CN115128341B - 基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 - Google Patents
基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115128341B CN115128341B CN202210866766.2A CN202210866766A CN115128341B CN 115128341 B CN115128341 B CN 115128341B CN 202210866766 A CN202210866766 A CN 202210866766A CN 115128341 B CN115128341 B CN 115128341B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microstrip
- microwave
- microwave power
- hall
- power detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/08—Arrangements for measuring electric power or power factor by using galvanomagnetic-effect devices, e.g. Hall-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
本发明公开了基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，微带式微波功率探测器采用盒式结构，微带式微波功率探测器包括微波输入端、微带式结构、微波输出端和电测量端，微波输入端，用于输入微波信号至微带式结构；微带式结构，用于基于霍尔效应，采用微带线结构，将霍尔元件置于外壳体内的微带对称式微波正交电磁场内产生霍尔电压，并输出霍尔电压至电测量端；微波输出端，用于传输并输出经过微带式结构后的微波信号；电测量端，用于根据微带式结构输出的霍尔电压进行微波功率测量，从而实现线性测量微波功率。本发明是利用霍尔效应来测量微波功率，具体利用微带技术与霍尔元件的组合，实现了对称结构的微带式微波功率的线性测量。
Description
技术领域
本发明涉及微波技术领域，具体涉及基于霍尔效应的微带式微波功率探测器。
背景技术
传统的微波功率测量有两种方法：量热法和检波晶体法，量热法是利用吸收材料的温度变化测量微波功率，这种方法在瞬态性，线性性能，精度方面不具备优势，目前这一技术发展为比对量热法，相关技术有所提高，仍不能满足微波技术的发展要求。
检波晶体法是通过快响应二极管检波微波的电场(电压)信号，这种方法具有快响特性，广泛使用在微波功率的测量与控制中，然而二极管的非线性性能是始终存在的，目前这与技术发展为定标法和补偿法，而后续定标补偿的分析计算，函数传递所需要的时间会影响对应微波系统的控保时间。
因此，现有技术中微波功率的测量存在不能够同时实现“线性”和“实时”测量微波功率的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术中微波功率的测量存在不能够同时实现“线性”和“实时”测量微波功率的问题，本发明目的在于提供基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，该微带式微波功率探测器是利用霍尔效应来测量微波功率，能够同时满足宽带、线性性能、快响应及测量功率动态范围大等要求。
本发明通过下述技术方案实现：
本发明提供了基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，所述微带式微波功率探测器采用盒式结构，所述微带式微波功率探测器包括微波输入端、微带式结构、微波输出端和电测量端，所述微波输入端连接微带式结构，所述微带式结构连接微波输出端，所述微带式结构连接电测量端；
所述微波输入端，用于输入微波信号至微带式结构；
所述微带式结构，基于霍尔效应，采用微带线结构，将霍尔元件置于外壳体内的微带对称式微波正交电磁场内，产生霍尔电压并输出所述霍尔电压至电测量端；
所述微波输出端，用于传输并输出经过所述微带式结构后的微波信号；
所述电测量端，用于根据所述微带式结构输出的霍尔电压进行微波功率测量，从而实现线性测量微波功率。
工作原理是：基于现有技术中微波功率测量(量热法和检波晶体法)存在不能够同时实现“线性”和“实时”测量微波功率的问题。本发明独辟蹊径，采用一种全新的原理测量微波功率，具体是利用霍尔效应来测量微波功率。推导验证如下：
本发明将霍尔元件置于微波正交电磁场中，霍尔效应产生之霍尔电压一般可表达为：
其中，I为流经导体的电流，B为施加于导体的磁场，RH为该导体材料的霍尔系数，d为导体在磁场方向上的厚度。k1为公式推导系数。
另一方面，在近微带线区域，微波电磁场为准正交的，按照正交场计算，微波功率的表达为：
P＝k2E×B＝k3V×B (2)
其中，k1、k2为公式推导中的系数。公式(1)和公式(2)比较，得到公式(3)，即霍尔电压与微波功率成线性对应关系：
