CN114959844A - 镀覆系统及电镀晶圆的方法 - Google Patents

Abstract

提供一种镀覆系统及电镀晶圆的方法。镀覆系统包含电镀腔室，其界定了电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀。电镀腔室包含入口，其配置以将电镀液引入至电镀腔室的电镀区域中。电镀腔室包含出口，其配置以将电镀液从电镀腔室的电镀区域移除。镀覆系统包含屏障，其配置以抑制电镀液从电镀区域移除。

Description

镀覆系统及电镀晶圆的方法

技术领域

本揭示内容是关于一种镀覆系统以及一种电镀晶圆的方法。

背景技术

半导体晶圆被用于多种电子装置中，例如移动电话、笔记型计算机、桌上型计算机、平板、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费电子产品。半导体晶圆通常经历一种或多种制程以产生预期的特征。

发明内容

本揭示内容提供一种镀覆系统，包含电镀腔室和屏障。电镀腔室界定出电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀，其中电镀腔室包含入口和出口。入口配置以将电镀液引入至电镀腔室的电镀区域中。出口配置以将电镀液从电镀腔室的电镀区域移除。屏障配置以抑制电镀液从电镀区域移除。

本揭示内容提供一种电镀晶圆的方法，包含以下操作。经由电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀区域中，其中晶圆在电镀区域内被电镀，其中电镀区域由电镀腔室界定，电镀液用于电镀晶圆。使用屏障抑制电镀液从电镀区域移除。

本揭示内容提供一种电镀晶圆的方法，包含以下操作。通过电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀，其中电镀区域由电镀腔室界定，电镀液用于电镀晶圆。使用屏障反射一些电镀液，其中屏障上覆于电镀腔室内的高电阻虚拟阳极(high resistance virtual anode；HRVA)，此些电镀液被面向电镀区域的屏障的内壁反射。使用屏障调整元件调整屏障的位置或屏障的方向中的至少一者，以调整被屏障反射的此些电镀液的流向，其中屏障的位置对应于屏障的垂直位置或屏障的水平位置。相对于HRVA的表面，屏障的方向对应于屏障的内壁的角度。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭示内容的态样将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图2示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图3示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图4示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图5A示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的示意图；

图5B示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图5C示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图5D示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图5E示出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的横截面图；

图6出了根据一些实施方式的至少一些镀覆系统的示意图；

图7为根据一些实施方式示出控制至少一个位置或方向的屏障的方法的流程图；

图8为根据一些实施方式示出镀覆晶圆的方法的流程图；

图9为根据一些实施方式示出镀覆晶圆的方法的流程图；

图10为根据一些实施方式示出示例的计算机可读介质，其中可以包含配置为体现本文所述的一个或多个规定的处理器可执行指令。

【符号说明】

100:镀覆系统

102:屏障

102B:第二屏障

104:出口

104B:第二出口

106:阳极

108:旋转结构

112:平板

114:晶圆

116:晶圆支撑结构

118:距离

120:电镀腔室

122:距离

124:电镀区域

126:移除的电镀液

126B:移除的电镀液

130:高电阻虚拟阳极(HRVA)

132:距离

134:薄膜

136:开口

138:入口

140:电镀液

142:顶点

144:顶点

146:距离

148:长度

150:距离

152:第二部分

154:第一部分

156:表面

158:锥体

160:部分

162:支撑结构

164:距离

166:腔室壁

168:内壁

170:第一方向

172:第二方向

174:第一侧壁

176:第二侧壁

178:底腔室壁

182:顶表面

184:顶表面

186:底表面

188:边缘区域

190:中心区域

202:内壁

302:内壁

306:角度

406:角度

502:信号

504:控制器

506:控制信号

508:屏障调整元件

510:角度调整组件

512:第二旋转方向

514:第二旋转方向

516:表面

518:角度

519:距离

520:内壁

521:外壁

522:第一水平方向

524:第二水平方向

526:水平位置调整组件

528:垂直位置调整组件

530:第一垂直方向

532:第二垂直方向

602:注入系统

604:即时分析仪(RTA)

610:第一泵

612:第一过滤器

614:第二泵

616:第二过滤器

618:第三泵

620:第三过滤器

622:第一回流管

624:第二回流管

626:第三回流管

630:再循环管

632:浴槽

634:再循环泵

636:再循环过滤器

638:第一槽

640:第二槽

642:第三槽

650:第一管

652:第二管

654:第三管

700:方法

702:方块

704:方块

800:方法

802:方块

804:方块

900:方法

902:方块

904:方块

906:方块

1000:实施方式

1002:方法

1004:处理器可执行的计算机指令

1006:计算机可读数据

1008:计算机可读介质

具体实施方式

以下揭示提供许多不同实施方式或实施例，用于实现本揭示内容的不同特征。以下叙述部件与布置的特定实施方式，以简化本揭示内容。这些当然仅为实施例，并且不是意欲作为限制。举例而言，在随后的叙述中，第一特征在第二特征上方或在第二特征上的形成，可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的实施方式，亦可包括有另一特征可形成在第一特征及第二特征之间，以使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施方式。此外，本揭示内容可能会在不同的实例中重复标号或文字。重复的目的是为了简化及明确叙述，而非界定所讨论的不同实施方式及配置间的关系。

除此之外，空间相对用语如“下面”、“下方”、“低于”、“上面”、“上方”及其他类似的用语，在此是为了方便描述图中的一个元件或特征和另一个元件或特征的关系。空间相对用语除了涵盖图中所描绘的方位外，该用语还涵盖装置在使用或操作时的其他方位。该装置可以用其他方式定向(旋转90度或在其他方位)，并且在此使用的空间相对描述语可以同样地被相应地解释。

镀覆系统具有电镀腔室，在电镀腔室中界定出要在其中电镀晶圆的电镀区域。电镀腔室具有一个入口和一个出口。入口配置以将电镀液引入到电镀腔室的电镀区域中。出口配置以将电镀液从电镀腔室的电镀区域移除。镀覆系统具有屏障，屏障配置以抑制电镀液从电镀区域移除。至少一些流向和/或流经出口的电镀液被屏障反射回电镀区域和/或流向晶圆。与不包括屏障的镀覆系统相比，屏障提供了撞击到晶圆上的电镀液的流动或分布的增加的均匀性。撞击到晶圆上的电镀液的流动或分布的增加的均匀性提供了沉积在横过晶圆表面上的电镀材料的电镀厚度的增加的均匀性。电镀材料在横过晶圆表面上的电镀厚度的增加的均匀性提供了更精确的半导体元件的制造，并且能够制造具有更小特征尺寸的半导体元件。

图1至图4示出了根据一些实施方式的镀覆系统100。图1至图4所描绘的视图为说明镀覆系统100的一些内部态样的横截面图。关于图1，镀覆系统100包含电镀腔室120，电镀腔室120界定出电镀晶圆114的电镀区域124。镀覆系统100配置用以执行电镀制程，其将晶圆114镀上电镀材料，例如制造一个或多个半导体元件。电镀材料沉积在晶圆114的表面156上。

电镀腔室120的相对外侧壁之间的距离146在约35毫米(mm)至约3,500毫米之间(例如约350毫米)。晶圆114的长度148在约30毫米至约3,000毫米之间(例如约300毫米)。电镀腔室120和/或晶圆114的其他结构和/或配置均在本揭示内容的范围内。

镀覆系统100包含阳极106。在一些实施方式中，阳极106在电镀腔室120中。沉积于晶圆114的表面156上的电镀材料取决于阳极106的材料组成物。在电镀制程期间，电镀材料包含从阳极106转移至晶圆114(例如晶圆114的表面156)的阳极材料。阳极106和电镀材料包含铜、镍、锡或其他合适材料中的至少一种。

电镀腔室120包含入口138，入口138配置为将电镀液140(例如电解液)引入至电镀腔室120的电镀区域124中。在一些实施方式中，电镀腔室120与在入口138处的管(例如图6所示的第一管650、第二管652或第三管654)相连。电镀液140经由入口138离开管并进入电镀腔室120。入口138对应于在电镀腔室120的底腔室壁178或电镀腔室120的其他部分中的界定的开口。在一些实施方式中，入口138由底腔室壁178的第一侧壁174和底腔室壁178的第二侧壁176所界定出。在一些实施方式中，镀覆系统100包含泵(例如图6所示的第一泵610、第二泵614或第三泵618)，泵配置为将电镀液140经由电镀腔室120的管和入口138导入至电镀腔室120的电镀区域124中。一个或多个阀门、密封剂、O形环等可以存在于入口138处以提供对从管到电镀室腔120的电镀液140的流动的控制。在一些实施方式中，在阳极106中的开口136上覆于电镀腔室120的入口138。电镀液140流经入口138以及在阳极106中的开口136。电镀腔室120和/或入口138的其他结构和/或配置均在本揭示内容的范围内。

电镀液140的材料组成物取决于电镀材料或阳极106的材料组成物中的至少一者。在一些实施方式中，电镀材料或阳极106中的至少一者包含铜，且电镀液140包含硫酸铜。电镀液140、电镀材料和/或阳极106的其他组成物皆在本揭示内容的范围内。

镀覆系统100包含电源(未示出)，其电性耦合至阳极106和阴极，例如晶圆114。电源配置用以使电流(例如直流电)通过电镀液140，使得阳极106失去电子且晶圆114变得带负电。在阳极106处失去电子导致阳极106的一些阳极材料至少分解到电镀液140中或转化为离子，例如带正电的金属离子。离子从阳极106流经电镀区域124(例如通过和/或电镀液140)至晶圆114。离子至少被中和、还原或沉积在晶圆114上，例如沉积在114的表面156上。

在一些实施方式中，镀覆系统100包含在电镀腔室120中的薄膜134。薄膜134将电镀区域124的第一部分154(例如薄膜134下方的部分电镀区域124)与电镀区域124的第二部分152(例如薄膜134上方的部分电镀区域124)分开。电镀液140从电镀区域124的第一部分154流向(例如通过薄膜134)电镀区域124的第二部分152。薄膜134配置以抑制或阻挡一个或多个成分(例如一个或多个类型的电镀液140的电镀添加剂)从电镀区域124的第一部分154流向电镀区域124的第二部分152。因此，第一部分154中的电镀液140的材料组成物不同于第二部分152中的电镀液140的材料组成物。第一部分154中的电镀添加剂(例如至少一种的整平剂(leveler)、抑制剂(suppresser)或促进剂(accelerator)的量)的量大于第二部分152中的电镀添加剂的量。在一些实施方式中，第二部分152中的电镀液140为原生补充溶液(virgin makeup solution；VMS)。VMS是一种不包含一个或多个类型的电镀添加剂溶液(例如至少一种的整平剂、抑制剂或促进剂)。

薄膜134耦合到电镀腔室120的支撑结构162。在一些实施方式中，薄膜134耦合至支撑结构162的第一内侧壁。支撑结构162覆盖电镀腔室120的腔室壁166。支撑结构162的第一外侧壁和支撑结构162的第一内侧壁之间的距离164在约2毫米至约200毫米(例如约20毫米)之间。腔室壁166的第二外侧壁和腔室壁166的第二内侧壁之间的距离132在约1毫米至约100毫米(例如约10毫米)之间。薄膜134、支撑结构162和/或腔室壁166的其他结构和/或配置皆在本揭示内容的范围内。

来自阳极106或电镀液140(例如在第二部分152中的电镀液140)中的至少一个离子流向晶圆114并撞击到晶圆114(例如在晶圆114的表面156处)。在一些实施方式中，镀覆系统100包含在电镀腔室120中的高电阻虚拟阳极(high resistance virtual anode；HRVA)130。HRVA 130包含非导电材料，例如聚合物材料或其他合适材料中的至少一种。HRVA130的非导电材料的电阻(electrical resistance)高于晶圆114的电阻。HRVA 130是一种多孔结构，来自阳极106或电镀液140的至少一个离子流过此结构。HRVA 130包含开口(例如垂直定向的通孔)，来自阳极106或电镀液140的至少一个离子通过此开口并撞击到晶圆114上。HRVA 130上覆于阳极106、薄膜134或支撑结构162中的至少一者。HRVA 130在晶圆114和薄膜134或侧壁106中的至少的一者之间。HRVA 130的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

与不包含HRVA 130的电镀腔室相比，包含HRVA 130的电镀腔室120增加了横过晶圆114的表面156的电流分布的均匀性，且减少了横过晶圆114的表面156的不同部分的电流密度之间的差异，因此，提供了从阳极106撞击至晶圆114的表面156上的离子的流动或分布的增加的均匀性。从阳极106撞击至晶圆114的表面156上的离子的流动或分布的增加的均匀性提供了沉积于横过晶圆114的表面156的电镀材料的电镀厚度的增加的均匀性。

