CN115064457A - 用于晶圆的信息处理方法、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种用于晶圆的信息处理方法，包括：获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

Description

用于晶圆的信息处理方法、电子设备及存储介质

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，并且更具体地，涉及一种用于晶圆的信息处理方法、电子设备及存储介质。

背景技术

制造半导体器件通常包括使用各种半导体制造工艺处理半导体晶圆，以在晶圆上形成各种特征。在晶圆上形成各种特征的过程中，晶圆上表面及下表面的中心区域可能包含缺陷，同时，晶圆的上表面的边缘区域、下表面的边缘区域及具有斜面或倒角的外周侧面也经常包含缺陷。晶圆的上表面的边缘区域、下表面的边缘区域及外周侧面可以总称为晶圆斜面。例如，在晶圆斜面上的缺陷包括但不限于缺口、裂纹、划痕、标记、颗粒和残留化学物质。晶圆斜面处的缺陷可能落入中心区域，导致产量减少、交叉污染以及晶圆破裂。

相关技术中，在晶圆斜面检查中产生的斜面缺陷图通常包括分布在晶圆图像上的多个小点，以表明存在有缺陷。然而，技术人员很难基于这种类型的斜面缺陷图快速确定缺陷的密度和严重程度。

发明内容

本公开的一个方面提供了一种呈现晶圆斜面缺陷图的方法。该方法包括：获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

本公开的另一方面提供了一种显示设备。该显示设备包括：存储器、处理器以及显示屏；其中，所述存储器，被配置为存储程序指令；所述处理器，被配置为执行存储在存储器中的程序指令，以：获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；所述显示屏，被配置为显示所述第一图像。

本公开的另一方面提供了一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，该计算机程序被处理器执行时，使得所述处理器执行如下方法：获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，在下文中简要描述在所公开实施例的描述中使用的附图。下面描述的附图仅仅是本公开的一些实施例。本领域普通技术人员无需创造性努力就可以从这些附图中推导出其他附图，并且这些附图可以包含在本公开中。

图1a是本公开实施例的一种示例性晶圆缺陷图的示意图；

图1b是本公开实施例的示例性晶圆斜面区域的示意图；

图2是本公开实施例的一种用于晶圆的信息处理方法的示意性流程图；

图3是本公开实施例的另一种示例性晶圆斜面缺陷图的示意图；

图4是本公开实施例的又一种示例性晶圆斜面缺陷图的示意图；

图5是本公开实施例的再一种示例性晶圆斜面缺陷图的示意图；

图6是本公开实施例的一种示例性晶圆斜面缺陷的实物示意图；

图7是根据本公开实施例的显示设备的示意性结构图。

具体实施方式

下面将参照附图清楚地描述本公开实施例中的技术方案。应当理解，所描述的实施例是本公开的一些实施例而不是全部实施例。本领域普通技术人员基于所描述的实施例在没有创造性努力的情况下获得的其他实施例应该落入本公开的范围内。

将结合附图详细描述本公开的实施例。在没有冲突的情况下，以下实施例和实施例中的特征可以相互结合。

前已述及，在晶圆上形成各种特征的过程中，晶圆的上、下表面的中心区域及斜面区域均可能产出各类缺陷。在制造半导体器件的过程中，经常要对晶圆进行缺陷检查。在一些实施例中，这些产生的缺陷的数据信息可以由晶圆检查机器(例如电子束机器)生成。缺陷的数据信息包括晶圆图像中缺陷的坐标和尺寸。在晶圆检查机器识别出缺陷之后，晶圆检查机器将坐标和尺寸分配给缺陷，最终以晶圆缺陷图的方式显示出来。

图1a是本公开实施例的一种示例性晶圆缺陷图的示意图；图1b是本公开实施例的示例性晶圆斜面区域的示意图。需要说明的是，图1a可以理解为晶圆上表面缺陷的平面示意图，图1b可以理解为图1a中晶圆斜面区域A放大后的截面示意图。

如图1a所示，晶圆缺陷图可以是晶圆上表面或下表面的图像。多个小点分布在晶圆的图像上，以表示在晶圆的不同位置或坐标处存在的缺陷。

需要说明的是，晶圆包括上表面和下表面。上表面和下表面可能具有不同的缺陷。缺陷被标记在晶圆上表面和下表面的图像上，以形成晶圆缺陷图。

可以理解的是，晶圆中心区域中缺陷的视觉呈现是有效的，因为技术人员可以快速确定晶圆中心区域中缺陷的分布、密度和严重程度。然而，技术人员很难快速确定边缘区域，即晶圆的斜面(bevel，如图1b所示)区域中缺陷的分布、密度和严重程度。与中心区域相比，斜面区域小得多。因此，斜面区域中缺陷的视觉信息不太明显，从而难以直观地评估晶圆斜面区域中缺陷的分布、密度和严重程度。这里，如图1b所示，所述斜面区域包括：晶圆顶部边缘区域、上斜面区域、顶点区域区域、下斜面区域、晶圆底部边缘区域。

本公开提供了一种用于晶圆的信息处理方法，其中晶圆特定区域，如斜面区域中的缺陷被呈现出来以便于直观地进行评估。该方法更直观地呈现晶圆特定区域，如斜面区域中的缺陷，从而使技术人员能够快速地确定晶圆特定区域，如斜面区域中缺陷的分布、密度和严重程度。

图2是本公开实施例的一种用于晶圆的信息处理方法的示意性流程图。该方法可以由用于显示晶圆斜面缺陷图的显示设备执行。稍后将详细描述显示设备。具体而言，该方法包括以下过程。

S201，获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，第一信息包括缺陷的坐标和尺寸。

在一些实施例中，所述预设区域包括斜面区域，所述斜面区域包括：晶圆顶部边缘区域、上斜面区域、顶点区域、下斜面区域及晶圆底部边缘区域。这里，所述斜面区域可以参考图1b，上斜面区域、顶点区域、下斜面区域的边界容易界定。所述晶圆顶部边缘区域、圆底部边缘区域的边界可以根据实际情况进行调整，如晶圆顶部边缘区域、圆底部边缘区域的边界可以参考历史缺陷产生的概率进行调整。

在另一些实施例中，所述预设区域还可以是晶圆的整个表面、晶圆上表面的中心区域或者晶圆下表面的中心区域。

这里，在晶圆的预设区域中各缺陷包括但不限于缺口、裂纹、划痕、颗粒或残留化学物质。

这里，所述第一信息包括但不限于缺陷的位置和尺寸。在一些实施例中，所述缺陷的位置可以用坐标来进行表征，在一些具体实施例中，每个晶圆可以具有一个参考点。示例性地，每个晶圆通常在外边缘包括一个小缺口。该缺口被用作坐标系中的一个参考点。所述缺陷的尺寸可以是根据缺陷的外轮廓来进行确定。

示例性地，所述缺陷的外轮廓是矩形的，则缺陷的尺寸可以是矩形的长边。

示例性地，所述缺陷的外轮廓是圆形的，则缺陷的尺寸可以是圆的直径。在另一些实施例中，缺陷是椭圆形的，则缺陷的大小可以是椭圆的长轴。

示例性地，所述缺陷是不规则形状的，则缺陷的尺寸可以是从不规则形状边缘上的点到不规则形状质心的最大距离的两倍。

在一些实施例中，晶圆预设区域上的各缺陷上的可以由晶圆检查机器(例如电子束机器)检测得到。获取所述第一信息的方式可以是从晶圆检查机器中获取。

S202，按照预设规律，将晶圆的预设区域分成多个子区域。

这里，所述预设规律可以包括根据面积或者角度等参数将预设区域划分为大小相同的子区域。在一些具体实施例中，可以根据具体晶圆的实际情况或者工艺需求事宜地进行子区域的划分。

示例性地，当所述预设区域包括晶圆上表面的中心区域时，可以根据晶圆上用来分隔不同芯片(die)的切割道(saw lines)将晶圆的预设区域分成多个面积相等的方形的子区域。

示例性地，当所述预设区域包括晶圆的斜面区域时，可以以晶圆所在圆的圆心为中心沿晶圆所在圆的半径方向将晶圆的预设区域分成多个弧度相等的弧形的子区域形。以晶圆中心为圆心沿多个径向方向将晶圆的斜面区域均匀地分成多个子区域，显示每个子区域中缺陷的分布为例。当斜面区域被分成小数量(例如2个)的子区域时，缺陷的分布可能表现得过于粗略，以至于不能显示足够的细节。当斜面区域被分成大数量(例如，16个)的子区域时，缺陷的分布可能呈现得过于具体，以至于不能显示高水平的趋势。在一些具体实施例中，斜面区域被均匀地分成4个子区域。

S203，对多个子区域的每个子区域中的缺陷数量进行计数，并计算每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。

具体地，对每个子区域中缺陷的数量进行计数，以表示每个子区域中的缺陷密度。为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸进行计算，以表示每个子区域中的缺陷严重程度。

在一些实施例中，所述对所述多个子区域中每个子区域中的缺陷的数量进行计数，包括：

根据每个缺陷的坐标，确定相应缺陷落入的子区域；

当缺陷的坐标落入相应子区域时，所述相应子区域的缺陷的数量增加1。

这里，在子区域划定后，可以根据子区域的边界计出算每个子区域的坐标范围。然后，检查斜面区域中的每个缺陷，以确定缺陷的坐标是否落入多个子区域中任何一个的坐标范围内。当缺陷的坐标落入子区域的坐标范围时，对应子区域的缺陷计数就增加1个。具有较多数量缺陷的子区域的缺陷密度高。具有较少数量缺陷的子区域的缺陷密度低。

在一些实施例中，所述计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸，包括：

计算每个子区域中的各缺陷的尺寸的平均尺寸，并将所述平均尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；

或者，

将每个子区域中的缺陷的最大尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。

可以理解的是，这里的代表性尺寸可以根据实际的工艺需求进行调整，当工艺更关注缺陷的极限情况时，代表性尺寸可以选择每个子区域中的缺陷的最大尺寸，当工艺更关注陷的平均情况时，代表性尺寸可以选择每个子区域中的缺陷的平均尺寸。

在一些实施例中，在计算每个子区域中的缺陷的数量和缺陷的代表性尺寸之后，对每个子区域中的缺陷的数量和缺陷的代表性尺寸进行归一化。如此，后续当缺陷的数量和每个子区域中缺陷的代表性尺寸显示在晶圆斜面缺陷图中时，可以适当地控制每个子区域中缺陷的数量和缺陷的代表性尺寸相对于晶圆图像尺寸的视觉比例。

S204，生成第一图像，在第一图像中显示晶圆的轮廓，并在晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

这里，更加直观的体现晶圆预设区域中缺陷的情况，会生成一个图像，该图像中显示晶圆的轮廓，并在晶圆轮廓中显示在各子区域中缺陷的情况。在一些实施例中，可以采用不同的方式显示各子区域中缺陷的情况。例如，几何形状、数字等，以下仍以预设区域为斜面区域为例，结合图3至图5对斜面区域中缺陷具体显示方式进行详细的描述。

在一些具体实施例中，在所述晶圆轮廓中对应每个子区域的位置处，通过几何形状的方式显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

这里，缺陷的密度和缺陷的严重程度可以由晶圆图像中每个子区域显示的几何形状表示。几何形状包括至少两个特征，分别表示每个子区域中的缺陷的数量和缺陷的代表性尺寸。在一些实施例中，几何形状显示在晶圆轮廓中对应每个子区域的中心点处。换句话说，几何形状的中心点与晶圆轮廓中每个子区域中的中心点重合。

