CN115161766B - 硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法，石墨基座旋转结构包括：反应腔室、石英轴、石墨基座、激光传感器、密封组件、旋转基座组件和驱动组件；反应腔室的上方设有用于监测石墨基座的运行状态的激光传感器；石英轴的顶端与石墨基座连接，底端固定套设旋转基座组件，旋转基座组件与驱动组件连接，以带动石墨基座在反应腔室内旋转；反应腔室与旋转基座组件的连接处设有密封组件，密封组件包括波纹管；反应腔室设有向下凸出的进气部分，石英轴与反应腔室的进气部分的内壁之间形成进气通道，波纹管的进气口与进气通道连通。本发明具有密封性能好、装调简易、能够实现石墨基座的水平检测和精准调节等优点。

Description

硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法

技术领域

本发明属于硅外延反应设备技术领域，具体涉及一种硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法。

背景技术

外延工艺是在硅片衬底上生长与衬底相同晶格结构的外延层，外延生长的同时进行掺杂工艺，外延层的片内和片间厚度均匀性和电阻率均匀性是衡量外延片的关键指标。在一定温度情况下，外延的生长速率和气流均匀性强相关，即气流的均匀性直接影响厚度均匀性和电阻率均匀性。在工艺生长过程中，使石墨基座旋转可以保证硅片之间相对处于相同的生长环境，提高片间的厚度均匀性和电阻率均匀性。此外，保持石墨基座与工艺气体气流方向水平，可进一步提高外延层的均匀性质量。

硅外延设备在一定次数的外延工艺之后，需要对反应室及石墨基座进行清洗维护，维护时需要对旋转系统进行拆卸。现有旋转系统的密封结构复杂且不易拆卸维护，外延设备每次维护重新安装石墨基座后需要调节水平，外延反应涉及高温、多种工艺气体，反应腔室是一个密封空间，而因石墨基座放置于反应室中不易直接进行水平检测和精细的调节。因此，石墨基座旋转结构需要一种低泄漏率的密封方式以及一种方便检测、可调节石墨基座水平的方法。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种密封性能好、装调简易、能够实现石墨基座的水平检测和精准调节的硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种硅外延设备的石墨基座旋转结构及石墨基座水平调节方法，包括：反应腔室、石英轴、石墨基座、激光传感器、密封组件、旋转基座组件和驱动组件；所述反应腔室的上方设有与PLC控制系统连接的激光传感器，所述激光传感器用于监测石墨基座的运行状态；所述石英轴的顶端与石墨基座连接，石英轴的底端固定套设用于旋转密封的旋转基座组件，所述旋转基座组件与驱动组件的输出端转动连接，在驱动组件的驱动下，旋转基座组件带动石英轴转动，以实现石墨基座在反应腔室内旋转；所述反应腔室与旋转基座组件的连接处设有密封组件，所述密封组件包括波纹管，所述波纹管位于旋转基座组件上方；所述反应腔室设有向下凸出的进气部分，所述石英轴与反应腔室的进气部分的内壁之间形成进气通道，所述波纹管的进气口与进气通道连通。

作为本发明的进一步改进，所述密封组件还包括密封块和第一密封圈；所述密封块环绕在反应腔室外周，密封块顶部的斜槽与反应腔室外壁之间设有第一密封圈，反应腔室外壁、密封块底部和波纹管顶部的斜槽之间也设有第一密封圈，通过波纹管和密封块对第一密封圈进行挤压，以实现密封组件与反应腔室密封连接。

作为本发明的进一步改进，所述旋转基座组件包括轴套和第二密封圈；所述轴套套设在石英轴的底端，且轴套与石英轴外壁之间设有第二密封圈，以实现轴套与石英轴密封连接。

作为本发明的进一步改进，所述石英轴上，与第二密封圈接触处的直径大于其余位置的直径；所述轴套上，位于第二密封圈位置以下的内径大于其余位置的内径。

作为本发明的进一步改进，所述旋转基座组件还包括范塞封和密封套；所述轴套外侧设有密封套，所述密封套与轴套外壁之间也设有第二密封圈；所述密封套与波纹管之间设有范塞封，以实现轴套与波纹管密封连接。

作为本发明的进一步改进，所述旋转基座组件还包括端盖，所述端盖与波纹管底部连接，且端盖与波纹管之间设有第二密封圈。

作为本发明的进一步改进，所述石英轴的底端还与调节组件连接，所述调节组件用于维持石墨基座水平转动、并调节石墨基座水平度。

作为本发明的进一步改进，所述调节组件包括浮动衬套、中心块、定位块和第三密封圈；所述中心块固设于石英轴的底部端面内，浮动衬套套设于中心块外侧，所述浮动衬套、中心块、定位块以及石英轴均同轴布置；所述中心块的下端面开设有用于放置第三密封圈的密封槽，中心块和定位块通过中心螺钉同轴连接时，共同挤压第三密封圈以形成密封，实现中心块与旋转基座组件密封连接。

作为本发明的进一步改进，所述调节组件还包括金属小球、调节螺钉和调节顶块；多个所述调节螺钉均匀嵌套在定位块底部，多个金属小球均布在定位块底部内侧，金属小球上方设有调节顶块，调节顶块的内侧设有斜面，所述金属小球、调节螺钉和调节顶块一一对应以形成配合；松开中心螺钉，拧动调节螺钉以推动金属小球向上移动，进而推动调节顶块向外侧移动，当只有一侧的调节顶块向外触碰到旋转基座组件时，定位块发生相应的倾斜。

作为一个总的技术构思，本发明还提供了基于上述的硅外延设备的石墨基座旋转结构的石墨基座水平调节方法，包括以下步骤：

S1、PLC控制系统控制驱动组件旋转，通过激光传感器读取石墨基座上等圆周均布的16个点位高度数据；

S2、根据16个点位的高度数据判断石墨基座的倾斜方向；

S3、松开中心螺钉，根据石墨基座的倾斜方向调节相对应的调节顶块下方的调节螺钉，进而调节定位块的倾斜方向，实现石墨基座的水平度调整。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

1、本发明硅外延设备的石墨基座旋转结构，通过将石英轴的顶端与石墨基座连接，石英轴的底端通过旋转基座组件与驱动组件的输出端转动连接，即实现了石墨基座在反应腔室内旋转；通过在反应腔室与旋转基座组件的连接处设有密封组件，实现了反应腔室与旋转基座组件的密封连接，在满足密封功能的要求下，方便旋转基座组件的拆装维护，同时也易于更换相关密封件；通过在反应腔室的上方设有与PLC控制系统连接的激光传感器，可以实时监测石墨基座的运行状态，实现了对石墨基座的水平检测，也便于对石墨基座的水平度进行精准调节。

2、本发明硅外延设备的石墨基座旋转结构，通过在反应腔室外周环绕设置了密封块，在密封块顶部与反应腔室外壁之间、反应腔室外壁、密封块底部和波纹管之间均设置了第一密封圈，通过波纹管和密封块对第一密封圈进行挤压，实现了密封组件与反应腔室密封连接；通过在轴套和石英轴外壁之间设置了第二密封圈，实现了旋转基座组件与石英轴密封连接，通过在密封套与轴套外壁之间也设置了第二密封圈，密封套与波纹管之间设有范塞封，实现了旋转基座组件与波纹管之间密封连接；本发明针对硅外延工艺设备需要石墨基座旋转这一特性，结合旋转基座组件动密封的特点设计了方便拆卸和维护的密封方式，有效实现了旋转基座组件与反应腔室、波纹管、石英轴四者之间的高效密封。

3、本发明硅外延设备的石墨基座旋转结构，通过在石英轴的底端套设有用于维持石墨基座水平转动和调节石墨基座水平度的调节组件，满足了石墨基座每次维护后需要调整水平度的需求；进一步地，通过将浮动衬套、中心块、定位块以及石英轴均同轴布置，当中心块和定位块通过中心螺钉同轴连接时，共同挤压第三密封圈以形成密封，实现了中心块与旋转基座组件密封连接；通过将多个调节螺钉和多个金属小球均匀布置在定位块底部，并且在金属小球上方设置了内侧带斜面的调节顶块，金属小球、调节螺钉和调节顶块一一对应以形成配合；当松开中心螺钉时，拧动调节螺钉即可以推动金属小球向上移动，进而推动调节顶块向外侧移动，当只有一侧的调节顶块向外触碰到旋转基座组件时，定位块会发生相应的倾斜，利用此原理，即可实现对石墨基座的水平度进行精准调节，既简单又可靠。

4、本发明石墨基座水平调节方法，利用激光传感器采集石墨基座上预设的等圆周分布的16个点位数据，并将数据传送至PLC控制系统，以判断石墨基座的倾斜方向，从而确定具体调节哪个调节螺钉；调节过程为通过读取石墨基座上的16个点位数据，确定倾斜方向，拧松中心螺钉，石墨基座哪个方向较高，将定位块中对侧调节螺钉向下拧动，本侧螺钉向上拧动，最后再拧紧中心固定螺钉，即实现了石墨基座的水平度调整，调节方式简单又高效，很好地满足了石墨基座每次维护后需要调整水平度的需求。

附图说明

图1为本发明硅外延设备的石墨基座旋转结构的结构原理示意图。

图2为图1中A处的结构原理示意图。

图3为图1中B处的结构原理示意图。

图4为本发明中石墨基座水平调节方法的流程示意图。

图例说明：1、反应腔室；2、石英轴；3、石墨基座；4、激光传感器；5、密封组件；50、进气通道；51、波纹管；52、密封块；53、第一密封圈；6、旋转基座组件；61、端盖；62、范塞封；63、密封套；64、轴套；65、第二密封圈；7、调节组件；71、浮动衬套；72、中心块；73、金属小球；74、定位块；75、调节螺钉；76、调节顶块；77、第三密封圈；78、中心螺钉；8、连接块；9、连接杆；10、驱动组件。

具体实施方式

以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。

实施例

如图1所示，本发明的硅外延设备的石墨基座旋转结构，包括：反应腔室1、石英轴2、石墨基座3、激光传感器4、密封组件5、旋转基座组件6和驱动组件10。反应腔室1的上方设有与PLC控制系统连接的激光传感器4，激光传感器4用于监测石墨基座3的运行状态；PLC控制系统可以通过激光传感器4采集石墨基座3上等圆周分布的16个点与激光传感器4之间的距离来测量石墨基座3的水平度。石英轴2的顶端与石墨基座3连接，石英轴2的底端固定套设用于旋转密封的旋转基座组件6，旋转基座组件6与驱动组件10的输出端转动连接，在驱动组件10的驱动下，旋转基座组件6带动石英轴2转动，以实现石墨基座3在反应腔室1内旋转。反应腔室1与旋转基座组件6的连接处设有密封组件5，密封组件5与反应腔室1和旋转基座组件6均进行密封连接。密封组件5包括波纹管51，波纹管51位于旋转基座组件6上方。反应腔室1设有向下凸出的进气部分，石英轴2与反应腔室1的进气部分的内壁之间形成进气通道50，波纹管51的进气口与进气通道50连通。旋转基座组件6固定套设于石英轴2的底端，气体经波纹管51填充于进气通道50内，且向上流动，阻隔外延工艺气体向下流动后接触并腐蚀旋转基座组件6，提高旋转密封的性能，降低外延反应室的泄漏率，从而改善外延片的工艺均匀性。可以理解，PLC控制系统还可以控制驱动组件10的启停，进而控制石墨基座3的旋转。

本实施例中，波纹管51可以采用金属材料制备得到。工艺过程中，波纹管51的进气口通入氢气，以防止工艺气体在石英轴2所在空间残留；非工艺工程中，波纹管51的进气口通氮气。当然，在其他实施例中，工艺过程中也可以为其他的气体。

本实施例中，通过将石英轴2的顶端与石墨基座3连接，石英轴2的底端通过旋转基座组件6与驱动组件10的输出端转动连接，即实现了石墨基座3在反应腔室1内旋转。通过在反应腔室1与旋转基座组件6的连接处设有密封组件5，实现了反应腔室1与旋转基座组件6的密封连接，在满足密封功能的要求下，方便旋转基座组件6的拆装维护，同时也易于更换相关密封件。通过在反应腔室1的上方设有与PLC控制系统连接的激光传感器4，可以实时监测石墨基座3的运行状态，实现了对石墨基座3的水平检测，也便于对石墨基座3的水平度进行精准调节。

如图2所示，本实施例中，密封组件5还包括密封块52和第一密封圈53，第一密封圈53为O型密封圈。密封块52环绕在反应腔室1外周，密封块52顶部的斜槽与反应腔室1外壁之间设有第一密封圈53，反应腔室1外壁、密封块52底部和波纹管51顶部的斜槽之间也设有第一密封圈53，通过波纹管51和密封块52对第一密封圈53进行挤压，以实现密封组件5与反应腔室1密封连接。

如图3所示，本实施例中，旋转基座组件6包括轴套64和第二密封圈65，第二密封圈65为O型密封圈。轴套64套设在石英轴2的底端，且轴套64与石英轴2外壁之间设有第二密封圈65，以实现轴套64与石英轴2密封传动连接。在驱动组件10的驱动下，轴套64带动石英轴2旋转，以实现石墨基座3在反应腔室1内旋转。

本实施例中，石英轴2上，与第二密封圈65接触处的直径大于其余位置的直径；轴套64上，位于第二密封圈65位置以下的内径大于其余位置的内径。保证了石英轴2能够以第二密封圈65接触处为支点在轴套64内进行一定程度的倾斜，以提高传动的灵活性。本实施例中，在密封圈65处，石英轴2与轴套64的间隙最小，在密封圈65下方和上方两者的间隙较大；密封圈65的可压缩性保证了石英轴2能够以密封圈65为支点在轴套64中发生倾斜摆动，同时防止石英轴2与轴套64的直接接触，保护石英轴2。

如图3所示，本实施例中，旋转基座组件6还包括范塞封62和密封套63。轴套64外侧设有密封套63，密封套63与轴套64外壁之间也设有第二密封圈65；密封套63与波纹管51之间设有范塞封62，以实现轴套64与波纹管51密封连接。拆卸维护时，将整个旋转结构向下取出，范塞封62属于动密封，每次维护需要更换。

如图3所示，本实施例中，旋转基座组件6还包括端盖61，端盖61与波纹管51底部连接，且端盖61与波纹管51之间设有第二密封圈65，进一步增加了旋转基座组件6与密封组件5之间的密封效果。

本实施例中，通过在反应腔室1外周环绕设置了密封块52，在密封块52顶部与反应腔室1外壁之间、反应腔室1外壁、密封块52底部和波纹管51之间均设置了第一密封圈53，通过波纹管51和密封块52对第一密封圈53进行挤压，实现了密封组件5与反应腔室1密封连接。通过在轴套64和石英轴2外壁之间设置了第二密封圈65，实现了旋转基座组件6与石英轴2密封连接，通过在密封套63与轴套64外壁之间也设置了第二密封圈65，密封套63与波纹管51之间设有范塞封62，实现了旋转基座组件6与波纹管51之间密封连接。本实施例针对硅外延工艺设备需要石墨基座旋转这一特性，结合旋转基座组件动密封的特点设计了方便拆卸和维护的密封方式，有效实现了旋转基座组件6与反应腔室1、波纹管51、石英轴2四者之间的高效密封。

如图1所示，本实施例中，石英轴2竖直设置，石英轴2的顶端与石墨基座3固定连接，石英轴2的底端还与调节组件7连接，调节组件7用于维持石墨基座3水平转动、并调节石墨基座3水平度，以提高旋转密封的可靠性。

如图3所示，本实施例中，调节组件7包括浮动衬套71、中心块72、定位块74和第三密封圈77。中心块72固设于石英轴2的底部端面内，浮动衬套71套设于中心块72外侧，浮动衬套71、中心块72、定位块74以及石英轴2均同轴布置，定位块74调节倾斜时，可以带动石英轴2倾斜。中心块72的下端面开设有用于放置第三密封圈77的密封槽，中心块72和定位块74通过中心螺钉78同轴连接时，共同挤压第三密封圈77以形成密封，以实现中心块72与旋转基座组件6的轴套64密封连接。定位块74跟随轴套64旋转时，连接中心块72和定位块74的螺钉保证石英轴2绕轴线旋转的精度，从而维持石墨基座3的水平转动。此结构简单，平衡调节性能好。

本实施例中，为保护石英轴2，浮动轴衬71采用聚四氟乙烯类非金属材料制备得到。浮动轴衬71和中心块72采用紧配合，浮动轴衬71和石英轴2采用紧配合，三者之间无相对转动，保证旋转精度。

如图3所示，本实施例中，调节组件7还包括金属小球73、调节螺钉75和调节顶块76。四个调节螺钉75等圆周均匀嵌套在定位块74底部，四个金属小球73均布在定位块74底部内侧，金属小球73上方设有调节顶块76，调节顶块76的内侧设有斜面，金属小球73、调节螺钉75和调节顶块76一一对应以形成配合，用于调整定位块74的水平度。松开中心螺钉78，拧动调节螺钉75，可以推动金属小球73向上移动，在金属小球73向上移动的过程中可以推动调节顶块76向外侧移动，当只有一侧的调节顶块76向外伸出触碰到旋转基座组件6的轴套64时，定位块74发生相应的倾斜。

本实施例中，密封组件5、旋转基座组件6和调节组件7的设置，在实现了石墨基座3的旋转和水平调节功能的同时，也实现了整个旋转结构的高效密封。在金属波纹管51下端设置进气口，工艺过程中通入氢气，防止外延工艺气体进入石英轴2所处的空间，避免了相关结构件的腐蚀。进一步地，通过轴套64与石英轴2之间、轴套64与波纹管51之间以及轴套64与中心块72之间进行密封设置，这三处的密封确保了石英轴2所在的连通反应腔室1的空间密封与外界隔绝。维护时只需要更换上述三处密封圈，维护拆卸方便、成本低；每次维护之后，通过手持式泵吸式氢气检漏仪对密封处进行检漏。

本实施例中，石墨基座旋转结构还包括连接块8和连接杆9，连接块8设置在驱动组件10的输出端，连接杆9用于实现连接块8与定位块74连接。本实施例中，驱动组件10为电机，电机通过连接块8和连接杆9带动定位块74、轴套64、石英轴2和石墨基座3同步旋转。进一步地，连接杆9的长度为100mm以上，以便于定位块74下方留有方便进行人工调节的空间。

如图4所示，本实施例中还提供了基于上述硅外延设备的石墨基座旋转结构的石墨基座水平调节方法，包括以下步骤：

S1、PLC控制系统控制驱动组件10旋转，通过激光传感器4读取石墨基座3上等圆周均布的16个点位高度数据；

S2、根据16个点位的高度数据判断石墨基座3的倾斜方向；比如左高或右高、前高或后高、左前高或右前高等等。

S3、松开中心螺钉78，根据石墨基座3的倾斜方向调节相对应的调节顶块76下方的调节螺钉75，进而调节定位块74的倾斜方向，实现石墨基座3的水平度调整。

本实施例中，利用激光传感器4采集石墨基座3上预设的等圆周分布的16个点位数据，并将数据传送至PLC控制系统，以判断石墨基座3的倾斜方向，从而确定具体调节哪个调节螺钉75。调节过程为通过读取石墨基座3上的16个点位数据，确定倾斜方向，拧松中心螺钉78，石墨基座3哪个方向较高，便将定位块74中对侧的调节螺钉75向下拧动，本侧的调节螺钉75向上拧动，调整调节顶块76的高度变化，进而改变定位块74的水平度，最后再拧紧中心螺钉78，即实现了石墨基座3的水平度调整，调节方式简单又高效，很好地满足了石墨基座每次维护后需要调整水平度的需求。

虽然本发明以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，包括：反应腔室（1）、石英轴（2）、石墨基座（3）、激光传感器（4）、密封组件（5）、旋转基座组件（6）和驱动组件（10）；所述反应腔室（1）的上方设有与PLC控制系统连接的激光传感器（4），所述激光传感器（4）用于监测石墨基座（3）的运行状态；所述石英轴（2）的顶端与石墨基座（3）连接，石英轴（2）的底端固定套设用于旋转密封的旋转基座组件（6），所述旋转基座组件（6）与驱动组件（10）的输出端转动连接，在驱动组件（10）的驱动下，旋转基座组件（6）带动石英轴（2）转动，以实现石墨基座（3）在反应腔室（1）内旋转；所述反应腔室（1）与旋转基座组件（6）的连接处设有密封组件（5），所述密封组件（5）包括波纹管（51），所述波纹管（51）位于旋转基座组件（6）上方；所述反应腔室（1）设有向下凸出的进气部分，所述石英轴（2）与反应腔室（1）的进气部分的内壁之间形成进气通道（50），所述波纹管（51）的进气口与进气通道（50）连通；

所述密封组件（5）还包括密封块（52）和第一密封圈（53）；所述密封块（52）环绕在反应腔室（1）外周，密封块（52）顶部的斜槽与反应腔室（1）外壁之间设有第一密封圈（53），反应腔室（1）外壁、密封块（52）底部和波纹管（51）顶部的斜槽之间也设有第一密封圈（53），通过波纹管（51）和密封块（52）对第一密封圈（53）进行挤压，以实现密封组件（5）与反应腔室（1）密封连接；

所述旋转基座组件（6）包括轴套（64）和第二密封圈（65）；所述轴套（64）套设在石英轴（2）的底端，且轴套（64）与石英轴（2）外壁之间设有第二密封圈（65），以实现轴套（64）与石英轴（2）密封连接；

所述旋转基座组件（6）还包括范塞封（62）和密封套（63）；所述轴套（64）外侧设有密封套（63），所述密封套（63）与轴套（64）外壁之间也设有第二密封圈（65）；所述密封套（63）与波纹管（51）之间设有范塞封（62），以实现轴套（64）与波纹管（51）密封连接。

2.根据权利要求1所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，所述石英轴（2）上，与第二密封圈（65）接触处的直径大于其余位置的直径；所述轴套（64）上，位于第二密封圈（65）位置以下的内径大于其余位置的内径。

3.根据权利要求1所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，所述旋转基座组件（6）还包括端盖（61），所述端盖（61）与波纹管（51）底部连接，且端盖（61）与波纹管（51）之间设有第二密封圈（65）。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，所述石英轴（2）的底端还与调节组件（7）连接，所述调节组件（7）用于维持石墨基座（3）水平转动、并调节石墨基座（3）水平度。

5.根据权利要求4所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，所述调节组件（7）包括浮动衬套（71）、中心块（72）、定位块（74）和第三密封圈（77）；所述中心块（72）固设于石英轴（2）的底部端面内，浮动衬套（71）套设于中心块（72）外侧，所述浮动衬套（71）、中心块（72）、定位块（74）以及石英轴（2）均同轴布置；所述中心块（72）的下端面开设有用于放置第三密封圈（77）的密封槽，中心块（72）和定位块（74）通过中心螺钉（78）同轴连接时，共同挤压第三密封圈（77）以形成密封，实现中心块（72）与旋转基座组件（6）密封连接。

6.根据权利要求5所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构，其特征在于，所述调节组件（7）还包括金属小球（73）、调节螺钉（75）和调节顶块（76）；多个所述调节螺钉（75）均匀嵌套在定位块（74）底部，多个金属小球（73）均布在定位块（74）底部内侧，金属小球（73）上方设有调节顶块（76），调节顶块（76）的内侧设有斜面，所述金属小球（73）、调节螺钉（75）和调节顶块（76）一一对应以形成配合；松开中心螺钉（78），拧动调节螺钉（75）以推动金属小球（73）向上移动，进而推动调节顶块（76）向外侧移动，当只有一侧的调节顶块（76）向外触碰到旋转基座组件（6）时，定位块（74）发生相应的倾斜。

7.一种基于权利要求6所述的硅外延设备的石墨基座旋转结构的石墨基座水平调节方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、PLC控制系统控制驱动组件（10）旋转，通过激光传感器（4）读取石墨基座（3）上等圆周均布的16个点位高度数据；

S2、根据16个点位的高度数据判断石墨基座（3）的倾斜方向；

S3、松开中心螺钉（78），根据石墨基座（3）的倾斜方向调节相对应的调节顶块（76）下方的调节螺钉（75），进而调节定位块（74）的倾斜方向，实现石墨基座（3）的水平度调整。