CN115078963B - 一种mmic温度特性测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配。本发明核心是采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、信号产生器和频谱仪实现MMIC温度特性测试,该核心仪器具有测试小信号温度参数和大信号温度参数的能力,还具有表征线性度温度映射能力。相比于其他传统的测试技术,该技术具有精确度高、可操作性强的优势。本发明可以有效测试MMIC温度特性,为MMIC电路的温度特性测试提供重要参考。

Description

一种MMIC温度特性测试方法
技术领域
本发明涉及电路可靠性与电路设计研究领域,更具体的说,是涉及一种MMIC温度特性测试方法。
背景技术
目前,单片微波集成电路MMIC(Monolithic microwave integrated circuit)广泛应用在微波通讯、雷达系统、航空航天、导弹发射等诸多领域,其发展水平已经成为衡量国家综合国力的重要标志之一。近年来,随着半导体技术的快速发展,器件尺寸在持续减小,晶体管集成度显著提高,使得MMIC的可靠性已经成为射频微波领域亟待解决的难题之一。已经有研究表明,与热效应有关的MMIC失效已达到50%以上,即温度已经成为影响MMIC可靠性的首要因素。因此,对MMIC进行温度研究具有重要的实践意义。
同时,功率放大器(PA)作为发射机系统的末级,是无线发射机前端的核心组件,其性能直接影响着整个系统的通信质量、传输距离和系统功耗。然而,常规设计的PA主要满足常温的性能需求,其在不同温度条件下的性能难以保证。因此,PA的温度行为研究是一个关键的问题。然而,现有的PA的温度特性研究关注的是分立电路在高温与低温条件下的性能变化,涉及到MMIC的研究较少。除此之外,已经有部分研究从不同角度提高了电路稳定性,扼制了温度升高对其造成的退化,这为PA可靠性设计提供了重要的参考。综上所述,对MMICPA开展一种温度特性研究对微波电路可靠性设计具有重要意义,它的研究将进一步增强MMIC在电子信息领域的核心竞争力。
发明内容
本发明的目的是为了研究MMIC温度行为,提出一种MMIC温度特性测试方法,为MMIC的可靠性研究提供重要参考。
本发明解决上述温度行为研究的技术方法和方案如下:一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
与现有技术相比,本发明的技术方案所带来的有益效果是:本发明核心方法采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、信号产生器和频谱仪实现MMIC温度特性测试,该核心仪器具有测试小信号温度参数和大信号温度参数的能力,相比于其他传统的测试技术,该技术具有精确度高、可操作性强的优势。本发明可以有效测试MMIC温度特性,为MMIC电路的温度特性测试提供重要参考。
附图说明
图1为本发明研究方法步骤图;
图2为本发明的MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试与MMIC大信号温度特性测试流程示意图;
图3为本发明的MMIC线性度温度特性测试流程示意图;
图4为本发明的MMIC PA直流特性与映射关系;
图5为本发明的MMIC PA小信号特性与映射关系;
图6为本发明的MMIC PA大信号特性与映射关系;
图7为本发明的MMIC线性度特性与映射关系。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1所示,一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
本发明实施例
现基于一款MMIC功率放大器(PA),对本发明提出一种MMIC温度特性测试方法进行更加详细的说明。
MMIC PA直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA直流温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的直流温度特性合格,映射关系如图4所示;
MMIC PA小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA小信号温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的小信号温度特性合格,映射关系如图5所示;
MMIC PA大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMIC PA输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA大信号温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的大信号温度特性合格,映射关系如图6所示;
MMIC PA线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为5V和1.8V,控制MMIC PA的温度按一定梯度在-40℃-120℃内上升,并分别记录不同温度下MMICPA线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC PA线性度温度特性的第一比较结果,测试结果与仿真结果匹配,MMIC PA的大信号温度特性合格,映射关系如图7所示;
MMIC PA的测试结果和仿真结果全部匹配,MMIC PA合格,测试方法有效。
综上所述,应用一种MMIC温度特性测试方法,可以为射频微波电路的可靠性研究提供重要参考价值。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种MMIC温度特性测试方法,包括MMIC直流温度特性测试、MMIC小信号温度特性测试、MMIC大信号温度特性测试、MMIC线性度温度特性测试以及测试结果与仿真结果匹配;
所述MMIC直流温度特性测试采用温度实验箱和直流电源,在测试时,逐步增大MMIC的漏源电压和栅源电压直至达到预设值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC漏源电流与漏源电压、栅源电压的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC直流特性的第一比较结果;
所述MMIC小信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源和矢量网络分析仪,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Line,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC小信号增益、输出回波损耗、输入回波损耗与频率的映射关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC小信号特性的第一比较结果;
所述MMIC大信号温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量网络分析仪、驱动放大器和衰减器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,工作模式选择Power,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC输出功率、增益、功率附加效率与输入功率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC大信号特性第一比较结果;
所述MMIC线性度温度特性测试采用温度实验箱、直流电源、矢量信号产生器、频谱仪、驱动放大器、衰减器和功率合成器,在测试时,将MMIC的漏源电压和栅源电压设为预定值,控制MMIC的温度按一定梯度在最大工作温度范围内上升,并分别记录不同温度下MMIC线性度与频率的变化关系,将映射关系与仿真的映射关系进行比较,得到MMIC线性度的第一比较结果;
所述测试结果与仿真结果匹配时确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
2.根据权利要求1所述的一种MMIC温度特性测试方法,其特征在于,在测试结果与仿真结果匹配过程中,确认MMIC所有的第一比较结果正确,所述MMIC合格,测试方法有效。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102707223A (zh) * 2012-05-31 2012-10-03 无锡硅动力微电子股份有限公司 在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路
CN110673015A (zh) * 2019-09-28 2020-01-10 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) 模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法
CN113866607A (zh) * 2021-09-29 2021-12-31 太原理工大学 基于Cadence高线性激光器阵列芯片的测试系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102707223A (zh) * 2012-05-31 2012-10-03 无锡硅动力微电子股份有限公司 在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路
CN110673015A (zh) * 2019-09-28 2020-01-10 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所) 模拟芯片发热功率及表面温度的测试方法
CN113866607A (zh) * 2021-09-29 2021-12-31 太原理工大学 基于Cadence高线性激光器阵列芯片的测试系统

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A New Hybrid Method for Extracting Bias and Temperature-Dependent Source/Drain Access Resistances in Passivated GaN HEMTs;IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS;20220430;第32卷(第4期);全文 *
GaN HEMT高效功率放大器电路温度特性研究;王祯祥;傅海鹏;邬海峰;闫冬;;南开大学学报(自然科学版);20161220(第06期);全文 *
GaN开关类功率放大器温度特性的研究;林倩 等;微波学报;20180419;全文 *

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