在一些实施方式中，电镀腔室120包含晶圆接合组件，例如“蛤壳形(clamshell)”的组件。晶圆接合组件包含锥体158或晶圆支撑结构116的至少一者，例如杯(cup)。锥体158上覆于晶圆114。在一些实施方式中，电镀腔室120包含上覆于锥体158的平板112。晶圆支撑结构116配置以保持锥体158和阳极106、薄膜134或HRVA 130中的至少一者之间的晶圆114的位置。晶圆支撑结构116的部分160位于晶圆114的下方，使得晶圆114固定在晶圆支撑结构116中。晶圆支撑结构116的第三外侧壁和晶圆支撑结构116的第三内侧壁之间的距离118在约2毫米至约200毫米(例如约20毫米)之间。HRVA 130和晶圆支撑结构116之间的距离122在约1毫米至约100毫米(例如约10毫米)之间。晶圆114的一个或多个部分(例如除了表面156的一个或多个晶圆114的表面)被锥体158或晶圆支撑结构116中的至少一者覆盖。被覆盖的晶圆114的一个或多个部分于电镀制程期间没有被电镀。锥体158、晶圆支撑结构116和/或平板112的其他结构和/或配置皆在本揭示内容的范围内。

在一些实施方式中，镀覆系统100包含旋转结构108。旋转结构108配置以在第一方向170或与第一方向170相对的第二方向172中的至少一者中旋转至少一个晶圆114或至少一些电镀腔室120。旋转结构108由马达(未示出)控制。马达配置以旋转旋转结构108。旋转结构108耦合至平板112、锥体158或电镀腔室120的其他部分中的至少一者。在一些实施方式中，使用旋转结构108的晶圆114的旋转提供了沉积横过晶圆114的表面156的电镀材料的电镀厚度的增加的均匀性。旋转结构108的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

电镀腔室120包含出口104，出口104配置以从电镀腔室120的电镀区域124移除电镀液140。在一些实施方式中，出口104下覆于晶圆支撑结构116。出口104对应于电镀腔室120中的开口，例如界定在晶圆支撑结构116和电镀腔室120的HRVA 130、支撑结构162或腔室壁166中的至少一者之间的开口。在一些实施方式中，出口104由晶圆支撑结构116的底表面186以及HRVA 130的顶表面182或支撑结构162的顶表面184的至少一者所界定。

在一些实施方式中，电镀腔室120包含相对于出口104的第二出口104B。在一些实施方式中，出口104和第二出口104B为两个分开或分离的出口，出口104和第二出口104B彼此分开。在一些实施方式中，出口104和第二出口104B是单一、连续的出口的一部分，出口104和第二出口104B在晶圆支撑结构116和电镀腔室120的HRVA 130、支撑结构162或腔室壁166中的至少一者之间延伸围绕电镀腔室120。在一些实施方式中，移除的电镀液126和126B从电镀区域124经出口104和/或第二出口104B流向电镀腔室120外。

镀覆系统100包含屏障102(例如垫(shim))，屏障102配置以抑制电镀液140从电镀区域124移除。屏障102于平板112、锥体158、晶圆114或晶圆支撑结构116中的至少一者下方。屏障102于HRVA 130、薄膜134或腔室壁166的至少一者上方。屏障102在晶圆支撑结构116的底表面186和HRVA的顶表面182或支撑结构162的顶表面184中的至少一者之间。屏障102至少上覆于、直接接触、间接接触或耦合到HRVA 130的顶表面182。屏障102至少上覆于、直接接触、间接接触或耦合到支撑结构162的顶表面184。在一些实施方式中，屏障102的位置是固定的。在一些实施方式中，屏障102的位置是可以调整的。

在一些实施方式中，屏障102配置以再循环电镀液140，使电镀液140流向和/或通过出口104、回到电镀区域124和/或流向晶圆114。流向和/或通过出口104的电镀液140的至少一些撞击在屏障102上并且被屏障102反射。被屏障102反射的电镀液140从出口104流走、流回电镀区域124和/或朝向晶圆114，例如图1至图4中虚线箭头所示方向。在一些实施方式中，镀覆系统100包含相对于屏障102的第二屏障102B。在一些实施方式中，屏障102和第二屏障102B为两个分开或分离的屏障。在一些实施方式中，屏障102和第二屏障102B为单一、连续的屏障，屏障102和第二屏障102B在晶圆支撑结构116和电镀腔室120的HRVA 130、支撑结构162或腔室壁166中的至少一者延伸围绕电镀腔室120。在屏障102的最顶部分和HRVA130的顶表面182、支撑结构162的顶表面184或屏障102的最底部分中的至少一者之间的距离150在约0.6毫米至约60毫米(例如约5.8毫米)之间。在一些实施方式中，距离150相对于屏障102的高度。屏障102的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

相较于不包含屏障102的电镀腔室，包含屏障102的镀覆系统100增加了电镀液140或来自阳极106撞击晶圆114的表面156上的离子中的至少一者的流动或分布的均匀性。撞击晶圆114的表面156上的离子的流动或分布的增加的均匀性提供了沉积于横过晶圆114的表面156的电镀材料的电镀厚度的增加的均匀性。屏障102提供了第一速率和第二速率之间的差异，其中第一速率为撞击第一部分晶圆114的表面156的第一部分的电镀液140或来自阳极106的离子的至少一者，第二速率为撞击晶圆114的表面156的第二部分的电镀液140或来自阳极106的离子的至少一者。在第一速率和第二速率之间减少的差异提供了第一电镀厚度和第二电镀厚度之间减少的差异，其中第一电镀厚度为沉积在晶圆114的表面156的第一部分上的电镀材料，第二电镀厚度为沉积在晶圆114的表面156的第二部分上的电镀材料。

若镀覆系统100中没有屏障102，第一速率会低于第二速率，例如至少由于电镀液140或来自阳极106的离子的至少一者的流动或分布的方向提供了比晶圆114的表面156的第二部分少的电镀液140和/或撞击晶圆114的表面156的第一部分上的离子。在一些实施方式中，屏障102修正了电镀液140或来自阳极106的离子的至少一者的流动或分布的方向，使得电镀液140或来自阳极106的离子的至少一者的撞击(impingement)于晶圆114的表面156的第一部分上增加，因此，减小了第一速度和第二速度之间的差异，并减小了第一电镀厚度和第二电镀厚度之间的差异。在一些实施方式中，屏障102增加了在电镀区域124的区域中的电镀液140的化学浓度，其中电镀区域124相邻或下覆于晶圆114的表面156的第一部分。在一些实施方式中，在第一速率和第二速率之间减少的差异和/或在第一电镀厚度和第二电镀厚度之间减少的差异是因为至少部分地增加了在电镀区域124的区域中的电镀液140的化学浓度，其中电镀区域124相邻或下覆于晶圆114的表面156的第一部分。在一些实施方式中，晶圆114的表面156的第一部分对应于晶圆114的表面156的边缘区域188，或是晶圆114的表面156的第二部分对应于晶圆114的表面156的中心区域190。

在一些实施方式中，屏障102的横截面形状为三角形，例如为正三角形、等腰三角形、不等边三角形、直角三角形、钝角三角形或锐角三角形中的至少一者。屏障102的横截面形状具有顶点(vertex)144，顶点144具有在约45度至约75度(例如约60度)之间的一个角度，顶点142具有在约15度至约45度(例如约30度)之间的一个角度，且剩下的顶点具有在约75度至约105度(例如约90度)之间的一个角度。屏障102的其他结构和/或形状也在本揭示内容的范围内。

屏障102具有面向电镀区域124的内壁168。在一些实施方式中，内壁168垂直地延伸，例如垂直于HRVA 130的顶表面182、支撑结构162的顶表面184或晶圆114的表面156中的至少一者的延伸方向，和/或平行于支撑结构162的第一内侧壁、支撑结构162的第一外侧壁、腔室壁166的第二内侧壁、腔室壁166的第二外侧壁、晶圆支撑结构116的第三内侧壁或晶圆支撑结构116的第三外侧壁中的至少一者的延伸方向。相对于其他元件、特征等，屏障102和/或屏障102的内壁168的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图2示出了根据一些实施方式的镀覆系统100。在一些实施方式中，例如图2中所示，屏障102的横截面形状为长方形。屏障102具有面向电镀区域124的内壁202。在一些实施方式中，内壁202垂直地延伸，例如垂直于HRVA130的顶表面182、支撑结构162的顶表面184或晶圆114的表面156中的至少一者的延伸方向，和/或平行于支撑结构162的第一内侧壁、支撑结构162的第一外侧壁、腔室壁166的第二内侧壁、腔室壁166的第二外侧壁、晶圆支撑结构116的第三内侧壁或晶圆支撑结构116的第三外侧壁中的至少一者的延伸方向。相对于其他元件、特征等，屏障102和/或屏障102的内壁202其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图3示出了根据一些实施方式的镀覆系统100。在一些实施方式中，例如图3中所示，屏障102的横截面形状为三角形，且屏障102具有内壁302。相对于HRVA 130的顶表面182或支撑结构162的顶表面184中的至少一者，内壁302在角度306处是锥形的。内壁302的角度306在约30度至约130度之间(例如在约60度至约100度之间、或是例如约80度)。相对于其他元件、特征等，屏障102和/或屏障102的内壁302的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图4示出了根据一些实施方式的镀覆系统100。在一些实施方式中，例如图4中所示，屏障102的横截面形状是平行四边形，且屏障102具有内壁402。相对于HRVA 130的顶表面182或支撑结构162的顶表面184中的至少一者，内壁402在角度406处是锥形的。内壁402的角度406在约30度至约130度之间(例如在约60度至约100度之间、或是例如约80度)。相对于其他元件、特征等，屏障102和/或屏障102的内壁402的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

不同于图1至图4所示和/或所述的屏障102的形状和/或结构也在本揭示内容的范围内。

图5A至图5E示出了根据一些实施方式的镀覆系统100的屏障调整元件508。图5A示出了根据一些实施方式的屏障调整元件508的示意图。镀覆系统100的控制器504配置以接收一个或多个信号502。控制器504配置以控制基于一个或多个信号502的屏障调整元件508。控制器504传送一个或多个控制信号506到基于一个或多个信号502的屏障调整元件508。屏障调整元件508配置以调整和/或控制基于一个或多个控制信号506的屏障102的方位和/或位置。

在一些实施方式中，一个或多个信号502包含一个或多个回馈信号。基于一个或多个回馈信号，电镀制程的一个或多个参数由(例如)控制器504决定。一个或多个参数包含一个或多个沉积速率、一个或多个电镀厚度、镀覆系统100的一个或多个部分中的电镀液140的一个或多个压力、镀覆系统100的一个或多个部分中的电镀液140的一个或多个流动方向、或其他合适的参数中的至少一者。一个或多个沉积速率对应于沉积在晶圆114的表面156的一个或多个部分上的电镀材料的一个或多个速率。一个或多个电镀厚度对应于沉积在晶圆114的表面156的一个或多个部分上的电镀材料的一个或多个厚度。在一些实施方式中，一个或多个参数中的至少一些是基于一个或多个信号、一个或多个回馈信号、从一个或多个第一感测器接收所决定的，例如一个或多个邻近感测器、一个或多个光学感测器、一个或多个图像感测器、一个或多个摄像头、一个或多个红外线感测器、一个或多个压力感测器、或一个或多个其他合适的感测器中的至少一者。一个或多个第一感测器包含一个或多个位于电镀腔室120之中或之内的感测器、一个或多个位于支撑结构162的第一内侧壁上的感测器、一个或多个位于腔室壁166的第二内侧壁上的感测器、一个或多个位于晶圆支撑结构116的第三内侧壁上的感测器、一个或多个位于HRVA 130上的感测器、一个或多个位于薄膜134上的感测器、一个或多个位于入口138之内的感测器、一个或多个位于底腔室壁178的第一侧壁174上的感测器、一个或多个位于底腔室壁178的第二侧壁176上的感测器、一个或多个位于管(例如图6中所示的第一管650、第二管652或第三管654)之内或之上的感测器、一个或多个位于出口104内的感测器、一个或多个位于晶圆支撑结构116的底表面186上的感测器、或是一个或多个位于一个或多个其他合适的地方的的其他感测器。

在一些实施方式中，一个或多个信号502包含从镀覆系统100的一个或多个第一组件接收的一个或多个操作信号(例如至少一个泵(例如图6中所示的第一泵610、第二泵614或第三泵618))、配置以控制系统的一个或多个组件的计算机、或一个或多个其他合适的组件。在一些实施方式中，一个或多个操作信号表示以下的至少一者，在一速率下将电镀液140泵入(pump into)电镀腔室120中、将一定量的电镀液140泵入电镀腔室120中、电镀液140的一个或多个特性、电镀液140的材料组成物、在晶圆114的表面156上的电镀材料的目标电镀厚度、在晶圆114的表面156上的电镀材料的目标均匀性、或一个或多个其他合适的操作参数。

在一些实施方式中，屏障调整元件508包含角度调整组件510(如图5B中所示)、水平位置调整组件526(如图5C中所示)、垂直位置调整组件528(如图5E中所示)或其他合适的位置调整组件中的至少一者。

图5B示出了根据一些实施方式的屏障调整元件508的角度调整组件510的横截面图。在一些实施方式中，相对于表面516(例如HRVA 130的顶表面182或支撑结构162的顶表面184中的至少一者)，角度调整组件510配置以调整和/或控制屏障102的内壁520的角度518(例如内壁168、内壁202、内壁302或内壁402)。在屏障102的内壁520和屏障102的外壁521之间的距离519为约0.1毫米至约20毫米(例如约1毫米)之间。在一些实施方式中，距离519对应于屏障102的宽度。角度调整组件510至少上覆于、直接接触、间接接触或耦合到表面516。相对于基于一个或多个控制信号506的至少一个控制信号的表面516，角度调整组件510配置以调整和/或控制屏障102的内壁520的角度518。在一些实施方式中，屏障102耦合至表面516，例如通过铰链连接(hinged connection)、棘轮连接(ratcheted connection)或其他合适的连接中的至少一者。在一些实施方式中，角度调整组件510耦合至屏障102，例如通过铰链连接、棘轮连接或其他合适的连接中的至少一者。在一些实施方式中，相对于通过移动屏障102的表面516(例如使用角度调整组件510的一个或多个马达)，角度调整组件510配置以在至少一者的第一旋转方向512或与第一旋转方向512相反的第二旋转方向514上调整和/或控制屏障102的内壁520的角度518。角度调整组件510和/或屏障102的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图5C示出了根据一些实施方式的屏障调整元件508的水平位置调整组件526的横截面图。在一些实施方式中，水平位置调整组件526配置以调整和/或控制屏障102的水平位置。水平位置调整组件526至少上覆于、直接接触、间接接触或耦合到表面516。水平位置调整组件526配置以调整和/或控制基于一个或多个控制信号506中的至少一个控制信号的屏障102的水平位置。在一些实施方式中，屏障102耦合至表面516，例如通过滚珠轴承(ballbearing)、轨道、轮子或其他合适的连接中的至少一者。水平位置调整组件526耦合至屏障102，例如通过伸缩构件或其他合适的连接中的至少一者。在一些实施方式中，于第一水平方向522或与第一水平方向522相反的第二水平方向524中的至少一者方向上，水平位置调整组件526配置以通过移动屏障102来调整和/或控制屏障102的水平位置，例如使用水平位置调整组件526的一个或多个马达。水平位置调整组件526和/或屏障102的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图5D示出了根据一些实施方式的包含角度调整组件510和水平位置调整组件526的屏障调整元件508的横截面图。角度调整组件510配置以调整和/或控制相对于表面516屏障102的内壁520的角度518。水平位置调整组件526配置以调整和/或控制至少一者的屏障102的水平位置或是耦合至屏障102的角度调整组件510的水平位置。角度调整组件510、水平位置调整组件526和/或屏障102的其他结构和/或配置也在本揭示内容的范围内。

图5E示出了根据一些实施方式的屏障调整元件508的垂直位置调整组件528的横截面图。在一些实施方式中，垂直位置调整组件528配置以调整和/或控制屏障102的垂直位置，例如基于一个或多个控制信号506中的至少一个控制信号。垂直位置调整组件528耦合至屏障102，例如通过伸缩构件或其他合适的连接中的至少一个。在一些实施方式中，于第一垂直方向530或与第一垂直方向530相反的第二垂直方向532中的至少一者方向上，垂直位置调整组件528配置以通过移动屏障102来调整和/或控制屏障102的垂直位置，例如使用垂直位置调整组件528的一个或多个马达。在一些实施方式中，第一垂直方向530垂直于第一水平方向522。

在一些实施方式中，相对于表面516，屏障102的内壁520的角度518、屏障102的水平位置或屏障102的垂直位置中的至少一者影响由屏障102的内壁520反射的电镀液140的流动方向。因此，相对于表面516，通过调整和/或控制屏障102的内壁520的角度518、屏障102的水平位置或屏障102的垂直位置中的至少一者，屏障调整元件508可以控制反射的电镀液140的流动方向。在一些实施方式中，控制器504基于一个或多个信号502决定晶圆114的表面156的一个或多个目标部分。在一些实施方式中，一个或多个目标部分对应于晶圆114的表面156的一个或多个部分，其中电镀材料以小于临界沉积速率(thresholddeposition rate)的沉积速率沉积在此部分上。临界沉积速率对应于电镀材料沉积在晶圆114的表面156的不同部分上的第二沉积速率、与电镀制程相关的目标沉积速率或其他沉积速率中的至少一者。在一些实施方式中，一个或多个目标部分对应于晶圆114的表面156的一个或多个部分，其中在此部分上的沉积的电镀材料的厚度小于临界厚度(thresholdthickness)。临界厚度对应于在晶圆114的表面156的不同部分上的沉积的电镀材料的第二厚度、与电镀制程相关的目标厚度或其他厚度中的至少一者。在一些实施方式中，控制器504控制屏障调整元件508以调整相对于表面516的屏障102的内壁520的角度518、屏障102的水平位置或屏障102的垂直位置中的至少一者，进而调整反射的电镀液140的流动方向，使得反射的电镀液140撞击一个或多个目标部分，且电镀材料沉积在一个或多个目标部分的至少一个的沉积速率增加到至少的临界沉积速率，或是在一个或多个目标部分上沉积的电镀材料的厚度增加到至少的临界厚度。

在一些实施方式中，控制器504在电镀制程期间监控一个或多个回馈信号，例如相对于表面516，回应控制的屏障调整元件508以调整屏障102的内壁520的角度518、屏障102的水平位置或屏障102的垂直位置中的至少一者。控制器504基于一个或多个信号502定期更新控制信号506。基于一个或多个信号502，控制器504定期决定晶圆114的表面156的一个或多个目标部分。基于晶圆114的表面156的一个或多个目标部分，控制器504决定目标角度518、目标屏障102的水平位置或目标屏障102的垂直位置中的至少一者。基于目标角度518、目标屏障102的水平位置或目标屏障102的垂直位置中的至少一者，控制器504产生控制信号506。回应控制信号506的修正和/或更控制信号506，基于控制信号506所指示的目标角度518、目标屏障102的水平位置和/或目标屏障102的垂直位置，屏障调整元件508调整角度518、屏障102的水平位置或屏障102的垂直位置中的至少一者。控制器504和/或屏障调整元件508的其他配置也在本揭示内容的范围内。

在一些实施方式中，与电镀制程相关的电镀制程信息由控制器504储存，例如回应电镀制程的完成。电镀制程信息电镀制程的一个或多个参数、电镀液140的一个或多个特性、电镀液140的材料组成物、在晶圆114的表面156上的电镀材料的目标电镀厚度、在晶圆114的表面156上的电镀材料的目标均匀度、在电镀制程中沉积在表面156的一个或多个部分的电镀材料的一个或多个厚度、在电镀制程中沉积在表面156的电镀材料的均匀度、或是其他合适的信息中的至少一些信息。基于电镀制程信息，控制器504控制屏障调整元件508在一个或多个随后的电镀制程中。

图6示出了根据一些实施方式的镀覆系统100的示意图。镀覆系统100包含用于准备和/或包含电镀液140的浴槽632。镀覆系统100包含注入系统602和/或即时分析仪(realtime analyzer；RTA)604中的至少一者。RTA 604配置以分析和/或监控电镀液140的化学组成物。注入系统602配置以添加电镀液140的添加剂，例如更换电镀过程中消耗的添加剂。在一些实施方式中，基于从RTA 604接收的一个或多个信号，注入系统602调节电镀液的化学组成物，例如通过添加一个或多个添加剂至浴槽632。浴槽632注入系统602和/或RTA604的其他配置也在本揭示内容的范围内。

在一些实施方式中，镀覆系统100包含一个或多个第一泵、一个或多个第一过滤器、一个或多个第一槽(cell)、或一个或多个第一管中的至少一者。一个或多个第一槽包含第一槽638、第二槽640、第三槽642中的至少一者。在一些实施方式中，电镀腔室120对应于第一槽638、第二槽640、第三槽642中的至少一者。一个或多个第一泵包含第一泵610、第二泵614或第三泵618中的至少一者。一个或多个第一过滤器包含第一过滤器612、第二过滤器616或第三过滤器620中的至少一者。在一些实施方式中，一个或多个第一管包含第一管650、第二管652或第三管654中的至少一者。

在一些实施方式中，第一泵610流体地耦合到浴槽632。第一泵610配置以将电镀液140从浴槽632导入到第一槽638中，例如经由第一管650或第一槽638的入口(例如电镀腔室120的入口138)中的至少一者。在一些实施方式中，在进入第一槽638之前，电镀液140通过第一过滤器612。第一泵610、第一管650、第一过滤器612和/或第一槽638的其他配置也在本揭示内容的范围内。

在一些实施方式中，镀覆系统100包含一个或多个回流管。一个或多个回流管包含第一回流管622、第二回流管624或第三回流管626中的至少一者。在一些实施方式中，从第一槽638中移除电镀液140，例如通过第一槽638的出口(例如电镀腔室120的出口104)。从第一槽638中移除的电镀液140导入至浴槽632，例如经由第一回流管622。一个或多个第一槽和/或一个或多个回流管的其他配置也在本揭示内容的范围内。

在一些实施方式中，镀覆系统100包含再循环系统，其配置以再循环和/或过滤器电镀液140。再循环系统包含再循环泵634、再循环过滤器636或再循环管630中的至少一者。再循环泵634流体地耦合到浴槽632。再循环泵610配置以从浴槽632引导电镀液140、使电镀液140通过再循环过滤器636、或将电镀液140引导回浴槽632中的至少一者，例如经由再循环管630。再循环系统的其他配置在本揭示内容的范围内。

根据一些实施方式，在图7中示出了控制屏障(例如屏障102)的位置或方向中的至少一者的方法700。在方块702中，接收一个或多个信号，例如一个或多个信号502。通过控制器接收一个或多个信号，例如控制器504。在方块704中，基于一个或多个信号调整屏障的角度、水平位置或垂直位置中的至少一者。在一些实施方式中，角度是相对于表面516的屏障102的内壁520的角度518、或其他合适的角度中的至少一者。在一些实施方式中，通过传送控制信号(指示的调整屏障的角度、水平位置或垂直位置中的至少一者)，控制器调整屏障的角度、水平位置或垂直位置中的至少一者至屏障调整元件(例如屏障调整元件508)。控制信号为控制信号506或其他合适的控制信号中的至少一者。

根据一些实施方式，在图8中示出了电镀晶圆(例如晶圆114)的方法800。在方块802中，经由电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀晶圆的电镀区域内。在一些实施方式中，入口为入口138或其他合适的入口中的至少一者。在一些实施方式中，电镀腔室为电镀腔室120或其他合适的电镀腔室中的至少一者。电镀液用于电镀晶圆。在一些实施方式中，电镀液为电镀液140或其他合适的电镀液中的至少一者。电镀区域由电镀腔室界定。在一些实施方式中，电镀区域为电镀区域124或其他合适的电镀区域中的至少一者。在方块804中，使用屏障(例如屏障102)抑制电镀液从电镀区域移除。

根据一些实施方式，在图9中示出了电镀晶圆(例如晶圆114)的方法900。在方块902中，经由电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀区域电镀晶圆的电镀区域内。在一些实施方式中，入口为入口138或其他合适的入口中的至少一者。在一些实施方式中，电镀腔室为电镀腔室120或其他合适的电镀腔室中的至少一者。电镀液用于电镀晶圆。在一些实施方式中，电镀液为电镀液140或其他合适的电镀液中的至少一者。电镀区域由电镀腔室界定。在一些实施方式中，电镀区域为电镀区域124或其他合适的电镀区域中的至少一者。在方块904中，使用屏障(例如屏障102)反射一些电镀液。屏障上覆于电镀腔室内的HRVA(例如HRVA130)。一些电镀液被屏障的内壁(例如内壁168、内壁202、内壁302或内壁402)反射，从而面向电镀区域。在方块906中，使用屏障调整元件来调整屏障的位置或屏障方向中的至少一者，以调整被屏障反射的一些电镀液的流向。在一些实施方式中，屏障调整元件为屏障调整元件508或其他合适的屏障调整元件中的至少一者。屏障的位置对应于屏障的垂直位置或屏障的水平位置中的至少一者。相对于HRVA的表面，屏障的方向对应于屏障的内壁的角度。HRVA的表面为HRVA 130的顶表面182或其他合适的表面中的至少一者。

在一些实施方式中，使用一个或多个感测器来感测电镀制程的一个或多个参数。执行电镀制程以在电镀腔室内用阳极(例如阳极106)的阳极材料电镀晶圆。基于一个或多个参数，调整屏障的位置或屏障的方向中的至少一者。一个或多个参数包含一个或多个沉积速率、一个或多个电镀厚度、在包含电镀腔室的镀覆系统(例如镀覆系统100)的一个或多个部分中的电镀液的一个或多个压力、在镀覆系统的一个或多个部分中的电镀液的一个或多个流向、或其他合适的参数中的至少一者。

在一些实施方式中，执行电镀制程于中段制程(middle end of line；MEOL)集成电路(integrated circuit；IC)制造或后段制程(back end of line；BEOL)IC中的至少一者中。在一些实施方式中，执行电镀制程以形成一个或多个互联结构(例如一个或多个穿孔)，互联结构提供金属结构之间的连接(例如一个或多个金属层、一个或多个金属垫、一个或多个金属接触、一个或多个金属端(terminal)等中的至少一者)。一个或多个互联结构的第一互联结构通过一个或多个介电层以将第一金属结构(例如第一金属层、第一金属垫、第一金属接触、第一金属端等中的至少一者)连接至第二金属结构(例如第二金属层、第二金属垫、第二金属接触、第二金属端等中的至少一者)。在一些实施方式中，执行电镀制程，将阳极的阳极材料填充上覆于第一金属结构的沟槽，以形成第一互联结构。形成第二金属结构于第一互联结构上方，且第一互联结构提供第一金属结构和第二金属结构之间的连接。

镀覆系统包含屏障并使用屏障反射一些电镀液，其增加了电镀液或来自阳极(阳极撞击在晶圆上)的离子中的至少一者的流动或分布的均匀性。例如，相较于其他不具有屏障以反射一些电镀液的系统和/或制程，包含屏障的镀覆系统沉积横过晶圆的表面。在一些实施方式中，流动或分布的增加的均匀性在晶圆的边缘区域(例如对应于晶圆114的表面156的边缘区域188)中提供了改善的互联结构(例如穿孔)。在一些不使用屏障反射一些电镀液的电镀制程中，形成在晶圆的边缘区域上的穿孔存在缺陷，例如气泡、孔洞等等，并且其品质通常低于形成在晶圆的中心区域的穿孔。然而，包含在电镀制程中反射一些电镀液的屏障，可以抑制在晶圆的边缘区域中的互联结构中的缺陷(例如气泡、孔洞等等)，例如这至少是因为电镀液或撞击在晶圆上的离子中的至少一者的流动或分布的增加的均匀性。均匀性，例如与结构、装置(例如穿孔、晶体管等)等的尺寸、形状、大小、组成物、密度等相关。当实施本文提供的屏障时，改善了横过晶圆、晶片等的均匀性，其改善了一个或多个半导体制造制程的良率。

一个或多个实施方式涉及计算机可读介质(computer-readable medium)，计算机可读介质包含处理器可执行指令(processor-executable instruction)，处理器可执行指令配置以实施一个或多个本文介绍的技术。在图10中示出了一个示例性的计算机可读介质，其中实施方式1000包含计算机可读介质1008(例如，CD-R、DVD-R、快闪驱动器、硬盘驱动的盘片等)，其上编码了计算机可读数据1006。此计算机可读数据1006包含一组处理器可执行的计算机指令1004，处理器可执行的计算机指令1004配置为当由处理器执行时，实施本文提出的一个或多个原理。在一些实施方式1000中，处理器可执行的计算机指令1004配置以实施方法1002，例如当由处理器执行时的至少一些前述的方法。在一些实施方式中，处理器可执行的计算机指令1004配置以实施一个系统，例如当由处理器执行时的至少一些一个或多个前述的系统。本领域的技术人员可以设计出许多这样的计算机可读介质，这些介质配置以根据本文呈现的技术进行操作。

在一些实施方式中，提供一种镀覆系统。镀覆系统包含电镀腔室，其界定了电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀。电镀腔室包含入口，其配置以将电镀液引入至电镀腔室的电镀区域中。电镀腔室包含出口，其配置以将电镀液从电镀腔室的电镀区域移除。镀覆系统包含屏障，其配置以抑制电镀液从电镀区域移除。

在一些实施方式中，镀覆系统包含电镀腔室内的阳极，其中在电镀制程期间，来自阳极的阳极材料从阳极转移至晶圆。

在一些实施方式中，晶圆在屏障上方，及屏障在阳极上方。

在一些实施方式中，阳极内的开口上覆于电镀腔室的入口，且镀覆系统包含泵，泵配置以经由电镀腔室的入口将电镀液导入至电镀腔室的电镀区域中。

在一些实施方式中，屏障的内壁面向电镀区域且呈锥形。

在一些实施方式中，电镀腔室包含锥体和晶圆支撑结构。锥体上覆于晶圆。晶圆支撑结构配置以在阳极和锥体之间维持晶圆的位置。

在一些实施方式中，镀覆系统包含旋转结构，旋转结构配置以在电镀腔室中旋转晶圆。

在一些实施方式中，镀覆系统包含高电阻虚拟阳极(HRVA)和薄膜。高电阻虚拟阳极在电镀腔室内，其中屏障上覆于HRVA。薄膜在电镀腔室内，其中薄膜在阳极和HRVA之间。

在一些实施方式中，HRVA是多孔结构，电镀液流过多孔结构。

在一些实施方式中，镀覆系统包含屏障调整元件，屏障调整元件配置以调整屏障的位置。

在一些实施方式中，镀覆系统包含屏障调整元件，屏障调整元件相对于下覆于屏障的表面，屏障调整元件配置以调整屏障的内壁的角度，其中屏障的内壁面向电镀区域。

在一些实施方式中，镀覆系统包含感测器，感测器配置以感测电镀制程的参数，其中在电镀腔室内用阳极的阳极材料电镀晶圆；且屏障调整元件基于来自感测器所指示的参数的信号来调整角度。

在一些实施方式中，提供一种电镀晶圆的方法。此方法包含经由电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀区域中，其中晶圆在电镀区域内被电镀。电镀区域由电镀腔室界定。电镀液用于电镀晶圆。方法包含使用屏障抑制电镀液从电镀区域移除。

在一些实施方式中，抑制电镀液从电镀区域移除包含使用屏障反射一些电镀液。

在一些实施方式中，电镀晶圆的方法包含使用屏障调整元件，相对于下覆于屏障的表面，调整屏障的内壁的角度，以调整被屏障反射的一些电镀液的流向，其中屏障的内壁面向电镀区域。

在一些实施方式中，电镀晶圆的方法包含使用感测器感测电镀制程的参数，电镀制程用于在电镀腔室内用阳极的阳极材料电镀晶圆，其中基于参数，使用屏障调整元件调整内壁的角度。

在一些实施方式中，电镀晶圆的方法包含使用屏障调整元件调整屏障的位置，以调整一些电镀液被屏障反射的流向，其中屏障的位置对应于屏障的垂直位置或屏障的水平位置中的至少一者。

在一些实施方式中，电镀晶圆的方法包含使用感测器感测电镀制程的参数，电镀制程用于在电镀腔室内用阳极的阳极材料电镀晶圆，其中基于参数，使用屏障调整元件调整屏障的位置。

在一些实施方式中，提供一种电镀晶圆的方法。此方法包含通过电镀腔室的入口，将电镀液引入至电镀区域，其中晶圆在电镀区域内被电镀。电镀区域由电镀腔室界定。电镀液用于电镀晶圆。此方法包含使用屏障反射一些电镀液。屏障上覆于电镀腔室内的HRVA。一些电镀液被面向电镀区域的屏障的内壁反射。此方法包含使用屏障调整元件调整屏障的位置或屏障的方向中的至少一者，以调整被屏障反射的一些电镀液的流向。屏障的位置对应于屏障的垂直位置或屏障的水平位置中的至少一者。相对于HRVA的表面，屏障的方向对应于屏障的内壁的角度。

在一些实施方式中，电镀晶圆的方法包含使用感测器感测电镀制程的参数，电镀制程用于在电镀腔室内用阳极的阳极材料电镀晶圆，其中基于参数，使用屏障调整元件调整屏障的位置或屏障的方向中的至少一者。

以上概述了对几种实施方式的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本揭示内容的各个态样。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本揭示内容作为设计或修改其他制程和结构的基础，以实现相同目的或实现本文所介绍的实施方式的相同的优点。本领域技术人员也应当理解，此类等同构造并不脱离本揭示内容的精神和范围，且在不脱离本揭示内容的精神和范围的情况下，可以对本文进行各种改变、替换和变更。

尽管已经以特定于结构特征或方法动作的语言描述了标的，但是应当理解，所附权利要求的标的不一定限定于上述特定特征或动作。而是，上述特定特征和动作被揭示为实现至少一些权利要求的示例形式。

本文提供了实施方式的各种操作。某些或所有操作所描述的顺序不应被解释为暗示这些操作为必然地依赖顺序。将理解的是，替代的顺序受益于此描述。此外，将理解的是，并非所有操作都必须存在于本文提供的每个实施方式中。另外，将理解的是，在一些实施方式中并非所有操作都是必需的。

应当理解，本文中描绘的层、特征、元件等以相对于彼此的特定尺寸来绘示，例如结构尺寸或方向。举例来说，为了简单和易于理解的目的，在一些实施方式中，其实际尺寸与本文所示的尺寸实质上不相同。此外，存在多种用于形成这里提到的层、区域、特征、元件等技术，例如蚀刻技术、平坦化技术、布植技术、掺杂技术、旋涂技术、溅射技术、生长技术或沉积技术(例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD))中的至少一者。

此外，本文所使用的“示例性”用于表示用作示例、实例、说明等，并且不一定是有利的。如在本申请中使用的，“或”旨在表示包含的“或”而不是排他的“或”。此外，除非另有说明或从上下文中清楚地指向单个形式，本申请和所附权利要求中使用的“一”通常被解释为表示“一个或多个”。另外，A和B和/或类似用语中的至少一者通常表示“A或B”或“A和B”两者。此外，在使用“包含”、“具有”、“有”或其变异的范围内，此类术语旨在以类似于术语“包含”的方式包括在内。此外，除非另有说明，否则“第一”、“第二”等不旨在暗示时间方面、空间方面、排序等。而是，这些术语仅用作特征、元件、项目等的标识符、名称等。举例来说，第一元件和第二元件通常对应于元件A和元件B或两个不同或两个相似的元件或相同的元件。

此外，虽然已经关于一个或多个实施方式示出和描述了本揭示内容，但是基于对本说明书和附图的阅读和理解，本领域的其他技术人员将想到等效的修改和变更。本揭示内容包括所有这样的修改和变更，并且仅受所附权利要求书限制。特别是关于由上述组件(例如，元件、资源等)执行的各种功能，除非另有说明，即使在结构上与所揭示的结构不等效，否则用于描述这些组件的术语旨在对应于执行指定功能的任何组件(例如，在功能上等效)。此外，虽然本揭示内容的特定特征可能仅关于若干实施方式中的一个实施方式，但是这种特征可以与其他实施方式的一个或多个其他特征组合，如对于任何给定或特定应用可能是预期且有利的。

Claims (10)

1.一种镀覆系统，其特征在于，包含：

一电镀腔室，界定出一电镀区域，其中一晶圆在该电镀区域内被电镀，其中该电镀腔室包含：

一入口，配置以将一电镀液引入至该电镀腔室的该电镀区域中；以及

一出口，配置以将该电镀液从该电镀腔室的该电镀区域移除；以及一屏障，配置以抑制该电镀液从该电镀区域移除。

2.如权利要求1所述的镀覆系统，其特征在于，包含：

该电镀腔室内的一阳极，其中在一电镀制程期间，来自该阳极的阳极材料从该阳极转移至该晶圆。

3.如权利要求2所述的镀覆系统，其特征在于，包含：

一高电阻虚拟阳极(high resistance virtualanode；HRVA)，在该电镀腔室内，其中该屏障上覆于该HRVA；以及

一薄膜，在该电镀腔室内，其中该薄膜在该阳极和该HRVA之间。

4.如权利要求1所述的镀覆系统，其特征在于，包含：

一屏障调整元件，配置以调整该屏障的一位置。

5.如权利要求1所述的镀覆系统，其特征在于，包含：

一屏障调整元件，相对于下覆于该屏障的一表面，该屏障调整元件配置以调整该屏障的一内壁的一角度，其中该屏障的该内壁面向该电镀区域。

6.如权利要求5所述的镀覆系统，其特征在于，包含：

一感测器，配置以感测一电镀制程的一参数，其中在该电镀腔室内用一阳极的阳极材料电镀该晶圆；且该屏障调整元件基于来自该感测器所指示的该参数的一信号来调整该角度。

7.一种电镀晶圆的方法，其特征在于，包含：

经由一电镀腔室的一入口，将一电镀液引入至一电镀区域中，其中一晶圆在该电镀区域内被电镀，其中：

该电镀区域由该电镀腔室界定；以及

该电镀液用于电镀该晶圆；以及

使用一屏障抑制该电镀液从该电镀区域移除。

8.如权利要求7所述的电镀晶圆的方法，其特征在于，其中：

抑制该电镀液从该电镀区域移除包含使用该屏障反射一些电镀液。

9.如权利要求8所述的电镀晶圆的方法，其特征在于，包含：

使用一屏障调整元件调整该屏障的一位置，以调整该些电镀液被该屏障反射的一流向，其中该屏障的该位置对应于该屏障的一垂直位置或该屏障的一水平位置中的至少一者。

10.一种电镀晶圆的方法，其特征在于，包含：

通过一电镀腔室的一入口，将一电镀液引入至一电镀区域，其中一晶圆在该电镀区域内被电镀，其中：

该电镀区域由该电镀腔室界定；以及

该电镀液用于电镀该晶圆；

使用一屏障反射一些该电镀液，其中：

该屏障上覆于该电镀腔室内的一高电阻虚拟阳极(high resistance virtual anode；HRVA)；以及

该些电镀液被面向该电镀区域的该屏障的一内壁反射；以及

使用一屏障调整元件调整该屏障的一位置或该屏障的一方向中的至少一者，以调整被该屏障反射的该些电镀液的一流向，其中：

该屏障的该位置对应于以下的至少一者：

该屏障的一垂直位置；或

该屏障的一水平位置；以及

相对于该HRVA的一表面，该屏障的该方向对应于该屏障的该内壁的一角度。

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