CN114946009A - 具有改进的选择性和流导性的金属氧化物预清洁腔室 - Google Patents

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Abstract

本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。

Description

具有改进的选择性和流导性的金属氧化物预清洁腔室
技术领域
本公开内容的实施方式总体而言涉及一种基板处理设备。
背景技术
被配置以实行预清洁处理的处理腔室是已知的。例如，此类腔室被配置为在物理气相沉积(PVD)之前去除基板的金属接触垫上的原生氧化物，以在基板上沉积一个或多个阻挡层，例如钛(Ti)、铜(Cu)等，并去除其他材料。预清洁腔室通常使用离子轰击(由RF等离子体引起)来去除金属接触垫上的原生氧化物和其他材料。例如，预清洁处理可以从基板蚀刻原生氧化物和材料。预清洁处理被配置以降低基板上金属触点之间的接触电阻，以改善基板上集成电路的性能和功耗，并促进粘着。
为了实行等离子体清洁处理，将集成电路放置在等离子体腔室中，然后泵将大部分空气从腔室中排出。将电磁能(例如，射频)施加到注入的气体，诸如氩气，以将注入的气体激发到等离子体状态。等离子体释放离子，离子轰击基板表面以从基板去除污染物和/或材料。污染物和/或基板材料的原子或分子从基板上蚀刻掉，并且大部分被泵出腔室。然而，一些污染物和/或蚀刻材料可能沉积在腔室的表面上。处理配件(process kit)通常用于减少或防止污染物和/或蚀刻的材料沉积到腔室的表面上。然而，对于某些具有增加的污染物或蚀刻材料的等离子体清洁或蚀刻处理，处理配件可能无法提供足够的流动传导或流动均衡以去除移位的(displaced)材料。
因此，发明人已提供了改进的处理腔室的实施方式，这些处理腔室中设置有改进的处理配件。
发明内容
本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带(ground strap)，多个接地带在多个接地带的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。
在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件，包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括具有多个内径狭槽的内部和具有多个外径狭槽的外部，其中多个外径狭槽具有不同的长度；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在第一端处耦接至屏蔽环，并在第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。
在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，腔室主体在其中具有内部容积；喷头，喷头设置在内部容积中以向内部容积提供处理气体；基板支撑件，基板支撑件设置在与喷头相对的内部容积中以支撑基板，其中基板支撑件被配置以从第一位置垂直移动到第二位置，其中第二位置比第一位置更靠近喷头；腔室衬垫，腔室衬垫耦接至腔室主体并设置在基板支撑件周围；限制板，限制板耦接至腔室衬垫；屏蔽环，屏蔽环耦接至基板支撑件并可随着基板支撑件移动，其中屏蔽环设置在限制板与基板支撑件之间；和多个接地带，多个接地带在第一端处耦接至屏蔽环，并在第二端处耦接至限制板，以在基板支撑件处于第一位置和第二位置时保持基板支撑件和腔室衬垫之间的电连接。
以下描述本公开内容的其他和进一步的实施方式。
附图说明
通过参照附图中描绘的本公开内容的说明性实施方式，可以理解在上文简要概述并在下文更详细讨论的本公开内容的实施方式。然而，附图仅描绘本公开内容的典型实施方式，并且因而不被认为是对范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等效实施方式。
图1是根据本公开内容的一些实施方式的处于第一位置的处理腔室的示意性侧视图。
图2是根据本公开内容的一些实施方式的处于第二位置的处理腔室的示意性侧视图。
图3是根据本公开内容的一些实施方式的腔室衬垫的顶部等距视图。
图4是根据本公开内容的一些实施方式的限制板的顶部等距视图。
图5是根据本公开内容的一些实施方式的屏蔽环的顶部等距视图。
