CN115274751A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115274751A
CN115274751A CN202210471636.9A CN202210471636A CN115274751A CN 115274751 A CN115274751 A CN 115274751A CN 202210471636 A CN202210471636 A CN 202210471636A CN 115274751 A CN115274751 A CN 115274751A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light emitting
emitting element
overlapping
overlapping portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210471636.9A
Other languages
English (en)
Inventor
白成恩
崔镇宇
朴声国
宋大镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020210073061A external-priority patent/KR20220149892A/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115274751A publication Critical patent/CN115274751A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请涉及显示装置。显示装置包括像素，所述像素包括：第一电极；至少一个发光元件，设置在第一电极上；以及第二电极，包括与至少一个发光元件重叠的至少一个重叠部分，并且包括不与至少一个发光元件重叠的至少一个开口，并且第二电极的重叠部分的形状、尺寸和位置根据至少一个发光元件的位置和发光元件的数量而改变。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2021年4月30日提交的第10-2021-0056894号韩国专利申请、以及于2021年6月4日提交的第10-2021-0073061号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
随着对信息显示的兴趣的增加和对使用便携式信息媒介的需求的增加，对显示装置的需求显著增加，并且正将其进行商业化。
将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。
发明内容
通过非限制性示例的方式，本公开提供了可以在像素的有缺陷的暗斑和/或亮斑出现的情况下最小化修复风险的阴极。
实施方式提供了可以包括像素的显示装置，其中，像素可以包括：第一电极；至少一个发光元件，设置在第一电极上；以及第二电极，包括与至少一个发光元件重叠的至少一个重叠部分，并且包括不与至少一个发光元件重叠的至少一个开口，并且第二电极的重叠部分的形状、尺寸和位置根据至少一个发光元件的位置和发光元件的数量而改变。
第二电极可以包括第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分、第四重叠部分和第五重叠部分；并且第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分、第四重叠部分和第五重叠部分中的每个可以与至少一个发光元件中的相应一个发光元件重叠。
第二重叠部分可以在第一对角线方向上从第一重叠部分延伸；第三重叠部分可以在第二对角线方向上从第二重叠部分延伸；第四重叠部分可以在第一对角线方向上从第三重叠部分延伸；并且第五重叠部分可以在第二对角线方向上从第四重叠部分延伸。
第三重叠部分可以在竖直方向上与第一重叠部分间隔开，且第二电极的至少一个开口设置在第三重叠部分和第一重叠部分之间；第四重叠部分可以在竖直方向上与第二重叠部分间隔开，且第二电极的至少一个开口设置在第四重叠部分和第二重叠部分之间；并且第五重叠部分可以在竖直方向上与第三重叠部分间隔开，且第二电极的至少一个开口设置在第五重叠部分和第三重叠部分之间。
像素可以包括在水平方向上并排设置的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括第一电极、至少一个发光元件和第二电极；并且第一子像素、第二子像素和第三子像素的重叠部分可以从彼此延伸。
第一子像素的第二重叠部分可以在第一对角线方向上从第二子像素的第三重叠部分延伸，并且可以在第二对角线方向上从第二子像素的第一重叠部分延伸；并且第三子像素的第三重叠部分可以在第一对角线方向上从第二子像素的第二重叠部分延伸，并且可以在第二对角线方向上从第二子像素的第四重叠部分延伸。
第二电极可以包括第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分、第四重叠部分和桥接部；并且第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分和第四重叠部分中的每个可以与至少一个发光元件中的相应一个发光元件重叠。
第二重叠部分可以在第一对角线方向上通过桥接部从第一重叠部分延伸；第三重叠部分可以在第二对角线方向上通过桥接部从第二重叠部分延伸；第四重叠部分可以在第一对角线方向上通过桥接部从第三重叠部分延伸；第三重叠部分可以在竖直方向上与第一重叠部分间隔开，且第二电极的开口设置在第三重叠部分和第一重叠部分之间；并且第四重叠部分可以在竖直方向上与第二重叠部分间隔开，且第二电极的开口设置在第四重叠部分和第二重叠部分之间。
像素可以包括在水平方向上并排设置的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括第一电极、至少一个发光元件和第二电极；并且第一子像素、第二子像素和第三子像素的重叠部分可以通过桥接部从彼此延伸。
第一子像素的第二重叠部分可以在第一对角线方向上通过桥接部从第二子像素的第三重叠部分延伸，并且可以在第二对角线方向上从第二子像素的第一重叠部分通过桥接部延伸；并且第二子像素的第二重叠部分可以在第一对角线方向上通过桥接部从第三子像素的第三重叠部分延伸，并且可以在第二对角线方向上通过桥接部从第三子像素的第一重叠部分延伸。
在第一子像素的至少一个发光元件中的第x发光元件中出现暗斑缺陷的情况下，可以切割第一子像素的与第x发光元件重叠的重叠部分的边缘，其中x是大于0的自然数。
在第三子像素中出现亮斑的情况下，可以切割与第三子像素重叠的第二电极的边缘。
实施方式提供了可以包括像素的显示装置，其中，像素可以包括：第一电极；至少一个发光元件，设置在第一电极上；以及第二电极，包括与至少一个发光元件重叠的图案部分和不与至少一个发光元件重叠的开口。
图案部分可以与至少一个发光元件重叠，并且至少一个发光元件的尺寸和形状可以根据至少一个发光元件的位置和数量而改变。
至少一个发光元件可以在第一对角线方向和第二对角线方向上设置成锯齿形图案；并且第二电极的图案部分可以具有与至少一个发光元件重叠的锯齿形图案。
实施方式提供了可以包括像素的显示装置，其中，像素可以包括：第一电极；至少一个发光元件，设置在第一电极上；以及第二电极，包括与至少一个发光元件重叠的板部分、从板部分延伸的桥接部以及不与至少一个发光元件重叠的至少一个开口。
第二电极可以包括第一板部分和第二板部分；第一板部分和第二板部分可以在竖直方向上通过桥接部从彼此延伸；并且第二电极的至少一个开口可以设置在第一板部分和第二板部分之间。
像素可以包括在水平方向上并排设置的第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括第一电极、至少一个发光元件和第二电极；并且第一子像素、第二子像素和第三子像素的板部分可以通过桥接部从彼此延伸。
第一子像素的第一板部分可以在水平方向上通过桥接部从第二子像素的第一板部分延伸；并且第一子像素的第二板部分可以在水平方向上通过桥接部从第二子像素的第二板部分延伸。
实施方式提供了可以包括像素的显示装置，其中，像素可以包括第一电极、设置在第一电极上的至少一个发光元件以及第二电极，其中第二电极包括：上板部分，与至少一个发光元件重叠；下板部分，与至少一个发光元件重叠，并且与上板部分间隔开，且在下板部分与上板部分之间形成有开口；以及桥接部，从上板部分和下板部分的相应相邻的拐角延伸。
像素可以包括在水平方向上并排设置的第一子像素、第二子像素和第三子像素；并且桥接部可以从第一子像素的上板部分、第一子像素的下板部分、第二子像素的上板部分和第二子像素的下板部分的相应相邻的拐角延伸。
第一子像素的第一电极和第二子像素的第一电极之间的距离可以大于桥接部的宽度。
上板部分的一侧和下板部分的一侧之间的距离可以等于或大于第一子像素的第二电极的一侧和第二子像素的第二电极的一侧之间的距离。
根据实施方式，在像素的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，可以通过各种形状的阴极来最小化修复风险。
实施方式的效果不受以上例示的内容的限制，并且在说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1示出了根据实施方式的显示装置的示意性立体图；
图2示出了图1的显示装置的示意性剖视图；
图3示出了根据实施方式的显示面板的示意性俯视图；
图4示出了根据实施方式的显示面板的示意性剖视图；
图5示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的电连接关系的等效电路的示意图；
图6示出了根据实施方式的显示装置中包括的发光元件的示意性立体图；
图7示出了根据实施方式的显示装置中包括的发光元件的示意性剖视图；
图8示出了根据实施方式的包括在显示装置中的像素的示意性剖视图；
图9至图15示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的示意性俯视图；
图16至图19是用于说明根据实施方式的在显示装置中切割第二电极以进行修复的方法的图；
