CN115021534A - 一种栅极驱动器电路、电源电路和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种栅极驱动器电路、电源电路和方法。栅极驱动器电路包括栅极驱动器组件、变压器、第一和第二电路电压输出、第一和第二开关装置以及控制器。栅极驱动器组件包括第一和第二电压输入以及耦合到变压器的初级绕组的第一和第二电压输出。第一开关装置和第二开关装置耦合到次级绕组并且分别耦合到第一电路电压输出和第二电路电压输出。控制器被配置为通过向第一电压输入供应比向第二电压输入供应的更高的第一输入电压来导致第一电路电压输出供应正输出电压，并且还被配置为通过向第二电压输入供应比向第一电压输入供应的更高的第二输入电压来导致第一电路电压输出供应负输出电压。该栅极驱动器电路受益于电流隔离、低印刷电路板占用面积。

Description

一种栅极驱动器电路、电源电路和方法
技术领域
本公开内容的各方面涉及电源(power supply)，并且具体地涉及电源栅极驱动器。
背景技术
电源通常将传入电压转换成不同的输出电压。例如，交流(AC)输入电压可以被转换成直流(DC)电压以供电子设备使用。在另一个示例中，第一DC输入电压可以被转换成不同的DC电压以供电子设备使用。
电源拓扑可以包括驱动高侧或浮动半导体开关。这些拓扑包括例如降压转换器(buck converter)、LLC转换器、半桥转换器、全桥转换器、图腾柱升压转换器(totem-poleboost converter)等。驱动高侧半导体开关的已知解决方案包括使用自举(bootstrap)栅极驱动器电路、隔离栅极驱动器电路、或变压器栅极驱动器电路的不同变化。这样的解决方案可以具有半导体开关的减小的占空比范围并且可以影响实施成本。
发明内容
根据一方面，一种栅极驱动器电路包括栅极驱动器组件、变压器、第一电路电压输出和第二电路电压输出、第一开关装置和第二开关装置以及控制器。所述栅极驱动器组件包括第一电压输入和第一电压输出，所述第一电压输出被配置为基于供应到所述第一电压输入的第一输入电压提供第一输出电压。所述栅极驱动器组件还包括第二电压输入和第二电压输出，所述第二电压输出被配置为基于供应到所述第二电压输入的第二输入电压提供第二输出电压。所述变压器包括耦合到所述第一电压输出和所述第二电压输出的初级绕组并且包括次级绕组。所述第一开关装置耦合到所述次级绕组并且耦合到所述第一电路电压输出，并且所述第二开关装置耦合到所述次级绕组并且耦合到所述第二电路电压输出。所述控制器被配置为通过向所述第一电压输入供应比供应到所述第二电压输入的第二输入电压更高的第一输入电压来导致所述第一电路电压输出供应相对于由所述第二电路电压输出供应的输出电压的正输出电压。所述控制器还被配置为通过向所述第二电压输入供应比供应到所述第一电压输入的所述第一输入电压更高的第二输入电压来导致所述第一电路电压输出供应相对于由所述第二电路电压输出供应的输出电压的负输出电压。
根据另一方面，一种电源电路包括高侧开关装置以及具有电压输出的高侧栅极驱动器。所述高侧栅极驱动器包括：栅极驱动器组件，包括一对电压输入和一对电压输出；变压器，具有初级绕组和次级绕组；以及一对开关装置，耦合到所述次级绕组和所述电压输出。控制器被配置为通过导致所述栅极驱动器组件通过所述初级绕组将电流从所述一对电压输出中的第一输出供应到所述一对电压输出中的第二输出来控制所述高侧开关装置进入导通(on)状态。所述控制器还被配置为通过导致所述栅极驱动器组件通过所述初级绕组将电流从所述第二输出供应到所述第一输出来控制所述高侧开关装置进入断开(off)状态。
根据另一方面，一种方法包括：向栅极驱动器组件的第一输入施加第一电压；以及向所述栅极驱动器组件的第二输入施加第二电压，所述第一电压高于所述第二电压。响应于所述第一电压和第二电压的施加，所述方法包括导致正电流流过变压器的初级绕组从所述栅极驱动器组件的第一输出到所述栅极驱动器组件的第二输出。响应于所述正电流流过所述初级绕组，所述方法包括导致正感应电流流过所述变压器的次级绕组。响应于所述正感应电流流过所述次级绕组，所述方法包括导致耦合到所述次级绕组的一对开关向开关装置提供正输出电压，所述开关装置被配置为响应于所述正输出电压而接通。