图6是根据本公开内容的一些实施方式的接地带的等距视图。
为了便于理解，在可能的情况下，已使用相同的元件符号来表示图中共同的相同元件。这些图不是按比例绘制的，并且为了清楚而可能被简化。一个实施方式的元件和特征可以有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。处理腔室可被配置为对基板实行任何合适的处理，例如蚀刻处理、沉积处理、或预清洁处理。在一些实施方式中，处理腔室是金属氧化物预清洁腔室。处理腔室可被配置为在各种压力范围内选择性地操作，使得单个处理腔室可用于实行预清洁处理的多个步骤。例如，处理腔室可以在低于100mTorr或高达30Torr的压力下操作。在一些实施方式中，可以在处理腔室中实行第一步骤，可以在第二处理腔室中实行第二步骤，并且可以在与第一步骤相同的处理腔室中实行第三步骤。例如，第一步骤可以是低压氢预清洁处理。例如，第三步骤可以是高压氢预清洁处理。
设置在处理腔室中的腔室部件有利地促进快速抽空并返回到更高的处理压力，从而能够在高压和低压处理之间更快速地切换。腔室部件可以根据正在实行的高压或低压处理以不同的配置布置。例如，在低压处理期间，比起高压处理期间，设置在处理腔室中的基板支撑件可以离喷头更远。本文提供的处理腔室的实施方式有利地提供连续的RF接地，同时基板支撑件相对于喷头垂直移动，避免机械摩擦和颗粒产生。处理腔室可以是独立的腔室或多腔室处理工具的一部分。
图1是根据本公开内容的一些实施方式的具有处于第一位置的基板支撑件124的处理腔室100(例如，等离子体处理腔室)的示意性侧视图。图2是根据本公开内容的一些实施方式的具有处于第二位置的基板支撑件124的处理腔室100的示意性侧视图。在一些实施方式中，处理腔室100是预清洁处理腔室。然而，配置用于不同处理的其他类型的处理腔室也可以使用或修改用于与本文所描述的处理配件的实施方式一起使用。在一些实施方式中，第一位置对应于实行低压处理的配置。在一些实施方式中，第二位置对应于实行高压处理的配置。
处理腔室100是真空腔室，其适合于在基板处理期间维持内部容积120内的次大气压。在一些实施方式中，处理腔室100可维持约1mTorr至约30Torr的压力。处理腔室100包括由盖104覆盖的腔室主体106，其包围位于内部容积120的上半部的处理容积119。在一些实施方式中，处理腔室100可包括设置在腔室主体106和盖104之间并置放在腔室主体106的侧壁上的适配器(未示出)。RF电源170可以耦接至处理腔室100以向处理腔室100提供RF功率。在一些实施方式中，由RF电源170提供的RF能量可以具有大约10MHz或更高或35MHz或更高的频率。处理腔室100包括包围各种腔室部件的处理配件110，以防止这些部件与蚀刻材料和其他污染物之间的不希望的反应。腔室主体106、适配器180、和盖104可以由金属制成，诸如铝。腔室主体106可经由与接地115的耦接而接地。
处理腔室100耦接至处理气体供应源118并与其流体连通，处理气体供应源118可将一种或多种处理气体供应至处理腔室100以处理设置于其中的基板。在一些实施方式中，盖104包括端口，来自处理气体供应源118的气体可穿过所述端口被引入内部容积120。在一些实施方式中，处理气体供应源118提供氢气。在一些实施方式中，喷头182耦接至盖104并且设置在内部容积120中以经由多个开口117将气体从处理气体供应源118注入到处理容积119中。在一些实施方式中，喷头182是多区域喷头，其被配置为按区域在不同温度下将气体注入处理容积119中。例如，喷头182可包括第一区146和第二区148。在一些实施方式中，第一区146在第二区148的径向内侧。
在一些实施方式中，冷却板162耦接至喷头182以促进喷头182的一个或多个区域的温度控制。冷却板162包括穿过其中的多个冷却通道164。多个冷却通道164可以布置成与喷头182的区域相对应的流体独立组。冷却器168耦接至多个冷却通道164并且被配置为使冷却剂循环穿过其中。在一些实施方式中，冷却器168为多个冷却通道164的每一个相应组提供供应管线和返回管线。
基板支撑件124设置在内部容积120内与喷头182相对，以支撑和保持基板122，例如半导体晶片，或其他可以静电保持的这类基板。基板支撑件124通常可包括底座136和用于支撑底座136的中空支撑轴112。底座136包括具有嵌入其中的一个或多个电极155的静电吸盘150。静电吸盘150可被加热至高达约400摄氏度的温度。在一些实施方式中，静电吸盘150包括介电板。中空支撑轴112提供导管以向静电吸盘150提供例如背侧气体、处理气体、流体、冷却剂、功率或类似者。在一些实施方式中，基板支撑件124包括围绕静电吸盘150设置的边缘环187。在一些实施方式中，边缘环187由氧化铝(Al2O3)制成。狭缝阀196可以耦接至腔室主体106以促进将基板122传送进和传送出内部容积120。
在一些实施方式中，中空支撑轴112耦接至升降机构113，例如致动器或马达，其提供静电吸盘150垂直移动至一个或多个处理位置以及用于将基板122传送进或传送出处理腔室100的传送位置。例如，取决于是正在实行高压处理还是低压处理，升降机构113可以将基板支撑件124移动到第一位置(如图1所示)以及将基板支撑件124移动到第二位置(如图2所示)。在一些实施方式中，在第一位置，基板支撑件124被设置为距喷头182第一距离192。在一些实施方式中，第一距离192为约3.0英寸至约5.0英寸。例如，可以在低压处理期间使用第一位置。在一些实施方式中，在第二位置，基板支撑件124被设置为距喷头182第二距离194。在一些实施方式中，第二距离194为约0.2英寸至约1.0英寸。在第二位置的基板支撑件124和喷头182之间的较小距离对应于较小的处理容积119，这有利于在处理腔室100中进行高压处理。例如，第二位置中的基板支撑件124和喷头182之间的较小距离有利地促进了快速返回到更高的处理压力，从而能够在高压和低压处理之间更快速地切换。
波纹管组件145围绕中空支撑轴112设置并且耦接在静电吸盘150和处理腔室100的底表面126之间，以提供允许静电吸盘150垂直运动同时减少或防止真空从处理腔室100内流失的柔性密封。波纹管组件145亦包括与O形环或其他合适的密封元件接触的下波纹管凸缘165，下波纹管凸缘165接触底表面126以帮助防止腔室真空的流失。
中空支撑轴112提供用于将背侧气体供应源、夹持电源140、加热器电源、和偏置RF电源190耦接至静电吸盘150的导管。在一些实施方式中，夹持电源140向静电吸盘150提供DC功率以保持基板122。在一些实施方式中，由偏置RF电源190提供的RF能量可以具有大约10MHz或更高的频率。在一些实施方式中，偏置RF电源190可以具有大约13.56MHz的频率。
处理腔室100耦接至真空系统114并与其流体连通，真空系统114包括用于为处理腔室100排气的节流阀(未示出)和泵(未示出)。在一些实施方式中，真空系统114耦接至设置在腔室主体106的底表面126上的泵端口141。在一些实施方式中，泵端口141位于基板支撑件124的一侧。处理腔室100内的压力可以通过调节节流阀和/或真空泵来调节。在一些实施方式中，泵具有约每秒1900升至约每秒3000升的流量(flow rate)。
在操作中，例如，可以在处理容积119中产生等离子体以实行一个或多个处理。可以通过以下方式产生等离子体：将来自等离子体电源(例如，RF电源170或偏置RF电源190)的功率耦合到处理气体以点燃处理气体并产生等离子体。取决于处理，偏置RF电源190可以或不可被用于从等离子体向基板122吸引离子。
在一些实施方式中，处理配件110包括耦接至腔室主体106的腔室衬垫116(下文更详细地描述)以保护腔室主体106的内表面免于不想要的沉积。腔室衬垫116设置在基板支撑件124周围。在一些实施方式中，当基板支撑件124处于第一位置和第二位置时，腔室衬垫116的尺寸被设定为围绕底座136。腔室衬垫116包括与腔室主体106中的开口对准的开口144和耦接至腔室主体106以促进基板122移入和移出内部容积120的狭缝阀196。
在一些实施方式中，处理配件110包括耦接至盖104并靠近喷头182设置以将等离子体限制在其中的等离子体限制环134。等离子体限制环134通常包括管状主体和从管状主体的上表面径向向外延伸的上凸缘。在一些实施方式中，等离子体限制环134设置在腔室衬垫116内。在一些实施方式中，等离子体限制环134耦接至或置放在腔室衬垫116上。在一些实施方式中，等离子体限制环134的上凸缘置放在腔室衬垫116的上内凹口上。等离子体限制环134可以由金属制成，例如铝。
在一些实施方式中，等离子体限制环134包括穿过其中延伸并耦接至压力探针132的通道188，以促进处理容积119内的直接压力测量。在一些实施方式中，通道188从等离子体限制环134的顶表面延伸到等离子体限制环134的内表面。在一些实施方式中，通道188经由盖104中的通道189耦接至压力探针132。压力探针132可以是任何合适的压力测量装置，例如压力计。
