CN115078963B - 一种mmic温度特性测试方法 - Google Patents
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- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2822—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配。本发明核心是采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、信号产生器和频谱仪实现MMIC温度特性测试,该核心仪器具有测试小信号温度参数和大信号温度参数的能力,还具有表征线性度温度映射能力。相比于其他传统的测试技术,该技术具有精确度高、可操作性强的优势。本发明可以有效测试MMIC温度特性,为MMIC电路的温度特性测试提供重要参考。
Description
技术领域
本发明涉及电路可靠性与电路设计研究领域,更具体的说,是涉及一种MMIC温度特性测试方法。
背景技术
目前,单片微波集成电路MMIC(Monolithic microwave integrated circuit)广泛应用在微波通讯、雷达系统、航空航天、导弹发射等诸多领域,其发展水平已经成为衡量国家综合国力的重要标志之一。近年来,随着半导体技术的快速发展,器件尺寸在持续减小,晶体管集成度显著提高,使得MMIC的可靠性已经成为射频微波领域亟待解决的难题之一。已经有研究表明,与热效应有关的MMIC失效已达到50%以上,即温度已经成为影响MMIC可靠性的首要因素。因此,对MMIC进行温度研究具有重要的实践意义。
同时,功率放大器(PA)作为发射机系统的末级,是无线发射机前端的核心组件,其性能直接影响着整个系统的通信质量、传输距离和系统功耗。然而,常规设计的PA主要满足常温的性能需求,其在不同温度条件下的性能难以保证。因此,PA的温度行为研究是一个关键的问题。然而,现有的PA的温度特性研究关注的是分立电路在高温与低温条件下的性能变化,涉及到MMIC的研究较少。除此之外,已经有部分研究从不同角度提高了电路稳定性,扼制了温度升高对其造成的退化,这为PA可靠性设计提供了重要的参考。综上所述,对MMICPA开展一种温度特性研究对微波电路可靠性设计具有重要意义,它的研究将进一步增强MMIC在电子信息领域的核心竞争力。
发明内容
本发明的目的是为了研究MMIC温度行为,提出一种MMIC温度特性测试方法,为MMIC的可靠性研究提供重要参考。
本发明解决上述温度行为研究的技术方法和方案如下:一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
与现有技术相比,本发明的技术方案所带来的有益效果是:本发明核心方法采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、信号产生器和频谱仪实现MMIC温度特性测试,该核心仪器具有测试小信号温度参数和大信号温度参数的能力,相比于其他传统的测试技术,该技术具有精确度高、可操作性强的优势。本发明可以有效测试MMIC温度特性,为MMIC电路的温度特性测试提供重要参考。
附图说明
图1为本发明研究方法步骤图;
图2为本发明的MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试与MMIC大信号温度特性测试流程示意图;
图3为本发明的MMIC线性度温度特性测试流程示意图;
图4为本发明的MMIC PA直流特性与映射关系;
图5为本发明的MMIC PA小信号特性与映射关系;
图6为本发明的MMIC PA大信号特性与映射关系;
图7为本发明的MMIC线性度特性与映射关系。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1所示,一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
本发明实施例
现基于一款MMIC功率放大器(PA),对本发明提出一种MMIC温度特性测试方法进行更加详细的说明。
MMIC PA直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA直流温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的直流温度特性合格,映射关系如图4所示;
MMIC PA小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA小信号温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的小信号温度特性合格,映射关系如图5所示;
MMIC PA大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA大信号温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的大信号温度特性合格,映射关系如图6所示;
MMIC PA线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMICPA线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA线性度温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的大信号温度特性合格,映射关系如图7所示;
MMIC PA的测试结果和仿真结果全部匹配,MMIC PA合格,测试方法有效。
综上所述,应用一种MMIC温度特性测试方法,可以为射频微波电路的可靠性研究提供重要参考价值。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
所述MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
所述MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
所述MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
所述MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
所述测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
2.根据权利要求1所述的一种MMIC温度特性测试方法,其特征在于,在测试结果与仿真结果匹配过程中,确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210656627.7A CN115078963B (zh) | 2022-06-10 | 2022-06-10 | 一种mmic温度特性测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210656627.7A CN115078963B (zh) | 2022-06-10 | 2022-06-10 | 一种mmic温度特性测试方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115078963A CN115078963A (zh) | 2022-09-20 |
CN115078963B true CN115078963B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=83252430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210656627.7A Active CN115078963B (zh) | 2022-06-10 | 2022-06-10 | 一种mmic温度特性测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115078963B (zh) |
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2022
- 2022-06-10 CN CN202210656627.7A patent/CN115078963B/zh active Active
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |