CN115078846A - 基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器，所述基于二极管的总场强计算电路包括隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、1#比例调节电阻R1、R2、R3、2#比例调节电阻R4、R5、R6、比例调节运算放大器A1、A2、A3、电压‑电流转换二极管D1、D2、D3、信号转换调节运算放大器A4和电流‑电压转换电阻R7。本发明仅需单个通道即可完成信号的传输，还可实现数GHz高频强电磁脉冲环境全向测试，能更好地满足强电磁脉冲环境阵列测试、分布式监测等场景的测试需求。

Description

基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器

技术领域

本发明涉及强电磁脉冲测试技术领域，具体而言，涉及一种基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器。

背景技术

全向强电磁脉冲场传感器，作为一种可实现空间任意来波、任意极化强电磁脉冲环境准确感知，且测试结果不受摆放姿态影响的电场传感器，在强电磁脉冲环境测试测量领域受到广泛的关注和应用。其工作原理是：首先通过三个正交轴向的极子天线完成空间电场分量的感应获取，然后通过处理电路进行信号处理，再通过光电转换以光纤方式或直接以电缆方式将处理后的信号对外进行传输，最后在接收端进行接收、处理，从而完成空间强电磁脉冲环境全向测试。这其中，处理电路，作为全向强电磁脉冲场传感器中最重要的组成部分之一，其性能往往决定了传感器的响应速度、测试频率和测试脉宽等关键测试指标，因此对于全向强电磁脉冲场传感器而言，处理电路的设计十分重要。

近年来，一些文献资料报道了可用于强电磁脉冲环境全向测试的三维有源电光传感器，这类传感器通过直接电光调制电路对轴向感应信号进行处理，将X、Y、Z三个轴向的电场分量感应信号直接转换为三路光信号进行传输，再通过三通道传输、接收采集以及合成计算得到空间总场强，从而实现瞬时脉冲强场的响应。但是这种直接电光调制处理电路输出的是三路信号，需要采用三个电光调制器件(通常为激光器模块)对三路信号进行电光转换，不仅功耗高，还需要精密均衡控制电路来调节三个电光调制器件的一致性，电路也较为复杂。并且，基于这种直接电光调制处理电路的传感器往往需要三个通道来传输感应接收信号，由其构成的测试系统要求采集设备具有多个独立、高精度同步采集端口，在用于多点阵列测试或大区域电场分布式监测时，缺点与不足会进一步凸显；此外，该类型传感器的测试频率受到模拟电光器件频率限制(一般在1GHz以内)，因此该类型传感器难以实现1GHz频率以上的强电磁脉冲环境全向测试，应用受到较大的限制。

发明内容

本发明旨在提供一种基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器，以解决现有直接电光调制式电路及其应用的强电磁脉冲环境全向测试的三维有源电光传感器存在的问题。

本发明提供的一种基于二极管的总场强计算电路，包括隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2、1#比例调节电阻R3、2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5、2#比例调节电阻R6、比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2、比例调节运算放大器A3、电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2、电压-电流转换二极管D3、信号转换调节运算放大器A4和电流-电压转换电阻R7；

比例调节运算放大器A1的同相端接地；比例调节运算放大器A1的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R1和隔直电容C1连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R4连接比例调节运算放大器A1的输出端；比例调节运算放大器A1的输出端还连接电压-电流转换二极管D1的输入端；

比例调节运算放大器A2的同相端接地；比例调节运算放大器A2的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R2和隔直电容C2连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R5连接比例调节运算放大器A2的输出端；比例调节运算放大器A2的输出端还连接电压-电流转换二极管D2的输入端；

比例调节运算放大器A3的同相端接地；比例调节运算放大器A3的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R3和隔直电容C3连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R6连接比例调节运算放大器A3的输出端；比例调节运算放大器A3的输出端还连接电压-电流转换二极管D3的输入端；

电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的输出端一方面经电流-电压转换电阻R7连接信号转换调节运算放大器A4的输出端，另一方面连接信号转换调节运算放大器A4的反相端；信号转换调节运算放大器A4的同相端接地。

进一步地，所述隔直电容C1、隔直电容C2和隔直电容C3的容值C与测试环境信号的最小脉宽T_w之间满足以下关系：

进一步地，所述1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2和1#比例调节电阻R3的阻值R_α，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6的阻值R_β，R_α、R_β满足以下条件：

其中，l为检波曲线斜率，单位为V/dB；R_α、R_β单位均为Ω；N_T为电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的PN结发射系数。

进一步地，所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3均采用均为同一型号的肖特基势垒二极管；且所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的势垒电容小于比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2和比例调节运算放大器A3允许的最大负载电容。

进一步地，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6均采用PTC热敏电阻。

进一步地，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6的温度系数为3000PPM。

本发明还提供一种全向强电磁脉冲场传感器，包括：金属屏蔽壳体、3个轴向感应天线、信号处理模块、激光器模块、光纤和供电电源；所述信号处理模块包括3个轴向电压信号检波单元以及如上述的基于二极管的总场强计算电路；

所述3个轴向感应天线均设置在金属屏蔽壳体外部且两两互相垂直；所述3个轴向电压信号检波单元、总场强计算电路、激光器模块和供电电源设置在金属屏蔽壳体内部；所述3个轴向感应天线分别经3个轴向电压信号检波单元连接总场强计算电路的3个检波信号输入端；总场强计算电路的信号转换调节运算放大器A4的输出端依次连接激光器模块和光纤；并且所述金属屏蔽壳体表面设置有用于3个轴向感应天线和3个轴向电压信号检波单元相连接的3个天线过孔以及用于激光器模块和光纤相连接的1个光纤过孔；

所述金属屏蔽壳体，用于屏蔽保护信号处理模块、激光器模块和供电电源；

所述3个轴向感应天线，用于感应轴向强电磁脉冲场信号分量，并将感应到的轴向强电磁脉冲场信号分量转换为轴向电压信号；

所述信号处理模块中，3个轴向电压信号检波单元用于对3个轴向感应天线输出的轴向电压信号进行检波提取检波信号；所述总场强计算电路用于完成轴向强电磁脉冲场信号分量的矢量合成，得到空间场强信号；

所述激光器模块，用于将信号处理模块得到的空间场强信号转换为光信号并通过光纤对外发射、传输；

所述供电电源，用于对信号处理模块、激光器模块提供正常工作所需的能源。

进一步地，所述轴向电压信号检波单元均采用对数检波器，用于以对数检波方式提取轴向感应天线的轴向电压信号。

进一步地，所述轴向感应天线为单极子电小天线。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：

1、本发明的总场强计算电路及传感器能够直接在传感器端完成总场强计算，仅需单个光电调制器件完成测试信号的光电转换，系统简单、功耗低。

2、本发明的全向强电磁脉冲场传感器仅采用单个光纤通道即可实现了空间总场强测试信号的光纤传输，后端采集设备仅需1个采集端口即可完成测试信号采集，测试系统简单、成本低。

3、本发明的全向强电磁脉冲场传感器可直接输出空间总场强信息，无需后端复杂计算处理。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例1提供的一种基于二极管的总场强计算电路的原理图。

图2为本发明实施例2提供的一种全向强电磁脉冲场传感器结构示意图。

图3为本发明实施例2提供的全向强电磁脉冲场传感器中轴向感应天线、轴向电压信号检波单元、基于二极管的总场强计算电路以及激光器模块的连接示意图。

图4为本发明实施例2提供的一种全向强电磁脉冲场传感器中激光器模块电路原理图。

图5为本发明实施例2提供的一种全向强电磁脉冲场传感器中轴向电压信号检波单元电路原理图。

图标：1-金属屏蔽壳体，21-X轴向感应天线，22-Y轴向感应天线，23-Z轴向感应天线，31-X轴向电压信号检波电路，32-Y轴向电压信号检波电路，33-Z轴向电压信号检波电路，4-基于二极管的总场强计算电路，5-激光器模块，6-光纤，7-供电电源。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

如图1所示，本实施例提出一种基于二极管的总场强计算电路，包括隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2、1#比例调节电阻R3、2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5、2#比例调节电阻R6、比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2、比例调节运算放大器A3、电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2、电压-电流转换二极管D3、信号转换调节运算放大器A4和电流-电压转换电阻R7；

比例调节运算放大器A1的同相端接地；比例调节运算放大器A1的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R1和隔直电容C1连接一个检波信号输入端b1，以实现对检波信号的比例调节，另一方面经2#比例调节电阻R4连接比例调节运算放大器A1的输出端；比例调节运算放大器A1的输出端还连接电压-电流转换二极管D1的输入端，以实现比例调节运算放大器A1输出电压信号到电流信号的反对数关系转换；

比例调节运算放大器A2的同相端接地；比例调节运算放大器A2的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R2和隔直电容C2连接一个检波信号输入端b2，以实现对检波信号的比例调节，另一方面经2#比例调节电阻R5连接比例调节运算放大器A2的输出端；比例调节运算放大器A2的输出端还连接电压-电流转换二极管D2的输入端，以实现比例调节运算放大器A2输出电压信号到电流信号的反对数关系转换；

比例调节运算放大器A3的同相端接地；比例调节运算放大器A3的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R3和隔直电容C3连接一个检波信号输入端b3，以实现对检波信号的比例调节，另一方面经2#比例调节电阻R6连接比例调节运算放大器A3的输出端；比例调节运算放大器A3的输出端还连接电压-电流转换二极管D3的输入端，以实现比例调节运算放大器A3输出电压信号到电流信号的反对数关系转换；

电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的输出端一方面经电流-电压转换电阻R7连接信号转换调节运算放大器A4的输出端，另一方面连接信号转换调节运算放大器A4的反相端；信号转换调节运算放大器A4的同相端接地；所述信号转换调节运算放大器A4用于将电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的输出电流转换成电压并进行叠加计算，再通过输出端c对外输出。

进一步地，所述隔直电容C1、隔直电容C2和隔直电容C3的容值C与测试环境信号的最小脉宽T_w之间满足以下关系：

进一步地，所述1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2和1#比例调节电阻R3的阻值R_α，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6的阻值R_β，R_α、R_β满足以下条件：

其中，l为检波曲线斜率，单位为V/dB；R_α、R_β单位均为Ω；N_T为电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的PN结发射系数。如型号为BAT54HM的肖特基势垒二极管，其PN结发射系数N_T≈1.071。

进一步地，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6均采用PTC热敏电阻。在本实施例中，温度系数优选为3000PPM，用于补偿消除电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的温度特性对总场强计算电路的影响。

进一步地，所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3均采用均为同一型号的肖特基势垒二极管；且所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的势垒电容小于比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2和比例调节运算放大器A3允许的最大负载电容。

实施例2

如图2、图3所示，本实施例提供一种全向强电磁脉冲场传感器，用于对实现频率1～4GHz高功率微波环境的全向测试。所述全向强电磁脉冲场传感器包括：金属屏蔽壳体1、3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)、信号处理模块、激光器模块5、光纤6和供电电源7；所述信号处理模块包括3个轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)以及如实施例1所述的基于二极管的总场强计算电路4；

所述3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)均设置在金属屏蔽壳体1外部且两两互相垂直；所述3个轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)、总场强计算电路4、激光器模块5和供电电源7设置在金属屏蔽壳体1内部；所述3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)分别经3个轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)连接总场强计算电路4的3个检波信号输入端(b1、b2、b3)；总场强计算电路4的信号转换调节运算放大器A4的输出端c依次连接激光器模块5和光纤6；并且所述金属屏蔽壳体1表面设置有用于3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)和3个轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)相连接的3个天线过孔以及用于激光器模块5和光纤6相连接的1个光纤过孔；

所述金属屏蔽壳体1，用于屏蔽保护信号处理模块、激光器模块5和供电电源7；

所述3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)，用于感应轴向强电磁脉冲场信号分量，并将感应到的轴向强电磁脉冲场信号分量转换为轴向电压信号；

所述信号处理模块中，3个轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)用于对3个轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)输出的轴向电压信号进行检波提取检波信号；所述总场强计算电路4用于完成轴向强电磁脉冲场信号分量的矢量合成，得到空间场强信号；

如图4所示为所述激光器模块5的一个实施例，不应以此对本发明进行限定，所述激光器模块5包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、二极管D4、运算放大器A5、三极管T1、激光器P1以及电容C4；运算放大器A5的同相端一方面经电阻R8接地，另一方面依次经二极管D4的正极和负极连接电源Vcc；三极管T1的基极经电阻R9与运算放大器A5的输出端连接；三极管T1的集电极一方面与运算放大器A5的反相端连接，另一方面经电阻R10连接电源Vcc；三极管T1的发射极一方面依次经激光器P1和电阻R11接地，另一方面依次经激光器P1和电容C4连接激光器模块5的输出端c。激光器模块5工作时，一方面，由于二极管D4的钳位以及运算放大器A5的负反馈，在电阻R11两端形成稳定的电压差，从而产生稳定的激光器阈值工作电流，使得激光器P1正常工作；另一方面，空间场强信号通过电容C4以交流方式加载至激光器P1，对激光器P1输出光信号进行调制，从而实现空间场强信号从电信号到光信号的转换，并通过光纤6对外发射、传输。

所述供电电源7，用于对信号处理模块、激光器模块5提供正常工作所需的能源。

进一步地，所述轴向电压信号检波单元(X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33)均采用对数检波器(如型号为ADL5513的对数检波器)，如图5所示为轴向电压信号检波单元的一个实施例，不应以此对本发明进行限定；所述轴向电压信号检波单元包括电阻R12、电容C5、电容C6以及对数检波器ADL5513，轴向电压信号检波单元输入端(即图5所示的a1、a2、a3)一方面经电阻R12接地，另一方面经电容C5连接对数检波器ADL5513的INHI端；对数检波器ADL5513的INLO端口经电容C6接地，COMM端口以及CLPF端口接地，VPOS端口接电源Vcc，VSET端口连接VOUT端口。X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23的轴向电压信号，分别经a1、a2、a3端口进入X轴向电压信号检波单元31、Y轴向电压信号检波单元32、Z轴向电压信号检波单元33后，由对数检波器ADL5513完成对数检波，并通过b1、b2、b3端口输出相应的对数检波信号。

进一步地，所述轴向感应天线(X轴向感应天线21、Y轴向感应天线22、Z轴向感应天线23)为单极子电小天线。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，包括隔直电容C1、隔直电容C2、隔直电容C3、1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2、1#比例调节电阻R3、2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5、2#比例调节电阻R6、比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2、比例调节运算放大器A3、电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2、电压-电流转换二极管D3、信号转换调节运算放大器A4和电流-电压转换电阻R7；

比例调节运算放大器A1的同相端接地；比例调节运算放大器A1的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R1和隔直电容C1连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R4连接比例调节运算放大器A1的输出端；比例调节运算放大器A1的输出端还连接电压-电流转换二极管D1的输入端；

比例调节运算放大器A2的同相端接地；比例调节运算放大器A2的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R2和隔直电容C2连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R5连接比例调节运算放大器A2的输出端；比例调节运算放大器A2的输出端还连接电压-电流转换二极管D2的输入端；

比例调节运算放大器A3的同相端接地；比例调节运算放大器A3的反相端一方面依次经1#比例调节电阻R3和隔直电容C3连接一个检波信号输入端，另一方面经2#比例调节电阻R6连接比例调节运算放大器A3的输出端；比例调节运算放大器A3的输出端还连接电压-电流转换二极管D3的输入端；

电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的输出端一方面经电流-电压转换电阻R7连接信号转换调节运算放大器A4的输出端，另一方面连接信号转换调节运算放大器A4的反相端；信号转换调节运算放大器A4的同相端接地。

2.根据权利要求1所述的基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，所述隔直电容C1、隔直电容C2和隔直电容C3的容值C与测试环境信号的最小脉宽T_w之间满足以下关系：

3.根据权利要求1所述的基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，所述1#比例调节电阻R1、1#比例调节电阻R2和1#比例调节电阻R3的阻值R_α，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6的阻值R_β，R_α、R_β满足以下条件：

其中，l为检波曲线斜率，单位为V/dB；R_α、R_β单位均为Ω；N_T为电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的PN结发射系数。

4.根据权利要求1所述的基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3均采用均为同一型号的肖特基势垒二极管；且所述电压-电流转换二极管D1、电压-电流转换二极管D2和电压-电流转换二极管D3的势垒电容小于比例调节运算放大器A1、比例调节运算放大器A2和比例调节运算放大器A3允许的最大负载电容。

5.根据权利要求1所述的基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6均采用PTC热敏电阻。

6.根据权利要求5所述的基于二极管的总场强计算电路，其特征在于，所述2#比例调节电阻R4、2#比例调节电阻R5和2#比例调节电阻R6的温度系数为3000PPM。

7.一种全向强电磁脉冲场传感器，其特征在于，包括：金属屏蔽壳体、3个轴向感应天线、信号处理模块、激光器模块、光纤和供电电源；所述信号处理模块包括3个轴向电压信号检波单元以及如权利要求1-6任一项所述的基于二极管的总场强计算电路；

所述3个轴向感应天线均设置在金属屏蔽壳体外部且两两互相垂直；所述3个轴向电压信号检波单元、总场强计算电路、激光器模块和供电电源设置在金属屏蔽壳体内部；所述3个轴向感应天线分别经3个轴向电压信号检波单元连接总场强计算电路的3个检波信号输入端；总场强计算电路的信号转换调节运算放大器A4的输出端依次连接激光器模块和光纤；并且所述金属屏蔽壳体表面设置有用于3个轴向感应天线和3个轴向电压信号检波单元相连接的3个天线过孔以及用于激光器模块和光纤相连接的1个光纤过孔；

所述金属屏蔽壳体，用于屏蔽保护信号处理模块、激光器模块和供电电源；

所述3个轴向感应天线，用于感应轴向强电磁脉冲场信号分量，并将感应到的轴向强电磁脉冲场信号分量转换为轴向电压信号；

所述信号处理模块中，3个轴向电压信号检波单元用于对3个轴向感应天线输出的轴向电压信号进行检波提取检波信号；所述总场强计算电路用于完成轴向强电磁脉冲场信号分量的矢量合成，得到空间场强信号；

所述激光器模块，用于将信号处理模块得到的空间场强信号转换为光信号并通过光纤对外发射、传输；

所述供电电源，用于对信号处理模块、激光器模块提供正常工作所需的能源。

8.根据权利要求7所述的全向强电磁脉冲场传感器，其特征在于，所述轴向电压信号检波单元均采用对数检波器，用于以对数检波方式提取轴向感应天线的轴向电压信号。

9.根据权利要求7所述的基于二极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器，其特征在于，所述轴向感应天线为单极子电小天线。

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