CN115133646A - 一种具有优先级的电源路径控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有优先级的电源路径控制电路，包括芯片供电单元、电压比较单元、切换控制单元、第二路径开关单元、防倒灌单元、第一路径开关单元；其中，所述芯片供电单元的输入端连接主电源和备用电源，芯片供电单元的输出端连接电压比较单元的输入端，所述电压比较单元的输出端连接切换控制单元的输入端，所述切换控制单元的输出端分别连接第二路径开关单元和第一路径开关单元的输入端，所述第二路径开关单元和第一路径开关单元的输出端均连接防倒灌单元的输入端。本发明能够有效避免输出电压不稳定，避免了主/备切换时的瞬间掉电情况。

Description

一种具有优先级的电源路径控制电路
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种具有优先级的电源路径控制电路。
背景技术
对于一些特殊场合下使用的仪器或者设备，产品的可靠性往往是放在首要位置。而要保证产品能持续可靠的工作，最前端供电电源的冗余和备份是较为常见的一种做法，即前端放置两套供电电源。当其中一路电源异常时，随即切换到另一套电源去给后端供电。
常规做法有两种：（1）两套供电电源后端分别接入二极管，两个二极管阴极连接后供后端用电设备使用。该方法简单可靠，但却存在一个问题：由二极管的导通特性可知，二极管阴极输出电压为前端两个供电电源中电压较高的一路，如果前端两个供电电源为电池，电池放电后电压降低，则由于无法设定优先级导致两个电池来回切换，使得输出电压不稳定。（2）采用国外专门的电源路径控制芯片，但该方案在切换瞬间由于两路之间开关器件导通迟滞，输出会有瞬时掉电情况，且不满足目前国内特种设备对于器件100%国产化的需求、交付周期较长，随时有断供的风险。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于，提供一种具有优先级的电源路径控制电路，以解决现有技术中的无法设定优先级使得输出电压不稳定以及由于切换瞬间由于两路导通迟滞导致输出时瞬时掉电的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案予以实现：
一种具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，包括芯片供电单元、电压比较单元、切换控制单元、第二路径开关单元、防倒灌单元、第一路径开关单元；其中，所述芯片供电单元的输入端连接主电源和备用电源，芯片供电单元的输出端连接电压比较单元的输入端，所述电压比较单元的输出端连接切换控制单元的输入端，所述切换控制单元的输出端分别连接第二路径开关单元和第一路径开关单元的输入端，所述第二路径开关单元和第一路径开关单元的输出端均连接防倒灌单元的输入端。
进一步的，所述芯片供电单元包括隔离二极管D3、隔离二极管D4、限流电阻R14、稳压二极管Z3、放大三极管Q6、滤波电容C3和滤波电容C5；其中，所述隔离二极管D4和隔离二极管D3的阳极分别与电源VIN1+及电源VIN2+连接，隔离二极管D4和隔离二极管D3阴极直接相连后和限流电阻R14一端、放大三极管Q6集电极、切换控制单元共同连接，所述限流电阻R14另一端和滤波电容C3一端、稳压二极管Z3阴极、放大三极管Q6基极共同连接，所述滤波电容C3的另一端分别和稳压二极管Z3的阳极、滤波电容C5的一端连接后再与GND端子连接，所述滤波电容C5的另一端分别和放大三极管Q6的发射极、+5V端子共同连接。
进一步的，所述电压比较单元包括分压电阻R11、分压电阻R12、分压电阻R17、分压电阻R18、滤波电容C2、滤波电容C4和电压比较器U1；其中，所述分压电阻R11一端和VIN1+连接，另一端和分压电阻R17一端、电压比较器UI的第4端子共同连接，所述分压电阻R12的一端和+5V端子、电压比较器UI的第6端子、滤波电容C2的一端及电压比较器UI的第5端子共同连接，分压电阻R12的另一端和电压比较器UI的第3端子、滤波电容C4的一端及分压电阻R18的一端共同连接，所述分压电阻R17的另一端和滤波电容C4另一端、分压电阻R18另一端、电压比较器UI的第2端子、滤波电容C2另一端及GND端共同连接，所述电压比较器U1的第1端连接切换控制单元。
进一步的，所述切换控制单元包括限流电阻R15、限流电阻R8、限流电阻R4、限流电阻R13、开关三极管Q4、开关三极管Q7、开关MOSFET Q8、稳压二极管Z4和延时电容C1；其中，所述限流电阻R15一端和电压比较单元中U1的第1端子、限流电阻R4一端共同连接，另一端和开关三极管Q4基极连接，所述开关三极管Q4集电极和限流电阻R8一端、限流电阻R13一端、稳压二极管Z4阴极共同连接，所述限流电阻R13另一端和开关三极管Q7基极连接，所述开关三极管Q7集电极连接第一路径开关单元，所述开关三极管Q4发射极和稳压二极管Z4阳极、开关三极管Q7发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R4另一端和延时电容C1一端、开关MOSFET Q8栅极共同连接，所述延时电容另一端分别和开关MOSFET Q8源极连接，所述开关MOSFET Q8漏极连接第二路径开关单元，限流电阻R8另一端连接芯片供电单元。
进一步的，所述第一路径开关单元包括分压电阻R7、分压电阻R9、分压电阻R10、限流电阻R16、分压电阻R19、开关三极管Q5、开关MOSFET Q3和稳压二极管Z2；其中，所述分压电阻R9一端和VIN2+端子、稳压二极管Z2阴极、分压电阻R7一端、开关MOSFET Q3源极共同连接，分压电阻R9另一端和切换控制单元中的开关三极管Q7集电极、分压电阻R19一端、限流电阻R16一端共同连接，所述分压电阻R19另一端和开关三极管Q5发射极、GND端子连接，所述限流电阻R16另一端和开关三极管Q5基极共同连接，所述开关三极管Q5集电极和分压电阻R10一端连接，所述分压电阻R10另一端和分压电阻R7另一端、稳压二极管Z2阳极、开关MOSFET Q3栅极共同连接，所述开关MOSFET Q3漏极连接防倒灌单元。
进一步的，所述防倒灌单元包括防倒灌二极管D2、防倒灌二极管D1；其中，所述防倒灌二极管D2阳极和第一路径开关单元中开关MOSFET Q3漏极连接，阴极和VOUT+端子、防倒灌二极管D1阴极共同连接，所述防倒灌二极管D1阳极连接第二路径开关单元。
进一步的，所述第二路径开关单元包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3，限流电阻R5、分压电阻R6、开关三极管Q2、开关MOSFET Q1和稳压二极管Z1；其中，所述分压电阻R2一端和VIN1+端子、稳压二极管Z1阴极、分压电阻R1一端、开关MOSFET Q1源极共同连接，分压电阻R2另一端和切换控制单元中的Q8漏极、分压电阻R6一端、限流电阻R5一端共同连接，所述分压电阻R6另一端和开关三极管Q2发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R5另一端和开关三极管Q2基极连接，所述开关三极管Q2集电极和分压电阻R3一端连接，所述分压电阻R3另一端和分压电阻R1另一端、稳压二极管Z1阳极、开关MOSFET Q1栅极共同连接，所述开关MOSFET Q1漏极和防倒灌单元（5）中防倒灌二极管D1阳极连接。
本发明与现有技术相比，具有如下技术效果：
（Ⅰ）本发明的具有优先级的电源路径控制电路，两路同时输入时，优先级可以设定，且主通道和备份通道压差可设定，避免两路通道在电压接近时反复切换使得输出电压不稳定对后端负载的不良影响。同时，在主通道电压低于设定电压切换时，通过设定备份通道及主通道的导通时序，保证切换瞬间备份通道先打开，输出端建立备份电压后主通道再关闭，避免了主/备切换时的瞬间掉电情况。