VH＝k4P (3)
其中，k4是公式推导中的系数。
本发明直接使用微波的电场和磁场的叉乘作用于霍尔元件上，获得原始性的霍尔电压与微波功率的线性关系，验证了公式(3)的确定性。
因此，本发明基于上述霍尔电压与微波功率的线性关系的原理，提供了基于霍尔效应的微带式微波功率探测器。本发明利用微带技术与霍尔元件的组合，实现了对称结构的微带式微波功率的线性测量，霍尔元件和相关电子器件的电路结构放置在微带准正交电磁场的窄边(或者宽边)，探测器设计为长方体盒式结构并接地，环氧电路板边缘金属化，安装形成微带与地之间的电路对接，其余空间由环氧材料浇注或环氧块材填充。本发明利用微波的电磁场直接作用于霍尔元件上，形成有效的霍尔输出电压，具有良好的线性性能，宽带性和快速响应，是一种微波功率线性测量的新方式。
进一步地，所述微带式结构中将霍尔元件置于外壳体内的微波正交电磁场内，是在不附加任何外来电场和磁场的情况下，以微波自身交变电场为外加电场，以微波自身交变磁场为外加磁场。
进一步地，所述微带式结构内通过环氧材料的浇注或填充及使盒式结构封装接地，来构成完整的微带对称式微波正交电磁场分布。
进一步地，所述微带式结构包括金属外壳，所述金属外壳接地，且金属外壳为长方体壳体；
所述外壳内沿所述微波输入端至微波输出端方向设置有微带线，所述微带线一端连接微波输入端，另一端连接微波输入端；所述外壳内的微带线上方竖向设置有印制电路板，所述印制电路板上设置有霍尔元件，所述霍尔元件连接所述电测量端；
在微带线、印制电路板和霍尔元件的周围通过填充介质浇注或填充介质块材填充方式进行外壳内剩余空间的浇注或填充。
进一步地，所述印制电路板边缘金属化，安装形成微带线印制电路板和霍尔元件—接地之间的电路对接。
进一步地，所述的通过填充介质浇注或填充介质块材填充方式是采用环氧材料浇注或环氧块材填充。
进一步地，根据所述微带线所需的特征阻抗，确定所述霍尔元件的放置位置、微带线的尺寸参数和金属外壳的尺寸参数；减小微波功率探测器的反射和插入损耗；
所述微带线的尺寸参数包括微带线长度、微带线宽度、微带线厚度和与微带线离金属外壳的距离；
金属外壳的尺寸参数包括金属外壳长度、金属外壳宽度和金属外壳高度；
所述微带线长度等于所述金属外壳长度。
进一步地，所述微带式微波功率探测器采用长方体盒式结构；
所述微波输入端和微波输出端均采用SMA头，所述电测量端采用Q9头。
进一步地，所述微带式微波功率探测器包括通过式微带微波功率探测器和吸收式微带微波功率探测器；
所述通过式微带微波功率探测器，用于插入式测量；
所述吸收式微带微波功率探测器，用于终端式测量。
进一步地，所述霍尔元件是能够实现霍尔效应的器件，所述霍尔元件包括金属薄片或者半导体薄片等。
进一步地，使用所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的测量系统，该测量系统包括微带式微波功率探测器、微波源、功率计、微伏电压表、低噪声放大器和存储示波器；
所述微波源连接所述微带式微波功率探测器的输入端，所述微波源还连接功率计；所述微带式微波功率探测器的输出端连接微伏电压表，所述微带式微波功率探测器的输出端还连接低噪声放大器，所述低噪声放大器连接存储示波器。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明是基于上述霍尔电压与微波功率的线性关系的原理，提供了基于霍尔效应的微带式微波功率探测器。本发明是利用霍尔效应来测量微波功率，具体利用微带技术与霍尔元件的组合，实现了对称结构的微带式微波功率的线性测量，霍尔元件和相关电子器件的电路结构放置在微带准正交电磁场的窄边(或者宽边)，探测器设计为长方体盒式结构并接地，环氧电路板边缘金属化，安装形成微带与地之间的电路对接，其余空间由环氧材料浇注或环氧块材填充。本发明利用微波的电磁场直接作用于霍尔元件上，形成有效的霍尔输出电压，具有良好的线性性能，宽带性和快速响应，是一种微波功率线性测量的新方式。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的俯视图。
图2为本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的正视图。
图3为本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的左视图。
图4为本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的微带对称式电磁场基本分布图。
图5为本发明使用所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的测量系统结构示意图。
附图标记及对应的零部件名称：
1-微波输入端，2-微带式结构，21-金属外壳，22-微带线，23-印制电路板，24-霍尔元件，25-填充介质，3-微波输出端，4-电测量端，5-微带式微波功率探测器，6-微波源，7-功率计，8-微伏电压表，9-低噪声放大器，10-存储示波器。
具体实施方式
在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所发明的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本发明的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
在本发明的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。
在本发明的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本发明的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。
应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。
在本发明的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本发明的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
基于现有技术中微波功率测量(量热法和检波晶体法)存在不能够同时实现“线性”和“实时”测量微波功率的问题。本发明独辟蹊径，采用一种全新的原理测量微波功率，具体是利用霍尔效应来测量微波功率。本发明直接使用微波的电场和磁场的叉乘作用于霍尔元件上，获得原始性的霍尔电压与微波功率的线性关系，验证了“霍尔电压与微波功率成线性对应关系”的确定性。
因此，本发明基于上述霍尔电压与微波功率的线性关系的原理，提供了基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，针对微波功率的线性性测量是微波工程领域中的重大技术难点，本发明能有效解决此技术问题。本发明利用微带技术与霍尔元件的组合，实现了对称结构的微带式微波功率的线性测量，霍尔元件和相关电子器件的电路结构放置在微带准正交电磁场的窄边(或者宽边)，探测器设计为长方体盒式结构并接地，环氧电路板边缘金属化，安装形成微带与地之间的电路对接，其余空间由环氧材料浇注或环氧块材填充。本发明利用微波的电磁场直接作用于霍尔元件上，形成有效的霍尔输出电压，具有良好的线性性能，宽带性和快速响应，是一种微波功率线性测量的新方式。
如图1至图4所示，本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，所述微带式微波功率探测器采用长方体盒式结构，所述微带式微波功率探测器包括微波输入端1、微带式结构2、微波输出端3和电测量端4，所述微波输入端1连接微带式结构2，所述微带式结构2连接微波输出端3，所述微带式结构2连接电测量端4；
所述微波输入端1，用于输入微波信号至微带式结构2；
所述微带式结构2，基于霍尔效应，采用微带线结构，将霍尔元件置于外壳体内的微带对称式微波正交电磁场内，产生霍尔电压并输出所述霍尔电压至电测量端4；
具体地，所述微带式结构2中将霍尔元件置于外壳体内的微波正交电磁场内，是在不附加任何外来电场和磁场的情况下，以微波自身交变电场为外加电场，以微波自身交变磁场为外加磁场。所述微带式结构2内通过环氧材料的浇注或填充及使盒式结构封装接地，来构成完整的微带对称式微波正交电磁场分布；
所述微波输出端3，用于传输并输出经过所述微带式结构2后的微波信号；
所述电测量端4，用于根据所述微带式结构2输出的霍尔电压进行微波功率测量，从而实现线性测量微波功率。
其中，所述微波输入端1和微波输出端3均采用SMA头，所述电测量端4采用Q9头。
作为进一步地实施，所述微带式结构2包括金属外壳21，所述金属外壳21接地，且金属外壳21为长方体壳体；
所述外壳21内沿所述微波输入端1至微波输出端3方向设置有微带线22，所述微带线22一端连接微波输入端1，另一端连接微波输入端1；所述外壳21内的微带线22上方竖向设置有印制电路板23，所述印制电路板23上设置有霍尔元件24，所述霍尔元件24连接所述电测量端4；具体地，所述霍尔元件是能够实现霍尔效应的器件，所述霍尔元件采用金属薄片或者半导体薄片等均可。
在微带线22、印制电路板23和霍尔元件24的周围通过填充介质25浇注或填充介质25块材填充方式进行外壳21内剩余空间的浇注或填充。
具体地，微带线22采用铜材质。
作为进一步地实施，所述印制电路板23边缘金属化，安装形成微带线22印制电路板23和霍尔元件24—接地之间的电路对接。
作为进一步地实施，所述的通过填充介质浇注25或填充介质25块材填充方式是采用环氧材料浇注或环氧块材填充。
作为进一步地实施，根据所述微带线22所需的特征阻抗，确定所述霍尔元件24的放置位置、微带线22的尺寸参数和金属外壳21的尺寸参数；减小微波功率探测器的反射和插入损耗；
所述微带线22的尺寸参数包括微带线长度、微带线宽度、微带线厚度和与微带线离金属外壳21的距离；
金属外壳21的尺寸参数包括金属外壳长度、金属外壳宽度和金属外壳高度；
所述微带线长度等于所述金属外壳长度。
作为进一步地实施，所述微带式微波功率探测器包括通过式微带微波功率探测器和吸收式微带微波功率探测器；
所述通过式微带微波功率探测器，用于插入式测量；
