CN115036397A - 一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法 - Google Patents
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- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 28
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 14
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 12
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 claims description 6
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 4
- 238000009432 framing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 claims description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000033764 rhythmic process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，在异质结电池组件制造端，提供一种降低异质结电池切割损失和提升电池片排布空间利用率的方法，进而提升异质结电池组件的光电转换效率，并通过封装材料光谱特性的选型设计，降低紫外线对导电传输层的影响，同时采用无酸一体化复合背板，消除组件背面的电化学腐蚀隐患，保证组件效率的长期可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，更具体的说是涉及一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法。
背景技术
异质结晶硅电池由于采用了非晶硅钝化技术，该非晶硅膜层对温度很敏感，常规的晶硅电池串焊温度一般在200℃以上，容易破坏非晶硅膜层，异质结电池虽然普遍采用200℃以下的低温焊接技术，但为了降低电流的损耗，一般采用电池片二分切技术，降低电池片串联电阻的功率损耗，这样在电池切割面就形成局部区域无钝化，缺陷悬挂键较多，电池效率损失相对较大。并且由于焊带与异质结电池片直接接触，电池片排布无法实现紧密排布，需留有一定的电池片间隙，间隙一般为1.6mm～2mm，缓解焊带与异质结电池片边缘接触区域应力集中的现象。同时异质结电池的导电传输层对紫外光比较敏感，容易产生光老化，水汽的入侵在酸性条件下容易加速电池主栅线发生电化学反应。
本发明的目的在于，在异质结电池的组件制造环节，提供一种降低异质结电池切割损失和提升电池片排布空间利用率的方法，进而提升异质结电池组件的光电转换效率，并通过封装材料光谱特性的选型设计，降低紫外线对导电传输层的影响，同时采用无酸复合背板，消除组件背面的电化学腐蚀隐患，保证组件效率的长期可靠性。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法。
为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，包括以下步骤：
步骤S1.采用激光低损伤切割技术，将晶硅异质结电池沿着垂直于主栅线的方向，平均分成两个子电池；
步骤S2.对所述子电池的切割面进行钝化处理，具体为：将所述切割面浸入到纳米二氧化硅溶液0.5s～2s，浸入深度0.7mm～1.5mm，然后采用红外灯对所述切割面进行照射，时间为5s～8s,控制照射温度在160℃～180℃范围内，得到异质结子电池；
步骤S3.在对所述异质结子电池进行串焊前，首先在垂直于主栅方向的异质结子电池边缘2mm～4mm位置喷涂透明快固型硅胶；
步骤S4.制备电池串：放置焊带，进行串焊，电池片间距控制在0.3mm～0.6mm；
步骤S5.将封装材料敷设到前玻璃表面；
步骤S6.将所述电池串按放置在所述封装材料表面；
步骤S7.在所述电池串上敷设一体化复合背板；
步骤S8.经过层压、装框、接线盒安装，制备得到电池组件。
可选的，所述封装材料为紫外截止波长大于等于350nm的POE或EPE封装材料。
可选的，所述封装材料为具有光谱转换功能的POE或EPE封装材料。
可选的，所述POE或EPE封装材料具有将波长300nm～400nm的紫外光转换成波长400nm～500nm可见光的特性。
可选的，所述一体化复合背板包括三层，内层为硅胶胶膜材料，中间层为PET材料，外层为氟膜或氟涂层，三层材料共挤形成。
可选的，所述纳米二氧化硅溶液是以粒径10nm～50nm的二氧化硅粉体为基体物质，以去离子水为分散介质，制备得到，所述纳米二氧化硅溶液中固含量20%～50%。
与现有技术相比，该发明方案为综合技术实现组件高转换效率和效率的可靠性，现有技术中，多集中在某一方面，如集中解决高转化效率问题或集中技术解决效率可靠性问题。本发明采用纳米硅钝化电池片的切割面，并在切割后的电池片边缘2mm～4mm处喷涂透明快固型硅胶，同时采用一体化背板设计，背板内层与电池接触的材料选用硅胶胶膜材料，实现无酸效果。具体的有益效果在于：本发明可以同时实现异质结电池组件的高光电转换效率和组件效率的长期可靠性。与现有技术相比，本发明具有工艺可靠、技术综合、更加安全等优点。
具体实施方式
本发明提供了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法。
下面将结合本申请实施例对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例一：
本发明实施例一提供了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，具体步骤如下：
S1.采用激光低损伤切割技术，将晶硅异质结电池沿着垂直于主栅线的方向，平均分成2个子电池；
S2.切割后的子电池的切割面进行钝化处理；钝化过程为：钝化处理的操作：电池切割面浸入到纳米二氧化硅溶液0.5s的时间，电池片浸入深度0.7mm，然后采用红外灯对电池切割面进行照射，照射时间5s,控制红外灯的功率使得照射时间内，电池片切割位置的温度控制在160℃左右；
S3.完成切割面钝化的异质结电池进行低温串焊操作，首先在垂直于主栅方向的电池片边缘2mm～4mm位置喷涂透明快固型硅胶；这样在相邻电池的边缘，主栅上的金属焊带与电池片边缘位置区域无直接接触，而是中间有一层硅胶作为缓冲设计，减少金属互联在电池边缘造成的应力集中问题。
S4.放置焊带，进行低温串焊，电池片间距控制在0.3mm～0.6mm，制备电池串；
S5.将紫外截止波长大于等于350nm的POE或EPE封装材料敷设到前玻璃表面；由于紫外线容易被异质结晶硅电池的透明导电层和非晶硅膜层吸收，从而影响透明导电层和非晶硅膜层的自身性能，降低异质结电池的电流输出。
S6.将电池串按相应位置放置在POE或EPE封装材料表面；
S7.在电池串上面敷设一体化复合背板，一体化复合背板的内层为硅胶胶膜材料，中间层为PET材料，外层为氟膜或氟涂层。三层材料共挤形成；
S8.经过层压、装框、接线盒安装，制备出完整的高转换效率晶硅异质结电池组件。
为了进一步优化该实施例，在步骤S2中，纳米二氧化硅溶液的制备以粒径10nm～50nm的二氧化硅粉体为基体物质，以去离子水为分散介质，制备纳米二氧化硅溶液，溶液中固含量20%-50%。纳米二氧化硅溶液也可以采用酸性或碱性介质作为分散介质，但是无论是酸性还是碱性介质均容易对光伏电池表面的细栅线及膜层造成破坏。
实施例二：
本发明实施例二提供了一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，具体步骤如下：
S1.采用激光低损伤切割技术，将晶硅异质结电池沿着垂直于主栅线的方向，平均分成2个子电池；
S2.切割后的子电池的切割面进行钝化处理；钝化过程为：钝化处理的操作：电池切割面浸入到纳米二氧化硅溶液2s的时间，电池片浸入深度1.5mm，然后采用红外灯对电池切割面进行照射，照射时间8s,控制红外灯的功率使得照射时间内，电池片切割位置的温度控制在180℃左右；
S3.完成切割面钝化的异质结电池进行低温串焊操作，首先在垂直于主栅方向的电池片边缘2mm～4mm位置喷涂透明快固型硅胶；
S4.放置焊带，进行低温串焊，电池片间距控制在0.3mm～0.6mm，制备电池串；
S5.将具有光谱转换功能的POE或EPE封装材料敷设到前玻璃表面，可以将紫外光转换成可见光，即将波长300nm-400nm的紫外光转换成波长400nm-500nm可见光;在封装材料层实现紫外线光的转换，将紫外线光转换成可见光，同样可以实现阻止紫外线进入异质结电池的透明导电层和非晶硅膜层的效果。
S6.将电池串按相应位置放置在POE或EPE封装材料表面；
S7.在电池串上面敷设一体化复合背板，一体化复合背板的内层为硅胶胶膜材料，中间层为PET材料，外层为氟膜或氟涂层。三层材料共挤形成；
S8.经过层压、装框、接线盒安装，制备出完整的高转换效率晶硅异质结电池组件。
分别对依照现有技术制备方法和实施例一、实施例二的制备方法得到的光伏组件的性能进行检测，得到以下对比结果：
本发明实施例的具体技术效果：
一方面，现有技术将电池片一分为二的操作，前移到电池端，虽然这样切割面可以实现同样的钝化效果，由于组件端切割电池片不影响组件制备的整体节拍，但电池端切割硅片再制作电池，会严重影响电池的生产效率，造成制造成本的上升。而本发明在组件端电池片串焊前，增加电池片切割面钝化的操作，可以不影响生产效率和几乎不增加成本的情况下实现电池片切割面钝化，降低电池片切割效率损失。
另一方面，现有技术有在电池边缘插入EPE或POE长条状封装材料，虽然同样可以实现该区域应力缓冲，但是该技术无法兼容现有的串焊机设备，需要重新设计新结构串焊机，并且增加了插入EPE或POE长条状封装材料的操作，会严重减慢电池片串焊速度，进而增加成本。而本发明仅在电池片串焊前增加喷涂透明快固型硅胶的操作，可以兼容现有串焊机设备，将硅胶喷涂设备集成到现有串焊机设备上，并且不会影响现有串焊速度和生产节拍。
再一方面。现有技术中，有背板内层材料为POE或EPE材料，与电池接触的材料可以实现无酸效果。但是硅胶胶膜材料的阻水性仍是由于POE或EPE材料，可以包装组件更好的阻水性，实现更长的使用寿命。
在本申请的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体 ；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。
提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本申请的范围。因此，本申请不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。
为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本申请的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.采用激光低损伤切割技术，将晶硅异质结电池沿着垂直于主栅线的方向，平均分成两个子电池；
S2.对所述子电池的切割面进行钝化处理，具体为：将所述切割面浸入到纳米二氧化硅溶液0.5s～2s，浸入深度0.7mm～1.5mm，然后采用红外灯对所述切割面进行照射，时间为5s～8s,控制照射温度在160℃～180℃范围内，得到异质结子电池；
S3.在对所述异质结子电池进行串焊前，首先在垂直于主栅方向的异质结子电池边缘2mm～4mm位置喷涂透明快固型硅胶；
S4.制备电池串：放置焊带，进行串焊，电池片间距控制在0.3mm～0.6mm；
S5.将封装材料敷设到前玻璃表面；
S6.将所述电池串按放置在所述封装材料表面；
S7.在所述电池串上敷设一体化复合背板；
S8.经过层压、装框、接线盒安装，制备得到电池组件。
2.根据权利要求1所述的高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，所述封装材料为紫外截止波长大于等于350nm的POE或EPE封装材料。
3.根据权利要求1所述的高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，所述封装材料为具有光谱转换功能的POE或EPE封装材料。
4.根据权利要求3所述的高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，所述POE或EPE封装材料具有将波长300nm～400nm的紫外光转换成波长400nm～500nm可见光的特性。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，所述一体化复合背板包括三层，内层为硅胶胶膜材料，中间层为PET材料，外层为氟膜或氟涂层，三层材料共挤形成。
6.根据权利要求5所述的高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅溶液是以粒径10nm～50nm的二氧化硅粉体为基体物质，以去离子水为分散介质，制备得到，所述纳米二氧化硅溶液中固含量20%～50%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210952950.9A CN115036397B (zh) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | 一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210952950.9A CN115036397B (zh) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | 一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115036397A true CN115036397A (zh) | 2022-09-09 |
| CN115036397B CN115036397B (zh) | 2022-11-04 |
Family
ID=83130337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210952950.9A Active CN115036397B (zh) | 2022-08-10 | 2022-08-10 | 一种高转换效率异质结晶硅电池组件制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115036397B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102800758A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 夏洋 | 一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法 |
| CN102863916A (zh) * | 2012-09-14 | 2013-01-09 | 宁波威克丽特功能塑料有限公司 | 一种poe光谱转换太阳能电池封装胶膜及其制备方法 |
| CN109786492A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-05-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 光伏组件及其制造方法 |
| CN111416001A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-07-14 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
| CN111509091A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种电池边缘钝化方法 |
| CN112687763A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种钝化接触晶体硅电池制备方法 |
| CN113206009A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-03 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件 |
| CN113611763A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-05 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法 |
| CN113782628A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-12-10 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法 |
| CN113903827A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-07 | 宁波瑞元天科新能源材料有限公司 | 一种太阳能电池切割面抛光钝化方法和装置 |
| CN114058271A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-02-18 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种不同uv吸收波段的胶膜及其制备方法 |
-
2022
- 2022-08-10 CN CN202210952950.9A patent/CN115036397B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102800758A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 夏洋 | 一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法 |
| CN102863916A (zh) * | 2012-09-14 | 2013-01-09 | 宁波威克丽特功能塑料有限公司 | 一种poe光谱转换太阳能电池封装胶膜及其制备方法 |
| CN109786492A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-05-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 光伏组件及其制造方法 |
| CN111416001A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-07-14 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化胶、钝化方法及钝化设备 |
| CN111509091A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-07 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种电池边缘钝化方法 |
| CN112687763A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种钝化接触晶体硅电池制备方法 |
| CN113206009A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-03 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件 |
| CN113611763A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-05 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法 |
| CN113903827A (zh) * | 2021-09-08 | 2022-01-07 | 宁波瑞元天科新能源材料有限公司 | 一种太阳能电池切割面抛光钝化方法和装置 |
| CN113782628A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-12-10 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种光伏组件及其制备方法 |
| CN114058271A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-02-18 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种不同uv吸收波段的胶膜及其制备方法 |
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