图20是根据实施方式的显示装置应用于智能眼镜的图；
图21是根据实施方式的显示装置应用于头戴式显示器的图；
图22是根据实施方式的显示装置应用于智能手表的图；
图23是根据实施方式的显示装置应用于汽车显示器的图；
图24示出了根据实施方式的显示面板的示意性俯视图；
图25至图27示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的示意性俯视图；以及
图28示出了根据实施方式的显示装置中包括的像素的示意性剖视图。
具体实施方式
由于本公开可以被不同地修改并具有各种形式，因此下面将详细例示和描述实施方式。然而，这决不是将本公开限制于所描述和例示的实施方式，并且将理解为涵盖包括在本公开的精神和范围内的全部改变、等同和替代。
在附图中，为了便于描述且为了清楚，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
诸如第一、第二等的术语将仅用于描述各种组成元素，并且将不被解释为限制这些组成元素。这些术语仅用于将一个组成元素与其它组成元素区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组成元素可以被称为第二组成元素，并且类似地，第二组成元素可以被称为第一组成元素。单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。例如，如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反义连接词的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。
在本申请中，应理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”或“配置”或其变形指示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组成元素、部分或其组合，但不预先排除存在或添加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、组成元素、部分或组合的可能性。
将理解的是，当元件(诸如，层、膜、区、区域或衬底)被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，在说明书中，当层、膜、区、区域、板等的一部分被称为形成“在”另一部分“上”时，所形成的方向不限于上方向，而是包括横向方向或下方向。相反，当元件(诸如，层、膜、区、板等)被称为“在”另一元件“下方”时，其可以直接在另一元件下方，或者可以存在中间元件。
将理解的是，当在说明书中，元件(诸如，区、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件时，其可以直接设置在以上提及的另一元件上、直接连接到或直接联接到以上提及的另一元件，或者在其间可以设置有中间元件。
将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电连接、或者物理或电联接。
为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以取向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意指第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、延伸遍及、覆盖或部分覆盖、或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为“不与”另一元件“重叠”、或“…成不与”另一元件“重叠”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此并排设置、或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但仍彼此面对。
短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观察被竖直切割的对象的剖面。
本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意为在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过于形式的含义，除非在本文中明确地如此限定。
在下文中，将参考与实施方式相关的附图来描述根据实施方式的显示装置。
图1示出了根据实施方式的显示装置的示意性立体图，图2示出了图1的显示装置的示意性剖视图，图3示出了根据实施方式的显示面板的示意性俯视图，以及图4示出了根据实施方式的显示面板的示意性剖视图。
参考图1至图4，显示装置DD可以包括显示面板DP和窗WD。
显示装置DD可以包括显示图像的显示区域DD_DA和不显示图像的非显示区域DD_NDA。非显示区域DD_NDA可以设置在显示区域DD_DA的至少一侧上，并且可以设置成围绕显示区域DD_DA或者与显示区域DD_DA相邻。在实施方式中，可以相关联地设计显示区域DD_DA的形状和非显示区域DD_NDA的位置。
显示装置DD可以设置成板的形式，其呈矩形形状或具有大致有角的拐角的大致矩形形状，但是在实施方式中，显示装置DD可以实现为呈具有大致圆润拐角的大致矩形形状的板的形式。本公开不限于此，并且显示装置DD可以实施成各种形状。
根据实施方式的显示装置DD可以应用于电子装置，其中显示表面被应用于其至少一个表面或一表面，诸如智能电话、电视、平板PC、移动电话、图像电话、电子书阅读器、桌面PC、膝上型PC、上网本计算机、工作站、服务器、PDA、便携式多媒体播放器(PMP)、MP3播放器、医疗装置、相机或可佩戴显示装置。
显示面板DP是显示图像的区域。显示面板DP可以实现为自发射显示面板，诸如有机发光显示(OLED)面板、纳米级LED显示面板和量子点有机发光显示(QD OLED)面板。
显示面板DP可以包括基础层BSL和设置在基础层BSL上的像素PXL。
基础层BSL可以形成显示装置DD的基础构件。在实施方式中，基础层BSL可以是刚性或柔性的衬底或膜，并且其材料或物理特性没有特别限制。例如，基础层BSL可以形成为由玻璃或钢化玻璃制成的刚性衬底，或形成为由塑料或金属材料制成的柔性衬底(或薄膜)，或形成为至少一层或一层绝缘膜，但其材料和/或物理特性没有特别限制。
显示面板DP可以包括显示图像的显示区域DA和除了显示区域DA之外的非显示区域NDA。非显示区域NDA是在其中不显示图像的区域，并且可以是围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻的边框区域。这里，显示面板DP的显示区域DA可以对应于显示装置DD的显示区域DD_DA，并且显示面板DP的非显示区域NDA可以对应于显示装置DD的非显示区域DD_NDA。
显示区域DA可以设置在显示面板DP的一个表面上或一表面上。例如，显示区域DA可以设置在显示面板DP的前侧上，并且可以另外设置在显示面板DP的一侧或后表面上。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围，以围绕显示区域DA，或者可以与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以选择性地包括连接到在显示区域DA中的像素PXL的驱动电路、布线和焊盘。
在图3中，仅示出了包括三个子像素的一个像素PXL，但是像素PXL可以基本上被分散并设置在显示区域DA中。例如，像素PXL可以设置在显示区域DA中，以具有诸如矩阵或条纹的布置结构。然而，本公开不限于此。
显示面板DP可以包括可顺序地设置在基础层BSL上的像素电路层PCL、显示元件层DPL和覆盖层CVL。
像素电路层PCL可以设置在基础层BSL上，并且可以包括晶体管和连接到晶体管的信号线。例如，每个晶体管可以具有这样的结构：半导体图案、栅电极、源电极和漏电极可以被顺序地彼此堆叠，且其间插置有绝缘层。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上，并且可以包括发光元件。例如，发光元件可以是有机发光二极管、无机发光元件、或通过改变通过使用量子点发射的光的波长来发射光的发光元件。
覆盖层CVL可以设置在显示元件层DPL上。覆盖层CVL可以是封装衬底或多层封装膜。在覆盖层CVL具有封装膜的形式的情况下，其可以具有无机膜、有机膜和无机膜可彼此顺序堆叠的结构。覆盖层CVL可以防止外部空气和水分渗透到显示元件层DPL和像素电路层PCL中。
在实施方式中，覆盖层CVL可以由可热固化和/或可光固化树脂制成并且以液体形式涂覆在基础层BSL上，并且通过使用热和/或光的固化工艺来固化。覆盖层CVL可以保护发光元件并且稳定地固定发光元件。
用于保护显示面板DP的暴露表面的窗WD可以设置在显示面板DP上。窗WD可以保护显示面板DP免受外部冲击的影响，并且可以向用户提供输入表面和/或显示表面。窗WD可以通过使用光学透明的粘合构件与显示面板DP组合。
窗WD可以具有选自玻璃衬底、塑料膜和塑料衬底的多层结构。这种多层结构可以通过连续工艺或使用粘合层的粘合工艺形成。窗WD可以是完全或部分柔性的。
触摸传感器可以设置在显示面板DP和窗WD之间。触摸传感器可以设置在显示面板DP的在其上显示图像的表面上或直接设置在所述表面上，以接收用户的触摸输入。
在下文中，将参考图5描述根据实施方式的显示装置或显示面板中包括的像素。
图5示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的电连接关系的等效电路的示意图。
参考图5，一个像素PXL可以包括至少一个发光单元EMU，其生成具有与数据信号对应的亮度的光。一个像素PXL可以进一步选择性地包括用于驱动发光单元EMU的像素电路PXC。
发光单元EMU可以包括发光元件LD，其连接在向其施加第一驱动电源VDD的电压的第一电力线PL1和向其施加第二驱动电源VSS的电压的第二电力线PL2之间。