附图说明
附图例示了目前设想的用于实施本公开内容的实施方案的实施方案。
在附图中：
图1例示了根据本公开内容的一实施方案的电力电子电路的示意性块图。
图2例示了根据一实施方案的栅极驱动器电路。
图3例示了根据另一实施方案的栅极驱动器电路。
图4例示了根据一实施方案的控制方案的波形。
图5例示了根据一实施方案的在上升沿延迟期间图2的栅极驱动器电路中的电流流动。
图6例示了根据一实施方案的在下降沿延迟期间图2的栅极驱动器电路中的电流流动。
图7例示了根据另一实施方案的控制方案的波形。
图8例示了根据另一实施方案的控制方案的波形。
图9例示了根据另一实施方案的电力电子电路。
虽然本公开内容容许有各种改型和替代形式，但是其具体实施方案已经通过示例的方式被示出在附图中并且在本文中被详细描述。然而，应理解，本文对具体实施方案的描述并不意在将本公开内容限制为所公开的特定形式，而是相反，本发明将覆盖落入本公开内容的精神和范围内的所有改型、等同物和替代方案。应注意，在附图的所有若干视图中，对应的参考数字指示对应的部分。
具体实施方式
现在将参考附图更充分地描述本公开内容的示例。以下描述本质上仅是示例性的，并且不意在限制本公开内容、应用或用途。
提供示例实施方案使得本公开内容将是透彻的，并且将向本领域技术人员充分传达范围。阐述了许多特定细节，诸如特定部件、装置和方法的示例，以提供对本公开内容的实施方案的透彻理解。本领域技术人员将明了，不必采用特定细节，示例实施方案可以许多不同的形式体现，并且都不应被解释为限制本公开内容的范围。在一些示例实施方案中，未详细描述众所周知的过程、众所周知的装置结构和众所周知的技术。
尽管本文的公开内容是详细和准确的，以使得本领域技术人员能够实践本发明，但是本文所公开的物理实施方案仅例示了本发明，本发明可以其他特定结构体现。虽然已经描述了优选实施方案，但是在不脱离由权利要求限定的本发明的情况下可以改变细节。
图1例示了根据本公开内容的一实施方案的电力电子电路构建块100的示意性块图。驱动半导体开关导通和断开是任何电力电子电路的基本方面。电力电子电路的常见构建块是如图1中所示出的半桥配置。构建块100包括两个功率半导体开关：高侧开关102和低侧开关104。如图1中所例示的，开关102、104是有源开关并且包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))。然而，本公开内容的实施方案设想了对于任一个或两个开关使用替代的有源控制开关、无源开关等。开关102、104串联连接在第一电压106(例如，Vbulk)和电路接地108之间。开关102、104通过它们各自的栅极驱动器电路110、112来接通和关断，所述栅极驱动器电路110、112由脉宽调制(PWM)发生器PWM发生器——PWM发生器114驱动，该PWM发生器114被配置为生成一个或多个PWM信号116以驱动每个栅极驱动器电路110、112。驱动低侧开关104通常是使用已知技术的简单的任务，因为栅极驱动器电路112中的电路系统(circuitry)以接地108为参考。因此，低侧开关104可以由低成本的低侧栅极驱动器112驱动。驱动高侧开关102不像该栅极驱动器电路那样简单，因为驱动此开关涉及栅极驱动器电路110以开关节点电压118(例如，VSW)为参考。
用于驱动高侧开关102导通和断开的已知技术包括：1)使PWM信号进行电平移位并且使用自举电路来创建为高侧栅极驱动器供电的浮动电源电压，2)使用由隔离直流(DC)电源供电的隔离栅极驱动器电路，或3)使用不同类型的变压器栅极驱动电路。当涉及到电路成本、电路占用面积(footprint)、电路功率耗散、宽占空比操作以及电流供给(sourcing)和吸收能力时，这些已知技术具有不同的权衡。此外，关于dv/dt和di/dt噪声抗扰度存在权衡。
图2例示了根据一实施方案的用于图1的高侧栅极驱动器电路110的双极脉冲电压栅极驱动器电路200，其克服了前述缺点中的一些。栅极驱动器电路200包括双栅极驱动器组件202，该双栅极驱动器组件具有一对缓冲器204、206，每个缓冲器具有耦合到源电压210的电压输入208并且具有耦合到信号接地214的接地输入212。
双栅极驱动器组件202具有被配置为接收第一输入电压的第一电压输入216和被配置为响应于接收到所述第一输入电压而供应第一输出电压信号的第一电压输出218。例如，在第一电压输入216上接收的高输入电压信号导致由第一电压输出218传输的高输出电压信号。此外，还包括第二电压输入220和第二电压输出222用于响应于在第二电压输入220上接收到高输入电压信号而在第二电压输出222上供应第二输出电压信号。
在栅极驱动器电路200中，电阻器224和变压器228的初级绕组226串联耦合在第一电压输出218和第二电压输出222之间。电阻器224被配置为限制在输出218、222之间的并且因此在变压器228的初级侧中的电流流动，这进而限制在变压器228的次级侧中的电流流动。以此方式，电阻器224限制电流从栅极驱动器电路200流出并且进入晶体管栅极(例如，图1的高侧开关102的栅极)。变压器228的次级侧包括耦合到第一晶体管232和第二晶体管234的次级绕组230。晶体管232、234包括n型晶体管(例如，n型MOSFET)。如本文所使用的，n型晶体管是通过在制造期间用电子施主元素进行掺杂而创建的晶体管。如所例示的，次级绕组230的高侧端子236耦合到第一晶体管232的源极端子238和第二晶体管234的栅极端子240。次级绕组230的低侧端子242耦合到第二晶体管234的源极端子244和第一晶体管232的栅极端子246。晶体管232、234的漏极端子248、250耦合到栅极驱动器电路200的相应的输出端子252、254。形成在相应的晶体管232、234的漏极端子248、250和源极端子238、244之间的体二极管256、258使用二极管符号来表示。
图3例示了根据一实施方案的双极脉冲电压栅极驱动器电路300。图3的栅极驱动器电路300类似于图2的栅极驱动器电路200，其中图2的双栅极驱动器组件202使用双栅极驱动器集成电路(IC)302——诸如通常在市场上可得的双栅极驱动器集成电路——来实施。虽然双栅极驱动器IC 302被放置到高侧开关驱动电路中——如本文所描述的，但是双栅极驱动器IC 302可以是通常用来驱动低侧开关104的双栅极驱动器IC。栅极驱动器电路300的操作和控制与栅极驱动器电路200类似或相同，并且电路200或300可以本文所描述的方式被控制。
图4例示了根据一实施方案的控制方案400的波形。参考图2和图4，作为高侧开关驱动器的栅极驱动器电路200的操作包括两个单独的PWM信号——VpwmA和VpwmB，所述PWM信号由一个或多个PWM发生器或控制器(例如，微控制器)——诸如图1的PWM发生器114——提供。在一个实施方案中，PWM信号是以上升沿延迟406和下降沿延迟408分开的数字PWM(DPWM)信号402、404。以上升沿延迟406分开DPWM信号402、404在变压器228的初级绕组226两端创建正脉冲410，该正脉冲410具有大体上等于上升沿延迟406的宽度的脉冲宽度。图5例示了在上升沿延迟406期间在施加DPWM信号404之前施加DPWM信号402期间的电流流动。响应于DPWM信号402(例如，VpwmA)向第一电压输入216施加电压(例如，Vdd)，从第一电压输出218流动到第二电压输出222的电流(在图4中被例示为idrv)在变压器228的初级绕组226两端生成初级电压(例如，Vcc)。由于DPWM信号404在此时间期间为低，因此第二电压输出222作为电流吸收器操作以允许电流流过初级绕组226。基于初级绕组226与次级绕组230的匝数比(例如，如本文所使用的1:1)，在次级绕组230中感应的电流(例如，感应电流)生成次级电压(例如，Vcc)。正次级电压使第二晶体管234接通，并且输出端子252、254被充电到正电压412(例如，Vcc-Vsd)，其中Vsd是第一晶体管232的体二极管256两端的电压降。正电压412包括由输出端子252供应的输出电压高于由输出端子254供应的输出电压。因此，输出端子252、254供应图1的高侧开关102的栅极端子和源极端子两端的正电压(例如，Vgs1)，从而使高侧开关102接通并且允许它将电压Vbulk传导到负载。
在上升沿延迟406结束时，DPWM信号404(例如，VpwmB)施加类似于由DPWM信号402供应的电压(例如，Vdd)的电压，这减少或消除在第一电压输出218到第二电压输出222之间的电流流动，使得初级电压和次级电压返回到最小值，诸如0V。换言之，DPWM信号404施加大体上类似于由DPWM信号402供应的电压的电压。如本文所使用的，当没有电流从一个电压输出218流动到另一个电压输出222或反之亦然时，或当在它们之间流动的任何电流未能导致晶体管232、234中的任一个接通时，由DPWM信号402和DPWM信号404供应的电压大体上类似。在失去次级电压值的情况下，第二晶体管234被关断。由于第一晶体管232断开并且由于从输出端子252到第一晶体管232的反向电流流动被体二极管256阻止，因此输出端子252、254两端的电压并且因此施加到高侧开关102的栅极电荷被停止并且被保持，从而保持高侧开关102处于传导、导通状态。图4将在上升沿延迟406期间在变压器228的次级绕组230两端生成的电压脉冲例示为正脉冲410。
在下降沿延迟408期间，高侧开关102被关断，在下降沿延迟408内，与在上升沿延迟406期间的电流流动相比，流过变压器228的初级绕组226的电流是反向的。为了使电流反向(如在图6中所例示的)，DPWM信号402(例如，VpwmA)在下降沿延迟408开始时使施加到第一电压输入216的电压降低，而DPWM信号404(例如，VpwmB)维持先前施加的电压。向第一电压输入216施加的电压的失去允许来自输出端子254的电流被吸收到输出端子252内，从而在变压器228的初级绕组和次级绕组226、230上创建负电压(例如，-Vcc)。负电压使第一晶体管232接通并且将输出端子252、254充电到负电压414(例如，-Vcc+Vsd)，这在图1的高侧开关102的栅极端子和源极端子两端供应负电压(例如，-Vgs1)，从而使高侧开关102关断。负电压414包括由输出端子254供应的输出电压高于由输出端子252供应的输出电压。在下降沿延迟408结束时，DPWM信号404(例如，VpwmB)使先前施加的电压降低，这减少或消除在第一电压输出218到第二电压输出222之间的电流流动，使得初级电压和次级电压返回到最小值，诸如0V。在失去次级电压值的情况下，第一晶体管232被关断。由于第二晶体管234断开并且由于从输出端子254流动到第二晶体管234的反向电流被体二极管258阻止，因此输出端子252、254两端的电压并且因此施加到高侧开关102的栅极电荷被保持，从而保持高侧开关102处于不传导、断开状态。图4将在下降沿延迟408期间在变压器228的次级绕组230两端生成的电压脉冲例示为负脉冲416。
本文所描述的DPWM信号402可以由图1中所例示的PWM发生器114生成和提供。替代地，可以使用另一个能够提供DPWM信号的控制器。可以实施可变脉冲宽度以实现控制开关(例如，图1的高侧开关102)的栅极-源极电压Vgs1 418的、在从0％到100％的范围内的占空比控制。该栅极-源极电压的占空比可以基于栅极-源极电压418提供正电压412的时间DT420与一个正电压412的上升沿到下一个正电压412的上升沿之间的时间T 422之比来计算。通过改变时间T 422，还可以实现栅极-源极电压的不同频率。
可以使用VpwmA PWM信号和VpwmB PWM信号上的可变沿延迟时序来实施用于控制占空比的可变脉冲宽度。如在图4中所例示的，接通脉冲延迟424存在于正脉冲410和对应的负脉冲416的生成之间，并且关断脉冲延迟426存在于负脉冲416和下一个正脉冲410之间。当每个延迟424、426大于零秒时，占空比可以被认为是在中间范围内可变的。在中间范围内，正脉冲410和负脉冲416处于导通的时间长度提供足够的延迟来对应地使高侧开关102接通和关断。换言之，例如，正脉冲410的时间长度至少与接收DPWM信号402的上升沿(而DPWM信号404仍然为低)和在输出端子252、254处生成所得到的正电压412中固有的任何电路延迟一样长。正脉冲410的时间长度可以包括附加的时间缓冲以确保高侧开关102的接通。负脉冲416的时间长度被类似地控制。正脉冲410和负脉冲416的时间长度可以相同或不同。
保持时间T 422恒定，栅极-源极电压418的占空比随着接通脉冲延迟424的长度的相应的增加或减少(以及关断脉冲延迟426的对应改变)而增加或减少。保持接通脉冲延迟424恒定，在减少或增加关断脉冲延迟426时，栅极-源极电压418的占空比也可以相应地增加或减少。改变接通脉冲延迟424和关断脉冲延迟426的其他组合将导致栅极-源极电压418的占空比和/或频率的对应改变。当接通脉冲延迟424的长度减少时，栅极-源极电压418的占空比减少，并且栅极-源极电压418的频率保持相同。当接通脉冲延迟424的长度增加而时间T422的长度保持恒定时，栅极-源极电压418的占空比增加，并且栅极-源极电压418的频率保持相同。
图7例示了根据另一实施方案的图4的控制方案400的波形。如所例示的，通过消除接通脉冲延迟424，正脉冲410和负脉冲416已经被放在一起。在此实施方案中，占空比可以被认为是在低范围内可变的。在低范围内，负脉冲416被保持到恒定脉冲宽度以确保高侧开关102的栅极在每一个开关循环被拉到负电压414。然而，正脉冲410的脉冲宽度可以小于在中间范围(例如，图4)内的正脉冲410的宽度并且甚至可以一直被减小到零。在此低范围内，正电压412的宽度大体上等于正脉冲410的宽度。
图8例示了根据另一实施方案的图4的控制方案400的波形。如所例示的，通过消除关断脉冲延迟426，正脉冲410和负脉冲416已经被放在一起。在此实施方案中，占空比可以被认为是在高范围内可变的。在高范围内，正脉冲410被保持到恒定脉冲宽度以确保高侧开关102的栅极在每一个开关循环被拉到正电压412。然而，负脉冲416的脉冲宽度可以小于在中间范围(例如，图4)内的负脉冲416的宽度并且甚至可以一直被减小到零。在此高范围内，负电压414的宽度大体上等于负脉冲416的宽度。
图9例示了根据另一实施方案的电力电子电路900。电力电子电路900包括图3的栅极驱动器电路300以及图1的高侧开关102和PWM发生器114。不同于图1，图9不包括低侧开关104，而是代替地例示了被实施为二极管的开关装置902代替低侧开关104。然而，PWM发生器114和栅极驱动器电路300使高侧开关102接通和关断的操作可以如在上文所描述的那样被控制。
本公开内容的实施方案操作以使用栅极驱动器电路来驱动高侧开关，所述栅极驱动器电路受益于电流隔离、低印刷电路板占用面积。本文所描述的实施方案包括单个双低侧栅极驱动器、小型低伏秒额定变压器(small low-volt-seconds rated transformer)、良好的供给和吸收电流的能力，并且具有通常低的零件成本。此外，基于本文所描述的实施方案的电路允许高侧开关从0％占空比到100％占空比操作，这取决于对用来驱动栅极驱动器的PWM信号的控制。
虽然仅结合有限数目的实施方案详细地描述了本发明，但是应容易理解，本发明不限于这样的所公开的实施方案。相反，本发明可以被修改以并入在此之前未描述但与本公开内容的精神和范围相称的任何数目的变化、替代物、代替物或等同布置。此外，虽然已经描述了本公开内容的各实施方案，但是应理解，本公开内容的各方面可以仅包括所描述的实施方案中的一些。因此，本发明不应被视为受前述描述限制，而仅受所附权利要求的范围限制。

Claims (17)

1.一种栅极驱动器电路，包括：
栅极驱动器组件，包括：
第一电压输入；
第一电压输出，被配置为基于供应到所述第一电压输入的第一输入电压提供第一输出电压；
第二电压输入；以及
第二电压输出，被配置为基于供应到所述第二电压输入的第二输入电压提供第二输出电压；
变压器，包括：
初级绕组，耦合到所述第一电压输出和所述第二电压输出；以及
次级绕组；
第一电路电压输出；
第二电路电压输出；
第一开关装置，耦合到所述次级绕组并且耦合到所述第一电路电压输出；
第二开关装置，耦合到所述次级绕组并且耦合到所述第二电路电压输出；以及
控制器，被配置为：
通过向所述第一电压输入供应比供应到所述第二电压输入的所述第二输入电压更高的第一输入电压来导致所述第一电路电压输出供应相对于由所述第二电路电压输出供应的输出电压的正输出电压；以及
通过向所述第二电压输入供应比供应到所述第一电压输入的所述第一输入电压更高的第二输入电压来导致所述第一电路电压输出供应相对于由所述第二电路电压输出供应的输出电压的负输出电压；
其中所述第一开关装置包括包含栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；
其中所述第二开关装置包括包含栅极、源极和漏极的MOSFET；
其中所述第一开关装置的漏极耦合到所述第一电压输出；
其中所述第二开关装置的漏极耦合到所述第二电压输出；并且
其中所述次级绕组包括：
高侧端子，耦合到所述第二开关装置的栅极和所述第一开关装置的源极；以及
低侧端子，耦合到所述第一开关装置的栅极和所述第二开关装置的源极。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述栅极驱动器组件包括双栅极驱动器集成电路(IC)。
3.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述第一开关装置包括包含栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；并且
其中所述第二开关装置包括包含栅极、源极和漏极的MOSFET。
4.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中供应所述更高的第一输入电压导致所述第二开关装置接通。
5.根据权利要求4所述的栅极驱动器电路，其中所述控制器还被配置为通过在所述第一输入电压的一部分被供应到所述第一电压输入的同时以与所述第一输入电压大体上匹配的电压供应所述第二输入电压来导致所述第二开关装置关断。
6.根据权利要求5所述的栅极驱动器电路，其中供应所述更高的第二输入电压导致所述第一开关装置接通。
7.根据权利要求6所述的栅极驱动器电路，其中所述控制器还被配置为通过在所述第二输入电压的一部分被供应到所述第二电压输入的同时以与所述第二输入电压大体上匹配的电压供应所述第一输入电压来导致所述第一开关装置关断。
8.根据权利要求1所述的栅极驱动器电路，其中所述控制器还被配置为改变所述正输出电压和所述负输出电压之间的时间间隔以控制耦合到所述第一电路电压输出和所述第二电路电压输出的负载开关装置的脉宽调制(PWM)输出。
9.一种电源电路，包括：
高侧开关装置；
高侧栅极驱动器，具有电压输出并且包括：
栅极驱动器组件，包括一对电压输入和一对电压输出；
变压器，具有初级绕组和次级绕组；
一对开关装置，耦合到所述次级绕组和所述电压输出；以及
控制器，被配置为：
通过导致所述栅极驱动器组件通过所述初级绕组将电流从所述一对电压输出中的第一输出供应到所述一对电压输出
中的第二输出来控制所述高侧开关装置进入导通状态；以及通过导致所述栅极驱动器组件通过所述初级绕组将电流从所述第二输出供应到所述第一输出来控制所述高侧开关装置进入断开状态；
其中所述一对开关装置包括：
具有栅极、源极和漏极的第一开关装置；以及
具有栅极、源极和漏极的第二开关装置；
其中所述第一开关装置的漏极和所述第二开关装置的漏极耦合到所述电压输出；
其中所述第二开关装置的栅极和所述第一开关装置的源极耦合到所述次级绕组的高侧端子；并且
其中所述第一开关装置的栅极和所述第二开关装置的源极耦合到所述次级绕组的低侧端子。
10.根据权利要求9所述的电源电路，其中处于被配置为控制所述高侧开关装置进入导通状态的所述控制器被配置为：
向所述一对电压输入中的一个电压输入施加第一电压；以及
向所述一对电压输入中的另一个电压输入施加第二电压；
其中所述第一电压高于所述第二电压。
11.根据权利要求10所述的电源电路，其中所述控制器被配置为通过与向所述一对电压输入中的所述一个电压输入施加所述第一电压同时地向所述一对电压输入中的所述另一个电压输入施加所述第一电压来导致所述栅极驱动器组件停止通过所述初级绕组的电流。
12.根据权利要求10所述的电源电路，其中处于被配置为控制所述高侧开关装置进入断开状态的所述控制器被配置为：
向所述一对电压输入中的所述另一个电压输入施加所述第一电压；以及
向所述一对电压输入中的所述一个电压输入施加所述第二电压。
13.一种方法，包括：
向栅极驱动器组件的第一输入施加第一电压；
向所述栅极驱动器组件的第二输入施加第二电压，所述第一电压高于所述第二电压；
响应于所述第一电压和第二电压的施加，导致正电流流过变压器的初级绕组从所述栅极驱动器组件的第一输出到所述栅极驱动器组件的第二输出；
响应于所述正电流流过所述初级绕组，导致正感应电流流过所述变压器的次级绕组；
响应于所述正感应电流流过所述次级绕组，导致耦合到所述次级绕组的一对开关向开关装置提供正输出电压，所述开关装置被配置为响应于所述正输出电压而接通；
在向所述第一输入施加所述第一电压的同时，在第一延迟之后向所述第二输入施加所述第一电压以减少通过所述初级绕组的正电流流动；以及
响应于减少通过所述初级绕组的所述电流流动，导致所述一对开关停止向所述开关装置提供所述正输出电压。
14.根据权利要求13所述的方法，其中在第一延迟之后向所述第二输入施加所述第一电压以减少所述正电流流动包括：在所述第一延迟之后向所述第二输入施加所述第一电压以消除所述正电流流动。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
向所述栅极驱动器组件的所述第一输入施加所述第二电压；
向所述栅极驱动器组件的所述第二输入施加所述第一电压；
响应于所述第一电压和第二电压的施加，导致负电流流过变压器的初级绕组从所述栅极驱动器组件的所述第二输出到所述栅极驱动器组件的所述第一输出；
响应于所述负电流流过所述初级绕组从所述第二输出到所述第一输出，导致负感应电流流过所述变压器的次级绕组；以及
响应于所述负感应电流流过所述次级绕组，导致所述一对开关向所述开关装置提供负输出电压，所述开关装置被配置为响应于所述负输出电压而关断。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在向所述第二输入施加所述第一电压的同时，在第二延迟之后向所述第二输入施加所述第二电压以减少通过所述初级绕组的负电流流动；以及
响应于减少通过所述初级绕组的负电流流动，导致所述一对开关停止向所述开关装置提供所述负输出电压。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括通过改变在所述第一延迟之后向所述第二输入施加所述第一电压和向所述第一输入施加所述第二电压之间的第三延迟来控制所述开关装置的占空比。
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