CN115084810A - 小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,属于微波元器件技术领域,包括直波导段(1),在所述直波导段(1)的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔(2),在两个所述完全尺寸耦合腔(2)之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B(5),所述不完全尺寸耦合腔B(5)的一边与完全尺寸耦合腔(2)平齐;本发明在低通滤波器的基础上,增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔,通过耦合腔宽边尺寸变化,在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下,有效抑制了波导系统中TE20模的传播,实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制,从而能够以较小的尺寸(小至17mm),实现矩形波导系统高频主要模式的抑制,避免干扰或烧毁电子通讯设备。
Description
技术领域
本发明涉及微波元器件技术领域,尤其涉及一种小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器。
背景技术
采用矩形波导系统传输微波信号时,往往产生高频谐波,具体而言:
(1)武器装备发展趋势之一是功率容量的不断提高,但高功率发射机难于达到高的谐波谱纯度,因此传输的功率中存在高频谐波能量,若不进行抑制,可能达到甚至超过临近电子通讯设备的工作功率,会严重干扰甚至烧毁电子通讯设备;
(2)现有武器装备部分采用双频天线,低频发射信号中的高频谐波容易干扰高频信号的传输与接收;
(3)微波传输系统中也会产生高频谐波,如不对称的波导同轴转换,高功率下波导环行器中的铁氧体基片。
究其原因,矩形波导传输系统中,存在多个传输模式,包括主模TE10模,高频还存在TE20模与TE01模等模式。滤波器则是在需要的频段范围让主模通过,带外高频或低频则根据需要,对主模和部分高次模进行抑制。
为了对主模和部分高次模进行抑制,目前的滤波器采用的主要方案如下:
现有方案一:低通滤波器结构,如图1所示,包括直波导段1,直波导段1的中间部分为完全尺寸耦合腔2,其中直波导段1包括波导宽边11和波导窄边12,在波导宽边11传输方向,先压缩了波导口窄边尺寸,再增加了完全尺寸耦合腔2,所述的“完全尺寸耦合腔2”的宽边尺寸与直波导段1的波导宽边11尺寸一致,但是窄边尺寸变化。这种结构的特点是传输方向尺寸小,图中最小传输尺寸为12mm(需要说明的是:这里的“最小传输尺寸”是指做完后的波导滤波器整体尺寸,从输入到输出口的,图中不是完全产品,在现有图1中无法准确标注,但产品的传输尺寸是通用的),可抑制TE10模与TE01模,但不能抑制TE20模,其工作频率回波损耗(图2中的“b”)与传输损耗(图2中的“a”)仿真曲线如图2所示,谐波频率传输损耗仿真曲线如图3所示,从图3可以看出,谐波频率中TE10模(图3中的“B”)与TE01模(图3中的“A”)抑制可达60dB,但TE20模(图3中的“C”)抑制度0~10dB;
现有方案二:带阻滤波器结构,如图4所示,在波导宽边传输方向,保持波导窄边尺寸不变的情况下,在对称于波导口中心的位置上,增加了宽度小于波导宽边的不完全尺寸耦合腔A3结构。这种结构的特点是传输方向尺寸小,图中最小传输尺寸为14mm,可抑制TE10模与TE01模,但不能抑制TE20模,其工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线如图5所示,谐波频率传输损耗仿真曲线如图6所示,从图6可以看出,谐波频率中TE10模抑制达到45dB,TE01模抑制可达60dB,但TE20模抑制度未见衰减;
现有方案三:谐波吸收式波导滤波器结构,如图7所示,在波导传输方向,增加了许多耦合吸收腔体,并在腔体中填充吸波材料。这种结构的特点是各种模式均可吸收,但传输方向尺寸大,图中最小传输尺寸为71mm,其工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线如图8所示,谐波频率传输损耗仿真曲线如图9所示,从图9中可以看出,谐波频率中TE10模抑制达到36dB,TE01模抑制可达90dB,但TE20模抑制度仅有30dB。
从上述的现有技术可以看出,现有技术的缺点是波导传输系统内高频高阶模谐波抑制度与尺寸的优值低,这些现有的滤波器对TE20模的抑制度较低,TE20模抑制优值(谐波抑制度/最小传输尺寸:dB/mm)低于0.5;而对TE20模有较好抑制效果的谐波吸收式波导滤波器尺寸又非常大,是常规滤波器尺寸的3-4倍,即现有技术难以兼顾小型化和对TE20模的抑制效果。
发明内容
本发明的目的就在于提供一种小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,以解决上述问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是这样的:一种小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,包括直波导段,所述直波导段包括波导宽边和波导窄边,在所述直波导段的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔,在两个所述完全尺寸耦合腔之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B,所述不完全尺寸耦合腔B的一边与完全尺寸耦合腔平齐。
需要说明的是,与背景技术中提及的“现有方案二”,即图4所示的“不完全尺寸耦合腔A”相比,本发明的不完全尺寸耦合腔B需交叉排列,且在波导1/4和3/4处实现对TE20的抑制;而“现有方案二”的带阻滤波器的不完全尺寸耦合腔在1/2处,需要整齐排列,且不对波导窄边进行压缩,从结构方面看,本发明的不完全尺寸耦合腔B另外切掉部分没有完全切掉,还保留了一定高度,具体如图12中虚线之上的部分,这样设置的作用是为了综合驻波匹配和带外抑制性能。
作为优选的技术方案:相邻两个所述不完全尺寸耦合腔B在传输方向的投影不重合。其作用是根据不同模式波的场分布不同,有选择的进行抑制。
作为优选的技术方案:所述完全尺寸耦合腔的高度与直波导段高度一致,不完全尺寸耦合腔B的高度大于直波导段高度。不完全尺寸耦合腔的高度高度不一定增高,用于形成谐振腔,实现滤波功能。
发明人经过大量试验分析得知,在矩形波导(a>b)传输系统中,存在多个传输模式,包括主模TE10模,高频还存在TE01模与TE20模等模式,几种TE波型从波导口看入的的场力线分布如图10所示。
根据波导高低阻抗匹配变化,从波导口宽边尺寸渐变可知,TE20模在波导宽边的1/4和3/4处场强最强,在该位置增加高低阻抗变化,可有效抑制该模式的传播,从图10可以看出, TE10的场强最强的地方在宽边中心1/2的位置,故而可有限地增加TE10模的抑制效果,阻抗匹配原理如图11所示。
本发明的滤波器尤其适用于二次谐波抑制或更高频率谐波抑制,主要特点是在兼顾小型化的基础上能有效抑制TE20模。
与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明在低通滤波器的基础上,增加了波导宽边尺寸变化的耦合腔(这里的“宽边尺寸变化”是指不完全尺寸耦合腔,波导宽边尺寸的大小改变)),通过耦合腔宽边尺寸变化,在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下,有效抑制了波导系统中TE20模的传播,实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制,从而能够以较小的尺寸(低通抑制度在0~10dB,带阻基本不能抑制TE20模,谐波吸收式长度为71mm,本申请长度能够小至17mm),实现矩形波导系统高频主要模式的抑制,避免干扰或烧毁电子通讯设备。
附图说明
图1为现有技术的低通滤波器仿真结构图;
图2为图1的低通滤波器工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线;
图3为图1的低通滤波器谐波频率传输损耗仿真曲线;
图4为现有技术的带阻滤波器仿真结构图;
图5为图4的带阻滤波器工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线;
图6为图4的带阻滤波器谐波频率传输损耗仿真曲线;
图7为现有技术的谐波吸收式波导滤波器仿真结构图;
图8为图7的谐波吸收式波导滤波器工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线;
图9为图7的谐波吸收式波导滤波器谐波频率传输损耗仿真曲线;
图10为矩形波导中的三种典型TE波型图;
图11为本发明的高低阻抗谐波抑制匹配原理图;
图12为本发明实施例1的小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器仿真结构图;
图13为图12的A-A剖视图;
图14为图12的小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线;
图15为图12的小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器谐波频率传输损耗仿真曲线。
图中:1、直波导段;11、波导宽边;12、波导窄边;2、完全尺寸耦合腔;3、不完全尺寸耦合腔A;4、耦合吸收腔体;5、不完全尺寸耦合腔B;a、传输损耗;b、回波损耗;A、TE01模;B、TE10模;C、TE20模。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1:
参见图12和图13,一种小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,包括直波导段1,所述直波导段包括波导宽边11和波导窄边12,在所述直波导段1的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔2,在两个所述完全尺寸耦合腔2之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B5,所述不完全尺寸耦合腔B5的一边与完全尺寸耦合腔2平齐;
本实施例中:相邻两个所述不完全尺寸耦合腔B5在传输方向的投影不重合;
所述完全尺寸耦合腔2的高度与直波导段1高度一致,不完全尺寸耦合腔B5的高度大于直波导段1高度。
本实施例的滤波器,其工作频率回波损耗与传输损耗仿真曲线如图14所示,传输损耗仿真曲线如图15所示,
本实施例在低通滤波器的基础上,增加不完全尺寸耦合腔B5,通过耦合腔波导宽边尺寸变化,即保留波导宽边一半以上的尺寸,在满足对TE10模与TE01模吸收的情况下,有效抑制了波导系统中TE20模的传播,实现波导内高频高阶模谐波的高效抑制。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,其特征在于:包括直波导段(1),所述直波导段包括波导宽边(11)和波导窄边(12),在所述直波导段(1)的中间的左右两端对称设置有两个完全尺寸耦合腔(2),在两个所述完全尺寸耦合腔(2)之间设置有数个不完全尺寸耦合腔B(5),所述不完全尺寸耦合腔B(5)的一边与所述完全尺寸耦合腔(2)平齐。
2.根据权利要求1所述的小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,其特征在于:相邻两个所述不完全尺寸耦合腔B(5)在传输方向的投影不重合。
3.根据权利要求1所述的小型化高频高阶模谐波抑制波导滤波器,其特征在于:所述完全尺寸耦合腔(2)的高度与直波导段(1)高度一致,不完全尺寸耦合腔B(5)的高度大于直波导段(1)高度。
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