所述吸收式微带微波功率探测器，用于终端式测量。
如图1所示，本发明基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，采用环氧材料浇注或模块填充方式构成对称式结构，长方体盒式结构的金属外壳接地形成微波的边界条件，以微波电磁场分布为基础，确定以图4中的A-A面放置霍尔元件以及微带现尺寸参数(包括：微带线长度L、微带线宽度w、微带线厚度t、与微带线离金属外壳21的距离h)和金属外壳尺寸参数，计算了微带线的特征阻抗，减小微波功率探测器的反射和插入损耗。
本发明利用印制板边缘金属化方式，实现微带线—器件—接地之间的电路连接，嵌入介电常数为4的环氧材料(或其他介电材料)中，构成完整的微波功率探测器。
实施例2
如图5所示，本实施例与实施例1的区别在于，使用实施例1所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的测量系统，该测量系统包括微带式微波功率探测器5、微波源6、功率计7、微伏电压表8、低噪声放大器9和存储示波器10；
所述微波源6连接所述微带式微波功率探测器的输入端，所述微波源6还连接功率计7；所述微带式微波功率探测器的输出端连接微伏电压表8，所述微带式微波功率探测器的输出端还连接低噪声放大器9，所述低噪声放大器9连接存储示波器10。
所述微波源6产生微波信号，并把所述微波信号输入至所述微带式微波功率探测器5，通过所述微带式微波功率探测器5内的霍尔元件在微波正交电磁场内产生霍尔电压，并输出霍尔电压至所述微伏电压表8，并由所述微伏电压表8读出霍尔电压值；该霍尔电压值与输入的功率值是呈一定线性关系的，从而完成测量；
同时，所述微带式微波功率探测器5还输出霍尔电压至所述低噪声放大器9进行放大处理，并输出放大处理后的霍尔电压至存储示波器10，通过存储示波器10观测测量的时间响应参数，验证实时性特性。
本发明设计了霍尔元件的印制板，对霍尔元件的偏置电阻，耦合电容串接电阻以及滤波输出电路参数开展优化取舍，确定了最佳参数，搭建整体微波功率测量系统，如图5所示。
本发明得到良好的原理性实验结果，在宽频带，线性性能，瞬态性等方面的性能与预估(计算)情况一致。本发明具有广泛的应用领域和市场前景，在民用通信，军事工业，基础科研，航天航空等方面都将发挥重大作用。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述微带式微波功率探测器采用盒式结构，所述微带式微波功率探测器包括微波输入端（1）、微带式结构（2）、微波输出端（3）和电测量端（4），所述微波输入端（1）连接微带式结构（2），所述微带式结构（2）连接微波输出端（3），所述微带式结构（2）连接电测量端（4）；
所述微波输入端（1），用于输入微波信号至微带式结构（2）；
所述微带式结构（2），基于霍尔效应，采用微带线结构，将霍尔元件置于外壳体内的微带对称式微波正交电磁场内，产生霍尔电压并输出所述霍尔电压至电测量端（4）；
所述微波输出端（3），用于传输并输出经过所述微带式结构（2）后的微波信号；
所述电测量端（4），用于根据所述微带式结构（2）输出的霍尔电压进行微波功率测量，从而实现线性测量微波功率；
所述微带式结构（2）中将霍尔元件置于外壳体内的微波正交电磁场内，是在不附加任何外来电场和磁场的情况下，以微波自身交变电场为外加电场，以微波自身交变磁场为外加磁场。
2.根据权利要求1所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述微带式结构（2）内通过环氧材料的浇注或填充及使盒式结构封装接地，来构成完整的微带对称式微波正交电磁场分布。
3.根据权利要求2所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述微带式结构（2）包括金属外壳（21），所述金属外壳（21）接地，且金属外壳（21）为长方体壳体；
所述金属外壳（21）内沿所述微波输入端（1）至微波输出端（3）方向设置有微带线（22），所述微带线（22）一端连接微波输入端（1），另一端连接微波输入端（1）；所述金属外壳（21）内的微带线（22）上方竖向设置有印制电路板（23），所述印制电路板（23）上设置有霍尔元件（24），所述霍尔元件（24）连接所述电测量端（4）；
在微带线（22）、印制电路板（23）和霍尔元件（24）的周围通过填充介质浇注或填充介质块材填充方式进行金属外壳（21）内剩余空间的浇注或填充。
4.根据权利要求3所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述印制电路板（23）边缘金属化，安装形成微带线（22）印制电路板（23）和霍尔元件（24）—接地之间的电路对接。
5.根据权利要求3所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述的通过填充介质浇注或填充介质块材填充方式是采用环氧材料浇注或环氧块材填充。