通过示例的方式，发光单元EMU可以包括经由像素电路PXC和第一电力线PL1连接到第一驱动电源VDD的第一电极EL1、经由第二电力线PL2连接到第二驱动电源VSS的第二电极EL2、以及连接在第一电极EL1和第二电极EL2之间的发光元件LD。在实施方式中，第一电极EL1可以是阳极，并且第二电极EL2可以是阴极。
包括在发光单元EMU中的发光元件LD可以包括通过第一电极EL1连接到第一驱动电源VDD的一端(或第一端)和通过第二电极EL2连接到第二驱动电源VSS的另一端(或第二端)。
第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第一驱动电源VDD可以设定为高电势电源，并且第二驱动电源VSS可以设定为低电势电源。在像素PXL的发光周期期间，第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS之间的电势差可以设定为等于或高于发光元件LD的阈值电压。
发光单元EMU的发光元件LD可以发射具有与通过像素电路PXC提供的驱动电流对应的亮度的光。例如，在每个帧周期期间，像素电路PXC可以向发光单元EMU提供与一个帧数据的灰度值对应的驱动电流。提供给发光单元EMU的驱动电流可以在发光元件LD中流动。
在图5中示出了一个发光元件LD，但是本公开不限于此。在实施方式中，发光单元EMU可以包括可在第一电极EL1和第二电极EL2之间以相同方向彼此并联连接的多个发光元件，并且多个发光元件可以形成以n个串联级连接的串联/并联混合结构。
像素电路PXC可以连接到与一个像素PXL对应的扫描线Si和数据线Dj。例如，在像素PXL可以设置在显示区域DA(参见图3)的第i(i是大于0的自然数)行和第j(j是大于0的自然数)列中的情况下，像素PXL的像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。
像素电路PXC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。
第一晶体管T1(或驱动晶体管)的第一端子可以连接到第一驱动电源VDD，并且其第二端子可以电连接到发光单元EMU的第一电极EL1。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。因此，第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制提供给发光元件LD的驱动电流的量。
第二晶体管T2(或开关晶体管)的第一端子可以连接到数据线Dj，并且其第二端子连接到第一节点N1。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线Si。第二晶体管T2在从扫描线Si提供导通电压的扫描信号(低电平)的情况下导通，并且第二晶体管T2电连接数据线Dj和第一节点N1。在一帧的数据信号被提供给数据线Dj的情况下，数据信号被传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号被充入到存储电容器Cst中。
存储电容器Cst的一个电极可以连接到第一节点N1，并且其另一个电极可以连接到第一晶体管T1的第一端子。存储电容器Cst可以被充电有与对应于提供给第一节点N1的数据信号的电压和第一晶体管T1的第一端子的电压之间的电压差对应的电压，并且存储电容器Cst可以保持所充电的电压直到提供后续帧的数据信号。
图5示出了第一晶体管T1和第二晶体管T2二者为P型晶体管的实施方式，但本公开不限于此。在实施方式中，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以改变成N型晶体管。
图5的像素电路PXC的结构可以不同地改变。例如，像素电路PXC可以另外包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管T1的阈值电压的晶体管、用于初始化第一节点N1的电压的晶体管、用于控制发光元件LD的发光时间的晶体管、以及用于使第一节点N1的电压升高的升压电容器。
在下文中，将参考图6和图7描述根据实施方式的显示装置和像素中包括的发光元件。
图6示出了根据实施方式的显示装置中包括的发光元件的示意性立体图，并且图7示出了根据实施方式的显示装置中包括的发光元件的示意性剖视图。
参考图6和图7，发光元件LD可以包括第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。例如，发光元件LD可以是发光堆叠体10，其中第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13可以顺序地彼此堆叠。在实施方式中，发光元件LD还可以包括结合电极层，并且结合电极层可以堆叠在第一半导体层11的一个表面上或一表面上，或者堆叠在第二半导体层13的一个表面上或一表面上。
在发光元件LD的高度h方向上，下表面可以被称为第一端EP1，并且上表面可以被称为第二端EP2。
发光元件LD可以具有大致柱状形状，其中第一端EP1的直径DD1和第二端EP2的直径DD2彼此不同。例如，发光元件LD可以具有大致柱状形状，其中第一端EP1的直径DD1小于第二端EP2的直径DD2。通过示例的方式，发光元件LD可以具有大致椭圆柱状形状，其中直径沿着高度h方向朝向上表面增加。
本公开不限于此，并且在实施方式中，发光元件LD可以具有大致柱状形状，其中第一端EP1的直径DD1大于第二端EP2的直径DD2。在实施方式中，发光元件LD可以具有大致椭圆柱状形状，其中直径沿着高度h方向朝向上表面或区域减小。
在实施方式中，发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2的形状可以是多边形，诸如矩形、正方形、等边三角形或正五边形。在实施方式中，发光元件LD可以具有大致截顶的棱锥形状，其中其上表面的面积和其下表面的面积彼此不同。
发光元件LD可以具有纳米级至微米级的尺寸。然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且发光元件LD的尺寸可以根据采用使用发光元件LD作为光源的发光装置的各种装置(例如，显示装置)的设计条件而不同地改变。
第一半导体层11可以是具有第一导电性(或类型)的半导体层。例如，第一半导体层11可以包括至少一个N型半导体。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种的半导体材料，并且可以包括在本公开的精神和范围内掺杂有诸如Si、Ge、Sn等的第一导电掺杂剂的N型半导体层。然而，包括在第一半导体层11中的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种材料制成。
有源层12可以设置在第一半导体层11的一个表面上或一表面上。有源层12可以设置在第一半导体层11上。有源层12可以具有单个或多个量子阱结构。在实施方式中，可以在有源层12的上部分和/或下部分处形成掺杂有导电掺杂剂的包覆层。例如，包覆层可以形成为AlGaN层或InAlGaN层。在实施方式中，可以使用诸如AlGaN和InAlGaN的材料来形成有源层12，并且此外，可以使用不同的材料来形成有源层12。
在阈值电压或更高的电压被施加到发光元件LD的上表面和下表面的情况下，当电子-空穴对在有源层12中复合时，发光元件LD发光。通过使用该原理控制发光元件LD的发光，它可以用作除了显示装置的像素之外的各种发光装置的光源。
第二半导体层13可以设置在有源层12的一个表面上或一表面上。第二半导体层13可以设置在有源层12上。第二半导体层13可以包括具有与第一半导体层11的导电性(或类型)不同的导电性(或类型)的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个P型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的第二导电掺杂剂的P型半导体层。然而，包括在第二半导体层13中的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种材料形成。
示出了第一半导体层11和第二半导体层13中的每个形成为一个层或一层，但是本公开不限于此。在实施方式中，第一半导体层11和第二半导体层13中的每个可以根据有源层12的材料进一步包括一个或多个层，例如，包覆层和/或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。TSBR层可以是设置在具有不同晶格结构的半导体层之间并且用作缓冲件以减小晶格常数的差异的应变减小层。TSBR层可以由诸如p-GaInP、p-AlInP或p-AlGaInP的P型半导体层形成，但本公开不限于此。
在实施方式中，除了以上描述的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13之外，发光元件LD还可以包括设置在第一半导体层11的上部分和/或第二半导体层13的下部分上的电极。
电极可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。在实施方式中，电极可以是肖特基接触电极。电极可以包括导电材料。例如，电极可以包括不透明金属，其中铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)及其氧化物或合金单独或组合使用，但本公开不限于此。在实施方式中，电极可以包括透明导电氧化物，诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)。电极可以是与阳极或阴极接触或直接接触的部分。
在实施方式中，发光元件LD还可以包括绝缘膜14。在实施方式中，绝缘膜14可以被省略，并且可以设置成仅覆盖发光堆叠体10的一部分或与之重叠。
绝缘膜14可以防止在有源层12接触除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料的情况下可能出现的电短路。绝缘膜14可以使发光元件LD的表面缺陷最小化，以改善发光元件LD的寿命和发光效率。在紧密设置发光元件LD的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件LD之间可能出现的不期望的短路。只要有源层12可以防止与外部导电材料的短路的出现，就不限制是否设置绝缘膜14。
