CN115128358A - 电容检测电路、芯片及电子设备 - Google Patents

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CN115128358A CN202210899472.XA CN202210899472A CN115128358A CN 115128358 A CN115128358 A CN 115128358A CN 202210899472 A CN202210899472 A CN 202210899472A CN 115128358 A CN115128358 A CN 115128358A
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Abstract

本申请提供一种电容检测电路、芯片及电子设备,该电容检测电路应用于触摸显示装置,触摸显示装置包括检测电极,电容检测电路包括:参考通道、至少两个检测通道以及与每个检测通道一一对应的差分电路;检测通道连接检测电极,用于接收检测电极输出的电容检测信号,并将电容检测信号放大,将放大后的电容检测信号输入至差分电路;参考通道用于与阴极ELVSS连接,并生成干扰参考信号,干扰参考信号用于去除放大后的电容检测信号中的干扰信号,参考通道将干扰参考信号输入至差分电路;差分电路用于对放大后的电容检测信号和干扰参考信号进行差分,以输出去除干扰后的电容检测信号,从而避免了显示面板的干扰信号对电容触控产生影响,提高了触控性能。

Description

电容检测电路、芯片及电子设备
技术领域
本申请涉及电子技术,尤其涉及一种电容检测电路、芯片及电子设备。
背景技术
当前,智能终端的AMOLED屏幕的使用率越来越高,AMOLED屏幕又分为硬屏和软屏,随着市场的需求,软屏的使用越来越普及。
在软屏AMOLED屏幕中,屏幕叠层变薄,其中用于感应触摸信号的驱动电极和检测电极到显示面板中的阴极ELVSS层的距离也变的很小,这就导致阴极ELVSS层与驱动电极、检测电极的耦合电容变大,显示面板的阴极ELVSS信号的干扰信号容易耦合到触控面板上,由此给触控面板带来了极大的干扰,导致触控性能较差。
发明内容
本申请提供一种电容检测电路、芯片及电子设备,避免了显示面板的干扰信号对电容触控产生影响,提高了触控性能。
第一方面,本申请实施例提供一种电容检测电路,
应用于触摸显示装置,所述触摸显示装置包括检测电极,所述电容检测电路包括:参考通道、至少两个检测通道以及与所述检测通道一一对应的差分电路;
所述检测通道连接所述检测电极,用于接收所述检测电极输出的电容检测信号,并将所述电容检测信号放大,将放大后的所述电容检测信号输入至所述差分电路;
所述参考通道用于与所述触摸显示装置中的阴极ELVSS层连接,并生成干扰参考信号,所述干扰参考信号用于去除放大后的所述电容检测信号中的干扰信号,所述参考通道将所述干扰参考信号输入至所述差分电路;
所述差分电路用于对放大后的所述电容检测信号和所述干扰参考信号进行差分,以输出去除干扰后的电容检测信号。
在一种实施方式中,所述参考通道包括参考电容和第一放大电路;
所述参考电容的第一端通过走线与所述阴极ELVSS层连接,所述参考电容的第二端与所述第一放大电路的第二输入端连接,所述第一放大电路的第一输入端接地,所述第一放大电路的输出端输出所述干扰参考信号。
在一种实施方式中,放大后的所述电容检测信号中的干扰信号为显示面板引入所述电容检测电路中的干扰信号,所述干扰参考信号与所述干扰信号的幅值相同。
在一种实施方式中,所述触摸显示装置包括驱动电极,所述检测电极和所述阴极ELVSS层之间的耦合电容为Cs,所述驱动电极和所述阴极ELVSS层之间的耦合电容为Cd,所述驱动电极和所述检测电极之间的检测电容为Cx,所述参考电容Cc的大小满足:Cc=Cs+(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。
在一种实施方式中,所述检测通道包括第二放大电路;
所述第二放大电路的第一输入端接地,所述第二放大电路的第二输入端连接所述检测电极,所述第二放大电路用于接收所述检测电极输出的电容检测信号并将所述电容检测信号放大,所述第二放大电路的输出端输出放大后的所述电容检测信号。
在一种实施方式中,所述差分电路包括第一差分放大器;
所述第一差分放大器的第一输入端连接所述参考通道的输出端,用于接收所述参考通道输出的所述干扰参考信号,所述第一差分放大器的第二连接所述检测通道的输出端,用于接收所述检测通道输出的放大后的所述电容检测信号,所述第一差分放大器的输出端输出所述去除干扰后的电容检测信号。
在一种实施方式中,还包括:第一控制电路;
所述第一控制电路用于根据所述去除干扰后的电容检测信号确定触摸位置。
在一种实施方式中,所述差分电路包括第二差分放大器;
所述第二差分放大器的第一输入端连接所述参考通道的输出端,用于接收所述参考通道输出的所述干扰参考信号,所述第二差分放大器的第二输入端连接所述检测通道的输出端,用于接收所述检测通道输出的放大后的所述电容检测信号,所述第二差分放大器的第一输出端输出所述去除干扰后的电容检测信号,所述第二差分放大器的第二输出端输出反相的所述去除干扰后的电容检测信号。
在一种实施方式中,还包括:第二控制电路;
所述第二控制电路用于根据所述去除干扰后的电容检测信号和反相的所述去除干扰后的电容检测信号的差分确定触摸位置。
第二方面,本申请提供一种芯片,包括如第一方面所述的电容检测电路。
第三方面,本申请提供一种电子设备,包括如第二方面所述的芯片。
本申请提供一种电容检测电路、芯片及电子设备,该电容检测电路应用于触摸显示装置,触摸显示装置包括检测电极,电容检测电路包括:参考通道、至少两个检测通道以及与每个检测通道一一对应的差分电路;检测通道连接检测电极,用于接收检测电极输出的电容检测信号,并将电容检测信号放大,将放大后的电容检测信号输入至差分电路;参考通道用于与阴极ELVSS层连接,并生成干扰参考信号,干扰参考信号用于去除放大后的电容检测信号中的干扰信号,参考通道将干扰参考信号输入至差分电路;差分电路用于对放大后的电容检测信号和干扰参考信号进行差分,以输出去除干扰后的电容检测信号。通过参考通道生成干扰参考信号,再利用差分电路对放大后的电容检测信号和干扰参考信号进行差分,从而剔除放大后的电容检测信号中的干扰,避免显示面板的干扰信号影响电容触控的检测通道,提高触控检测的灵敏度和稳定性,提高了触控性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种电容检测电路的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种检测电极和阴极ELVSS层的叠层示意图;
图3为本申请实施例提供的一种电容检测电路的电路示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种电容检测电路的电路示意图。
附图标记:
101:参考通道;
102:检测通道;
103:差分电路;
200:阴极ELVSS层;
201:纵向电极;
202:横向电极;
203:芯片;
204:引线;
301:第一放大电路;
302:第二放大电路;
303:第一差分放大器;
304:第一控制电路;
305:检测电极;
306:驱动电极;
401:第二差分放大器;
402:第二控制电路。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
触摸显示装置包括触控面板和显示面板,例如,触摸显示装置可以为电子设备的AMOLED屏幕,其显示面板中发光器件的阴极连接阴极ELVSS层,阴极ELVSS层为显示驱动电路的阴极公共参考信号层,阴极ELVSS层输出阴极ELVSS信号,阴极ELVSS信号为显示驱动电路的阴极公共参考信号,阴极ELVSS信号中包含干扰信号;当显示驱动电路对显示面板进行驱动时,阴极ELVSS层中的干扰信号通过阴极ELVSS层和驱动电极、阴极ELVSS层与检测电极之间的耦合电容引入到触控面板,造成对触控面板的影响,为了避免干扰信号对触控面板产生的影响,本申请实施例中考虑在检测到的电容检测信号中将干扰信号剔除。
为此,本申请实施例中提出,在电容检测电路中,除了采用检测通道检测电容检测信号之外,再设置一参考通道,该参考通道用于生成干扰参考信号,该干扰参考信号和由阴极ELVSS信号引入检测通道的电容检测信号中的干扰信号相同,通过差分电路对电容检测信号和干扰参考信号进行差分,从而去除电容检测信号中的干扰信号,得到去除干扰后的电容检测信号,从而避免由于干扰信号而影响屏幕的触控性能。
下面,将通过具体的实施例对本申请提供的电容检测电路进行详细地说明。可以理解的是,下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
通常而言,触摸面板包括多个行电极和多个列电极,多个列电极可以对应于驱动电极,用于连接芯片引脚以接收芯片输出的驱动信号,该驱动信号可以由芯片中的驱动电路产生;多个行电极可以对应于检测电极,在手指或触控笔等靠近或者接触触摸显示装置的上表面时,检测电极用于将电容检测信号输入到芯片中的电容检测电路,电容检测电路基于该电容检测信号计算手指的触摸位置。
图1为本申请实施例提供的一种电容检测电路的结构示意图。如图1中所示,该电容检测电路包括:参考通道101、至少两个检测通道102以及与检测通道102一一对应的差分电路103。
检测通道102的输出端和差分电路103的输入端连接,检测通道102用于接收检测电极输出的电容检测信号,检测通道102对该电容检测信号进行放大,并将放大后的电容检测信号输入至差分电路103。
参考通道101的输入端用于与阴极ELVSS连接,以生成干扰参考信号,干扰参考信号用于去除放大后的电容检测信号中的干扰信号,也就是对放大后的电容检测信号中的干扰信号进行抵消,参考通道101将干扰参考信号输入至差分电路103。
差分电路103用于对放大后的电容检测信号和干扰参考信号进行差分,从而通过接收到的干扰参考信号实现对放大后的电容检测信号中的干扰信号的抵消,以输出去除干扰后的电容检测信号。
本申请实施例中检测通道102的数量与触摸面板中检测电极的数量相关,每行检测电极分别连接一个检测通道102。
驱动电极和检测电极之间耦合形成检测电容,触摸显示装置被手指触摸时,手指触摸位置处的检测电容发生变化,从而使得检测电极输出的电容检测信号发生变化,电容检测电路接收检测电极输出的电容检测信号,基于该电容检测信号的变化确定手指的触摸位置。由于阴极ELVSS信号中的干扰信号会通过耦合电容进入电容检测电路中的检测通道102,例如,耦合电容为驱动电极和/或检测电极与阴极ELVSS之间的耦合电容,使得检测通道102输出的放大后的电容检测信号中包含了显示面板的阴极ELVSS带来的干扰信号,从而影响了电容检测电路对于手指触摸位置计算的准确性。本申请实施例中,采用参考通道101与阴极ELVSS层连接,生成干扰参考信号,该干扰参考信号和由阴极ELVSS耦合进检测通道102中的干扰信号相同,例如幅值相同,因此,利用差分电路103对检测通道102输出的放大后的电容检测信号和干扰参考信号进行差分,即可剔除放大后电容检测信号中的干扰信号,得到去除干扰后的电容检测信号,从而避免显示面板的干扰信号影响触控面板的检测性能,提高触控检测的灵敏度和稳定性。
以下再结合AMOLED屏幕的叠层结构进行说明。
在AMOLED屏幕中,用于感应手指或触控笔等触摸的触摸电极层与阴极ELVSS层是叠层设置的,该触摸电极层包括驱动电极和检测电极,阴极ELVSS层设置于触摸电极层下方,由于触摸电极层和阴极ELVSS层之间存在耦合电容,阴极ELVSS层的干扰信号被耦合进电容检测电路中的检测通道102,影响了电容检测电路计算手指或触控笔的触摸位置的准确性。
可选的,本申请实施例中,将阴极ELVSS信号从显示面板的阴极ELVSS层单独引出,例如,阴极ELVSS信号通过一根导线引出,该导线连接一个参考电容,该参考电容通过导线连接阴极ELVSS层来构造参考通道,阴极ELVSS信号中的干扰信号通过该参考电容被耦合进参考通道,参考通道中的干扰信号与检测通道102中的干扰信号相同,相当于在参考通道中复制出了检测通道102中的干扰信号,从而可以利用检测通道输出的放大后的电容检测信号和参考通道的干扰参考信号的差分来抑制阴极ELVSS层的干扰信号对触控检测的影响。
图2为本申请实施例提供的一种触摸电极层和阴极ELVSS层的叠层示意图。如图2所示,阴极ELVSS层200之上为触摸电极层,触摸电极层用于感测手指或触控笔的触摸位置并输出电容检测信号,触摸电极层包括了纵向分布的电极和横向分布的电极,以图2中的纵向电极201为驱动电极,横向电极202为检测电极进行示意。需要说明的是,纵向电极201也可以为检测电极,横向电极202可以为驱动电极。图2中Drv1、Drv2、Drv3、Drv4为驱动信号,该驱动信号为芯片203中的驱动电路施加在驱动电极上的信号,驱动电极和检测电极均与芯片203连接,在手指或触控笔靠近或者接触触摸显示装置的上表面时,检测电极用于将电容检测信号输入到芯片203中的电容检测电路,电容检测信号为图2中Sens1、Sens2、Sens3、Sens4,电容检测电路根据电容检测信号计算手指或触控笔的触摸位置。
如图3所示,标号“ELVSS”所指的为阴极ELVSS层。检测电极305和阴极ELVSS层之间形成耦合电容Cs,驱动电极306和阴极ELVSS层之间形成耦合电容Cd,驱动电极306和检测电极305之间耦合形成检测电容Cx。
由于阴极ELVSS信号作为显示面板中显示驱动的参考信号,在没有显示驱动时,阴极ELVSS层等效接地,在有显示驱动时,由于阴极ELVSS层存在阻抗,阴极ELVSS信号会耦合显示面板的干扰信号,该干扰信号通过上述的耦合电容耦合进检测通道102,从而导致检测电极输出的电容检测信号中存在干扰信号,该干扰信号被检测通道102放大,严重影响了电容检测电路计算手指触摸位置的准确性。
本申请实施例中,如图2所示,将阴极ELVSS信号通过一根引线204从阴极ELVSS层的边缘单独引出,该引线204引出的阴极ELVSS信号输入至芯片203的参考通道101中,芯片203中包含了前述的参考电容Cc,以形成参考通道101。
以下进一步结合电路图进行说明。
如图3中所示,检测通道102包括第二放大电路302。对于检测通道102,需要说明的是,图3的电路图中示意了第二放大电路302接收由检测电极305所输出的电容检测信号SensN,该电容检测信号SensN是由前述的检测电极305和显示驱动的阴极ELVSS层之间形成的耦合电容Cs、驱动电极306和显示驱动的阴极ELVSS层之间形成的耦合电容Cd、以及驱动电极306和检测电极305之间耦合形成的检测电容Cx共同作用生成的。检测通道102接收检测电极305输出的电容检测信号,并将接收到的电容检测信号进行放大,以输出放大后的电容检测信号,例如图3中放大后的电容检测信号为VSens1…VSensN。
图3中示意了N个检测通道102,其输出的放大后的电容检测信号分别对应VSens1至VSensN,此处仅以其中一个为例进行说明。
检测电极305用于感应手指或触控笔触摸操作并将生成的电容检测信号SensN输入第二放大电路302的第二输入端。图3中示意的N个检测通道102中接收到的电容检测信号分别为Sens1至SensN,此处仅以其中一个为例进行说明。
第二放大电路302的第一输入端接地,第二放大电路302的第二输入端连接检测电极305,并接收检测电极305输出的电容检测信号SensN,第二放大电路302对检测电极305输出的电容检测信号SensN进行放大,通过第二放大电路302的输出端输出放大后的电容检测信号VSensN。图3中以第二放大电路302的第一输入端为同相端(+)、第二放大电路302的第二输入端为反相端(-)进行示意。在实际应用中,第二放大电路302的第一输入端可以为反相端(-)、第二放大电路302的第二输入端可以为同相端(+)。
芯片203中的驱动电路输出驱动信号至驱动电极,图中以第M列驱动信号VdrvM为例进行示意。
可以看出,阴极ELVSS层中的干扰信号可以通过两个路径耦合进检测通道102,其中,路径1为通过耦合电容Cs耦合进入,路径2为通过耦合电容Cd和待检测电容Cx的串联路径耦合进入,其中路径1为主要耦合路径。
检测通道102通过第二放大电路302对电容检测信号SensN进行放大后,得到放大后的电容检测信号VSensN。第二放大电路302中的反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb形成负反馈电路,第二放大电路302中的反馈电阻Rfb的第一端连接第二放大电路302的第二输入端,反馈电阻Rfb的第二端连接第二放大电路302的输出端,第二放大电路302的反馈电容Cfb的第一端连接第二放大电路302的第二输入端,反馈电容Cfb的第二端连接第二放大电路302的输出端,该反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb并联设置,以减少第二放大电路302的输出偏差,反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb的大小可根据实际情况进行设置。
继续参照图3,参考通道101包括参考电容Cc和第一放大电路301。
可选的,参考电容Cc的大小与检测电极305、驱动电极306耦合得到的电容的大小相同,该耦合得到的电容包括驱动电极306与阴极ELVSS之间耦合得到的耦合电容Cd、驱动电极306与检测电极305之间耦合得到的检测电容Cx,以及检测电极305与阴极ELVSS之间耦合得到的耦合电容Cs。也就是参考电容Cc的大小等于耦合电容Cd和检测电容Cx的串联值加上耦合电容Cs,其中,耦合电容Cd和检测电容Cx的串联值为(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。该参考电容Cc满足公式:Cc=Cs+(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。通过对参考电容Cc大小的设置,能够避免显示面板带来的干扰,提高了触摸检测的准确性。需要说明的是,在实际应用中,可以在检测电容Cx不变的情况下,例如触摸显示装置的上表面未被触摸的情况下,对驱动电极与阴极ELVSS层之间的耦合电容Cd、驱动电极与检测电容之间的检测电容Cx以及检测电极与阴极ELVSS之间的耦合电容Cs进行检测,以确定参考电容Cc的大小,该参考电容Cc可以是出厂前设置的,使得参考电容Cc与检测通道102中的耦合电容近似相等。
如图3所示,参考电容Cc的第一端通过单独走线与阴极ELVSS层连接,参考电容Cc的第二端与第一放大电路301的第二输入端连接,第一放大电路301的第一输入端接地,第一放大电路301的输出端输出干扰参考信号VRef。图3中以第一放大电路301的第一输入端为同相端(+)、第一放大电路301的第二输入端为反向端进行示意。在实际应用中,第一放大电路301的第一输入端可以为反相端(-)、第一放大电路301的第二输入端可以为同相端(+)。
第一放大电路301中的反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb形成负反馈电路,第一放大电路301中的反馈电阻Rfb的第一端连接第一放大电路301的第二输入端,反馈电阻Rfb的第二端连接第一放大电路301的输出端,第一放大电路301的反馈电容Cfb的第一端连接第一放大电路301的第二输入端,反馈电容Cfb的第二端连接第一放大电路301的输出端,该反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb并联设置,该负反馈电路能够减少第一放大电路301的输出偏差,反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb的大小可根据实际情况进行设置。
在一种实现方式中,第一放大电路301与第二放大电路302的结构相同。
由于参考通道101中,第一放大电路301的第二输入端通过参考电容Cc连接至阴极ELVSS层,因此,参考通道101输出的干扰参考信号VRef包括显示面板的干扰信号,该干扰信号和检测通道102输出的放大后的电容检测信号中的干扰信号相等,因此,将参考通道101输出的信号作为干扰参考信号VRef,进而通过差分电路103,将放大后的电容检测信号中由显示面板带来的干扰信号剔除。
以下对差分电路103进行说明。
在一种实施方式中,参见图3,差分电路103包括第一差分放大器303。
第一差分放大器303的第一输入端连接参考通道101的输出端,用于接收参考通道101的输出的干扰参考信号VRef;第一差分放大器303的第二输入端连接检测通道102的输出端,用于接收检测通道102输出的放大后的电容检测信号VSensN,第一差分放大器303用于对接收到的放大后的电容检测信号VSensN和干扰参考信号VRef进行差分,差分完成后,第一差分放大器303的输出端输出去除干扰后的电容检测信号。图3中N个差分电路103的输出端输出去除干扰后的电容检测信号分别以Vout1+至VoutN+进行示意。差分电路103中还可以包括反馈电阻Rg,该反馈电子Rg的第一端连接第一差分放大器303的第二输入端,反馈电子Rg的第二端连接第一差分放大器303的输出端。
在这种实施方式中,电容检测电路还可以包括第一控制电路304。
第一控制电路304连接差分电路103的输出端,用于接收差分电路103输出的去除干扰后的电容检测信号Vout1+至VoutN+,并根据去除干扰后的电容检测信号Vout1+至VoutN+确定手指或触控笔的触摸位置。
在这种实施方式中,第一差分放大器303输出的信号Vout1+至VoutN+为放大后的电容检测信号VSensN和干扰参考信号VRef的差,再乘以第一差分放大器303的增益,所得到的信号为去除干扰后的电容检测信号,基于该去除干扰后的电容检测信号Vout1+至VoutN+,第一控制电路304即可确定手指的触摸位置。第一控制电路304基于具体的电容检测信号确定触摸位置的方法可以参照相关技术,本申请实施例中不再赘述。可选的,第一控制电路304为微处理单元(MicroController Unit,MCU)。
在另一种实施方式中,参见图4,检测通道102包括第二放大电路302。对于检测通道102,需要说明的是,图4的电路图中示意了第二放大电路302接收由检测电极305所输出的电容检测信号SensN,该电容检测信号SensN是由前述的检测电极305和显示驱动的阴极ELVSS层之间形成的耦合电容Cs、驱动电极306和显示驱动的阴极ELVSS层之间形成的耦合电容Cd、以及驱动电极306和检测电极305之间耦合形成的检测电容Cx共同作用生成的。检测通道102接收检测电极305输出的电容检测信号SensN,并将接收到的电容检测信号SensN,进行放大,以输出放大后的电容检测信号VSensN,图4中示意了N个检测通道102对应的放大后的电容检测信号为VSens1…VSensN。
第二放大电路302的第一输入端接地,第二放大电路302的第二输入端连接检测电极305,并接收检测电极305输出的电容检测信号SensN,第二放大电路302对检测电极305输出的电容检测信号SensN进行放大,通过第二放大电路302的输出端输出放大后的电容检测信号VSensN。图4中以第二放大电路302的第一输入端为同相端(+)、第二放大电路302的第二输入端为反向端进行示意。在实际应用中,第二放大电路302的第一输入端可以为反相端(-)、第二放大电路302的第二输入端可以为同相端(+)。
第二放大电路302中的反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb形成负反馈电路,第二放大电路302中的反馈电阻Rfb的第一端连接第二放大电路302的第二输入端,反馈电阻Rfb的第二端连接第二放大电路302的输出端,第二放大电路302的反馈电容Cfb的第一端连接第二放大电路302的第二输入端,反馈电容Cfb的第二端连接第二放大电路302的输出端,该反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb并联设置,以减少第二放大电路302的输出偏差,反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb的大小可根据实际情况进行设置。
参考通道101包括参考电容Cc和第一放大电路301,参考电容Cc的第一端通过单独走线与阴极ELVSS层连接,参考电容Cc的第二端与第一放大电路301的第二输入端连接,第一放大电路301的第一输入端接地,第一放大电路301的输出端输出干扰参考信号VRef。参考电容Cc的大小与检测电极305、驱动电极306耦合得到的电容的大小相同,该耦合得到的电容包括驱动电极306与阴极ELVSS之间耦合得到的耦合电容Cd、驱动电极306与检测电极305之间耦合得到的检测电容Cx,以及检测电极305与阴极ELVSS之间耦合得到的耦合电容Cs。也就是参考电容Cc的大小等于耦合电容Cd和检测电容Cx的串联值加上耦合电容Cs,其中,耦合电容Cd和检测电容Cx的串联值为(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。该公式为:Cc=Cs+(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。通过对参考电容Cc大小的设置,能够避免显示面板带来的干扰,提高了触摸检测的准确性。
参考电容Cc的第一端通过单独走线与阴极ELVSS层连接,参考电容Cc的第二端与第一放大电路301的第二输入端连接,第一放大电路301的第一输入端接地,第一放大电路301的输出端输出干扰参考信号VRef。图4中以第一放大电路301的第一输入端为同相端(+)、第一放大电路301的第二输入端为反向端进行示意。在实际应用中,第一放大电路301的第一输入端可以为反相端(-)、第一放大电路301的第二输入端可以为同相端(+)。
第一放大电路301中的反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb形成负反馈电路,第一放大电路301中的反馈电阻Rfb的第一端连接第一放大电路301的第二输入端,反馈电阻Rfb的第二端连接第一放大电路301的输出端,第一放大电路301的反馈电容Cfb的第一端连接第一放大电路301的第二输入端,反馈电容Cfb的第二端连接第一放大电路301的输出端,该反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb并联设置,该负反馈电路能够减少第一放大电路301的输出偏差,反馈电阻Rfb和反馈电容Cfb的大小可根据实际情况进行设置。
在一种实现方式中,第一放大电路301与第二放大电路302的结构相同。
由于参考通道101中,第一放大电路301的第二输入端通过参考电容Cc连接至阴极ELVSS层,因此,参考通道101输出的干扰参考信号VRef包括显示面板的干扰信号,该干扰信号和检测通道102输出的放大后的电容检测信号中的干扰信号相等,因此,将参考通道101输出的信号作为干扰参考信号VRef,进而通过差分电路103,将电容检测信号中的显示面板带来的干扰信号剔除。
差分电路103包括第二差分放大器401。差分电路103中还可包括的2个反馈电阻Rg。
第二差分放大器401的第一输入端连接参考通道101的输出端,用于接收参考通道101输出的干扰参考信号VRef,第二差分放大器401的第二输入端连接检测通道的输出端,用于接收检测通道输出的电容检测信号,第二差分放大器401的第一输出端输出去除干扰的电容检测信号,第二差分放大器401的第二输出端输出反相的去除干扰的电容检测信号。也就是说,与图3所示的实施例中不同的,第二差分放大器401为双输出端的差分放大器,两个输出端输出的信号为反相的信号。
图4中N个差分电路103的输出信号分别以Vout1+、Vout1-至VoutN+、VoutN-进行示意。
相应的,在这种实施方式中,电容检测电路还可以包括第二控制电路402。
第二控制电路402连接差分电路103的同相输出端Vout+和反相输出端Vout-,用于接收差分电路103输出的去除干扰后的电容检测信号和反相的去除干扰后的电容检测信号,并根据去除干扰后的电容检测信号和反相的去除干扰后的电容检测信号的差分确定触摸位置。第二控制电路402基于具体的电容检测信号确定触摸位置的方法可以参照相关技术,本申请实施例中不再赘述。
相较于前一种实施方式,本实施方式中,第二控制电路402对去除干扰后的电容检测信号和反相的去除干扰后的电容检测信号进行差分,得到两倍的去除干扰后的电容检测信号,相当于差分电路103的放大倍数增大了一倍,同时利用这种差分的方式,还能够抑制电容检测电路中的共模干扰,进一步提高出触控检测的灵敏性、准确性和稳定性。
此外,本申请实施例的电容检测电路中利用差分电路103输出差分信号来确定触摸位置,差分信号不需要还原即可直接用来计算触控的坐标,实现方式简单。
结合图3和图4对图2中示意的芯片203进行说明。可选的,图3和图4中,检测通道102中的第二放大电路302、参考通道101中的参考电容Cc和第一放大电路301,以及差分电路103均可集成于图2所示的芯片203中。可选的,图3中的第一控制电路304或图4中的第二控制电路402可以集成于图2所示的芯片203中。
本申请实施例还提供一种芯片,包括如上述任一实施例中的电容检测电路。
本申请实施例还提供一种电子设备,包括屏幕,以及如上述实施例中的芯片。
在本申请中,术语“包括”及其变形可以指非限制性的包括;术语“或”及其变形可以指“和/或”。本申请中术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。本申请中,“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的设备和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的,例如,模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时,执行包括上述各方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种电容检测电路,其特征在于,应用于触摸显示装置,所述触摸显示装置包括检测电极,所述电容检测电路包括:参考通道、至少两个检测通道以及与所述检测通道一一对应的差分电路;
所述检测通道连接所述检测电极,用于接收所述检测电极输出的电容检测信号,并将所述电容检测信号放大,将放大后的所述电容检测信号输入至所述差分电路;
所述参考通道用于与所述触摸显示装置中的阴极ELVSS层连接,并生成干扰参考信号,所述干扰参考信号用于去除放大后的所述电容检测信号中的干扰信号,所述参考通道将所述干扰参考信号输入至所述差分电路;
所述差分电路用于对放大后的所述电容检测信号和所述干扰参考信号进行差分,以输出去除干扰后的电容检测信号。
2.根据权利要求1所述的电容检测电路,其特征在于,所述参考通道包括参考电容和第一放大电路;
所述参考电容的第一端通过走线与所述阴极ELVSS层连接,所述参考电容的第二端与所述第一放大电路的第二输入端连接,所述第一放大电路的第一输入端接地,所述第一放大电路的输出端输出所述干扰参考信号。
3.根据权利要求2所述的电容检测电路,其特征在于,放大后的所述电容检测信号中的干扰信号为显示面板引入所述电容检测电路中的干扰信号,所述干扰参考信号与所述干扰信号的幅值相同。
4.根据权利要求3所述的电容检测电路,其特征在于,所述触摸显示装置包括驱动电极,所述检测电极和所述阴极ELVSS层之间的耦合电容为Cs,所述驱动电极和所述阴极ELVSS层之间的耦合电容为Cd,所述驱动电极和所述检测电极之间的检测电容为Cx,所述参考电容Cc的大小满足:Cc=Cs+(Cd*Cx)/(Cd+Cx)。
5.根据权利要求1-3任一项所述的电容检测电路,其特征在于,所述检测通道包括第二放大电路;
所述第二放大电路的第一输入端接地,所述第二放大电路的第二输入端连接所述检测电极,所述第二放大电路用于接收所述检测电极输出的电容检测信号并将所述电容检测信号放大,所述第二放大电路的输出端输出放大后的所述电容检测信号。
6.根据权利要求1-3任一项所述的电容检测电路,其特征在于,所述差分电路包括第一差分放大器;
所述第一差分放大器的第一输入端连接所述参考通道的输出端,用于接收所述参考通道输出的所述干扰参考信号,所述第一差分放大器的第二连接所述检测通道的输出端,用于接收所述检测通道输出的放大后的所述电容检测信号,所述第一差分放大器的输出端输出所述去除干扰后的电容检测信号。
7.根据权利要求6所述的电容检测电路,其特征在于,还包括:第一控制电路;
所述第一控制电路用于根据所述去除干扰后的电容检测信号确定触摸位置。
8.根据权利要求1-3任一项所述的电容检测电路,其特征在于,所述差分电路包括第二差分放大器;
所述第二差分放大器的第一输入端连接所述参考通道的输出端,用于接收所述参考通道输出的所述干扰参考信号,所述第二差分放大器的第二输入端连接所述检测通道的输出端,用于接收所述检测通道输出的放大后的所述电容检测信号,所述第二差分放大器的第一输出端输出所述去除干扰后的电容检测信号,所述第二差分放大器的第二输出端输出反相的所述去除干扰后的电容检测信号。
9.根据权利要求8所述的电容检测电路,其特征在于,还包括:第二控制电路;
所述第二控制电路用于根据所述去除干扰后的电容检测信号和反相的所述去除干扰后的电容检测信号的差分确定触摸位置。
10.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的电容检测电路。
11.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求10所述的芯片。
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