型凸起框架为非闭环结构，有利于剥离工艺的实现，使用剥离工艺后不容易发生剥离残留现象，进而保证谐振器的良率，还不会增加谐振器的制备工艺步骤。
附图说明
图1是本发明第一种实现方式提供的薄膜体声波谐振器的俯视图；
图2a是本发明第一种实现方式提供的第一种薄膜体声波谐振器的A-A向剖视图；
图2b是本发明第一种实现方式提供的第二种薄膜体声波谐振器的A-A向剖视图；
图2c是本发明第一种实现方式提供的第三种薄膜体声波谐振器的A-A向剖视图；
图3是本发明第一种实现方式提供的薄膜体声波谐振器与现有技术的薄膜体声波谐振器的阻抗曲线比较图；
图4是本发明第二种实现方式提供的薄膜体声波谐振器的俯视图；
图5是本发明第三种实现方式提供的薄膜体声波谐振器的俯视图；
图6是本发明第四种实现方式提供的薄膜体声波谐振器的俯视图；
图7是本发明第五种实现方式提供的薄膜体声波谐振器的俯视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此处描述的具体实施例中薄膜体声波谐振器以矩形为例，但实际并不限制薄膜体声波谐振器为矩形，实际中也可以为其他的多边形或椭圆形。
本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，结合图1、2a-2c，该谐振器包括衬底1、设置于衬底1一侧的声学反射结构2、叠设在声学反射结构2一侧的底电极3、覆盖底电极3的压电薄膜4以及叠设在压电薄膜4的远离底电极3侧的顶电极5，顶电极5的远离压电薄膜4的一侧设置有叉指型凸起框架，叉指型凸起框架包括相对间隔设置的第一凸起框架61和第二凸起框架62，以及自第一凸起框架61和第二凸起框架62分别相向延伸且彼此间隔预设距离并交叠形成的至少一对叉指结构。
本发明提供的薄膜体声波谐振器能够根据不同区域的声阻抗Za差异实现对横向瑞利-兰姆波的反射，以改善谐振器的Q值，与现有技术中的环形凸起框架技术相比，叉指型凸起框架6形成的叉指结构可以对两种或两种以上的横向瑞利-兰姆波声学波进行反射以实现较高的反射效率，进一步减少泄漏到谐振区外部的能量，提高谐振器的反谐振频率fp对应的电阻Rp和Qp。图3是本发明提供的叉指型凸起框架FBAR(薄膜体声波谐振器)与现有技术中普通FBAR、具有凸起框架FBAR的阻抗曲线比较图，其中该叉指型凸起框架FBAR的宽度W1和W2分别设计为4种瑞利-兰姆波声学波(S0、A0、S1和A1)模式中的2种模式的1/4波长的整数倍。从图3的结果可以看出本发明提供的叉指型凸起框架FBAR的Rp明显高于现有技术中具有凸起框架FBAR的Rp，这表明叉指型凸起框架对横向瑞利-兰姆波声学波的反射效率更高，也表明使用叉指型凸起框架的FBAR具有更高的Qp。同时，本发明中叉指型凸起框架6为非闭环结构，有利于改善现有凸起框架闭环带来的剥离残留的问题，不会增加谐振器的制备工艺步骤。
进一步地，叉指结构包括连接于第一凸起框架61靠近第二凸起框架62一侧相互间隔设置的第一延伸凸起611和第二延伸凸起612，连接于第二凸起框架62靠近第一凸起框架61一侧且相互间隔设置的第三延伸凸起621和第四延伸凸起622，其中第一延伸凸起611与第三延伸凸起621之间间隔预设距离并交叠形成叉指结构；第二延伸凸起612与第四延伸凸起622间隔设置。
进一步地，第二延伸凸起612在其延伸方向上与第四延伸凸起622正对间隔设置或第二延伸凸起612与第四延伸凸起622间隔预设距离并交叠形成叉指结构。
基于上述设计思路，本申请提供五种实现方式的设计示例：
在本申请的第一种实现方式中，结合图1，第一延伸凸起611连接于第一凸起框架61的端部，第二延伸凸起612连接于第一凸起框架61且和第一凸起框架61的另一端具有间距，第三延伸凸起621连接于第二凸起框架62且和第二凸起框架62的一端具有间距，第四延伸凸起622连接于第二凸起框架62的另一端的端部。因此，在本实现方式中，叉指型凸起框架6整体为中心对称布局，第一延伸凸起611和第三延伸凸起621间隔预设距离交叠形成叉指结构，第二延伸凸起612和第四延伸凸起622间隔预设距离交叠形成叉指结构。
在本申请的第二种实现方式中，结合图4，与第一种实现方式不同的是，第一延伸凸起611和第二延伸凸起612分别连接于第一凸起框架61沿其延伸方向的相对两端部，第三延伸凸起621和第四延伸凸起622分别连接于第二凸起框架62沿其延伸方向的靠近端部的位置处并位于第一凸起框架61、第一延伸凸起611和第二延伸凸起612围成的空间内。具体的，第一延伸凸起611连接于第一凸起框架61的端部，第二延伸凸起612连接于第一凸起框架61的另一端端部，第三延伸凸起621连接于第二凸起框架62且和第二凸起框架62的一端具有间距，第四延伸凸起622连接于第二凸起框架62且和第二凸起框架62的另一端具有间距。因此，以附图视角为例，在本实现方式中，第一延伸凸起611和第三延伸凸起621间隔预设距离交叠形成叉指结构，第二延伸凸起612和第四延伸凸起622间隔预设距离交叠形成叉指结构。