6.根据权利要求3所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，根据所述微带线（22）所需的特征阻抗，确定所述霍尔元件（24）的放置位置、微带线（22）的尺寸参数和金属外壳（21）的尺寸参数；
所述微带线（22）的尺寸参数包括微带线长度、微带线宽度、微带线厚度和与微带线离金属外壳（21）的距离；
金属外壳（21）的尺寸参数包括金属外壳长度、金属外壳宽度和金属外壳高度；
所述微带线长度等于所述金属外壳长度。
7.根据权利要求1所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述微带式微波功率探测器采用长方体盒式结构；
所述微波输入端（1）和微波输出端（3）均采用SMA头，所述电测量端（4）采用Q9头。
8.根据权利要求1所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器，其特征在于，所述微带式微波功率探测器包括通过式微带微波功率探测器和吸收式微带微波功率探测器；
所述通过式微带微波功率探测器，用于插入式测量；
所述吸收式微带微波功率探测器，用于终端式测量。
9.使用如权利要求1至8中任一所述的基于霍尔效应的微带式微波功率探测器的测量系统，其特征在于，该测量系统包括微带式微波功率探测器（5）、微波源（6）、功率计（7）、微伏电压表（8）、低噪声放大器（9）和存储示波器（10）；
所述微波源（6）连接所述微带式微波功率探测器的输入端，所述微波源（6）还连接功率计（7）；所述微带式微波功率探测器的输出端连接微伏电压表（8），所述微带式微波功率探测器的输出端还连接低噪声放大器（9），所述低噪声放大器（9）连接存储示波器（10）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210866766.2A CN115128341B (zh) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210866766.2A CN115128341B (zh) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115128341A CN115128341A (zh) | 2022-09-30 |
| CN115128341B true CN115128341B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=83384537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210866766.2A Active CN115128341B (zh) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115128341B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101153882A (zh) * | 2006-09-30 | 2008-04-02 | 李鸿 | 利用霍尔器件作电功率测量的方法和装置 |
| RU2451942C1 (ru) * | 2011-01-11 | 2012-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого | Селективный детектор свч-мощности |
| CN106990284A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-07-28 | 电子科技大学 | 一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法 |
| CN108594006A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-28 | 南京邮电大学 | 基于霍尔效应的微波功率传感器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6392400B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-05-21 | Schlumberger Resource Management Services | High linearity, low offset interface for Hall effect devices |
-
2022
- 2022-07-22 CN CN202210866766.2A patent/CN115128341B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101153882A (zh) * | 2006-09-30 | 2008-04-02 | 李鸿 | 利用霍尔器件作电功率测量的方法和装置 |
| RU2451942C1 (ru) * | 2011-01-11 | 2012-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого | Селективный детектор свч-мощности |
| CN106990284A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-07-28 | 电子科技大学 | 一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法 |
| CN108594006A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-28 | 南京邮电大学 | 基于霍尔效应的微波功率传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115128341A (zh) | 2022-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6856131B2 (en) | Magnetic sensor, side-opened TEM cell, and apparatus using such magnetic sensor and side-opened TEM cell | |
| US7538562B2 (en) | High performance miniature RF sensor for use in microelectronics plasma processing tools | |
| US20040257168A1 (en) | Coupling device | |
| CN104297567B (zh) | 用于测量超高频射频识别电子标签上天线阻抗的夹具 | |
| CN110806506B (zh) | 一种用于射频频段电接触元件的接触阻抗测量系统及方法 | |
| US10001521B1 (en) | Transistor test fixture with integrated couplers and method | |
| CN111693751A (zh) | 一种铜排电流传感器 | |
| US7375534B2 (en) | Method and apparatus for measuring high-frequency electrical characteristics of electronic device, and method for calibrating apparatus for measuring high-frequency electrical characteristics | |
| JP5418424B2 (ja) | 電磁界プローブ | |
| CN115128341B (zh) | 基于霍尔效应的微带式微波功率探测器 | |
| US20190140480A1 (en) | Wireless power transfer systems, methods and transmitters therefor | |
| JP7016238B2 (ja) | 方向性結合器 | |
| JP2010088011A (ja) | 方向性結合器 | |
| US9529027B2 (en) | Method for estimating PCB radiated emissions | |
| JP3912428B2 (ja) | 電子部品の高周波電気特性測定方法および装置、高周波電気特性測定装置の校正方法 | |
| CN112379312B (zh) | 一种电路表面宽带磁场的垂直测量方法 | |
| Getsinger | Measurement of the characteristic impedance of microstrip over a wide frequency range | |
| US7525323B1 (en) | Method for measuring permeability of a ferromagnetic material in an integrated circuit | |
| JP4918681B2 (ja) | 平行平板型透磁率測定装置及び透磁率測定方法 | |
| Paoletti et al. | Application of a Miniature Parallel Strip Line to Hard Disk Drive Immunity Test | |
| Wei et al. | Development of transient electric field sensor based on microstrip line | |
| KR20010092583A (ko) | 표면탄성파 필터의 측정용 지그 구조 | |
| JP2012013582A (ja) | ノイズ測定用ケーブル及びノイズ測定装置 | |
| JPH0225182Y2 (zh) | ||
| WO2019188113A1 (ja) | 高周波モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |