CN115033131A - 电容式传感装置和具有电容式传感装置的电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种电容式传感装置和具有电容式传感装置的电子设备。电容式传感装置包括：封装基板；承载座，设置在封装基板上并具有承载面；电容式传感芯片，设置在承载座的承载面上并包括硅衬底和形成在硅衬底上的电容式传感器芯片器件层；电连接件，用于连接电容式传感芯片和封装基板，以及封装层，包覆电容式传感芯片和承载座并具有弧形上表面。封装层的弧形上表面的曲率、所述电容式传感芯片的曲率和所述承载座的承载面的曲率相匹配。本申请实施例电容式传感装置提供满足电子设备的大曲率外形需求的封装设计，并通过令电容式传感芯片上方充当传感介质的塑封层厚度保持稳定，以及提供更大的像素面，以保证采集信息的准确性。

Description

电容式传感装置和具有电容式传感装置的电子设备

技术领域

本申请实施例涉及传感器领域，尤其涉及一种电容式传感装置和具有电容式传感装 置的电子设备。

背景技术

由于电容式传感装置具有体积小、重量轻、低功耗、低成本，以及与常规互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)电路具有高度整合性的优点，电容式传感装置在指纹认证、心电传感、电子皮肤等生物识别领域被广泛地应 用。

对于生物识别领域中的电子设备，如何令电容式传感装置提供弧形封装结构以满足 电子设备的大曲率外形需求的封装设计，也要满足采集信息的准确性，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种电容式传感装置、电容式传感装置的制作方法及 电子设备，能够部分或者全部解决上述技术问题。

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种电容式传感装置，包括：封装基板；承载座，设置在所述封装基板上，所述承载座具有承载面；电容式传感芯片，设置在所述 承载座的承载面上，所述电容式传感芯片包括硅衬底和形成在所述硅衬底上的电容式传 感器芯片器件层；电连接件，用于连接所述电容式传感芯片和所述封装基板；以及封装 层，包覆所述电容式传感芯片和所述承载座，所述封装层具有弧形上表面；其中，所述 封装层的弧形上表面的曲率、所述电容式传感芯片的曲率和所述承载座的承载面的曲率 相匹配。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种电子设备，包括上述的电容式传感装置， 所述电容式传感装置设置在所述电子设备的侧面。

根据本申请实施例提供的电容式传感装置和具有电容式传感装置的电子设备，其中 电容式传感装置中包覆电容传感芯片和承载座的封装层具有弧形上表面，令电容式传感 装置满足电子设备的大曲率外形需求的封装设计，弧形上表面的封装层也改善了用户的 触碰的体验。并且，本申请实施例中封装层的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片的曲率以及承载座的承载面的曲率相匹配，令电容式传感芯片上方充当传感介质的塑封层厚度保持稳定，以保证采集信息的准确性。进一步地，由于电容式传感芯片为曲面结构， 相对于平面结构，在相同的空间内，其可布置更大的像素面，从而获取更好的生物识别 功能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有 技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图 获得其他的附图。

图1为相关技术的一种电容式传感装置的截面图；

图2示出了图1中的电容式传感装置中各电容式感测单元输出信号强度示意图；

图3为根据本申请实施例的电容式传感装置的截面图；

图4为根据本申请实施例的电容式传感芯片的示意图；

图5示出了图1以及图3中的电容式传感装置中各电容式感测单元输出信号强度示意图；

图6为根据本申请实施例的电容式传感装置的制作方法的流程图；

图7A至图7G为根据本申请实施例制备图3所示的电容式传感装置的各个阶段中形成的结构的示意图；以及

图8为根据本申请实施例的电子设备的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。为便于说明，在本申请的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略 对相同部件的详细说明。应理解，附图示出的本申请实施例中的各种部件的厚度、长宽 等尺寸，以及集成装置的整体厚度、长宽等尺寸仅为示例性说明，而不应对本申请构成 任何限定。

需要说明的是，在不冲突的前提下，本申请描述的各个实施例和/或各个实施例中的 技术特征可以任意的相互组合，组合之后得到的技术方案也应落入本申请的保护范围。

应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本 申请实施例，而非限制本申请实施例的范围。

还应理解，在本申请的各种实施例中，各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的 先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

还应理解，在本申请实施例和所附权利要求书中使用的术语是仅仅出于描述特定实 施例的目的，而非旨在限制本申请实施例。例如，在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“上述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清 楚地表示其他含义。

如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种组件、组件、 区、层及/或区段，但此类组件、组件、区、层及/或区段不应被此类术语限制。此类术 语仅可用于彼此区分一个组件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第 三”的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由背景内容明确指示。

此外，为便于描述，例如“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”及类 似物的空间相对术语可在本文中用于描述一个组件或构件与图中说明的另一组件或构件 的关系。除图中描绘的定向外，空间相对术语还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定 向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空 间相对描述符。

示例性地，该电容式传感装置设置在手机的侧面，用于实现指纹识别功能。

参见图1，传统的电容式传感装置1包括：封装基板11、电容式传感芯片12、电连 接件13和封装层14。电容式传感芯片12设置在封装基板11上。电容式传感芯片12通 过电连接件13与封装基板11连接。封装层14包覆电容式传感芯片12和电连接件13。

为了匹配手机侧面的弧形安装面，电容式传感装置的封装层14的上表面S1被设置为弧形上表面，弧形上表面S1以一定曲率弯曲。电容式传感芯片12具有水平上表面S2， 水平上表面S2的曲率为0。电容式传感芯片12的水平上表面S2包括硅衬底和形成在硅 衬底上的电容式感测单元阵列(图中未示出)及电路层(图中未示出)。电容式感测单 元阵列包括沿着X方向的多个电容式感测单元，电容式感测单元用于感测触摸封装层14 的弧形上表面S1的手指，进而实现指纹识别功能。

封装层14作为用户手指和电容式传感芯片12之间的介质层，封装层14的上表面S1的曲率会导致电容式传感芯片12的上表面S2上不同的电容式感测单元上方的封装层 厚度(MCL,Mold Clearance)不一致。

示例性地，位置A位于电容式传感芯片12的中心，位置B位于电容式传感芯片12 的边缘，封装层14在位置A处的第一厚度d1大于封装层14在位置B处的第二厚度d2。 随着封装层14的上表面S1的曲率的增大，位置A处的封装层的第一厚度d1增大，位置 B处的封装层的第二厚度d2减小。

若封装层14在位置A处的第一厚度d1大于电容式感测单元能够感测到电容信号的穿透限制厚度时，会造成位置A处的电容式感测单元无法感测电容信号。若封装层14在 位置B处的第二厚度d2小于电容式传感芯片所需要的封装机械强度限制厚度时，会造成 电容式传感芯片无法满足规定的封装机械强度。因此，由于位置A处的第一厚度d1受限 于电容式感测单元能够感测到电容信号的穿透限制厚度，位置B处的第二厚度d2受限于 电容式传感芯片所需要的封装机械强度限制厚度，封装层14的上表面S1的曲率不能过 大。

此外，电容式感测单元所感测的外部电容C_f可采用公式(1)计算获得：

其中，ε是封装层的介电常数，S是电容感测单元的面积，k是静电力常数，d是电容感测单元所在位置处的封装层的厚度。

电容式传感芯片12采用电荷自容原理进行信号处理，即电容式感测单元将感测的外 部电容C_f发送至电路层中的处理电路，处理电路的输出信号正比于处理电路的电压信号 ΔV_{int_o}，电压信号ΔV_{int_o}可用公式(2)计算获得：

其中，V_cm，V_DD，C_int分别是处理电路共模电压，供电电压和反馈电容，N为处理电 路中积分器的积分次数。以上处理电路的参数均为固定值，则处理电路的输出信号正比 于外部电容C_f。因此，电容式传感芯片12的输出信号反比于电容感测单元所在位置处的 封装层的厚度d。

图2示出了图1中的电容式传感装置中各电容式感测单元输出信号强度示意图。由图2可见，电容式传感装置的输出信号的强度随着电容感测单元像素位置处的封装层的 厚度变化。若封装层14的上表面S1的曲率过大，各电容感测单元所在位置处的封装层 的厚度变化增大，会造成电容式传感装置的输出信号中两侧的信号因上饱和或下饱和而 丢失。

因此，为了匹配手机侧面的弧形安装面，需要增大封装层14的上表面S1的曲率时，通常会减小电容式传感芯片12的尺寸，从而避免不同的电容式感测单元上方的封装层厚度的变化随着曲率的增大而加大。但是电容式传感芯片12的尺寸减少也会造成电容式传感芯片12上的电容式传感单元的减少，会造成电容感测准确度的下降甚至造成电容式传感芯片12无法工作。

基于上述技术问题，本申请实施例提供一种电容式传感装置，参见图3，电容式传感装置3包括：封装基板31、承载座32、电容式传感芯片33、电连接件34以及封装层 35。承载座32设置在封装基板31上。承载座32具有承载面，承载面为弧面。承载座 32用于支撑和固定电容式传感芯片33。电容式传感芯片33设置在承载座32的承载面上， 电容式传感芯片33包括硅衬底和形成在硅衬底上的电容式传感器芯片器件层。电容式传 感芯片33和封装基板31通过电连接件34连接，封装层35包覆电容式传感芯片33和封 装基板31。

在本实施例中，封装基板31为柔性电路板(flexible printed circuit，FPC)，其厚度范围为200-600微米。可以理解的是，封装基板31也可以为印制电路板(printedcircuit board，PCB)或者软硬结合板(rigid flex board)等，其厚度也可以根据电容式传感装置3的总厚度需求灵活调整。

具体地，电容式传感芯片33可实现生物特征识别，例如心电检测、指纹、脉搏、心肌电图像采集。

参见图4，电容式传感芯片33上的电容式传感器芯片器件层包括多个沿着X方向设置的电容式传感器331以及电路层(图中未示出)，每个电容式传感器331作为一个上 述的电容感测单元。每个电容式传感器331包括一个感测电极(即感测极板)，用于和检 测对象形成耦合电容。每个电容式传感器331通过检测耦合电容的电容值便可以识别出 生物特征。电容式传感芯片33还包括设置在硅衬底上的处理电路(图中未示出)，处理 电路用于处理电容式传感器331感测的外部电容。电路层(图中未示出)包括处理电路， 处理电路包括采样电路、积分器、模数转换器等。电容式传感器芯片器件层将感测的电 容值发送至电路层中的处理电路，获得输出信号。电容式传感器芯片器件层和电路层通 过CMOS工艺制作在硅衬底上。进一步地，由于电容式传感芯片33为曲面结构，相对于 平面结构，在相同的空间内，其可布置更大的像素面，从而获取更好的生物识别功能。

在本实施例中，电连接件34将电容式传感芯片33上的焊盘(PAD)与封装基板31 的管脚(PIN)连接。为减轻对电容式传感芯片33的压伤，电连接件34使用4N金线。 可以理解，电连接件34可以使用其他质地较软的金属。电连接件34还可以是硅通孔 (throughsilicon via，TSV)等其它电连接件，本申请实施例对电连接件34的具体类型 同样不做限定。

本申请实施例封装层35具有弧形上表面S1，令电容式传感装置3满足电子设备的大曲率外形需求的封装设计，弧形上表面的封装层也改善了用户的触碰体验。

并且，本申请实施例封装层35的弧形上表面S1的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座32的承载面的曲率相匹配。封装层35上表面S1的曲率增大，电容式传感芯片 33的曲率和承载座32的承载面的曲率会对应增大。因此，电容式传感芯片33的上表面 S2上不同的电容式感测单元上方的封装层厚度不会随封装层35上表面S1的曲率增加而 变化，保证了电容式传感芯片33上各电容式传感单元所采集信息的准确性。

图5示出了图1和图3中的电容式传感装置中各电容式感测单元输出信号强度示意图。图1中的封装层14的上表面S1的曲率增大，各电容感测单元所在位置处的封装层 的厚度变化增大，会造成电容式传感装置的输出信号中两侧的信号因上饱和或下饱和而 丢失。而图3中的封装层35的上表面S1的曲率增大，各电容感测单元所在位置处的封 装层的厚度变化较小，保证了各电容式传感单元所采集信息的准确性。

在本申请实施例一些具体实现中，封装层35的弧形上表面S1、电容式传感芯片和承载座的承载面平行，电容式传感芯片33的上表面S2上各电容式感测单元上方的封装 层厚度维持不变，进一步保证了电容式传感芯片33上各电容式传感单元所采集信息的准 确性。

在本申请实施例另一些具体实现中，电容式传感芯片33具有柔性。从而令电容式传 感芯片33便于设置在承载座32的弧形承载面上，且与封装层35的弧形上表面S1、承 载座32的承载面的曲率相匹配。

具体地，为了实现电容式传感芯片为柔性，以便令其与弧形上表面S1、承载面的曲率相匹配，电容式传感芯片33的厚度范围为大于等于20，且小于等于50微米，电容式 传感芯片33的曲率半径大于等于5.3毫米。

具体地，电容式传感芯片33的厚度范围取决于电容式传感芯片33的材料。电容式传感芯片33的材料所允许的极限曲率半径可由公式(3)计算获得：

其中，r_c为电容式传感芯片33的极限曲率半径，即电容式传感芯片33的材料开始发 生断裂时的曲率半径，t是电容式传感芯片33的材料的厚度，ε_failure是电容式传感芯片33的材料的断裂应变。电容式传感芯片33中包括为衬底的硅、作为介质和钝化层的二 氧化硅和氮化硅、作为连接线的金属等材料。因为金属延展性较好，计算极限弯曲半径r_c时 主要考虑电容式传感芯片200中的金属以外的其他脆性材料，即硅、二氧化硅、氮化硅。 电容式传感芯片33的弯曲过程需要确保衬底和电路层不会受损或有明显的功能降级，即 应变小于所允许的断裂应变ε_failure。硅、二氧化硅、氮化硅的ε_failure的典型值分别为0.7％，0.57％和0.18％。从公式(3)可以看出，通过降低电容式传感芯片33的厚度t，可以获 取更大的允许曲率，即更小的极限曲率半径r_c。

因此，本申请实施例将电容式传感芯片33的厚度范围减薄至小于等于50微米，从而令电容式传感芯片33在满足材料要求下提供更大的允许曲率。并且，由于电容式传感 芯片33中电路层的厚度通常为大于等于10微米，且小于等于20微米，考虑电容式传感 芯片33安全性以及现有加工电容式传感芯片的机台的能力的下限，将电容式传感芯片 33的厚度范围设置为大于等于20微米。为进一步保证电容式传感芯片33安全性，将电 容式传感芯片33的厚度范围设置为大于等于30微米。

电容式传感芯片33的厚度代入公式(3)计算获得电容式传感芯片33的曲率半径大于等于5.3毫米，为了进一步保证电容式传感芯片33安全性，一般选择将电容式传感芯 片33的曲率半径设置为大于等于8毫米。由于电容式传感芯片33的曲率和封装层35的 弧形上表面S1的曲率以及承载座的承载面的曲率匹配，电容式传感芯片33的上述曲率 半径，令电容式传感装置可以满足各类智能手表、手环、耳机及服装内嵌类可穿戴电子 产品的整体外观设计对电容式传感装置曲率的要求。

在本申请实施例再一些具体实现中，承载座32和封装层35的材料包括环氧塑封料。 环氧塑封料具有填充颗粒粒径小、介电特性均匀并且稳定、热膨胀系数较小的优点，环氧塑封料的典型型号有G1250AH-FH,G1250AH-F1,G1255BAS-TJ,SG-8300DK7，A381AA TypeE等。

本申请承载座32和封装层35选择同样的环氧塑封料，以尽可能降低电容式传感装置整体结构在加工和使用过程中的内应力。

在本申请实施例再一些具体实现中，参见图3，电容式传感装置还包括：第一粘接胶层36和第二粘接胶层37，承载座32通过第一粘接胶层36设置在封装基板31上，电 容式传感芯片33通过第二粘接胶层37贴合承载座32的承载面，第一粘接胶层36和第 二粘接胶层37的厚度范围为10-20微米。

在本申请实施例中第一粘接胶层36和第二粘接胶层37能够提供良好的粘附力，且便于装配。第一粘接胶层36和第二粘接胶层37例如为芯片粘接胶层(DIE Attach Film,DAF)。第一粘接胶层36和第二粘接胶层37的厚度例如可以均为10-20微米，从而在保 证粘附力的同时，尽量减少对电容式传感装置厚度的增加。

在本申请实施例再一些具体实现中，封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片33和承载座32的承载面具有相同圆心。

本申请实施例采用封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片33和承载座32的承载面具有相同圆心，实现封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承 载座32的承载面的曲率相匹配。

在本申请实施例再一些具体实现中，封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片33和承载座32的承载面的曲率相等。

本申请实施例采用封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片33和承载座32的承载面曲率相等，实现封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座 32的承载面的曲率相匹配。

图6为根据本申请实施例的电容式传感装置的制作方法的流程图。图7A至图7G为根据本申请实施例的制备图3所示的电容式传感装置的各个阶段中形成的结构的示意图。结合图6，图7A至图7G描述电容式传感装置的制作方法。电容式传感装置的制作方法 包括以下步骤。

步骤S601，提供具有承载面的承载座32。

承载座32的承载面为弧面。承载座32如图7A所示。承载座32的材料例如为环氧 塑封料(Epoxy Molding Compound，EMC)。承载面通过弧面模具形成，弧面模具具有曲 率。

步骤S602，将承载座32通过第一粘接胶层36设置在封装基板31上。

具体地，将第一粘接胶层36设置在承载座32的表面，再通过上芯工艺(Die Bond)将承载座32转移到封装基板31的指定位置。上芯工艺是一种封装制程工艺，上芯工艺 又称为管芯接合工艺、或黏晶工艺、或固晶工艺。第一粘接胶层500例如为芯片粘接胶 层(DIEAttach Film,DAF)，厚度为10-20微米。图7B示出了设置在封装基板31上 的承载座32。

步骤S603，提供厚度为T1的电容式传感芯片33。

电容式传感芯片33包括硅衬底和形成在硅衬底上的电容式传感器芯片器件层。如图 7C所示，电容式传感芯片33具有形成在硅衬底正面的电容式传感器芯片器件层(图中未示出)和处理电路(图中未示出)。电容式传感器芯片器件层和处理电路通过CMOS工 艺制作在硅衬底上。电容式传感芯片33具有厚度T1,厚度T1大约为几百微米。

步骤S604，减薄电容式传感芯片33的厚度，获得厚度为T2的电容式传感芯片33。

在一些实施例中，通过晶圆背面研磨(Back Grinding)及抛光工艺减小电容式传感 芯片33的厚度。在研磨前，在电容式传感芯片33的正面设置保护层(例如保护胶带)。 通过研磨砂轮来研磨电容式传感芯片33的背面，使电容式传感芯片33的厚度减小。通 过抛光工艺使电容式传感芯片33的背面平整。如图7D所示，减薄后的电容式传感芯片 33的厚度为T2。

在一些实施例中，步骤S603和S604中的操作对象是包括多颗电容式传感芯片33的晶圆(Wafer),多颗电容式传感芯片33设置有划片道。整个晶圆经过减薄后，通过划片 道将电容式传感芯片33分离。

具体地，电容式传感芯片33的厚度范围为大于等于20，且小于等于50微米，所述电容式传感芯片的曲率半径大于等于5.4毫米。

步骤S605，将电容式传感芯片33通过第二粘接胶层37贴合在承载座32的承载面。

如图7E所示，电容式传感芯片33的曲率和所述承载座32的承载面的曲率相匹配。

步骤S606，将电容式传感芯片33和封装基板31通过电连接件34连接。

如图7F所示，通过引线键合(Wire Bonding)工艺形成电连接件34，电连接件34 将电容式传感芯片33的焊盘(PAD)与封装基板31的管脚(PIN)连接。

为减轻对电容式传感芯片33的压伤，电连接件34可以使用4N金线。可以理解，电连接件34可以使用其他质地较软的金属线。电连接件34还可以是硅通孔(through siliconvia，TSV)等其它电连接件。

步骤S607，形成包覆电容式传感芯片33和承载座32的封装层35。

封装层35用于保护电容式传感芯片33，并且作为电容式传感芯片33的电容介质层。 封装层35例如为环氧塑封料，可以通过塑封工艺形成。

在一些实施例中，封装层35的弧形上表面可以通过塑封模具在塑封工艺中直接形成。

在一些实施例中，首先通过塑封工艺形成上表面为平面的封装层35，再通过仿形砂 轮对封装层35的上表面处理以形成弧形上表面。如图7G所示，封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座32的承载面的曲率相匹配。

在本申请实施例再一些具体实现中，采用封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片 33和承载座32的承载面平行，实现封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座32的承载面的曲率相匹配。

在本申请实施例再一些具体实现中，采用封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片 33和承载座32的承载面具有相同圆心，实现封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座32的承载面的曲率相匹配。

在本申请实施例再一些具体实现中，采用封装层35的弧形上表面、电容式传感芯片 33和承载座32的承载面曲率相等，实现封装层35的弧形上表面的曲率、电容式传感芯片33的曲率和承载座32的承载面的曲率相匹配。

本申请还提供一种电子设备，包括上述的电容式传感装置。电子设备例如为可穿戴 电子设备、智能手机、平板电脑以及其他类型的移动终端。

作为示例，如图8所示，本实施例以电容式传感装置10应用在智能手机20为例， 该电容式传感装置10可以设置在智能手机20的侧面。智能手机的侧面为弧面。该电容 式传感装置10的封装层35的上表面朝向手机的侧面的外侧，当手指触摸时，封装层34 在手指和电容式传感芯片33之间。

在一些实施方式中，该电容式传感装置可以是嵌入电子设备侧面的一个独立部件。

在另一些实施方式中，该电容式传感装置可以集成设置于嵌入电子设备侧面的目标 按键，例如，该目标按键包括但不限于是智能手机的电源按键，该电源按键除了用于实现启动/唤醒智能手机外，还可以用于实现其他功能，例如指纹识别。进一步地，在该实 施方式中，可以在实现其他功能，例如指纹识别的基础上，再启动/唤醒智能手机，提高 智能手机认证的安全性能。

需要指出，根据实施的需要，可将本申请实施例中描述的各个部件/步骤拆分为更多 部件/步骤，也可将两个或多个部件/步骤或者部件/步骤的部分操作组合成新的部件/步 骤，以实现本申请实施例的目的。

以上实施方式仅用于说明本申请实施例，而并非对本申请实施例的限制，有关技术 领域的普通技术人员，在不脱离本申请实施例的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本申请实施例的范畴，本申请实施例的专 利保护范围应由权利要求限定。

Claims (13)

1.一种电容式传感装置，包括：

封装基板；

承载座，设置在所述封装基板上，所述承载座具有承载面；

电容式传感芯片，设置在所述承载座的承载面上，所述电容式传感芯片包括硅衬底和形成在所述硅衬底上的电容式传感器芯片器件层；

电连接件，用于连接所述电容式传感芯片和所述封装基板；以及

封装层，包覆所述电容式传感芯片和所述承载座，所述封装层具有弧形上表面；

其中，所述封装层的弧形上表面的曲率、所述电容式传感芯片的曲率和所述承载座的承载面的曲率相匹配。

2.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述封装层的弧形上表面、所述电容式传感芯片和所述承载座的承载面平行。

3.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述电容式传感芯片具有柔性。

4.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述电容式传感芯片的厚度范围为大于等于20，且小于等于50微米，所述电容式传感芯片的曲率半径大于等于5.3毫米。

5.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述承载座和所述封装层的材料包括环氧塑封料。

6.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述电容式传感装置还包括：第一粘接胶层和第二粘接胶层，所述承载座通过所述第一粘接胶层设置在所述封装基板上，所述电容式传感芯片通过所述第二粘接胶层贴合所述承载座的承载面，所述第一粘接胶层和第二粘接胶层的厚度范围均为10-20微米。

7.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述封装层的弧形上表面、所述电容式传感芯片和所述承载座的承载面具有相同圆心。

8.根据权利要求1所述的电容式传感装置，其中，所述封装层的弧形上表面、所述电容式传感芯片和所述承载座的承载面的曲率相等。

9.一种电子设备，包括如权利要求1至8任一项所述的电容式传感装置，所述电容式传感装置设置在所述电子设备的侧面。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述电子设备的侧面为弧形。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，所述电容式传感装置设置在所述电子设备的目标按键上，所述目标按键设置于所述电子设备的侧面，所述目标按键用于实现目标功能以及指纹识别功能。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述目标按键为所述电子设备的电源键。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的电子设备，其中，所述电子设备为可穿戴电子设备。

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