在本申请的第三种实现方式中，结合图5，在第一种实现方式的基础上，第二延伸凸起612靠近第二凸起框架62的端部朝向第一延伸凸起611的方向弯折延伸有第一附加凸起613，第三延伸凸起621靠近第一凸起框架61的端部朝向第四延伸凸起622的方向弯折延伸有第二附加凸起623；第一附加凸起613与第二凸起框架62平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构，第二附加凸起623与第一凸起框架61平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构。
在本申请的第四种实现方式中，结合图6，与第一种实现方式不同的是，第一延伸凸起611连接于第一凸起框架61的端部，第二延伸凸起612连接于第一凸起框架61的另一端的端部，第三延伸凸起621连接于第二凸起框架62且和第二凸起框架62的一端具有间距，第四延伸凸起622连接于第二凸起框架62的另一端的端部。因此，在本实现方式中，第一延伸凸起611和第三延伸凸起621间隔预设距离交叠形成叉指结构，第二延伸凸起612在其延伸方向上与第四延伸凸起622正对间隔设置。
在本申请的第五种实现方式中，结合图7，当第二延伸凸起612在其延伸方向上与第四延伸凸起622正对间隔设置时，叉指结构还包括连接第二延伸凸起612和第四延伸凸起622的连接凸起63，即本实现方式为：在第四种实现方式的基础上，第二延伸凸起612和第四延伸凸起622连接为一体且沿同一方向延伸。
进一步的，在前述各种实现方式中，预设距离为横向寄生声学波四分之一波长的整数倍。
进一步的，声学反射结构2可以为形成在衬底1内部的空腔或为形成在衬底1靠近底电极3的一侧的空腔或为形成在衬底1表面的布拉格反射镜，当声学反射结构为空腔时，底电极3沿薄膜体声波谐振器的厚度方向上的投影至少部分位于声学反射结构2外。其中图2a中声学反射结构2为形成在衬底1内部的空腔；图2b中声学反射结构2为形成在衬底1上方的空腔，此种情形下可以通过在衬底1与底电极3之间设置支撑层以形成空腔；图2c中声学反射结构2结构形成在衬底1表面的布拉格反射镜，该布拉格反射镜包括沿薄膜体声波谐振器厚度方向交替设置的低声学阻抗层21和高声学阻抗层22，其中低声学阻抗层的材料为氧化硅(SiO2)等，高声学阻抗层的材料为金属钨(W)、金属钨(Mo)、金属钌(Ru)、铱(Ir)等。
进一步的，声学反射结构2、底电极3、压电薄膜4和顶电极5沿薄膜体声波谐振器的厚度方向共同交叠重合形成的空间区域为谐振区，叉指型凸起框架6位于谐振区内且靠近谐振区的边缘设置。
进一步的，叉指型凸起框架6为金属材料或介电材料或金属材料和介电材料的复合材料。具体的可以为Al、Pt、Au、W、Mo、Ru、Ir、AlN和Si3N4中的一种或多种。
叉指型凸起框架的宽度范围可以为1nm～20000nm，例如50nm、500nm、5000nm、10000nm、15000nm等等；高度范围可以为1nm～10000nm，例如10nm、100nm、1000nm、3000nm、5000nm、7000nm、8000nm等等，构成叉指结构的两个凸起框架的宽度可以不同或相同。例如，靠近围合空间内侧的凸起框架的宽度大于靠近外侧的凸起框架的宽度，且靠近围合空间内侧的凸起框架的宽度和靠近外侧的凸起框架的宽度比值可以在1.1-2之间，例如1.3、1.5、1.7等等，当然，靠近围合空间内侧的凸起框架的宽度也可以小于靠近外侧的凸起框架的宽度，且靠近围合空间内侧的凸起框架的宽度和靠近外侧的凸起框架的宽度比值可以在0.5-0.95之间，如0.6、0.7、0.8等等。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种薄膜体声波谐振器，该谐振器包括衬底、设置于所述衬底一侧的声学反射结构、叠设在所述声学反射结构一侧的底电极、覆盖所述底电极的压电薄膜以及叠设在所述压电薄膜的远离所述底电极侧的顶电极，其特征在于，所述顶电极的远离所述压电薄膜的一侧设置有叉指型凸起框架，所述叉指型凸起框架包括相对间隔设置的第一凸起框架和第二凸起框架，以及自所述第一凸起框架和所述第二凸起框架分别相向延伸且彼此交叠形成的至少一对叉指结构，每一所述叉指结构包括沿交叠方向间隔预设距离的两个叉指。
2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述叉指结构包括连接于所述第一凸起框架靠近所述第二凸起框架一侧且间隔设置的第一延伸凸起和第二延伸凸起，连接于所述第二凸起框架靠近所述第一凸起框架一侧且间隔设置的第三延伸凸起和第四延伸凸起，其中所述第一延伸凸起与所述第三延伸凸起之间间隔预设距离并交叠形成叉指结构；所述第二延伸凸起与所述第四延伸凸起之间间隔设置。
3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二延伸凸起在其延伸方向上与所述第四延伸凸起正对间隔设置或所述第二延伸凸起与所述第四延伸凸起之间间隔预设距离并交叠形成叉指结构。
4.如权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，当所述第二延伸凸起在其延伸方向上与所述第四延伸凸起正对间隔设置时，所述叉指结构还包括连接所述第二延伸凸起和所述第四延伸凸起的连接凸起。
5.如权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二延伸凸起靠近所述第二凸起框架的端部朝向所述第一延伸凸起的方向弯折延伸有第一附加凸起，所述第三延伸凸起靠近所述第一凸起框架的端部朝向所述第四延伸凸起的方向弯折延伸有第二附加凸起；所述第一附加凸起与所述第二凸起框架平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构，所述第二附加凸起与所述第一凸起框架平行设置并间隔预设距离交叠形成叉指结构。
6.如权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一延伸凸起和所述第二延伸凸起分别连接于所述第一凸起框架沿其延伸方向的相对两端部，所述第三延伸凸起和所述第四延伸凸起分别连接于所述第二凸起框架沿其延伸方向的靠近端部的位置处并位于所述第一凸起框架、所述第一延伸凸起和所述第二延伸凸起围成的空间内。
7.如权利要求1-6任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述预设距离为横向寄生声学波四分之一波长的整数倍。
8.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学反射结构为形成在所述衬底内部的空腔或为形成在所述衬底靠近所述底电极的一侧的空腔或为形成在所述衬底表面的布拉格反射镜，当所述声学反射结构为空腔时，所述底电极沿所述薄膜体声波谐振器的厚度方向上的投影至少部分位于所述声学反射结构外。
9.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学反射结构、底电极、压电薄膜和顶电极沿所述薄膜体声波谐振器的厚度方向共同交叠重合形成的空间区域为谐振区，所述叉指型凸起框架位于所述谐振区内且靠近所述谐振区的边缘设置。
10.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述叉指型凸起框架为金属材料或介电材料或金属材料和介电材料的复合材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210853200.6A CN115314016A (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种薄膜体声波谐振器 |
| PCT/CN2022/110237 WO2024007404A1 (zh) | 2022-07-07 | 2022-08-04 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210853200.6A CN115314016A (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115314016A true CN115314016A (zh) | 2022-11-08 |
Family
ID=83857596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210853200.6A Pending CN115314016A (zh) | 2022-07-07 | 2022-07-07 | 一种薄膜体声波谐振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115314016A (zh) |
| WO (1) | WO2024007404A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9520855B2 (en) * | 2014-02-26 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and frame elements |
| US11336255B2 (en) * | 2017-02-16 | 2022-05-17 | Acoustic Wave Device Labo., Ltd. | Acoustic wave element and method for manufacturing same |
| US11646714B2 (en) * | 2018-07-10 | 2023-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Laterally vibrating bulk acoustic wave resonator |
| CN110138356B (zh) * | 2019-06-28 | 2020-11-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN112702036A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-23 | 广东广纳芯科技有限公司 | 一种具有poi结构的兰姆波谐振器 |
| CN113839647A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-12-24 | 常州承芯半导体有限公司 | 体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置 |
| CN216390944U (zh) * | 2021-11-25 | 2022-04-26 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 压电谐振器 |
-
2022
- 2022-07-07 CN CN202210853200.6A patent/CN115314016A/zh active Pending
- 2022-08-04 WO PCT/CN2022/110237 patent/WO2024007404A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024007404A1 (zh) | 2024-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US12081194B2 (en) | Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators | |
| US7714684B2 (en) | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure | |
| USRE41813E1 (en) | Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same | |
| US8384497B2 (en) | Piezoelectric resonator structure having an interference structure | |
| US7535154B2 (en) | Piezoelectric thin-film resonator | |
| CN101645699B (zh) | 压电薄膜谐振器、滤波器、复用器和传输装置 | |
| KR100841166B1 (ko) | 압전 박막 공진기 및 필터 | |
| US20140111288A1 (en) | Acoustic resonator having guard ring | |
| JP6505152B2 (ja) | 質量調整構造付きバルク音波共振器およびバルク音波フィルター | |
| CN111082776B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| US20230074357A1 (en) | Bulk acoustic wave filter structure with conductive bridge forming electrical loop with an electrode | |
| CN115314019B (zh) | 体声波谐振器、谐振器组件、滤波器及电子设备 | |
| CN111010111A (zh) | 附加结构与顶电极分离的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN216390944U (zh) | 压电谐振器 | |
| EP4401311A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator, related devices, and preparation method for bulk acoustic wave resonator | |
| KR20240065099A (ko) | 벌크 음향파 공진 구조 및 제조 방법, 음향파 소자 | |
| CN117997303A (zh) | 薄膜体声波谐振器 | |
| CN115314016A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器 | |
| CN116488608A (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法、滤波器 | |
| US20200235718A1 (en) | Bulk acoustic wave resonators with shaped border rings | |
| CN219304811U (zh) | 谐振器 | |
| CN219999344U (zh) | 一种薄膜体声波谐振器 | |
| CN217693270U (zh) | 声波谐振器、滤波器和通信设备 | |
| CN221828895U (zh) | 一种体声波谐振器及滤波器 | |
| CN118232871A (zh) | 一种滤波器及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |