CN115101692A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括基底以及形成在所述基底上的挡墙；所述挡墙在所述基底上分隔出多个子像素区域；所述挡墙的朝向子像素区域的侧边的与所述基底的相接处被配置为具有经激光刻蚀处理后获得的第一坡度，所述第一坡度大于设定值。上述显示基板，其挡墙的朝向子像素区域的侧边具有经过激光刻蚀处理获得的第一坡度，一方面，可以减小挡墙的向子像素区域延伸的距离，增大开口区的面积，从而能够提高显示基板的开口率。另一方面，在挡墙的与基底的相接处具有更大的坡度的情况下，喷墨打印在子像素区域的液滴不易产生攀爬现象，从而有助于提高成膜均匀性，增强显示品质。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)因具有自发光、亮度高、对比度高、响应速度快、视角宽、结构简单以及柔性显示等诸多优点，获得飞速的发展，并广泛应用于显示产品中。相较于常规蒸镀方式制作OLED器件面临材料利用率低等问题，喷墨打印技术(IJP)以其材料利用率高、成本低等优势在平板显示领域中逐步得到广泛应用，其中喷墨打印技术的打印方式有Side by Side(SBS)和Line bank等，Line bank打印方式因具有打印均匀性高、速度快等优势而在OLED器件生产中得到较广泛的使用。

在采用喷墨打印的方式制备OLED器件中的发光层等结构时，需要预先在基板上制作像素界定层，一般表现为具有一定高度的挡墙，其可以限定墨滴精确的喷入指定的像素的发光区域内。

现有技术中，在以喷墨打印的方式制备OLED器件时，存在的一些技术问题时：

挡墙结构的和基板的相接处的坡度较小，在挡墙的底侧部具有较长的过渡区，该部分过渡区的厚度较小，但向像素区延伸较长的距离。该部分过渡区不透光，限制了每个像素的开口区的面积，导致显示装置的开口率不高，特别是对于高分辨率的显示装置而言，会更明显地影响显示装置的亮度上限。而且，该部分过渡区的存在，也会导致喷墨打印在像素区的液滴和挡墙结构之间产生明显的攀爬现象，这样会影响成膜均匀性，从而影响显示品质。

发明内容

本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决上述现有技术中挡墙结构影响开口率和导致喷墨打印的液滴产生攀爬现象的技术问题。

本发明提供的显示基板，其包括基底以及形成在所述基底上的挡墙；所述挡墙在所述基底上分隔出多个子像素区域；所述挡墙的朝向子像素区域的侧边的与所述基底的相接处被配置为具有经激光刻蚀处理后获得的第一坡度，所述第一坡度大于设定值。

其中，所述第一坡度的范围在60～90度之间。

其中，所述挡墙包括亲水层、疏水层和覆盖层；所述疏水层形成在所述亲水层的上方，所述覆盖层覆盖在所述亲水层和疏水层的上方。

其中，所述挡墙还包括导热层，所述亲水层、疏水层和覆盖层环套在所述导热层的外侧，且所述导热层自所述亲水层的底端延伸至所述覆盖层的上端。

其中，所述挡墙还包括相变储能层，所述相变储能层为相变材料；所述相变储能层形成在所述覆盖层和导热层的上方，且与所述导热层相接。

其中，所述相变储能层的材质为有机相变材料和无机相变材料的混合物。

其中，所述相变储能层中的有机相变材料为石蜡或醋酸；所述相变储能层中的无机相变材料为金属、金属合金、结晶水合盐或熔融盐。

本发明提供的显示基板的制备方法，其包括：

在基底上形成挡墙结构；

对所形成的挡墙结构的与基底相接处进行激光刻蚀，以使所述挡墙结构的与基底之间的坡度为大于设定值的第一坡度。

其中，在基底上形成挡墙结构的步骤包括：

在基底上形成亲水材料层；

在亲水材料的上方形成疏水材料层；

对基底上所形成的亲水材料层、疏水材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成亲水层和疏水层的图形；

在亲水材料层和形成疏水材料层的上方形成覆盖层的材料；

对覆盖层的材料进行曝光、显影和刻蚀，以形成覆盖层的图形。

其中，在基底上形成挡墙结构的步骤还包括：

在基底上形成导热材料层；

对基底上所形成的导热材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成导热层的图形；

形成导热材料层和形成导热层的图形的步骤在形成所述亲水材料层的步骤前进行。

其中，所述显示基板的制备方法包括：

在覆盖层和导热层的上方形成相变储能材料层；

对所形成的相变储能材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成相变储能层的图形，所形成的相变储能层与所述导热层的上端相接。

本发明提供的显示装置，其包括上述的显示基板。

本发明提供的上述显示基板及其制备方法、显示装置与现有技术相比具有如下优点：

本发明提供的显示基板，其挡墙的朝向子像素区域的侧边具有经过激光刻蚀处理获得的第一坡度，由于激光是具有较高准直性的，采用激光刻蚀形成挡墙，可以将挡墙的与基底相接处的向子像素区域的较长延伸区域去除，使挡墙的与基底的相接处具有更大的坡度。这样设置，一方面，可以减小挡墙的向子像素区域延伸的距离，增大开口区的面积，从而能够提高显示基板的开口率。另一方面，在挡墙的与基底的相接处具有更大的坡度的情况下，喷墨打印在子像素区域的液滴不易产生攀爬现象，从而有助于提高成膜均匀性，增强显示品质。

本发明提供的显示基板的制备方法，其采用激光刻蚀的工艺制备出上述的显示基板，具有与上述显示基板一致的有益效果，不再赘述。

本发明提供的显示装置，其包括上述的显示基板，具有与上述显示基板一致的有益效果，不再赘述。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中的显示基板的制备方法的流程示意图。

图中：

10-基底；20-挡墙；

201-亲水层；202-疏水层；203-覆盖层；204-导热层；205-相变储能层；206-绝缘填充层。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置的实施例进行说明。

在本发明的显示基板的一个实施例中，参看图1，显示基板包括基底10以及形成在基底10上的挡墙20。挡墙20在基底10上分隔出多个子像素区域。挡墙20的朝向子像素区域的侧边的与基底10的相接处被配置为具有经激光刻蚀处理后获得的第一坡度，所述第一坡度大于设定值。

如背景技术部分所述，现有的显示产品中，其挡墙的坡度较小，与基底的相接处具有向子像素区域延伸较长的过渡区，该过渡区一方面导致开口区的面积较小，另一方面还会导致明显的攀爬现象。产生上述问题的原因在于，在制备挡墙时，通常是首先在基底上沉积或涂覆挡墙的材料，然后通过曝光、显影和刻蚀等工艺形成挡墙的结构，采用这种方法制备出的挡墙结构的与基底的相接处的坡度会较小，会具有上述的过渡区。

而在本发明的实施例中，对于挡墙20，将其配置为经过激光刻蚀处理的结构，激光是具有较高准直性的，采用激光刻蚀形成挡墙20，可以将挡墙20的与基底10相接处的向子像素区域的较长延伸区域去除，使挡墙20的与基底10的相接处具有更大的坡度，能够达到第一坡度的下限之上。这样设置，一方面，减小了挡墙20的向子像素区域延伸的距离，可以增大开口区的面积，从而能够提高显示基板的开口率。另一方面，在挡墙20的与基底10的相接处具有更大的坡度的情况下，喷墨打印在子像素区域的液滴不易产生攀爬现象，从而有助于提高成膜均匀性，增强显示品质。

在本发明的一个实施例中，所述第一坡度的范围在60～90度之间。在挡墙20的与基底10的相接处之间的坡度处于该范围区间时，挡墙20的向子像素区域延伸的长度不至于过大，从而能够保证开口率；而且，在该坡度范围内，还可以有效地改善子像素区域内喷墨打印的液体的攀爬现象。

在本发明的实施例中，挡墙20的与基底10之间相接的第一坡度，可以是挡墙20的下端(与基底10相接的端部)侧部的实际坡度角。也可以是，挡墙20的上端和下端的侧边边缘处(图1中A点和B点)之间的连线与基底10之间的夹角。

在本发明的一个实施例中，挡墙20包括亲水层201、疏水层202和覆盖层203。疏水层202形成在亲水层201的上方，覆盖层203覆盖在亲水层201和疏水层202的上方。具体地，亲水层201的材料具体可以为ITO(氧化铟锡)、Ag(银)等。采用这些亲水性材质形成的亲水层201，其与基底10之间的亲和性好，有利于喷墨打印在子像素区域的液滴的铺展。一般地，亲水层201的厚度可以为10～30纳米。在子像素区域内待形成的器件为OLED器件时，亲水层201的厚度可以设置为与OLED器件中的空穴注入层具有基本一致的厚度。疏水层202的材质可以为含F(氟)的无机物。疏水层202的厚度可以为10～50纳米。在子像素区域内待形成的器件为OLED器件时，疏水层202的厚度可以设置为与OLED器件中的空穴传输层具有基本一致的厚度。疏水层202有利于降低喷墨打印在子像素区域的液滴在挡墙20侧边上的攀爬现象。覆盖层203的材质可以为有机胶材，其厚度可以为0.5～2微米。

在本发明的一个实施例中，挡墙20不仅可以包括上述的亲水层201、疏水层202和覆盖层203，其还可以包括导热层204，亲水层201、疏水层202和覆盖层203环套在导热层204的外侧，且导热层204自亲水层201的底端延伸至覆盖层203的上端。导热层204可以在显示基板的工作过程中，将例如OLED器件等发出的热量向外界传导。导热层204的材质可以为Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、Al(铝)、Mg(镁)等具有较好导热特性的金属，导热层204的厚度可以为1～2微米。

在本发明的一个实施例中，挡墙20还可以包括绝缘填充层206，绝缘填充层206可以形成在导热层204的外侧，并将导热层204包裹。绝缘填充层的材质具体可以为金属氧化物，如Al₂O₃、MGO、ZnO、NiO等，金属氮化物，如AlN、Si₃N₄、BN，以及SiC陶瓷等材料。这些材料使绝缘填充层206既具有较高的导热性能，也具有良好的绝缘性能。设置绝缘填充层206环绕导热层204，一方面辅助导热层204进行热传导，提高热传导的效率，另一方面还可以降低挡墙20整体的导电性能。绝缘填充层206的高度(在图示纵向上的尺寸)可以在1～2微米之间，与导热层204一致；导热层206的宽度(在图示横向上的尺寸)可以为0.5～1微米。

在本发明的一个实施例中，挡墙20不仅包括亲水层201、疏水层202、覆盖层203和导热层204，其还包括相变储能层205，相变储能层205形成在覆盖层203和导热层204的上方，且与导热层204相接。设置相变储能层205，可以吸收导热层204所传导的热量，从而降低显示基板上相关器件和区域的温度，避免其温度过高，有助于避免因局部区域温度过高而出现显示异常或器件的损坏。

在本发明的一个实施例中，相变储能层205为相变材料。相变材料具有良好的热交换性能，其可以有效且快速地从外界吸收热量储存。在本实施例中，可以有效地从显示基板的相关区域中吸收传导而来的热量，降低该部分相关区域的温度。

具体地，相变储能层205为可以为无机相变材料和有机相变材料混合得到的复合相变材料。其中，无机相变材料可以选择金属、金属合金、结晶水合盐、熔融盐等，有机相变材料可以为石蜡、醋酸等。

在实施本发明的显示基板时，挡墙20不限于上述列举的实施例中的结构，其还可以是其他的各种结构。例如亲水层201、疏水层202、覆盖层203、导热层204和相变储能层205中的一个或多个均可以缺省，或者挡墙20为完全不同的另外的构造，只要挡墙20具有一定的高度，能够在基底上限定出子像素区域，且其朝向子像素区域的侧边经过激光刻蚀处理为具有第一坡度即可。

本发明上述实施例提供的显示基板，其挡墙20的朝向子像素区域的侧边具有经过激光刻蚀处理获得的第一坡度，由于激光是具有较高准直性的，采用激光刻蚀形成挡墙20，可以将挡墙20的与基底10相接处的向子像素区域的较长延伸区域去除，使挡墙20的与基底10的相接处具有更大的坡度。这样设置，一方面，可以减小挡墙20的向子像素区域延伸的距离，增大开口区的面积，从而能够提高显示基板的开口率。另一方面，在挡墙20的与基底10的相接处具有更大的坡度的情况下，喷墨打印在子像素区域的液滴不易产生攀爬现象，从而有助于提高成膜均匀性，增强显示品质。

在本发明的显示基板的制备方法的一个实施例中，显示基板的制备方法包括以下步骤S1～S2，如图2所示。

步骤S1，在基底上形成挡墙结构。

在步骤S1中，所形成的挡墙结构在基底上限定出多个子像素区域，每个子像素区域用于经喷墨打印等方式形成OLED等发光器件中的至少部分结构。

待形成的挡墙结构可以具有呈现不同的结构形式，以图1所示的挡墙20为例，待形成的挡墙结构可以具有亲水层201、疏水层202、覆盖层203、导热层204和相变储能层205等结构，在将其形成在基底上时，包括以下步骤S11～S17，如图2所示。

步骤S11，提供一基底10，在基底上形成TFT等结构。

在步骤S11中，基底10的材质可以为玻璃或其他材质，如聚酰亚胺等。

步骤S12，形成导热层204的图形。

在步骤S12中形成导热层的图形时，首先在基底上以沉积或溅射等方式形成一个导热材料层，该导热材料层的材质具体可以为Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)、Al(铝)、Mg(镁)等中的一种或多种。然后，涂覆光刻胶，经过曝光、显影和刻蚀等步骤获得导热层204的图形。

步骤S13，形成环绕导热层204的绝缘填充层206的图形。

在步骤S13中形成绝缘填充层206的图形时，首先以沉积或溅射等方式形成一个绝缘材料层，该绝缘材料层的材质具体可以为金属氧化物，如Al₂O₃、MGO、ZnO、NiO等，金属氮化物，如AlN、Si₃N₄、BN，以及SiC陶瓷等材料。这些材料可以使绝缘填充层206既具有较高的导热性能，也具有良好的绝缘性能。然后，涂覆光刻胶，经过曝光、显影和刻蚀等步骤获得绝缘填充层206的图形。

绝缘填充层206环绕导热层204，一方面辅助导热层204进行热传导，提高热传导的效率，另一方面还可以降低挡墙20整体的导电性能。绝缘填充层206的高度(在图示纵向上的尺寸)可以在1～2微米之间，与导热层204一致；导热层206的宽度(在图示横向上的尺寸)可以为0.5～1微米。

步骤S14，形成亲水层201的图形。

在步骤S14中，形成亲水层201的图形时，首先以沉积等方式形成一层亲水材料。然后，涂覆光刻胶，经过曝光、显影和刻蚀等步骤获得亲水层201的图形。

具体地，所选择的亲水材料具体可以是ITO、Ag等。这些亲水材料与基底10的亲和性好，在进行喷墨打印时，有助于子像素区域内的液滴的铺展。

所形成的亲水层201的厚度可以为10～30纳米。在子像素区域内所形成的显示器件为OLED时，亲水层201的厚度可以配置为与空穴注入层的厚度基本一致。

步骤S15，形成疏水层202的图形。

在步骤S15中，形成疏水层202的图形时，首先以沉积等方式形成一层疏水材料。然后，涂覆光刻胶，经过曝光、显影和刻蚀等步骤获得疏水层202的图形。

具体地，所选择的疏水材料具体可以是含F(氟)的无机物等。所形成的疏水层202的厚度可以为10～50纳米。在子像素区域内所形成的显示器件为OLED时，疏水层202的厚度可以配置为与空穴传输层的厚度基本一致。

步骤S16，形成覆盖层203的图形。

在步骤S16中，形成覆盖层203的图形时，首先以沉积等方式形成一层材料。然后，涂覆光刻胶，经过曝光、显影和刻蚀等步骤获得覆盖层203的图形。

具体地，所选择的材料具体可以是有机胶材等。所形成的覆盖层203的厚度可以为0.5～2微米。

具体地，在步骤S14、S15和S16中的曝光、显影和刻蚀可以在一次工艺中实现。此时，在形成亲水材料层后，不进行曝光和刻蚀等工艺，继续形成疏水材料层，此时仍不进行曝光和刻蚀等工艺，然后形成覆盖层203的材料，最后，进行一次曝光、显影和刻蚀工艺，在该一次工艺中，同时形成亲水层201、疏水层202和覆盖层203的图形。

步骤S2，对所形成的挡墙结构的与基底相接处进行激光刻蚀，以使所述挡墙结构的与基底之间的坡度为大于设定值的第一坡度。

在步骤S2中，以上述S11～S16所形成的挡墙结构(挡墙结构的一部分，尚未形成挡墙的完整结构，其他未形成的结构在步骤S2后进行)为例，对亲水层201、疏水层202和覆盖层203的向子像素区域延伸的部分进行激光刻蚀。

在该步骤中，使用激光照射亲水层201、疏水层202和覆盖层203的向子像素区域延伸的部分，可以将该部分去除。由于激光具有较高的准直性，通过激光刻蚀所塑造的亲水层201、疏水层202和覆盖层203的与基底10相接的边缘能够具有较大的坡度，其坡度能够在第一坡度的下限之上。

经上述处理形成的挡墙20，其向子像素区域延伸的部分变小，与基底10的相接处具有更大的坡度。这样一方面可以增大子像素区域面积，即增大开口区的面积，从而能够提高显示基板的开口率。另一方面，在挡墙20的与基底10的相接处具有更大的坡度的情况下，喷墨打印在子像素区域的液滴不易产生攀爬现象，从而有助于提高成膜均匀性，增强显示品质。

在该步骤中，经激光刻蚀处理后，挡墙结构的第一坡度，及亲水层201、疏水层202和覆盖层203等与基底10相接处的坡度的范围可以在60～90度之间。

具体地，挡墙20的与基底10之间相接的第一坡度，可以是挡墙20的下端(与基底10相接的端部)侧部的实际坡度角。也可以是，挡墙20的上端和下端的侧边边缘处(图1中A点和B点)之间的连线与基底10之间的夹角。

步骤S17，形成相变储能层205的图形。

在步骤S17中，形成相变储能层205的图形时，首先以沉积等方式在覆盖层和导热层的上方形成相变储能材料层；然后涂覆光刻胶，对所形成的相变储能材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成相变储能层的图形，所形成的相变储能层与所述导热层的上端相接。

具体地，所选择的相变材料可以为复合相变材料，该复合相变材料可以为有机相变材料和无机相变材料的混合物。其中的无机相变材料可以选择金属、金属合金、结晶水合盐、熔融盐等，有机相变材料可以为石蜡、醋酸等。

步骤S17中所形成的相变储能层205的厚度可以0.05～1微米。相变材料层205的储能密度可以在100J/g以上，以获得良好的储能效果。

在步骤S17中所形成的相变储能层205，其可以吸收导热层204所传导的热量，从而降低显示基板上相关器件和区域的温度，避免其温度过高，有助于避免因局部区域温度过高而出现显示异常或器件的损坏。

而且对于相变储能层205，可以通过配置其所选择的有机相变材料和无机相变材料的种类选择及配比，设置其相变温度接近临界温度，该临界温度具体可以是显示基板上的相关区域(如子像素区域形成的OLED等发光器件)因高温发生显示不良或出现器件被破坏、分解等情况的温度。通过设置相变储能层205的温度低于但接近该邻接温度，可以在显示基板的相关区域出现异常之前发生相变，变化为流体，覆盖在该相关区域，在该区域形成器件短路，该局部相关区域变为暗点，从而避免显示基板上因高温出现异常的亮点(对于显示基板而言，亮点相比于暗点会更影响显示效果，且暗点更容易处理)或者导致整个显示基板因高温而被破坏的情况。

在本发明的显示装置的一个实施例中，显示装置包括上述的显示基板。

在一个实施例中，显示装置具体可以为OLED显示装置或者QLED显示装置等。

本发明实施例中的显示装置，其包括上述的显示基板，因此具有与上述显示基板一致的有益效果，不再赘述。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括基底以及形成在所述基底上的挡墙；所述挡墙在所述基底上分隔出多个子像素区域；

所述挡墙的朝向子像素区域的侧边的与所述基底的相接处被配置为具有经激光刻蚀处理后获得的第一坡度，所述第一坡度大于设定值。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一坡度的范围在60～90度之间。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙包括亲水层、疏水层和覆盖层；

所述疏水层形成在所述亲水层的上方，所述覆盖层覆盖在所述亲水层和疏水层的上方。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙还包括导热层，所述亲水层、疏水层和覆盖层环套在所述导热层的外侧，且所述导热层自所述亲水层的底端延伸至所述覆盖层的上端。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙还包括相变储能层，所述相变储能层为相变材料；所述相变储能层形成在所述覆盖层和导热层的上方，且与所述导热层相接。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述相变储能层的材质为有机相变材料和无机相变材料的混合物。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述相变储能层中的有机相变材料为石蜡或醋酸；

所述相变储能层中的无机相变材料为金属、金属合金、结晶水合盐或熔融盐。

8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板的制备方法包括：

在基底上形成挡墙结构；

对所形成的挡墙结构的与基底相接处进行激光刻蚀，以使所述挡墙结构的与基底之间的坡度为大于设定值的第一坡度。

9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在基底上形成挡墙结构的步骤包括：

在基底上形成亲水材料层；

在亲水材料的上方形成疏水材料层；

对基底上所形成的亲水材料层、疏水材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成亲水层和疏水层的图形；

在亲水材料层和形成疏水材料层的上方形成覆盖层的材料；

对覆盖层的材料进行曝光、显影和刻蚀，以形成覆盖层的图形。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在基底上形成挡墙结构的步骤还包括：

在基底上形成导热材料层；

对基底上所形成的导热材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成导热层的图形；

形成导热材料层和形成导热层的图形的步骤在形成所述亲水材料层的步骤前进行。

11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板的制备方法包括：

在覆盖层和导热层的上方形成相变储能材料层；

对所形成的相变储能材料层进行曝光、显影和刻蚀，以形成相变储能层的图形，所形成的相变储能层与所述导热层的上端相接。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～7中任意一项所述的显示基板。

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