常规的控制方法通过两只二极管共阴极连接，输出电压为电压较高的一路，无法实现设定主通道和备用通道优先级，当两路电压接近时，反复切换，对后端负载造成影响。而采用国外集成芯片虽然能实现优先级控制，但却存在切换瞬间掉电的情况，也不满足目前对于器件国产化的需求。相比之下，本发明提供的具有优先级的电源路径控制电路，优先级可以通过各组成部件的具体选择设定，主通道和备份通道压差可设定，备份通道及主通道的导通时序可设定，避免输出电压不稳定、瞬间掉电。
（Ⅱ）本发明所使用的所有器件均为通用型国产化器件，自主可控程度高，货期稳定可靠，满足特种设备对于器件100%国产化的需求，应用范围广泛。
附图说明
图1为本发明的原理框图。
图2为本发明的实施例的电路原理图；
图中各标号表示：1、芯片供电单元；2、电压比较单元；3、切换控制单元；4、第二路径开关单元；5、防倒灌单元；6、第一路径开关单元。
具体实施方式
以下给出本发明的具体实施例，需要说明的是本发明并不局限于以下具体实施例，凡在本申请技术方案基础上做的等同变换均落入本发明的保护范围。
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
结合图1、图2，本发明提供的具有优先级的电源路径控制电路，包括芯片供电单元1、电压比较单元2、切换控制单元3、第二路径开关单元4、防倒灌单元5、第一路径开关单元6。其中，芯片供电单元1的输入端连接主电源和备用电源，芯片供电单元1的输出端连接电压比较单元2的输入端，电压比较单元2的输出端连接切换控制单元3的输入端，切换控制单元3的输出端分别连接第二路径开关单元4和第一路径开关单元6的输入端，第二路径开关单元4和第一路径开关单元6的输出端均连接防倒灌单元5的输入端。
上述技术方案中：
作为本实施例的一种优选，芯片供电单元1包括隔离二极管D3、隔离二极管D4、限流电阻R14、稳压二极管Z3、放大三极管Q6、滤波电容C3和滤波电容C5；其中，所述的隔离二极管D4和隔离二极管D3的阳极分别与电源VIN1+及电源VIN2+连接，隔离二极管D4和隔离二极管D3阴极直接相连后和限流电阻R14一端、放大三极管Q6集电极、切换控制单元3中的限流电阻R8一端共同连接，所述限流电阻R14另一端和滤波电容C3一端、稳压二极管Z3阴极、放大三极管Q6基极共同连接，所述滤波电容C3的另一端分别和稳压二极管Z3的阳极、滤波电容C5的一端连接后再与GND端子连接，所述滤波电容C5的另一端分别和放大三极管Q6的发射极、+5V端子共同连接。
由上，芯片供电单元1用于将主电源VIN1+和备电源VIN2+中电压较高的一路电压采用线性稳压的方式变换成+5V，并将该电压供给电压比较单元2。
作为本实施例的一种优选，所述的电压比较单元2包括分压电阻R11、分压电阻R12、分压电阻R17、分压电阻R18、滤波电容C2、滤波电容C4和电压比较器U1。其中，所述分压电阻R11一端和VIN1+连接，另一端和分压电阻R17一端、电压比较器UI的第4端子共同连接，所述分压电阻R12的一端和+5V端子、电压比较器UI的第6端子、滤波电容C2的一端及电压比较器UI的第5端子共同连接，分压电阻R12的另一端和电压比较器UI的第3端子、滤波电容C4的一端及分压电阻R18的一端共同连接，所述的分压电阻R17的另一端和滤波电容C4另一端、分压电阻R18另一端、电压比较器UI的第2端子、滤波电容C2另一端及GND端共同连接，所述电压比较器U1的第1端和切换控制单元3中的限流电阻R15一端连接（图2中A端）。
由上，电压比较单元2用于通过两个分压电阻对芯片供电单元1输出的+5V电压进行分压，设置主供电通道与备用供电通道的切换电压，并监测主供电通道电压（即VIN1+），当主供电通道电压低于或者高于20V电压时，通过电压比较器输出对应的高/低电平信号，并将该信号输入到切换控制单元3中。
作为本实施例的一种优选，所述的切换控制单元3包括限流电阻R15、限流电阻R8、限流电阻R4、限流电阻R13、开关三极管Q4、开关三极管Q7、开关MOSFET Q8、稳压二极管Z4和延时电容C1。其中，所述的限流电阻R15一端和电压比较单元2中U1的第1端子、限流电阻R4一端（图2中A端）共同连接，另一端和开关三极管Q4基极连接，所述开关三极管Q4集电极和限流电阻R8一端、限流电阻R13一端、稳压二极管Z4阴极共同连接，所述限流电阻R13另一端和开关三极管Q7基极连接，所述开关三极管Q7集电极和第一路径开关单元6中的分压电阻R9一端、分压电阻R19一端、限流电阻R16一端共同连接，所述开关三极管Q4发射极和稳压二极管Z4阳极、开关三极管Q7发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R4另一端和延时电容C1一端、开关MOSFET Q8栅极共同连接，所述延时电容另一端分别和开关MOSFET Q8源极连接，所述开关MOSFET Q8漏极和第二路径开关单元4中的分压电阻R2、限流电阻R5一端、分压电阻R6一端共同连接，限流电阻R8另一端和芯片供电单元1连接。
由上，切换控制单元3用于接收电压比较单元2中电压比较器U1的第1端子（图2中A端）输出的高/低电平信号。当A端输出低电平时，一方面，Q4关断、Q7导通，输出低电平信号给第一路径开关单元6；另一方面，Q8关断，输出高电平信号给第二路径开关单元4。而当A端输出高电平时，一方面，Q4导通、Q7关断，输出高电平信号给第一路径开关单元6。另一方面，Q8导通，输出低电平信号给第二路径开关单元4。
作为本实施例的一种优选，所述的第一路径开关单元6包括分压电阻R7、分压电阻R9、分压电阻R10、限流电阻R16、分压电阻R19、开关三极管Q5、开关MOSFET Q3和稳压二极管Z2。其中，所述分压电阻R9一端和VIN2+端子、稳压二极管Z2阴极、分压电阻R7一端、开关MOSFET Q3源极共同连接，分压电阻R9另一端和切换控制单元3中的开关三极管Q7集电极、分压电阻R19一端、限流电阻R16一端共同连接，所述分压电阻R19另一端和开关三极管Q5发射极、GND端子连接，所述限流电阻R16另一端和开关三极管Q5基极共同连接，所述开关三极管Q5集电极和分压电阻R10一端连接，所述分压电阻R10另一端和分压电阻R7另一端、稳压二极管Z2阳极、开关MOSFET Q3栅极共同连接，所述开关MOSFET Q3漏极和防倒灌单元5中的防倒灌二极管D2阳极连接。
由上，第一路径开关单元6用于接收切换控制单元3中传递过来的高/低电平信号，当接收到高电平信号时，开关三极管Q5导通，开关MOSFET Q3导通，将第一路径中电压输送到防倒灌单元5中；当接收到低电平信号时，Q5关断，开关MOSFET Q3关断。
作为本实施例的一种优选，所述的防倒灌单元5包括防倒灌二极管D2、防倒灌二极管D1，其中，所述防倒灌二极管D2阳极和第一路径开关单元6中开关MOSFET Q3漏极连接，阴极和VOUT+端子、防倒灌二极管D1阴极共同连接，所述防倒灌二极管D1阳极和第二路径开关单元4中开关MOSFET Q1漏极连接。
由上，防倒灌单元5用于接收第一路径开关单元6和第二路径开关单元4输出的电压，经防倒灌二极管D2、防倒灌二极管D1隔离后将电压高的一路输出到VOUT+端子，防止两路之间压差造成电流倒灌。
作为本实施例的一种优选，所述的第二路径开关单元4包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3，限流电阻R5、分压电阻R6、开关三极管Q2、开关MOSFET Q1和稳压二极管Z1。其中，所述分压电阻R2一端和VIN1+端子、稳压二极管Z1阴极、分压电阻R1一端、开关MOSFETQ1源极共同连接，分压电阻R2另一端和切换控制单元3中的Q8漏极、分压电阻R6一端、限流电阻R5一端共同连接，所述分压电阻R6另一端和开关三极管Q2发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R5另一端和开关三极管Q2基极连接，所述开关三极管Q2集电极和分压电阻R3一端连接，所述分压电阻R3另一端和分压电阻R1另一端、稳压二极管Z1阳极、开关MOSFETQ1栅极共同连接，所述开关MOSFET Q1漏极和防倒灌单元5中防倒灌二极管D1阳极连接。
由上，第二路径开关单元4用于接收切换控制单元3中传递过来的高/低电平信号，当接收到高电平信号时，Q2导通，开关MOSFET Q1导通，将第二路径中电压输送到防倒灌单元5中；当接收到低电平信号时，Q2关断，开关MOSFET Q1关断。
优选的，对本发明中各部件的选择如下：
所述的限流电阻R4、R8、R14的阻值是10KΩ，限流电阻R5、R13、R15、R16的阻值是5.1KΩ，所述分压电阻R1、R7、R17的阻值是10KΩ，分压电阻R6、R12、R18、R19的阻值是5.1KΩ，分压电阻R2、R3、R9、R10的阻值是15KΩ，分压电阻R11的阻值是68KΩ；
所述滤波电容C2、C3、C4、C5的容值为0.1uF，延时电容C1的容值为0.1uF。
所述的隔离二极管D3、D4型号为2CK4148S2P。
所述的稳压二极管Z1、Z2的稳压值为10V，稳压二极管Z3、Z4的稳压值为5.1V。
所述放大三极管Q6的型号是3DK1100SP。
所述的开关MOSFET Q1、开关MOSFET Q3为P沟道MOSFET，型号为VSP040P10MS，开关MOSFET Q8的型号是LYNM138S1P。
所述开关三极管Q2、Q4、Q7、Q5的型号是3DK624S1P。
所述电压比较器U1的型号是RS6331S。
所述的防倒灌二极管D1和防倒灌二极管D2的型号为2DK1060T3P。
本发明的工作原理为：
输入端主电源VIN1+为主供电通道，电源VIN2+为备份供电通道，主供电通道及备份供电通道电压均为28V。该28V电压经芯片供电单元1中线性供电电路（线性供电电路由限流电阻R14、滤波电容C3、稳压二极管Z3和放大三极管Q6组成）后得到+5V电压；+5V电压一方面给电压比较单元2中的电压比较器U1供电，另一方面通过电压比较单元2中的分压电阻R12与分压电阻R18串联分压后得到2.5V电压，给U1的第3引脚同相输入端提供基准电压+2.5V。
接下来，根据VIN1+主供电通道电压是否大于20V进行分析：
（1）正常情况下，VIN1+主供电通道电压大于20V时，通过电压比较单元2中的分压电阻R11、分压电阻R17进行分压后，电压比较器U1的第4引脚得到＞2.5V的电压，该电压与U1的第3引脚基准电压+2.5V相比较，U1的第1引脚输出低电平约0V 。
电压比较器U1的第1引脚为0V，故切换控制单元3中的开关MOSFET Q8没有驱动电压，为关断状态。第二路径开关单元4中的分压电阻R2、分压电阻R6分压后经限流电阻R5驱动开关三极管Q2，开关三极管Q2导通。由于开关MOSFET Q1为P沟道MOSFET，需要负压驱动，而在开关三极管Q2导通时，开关MOSFET Q1栅极到源极为-10V，所以Q1导通，VIN1+主供电通道电压流经第二路径开关单元4中的开关MOSFET Q1和防倒灌单元5中的防倒灌二极管D1后输出。与此同时，电压比较单元2中的电压比较器U1的第1引脚为0V，则切换控制单元3中的开关三极管Q4没有驱动电压所以为关断状态。稳压二极管Z4经限流电阻R8后得到稳压值约为5.1V，再经限流电阻R13后驱动开关三极管Q7，三极管Q7导通。第一路径开关单元6中的开关三极管Q5的基极电压约为0V，所以为关断状态。开关MOSFET Q3栅极到源极电压为0V，由于无法满足栅极到源极负压条件，所以开关MOSFET Q3为关断状态。
（2）当VIN1+主供电通道电压小于20V时，电压比较器U1的第4引脚得到小于2.5V的电压，该电压与U1的第3引脚基准电压+2.5V相比较，U1的第1引脚输出高电平约+5V 。该电平不经延时直接驱动切换控制单元3中的开关三极管Q4，Q4导通。开关三极管Q7关断，第一路径开关单元6中的Q5导通，开关MOSFET Q3栅极到源极为-10V，所以Q3首先导通，而另一方面，U1的第1引脚输出高电平经R4及C1构成的延时电路，经2ms短暂延时后驱动开关MOSFETQ8，第二路径开关单元4中的开关MOSFET Q1由于无法满足栅极到源极负压条件而后关断。
由于VIN2+备份供电通道先开通，28V电压流经第一路径开关单元6中的开关MOSFET Q3和防倒灌单元5中的防倒灌二极管D2后输出。由二极管的导通特性可知，一旦VIN2+备份供电通道开通，输出可以直接从+20V切换到+28V，从而保证切换过程无掉电现象。
常规的控制方法通过两只二极管共阴极连接，输出电压为电压较高的一路，无法实现设定主通道和备用通道优先级，当两路电压接近时，反复切换，对后端负载造成影响。而采用国外集成芯片却存在切换瞬间掉电的情况，也不满足目前对于器件国产化的需求。本发明的具有优先级的电源路径控制电路，两路同时输入时，优先级可以通过各组成部件的具体选择设定，且主通道和备份通道压差可设定，避免两路通道在电压接近时反复切换使得输出电压不稳定对后端负载的不良影响。同时，在主通道电压低于设定电压切换时，可通过设定备份通道及主通道的导通时序，保证切换瞬间备份通道先打开，输出端建立备份电压后主通道再关闭，避免了主/备切换时的瞬间掉电情况。
以上所述，仅是本发明的较优具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，包括芯片供电单元（1）、电压比较单元（2）、切换控制单元（3）、第二路径开关单元（4）、防倒灌单元（5）、第一路径开关单元（6）；其中，所述芯片供电单元（1）的输入端连接主电源和备用电源，芯片供电单元（1）的输出端连接电压比较单元（2）的输入端，所述电压比较单元（2）的输出端连接切换控制单元（3）的输入端，所述切换控制单元（3）的输出端分别连接第二路径开关单元（4）和第一路径开关单元（6）的输入端，所述第二路径开关单元（4）和第一路径开关单元（6）的输出端均连接防倒灌单元（5）的输入端。
2.如权利要求1所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述芯片供电单元（1）包括隔离二极管D3、隔离二极管D4、限流电阻R14、稳压二极管Z3、放大三极管Q6、滤波电容C3和滤波电容C5；其中，所述隔离二极管D4和隔离二极管D3的阳极分别与电源VIN1+及电源VIN2+连接，隔离二极管D4和隔离二极管D3阴极直接相连后和限流电阻R14一端、放大三极管Q6集电极、切换控制单元（3）共同连接，所述限流电阻R14另一端和滤波电容C3一端、稳压二极管Z3阴极、放大三极管Q6基极共同连接，所述滤波电容C3的另一端分别和稳压二极管Z3的阳极、滤波电容C5的一端连接后再与GND端子连接，所述滤波电容C5的另一端分别和放大三极管Q6的发射极、+5V端子共同连接。
3.如权利要求1所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述电压比较单元（2）包括分压电阻R11、分压电阻R12、分压电阻R17、分压电阻R18、滤波电容C2、滤波电容C4和电压比较器U1；其中，所述分压电阻R11一端和VIN1+连接，另一端和分压电阻R17一端、电压比较器UI的第4端子共同连接，所述分压电阻R12的一端和+5V端子、电压比较器UI的第6端子、滤波电容C2的一端及电压比较器UI的第5端子共同连接，分压电阻R12的另一端和电压比较器UI的第3端子、滤波电容C4的一端及分压电阻R18的一端共同连接，所述分压电阻R17的另一端和滤波电容C4另一端、分压电阻R18另一端、电压比较器UI的第2端子、滤波电容C2另一端及GND端共同连接，所述电压比较器U1的第1端连接切换控制单元（3）。
4.如权利要求3所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述切换控制单元（3）包括限流电阻R15、限流电阻R8、限流电阻R4、限流电阻R13、开关三极管Q4、开关三极管Q7、开关MOSFET Q8、稳压二极管Z4和延时电容C1；其中，所述限流电阻R15一端和电压比较单元（2）中U1的第1端子、限流电阻R4一端共同连接，另一端和开关三极管Q4基极连接，所述开关三极管Q4集电极和限流电阻R8一端、限流电阻R13一端、稳压二极管Z4阴极共同连接，所述限流电阻R13另一端和开关三极管Q7基极连接，所述开关三极管Q7集电极连接第一路径开关单元（6），所述开关三极管Q4发射极和稳压二极管Z4阳极、开关三极管Q7发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R4另一端和延时电容C1一端、开关MOSFET Q8栅极共同连接，所述延时电容另一端分别和开关MOSFET Q8源极连接，所述开关MOSFET Q8漏极连接第二路径开关单元（4），限流电阻R8另一端连接芯片供电单元（1）。
5.如权利要求4所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述第一路径开关单元（6）包括分压电阻R7、分压电阻R9、分压电阻R10、限流电阻R16、分压电阻R19、开关三极管Q5、开关MOSFET Q3和稳压二极管Z2；其中，所述分压电阻R9一端和VIN2+端子、稳压二极管Z2阴极、分压电阻R7一端、开关MOSFET Q3源极共同连接，分压电阻R9另一端和切换控制单元（3）中的开关三极管Q7集电极、分压电阻R19一端、限流电阻R16一端共同连接，所述分压电阻R19另一端和开关三极管Q5发射极、GND端子连接，所述限流电阻R16另一端和开关三极管Q5基极共同连接，所述开关三极管Q5集电极和分压电阻R10一端连接，所述分压电阻R10另一端和分压电阻R7另一端、稳压二极管Z2阳极、开关MOSFET Q3栅极共同连接，所述开关MOSFET Q3漏极连接防倒灌单元（5）。
6.如权利要求5所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述防倒灌单元（5）包括防倒灌二极管D2、防倒灌二极管D1；其中，所述防倒灌二极管D2阳极和第一路径开关单元（6）中开关MOSFET Q3漏极连接，阴极和VOUT+端子、防倒灌二极管D1阴极共同连接，所述防倒灌二极管D1阳极连接第二路径开关单元（4）。
7.如权利要求6所述的具有优先级的电源路径控制电路，其特征在于，所述第二路径开关单元（4）包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3，限流电阻R5、分压电阻R6、开关三极管Q2、开关MOSFET Q1和稳压二极管Z1；其中，所述分压电阻R2一端和VIN1+端子、稳压二极管Z1阴极、分压电阻R1一端、开关MOSFET Q1源极共同连接，分压电阻R2另一端和切换控制单元（3）中的Q8漏极、分压电阻R6一端、限流电阻R5一端共同连接，所述分压电阻R6另一端和开关三极管Q2发射极、GND端子共同连接，所述限流电阻R5另一端和开关三极管Q2基极连接，所述开关三极管Q2集电极和分压电阻R3一端连接，所述分压电阻R3另一端和分压电阻R1另一端、稳压二极管Z1阳极、开关MOSFET Q1栅极共同连接，所述开关MOSFET Q1漏极和防倒灌单元（5）中防倒灌二极管D1阳极连接。
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