发光元件LD还可以包括围绕绝缘膜14的外周表面的反射构件。反射构件可以由具有反射率的材料制成，以便在沿着图像显示方向行进的同时将从发光元件LD发射的光聚焦到特定的或给定的区域。例如，反射构件可以由具有反射率的导电材料(或物质)制成。
在下文中，将参考图8描述根据实施方式的显示装置的结构。
图8示出了根据实施方式的包括在显示装置中的像素的示意性剖视图。
参考图8，根据实施方式的显示装置中包括的一个像素PXL可以包括基础层BSL、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基础层BSL可以是刚性或柔性衬底。例如，在基础层BSL是刚性衬底的情况下，在本公开的精神和范围内，基础层BSL可以实施成玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底、结晶玻璃衬底等。在基础层BSL是柔性衬底的情况下，在本公开的精神和范围内，基础层BSL可以实施成包括聚酰亚胺、聚酰胺等的聚合物有机材料衬底、塑料衬底等。
像素电路层PCL可以设置在基础层BSL上。
像素电路层PCL可以包括至少一个晶体管和连接到所述至少一个晶体管的布线。像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间绝缘层ILD、第一通孔层VIA1和第二通孔层VIA2，其可以在基础层BSL的一个表面上或一表面上顺序地彼此堆叠。
缓冲层BFL可以设置在基础层BSL上以覆盖基础层BSL或与基础层BSL重叠。缓冲层BFL可以防止杂质从外部扩散到像素电路层PCL中。缓冲层BFL可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)的金属氧化物中的至少一种。在实施方式中，可以省略缓冲层BFL。下部金属层可以设置在基础层BSL和缓冲层BFL之间。
第一晶体管T1可以包括第一半导体图案SCL1、第一栅电极GAT1、第一源电极S1和第一漏电极D1。
第一半导体图案SCL1可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体图案SCL1可以包括沟道区、以及设置在沟道区的两侧处的源区和漏区。第一半导体图案SCL1的源区可以电连接到第一源电极S1，并且其漏区可以电连接到第一漏电极D1。例如，源区和漏区可以扩展成通过接触孔分别与不同层的电极电连接。
第一半导体图案SCL1可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
第一栅极绝缘层GI1可以设置在第一半导体图案SCL1和缓冲层BFL上。第一栅极绝缘层GI1覆盖第一半导体图案SCL1和缓冲层BFL、或与之重叠。
第一栅极绝缘层GI1可以包括无机材料。例如，第一栅极绝缘层GI1可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。在实施方式中，第一栅极绝缘层GI1可以包括有机材料。
第一栅电极GAT1可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。第一栅电极GAT1可以设置成与第一半导体图案SCL1的沟道区重叠。
驱动电压线DVL可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。这里，驱动电压线DVL可以对应于以上描述的图5的第二电力线PL2的一部分。驱动电压线DVL可以通过第二接触孔CH2物理和/或电连接到桥接电极BRD。由于桥接电极BRD可以物理和/或电连接到第二电极EL2，所以驱动电压线DVL可以通过桥接电极BRD将第二驱动电源VSS(参见图5)的电压传输到第二电极EL2。驱动电压线DVL被示出为与第一栅电极GAT1设置在相同的层上，但是本公开不限于此。
第二栅极绝缘层GI2可以设置在第一栅电极GAT1和第一栅极绝缘层GI1上。第二栅极绝缘层GI2覆盖第一栅电极GAT1和第一栅极绝缘层GI1或与之重叠。
第二栅极绝缘层GI2可以包括与第一栅极绝缘层GI1相同的材料或类似的材料，并且例如，其可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。
第二栅电极GAT2可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。第二栅电极GAT2可以设置成与第一栅电极GAT1重叠。因此，彼此重叠的第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2与在其间的第二栅极绝缘层GI2可以形成一个电容器。
层间绝缘层ILD可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。层间绝缘层ILD覆盖第二栅极绝缘层GI2或与第二栅极绝缘层GI2重叠。层间绝缘层ILD可以包括与第二栅极绝缘层GI2相同的材料或类似的材料，并且可以包括无机材料或有机材料。
第一源电极S1和第一漏电极D1可以设置在层间绝缘层ILD上。这里，第一源电极S1可以与以上描述的图5的第一晶体管T1的第一端子具有相同的配置，并且第一漏电极D1可以与第一晶体管T1的第二端子具有相同的配置。
第一漏电极D1可以通过穿过第二通孔层VIA2和稍后将描述的钝化层PSV的第一接触孔CH1电连接到显示元件层DPL的第一电极EL1。因此，第一晶体管T1可以将第一驱动电源VDD(参见图5)的电压传输到第一电极EL1。
第一通孔层VIA1可以设置在层间绝缘层ILD上。第一通孔层VIA1覆盖层间绝缘层ILD的一部分或与层间绝缘层ILD的一部分重叠。这里，第一通孔层VIA1可以被称为将发光区域分隔开的坝结构、像素限定膜和堤部。
第一通孔层VIA1可以包括至少一个有机绝缘层。第一通孔层VIA1可以是单个膜或多个膜，并且可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。例如，第一通孔层VIA1可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
桥接电极BRD可以设置在层间绝缘层ILD和第一通孔层VIA1上。桥接电极BRD可以设置成沿着第一通孔层VIA1的形状在第三方向DR3上弯曲。桥接电极BRD可以通过穿过第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD的第二接触孔CH2物理和/或电连接到驱动电压线DVL。桥接电极BRD被示出为设置在与第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1相同的层上，但本公开不限于此。
钝化层PSV可以设置在第一源电极S1、第一漏电极D1、层间绝缘层ILD和桥接电极BRD上。钝化层PSV可以完全覆盖第一源电极S1和第一漏电极D1或与之完全重叠，并且可以部分覆盖层间绝缘层ILD和桥接电极BRD或与之部分重叠。
钝化层PSV可以包括有机绝缘膜、无机绝缘膜、或设置在无机绝缘膜上的有机绝缘膜。例如，无机绝缘膜可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)的金属氧化物中的至少一种。例如，有机绝缘膜可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
第二通孔层VIA2可以设置在钝化层PSV和桥接电极BRD上。第二通孔层VIA2可以部分地覆盖钝化层PSV和桥接电极BRD或与之部分地重叠，以具有至少一个开口OP。例如，在第二通孔层VIA2的部分暴露桥接电极BRD的上表面的开口OP中，第二电极EL2和桥接电极BRD可以物理和/或电连接。这里，第二通孔层VIA2可以被称为与第一通孔层VIA1一起将发光区域分隔开的坝结构、像素限定膜和堤部。
根据沿着第三方向DR3形成的第二通孔层VIA2的上表面的高度，第二通孔层VIA2的一部分可以设置在显示元件层DPL中。第二电极EL2可以设置在第二通孔层VIA2的设置于显示元件层DPL中的所述一部分的上表面上。
第二通孔层VIA2可以包括至少一个有机绝缘层。第二通孔层VIA2可以是单个膜或多个膜，并且可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。例如，第二通孔层VIA2可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
显示元件层DPL可以包括第一电极EL1、结合电极CP、发光元件LD、保护层PVX和第二电极EL2。
第一电极EL1可以设置在第二通孔层VIA2上。例如，第一电极EL1可以设置在像素电路层PCL上。
第一电极EL1可以电连接到发光元件LD中的每个的第一端EP1。第一电极EL1可以通过第一接触孔CH1电连接到像素电路层PCL的第一晶体管T1。这里，第一电极EL1可以是阳极。
第一电极EL1可以包括具有反射率的透明导电材料。例如，第一电极EL1可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)的导电氧化物、以及诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物。第一电极EL1可以包括不透明金属，其有利于将从发光元件LD发射的光反射在显示装置的图像显示方向(例如，第三方向DR3)上。例如，第一电极EL1还可以包括金属，诸如镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)及其合金。
结合电极CP可以设置在第一电极EL1上，并且是结合到发光元件LD的部分。结合电极CP可以设置在第一电极EL1和发光元件LD之间，并且可以电连接到第一电极EL1和发光元件LD。例如，结合电极CP可以接触或直接接触发光元件LD的第一端EP1，以电连接第一电极EL1和发光元件LD的第一端EP1。
结合电极CP可以用作反射构件，用于在显示装置的图像显示方向(例如，第三方向DR3)上引导从发光元件LD发射的光。为此，结合电极CP可以由具有反射率的不透明导电材料制成。结合电极CP可以包括与第一电极EL1相同的材料或类似的材料，或者可以包括从例如作为第一电极EL1的组成材料的材料中选择的一种或多种。例如，结合电极CP可以包括能够结合到发光元件LD的金属，诸如铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)及其合金。
发光元件LD可以设置在结合电极CP上。发光元件LD的第一端EP1可以设置在结合电极CP上，并且发光元件LD的第一端EP1可以物理地和/或电连接到结合电极CP。
发光元件LD的第一端EP1可以朝向结合电极CP设置，并且发光元件LD的第二端EP2可以朝向第二电极EL2设置。
发光元件LD可以在发光元件LD的高度h方向上设置在结合电极CP和第二电极EL2之间。图8中所示的发光元件LD可以对应于以上描述的图6和图7的发光元件LD。在图8中，为了简要示出发光元件LD，示出了第一端EP1的直径和第二端EP2的直径相同。
围绕发光元件LD的除了第一端EP1和第二端EP2之外的表面的绝缘膜可以进一步设置在发光元件LD的侧表面上。由于绝缘膜，发光元件LD可以更稳定地固定在结合电极CP上。
保护层PVX可以设置在第一电极EL1、结合电极CP和第二通孔层VIA2的部分上。保护层PVX可以设置成覆盖第二通孔层VIA2的上表面的一部分或与之重叠，并且设置成完全覆盖第一电极EL1和结合电极CP或与之完全重叠。保护层PVX可以设置在发光元件LD之间，使得发光元件LD的第二端EP2被暴露。
保护层PVX可以包括包含无机材料的无机绝缘膜或包含有机材料的有机绝缘膜。在实施方式中，保护层PVX可以用作平坦化层，其用于减少在显示元件层DPL中的由于设置在保护层PVX下方的部件而导致的台阶。为此，保护层PVX可以由包括有机材料的有机绝缘膜形成。
第二电极EL2可以设置在发光元件LD、保护层PVX和第二通孔层VIA2上。第二电极EL2可以设置成覆盖发光元件LD、保护层PVX和第二通孔层VIA2或与之重叠。第二电极EL2可以设置成覆盖钝化层PSV的上表面的一部分或与之重叠。
第二电极EL2可以包括具有反射率的透明导电材料。例如，第二电极EL2可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)的导电氧化物、以及诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物。然而，第二电极EL2的材料不受上述描述的限制。
第二电极EL2可以覆盖桥接电极BRD的上表面的由第二通孔层VIA2的开口OP暴露的部分，或与之重叠。桥接电极BRD的上表面的由第二通孔层VIA2的开口OP暴露的部分和第二电极EL2可以物理和/或电连接。第二电极EL2可以物理和/或电连接到发光元件LD的由保护层PVX暴露的第二端EP2。因此，通过桥接电极BRD提供的第二驱动电源VSS(参见图5)的电压可以被传输到发光元件LD的第二端EP2。这里，第二电极EL2可以是阴极。
第二电极EL2可以设置成延伸遍及整个像素PXL，以整体地形成显示元件层DPL的上表面。因此，在发光元件LD和第二电极EL2之间(或发光元件LD和第一电极EL1之间)出现电短路的情况下，可能出现整个像素PXL不发光的暗斑缺陷。显示装置可以通过将与短路的发光元件LD重叠的第二电极EL2部分开口的工艺(例如，激光切割工艺)来修复有缺陷的像素。然而，当在修复有缺陷的像素的工艺中对第二电极的部分区域进行切割时，可能在与所切割的第二电极相邻的部分中出现诸如焊接和残留物的风险。
在显示装置中，由于像素电路层PCL的一些或多个或部分的组成元件中的缺陷或外来颗粒的流入，因而可能出现亮斑缺陷。亮斑缺陷是一个像素整体上发射白光的缺陷。当在修复有缺陷的像素的工艺中对第二电极的部分区域进行切割时，可能在与所切割的第二电极相邻的部分中出现诸如焊接和残留物的风险。
因此，根据实施方式的显示装置可以通过实现各种形状的第二电极来最小化修复风险，以便改善像素的暗斑缺陷或亮斑缺陷。
在下文中，将参考图9至图15描述根据实施方式的显示装置。
图9至图15示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的示意性俯视图。
参考图9至图15，示出了形成根据实施方式的显示装置的显示元件层DPL的第一电极EL1、第二电极EL2和发光元件LD。这里，第一电极EL1可以是阳极，并且第二电极EL2可以是阴极。
一个像素PXL可以包括第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3。第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以设置成在第一方向DR1(或横向方向、水平方向)上并排地与彼此相邻。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个可以包括第一电极EL1、第二电极EL2和发光元件LD。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个可以包括发光区域EMA和非发光区域NEA。发光区域EMA是可以在其中设置发光元件LD的区域，并且非发光区域NEA是围绕发光区域EMA的区域。发光区域EMA是通过发光元件LD从其发射光的区域，并且非发光区域NEA是不从其发射光的区域。尽管未示出，但是在非发光区域NEA中可以设置保护层、坝结构、堤部、像素限定膜等。
第一电极EL1可以设置在基础层BSL上，并且在第二方向DR2上延伸。第一电极EL1可以设置在发光区域EMA和非发光区域NEA中。
发光元件LD可以在发光区域EMA中设置成与第一电极EL1重叠。尽管在附图中未示出，但是结合电极CP(参见图8)可以设置在发光元件LD和第一电极EL1之间。
发光元件LD可以以给定数量在第一电极EL1上布置或设置在给定位置中。根据实施方式，发光元件LD可以以各种数量在第一电极EL1上布置或设置在各种位置中。
例如，如图9和图12中所示，在子像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个中可以设置五个发光元件LD，并且五个发光元件LD可以彼此间隔开并且沿着第二方向DR2设置成大致锯齿形形状。
如图10、图11和图13中所示，在子像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个中可以设置四个发光元件LD，并且四个发光元件LD可以彼此间隔开并且沿着第二方向DR2设置成大致锯齿形形状。
如图14中所示，在子像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个中可以设置两个发光元件LD，并且两个发光元件LD可以彼此间隔开并且沿着第二方向DR2设置。
如图15中所示，在子像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个中可以仅设置一个发光元件LD。
第二电极EL2可以遍及发光区域EMA和非发光区域NEA整体地设置在像素PXL中。
第二电极EL2可以与发光元件LD至少部分地重叠。第二电极EL2可以包括与发光元件LD重叠的至少一个重叠部分和不与发光元件LD重叠的开口OPN。第二电极EL2的重叠部分可以根据发光元件LD的位置、形状和数量而变形。第二电极EL2的重叠部分可以具有仅至少一个重叠的发光元件LD可被独立地驱动的结构。
第二电极EL2可以具有包括至少一个开口OPN的大致网格形状。
参考图9，第二电极EL2可以包括第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84、第五重叠部分85和至少一个开口OPN。
第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84和第五重叠部分85中的每个与至少一个发光元件LD重叠。例如，如图9中所示，第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84和第五重叠部分85中的每个可以与一个发光元件LD重叠。
开口OPN不与发光元件LD重叠。
第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84和第五重叠部分85是在第一方向DR1和第二方向DR2上从彼此延伸且开口OPN插置在其间的部分。重叠部分81、82、83、84和85中每个的所有边缘可以部分地与开口OPN相邻。
第二重叠部分82是沿着第五方向DR5(或第一对角线方向)从第一重叠部分81延伸的部分，所述第五方向DR5是第一方向DR1和第四方向DR4之间的对角线方向，并且第一重叠部分81和第二重叠部分82可以共享边缘的包括顶点的一部分。
第三重叠部分83是沿着第六方向DR6(或第二对角线方向)从在第二重叠部分82延伸的部分，所述第六方向DR6是第一方向DR1和第二方向DR2之间的对角线方向，并且第二重叠部分82和第三重叠部分83可以共享边缘的包括顶点的一部分。第三重叠部分83可以设置成沿着第二方向DR2(或竖直方向、纵向方向)与第一重叠部分81间隔开，且开口OPN在它们之间。
第四重叠部分84是沿着第五方向DR5从第三重叠部分83延伸的部分，并且第三重叠部分83和第四重叠部分84可以共享边缘的包括顶点的一部分。第四重叠部分84可以设置成沿着第二方向DR2与第二重叠部分82间隔开，且开口OPN在它们之间。
第五重叠部分85是沿着第六方向DR6从第四重叠部分84延伸的部分，并且第四重叠部分84和第五重叠部分85可以共享边缘的包括顶点的一部分。第五重叠部分85可以设置成沿着第二方向DR2与第三重叠部分83间隔开，且开口OPN在它们之间。
相应的子像素PXL1、PXL2和PXL3的相应重叠部分81、82、83、84和85可以是从彼此延伸的部分。
例如，第一子像素PXL1的第二重叠部分82是沿着第六方向DR6从第二子像素PXL2的第一重叠部分81延伸的部分，并且是沿着第五方向DR5从第二子像素PXL2的第三重叠部分83延伸的部分。
第三子像素PXL3的第三重叠部分83是沿着第五方向DR5从第二子像素PXL2的第二重叠部分82延伸的部分，并且是沿着第六方向DR6从第二子像素PXL2的第四重叠部分84延伸的部分。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84和第五重叠部分85可以实施成可从彼此延伸的各种形状。例如，重叠部分81、82、83、84和85中的每个可以具有相同尺寸的矩形形状或大致矩形形状。本公开不限于此，并且在实施方式中，重叠部分81、82、83、84和85中的每个可以在本公开的精神和范围内具有大致为圆形、三角形、正方形、菱形等的形状。相应的重叠部分81、82、83、84和85可以具有不同的尺寸和/或形状。
重叠部分81、82、83、84和85中的每个的形状、尺寸和位置可以根据发光元件LD的数量和/或对准位置而不同地改变。
稍后将参考图16描述在根据实施方式的显示装置中在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下的切割第二电极EL2的修复方法。
参考图10，第二电极EL2可以包括第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93、第四重叠部分94、桥接部111和至少一个开口OPN。
第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93和第四重叠部分94中的每个与至少一个发光元件LD重叠。例如，第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93和第四重叠部分94中的每个可以与一个发光元件LD重叠。
桥接部111可以与发光元件LD至少部分地重叠，或者可以不与发光元件LD重叠。
开口OPN不与发光元件LD重叠。
第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93和第四重叠部分94是通过桥接部111延伸且在其间在第一方向DR1和第二方向DR2上插置有开口OPN的部分。
第二重叠部分92是沿着第五方向DR5(或第一对角线方向)通过桥接部111从第一重叠部分91延伸的部分。
第三重叠部分93是沿着第六方向DR6(或第二对角线方向)通过桥接部111从第二重叠部分92延伸的部分。第三重叠部分93可以设置成沿着第二方向DR2与第一重叠部分91间隔开，且开口OPN位于它们之间。
第四重叠部分94是沿着第五方向DR5通过桥接部111从第三重叠部分93延伸的部分。第四重叠部分94可以设置成沿着第二方向DR2与第二重叠部分92间隔开，且开口OPN在它们之间。
相应的子像素PXL1、PXL2和PXL3的相应重叠部分91、92、93和94可以是从彼此延伸的部分。
例如，第一子像素PXL1的第二重叠部分92是沿着第六方向DR6通过桥接部111从第二子像素PXL2的第一重叠部分91延伸的部分，并且是沿着第五方向DR5通过桥接部111从第二子像素PXL2的第三重叠部分93延伸的部分。
第二子像素PXL2的第二重叠部分92是沿着第五方向DR5通过桥接部111从第三子像素PXL3的第三重叠部分93延伸的部分，并且是沿着第六方向DR6通过桥接部111从第三子像素PXL3的第一重叠部分91延伸的部分。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93和第四重叠部分94可以实施成可从彼此延伸的各种形状。例如，相应的重叠部分91、92、93和94可以具有相同尺寸的大致菱形的形状，并且相应的重叠部分91、92、93和94可以通过具有大致矩形形状的桥接部111从彼此延伸。开口OPN可以具有十字形形状。本公开不限于此，并且在实施方式中，重叠部分91、92、93和94中的每个可以具有诸如大致圆形、大致三角形、大致矩形或大致正方形的形状。相应的重叠部分91、92、93和94可以具有不同的尺寸和/或形状。
重叠部分91、92、93和94中的每个的形状、尺寸和位置可以根据发光元件LD的数量和/或对准位置而不同地改变。
稍后将参考图17描述在根据实施方式的显示装置中在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下的切割第二电极EL2的修复方法。
参考图11，第二电极EL2可以包括图案部分110和开口OPN。
图案部分110与发光元件LD重叠。例如，图案部分110可以与四个发光元件LD重叠。
图案部分110可以实施成能够与发光元件LD重叠的各种形状。例如，图案部分110可以具有在第五方向DR5和第六方向DR6上延伸的锯齿形多边形。本公开不限于此，并且在实施方式中，图案部分110可以具有诸如波形形状的各种形状。
图案部分110的尺寸和/或形状可以根据发光元件LD的数量和/或位置而改变。例如，在发光元件LD可以在第五方向DR5和第六方向DR6上设置成锯齿形图案的情况下，图案部分110可以具有相同的锯齿形图案以覆盖发光元件LD或与发光元件LD重叠。例如，图案部分110的锯齿形图案可以具有比根据发光元件LD的对准的锯齿形图案宽的宽度。
开口OPN不与发光元件LD重叠。
开口OPN可以设置在相应子像素PXL1、PXL2和PXL3的图案部分110之间。开口OPN可以根据图案部分110的形状具有各种形状。例如，开口OPN可以具有菱形形状。本公开不限于此，并且在实施方式中，在本公开的精神和范围内，开口OPN可以具有诸如大致椭圆形、大致矩形等的各种形状。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
稍后将参考图18描述在根据实施方式的显示装置中在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下的切割第二电极EL2的修复方法。
参考图12至图14，第二电极EL2可以包括第一板部分21、第二板部分31、桥接部111和至少一个开口OPN。
第一板部分21和第二板部分31与至少一个发光元件LD重叠。例如，参考图12，第一板部分21可以与两个发光元件LD重叠，并且第二板部分31可以与三个发光元件LD重叠。参考图13，第一板部分21可以与两个发光元件LD重叠，并且第二板部分31可以与两个发光元件LD重叠。参考图14，第一板部分21可以与一个发光元件LD重叠，并且第二板部分31可以与一个发光元件LD重叠。
第一板部分21和第二板部分31可以设置在发光区域EMA中，并且桥接部111可以设置在非发光区域NEA中以连接相邻的子像素中的相应板部分，并且可以设置在发光区域EMA中以连接在相同子像素中的第一板部分21和第二板部分31。桥接部111可以不与发光元件LD重叠。
开口OPN不与发光元件LD重叠。
第一板部分21是沿着第二方向DR2通过桥接部111从第二板部分31延伸的部分。至少一个开口OPN可以设置在第一板部分21和第二板部分31之间。
子像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个的第一板部分21和第二板部分31可以从彼此延伸。
例如，第一子像素PXL1的第一板部分21是沿着第一方向DR1通过桥接部111从第二子像素PXL2的第一板部分21延伸的部分。
第一子像素PXL1的第二板部分31是沿着第一方向DR1通过桥接部111从第二子像素PXL2的第二板部分31延伸的部分。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
参考图15，第二电极EL2可以包括板部分41、桥接部111和至少一个开口OPN。
板部分41与一个发光元件LD重叠。桥接部111可以不与发光元件LD重叠。开口OPN不与发光元件LD重叠。
相应的子像素PXL1、PXL2和PXL3的板部分41可以从彼此延伸。
例如，第一子像素PXL1的板部分41是沿着第一方向DR1通过桥接部111从第二子像素PXL2的板部分41延伸的部分。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
在下文中，将参考图16至图19描述在像素的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下的切割第二电极的修复方法。
图16至图19是用于说明根据实施方式的在显示装置中切割第二电极以进行修复的方法的图。
图16示出了与图9中描述的配置相同的配置，图17示出了与图10中描述的配置相同的配置，图18示出了与图11中描述的配置相同的配置，以及图19示出了与图12中描述的配置相同的配置。
图16至图19示出了基于参考图9至图12描述的显示装置来切割第二电极以进行修复的方法，因此将省略对上述内容的重复描述。
在图16至图19中，第二电极EL2的激光切割部分由虚线表示。
在实施方式中，可以通过激光切割第二电极EL2来修复有缺陷的像素。例如，在像素PXL中出现暗斑缺陷的情况下，可以对第二电极EL2的与具有暗斑缺陷的发光元件LD重叠的部分进行激光切割。在像素PXL中出现亮斑缺陷的情况下，可以对与其中出现亮斑缺陷的子像素重叠的第二电极EL2进行激光切割。
在实施方式中，即使去除在其中出现暗斑缺陷和/或亮斑缺陷的部分中的第二电极EL2，由于第二电极EL2的其它部分可以通过网格结构、桥结构、图案结构等连接，因而可以将激光切割区域最小化。通过最小化第二电极EL2的激光切割区域，可以最小化在与待切割的第二电极EL2相邻的部分中的焊接和残留物的风险。
参考图16，在第一子像素PXL1的第x发光元件LDx中出现暗斑缺陷的情况下，可以去除第一子像素PXL1的与第x发光元件LDx重叠的第二重叠部分82。因此，可以在第一子像素PXL1的第二重叠部分82的包括四个顶点的拐角的一部分处执行激光切割。
在第三子像素PXL3中出现亮斑缺陷的情况下，可以去除与第三子像素PXL3重叠的第二电极EL2。因此，第三子像素PXL3的第一重叠部分81、第二重叠部分82、第三重叠部分83、第四重叠部分84和第五重叠部分85的包括与另一子像素相邻的顶点部分的拐角的一部分可以被激光切割。
即使在第二电极EL2的多个点处执行激光切割的情况下，由于所切割的第二电极EL2的一部分与开口OPN相邻，所以可以最小化在剩余的第二电极EL2上的焊接和残留物的风险。
参考图17，在第一子像素PXL1的第x发光元件LDx中出现暗斑缺陷的情况下，可以去除第一子像素PXL1的与第x发光元件LDx重叠的第二重叠部分92。因此，可以对从第一子像素PXL1的第二重叠部分92延伸到另一重叠部分的桥接部111执行激光切割。
在第三子像素PXL3中出现亮斑缺陷的情况下，可以去除与第三子像素PXL3重叠的第二电极EL2。因此，可以激光切割从第三子像素PXL3的第一重叠部分91、第二重叠部分92、第三重叠部分93和第四重叠部分94延伸到另一子像素的桥接部111。
即使在第二电极EL2的多个点处执行激光切割的情况下，由于所切割的第二电极EL2的一部分与开口OPN相邻，所以可以最小化在剩余的第二电极EL2上的焊接和残留物的风险。
参考图18，在第一子像素PXL1的第x发光元件LDx中出现暗斑缺陷的情况下，可以去除第一子像素PXL1的图案部分110的与第x发光元件LDx重叠的一部分。因此，可以在第一子像素PXL1的图案部分110的一部分处执行激光切割。
在第三子像素PXL3中出现亮斑缺陷的情况下，可以去除与第三子像素PXL3重叠的第二电极EL2。因此，可以在第三子像素PXL3的图案部分110的与另一子像素相邻的一部分处执行激光切割。
即使在第二电极EL2的多个点处执行激光切割的情况下，由于所切割的第二电极EL2的一部分与开口OPN相邻，所以可以最小化在剩余的第二电极EL2上的焊接和残留物的风险。
参考图19，在第一子像素PXL1的第x发光元件LDx中出现暗斑缺陷的情况下，可以去除第一子像素PXL1的与第x发光元件LDx重叠的第一板部分21。因此，可以对从第一子像素PXL1的第一板部分21延伸到另一子像素的桥接部111以及延伸到和第一子像素PXL1的第二半部分31的桥接部111执行激光切割。
在第三子像素PXL3中出现亮斑缺陷的情况下，可以去除与第三子像素PXL3重叠的第二电极EL2。因此，可以对从第三子像素PXL3的第一板部分21和第二板部分31延伸到另一子像素的桥接部111执行激光切割。
即使在第二电极EL2的多个点处执行激光切割的情况下，由于所切割的第二电极EL2的一部分与开口OPN相邻，所以可以最小化在剩余的第二电极EL2上的焊接和残留物的风险。
在下文中，将参考图20至图23描述可应用根据实施方式的显示装置的各种实施方式。
图20是根据实施方式的显示装置应用于智能眼镜的图，图21是根据实施方式的显示装置应用于头戴式显示器的图，图22是根据实施方式的显示装置应用于智能手表的图，以及图23是根据实施方式的显示装置应用于汽车显示器的图。
参考图20，根据实施方式的显示装置可以应用于包括框架170和镜片部分171的智能眼镜。智能眼镜是可佩戴在用户的脸部上的可佩戴电子装置，并且可以具有框架170的一部分被折叠或展开的结构。例如，智能眼镜可以是用于增强现实(AR)的可佩戴装置。
框架170可以包括支承镜片部分171的壳体170b和供用户佩戴的镜腿部分170a。镜腿部分170a可以通过铰接件连接或联接到壳体170b以折叠或展开。
电池、触摸板、麦克风和相机可以嵌入在框架170中。输出光的投影器和控制光信号等的处理器可以嵌入到框架170中。
镜片部分171可以是透射光或反射光的光学构件。在本公开的精神和范围内，镜片部分171可以包括玻璃、透明合成树脂等。
镜片部分171可以通过由镜片部分171的后表面(例如，朝向用户的眼睛的表面)从框架170的投影器传输的光信号来反射图像，从而可以允许用户的眼睛识别它。例如，用户可以识别如附图中所示的在镜片部分171上显示的诸如时间和日期的信息。例如，镜片部分171可以是一种类型的显示装置，并且根据以上描述的实施方式的显示装置可以应用于镜片部分171。
参考图21，根据实施方式的显示装置可以应用于包括头部安装带180和显示器接纳壳181的头戴式显示器(HMD)。头戴式显示器是可佩戴在用户的头部上的可佩戴电子装置。
头部安装带180可以连接到显示器接纳壳181以固定显示器接纳壳181。在附图中，头部安装带180已被示出为围绕用户的头部的上侧及其两侧，但是本公开不限于此。头部安装带180用于将头戴式显示器固定到用户的头部，并且可以形成为眼镜框架或头盔的形式。
显示器接纳壳181容纳显示装置，并且可以包括至少一个透镜。所述至少一个透镜是向用户提供图像的部分。例如，根据实施方式的显示装置可以应用于在显示器接纳壳181中实施的左眼透镜和右眼透镜。
参考图22，根据实施方式的显示装置可以应用于包括显示部分1220和带部分1240的智能手表1200。
智能手表1200是可佩戴的电子装置，并且可以具有带部分1240安装在用户的腕部上的结构。这里，根据实施方式的显示装置被应用于显示部分1220，从而可以向用户提供包括时间信息的图像数据。
参考图23，根据实施方式的显示装置可以应用于汽车显示器1300。这里，汽车显示器1300可以表示可设置在车辆内部和外部以提供图像数据的电子装置。
例如，显示装置可以应用于设置在车辆中的信息娱乐面板1310、仪表盘(cluster)1320、辅助驾驶(co-driver)显示器1330、平视(head-up)显示器1340、侧视镜显示器1350和后座显示器1360中的至少一个。
在下文中，将参考图24示意性地描述根据实施方式的显示装置。
图24示出了根据实施方式的显示面板的示意性俯视图。
参考图24，根据实施方式的显示面板DP在基础层BSL上实施，并且可以包括用于显示图像的显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA是在其中不显示图像的区域，并且可以是围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻的边框区域。
施加第二驱动电源VSS(参见图5)的第二驱动电力线VSSL和第二驱动电力供应线SVSS可以设置在非显示区域NDA中。
第二驱动电力线VSSL可以设置在非显示区域NDA的四侧上以围绕显示区域DA，并且第二驱动电力供应线SVSS可以设置在显示面板DP的下部分处并且可以电连接到第二驱动电力线VSSL。
第二驱动电力供应线SVSS可以连接到焊盘部分以接收第二驱动电源VSS的电压，并且可以将其传输到第二驱动电力线VSSL。第二驱动电力线VSSL可以通过第二电力线PL2(参见图5)将第二驱动电源VSS传输到第二电极EL2。
第二电极EL2可以在显示面板DP的整个区域中设置成与显示区域DA和非显示区域NDA重叠。
第二电极EL2可以包括与发光元件LD(参见图5)重叠的重叠部分和不与发光元件LD重叠的开口OPN。第二电极EL2的重叠部分可以根据发光元件LD的位置、形状和数量而变形。第二电极EL2的重叠部分可以具有可仅独立地驱动至少一个重叠的发光元件LD的结构。因此，第二电极EL2可以具有大致网格形状，其中重叠部分和开口OPN可以顺序地设置。
在下文中，将参考图25至图27描述根据实施方式的显示装置。
图25至图27示出了根据实施方式的显示装置中包括的一个像素的示意性俯视图。图25至图27中所示的显示装置类似于以上描述的图12至图14中所示的显示装置。图25至图27中所示的显示装置包括与以上描述的图12至图14中所示的显示装置相同的第一电极EL1和发光元件LD，因此下面将省略冗余描述。
参考图25至图27，第二电极EL2可以包括上板部分25、下板部分26和桥接部111。
上板部分25和下板部分26与至少一个发光元件LD重叠。例如，参考图25，上板部分25可以与两个发光元件LD重叠，并且下板部分26可以与三个发光元件LD重叠。参考图26，上板部分25可以与两个发光元件LD重叠，并且下板部分26可以与两个发光元件LD重叠。参考图27，上板部分25可以与一个发光元件LD重叠，并且下板部分26可以与一个发光元件LD重叠。
上板部分25和下板部分26可以设置在发光区域EMA和非发光区域NEA中，并且桥接部111可以仅设置在非发光区域NEA中。桥接部111可以不与发光元件LD重叠。
开口OPN不与发光元件LD重叠。
上板部分25可以设置成沿着第二方向DR2与下板部分26间隔开，且其间插置有开口OPN。
桥接部111是从沿着第一方向DR1彼此相邻的像素(或子像素)的上板部分25和下板部分26的相邻拐角中的每个延伸的部分。例如，桥接部111是从第一子像素PXL1的上板部分25、第一子像素PXL1的下板部分26、第二子像素PXL2的上板部分25和第二子像素PXL2的下板部分26的相邻拐角中的每个延伸的部分。
在实施方式中，沿着第一方向DR1彼此相邻的像素(或子像素)的第一电极EL1之间的距离tt1可以大于桥接部111的宽度tt2。
桥接部111的沿着第一方向DR1的两侧可以设置成不与第一电极EL1重叠。第二电极EL2的、设置在从桥接部111的一侧在第二方向DR2上延伸的假想线a和从第二电极EL2的一侧在第二方向DR2上延伸的假想线a'之间的部分可以设置成与第一电极EL1间隔开。
在实施方式中，上板部分25的一侧和下板部分26的一侧之间的距离tt3(或在相同像素中在上板部分25与下板部分26之间的开口OPN的宽度)可以与第一子像素PXL1的第二电极EL2的一侧和第二子像素PXL2的第二电极EL2的一侧之间的距离tt4(或在第一方向DR1上彼此相邻的像素(或子像素)之间的开口OPN的宽度)相同。
在实施方式中，上板部分25的一侧和下板部分26的一侧之间的距离tt3可以大于第一子像素PXL1的第二电极EL2的一侧和第二子像素PXL2的第二电极EL2的一侧之间的距离tt4。可以充分地保证沿着第一方向DR1彼此相邻的像素(或子像素)的第一电极EL1之间的距离tt1。
当第一子像素PXL1的第二电极EL2的一侧和第二子像素PXL2的第二电极EL2的一侧之间的距离tt4变窄时，第二电极EL2的、设置在从桥接部111的一侧在第二方向DR2上延伸的假想线a和从第二电极EL2的一侧在第二方向DR2上延伸的假想线a'之间的部分可以设置成与第一电极EL1充分间隔开。
由于根据实施方式的显示装置可以包括具有能够在一个像素PXL中仅独立地驱动至少一个发光元件LD的形状的第二电极EL2，因此，即使第二电极EL2的一部分被切割，也不会影响除了与其所切割的部分重叠的发光元件LD之外的存在于其余部分中的发光元件LD的发光。例如，在图25至图27中所示的显示装置中，可以激光切割桥接部111的四个拐角。
因此，在像素PXL的暗斑缺陷和/或亮斑缺陷出现的情况下，根据实施方式的显示装置可以最小化修复风险。
在下文中，将参考图28描述根据实施方式的显示装置的结构。
图28示出了根据实施方式的显示装置中包括的像素的示意性剖视图。
参考图28，根据实施方式的显示装置中包括的一个像素PXL可以包括基础层BSL、像素电路层PCL和显示元件层DPL。由于图28中所示的显示装置可以具有与以上描述的图8的显示装置相同的组成元件，因此下面将省略对其的冗余描述。
一个像素PXL可以包括第一子像素PXL1(对应于像素区域PXA1)、第二子像素PXL2(对应于像素区域PXA2)和第三子像素PXL3(对应于像素区域PXA3)，它们可以设置成在第一方向DR1上彼此相邻。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个可以包括第一晶体管T1。第一晶体管T1可以包括第一半导体图案SCL1、第一栅电极GAT1、第一源电极S1和第一漏电极D1。
显示元件层DPL可以包括第一电极EL1、结合电极CP、发光元件LD、保护层PVX和第二电极EL2。绝缘层INS也可以设置在第二通孔层VIA2和保护层PVX之间。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的相应的第一电极EL1可以设置成彼此间隔开。
第二电极EL2可以设置成部分地覆盖保护层PVX的上表面或与之部分地重叠。根据实施方式的显示装置可以通过将第二电极EL2实现为各种形状来最小化修复风险，以便改善像素的暗斑缺陷或亮斑缺陷。第二电极EL2的各种形状可以对应于以上描述的图9至图15和图25至图27中所示的第二电极EL2的形状。
虽然已经参考本公开的实施方式示出和描述了本公开，但是本领域技术人员将理解的是，在不背离由所附权利要求及其等同限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上做出各种改变。
因此，本公开的范围可以由所附权利要求的范围来确定。

Claims (9)

1.显示装置，包括：
像素，其中，
所述像素包括：
第一电极；
至少一个发光元件，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，包括与所述至少一个发光元件重叠的至少一个重叠部分，并且包括不与所述至少一个发光元件重叠的至少一个开口，以及
所述第二电极的所述重叠部分的形状、尺寸和位置根据所述至少一个发光元件的位置和所述发光元件的数量而改变。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电极包括第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分、第四重叠部分和第五重叠部分；以及
所述第一重叠部分、所述第二重叠部分、所述第三重叠部分、所述第四重叠部分和所述第五重叠部分中的每个与所述至少一个发光元件中的相应一个发光元件重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二重叠部分在第一对角线方向上从所述第一重叠部分延伸；
所述第三重叠部分在第二对角线方向上从所述第二重叠部分延伸；
所述第四重叠部分在所述第一对角线方向上从所述第三重叠部分延伸；以及
所述第五重叠部分在所述第二对角线方向上从所述第四重叠部分延伸。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电极包括第一重叠部分、第二重叠部分、第三重叠部分、第四重叠部分和桥接部；以及
所述第一重叠部分、所述第二重叠部分、所述第三重叠部分和所述第四重叠部分中的每个与所述至少一个发光元件中的相应一个发光元件重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第二重叠部分在第一对角线方向上通过所述桥接部从所述第一重叠部分延伸；
所述第三重叠部分在第二对角线方向上通过所述桥接部从所述第二重叠部分延伸；
所述第四重叠部分在所述第一对角线方向上通过所述桥接部从所述第三重叠部分延伸；
所述第三重叠部分在竖直方向上与所述第一重叠部分间隔开，且所述第二电极的所述开口设置在所述第三重叠部分和所述第一重叠部分之间；以及
所述第四重叠部分在所述竖直方向上与所述第二重叠部分间隔开，且所述第二电极的所述开口设置在所述第四重叠部分和所述第二重叠部分之间。
6.显示装置，包括：
像素，其中，
所述像素包括：
第一电极；
至少一个发光元件，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，包括与所述至少一个发光元件重叠的图案部分和不与所述至少一个发光元件重叠的开口。
7.显示装置，包括：
像素，其中，
所述像素包括：
第一电极；
至少一个发光元件，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，包括：
板部分，与所述至少一个发光元件重叠；
桥接部，从所述板部分延伸；以及
至少一个开口，不与所述至少一个发光元件重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第二电极包括第一板部分和第二板部分；
所述第一板部分和所述第二板部分在竖直方向上通过所述桥接部从彼此延伸；以及
所述第二电极的所述至少一个开口设置在所述第一板部分和所述第二板部分之间。
9.显示装置，包括：
像素，其中，
所述像素包括：
第一电极；
至少一个发光元件，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，包括：
上板部分，与所述至少一个发光元件重叠；
下板部分，与所述至少一个发光元件重叠，并且与所述上板部分间隔开，且在所述下板部分和所述上板部分之间形成有开口；以及
桥接部，从所述上板部分和所述下板部分的相应相邻的拐角延伸。
CN202210471636.9A 2021-04-30 2022-04-29 显示装置 Pending CN115274751A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0056894 2021-04-30
KR20210056894 2021-04-30
KR1020210073061A KR20220149892A (ko) 2021-04-30 2021-06-04 표시 장치
KR10-2021-0073061 2021-06-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115274751A true CN115274751A (zh) 2022-11-01

Family

ID=83759882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210471636.9A Pending CN115274751A (zh) 2021-04-30 2022-04-29 显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220352267A1 (zh)
CN (1) CN115274751A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20220352267A1 (en) 2022-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11038151B2 (en) Display device
CN107785392B (zh) 显示装置
KR102541880B1 (ko) 표시 패널
KR20210058399A (ko) 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치
CN114664895A (zh) 透明显示装置
CN114255651A (zh) 显示装置
US20230411577A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220352132A1 (en) Display device
US20220199725A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN115274751A (zh) 显示装置
US20220352134A1 (en) Display device
US20220352236A1 (en) Display device
US20240113268A1 (en) Display device
KR20220149892A (ko) 표시 장치
KR20220149891A (ko) 표시 장치
US11888086B2 (en) Apparatus and method for manufacturing display device
US20230017296A1 (en) Display device
US20240030389A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220352240A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20230209874A1 (en) Top emission type electroluminescence display having micro-cavity structure
US20240120323A1 (en) Display device apparatus for fabricating display panel and fabricating method thereof
US20220352277A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20220148926A1 (en) Method of inspecting display device and method of manufacturing display device
US20230060443A1 (en) Display device
US20230120255A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination