CN114994514A - 芯片检测方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

芯片检测方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

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CN114994514A CN202210769973.6A CN202210769973A CN114994514A CN 114994514 A CN114994514 A CN 114994514A CN 202210769973 A CN202210769973 A CN 202210769973A CN 114994514 A CN114994514 A CN 114994514A
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Abstract

本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该芯片检测方法，基于预设检测电路，预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机；方法包括：检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据；待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。本申请能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。

Description

芯片检测方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本申请属于芯片技术领域，具体涉及一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
随着芯片技术的发展，生产芯片的厂家也越来越多。对于同一种规格型号(尺寸、电性能等相同)的芯片(可以但不限于单片机上的芯片)，市场上也往往会存在来自于多个厂家生产的多种产品。但是不同厂家生产的产品性能往往参差不齐，所以，在使用芯片之前，通常需要对芯片进行检测，以鉴别其是否为所选取的芯片。
现有技术中，在对芯片进行检测时，尤其在两个芯片所采用工艺相近的情况下，两个芯片在特定点位的数据往往相差不大，所以，很容易造成误判与漏判，致使检测结果不够准确。
发明内容
本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该方法能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。
本申请第一方面实施例提出了一种芯片检测方法，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述方法包括：
检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；
根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
在本申请一些实施例中，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值；
根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
在本申请一些实施例中，所述待测特性数据包括I-V特性数据和上电特数据中的至少一者；所述I-V特性数据用于表征，待测芯片加载不同输入电压的过程中，通过所述上拉电阻的电流和所述电源接口输出的第一电压之间的对应关系；所述上电特性数据用于表征，所述电源接口输出固定的第一电压时，所述芯片接口输出稳定电压的稳定时间和稳定电压之间的对应关系。
在本申请一些实施例中，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：
在所述单片机向所述预设检测电路提供不同电压过程中，检测不同供电电压对应的第一电压值和通过所述上拉电阻的电流值；
将检测的所有第一电压值和对应的电流值记作待测I-V特性数据，将所述待测I-V特性数据确定为待测特性数据。
在本申请一些实施例中，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值；
根据所述I-V特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
在本申请一些实施例中，根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值，包括：
基于所述I-V特性数据确定所述第一电压的待测I-V特性曲线；
根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。
在本申请一些实施例中，根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值，包括：
根据各第一电压值对应待测I-V特性曲线的待测电流值和基准I-V特性曲线的基准电流值之间的差值绝对值，确定差值曲线；
将所述差值曲线的积分结果，确定为所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。
在本申请一些实施例中，根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
确定所述特性数据差值是否小于或等于第一预设阈值；
若是，则确定所述待测芯片和所述预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片不具有相同的特性。
在本申请一些实施例中，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：
在所述单片机向所述预设检测电路供电，并保持所述电源接口输出固定的第一电压过程中，检测所述芯片接口输出稳定电压的待测稳定时间和待测稳定电压；
将所述待测稳定电压和所述待测稳定时间记作待测上电特性数据，将所述待测上电特性数据确定为待测特性数据。
在本申请一些实施例中，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值；
根据所述上电特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
在本申请一些实施例中，根据所述待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值，包括：
基于所述待测稳定电压和对应的待测稳定时间，确定所述待测芯片的待测上电特性曲线；
根据所述待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值。