可以理解的是，将缺陷情况显示在每个子区域的中心区域可以在第一图像中没有子区域边界显示时，更加明确的区分每个子区域。需要说明的是，在子区域可以区分的情况下，几何形状可以显示在晶圆轮廓中对应每个子区域中的任何位置。

在一些实施例中，当第一子区域中的缺陷的数量和代表性尺寸均小于第一预设阈值时，在所述第一子区域的位置处不显示几何形状。

这里，所述第一预设阈值可以表征缺陷数量和代表性尺寸均不影响晶圆上功能电路的性能，所述第一预设阈值可以根据实际情况进行调整。示例性地，所述第一预设阈值可以是缺陷的数量为0。

下面给出几种几何形状的具体示例。

示例性地，如图3所示，所述几何形状是指向所述晶圆轮廓所在圆圆心的实心直线；所述实心直线的长度代表每个子区域中的缺陷数量；所述实心直线的宽度代表每个子区域中缺陷数量的代表性尺寸。

示例性地，如图4所示，所述几何形状是实线圆环；所述实线圆环的直径代表每个子区域中的缺陷的数量，所述实线圆环的实线宽度代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。

需要说明的是，本公开所述几何形状可以理解为包括并不限于直线、圆环等。所述直线、圆环等能够直观地显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况，使技术人员能够快速地确定晶圆斜面区域中缺陷的分布、密度和严重程度，均应当理解为本公开所述几何形状。

在一些实施例中，在所述晶圆轮廓中对应每个子区域的位置处，通过数字的方式显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

示例性地，如图5所示，括号中一个数字的值代表每个子区域中的缺陷的数量的大小，括号中另一个数字的值代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸的大小。

在另一些示例中，还可以利用一个数字的不同维度的特征来显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况，如，利用一个数字的值代表每个子区域中的缺陷的数量的大小，该一个数字的灰度代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸的大小。

可以理解的是，生成第一图像时，可以将包括晶圆顶部边缘区域、上斜面区域、顶点区域、下斜面区域及晶圆底部边缘区域的斜边区域的缺陷均体现出来，避免查看多个晶圆不同表面的缺陷图，提高了晶圆缺陷情况识别的效率。

在一些实施例中，所述方法还包括：

根据所述第一图像，确定各子区域中缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域。

这里，所述第二预设阈值可以表征缺陷数量和/或代表性尺寸会影响晶圆上功能电路的性能，所述第二预设阈值可以根据实际情况进行调整。从而通过所述第一图像可以直观的确定出哪些子区域疑似缺陷问题比较严重，进一步，可以查看该疑似缺陷问题比较严重的子区域即第二子区域的实物放大图，从而最终确定晶圆上缺陷严重的位置，为工艺评估或产品性能评估提供数据支撑。

前已述及，将预设区域划分的子区域的数量将影响缺陷呈现的状态。可以理解的是，当将预设区域划分的子区域的数量越多，缺陷呈现越细致，但统计耗时越长；当将预设区域划分的子区域的数量越少，缺陷呈现越粗糙，但统计耗时越短。如果对预设区域进行子区域的数量越少的区分，在确定出此时的疑似缺陷问题比较严重的子区域，再进一步对疑似缺陷问题比较严重的子区域进行二级的子区域划分和缺陷统计和显示，可以同时兼容耗时短，缺陷呈现细致的优势。

基于此，在一些实施例中，所述按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域，包括：

将所述晶圆的预设区域划分为M个面积相同的子区域；所述M为大于1的正整数。

示例性地，可以以晶圆中心为圆心沿多个径向方向将晶圆的斜面区域均匀地分成多个子区域，以显示每个子区域中缺陷的分布。在一具体示例中，斜面区域被均匀地分成4个子区域。

在一些实施例中，所述方法还包括：

根据所述第一图像，确定M个子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域；

将所述第二子区域划分为N个二级子区域；所述N为大于1的正整数；

生成第二图像，在所述第二图像中显示所述第二子区域的轮廓，并在所述第二子区域的轮廓中对应每个二级子区域的位置处显示相应二级子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；

根据所述第二图像，确定所述N个二级子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的相应二级子区域。

这里，可以采用先粗分子区域再细分子区域的方式来筛选出疑似缺陷问题比较严重的子区域即所述相应二级子区域。

在一些实施例中，所述方法还包括：

获取所述第二子区域/所述相应二级子区域对应的第三图像；

根据所述第三图像，确定所述第二子区域/所述相应二级子区域中各缺陷的第二信息；所述第二信息至少包括所述缺陷的位置及形态。

这里，所述第三图像可以包括所述第二子区域/所述相应二级子区域对应的实物图。

仍以预设区域为斜面区域为例，示例性地，图6是本公开实施例的一种示例性晶圆斜面缺陷的实物示意图。通过所述第三图像可以进一步确定缺陷的位置及形态，从而最终确定晶圆上缺陷的情况。

在本公开的实施例中，以预设区域为斜面区域为例，对斜面区域中的缺陷进行处理以在晶圆斜面缺陷图上更直观地呈现缺陷的分布、密度和严重性，使得识读晶圆斜面缺陷图的技术人员能够快速评估晶圆斜面区域中的缺陷情况。该方法可以与在中心区域呈现缺陷的现有方法或其他方法相结合。

可以理解的是，以预设区域为斜面区域为例，与中心区域相比，斜面区域的面积不仅小得多，而且斜面区域的缺陷的分布更密集，获取斜面区域的缺陷后，通常需要人工检查斜面区域的缺陷，例如逐一排查每个缺陷图或人工查找以及定位特定晶圆斜面区域的缺陷图，再根据缺陷图判定缺陷结果，以及采取纠正措施；由于斜面区域的缺陷多而密集，从获取斜面区域的缺陷后至人工采取纠正措施往往间隔几天，而不能在线的即时的处理。

采用根据本公开的方法能够快速、准确、及时地查找以及定位出晶圆预设区域的缺陷，并且能够直观地显示晶圆预设区域中缺陷的分布、密度和严重程度，方便技术人员很快速地在线确定晶圆预设区域中缺陷结果以及很即时地在线采取纠正措施，避免了缺陷检测至采取纠正措施的有滞后性的缺点，能够在线反馈调节，提高了总产率。

在制造半导体器件的过程中，晶圆预设区域中的缺陷可能导致产量下降。在人工预设区域检测中快速评估缺陷情况对于成本控制非常重要。人工对预设区域检查的结果将用于决定纠正措施，以减少晶圆预设区域的缺陷。因此，采用根据本公开的方法提高了总产率。

本公开还提供了一种用于执行所公开的方法的显示设备。图7是根据本公开实施例的显示设备的示意性结构图。如图7所示，显示设备包括显示屏701、处理器702、存储器703和数据接口704。

显示屏701可以是液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)显示器。显示屏也可以是触摸屏。处理器702可以是中央处理器(CPU)。处理器702还可以包括硬件芯片。硬件芯片可以是专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件(PLD)或其组合。例如，PLD可以是复杂可编程逻辑器件(CPLD)、现场可编程门阵列(FPGA)或其组合。存储器703可以包括易失性存储器。存储器703还可以包括非易失性存储器。存储器703还可以包括前述类型存储器的组合。数据接口704可以包括键盘、鼠标、USB接口。用户可以使用键盘、鼠标和USB接口来输入晶圆图像和缺陷信息。

在一些实施例中，存储器703被配置为存储程序指令，处理器702被配置为执行存储在存储器中的程序指令。当程序指令被执行时，处理器702调用存储在存储器703中的程序指令来执行以下：获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，缺陷的第一信息包括图像上每个缺陷的坐标和尺寸；按照预设规律，将晶圆的预设区域划分为多个子区域；对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算每个子区域中的缺陷数量的代表性尺寸；生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；所述显示屏701，被配置为显示所述第一图像。

在一些实施例中，当对每个子区域中的缺陷的数量进行计数时，处理器702被进一步被配置为：确定预设区域中的每个缺陷的坐标落入哪个子区域；并且每当缺陷的坐标落入子区域时，子区域的缺陷的数量增加1。

在一些实施例中，当计算每个子区域中的缺陷的代表性尺寸时，处理器702被进一步配置为计算每个子区域中的缺陷的尺寸的平均尺寸，并将该平均尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。或者，当计算每个子区域中的缺陷的代表性尺寸时，处理器702被进一步配置为将每个子区域中的缺陷的尺寸的最大尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。

在一些实施例中，处理器702被进一步配置为在所述晶圆轮廓中对应每个子区域的位置处，通过几何形状的方式显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

在一些实施例中，几何形状是指向晶圆图像中的中心点的实心直线。实心直线的长度代表每个子区域中的缺陷的数量，实心直线的宽度代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。在另一些实施例中，几何形状是实线圆环。实线圆环的直径代表每个子区域中的缺陷的数量，实线圆环的实线宽度代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。在另一些实施例中，几何形状是指向晶圆图像中心点的多位数字，多位数字的十位数字的大小代表每个子区域中的缺陷的数量的大小，多位数字的个位数字的大小代表每个子区域中的缺陷的代表性尺寸的大小。

在一些实施例中，当第一子区域中的缺陷的数量和代表性尺寸均小于第一预设阈值时，处理器702被进一步配置为在所述第一子区域的位置处不显示几何形状。

在一些实施例中，处理器702被进一步配置为根据所述第一图像，确定各子区域中缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域。

在一些实施例中，所述按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域，包括：

处理器702被进一步配置为将所述晶圆的预设区域划分为M个面积相同的子区域；所述M为大于1的正整数。

在一些实施例中，处理器702被进一步配置为根据所述第一图像，确定M个子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域；

将所述第二子区域划分为N个二级子区域；所述N为大于1的正整数；

生成第二图像，在所述第二图像中显示所述第二子区域的轮廓，并在所述第二子区域的轮廓中对应每个二级子区域的位置处显示相应二级子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；

根据所述第二图像，确定所述N个二级子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的相应二级子区域。

在一些实施例中，处理器702被进一步配置为获取所述第二子区域/所述相应二级子区域对应的第三图像；

根据所述第三图像，确定所述第二子区域/所述相应二级子区域中各缺陷的第二信息；所述第二信息至少包括所述缺陷的位置及形态。

在一些实施例中，当在晶圆的图像中显示几何形状以说明每个子区域中缺陷数量和代表性尺寸时，处理器702被进一步配置为在每个子区域中的中心点显示几何形状，其中几何形状的中心点与每个子区域中的中心点重合。

在一些实施例中，在对每个子区域中的缺陷的数量进行计数并计算每个子区域中的缺陷的代表性尺寸之后，处理器702被进一步配置为多个子区域中的每个子区域中的缺陷的数量和每个子区域中的缺陷的代表性尺寸进行归一化。

在本公开的实施例中，对预设区域中的缺陷进行处理，以更直观地在晶圆斜面缺陷图上呈现缺陷的分布、密度和严重性，使得识读晶圆斜面缺陷图的技术人员能够快速评估晶圆预设区域中的缺陷情况。该方法可以与在中心区域呈现缺陷的现有方法或其他方法相结合。

本公开还提供了一种计算机可读存储介质。计算机可读存储介质存储计算机程序。当由处理器执行时，计算机程序实现图7所示的晶圆斜面缺陷图显示设备的实施例。其描述省略。

计算机可读存储介质可以是在任何前述实施例中描述的设备的内部存储单元。例如，计算机可读存储介质可以是设备的硬盘或内部存储器。计算机可读存储介质也可以是设备的外部存储设备，例如插入式硬盘、智能媒体卡(SMC)、安全数字(SD)卡、闪存卡等。此外，计算机可读存储介质还可以包括内部存储单元和外部存储设备。计算机可读存储介质还可以存储计算机程序以及设备所需的其他程序和数据。计算机可读存储介质还可以临时存储已经输出的数据或将要输出的数据。

本领域技术人员应该理解，前述方法实施例中的全部或部分过程可以通过计算机程序指示相关硬件来实现。计算机程序可以存储在计算机可读存储介质中，并且当被执行时，计算机程序实现前述方法实施例的过程。存储介质可以是磁盘、光盘、只读存储器(ROM)或随机存取存储器(RAM)。

前述实施例详细描述了本公开的目的、技术方案和有益效果。前述实施例仅是本公开的一些实施例，不应用于限制本公开的范围。因此，根据本公开的权利要求做出的改变、等同替换和修改仍然落入本公开的范围内。

Claims (13)

1.一种用于晶圆的信息处理方法，其特征在于，包括：

获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；

按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；

对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；

生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述多个子区域中每个子区域中的缺陷的数量进行计数，包括：

根据每个缺陷的坐标，确定相应缺陷落入的子区域；

当缺陷的坐标落入相应子区域时，所述相应子区域的缺陷的数量增加1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸，包括：

计算每个子区域中的各缺陷的尺寸的平均尺寸，并将所述平均尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；

或者，

将每个子区域中的缺陷的最大尺寸确定为每个子区域中的缺陷的代表性尺寸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圆轮廓中对应每个子区域的位置处，通过几何形状的方式显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述几何形状是指向所述晶圆轮廓所在圆圆心的实心直线；所述实心直线的长度代表每个子区域中的缺陷数量；所述实心直线的宽度代表每个子区域中缺陷数量的代表性尺寸。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当第一子区域中的缺陷的数量和代表性尺寸均小于第一预设阈值时，在所述第一子区域的位置处不显示几何形状。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述第一图像，确定各子区域中缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域，包括：

将所述晶圆的预设区域划分为M个面积相同的子区域；所述M为大于1的正整数。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述第一图像，确定M个子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的第二子区域；

将所述第二子区域划分为N个二级子区域；所述N为大于1的正整数；

生成第二图像，在所述第二图像中显示所述第二子区域的轮廓，并在所述第二子区域的轮廓中对应每个二级子区域的位置处显示相应二级子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；

根据所述第二图像，确定所述N个二级子区域中的缺陷的数量和/或代表性尺寸大于第二预设阈值的相应二级子区域。

10.根据权利要求7或9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述第二子区域/所述相应二级子区域对应的第三图像；

根据所述第三图像，确定所述第二子区域/所述相应二级子区域中各缺陷的第二信息；所述第二信息至少包括所述缺陷的位置及形态。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设区域包括斜面区域，所述斜面区域包括：晶圆顶部边缘区域、上斜面区域、顶点区域、下斜面区域及晶圆底部边缘区域。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器、处理器以及显示屏；其中，

所述存储器，被配置为存储程序指令；

所述处理器，被配置为执行存储在存储器中的程序指令，以：

获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；

按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；

对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；

生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况；

所述显示屏，被配置为显示所述第一图像。

13.一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，使得所述处理器执行如下方法：

获取晶圆的预设区域中各缺陷的第一信息，所述第一信息包括所述缺陷的坐标和尺寸；

按照预设规律，将所述晶圆的预设区域划分为多个子区域；

对所述多个子区域中每个子区域的缺陷的数量进行计数，并计算所述每个子区域中的缺陷的代表性尺寸；

生成第一图像，在所述第一图像中显示所述晶圆的轮廓，并在所述晶圆轮廓中对应所述每个子区域的位置处显示相应子区域中缺陷的数量和代表性尺寸的情况。

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