CN115052063B - Sim卡通信电路、相关装置和控制方法 - Google Patents

Sim卡通信电路、相关装置和控制方法 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供SIM卡通信电路、相关装置和控制方法。该SIM卡通信电路包括:处理器、第一电平转换装置、第一卡槽、ESIM芯片;第一电平转换装置的输入端和ESIM芯片均与处理器连接,第一电平转换装置的输出端与第一卡槽连接;处理器用于在接收到第一消息时控制第一电平转换装置导通以及控制ESIM芯片关断,以实现处理器与第一卡槽中的第一实体SIM卡的连接;或者,处理器用于在接收到第二消息时控制第一电平转换装置关断以及控制ESIM芯片导通,以实现处理器与ESIM芯片中的ESIM卡的连接。这样,控制不同通路的工作状态,ESIM卡芯片与第一电平转换装置不同时开启,实现实体SIM卡通信或ESIM卡通信。

Description

SIM卡通信电路、相关装置和控制方法
技术领域
本申请涉及终端技术领域,尤其涉及SIM卡通信电路、相关装置和控制方法。
背景技术
在通信网络中,用户识别卡(subscriber identification module,SIM卡)不仅是用户身份识别卡,同时也是业务载体。而ESIM卡是一种嵌入式SIM卡,能够将SIM卡信息集成到设备芯片上,与实体SIM卡相比,ESIM卡类似于虚拟SIM卡,用户在可以采用ESIM卡的终端设备上,可以采用软件注册或直接购买等类型的方式即可选择运营商网络和套餐,无需用户插入实体SIM卡。
但是,ESIM卡在通用性上存在不足。
发明内容
本申请实施例提供一种SIM卡通信电路、相关装置和控制方法,应用于终端技术领域。采用一挂多的方式实现ESIM卡与实体SIM卡共用一组SIM接口,(即一组SIM接口既与ESIM卡芯片连接,还与用于装配实体SIM卡的卡槽连接)。通过控制不同通路的工作状态,使得在ESIM卡与实体SIM卡共用一组SIM接口时,终端设备实现ESIM卡通信或者实现实体SIM卡的通信。并且,处理器无需增加SIM接口,处理器的尺寸不变,占用面积不变;此外,未增加ESIM芯片的电路与增加ESIM芯片的电路可使用相同的处理器,共版设计方便生产,降低处理器备料难度。该方式中无需额外增加开关单元,成本较低,占用面积较小。
第一方面,本申请实施例提出一种SIM卡通信电路。该方法包括:电路包括处理器、第一电平转换装置、第一卡槽、ESIM芯片;第一电平转换装置的输入端和ESIM芯片均与处理器连接,第一电平转换装置的输出端与第一卡槽连接;处理器用于在接收到第一消息时,控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断,以实现处理器与第一卡槽中的第一实体SIM卡的连接;或者,处理器用于在接收到第二消息时,控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,以实现处理器与ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
这样,一组SIM接口既与ESIM卡芯片连接,还与用于装配实体SIM卡的卡槽连接。通过控制不同通路的工作状态,使得在ESIM卡与实体SIM卡共用一组SIM接口时,终端设备实现ESIM卡通信或者实现实体SIM卡的通信。并且,处理器无需增加SIM接口,处理器的尺寸不变,占用面积不变;此外,未增加ESIM芯片的电路与增加ESIM芯片的电路可使用相同的处理器,共版设计方便生产,降低处理器备料难度。该方式中无需额外增加开关单元,成本较低,占用面积较小。
可选的,处理器具体用于在接收到第一消息时,控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片为高阻状态,以实现处理器与第一卡槽中的第一实体SIM卡的连接;或者,处理器用于在接收到第二消息时,控制第一电平转换装置为高阻状态,以及控制ESIM芯片导通,以实现处理器与ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
这样,ESIM芯片在关断时为高阻状态,不会对处理器有反馈,减少对实体SIM卡通信的影响;或者第一电平转换装置在关断时为高阻状态,不会对处理器有反馈,减少对ESIM卡通信的影响。
可选的,第一电平转换装置还包括用于接收第一使能信号的端口、ESIM芯片还包括用于接收第二使能信号的端口;处理器具体用于在接收到第一消息时,分别输出第一电平的第一使能信号和第二电平的第二使能信号,第一电平的第一使能信号用于控制第一电平转换装置导通,第二电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片为高阻状态;或者,处理器具体用于接收到第二消息时,分别输出第三电平的第一使能信号和第四电平的第二使能信号,第三电平的第一使能信号用于控制第一电平转换装置为高阻状态,第四电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片导通。
这样,通过使能信号控制ESIM芯片工作状态(导通或关断),以及第一电平转换装置的工作状态(导通或关断)。控制方式简便,易于实现。
可选的,第一电平与第二电平不同,第三电平与第四电平不同。
可选的,第一电平与第二电平相同,第三电平与第四电平相同。
这样,两个使能信号的电平相同,逻辑简便,方便处理器控制。
可选的,第一使能信号与第二使能信号来自于处理器的同一端口,或者第一使能信号与第二使能信号来自于处理器的不同端口。
这样,第一使能信号与第二使能信号来自于处理器的同一端口,方便处理器控制。
可选的,处理器包括第一端口、第二端口和第三端口,第一端口用于传输数据DATA信号,第二端口用于传输复位RST信号、第三端口用于传输时钟CLK信号;第一电平转换装置包括第四端口、第五端口、第六端口、第七端口、第八端口、第九端口;第一卡槽包括:第十端口、第十一端口和第十二端口; ESIM芯片包括:第十三端口、第十四端口和第十五端口;第一端口、第二端口和第三端口分别与第四端口、第五端口和第六端口连接;第一端口、第二端口和第三端口还分别与第十三端口、第十四端口和第十五端口连接;第七端口、第八端口和第九端口分别与第十一端口、第十二端口和第十三端口连接。
这样,处理器与实体SIM卡之间可以传输DATA信号、复位RST信号、时钟CLK信号;处理器与ESIM卡之间可以传输DATA信号、复位RST信号、时钟CLK信号。
可选的,电路还包括第二卡槽,第二卡槽与处理器连接。
这样,处理器还可以与第二实体SIM卡进行通信。
可选的,第二卡槽包括第十六端口、第十七端口和第十八端口;处理器还包括第十九端口、第二十端口和第二十一端口,第十九端口用于传输DATA信号,第二十端口用于传输RST信号、第二十一端口用于传输CLK信号;第十六端口、第十七端口和第十八端口分别与第十九端口、第二十端口和第二十一端口连接,以实现处理器与第二卡槽中的第二实体SIM卡连接。
这样,处理器与实体SIM卡之间可以传输DATA信号、复位RST信号、时钟CLK信号。
可选的,电路还包括第二电平转换装置;第二电平转换装置位于处理器与第二卡槽之间。
这样,通过第二电平转换装置可以实现处理器与第二卡槽中的第二实体SIM卡在不同电压规格或者相同电压规格时的通信。第二卡槽可以适应装配不同类型的SIM卡,增加终端设备的实用性和适用性。
第二方面,本申请实施例提供一种终端设备,终端设备也可以称为终端(terminal)、用户设备(user equipment,UE)、移动台(mobile station,MS)、移动终端(mobile terminal,MT)等。终端设备可以是手机(mobile phone)、智能电视、穿戴式设备、平板电脑(Pad)、带无线收发功能的电脑、虚拟现实(virtual reality,VR)终端设备、增强现实(augmented reality,AR)终端设备、工业控制(industrial control)中的无线终端、无人驾驶(self-driving)中的无线终端、远程手术(remote medical surgery)中的无线终端、智能电网(smart grid)中的无线终端、运输安全(transportation safety)中的无线终端、智慧城市(smart city)中的无线终端、智慧家庭(smart home)中的无线终端等等。
该终端设备包括:上述第一方面中任一种SIM通信电路,电路用于实现处理器与第一实体SIM卡的通信,或者用于实现处理器与ESIM卡的通信。
第三方面,本申请实施例提出一种SIM卡控制方法。该方法包括:处理器接收到用于指示选取第一实体SIM卡的第一信息;处理器根据第一信息,控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断;或者,处理器接收到用于指示选取ESIM卡的第二信息;处理器根据第二信息,控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通。
可选的,处理器根据第一信息,控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断,包括:处理器根据第一信息输出第一电平的第一使能信号,以及第二电平的第二使能信号,第一电平的第一使能信号用于控制第一电平转换装置导通,第二电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片为高阻状态;处理器根据第二信息,控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,包括:处理器根据第一信息输出第三电平的第一使能信号,以及第四电平的第二使能信号。
第四方面,本申请实施例提出一种SIM卡控制方法,应用于终端设备,方法包括:终端设备显示第一界面,第一界面包括第一控件和第二控件;终端设备接收到针对第一控件的第一操作;响应于第一操作,终端设备控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断;或者,终端设备接收到针对第二控件的第二操作;响应于第二操作,终端设备控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通。
第一界面可以对应于图7所示的界面。第一操作可以为用户点击、触摸等操作,也可以为其他任意操作,例如语音控制操作等,此处不做限定。第二操作可以为用户点击、触摸等操作,也可以为其他任意操作,例如语音控制操作等,此处不做限定。
可选的,响应于第一操作,终端设备控制第一电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断,包括:处理器输出第一电平的第一使能信号,以及第二电平的第二使能信号,第一电平的第一使能信号用于控制第一电平转换装置导通,第二电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片为高阻状态;响应于第二操作,终端设备控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,包括:处理器控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,包括:处理器根据第一信息输出第三电平的第一使能信号,以及第四电平的第二使能信号。
第五方面,本申请实施例提出一种终端设备。终端设备包括:处理器和存储器;存储器存储计算机执行指令;处理器执行存储器存储的计算机执行指令,使得终端设备执行如第三方面的方法或如第四方面的方法。
第六方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序。计算机程序被处理器执行时实现如第三方面的方法或如第四方面的方法。
第七方面,本申请实施例提供一种计算机程序产品,计算机程序产品包括计算机程序,当计算机程序被运行时,使得计算机执行如第三方面的方法或如第四方面的方法。
第八方面,本申请实施例提供了一种芯片,芯片包括处理器,处理器用于调用存储器中的计算机程序,以执行如第三方面的方法或如第四方面的方法。
应当理解的是,本申请的第二方面至第八方面与本申请的第一方面的技术方案相对应,各方面及对应的可行实施方式所取得的有益效果相似,不再赘述。
附图说明
图1为可能的设计中一种电路结构示意图;
图2为可能的设计中一种电路结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种SIM卡通信电路连接示意图;
图4为本申请实施例提供的一种电平转换装置的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种SIM卡控制方法的流程示意图;
图6为本申请实施例提供的一种SIM卡控制方法的流程示意图;
图7为本申请实施例提供的一种终端设备的界面示意图。
具体实施方式
为了便于清楚描述本申请实施例的技术方案,本申请实施例中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本申请实施例中,“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况,其中A,B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达,是指的这些项中的任意组合,包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如,a,b,或c中的至少一项(个),可以表示:a,b,c,a-b,a-c,b-c,或a-b-c,其中a,b,c可以是单个,也可以是多个。
需要说明的是,本申请实施例中的“在……时”,可以为在某种情况发生的瞬时,也可以为在某种情况发生后的一段时间内,本申请实施例对此不作具体限定。此外,本申请实施例提供的显示界面仅作为示例,显示界面还可以包括更多或更少的内容。
为了便于理解,示例的给出部分与本申请实施例相关概念的说明以供参考。
1、用户识别卡(subscriber identification module,SIM卡):是全球通数字移动电话的一张个人资料卡。SIM卡存储着用户的数据、鉴权方法及密钥,可供通信网络对用户身份进行鉴别。同时,用户通过SIM卡完成与通信系统的连接和信息的交换。可以理解的是,在通信网络中,SIM卡不仅是用户身份识别卡,同时也是业务载体。SIM卡用于存储用户的相关数据,以及用于对用户进行身份验证,防止非法用户进入网络等。
本申请实施例中,SIM卡也可以称为为全球用户识别卡(universal subscriberidentity module,USIM)、通用集成电路卡(universal integrated circuit card,UICC)、智能卡等。
2、嵌入式SIM卡(embedded-SIM,ESIM卡):ESIM卡可以嵌在终端设备的线路板上,不能和终端设备分离。
相比于实体SIM卡,ESIM卡是直接在终端设备内焊接了空白的SIM芯片,用户可以通过空中下载的方式写入终端设备,实现与实体SIM卡一样的功能。
3、高阻状态(高阻态):表示电路中的某个节点具有相对电路中其他点相对更高的阻抗。电路分析时高阻态可以理解为开路或者悬空断开。需要说明的是,当器件处于高阻态时,不会对电路有反馈,与器件未连接的效果相近。本申请实施例的SIM卡通信电路可以应用于具有通信功能的电子设备中。电子设备包括终端设备,终端设备也可以称为终端(terminal)、用户设备(user equipment,UE)、移动台(mobile station,MS)、移动终端(mobile terminal,MT)等。终端设备可以是手机(mobile phone)、智能电视、穿戴式设备、平板电脑(Pad)、带无线收发功能的电脑、虚拟现实(virtual reality,VR)终端设备、增强现实(augmented reality,AR)终端设备、工业控制(industrial control)中的无线终端、无人驾驶(self-driving)中的无线终端、远程手术(remote medical surgery)中的无线终端、智能电网(smart grid)中的无线终端、运输安全(transportation safety)中的无线终端、智慧城市(smart city)中的无线终端、智慧家庭(smart home)中的无线终端等等。本申请的实施例对终端设备所采用的具体技术和具体设备形态不做限定。
在通信网络中,SIM卡不仅是用户身份识别卡,同时也是业务载体。而ESIM卡是一种嵌入式SIM卡,能够将SIM卡信息集成到设备芯片上,与实体SIM卡相比,ESIM卡类似于虚拟SIM卡,用户在可以采用ESIM卡的终端设备上,可以采用软件注册或直接购买等类型的方式即可选择运营商网络和套餐,无需用户插入实体SIM卡。
但是,ESIM卡在通用性上存在不足。因此,有必要在目前的终端设备上增加兼容设计,以保证终端设备的适用性和通用性。
可能的设计一中,在手机等装有实体SIM卡的终端设备通过增加一组SIM接口实现处理器与ESIM卡连接,进而实现实体SIM卡和ESIM卡的兼容设计。
示例性的,图1为可能的设计中SIM卡与ESIM切换电路示意图。以终端设备装配有两个实体SIM卡为例,如图1所示,该电路包括:处理器101、第一卡槽102、第二卡槽103、ESIM芯片104、第一电平转换装置105和第二电平转换装置106。
图1所示的电路中,处理器101的SIM接口分别与第一电平转换装置105的输入端、第二电平转换装置106的输入端,以及ESIM芯片204连接;第一电平转换装置105的输出端与第一卡槽202连接;第二电平转换装置206的输出端与第二卡槽203连接。
其中,第一卡槽102用于装配第一实体SIM卡。第一卡槽102包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口102A),用于传输复位信号的端口(端口102B),以及用于传输时钟信号的端口(端口102C)。
第二卡槽103用于装配第二实体SIM卡。第二卡槽103包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口103A),用于传输复位信号的端口(端口103B),以及用于传输时钟信号的端口(端口103C)。
ESIM芯片104包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口104A),用于传输复位信号的端口(端口104B),以及用于传输时钟信号的端口(端口104C)。本申请实施例对于ESIM芯片104的具体型号、规格等不做限定。
处理器101用于通过第一实体SIM卡、第二实体SIM卡和ESIM卡中的任一个与通信网络交互,实现通话以及数据通信等功能。
第一电平转换装置105用于转换电压,以实现处理器101的电压规格与第一卡槽102中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第一电平转换装置105包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口105A、端口105B、端口105C;输出端分别为105D、端口105E、端口105F。
第二电平转换装置106用于转换电压,以实现处理器101的电压规格与第二卡槽103中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第二电平转换装置106包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口106A、端口106B、端口106C;输出端分别为106D、端口106E、端口106F。
处理器101可以为系统级芯片(system on chip,SOC),也可以为微处理器(microcontrol unit,MCU)等。处理器101还可以称为控制器。本申请实施例对于处理器101的具体结构等不做限定。
如图1所示,处理器101包括三组SIM接口,分别用于连接第一卡槽102、第二卡槽103和ESIM芯片104。每组SIM接口包括三个端口,分别为用于传输数据信号的端口(可称为:DATA端口、I/O端口),用于传输复位信号的端口(可称为:RESET端口、RST端口),以及用于传输时钟信号的端口(可称为:CLK端口)。
示例性的,处理器101包括3组SIM接口,共九个端口分别为端口DATA1、端口RST1、端口CLK1、端口DATA2、端口RST2、端口CLK2、端口DATA3、端口RST3、端口CLK3。
端口DATA1、端口RST1、端口CLK1分别与第一电平转换装置105的三个输入端连接;第一电平转换装置105的三个输出端分别与第一卡槽102的三个端口(端口102A、端口102B和端口102C)连接,以实现处理器与第一实体SIM卡的连接。
端口DATA2、端口RST2、端口CLK2分别与第二电平转换装置106的三个输入端连接;第二电平转换装置106的三个输出端分别与第二卡槽103的三个端口(端口103A、端口103B和端口103C)连接,以实现处理器与第二实体SIM卡的连接。
端口DATA3、端口RST3、端口CLK3分别与ESIM芯片104的三个端口(端口104A、端口104B和端口104C)连接,以实现处理器与ESIM卡的连接。
这样,终端设备可以使用第一实体SIM卡、第二实体SIM卡、以及ESIM卡进行通信。
但是,增加SIM接口的方式,会使得处理器的尺寸增大、占用面积增大,进而终端设备的体积增大。此外,增加ESIM芯片的电路中的处理器与未增加ESIM芯片的电路中的处理器设计不同,增加备料难度,不利于终端设备的生产。
可能的设计二中,在手机等装有实体SIM卡的终端设备通过开关单元的控制实现处理器与ESIM卡或者实现处理器与第二卡槽中的第二实体SIM卡的连接,进而实现实体SIM卡和ESIM卡的兼容设计。
示例性的,图2为可能的设计中SIM卡与ESIM通信电路示意图。以终端设备装配有两个实体SIM卡为例,如图2所示,该电路中包括:处理器201、第一卡槽202、第二卡槽203、ESIM芯片204、第一电平转换装置205、第二电平转换装置206和开关单元207。
图2所示的电路中,处理器201的两组SIM接口分别与第一电平转换装置205的输入端和第二电平转换装置206的输入端连接;第一电平转换装置205的输出端与第一卡槽202连接;第二电平转换装置206的输出端与开关单元207的输入端连接;开关单元207的第一输出端和第二输出端分别与第二卡槽203和ESIM芯片204连接。
其中,第一卡槽202用于装配第一实体SIM卡。第一卡槽202包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口202A),用于传输复位信号的端口(端口202B),以及用于传输时钟信号的端口(端口202C)。
第二卡槽203用于装配第二实体SIM卡。第二卡槽203包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口203A),用于传输复位信号的端口(端口203B),以及用于传输时钟信号的端口(端口203C)。
ESIM芯片204包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口204A),用于传输复位信号的端口(端口204B),以及用于传输时钟信号的端口(端口204C)。ESIM芯片204可以为SN110U芯片、也可以为SN220U芯片,本申请实施例对于ESIM芯片204的具体型号、规格等不做限定。
第一电平转换装置205用于转换电压,以实现处理器201的电压规格与第一卡槽202中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第一电平转换装置205包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口205A、端口205B、端口205C;输出端分别为205D、端口205E、端口205F。
第二电平转换装置206用于转换电压,以实现处理器201的电压规格与第二卡槽203中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第二电平转换装置206包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口206A、端口206B、端口206C;输出端分别为206D、端口206E、端口206F。
开关单元207用于连接第二电平转换装置206,进而连接第二卡槽203,以实现处理器201与第二实体SIM卡的连接;或者用于连接ESIM芯片204,以实现处理器201与ESIM卡的连接。
处理器201用于通过第一实体SIM卡、第二实体SIM卡和ESIM卡中的任一个与通信网络交互,实现终端设备的通话以及数据通信等功能。
本申请实施例中,处理器201可以为系统级芯片(system on chip,SOC),也可以为微处理器(micro control unit,MCU)等。处理器还可以称为控制器。本申请实施例对于处理器201的具体结构等不做限定。
如图2所示,处理器201包括两组SIM接口,分别用于连接第一卡槽202,以及用于连接第二卡槽203或ESIM芯片204。每组SIM接口包括三个端口,分别为用于传输数据信号的端口(可称为:DATA端口、I/O端口),用于传输复位信号的端口(可称为:RST端口、RESET端口),以及用于传输时钟信号的端口(可称为:CLK端口)。
具体的,处理器201包括两组SIM接口,一组SIM接口包括端口DATA1、端口RST1、端口CLK1;另一组SIM接口包括:端口DATA2、端口RST2、端口CLK2。
本申请实施例中,端口DATA1、端口RST1、端口CLK1经第一电平转换装置205分别与第一卡槽202的三个端口(端口202A、端口202B、端口202C)连接,以实现处理器201与第一实体SIM卡的连接;端口DATA2、端口RST2、端口CLK2经第二电平转换装置206分别与开关单元207的三个输入端连接。
开关单元207包括三个输入端和六个输出端;开关单元207的三个输入端分别为:端口207A、端口207B、端口207C。开关单元207的六个输出端分别为端口207D、端口207E、端口207F、端口207G、端口207H、端口207I。可以理解的是,端口207D、端口207E、端口207F可以称为开关单元的第一输出端。端口207G、端口207H、端口207I可以称为开关单元的第二输出端。
可以理解的是,开关单元207可以由一个或多个开关组成。本申请实施例对于开关单元的具体结构,开关单元中的开关数量、开关类型等均不作限定。示例性的,开关单元207由一个开关组成时,开关可以为三通道开关(例如,三刀双掷开关);开关单元207由两个开关组成时,可以包括1个双通道开关(例如,双刀双掷开关)和1个单通道开关(例如,三刀双掷开关),或者也可以包括2个双通道开关。
需要说明的是,开关单元207中的端口207D、端口207E、端口207F分别与第二卡槽203的三个端口(端口203A、端口203B、端口203C)连接,以实现处理器201与第二实体SIM卡的连接;开关单元207中的端口207G、端口207H、端口207I分别与ESIM芯片204的三个端口(端口204A、端口204B、端口204C)连接,以实现处理器201与ESIM卡的连接。
若开关单元207中的端口207A、端口207B、端口207C分别与开关单元207中的端口207D、端口207E、端口207F连接,则处理器201经端口DATA2、端口207A、端口207D和端口203A传输DATA信号至第二卡槽中的第二实体SIM卡;处理器201经端口RST2、端口207B、端口207E和端口203B传输RST信号至第二卡槽中的第二实体SIM卡;处理器201经端口CLK2、端口207C、端口207F和端口203C传输CLK信号至第二卡槽中的第二实体SIM卡。这样,终端设备可以实现处理器与第二实体SIM卡之间的通信。
若开关单元207中的端口207A、端口207B、端口207C分别与开关单元207中的端口207G、端口207H、端口207I连接,则处理器201经端口DATA2、端口207A、端口207G和端口204A传输DATA信号至ESIM芯片中的ESIM卡;处理器201经端口RST2、端口207B、端口207H和端口204B传输RST信号至ESIM芯片中的ESIM卡;处理器201经端口CLK2、端口207C、端口207I和端口204B传输CLK信号至ESIM芯片中的ESIM卡。
这样,终端设备可以实现处理器与ESIM卡之间的通信。
综上,通过改变开关单元内部的连接方式,实现第二实体SIM卡和ESIM卡的切换,增加终端设备的实用性和适用性。此外,没有对处理器进行改动,未增加ESIM芯片的电路与增加ESIM芯片的电路可使用相同的处理器,共版设计可以降低处理器的备货难度,减少生产成本。
但是,需增加开关单元,可能会导致终端设备的占用面积大,并且,增加开关单元还会使得终端设备的成本增加。
基于此,本申请实施例提供一种SIM卡通信电路,采用一挂多的方式实现ESIM卡与实体SIM卡共用一组SIM接口,(即一组SIM接口既与ESIM卡芯片连接,还与用于装配实体SIM卡的卡槽连接)。通过控制不同通路的工作状态,使得在ESIM卡与实体SIM卡共用一组SIM接口时,终端设备实现ESIM卡通信或者实现实体SIM卡的通信。并且,处理器无需增加SIM接口,处理器的尺寸不变,占用面积不变;此外,未增加ESIM芯片的电路与增加ESIM芯片的电路可使用相同的处理器,共版设计方便生产,降低处理器备料难度。该方式中无需额外增加开关单元,成本较低,占用面积较小。
下面结合图3和图4对本申请实施例提供的SIM卡通信电路进行说明。
示例性的,图3为本申请实施例提供的一种SIM卡通信电路的结构示意图。如图3所示,该电路中包括:处理器301、第一卡槽302、第二卡槽303、ESIM芯片304、第一电平转换装置305、第二电平转换装置306。处理器301包括SIM接口1和SIM接口2。
图3所示的电路中,处理器301的SIM接口分别与第一电平转换装置305的输入端连接,以及与第二电平转换装置306的输入端连接,并且,与第二电平转换装置306连接SIM接口还连接有ESIM芯片304;第一电平转换装置305的输出端与第一卡槽302连接;第二电平转换装置306的输出端与第二卡槽303连接。
可以理解的是,ESIM卡芯片可以与第二电平转换装置306的输入端连接,也可以与连接有第二电平转换装置306的输入端的SIM接口连接;还可以与第一连接线上任意位置连接,第一连接线为处理器301的SIM接口与第二电平转换装置306的输入端之间的连接线。或者,也可以理解为,ESIM卡芯片与第二实体SIM卡电路并联,第二实体SIM卡电路包括第二卡槽303和第二电平转换装置306。
其中,第一卡槽302用于装配第一实体SIM卡。第一卡槽302包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口302A),用于传输复位信号的端口(端口302B),以及用于传输时钟信号的端口(端口302C)。
第二卡槽303用于装配第二实体SIM卡。第二卡槽303包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口303A),用于传输复位信号的端口(端口303B),以及用于传输时钟信号的端口(端口303C)。
可以理解的是,第一实体SIM卡可以为Nano SIM卡,Micro SIM卡等;第二实体SIM卡可以为Nano SIM卡,Micro SIM卡等,本申请实施例对此不作限定。第一实体SIM卡的规格可以与第二实体SIM卡的规格相同,也可以不同,本申请实施例对此不作限定。
ESIM芯片304包括三个输入端,分别为用于传输数据信号的端口(端口304A),用于传输复位信号的端口(端口304B),以及用于传输时钟信号的端口(端口304C)。ESIM芯片304可以为SN110U芯片、也可以为SN220U芯片,本申请实施例对于ESIM芯片304的具体型号、规格等不做限定。
第一电平转换装置305用于转换电压,以实现处理器301的电压规格与第一卡槽302中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第一电平转换装置305包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口305A、端口305B、端口305C;输出端分别为305D、端口305E、端口305F。
可能的实现方式中,电路中也可以不包括第一电平转换装置。示例性的,图3所示的电路中不包括第一电平转换装置305。这样,可以减少电路中第一电平转换装置的使用,进而减少成本,缩小终端设备的体积。
第二电平转换装置306用于转换电压,以实现处理器301的电压规格与第二卡槽303中的第一实体SIM卡的电压规格不同时的通信。第二电平转换装置306包括三个输入端和三个输出端,输入端分别为端口306A、端口306B、端口306C;输出端分别为306D、端口306E、端口306F。
示例性的,图4为本申请实施例提供的一种电平转换装置的结构示意图。如图4所示,电平装换装置包括10个端口,分别为用于输入信号的端口(端口RST-HOST、端口CLK-HOST、端口IO-HOST),用于输出信号的端口(端口RST-SIM、端口CLK-SIM、端口IO-SIM),用于提供工作电压的端口(端口VCCA、端口VCCB),用于输入使能信号的端口(端口EN,也可以标注为端口S/SEL),用于接地的端口(端口END)。本申请实施例对电平转换装置中各个端口的排列顺序、排布方式等均不作限定。
可以理解的是,第二电平转换装置306的端口306A、端口306B、端口306C、端口306D、端口306E、端口306F和端口EN2分别与图4所示的电平转换装置中的端口IO-HOST、端口RST-HOST、端口CLK-HOST、端口IO-SIM、端口RST-SIM和端口CLK-SIM和端口EN相对应。
处理器301用于通过第一实体SIM卡、第二实体SIM卡和ESIM卡中的任一个与通信网络交互,实现终端设备的通话以及数据通信等功能。本申请实施例中,处理器301可以为系统级芯片(system on chip,SOC),也可以为微处理器(micro control unit,MCU)等。处理器还可以称为控制器。本申请实施例对于处理器301的具体结构等不做限定。
本申请实施例中,处理器301包括两组SIM接口,分别用于连接第一卡槽302,以及用于连接第二卡槽303或ESIM芯片304。每组SIM接口包括三个端口,分别为用于传输数据信号的端口(可称为:DATA端口、I/O端口),用于传输复位信号的端口(可称为:RST端口、RESET端口),以及用于传输时钟信号的端口(可称为:CLK端口)。具体的,处理器301包括两组SIM接口,一组SIM接口包括端口DATA1、端口RST1、端口CLK1;另一组SIM接口包括:端口DATA2、端口RST2、端口CLK2。
本申请实施例中,端口DATA1、端口RST1、端口CLK1经第一电平转换装置305分别与第一卡槽302的三个端口(端口302A、端口302B、端口302C)连接,以实现处理器301与第一实体SIM卡的连接;端口DATA2、端口RST2、端口CLK2经第二电平转换装置306分别与第二卡槽303的三个端口(端口303A、端口303B、端口303C)连接,以实现处理器301与第二实体SIM卡的连接;端口DATA2、端口RST2、端口CLK2还分别与ESIM芯片304的三个端口(端口304A、端口304B、端口304C)连接,以实现处理器301与ESIM卡的连接。
需要说明的是,本申请实施例中,第二电平转换装置与ESIM芯片的工作状态相反。示例性的,图3所示的电路中,当第二电平转换装置306导通时,ESIM芯片关断,处理器301经第二电平转换装置306和第二卡槽303与第二实体SIM卡连接;当第二电平转换装置关断时,ESIM芯片导通,处理器301与ESIM芯片304连接。
可以理解的是,当第二电平转换装置与ESIM芯片同时导通时,处理器无法准确识别SIM卡,进而无法实现SIM卡的通信。即使第二卡槽未装配实体SIM卡,可能会降低ESIM卡通信时的信号质量,导致用户体验差。
本申请实施例中,处理器301具体用于在接收到用于指示选取第二实体SIM卡的第一消息时,控制第二电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断,以实现处理器与第二卡槽中的第二实体SIM卡的连接;
或者,处理器具体用于在接收到用于指示选取ESIM卡的第二消息时,控制第二电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,以实现处理器与ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
可以理解的是,ESIM芯片关断时,可以为具有一定阻抗的下拉态,也可以为悬空态(保持悬空),还可以为高阻状态。第二电平转换装置关断时,可以为具有一定阻抗的下拉态,也可以为悬空态(保持悬空),也可以为高阻状态。
ESIM芯片为下拉态时,阻抗值可以为100K欧姆,也可以为其他值,本申请实施例对此不作限定。第二电平转换装置为下拉态时,阻抗值可以为100K欧姆,也可以为其他值,本申请实施例对此不作限定。
可能的实现方式中,图3所示的电路中,当第二电平转换装置306导通时,处理器301经第二电平转换装置306和第二卡槽303与第二实体SIM卡连接,ESIM芯片为高阻状态;当第二电平转换装置为高阻状态时,处理器301与ESIM芯片304连接,ESIM芯片导通。
需要说明的是,高阻状态为关断的一种。在关断时保持高阻状态,不会对电路有反馈,进而不会影响电路中其他器件。
可以理解的是,当ESIM芯片处于高阻状态时,不会对电路有反馈,进而不会影响处理器与第二实体SIM卡之间的通信。当第二电平转换装置处于高阻状态时,不会对电路有反馈,进而不会影响处理器与ESIM卡之间的通信。这样,可以减少通信时的干扰,提升通信质量,提升用户体验。
可能的实现方式中,处理器301具体用于在接收到用于指示选取第二实体SIM卡的第一消息时,控制第二电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断,以实现处理器与第二卡槽中的第二实体SIM卡的连接;
或者,处理器具体用于在接收到用于指示选取ESIM卡的第二消息时,控制第一电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通,以实现处理器与ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
在上述实施例的基础上,处理器通过使能信号或其他任意方式控制第二电平转换装置的工作状态,以及ESIM芯片的工作状态。
示例性的,图3所示的电路中,ESIM芯片304还包括用于控制ESIM芯片304工作与否的端口(端口EN1)。第二电平转换装置306还包括用于控制第二电平转换装置306工作与否的端口(端口EN2)。
本申请实施例中,ESIM芯片304可以在使能信号EN1为低电平时导通开始工作,ESIM芯片304在使能信号EN1为高电平时关断(例如,为高阻状态),不工作。或者,ESIM芯片304可以在使能信号EN1为高电平时导通开始工作,ESIM芯片304在使能信号EN1为低电平时关断(例如,为高阻状态)不工作。本申请实施例对于使能信号对ESIM芯片304的具体控制方式不做限定。
本申请实施例中,第二电平转换装置306在使能信号EN2为低电平时导通开始工作,第二电平转换装置306在使能信号EN2为高电平时关断(例如,为高阻状态)不工作。或者,第二电平转换装置306在使能信号EN2为高电平时导通开始工作,第二电平转换装置306在使能信号EN2为低电平时关断(例如,为高阻状态)不工作。
可以理解的是,用于控制工作与否的端口,也可以称为,用于输入使能信号的端口,或者称为用于接收使能信号的端口。使能信号也可以称为电平信号、控制信号等。本申请实施例对此不做限定。
可能的实现方式一中,使能信号EN1与使能信号EN2为不同的信号。
示例性的,当使能信号EN2为低电平,且使能信号EN1为高电平时,第二电平转换装置306关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等)不导通,ESIM芯片304导通,处理器与ESIM芯片通信;当使能信号EN2为高电平且使能信号EN1为低电平时,第二电平转换装置306导通,ESIM芯片304关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等),处理器301经第二电平转换装置306与第二卡槽303中的第二实体SIM卡通信。
可以理解的是,当使能信号EN1与使能信号EN2为不同的信号时,端口EN1和端口EN2与处理器的不同端口连接。
可能的实现方式二中,使能信号EN1与使能信号EN2可以为相同的信号。这样,方便处理器对使能信号EN1和使能信号EN2的控制,减少控制出错。
示例性的,当使能信号EN1与使能信号EN2均为低电平时,第二电平转换装置306关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等)不导通,ESIM芯片导通,处理器与ESIM芯片通信;在当使能信号EN1与使能信号EN2均为高电平时,ESIM芯片304关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等),第二电平转换装置306导通,处理器301经第二电平转换装置306与第二卡槽303中的第二实体SIM卡通信。
可以理解的是,当使能信号EN1与使能信号EN2为相同的信号时,端口EN1和端口EN2可以与处理器的相同端口连接;也可以与处理器的不同端口连接,本申请实施例对此不做限定。
需要说明的是,上述ESIM芯片304可以为独立的芯片,也可以与其他芯片集成在一起。示例性的,ESIM芯片304可以与终端设备中的NFC芯片集成在一起。这样,可以减少对印制电路板(PCB板)的占用,缩小终端设备的体积。此外,NFC芯片对应的NFC功能涉及到支付等,安全性能较高,也可以满足ESIM卡的安全性能要求。
可以理解的是,电平转换装置通常为高电平使能(可以理解为,在使能信号为低电平时通常为高阻状态),而NFC芯片通常为低电平使能(可以理解为,在使能信号为高电平时为高阻状态)。因此,图3所示的电路中,当使能信号EN1与使能信号EN2均为低电平时,第二电平转换装置306为高阻状态不导通,处理器与ESIM芯片通信;在使能信号EN1与使能信号EN2均为高电平时,ESIM芯片304为高阻状态,第二电平转换装置306导通,处理器301经第二电平转换装置306与第二卡槽303中的第二实体SIM卡通信。
本申请实施例中,处理器的电压规格与ESIM芯片的电压规格一致。示例性的,若处理器中的SIM接口仅支持1.2V,则电路中采用1.2V的ESIM芯片(例如,SN220U芯片等);若处理器中的SIM接口仅支持1.8V,则电路中采用1.8V的ESIM芯片(例如,SN110U、SN220U等)。
可以理解的是,本申请实施例对于处理器301、第一卡槽302、第二卡槽303、ESIM芯片304、第一电平转换装置305、第二电平转换装置306等部件的具体结构、型号等均不做限定。
可以理解的是,图3所示的电路中处理器的两组SIM接口均支持多种实体SIM卡。一些实施例中,处理器的两组SIM接口中一组SIM接口支持多种实体SIM卡,另一组仅支持一种实体SIM卡。因此,当与第一卡槽连接的SIM接口(端口DATA1、端口RST1、端口CLK1)仅支持一种实体SIM卡时,图3所示的电路中不包括第一电平转换装置305。
这样,可以减少部分实体器件,进而减少成本,缩小终端设备的体积。
可以理解的是,上述实施例中的SIM卡通信电路是以两组SIM接口为例进行说明的。一些实施例中,处理器可能仅包括一组SIM接口。当处理器仅包括一组SIM接口时,上述图3所示的电路中不包括第一卡槽,以及与第一卡槽连接的端口(例如,处理器中的端口DATA1、端口RST1、端口CLK1等)。
可以理解的是,上述实施例中是以一组SIM接口包括3种信号为例进行说明的。因此,电平转换装置的输入端、电平转换装置输出端、以及ESIM芯片等部件中均包括3个用于传输信号的端口。
上述实施例中是通过使能信号控制第二电平转换装置和ESIM芯片的不同状态。还可以通过其他任意方式控制第二电平转换装置和ESIM芯片的不同状态,本申请实施例对此不作限定。
随着技术的发展,一组SIM接口可能包括更多或更少信号,电平转换装置的输入端、电平转换装置输出端、以及ESIM芯片等部件中均包括其他数量的用于传输信号的端口。本申请实施例对于电路中各个部件中用于传输信号的端口数量不做限定。
可以理解的是,上述图3所示的实施例中,ESIM芯片与第二卡槽共用一组SIM接口。ESIM芯片也可以与第一卡槽共用一组SIM接口,电路连接方式,以及控制方法类似,此处不再详细赘述。
下面结合图5和图6对本申请实施例提供的SIM卡控制方法进行说明。
示例性的,图5为本申请实施例提供的一种SIM卡控制方法的流程示意图。如图5所示,该方法包括:
S501、终端设备接收到第一消息,第一消息用于指示选择第二实体SIM卡。
具体的,终端设备的处理器接收到第一消息。
示例性的,当终端设备接收到用户选取第二实体SIM卡的操作时,终端设备接收到第一消息。
S502、终端设备控制第二电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断。
具体的,终端设备的处理器控制第二电平转换装置导通,以及控制ESIM芯片关断(例如,为高阻状态)。
示例性的,当终端设备包括图3所示的电路时,处理器控制第二电平转换装置306导通,ESIM芯片304关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等)。
可能的实现方式中,处理器根据第一信息输出第一电平的第一使能信号,以及第二电平的第二使能信号,第一电平的第一使能信号用于控制第二电平转换装置导通,第二电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等)。
第一电平可以为低电平,也可以为高电平。第二电平可以为高电平,也可以为低电平。本申请实施例对于第一电平的值,与第二电平的值不做限定。
示例性的,图6为本申请实施例提供的一种SIM卡控制方法的流程示意图。如图6所示,该方法包括:
S601、终端设备接收到第二消息,第二消息用于指示选择ESIM卡。
具体的,终端设备的处理器接收到第二消息。
示例性的,当终端设备接收到用户选取ESIM卡的操作时,终端设备接收到第二消息。
S602、终端设备控制第二电平转换装置关断,以及控制ESIM芯片导通。
具体的,终端设备的处理器控制第二电平转换装置关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等),以及控制ESIM芯片导通。
示例性的,当终端设备包括图3所示的电路时,处理器控制第二电平转换装置306关断(例如,为高阻状态),ESIM芯片304导通。
可能的实现方式中,处理器根据第一信息输出第三电平的第一使能信号,以及第四电平的第二使能信号,第三电平的第一使能信号用于控制第二电平转换装置关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等),第四电平的第二使能信号用于控制ESIM芯片导通。
第三电平可以为高电平,也可以为低电平。第四电平可以为低电平,也可以为高电平。本申请实施例对于第三电平的值,与第四电平的值不做限定。
示例性的,图7为本申请实施例提供的一种终端设备的界面示意图。
如图7所示,该界面包括多个设置项。设置项包括但不限于:SIM接口设置项、默认移动数据设置项、默认拨号卡设置项或其他类型的设置项。其中,SIM接口设置项包括卡1设置项和卡2设置项。卡2设置项中包括实体卡控件1501和ESIM卡控件1502。
本申请实施例中,当终端设备接收到用户点击实体卡控件1501的操作时,终端设备接收到第一消息,控制第二电平转换装置导通,ESIM芯片关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等)。当终端设备接收到用户点击ESIM卡控件1502的操作时,终端设备接收到第二消息,控制第二电平转换装置关断(例如,为高阻状态,或者为具有一定阻抗的下拉态等),ESIM芯片导通。
需要说明的是,图7所示的界面仅为示例,该界面中还可以包括更多或更少的内容,本申请实施例对此不作限定。此外,本申请实施例对于界面中的控件形式、名称等不做限定。
上面已对本申请实施例的触控面板失灵通信方法进行了说明,下面对本申请实施例提供的执行上述触控面板失灵通信方法的装置进行描述。本领域技术人员可以理解,方法和装置可以相互结合和引用,本申请实施例提供的相关装置可以执行上述触控面板失灵通信方法中的步骤。
本申请实施例提供的SIM卡控制方法,可以应用在具备通信功能的电子设备中。电子设备包括终端设备,终端设备的具体设备形态等可以参照上述相关说明,此处不再赘述。
本申请实施例提供一种终端设备,该终端设备包括:包括:处理器和存储器;存储器存储计算机执行指令;处理器执行存储器存储的计算机执行指令,使得终端设备执行上述方法。
本申请实施例提供一种芯片。芯片包括处理器,处理器用于调用存储器中的计算机程序,以执行上述实施例中的技术方案。其实现原理和技术效果与上述相关实施例类似,此处不再赘述。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质。计算机可读存储介质存储有计算机程序。计算机程序被处理器执行时实现上述方法。上述实施例中描述的方法可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。如果在软件中实现,则功能可以作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或者在计算机可读介质上传输。计算机可读介质可以包括计算机存储介质和通信介质,还可以包括任何可以将计算机程序从一个地方传送到另一个地方的介质。存储介质可以是可由计算机访问的任何目标介质。
一种可能的实现方式中,计算机可读介质可以包括RAM,ROM,只读光盘(compactdisc read-only memory,CD-ROM)或其它光盘存储器,磁盘存储器或其它磁存储设备,或目标于承载的任何其它介质或以指令或数据结构的形式存储所需的程序代码,并且可由计算机访问。而且,任何连接被适当地称为计算机可读介质。例如,如果使用同轴电缆,光纤电缆,双绞线,数字用户线(digital subscriber line,DSL)或无线技术(如红外,无线电和微波)从网站,服务器或其它远程源传输软件,则同轴电缆,光纤电缆,双绞线,DSL或诸如红外,无线电和微波之类的无线技术包括在介质的定义中。如本文所使用的磁盘和光盘包括光盘,激光盘,光盘,数字通用光盘(digital versatile disc,DVD),软盘和蓝光盘,其中磁盘通常以磁性方式再现数据,而光盘利用激光光学地再现数据。上述的组合也应包括在计算机可读介质的范围内。
本申请实施例提供一种计算机程序产品,计算机程序产品包括计算机程序,当计算机程序被运行时,使得计算机执行上述方法。
本申请实施例是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程设备的处理单元以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理单元执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
以上的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的技术方案的基础之上,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种SIM卡通信电路,其特征在于,所述电路包括处理器、第一电平转换装置、第一卡槽、ESIM芯片;
所述第一电平转换装置的输入端和所述ESIM芯片均与所述处理器的同一组SIM接口连接,所述第一电平转换装置的输出端与所述第一卡槽连接;
所述处理器用于在接收到第一消息时,控制所述第一电平转换装置导通,以及控制所述ESIM芯片关断,以实现所述处理器与所述第一卡槽中的第一实体SIM卡的连接;
或者,所述处理器用于在接收到第二消息时,控制所述第一电平转换装置关断,以及控制所述ESIM芯片导通,以实现所述处理器与所述ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述处理器具体用于在接收到第一消息时,控制所述第一电平转换装置导通,以及控制所述ESIM芯片为高阻状态,以实现所述处理器与所述第一卡槽中的第一实体SIM卡的连接;
或者,所述处理器用于在接收到第二消息时,控制所述第一电平转换装置为高阻状态,以及控制所述ESIM芯片导通,以实现所述处理器与所述ESIM芯片中的ESIM卡的连接。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一电平转换装置还包括用于接收第一使能信号的端口、所述ESIM芯片还包括用于接收第二使能信号的端口;
所述处理器具体用于在接收到第一消息时,分别输出第一电平的所述第一使能信号和第二电平的所述第二使能信号,所述第一电平的所述第一使能信号用于控制所述第一电平转换装置导通,所述第二电平的所述第二使能信号用于控制所述ESIM芯片为高阻状态;
或者,所述处理器具体用于接收到第二消息时,分别输出第三电平的所述第一使能信号和第四电平的所述第二使能信号,所述第三电平的所述第一使能信号用于控制所述第一电平转换装置为高阻状态,所述第四电平的所述第二使能信号用于控制所述ESIM芯片导通。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,
所述第一电平与所述第二电平不同,所述第三电平与所述第四电平不同。
5.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,
所述第一电平与所述第二电平相同,所述第三电平与所述第四电平相同。
6.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,
所述第一使能信号与所述第二使能信号来自于所述处理器的同一端口,或者所述第一使能信号与所述第二使能信号来自于所述处理器的不同端口。
7.根据权利要求1-6任一项所述的电路,其特征在于,所述处理器包括第一端口、第二端口和第三端口,所述第一端口用于传输数据DATA信号,所述第二端口用于传输复位RST信号、所述第三端口用于传输时钟CLK信号;
所述第一电平转换装置包括第四端口、第五端口、第六端口、第七端口、第八端口、第九端口;
所述第一卡槽包括:第十端口、第十一端口和第十二端口;
所述ESIM芯片包括:第十三端口、第十四端口和第十五端口;
所述第一端口、所述第二端口和所述第三端口分别与所述第四端口、所述第五端口和所述第六端口连接;所述第一端口、所述第二端口和所述第三端口还分别与所述第十三端口、所述第十四端口和所述第十五端口连接;所述第七端口、所述第八端口和所述第九端口分别与所述第十端口、所述第十一端口和所述第十二端口连接。
8.根据权利要求1-6任一项所述的电路,其特征在于,所述电路还包括第二卡槽,所述第二卡槽与所述处理器连接。
9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述第二卡槽包括第十六端口、第十七端口和第十八端口;
所述处理器还包括第十九端口、第二十端口和第二十一端口,所述第十九端口用于传输DATA信号,所述第二十端口用于传输RST信号、所述第二十一端口用于传输CLK信号;
所述第十六端口、所述第十七端口和所述第十八端口分别与所述第十九端口、所述第二十端口和所述第二十一端口连接,以实现所述处理器与所述第二卡槽中的第二实体SIM卡连接。
10.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述电路还包括第二电平转换装置;
所述第二电平转换装置位于所述处理器与所述第二卡槽之间。
11.一种终端设备,其特征在于,包括:权利要求1-10任一项所述的电路,所述电路用于实现所述处理器与所述第一实体SIM卡的通信,或者用于实现所述处理器与所述ESIM卡的通信。
12.一种SIM卡控制方法,其特征在于,应用于如权利要求1-10任一项所述的电路,所述方法包括:
所述处理器接收到用于指示选取所述第一实体SIM卡的第一消息;所述处理器根据所述第一消息,控制所述第一电平转换装置导通,以及控制所述ESIM芯片关断;
或者,所述处理器接收到用于指示选取所述ESIM卡的第二消息;所述处理器根据所述第二消息,控制所述第一电平转换装置关断,以及控制所述ESIM芯片导通,所述第一电平转换装置的输入端和所述ESIM芯片均与所述处理器的同一组SIM接口连接。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,
所述处理器根据所述第一消息,控制所述第一电平转换装置导通,以及控制所述ESIM芯片关断,包括:
所述处理器根据所述第一消息输出第一电平的第一使能信号,以及第二电平的第二使能信号,所述第一电平的第一使能信号用于控制所述第一电平转换装置导通,所述第二电平的第二使能信号用于控制所述ESIM芯片为高阻状态;
所述处理器根据所述第二消息,控制所述第一电平转换装置关断,以及控制所述ESIM芯片导通,包括:
所述处理器根据所述第一消息输出第三电平的第一使能信号,以及第四电平的第二使能信号。
14.一种SIM卡控制方法,其特征在于,应用于如权利要求11所述的终端设备,其特征在于,所述方法包括:
所述终端设备显示第一界面,所述第一界面包括第一控件和第二控件;
所述终端设备接收到针对所述第一控件的第一操作;响应于所述第一操作,所述终端设备控制所述第一电平转换装置导通,以及控制所述ESIM芯片关断;
或者,所述终端设备接收到针对所述第二控件的第二操作;响应于所述第二操作,所述终端设备控制所述第一电平转换装置关断,以及控制所述ESIM芯片导通。
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