CN115299304B - 一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于魔芋栽培技术领域，具体涉及一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，包括以下步骤S1.选地与整地；S2.起垄开槽；S3.施足底肥；S4.播种；S5.覆膜与打孔；S6.填充保水层；S7.覆盖隔离层；S8.日常管理。本发明采用林下覆膜栽培魔芋并进行保水控温处理，不仅可以抑制杂草和控制病害发生，而且还能避免膜下土层温度过高，进而保证魔芋的正常生长。

Description

一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法

技术领域

本发明属于魔芋栽培技术领域，具体涉及一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法。

背景技术

魔芋被联合国卫生组织确定为十大保健食品之一，含有多种氨基酸、矿物质、微量元素和丰富的食物纤维，具有降血压、降血糖等多种功效。除此之外，魔芋还具有较高的工业价值，可以广泛运用到工业，生物工程、建筑等领城。国内外市场对魔芋的需求量较大，现在基本处于供不应求的状态，具有较大的发展空间。

魔芋作为一种多年生作物，多种植在遮阴，湿润的地方，因此，在魔芋种植过程中需考虑魔芋遮荫，而林下种植魔即可解决魔芋遮阴问题，还原种子种性，还可提高土地利用率，改善林地土壤质量，达到双赢。但是林下的种植环境既是杂草生长最佳环境，也是病虫害高发地。魔芋病害和草害是限制魔芋规模化种植的主要原因。白绢病、软腐病的发生，杂草种类繁多，生长茂盛，与魔芋争夺养分、水分、光照等是影响魔芋发展的最大问题。

目前起垄覆膜方式具有可以抑制杂草和控制病害发生的特点，但是覆膜必然会导致土壤温度升高，温度过高会导致魔芋生长受阻，故怎样协调覆膜后既可以保证魔芋正常生长，又可抑制杂草生长和抑制病害发生是目前急需解决的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种不仅可以抑制杂草和控制病害发生，而且还能保证魔芋正常生长的魔芋林下起垄覆膜栽培方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，包括以下步骤：

S1.选地与整地：选择林下进行魔芋种植，对林间土层进行翻挖晒垡。

S2.起垄开槽：在翻挖晒垡的土层上起垄，垄宽为0.5-0.9米，高0.2-0.5米，在垄上沿垄长度方向开设三条凹槽，即凹槽A、凹槽B、凹槽C，其中凹槽B位于凹槽A与凹槽C之间；相邻两垄之间开开设排水沟。

S3.施足底肥：在三条凹槽内施足底肥；其中凹槽B底肥施完后，在凹槽B内盖上1-2厘米土壤。

S4.播种：将选取好的种芋播种到凹槽B内，然后覆土盖种，将凹槽B填平，相邻两种芋的间距为30-40厘米。

S5.覆膜与打孔：将薄膜覆盖在垄上并将薄膜压入凹槽A与凹槽C内，同时使薄膜贴在垄面以及凹槽A与凹槽C的槽壁上，且薄膜两边沿伸到垄的两侧，最后将薄膜两边沿用土压紧。在凹槽A与凹槽C内的薄膜上分别打多个渗透孔，相邻两渗透孔间隔5-12厘米；每个渗透孔直径为1-3毫米。

S6.填充保水层：在凹槽A与凹槽C内填充用于保水控湿的保水层，直至填平凹槽A与凹槽C。

S7.覆盖隔离层：在垄上覆盖一层厚度为8-12厘米并将三个凹槽顶部薄膜都覆盖的隔离层；隔离层与树荫配合隔离阳光，避免阳光照射薄膜而导致薄膜内部土壤温度过高。

S8.日常管理：在魔芋种植后，发现覆盖的隔离层腐烂或者被雨水冲走时，都需要补充隔离层；每年魔芋倒苗后，补充隔离层，直至魔芋丰收。

进一步的，步骤S2中所述垄宽为0.7米，高0.3米。

进一步的，步骤S2所述凹槽B的深度大于凹槽A与凹槽C的深度，凹槽A与凹槽C首尾相连，形成环绕在凹槽B外的环形槽。

进一步的，步骤S4中相邻两种芋的间距为35厘米。

进一步的，步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:(5-9):(3-7):(2-6)的重量比例混匀而得。

进一步的，步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:8:4:3的重量比例混匀而得。

进一步的，步骤S7所述隔离层为厚度7厘米的秸秆层或松针层。

进一步的，步骤S6中，在保水层将凹槽A与凹槽C填平后，用薄膜分别将凹槽A与凹槽C顶部盖住，盖好后，按压薄膜中部，使薄膜中间低两边高，在薄膜中部沿其长度方向设置多个孔，孔的直径为0.5-1.5毫米。

进一步的，薄膜铺好后，在盖隔离层前，先在保水层顶部沿凹槽A与凹槽C长度方向铺设一根用于对保水层补充水肥的管道，所述管道侧壁沿其长度方向设有多个孔，所有凹槽A与凹槽C内的管道互相接通并汇流到一根主管道处。

本发明采用林下覆膜栽培魔芋并进行保水控温处理，不仅可以抑制杂草和控制病害发生，而且还能避免膜下土层温度过高，进而保证魔芋的正常生长。

实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

需要说明的是，术语“包括”或者任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包含一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

实施例1

一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，包括以下步骤：

S1.选地与整地：选择林下进行魔芋种植，对林间土层进行翻挖晒垡。

选择最佳生态环境种植，花魔芋适宜种植在海拔1200米左右区域，种植中宜选择定植3年以上的林地、单株树冠在5平方米以上的地块。同时应选择士层深厚、疏松的缓坡沙壤士或含钾高的砂壤土中种植。前作收获后及时进行翻挖晒垡。

S2.起垄开槽：在翻挖晒垡的土层上起垄，垄宽为0.7米，高0.3米，在垄上沿垄长度方向开设三条凹槽，即凹槽A、凹槽B、凹槽C，其中凹槽B位于凹槽A与凹槽C之间；相邻两垄之间开设排水沟。凹槽B的深度大于凹槽A与凹槽C的深度，凹槽A与凹槽C首尾相连，形成环绕在凹槽B外的环形槽，使凹槽A与凹槽C内部形成水汽互相连通，确保凹槽B两侧湿度及温度的平衡。凹槽B深度为0.25米，凹槽A与凹槽C深度为0.2米。整个垄面由中部向两侧倾斜，倾斜度为5-8°。

S3.施足底肥：在三条凹槽内施足底肥；其中凹槽B底肥施完后，在凹槽B内盖上1.2厘米厚的土壤。三条凹槽内底肥厚度为5厘米。

由于魔芋展叶封行后不提倡过多的农事操作，因此种植前要施足底肥，要求亩施农家肥约240千克，普钙或复合肥约30千克，混合后，用作底肥。

S4.播种：将选取好的种芋播种到凹槽B内，然后覆土盖种，将凹槽B填平，相邻两种芋的间距为35厘米。

播前选芽眼饱满、芽窝浅、无破损伤口和病虫危害、外观匀称、光滑的球茎作种芋，品种选用金地1号、富源花魔芋、本地花魔芋。种芋分级、合理密植、提高单产，种芋大小在50克左右时，每亩3000株左右。花魔芋芽萌动生长要求温度15°C以上，因此生产中种植一般在3月中旬-4月中旬播种，低海拔区提前1个星期播种。种芋芽眼向上斜置种下，盖上薄层细土。

S5.覆膜与打孔：将薄膜覆盖在垄上并将薄膜压入凹槽A与凹槽C内，同时使薄膜贴在垄面以及凹槽A与凹槽C的槽壁上，且薄膜两边沿伸到垄的两侧，最后将薄膜两边沿用土压紧。在凹槽A与凹槽C内的薄膜上分别打多个渗透孔，相邻两渗透孔间隔5-12厘米；每个渗透孔直径为1-3毫米（使水肥能缓慢持续渗透到魔芋种植的土层中）。

S6.填充保水层：在凹槽A与凹槽C内填充用于保水控湿的保水层，直至填平凹槽A与凹槽C。步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:8:4:3的重量比例混匀而得。保水层的存在可以有效调控种芋周围土壤湿度（当种芋周围土壤湿度低于保水层湿度时，保水层就给种芋周围土壤自动补充水分；当种芋周围土壤湿度高于保水层湿度时，保水层就会吸取并存储种芋周围土壤水分），确保魔芋在湿润的环境下正常生长，同时还能避免种芋周围土壤温度过高；很多时候，垄上即便盖上覆盖物后，垄的两侧依然很容易长出大量杂草，进而与种芋争夺养分，而本实施例所述凹槽A与凹槽C内的保水层与薄膜相当于就在种芋土壤两侧形成防护层，能有效防止种芋土壤（凹槽B）侧面产生杂草，同时保水层具有存储水分的功能，故还能缓慢且持续的为种芋补充养分。

S7.覆盖隔离层：在垄上覆盖一层厚度为8-12厘米并将三个凹槽顶部薄膜都覆盖的隔离层；隔离层与树荫配合隔离阳光，避免阳光照射薄膜而导致薄膜内部土壤温度过高。所述隔离层为厚度7厘米的秸秆层或松针层。

S8.日常管理：在魔芋种植后，发现覆盖的隔离层腐烂或者被雨水冲走时，都需要补充隔离层；每年魔芋倒苗后，补充隔离层，直至魔芋丰收。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：

步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:5:7:5的重量比例混匀而得。且保水层将凹槽A与凹槽C填平后，用薄膜分别将凹槽A与凹槽C顶部盖住，盖好后，按压薄膜中部，使薄膜中间低两边高，在薄膜中部沿其长度方向设置多个孔，孔的直径为0.5-1.5毫米。

在隔离层腐烂后，其营养物质在外界雨水冲刷下汇聚在保水层顶部薄膜内，再从该薄膜流入凹槽A与凹槽C内被保水层吸收，通过保水层缓慢且持续性的为魔芋根部补充水肥。

实施例3

薄膜铺好后，在盖隔离层前，先在保水层顶部沿凹槽A与凹槽C长度方向铺设一根用于对保水层补充水肥的管道，所述管道侧壁沿其长度方向设有多个孔，所有凹槽A与凹槽C内的管道互相接通并汇流到一根主管道处。设置一水池，主管道与该水池接通，在需要补充水肥时，向水池注入水肥，水肥顺着管道流入凹槽A与凹槽C内润化保水层，在保水层饱和后，液体就顺着薄膜流入土层中，为魔芋根部补充水肥。同时保水层能够长期且持续的为凹槽A与凹槽C之间的土层补充水肥。在凹槽A、凹槽B、凹槽C长度超过10米时，在垄上凹槽A与凹槽C首尾之间的区域至少设有一条横向连通凹槽A与凹槽C的凹槽D，凹槽D内也铺设有带孔薄膜，薄膜上也填充有保水层。

本发明其他未详尽之处均为本领域技术人员所公知的常规技术。

本发明的保护范围不限于具体实施方式所公开的技术方案，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同替换、改进等，均落入本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.选地与整地：选择林下进行魔芋种植，对林间土层进行翻挖晒垡；

S2.起垄开槽：在翻挖晒垡的土层上起垄，垄宽为0.5-0.9米，高0.2-0.5米，在垄上沿垄长度方向开设三条凹槽，即凹槽A、凹槽B、凹槽C，其中凹槽B位于凹槽A与凹槽C之间；相邻两垄之间开设排水沟；所述凹槽B的深度大于凹槽A与凹槽C的深度，凹槽A与凹槽C首尾相连，形成环绕在凹槽B外的环形槽；

S3.施足底肥：在三条凹槽内施足底肥；其中凹槽B底肥施完后，在凹槽B内盖上1-2厘米土壤；

S4.播种：将选取好的种芋播种到凹槽B内，然后覆土盖种，将凹槽B填平，相邻两种芋的间距为30-40厘米；

S5.覆膜与打孔：将薄膜覆盖在垄上并将薄膜压入凹槽A与凹槽C内，同时使薄膜贴在垄面以及凹槽A与凹槽C的槽壁上，且薄膜两边沿伸到垄的两侧，最后将薄膜两边沿用土压紧；在凹槽A与凹槽C内的薄膜上分别打多个渗透孔，相邻两渗透孔间隔5-12厘米，每个渗透孔直径为1-3毫米；

S6.填充保水层：在凹槽A与凹槽C内填充用于保水控湿的保水层，直至填平凹槽A与凹槽C；在保水层将凹槽A与凹槽C填平后，用薄膜分别将凹槽A与凹槽C顶部盖住，盖好后，按压薄膜中部，使薄膜中间低两边高，在薄膜中部沿其长度方向设置多个孔，孔的直径为0.5-1.5毫米；薄膜铺好后，在盖隔离层前，先在保水层顶部沿凹槽A与凹槽C长度方向铺设一根用于对保水层补充水肥的管道，所述管道侧壁沿其长度方向设有多个孔，所有凹槽A与凹槽C内的管道互相接通并汇流到一根主管道处；

S7.覆盖隔离层：在垄上覆盖一层厚度为8-12厘米并将三个凹槽顶部薄膜都覆盖的隔离层；隔离层与树荫配合隔离阳光，避免阳光照射薄膜而导致薄膜内部土壤温度过高；

S8.日常管理：在魔芋种植后，发现覆盖的隔离层腐烂或者被雨水冲走时，都需要补充隔离层；每年魔芋倒苗后，补充隔离层，直至魔芋丰收。

2.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S2中所述垄宽为0.7米，高0.3米。

3.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S4中相邻两种芋的间距为35厘米。

4.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:(5-9):(3-7):(2-6)的重量比例混匀而得。

5.根据权利要求4所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:8:4:3的重量比例混匀而得。

6.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S7所述隔离层为厚度7厘米的秸秆层或松针层。