在本申请一些实施例中，根据所述待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值，包括：
根据所述待测上电特性曲线和所述基准上电特性曲线，分别计算所述待测稳定电压与基准稳定电压之间的电压差值，所述待测稳定时间与基准稳定时间之间的时间差值，以及所述待测上电特性曲线的待测平均曲率与基准平均曲率之间的曲率差值；
基于所述电压差值、所述时间差值及所述曲率差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值。
在本申请一些实施例中，根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
确定所述电压差值与所述基准稳定电压之间的偏差，所述时间差值与所述基准稳定时间之间的偏差，所述曲率差值与所述基准平均曲率之间的差值，是否均小于或等于第二预设阈值；
若是，则确定所述待测芯片和所述预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片不具有相同的特性。
本申请第二方面的实施例提供了一种芯片检测装置，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述装置包括：
特性检测模块，用于检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；
结果确定模块，用于根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
本申请第三方面的实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面所述的步骤。
本申请第四方面的实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行实现如第一方面所述的方法。
本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本申请实施例提供的芯片检测方法，基于预设检测电路，该预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机。该方法基于上述预设检测电路，将待测芯片接入预设检测电路之后，可检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据，然后根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。继而可以实现待测芯片的性能(包括但不限于功耗性能和二极管性能)检测，以提高产品的良品率，以及对芯片进行防伪鉴别(具有相同特性说明和预设基准芯片属于同一厂家，不具有相同特性说明和预设基准芯片不属于同一厂家)。且本实施例采用至少两组电压相关的特性参数，可以大大提高区分检测的准确性，有效降低误判和漏判的可能性。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。
在附图中：
图1示出了本申请一实施例提供的预设检测电路的框架结构示意图；
图2示出了本申请一实施例提供的预设检测电路的原理结构示意图；
图3示出了本申请一实施例提供的一种芯片检测方法的流程示意图；
图4示出了本申请一实施例中待测芯片的I-V曲线示意图；
图5示出了本申请一实施例中待测芯片的I-V曲线和预设基准芯片的I-V曲线的差值绝对值曲线示意图；
图6示出了本申请一实施例提供的另一种芯片检测方法的流程示意图；
图7示出了本申请实施例中待测芯片A的T-V曲线示意图；
图8示出了本申请实施例中待测芯片B的T-V曲线示意图；
图9示出了本申请一实施例中待测芯片的完整T-V曲线；
图10示出了本申请一实施例中待测芯片的T-V曲线和预设基准芯片的T-V曲线的差值曲线示意图；
图11示出了本申请一实施例提供的另一种芯片检测方法的流程示意图；
图12示出了本申请一实施例所提供的一种电子设备的结构示意图；
图13示出了本申请一实施例所提供的一种存储介质的示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
现有相关技术中，通常采用设定固定电压源的测试方法，可以设定一个固定电压值，向待测芯片的IO口供电，并测试在不同上拉电阻情况下，IO口的电压情况。如此，采用单个IO口电压进行检测，检测结果往往不是很准确，容易导出错误的检测和判断。特别在待测芯片和预设基准芯片工艺相近的情况下，两者在特定点位的数值相差不大，极易造成误判与漏判。
现有的技术方案中，还可以在固定电压下，使用固定的电阻提供一个小的上拉电流，然后测试电源输出端对待测芯片的充电情况(即待测芯片的IO口电压升高情况)，待其稳定后，取最终的稳定电压进行判断。如此，与上述的检测方法类似，同样是采用一个参数判断，检测结果往往不是很准确，容易导出错误的检测和判断。特别在待测芯片和预设基准芯片工艺相近的情况下，两者在特定点位的数值相差不大，极易造成误判与漏判。
为解决上述问题，本申请实施例提出了一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质。该芯片检测方法基于预设检测电路，如图1和图2所示，预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机。
其中，电源接口可以为DAC(数模转换器)接口，其与单片机连接，接收单片机提供的供电电压，可以输出固定电压，或者变化电压。芯片接口与待测芯片连接，可与待测芯片进行通信，可以向待测芯片发送数据，并接收待测芯片反馈的数据等。芯片接口可以包括IO接口，也可以包括ADC(模数转换器)接口，其输出可以为开漏输出(根据技术需要也可以为推挽输出)，在上拉电阻的作用下，其输出电压被上拉至上拉电阻的电压。
在上述预设检测电路中，芯片接口可以包括两个引脚，一个引脚V1与上拉电阻连接，用于IO输出，另一个引脚LIGND接地，可将引脚V1的电压下拉至0。
本实施例中的芯片通常为应用于单片机上的芯片，可以是模拟芯片也可以是数字芯片，本实施例对此不做具体限定。
基于上述预设检测电路，将待测芯片接入预设检测电路之后，可检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据，然后根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。继而可以实现待测芯片的性能(包括但不限于功耗性能和二极管性能)检测，以提高产品的良品率，以及对芯片进行防伪鉴别(具有相同特性说明和预设基准芯片属于同一厂家，不具有相同特性说明和预设基准芯片不属于同一厂家)。且本实施例采用至少两组电压相关的特性参数，可以大大提高区分检测的准确性，有效降低误判和漏判的可能性。
请参照图3，为本申请实施例提供的芯片检测方法的流程示意图，如图3所示，该方法包括以下步骤：
步骤S1，检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据。其中，待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，以提高检测和判断准确性
步骤S2，根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。
本实施例可应用于芯片生产过程中，对芯片性能的测试，以提高产品的良品率。也可以应用于芯片使用过程中，对芯片进行防伪鉴别，以保证使用到产品芯片，保障产品的性能。
相应地，在应用于芯片生产过程时，预设基准芯片通常为某厂家自己生产的性能较为理想的芯片，可在检测待测前对预设基准芯片的各项电性能及规格尺寸、内部逻辑等进行测试和记录，并以此来检验后续生产芯片是否达标。
另外，在应用于芯片使用过程时，预设基准芯片通常为欲选择的某厂家(可以是自己，也可以是上游厂家)生产的性能较为理想的芯片。同样可在检测待测前对预设基准芯片的各项电性能及规格尺寸、内部逻辑等进行测试和记录，并以此来检验后续生产芯片是否达标。
在一些实施例中，上述步骤S2可包括以下处理：根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值；根据特性数据差值，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。
其中，特性数据差值可以为待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据中，所有参数相对应的所有差值，也可以是任意两个参数相应的所有差值。该差值还可以进行某些数学运算，如绝对值，偏差，积分等。只要是利用差值进行对比分析，以确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性，均属于本实施例的范围。
具体地，待测特性数据可包括I-V特性数据和上电特性数据中的至少一者。其中，I-V特性数据用于表征，待测芯片加载不同输入电压的过程中，通过上拉电阻的电流和电源接口输出的第一电压之间的对应关系；上电特性数据用于表征，电源接口输出固定的第一电压时，芯片接口输出稳定电压的稳定时间和稳定电压之间的对应关系。
在另一些实施例中，上述待测特性数据为I-V特性数据时，上述步骤S1可包括以下处理：在单片机向预设检测电路提供不同电压过程中，检测不同供电电压对应的第一电压值和通过上拉电阻的电流值；将检测的所有第一电压值和对应的电流值记作待测I-V特性数据，将待测I-V特性数据确定为待测特性数据。
本实施例中，单片机可连续向预设检测电路提供由高到低的电压，并实时记录电源接口输出的第一电压以及芯片接口的输出电压，则第一电压与芯片接口的输出电压之间的电势差即为上拉电阻的电压，再基于上拉电阻的电阻值，可计算通过上拉电阻的电流值。从而获得单片机提供的各供电电压对应的第一电压值和电流值，然后基于所有的第一电压值和对应的电流值形成I-V特性数据集。
相应地，步骤S2可包括以下处理：根据待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片的I-V特性数据差值；根据I-V特性数据差值，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。如此，基于待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，便可确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性，继而实现对待测芯片的检测和防伪鉴别等。
具体地，根据待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片的I-V特性数据差值时，可以先基于I-V特性数据确定第一电压的待测I-V特性曲线，如图4所示，图4中横坐标为电压值，单位是伏特(v)，纵坐标为电流值，单位是微安(μA)。然后再根据待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值。如此，通过绘制I-V特性曲线，并将待测芯片的待测I-V特性曲线与预设基准芯片的基准I-V特性曲线进行对比，可得出待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值。
在根据待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值时，可以先根据各第一电压值对应待测I-V特性曲线的待测电流值和基准I-V特性曲线的基准电流值之间的差值绝对值，确定差值曲线，如图5所示，图5中横坐标为电压值，单位是伏特(v)，纵坐标为电流值，单位是微安(μA)。然后，再将图5所示的差值曲线的积分结果，确定为待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值。如此，根据待测电流值和基准电流值之间的差值绝对值，形成差值曲线，并将差值曲线的积分结果确定为待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值。由于积分可区分较为微小的差异，故可提高检测准确性，继而有效降低芯片误判和漏判的几率。
需要说明的是，上述将差值曲线的积分结果确定为待测芯片和预设基准芯片的特性数据差值，只是本实施例的一种较佳实施方式，本实施例并不以此为限，例如，也可以采用偏差、标准差等进行判断。
在根据特性数据差值，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性时，可以先确定特性数据差值是否小于或等于第一预设阈值；若是，则确定待测芯片和预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定待测芯片和预设基准芯片不具有相同的特性。
其中，第一预设阈值可通过有限次试验获得，不同种类和规格的芯片可具有不同的取值范围，本实施例对其不做具体限定。本实施例也可根据技术要求，选择较大或较小的第一预设阈值。
下面结合附图6，以对A厂家芯片进行鉴别检测为例，对基于I-V曲线对芯片进行检测的过程进行详细介绍。如图6所示，可以先测试M厂家芯片的I-V特性曲线，用其作为基准I-V特性曲线A。再测试待测芯片的I-V特性曲线，即待测I-V特性曲线B，基于基准I-V特性曲线A和待测I-V特性曲线B，得到两曲线的差值曲线C，进一步得到差值绝对值曲线D，并对曲线D求积分。此积分能够准确反映待测芯片与基准芯片间的差异。可设定第一预设阈值X，若积分值大于X，则待测芯片与基准芯片不属于同一厂家；相应地，若积分值小于或等于X，则待测芯片与基准芯片属于同一厂家。
在另一些实施例中，上述待测特性数据为上电特性数据，则上述步骤S1可包括以下处理：在单片机向预设检测电路供电，并保持电源接口输出固定的第一电压过程中，检测芯片接口输出稳定电压的待测稳定时间和待测稳定电压；将待测稳定电压和待测稳定时间记作待测上电特性数据，将待测上电特性数据确定为待测特性数据。
本实施例中，单片机可向预设检测电路供电，使电源接口输出固定的第一电压。例如先使电源接口DAC输出3.3V，芯片接口拉到地，放空被测芯片引脚V1处的电量，然后将引脚V1设置为ADC输入，使其电压不断上升。在电压上升过程中不断记录V1的电压，并记录芯片接口输出稳定电压(T-V曲线区域平滑)的待测稳定时间和待测稳定电压，将所有的测稳定时间和和对应的待测稳定电压形成T-V特性数据集。
由于芯片寄生电容，芯片内部的模块上电顺序，以及芯片每个模块的耗电量等等原因，使得不同芯片往往具有不同的上电特性数据，所以，本实施例基于上电特性数据，将待测上电特性数据确定为待测特性数据，可有效提高检测准确性。
具体地，在根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性时，可先根据待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值；再根据上电特性数据差值，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。如此，基于上电特性数据，便可实现对待测芯片的检测，以确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。
进一步地，根据待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值时，可先基于待测稳定电压和对应的待测稳定时间，确定待测芯片的待测上电特性曲线，即形成被测引脚的T-V曲线(时间-电压曲线)；根据待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值。如此，可确定待测芯片的待测上电特性曲线和预设基准芯片的上电特性数据之间的上电特性数据差值，以便于对待测芯片进行检测。
如图7和图8所示，分别为待测芯片A和待测芯片B的T-V曲线图(图中横坐标为时间，纵坐标为电压)，从图中可知，A方案与B方案在上电时间，上电稳定电压，和上电曲率方面均有差别。如图9所示，为本实施例提供的一种待测芯片的T-V曲线图，图10为待测芯片的T-V曲线图和预设基准芯片的T-V曲线图的叠加效果图。
在根据待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值时，可先根据待测上电特性曲线和基准上电特性曲线，分别计算待测稳定电压与基准稳定电压之间的电压差值，待测稳定时间与基准稳定时间之间的时间差值，以及待测上电特性曲线的待测平均曲率与基准平均曲率之间的曲率差值；基于电压差值、时间差值及曲率差值，确定待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值。
其中，平均曲率，可理解为曲线各个点的斜率增加值(先计算各个点的斜率，再计算各个点的斜率增加值)的平均值。
本实施例中，可直接将计算的电压差值、时间差值及曲率差值共同作为待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值，也可以对电压差值、时间差值及曲率差值进行一定的数据处理，如去掉最大值和最小值，求平均值等，然后将处理后的数据作为待测芯片和预设基准芯片的上电特性数据差值。
在根据特性数据差值，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性时，可先确定电压差值与基准稳定电压之间的偏差，时间差值与基准稳定时间之间的偏差，曲率差值与基准平均曲率之间的差值，是否均小于或等于第二预设阈值；若是，则确定待测芯片和预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定待测芯片和预设基准芯片不具有相同的特性。
本实施例结合测试芯片电源输出端引脚(V1)的最终上拉稳定电压，上电稳定时间，和上电过程的平均散点曲率，确定待测芯片和预设基准芯片不具有相同的特性，能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法的误判和漏判。
本实施例基于该电压差值、时间差值及曲率差值该三个方面对芯片进行计算和比较，相对于传统方案，大大提高了测试芯片的准确率。
下面结合附图11，以对A厂家芯片进行鉴别检测为例，对基于T-V曲线对芯片进行检测的过程进行详细介绍。如图11所示，可先测试M厂家芯片的T-V曲线，用其作为基准T-V曲线，再测试被测芯片的T-V测试曲线，然后进行上电特性数据差值的计算。具体包括：第一步，计算被测芯片上电稳定电压与基准稳定电压V0的差值Vx；第二步，计算被测芯片上电稳定时间与基准稳定时间T0的差值Tx；第三步，计算被测芯片平均曲率与基准平均曲率的差值Ax；第四步，Vx，Tx,Ax相对基准参数偏差都在第二预设阈值(例如10％，15％等)以内，则判断为属于同一厂家，否则属于不同把和厂家。
基于上述相同的构思，本实施例还提供一种芯片检测装置，基于预设检测电路，预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机；装置包括：
特性检测模块，用于检测单片机向预设检测电路供电过程中，待测芯片所呈现的待测特性数据；待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；
结果确定模块，用于根据待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定待测芯片和预设基准芯片是否具有相同的特性。
本实施例提供的芯片检测装置，基于上述芯片检测方法相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的芯片检测装置中，在此不再赘述。
本申请实施方式还提供一种电子设备，以执行上述芯片检测方法。请参考图12，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种用电设备的示意图。如图12所示，用电设备40包括：处理器400，存储器401，总线402和通信接口403，处理器400、通信接口403和存储器401通过总线402连接；存储器401中存储有可在处理器400上运行的计算机程序，处理器400运行计算机程序时执行本申请前述任一实施方式所提供的芯片检测方法。
其中，存储器401可能包含高速随机存取存储器(RAM：Random Access Memory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口403(可以是有线或者无线)实现该装置网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网、广域网、本地网、城域网等。
总线402可以是ISA总线、PCI总线或EISA总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。其中，存储器401用于存储程序，处理器400在接收到执行指令后，执行程序，前述本申请实施例任一实施方式揭示的芯片检测方法可以应用于处理器400中，或者由处理器400实现。
处理器400可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器400中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器400可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)、网络处理器(Network Processor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器401，处理器400读取存储器401中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
本申请实施例提供的用电设备与本申请实施例提供的芯片检测方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的芯片检测方法对应的计算机可读存储介质，请参考图13，其示出的计算机可读存储介质为光盘30，其上存储有计算机程序(即程序产品)，计算机程序在被处理器运行时，会执行前述任意实施方式所提供的芯片检测方法。
需要说明的是，计算机可读存储介质的例子还可以包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质，在此不再一一赘述。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的芯片检测方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (16)

1.一种芯片检测方法，其特征在于，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述方法包括：
检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；
根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值；
根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测特性数据包括I-V特性数据和上电特性数据中的至少一者；所述I-V特性数据用于表征，待测芯片加载不同输入电压的过程中，通过所述上拉电阻的电流和所述电源接口输出的第一电压之间的对应关系；所述上电特性数据用于表征，所述电源接口输出固定的第一电压时，所述芯片接口输出稳定电压的稳定时间和稳定电压之间的对应关系。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：
在所述单片机向所述预设检测电路提供不同电压过程中，检测不同供电电压对应的第一电压值和通过所述上拉电阻的电流值；
将检测的所有第一电压值和对应的电流值记作待测I-V特性数据，将所述待测I-V特性数据确定为待测特性数据。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值；
根据所述I-V特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值，包括：
基于所述I-V特性数据确定所述第一电压的待测I-V特性曲线；
根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值，包括：
根据各第一电压值对应待测I-V特性曲线的待测电流值和基准I-V特性曲线的基准电流值之间的差值绝对值，确定差值曲线；
将所述差值曲线的积分结果，确定为所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
确定所述特性数据差值是否小于或等于第一预设阈值；
若是，则确定所述待测芯片和所述预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片不具有相同的特性。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：
在所述单片机向所述预设检测电路供电，并保持所述电源接口输出固定的第一电压过程中，检测所述芯片接口输出稳定电压的待测稳定时间和待测稳定电压；
将所述待测稳定电压和所述待测稳定时间记作待测上电特性数据，将所述待测上电特性数据确定为待测特性数据。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
根据所述待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值；
根据所述上电特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，根据所述待测上电特性数据和预设基准芯片的上电特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值，包括：
基于所述待测稳定电压和对应的待测稳定时间，确定所述待测芯片的待测上电特性曲线；
根据所述待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，根据所述待测上电特性曲线和预设基准芯片的基准上电特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值，包括：
根据所述待测上电特性曲线和所述基准上电特性曲线，分别计算所述待测稳定电压与基准稳定电压之间的电压差值，所述待测稳定时间与基准稳定时间之间的时间差值，以及所述待测上电特性曲线的待测平均曲率与基准平均曲率之间的曲率差值；
基于所述电压差值、所述时间差值及所述曲率差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的上电特性数据差值。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：
确定所述电压差值与所述基准稳定电压之间的偏差，所述时间差值与所述基准稳定时间之间的偏差，所述曲率差值与所述基准平均曲率之间的差值，是否均小于或等于第二预设阈值；
若是，则确定所述待测芯片和所述预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片不具有相同的特性。
14.一种芯片检测装置，其特征在于，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述装置包括：
特性检测模块，用于检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；
结果确定模块，用于根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。
15.一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-13任一项所述的方法。
16.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行实现如权利要求1-13任一项所述的方法。
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