在一些实施方式中，处理配件110包括设置在等离子体限制环134和喷头182之间的顶衬垫环152以减少或防止它们之间的等离子体泄漏。在一些实施方式中，顶衬垫环152置放在等离子体限制环134的上内凹口中，使得等离子体限制环134的内径小于顶衬垫环152的外径且大于顶衬垫环152的内径。在一些实施方式中，顶衬垫环152由陶瓷材料制成，例如氧化铝(Al2O3)。在一些实施方式中，顶衬垫环152具有约0.1至约0.3英寸的厚度。
在一些实施方式中，处理配件110包括耦接至腔室衬垫116的限制板154(以下更详细地描述)。在一些实施方式中，限制板154耦接至腔室衬垫116的下部并且从腔室衬垫116径向向内延伸。限制板154包括多个狭槽156以提供从处理容积119到泵端口141的气流路径。在一些实施方式中，限制板154包括耦接至外板210的内板208。
在一些实施方式中，处理配件110包括屏蔽环128，其耦接至基板支撑件124并可随基板支撑件124移动。例如，屏蔽环128可以耦接至底座136的接地支架166。在一些实施方式中，屏蔽环128可在腔室衬垫116的上部和腔室衬垫116的下部之间移动。屏蔽环128设置在限制板154和基板支撑件124之间。在一些实施方式中，屏蔽环128包括从静电吸盘150向下延伸的内壁172、从内壁172径向向外延伸的壁架(ledge)174、和从壁架174向上延伸的外壁176。
多个接地带184耦接至屏蔽环128。在一些实施方式中，由陶瓷材料制成的屏蔽环盖178设置在屏蔽环128的壁架174上以覆盖用于将屏蔽环128耦接至多个接地带184的任何暴露的紧固件。多个接地带184耦接至限制板154以经由限制板154保持屏蔽环128和腔室衬垫116之间的电连接。多个接地带184有利地一端耦接至限制板154，另一端耦接至屏蔽环128，以在屏蔽环128例如从第一位置移动到第二位置时保持电连接。当基板支撑件124相对于喷头182垂直移动时，接地带184亦提供连续的RF接地，而没有与其他腔室部件发生机械摩擦，有利地减少了不想要的颗粒的产生。
气流路径从处理容积119延伸到屏蔽环128的外壁176和腔室衬垫116的内表面之间的屏蔽环128周围。在一些实施方式中，气流路径围绕屏蔽环128延伸而不延伸穿过屏蔽环128。在一些实施方式中，当屏蔽环128处于上部位置，例如基板支撑件124的第二位置时，等离子体限制环134在内壁172和外壁176之间延伸以在其中界定曲折的气流路径。在一些实施方式中，当屏蔽环128处于下部位置，例如基板支撑件124的第一位置时，等离子体限制环134不在内壁172和外壁176之间延伸。
在一些实施方式中，处理配件110包括耦接至底座136并围绕中空支撑轴112的下衬垫186。在一些实施方式中，下衬垫186包括没有通孔的管状主体和从管状主体径向向内延伸的上凸缘。在一些实施方式中，下衬垫186的上凸缘经由多个紧固件紧固到底座136的底表面。下衬垫186被配置为引导气流穿过限制板154并减少限制板154和波纹管组件145之间的气流。下衬垫186有利地保护波纹管组件145免受从处理容积119到泵端口141的气流的影响。
在一些实施方式中，下衬垫186的外径比限制板154的内径小约0.1至约0.5英寸。在一些实施方式中，当基板支撑件124处于第一位置时，下衬垫186距离腔室主体106的底表面126约0.1至约1.0英寸。在一些实施方式中，当基板支撑件124处于第二位置时，下衬垫186距限制板154的上表面约0.3至约1.0英寸。
图3是根据本公开内容的一些实施方式的腔室衬垫116的顶部等距视图。腔室衬垫116包括具有上部304和下部306的管状主体302。管状主体302除了用于传送基板122的开口144之外没有任何孔。在一些实施方式中，下部306包括从下部306的下表面312径向向内延伸的下壁架310。下表面312可包括多个开口以接收紧固件314以将腔室衬垫116耦接至限制板154。
在一些实施方式中，上部304包括从管状主体302径向向外延伸的上凸缘320。在一些实施方式中，上凸缘320的外表面包括多个弧段322和多个直线段324。上凸缘320可包括用于将腔室衬垫116安装到腔室主体106的多个开口330。在一些实施方式中，上凸缘320包括在上表面上的一个或多个引导销332(图3中示出了两个)，用于将腔室衬垫116与盖104对准。在一些实施方式中，一个或多个引导销332设置在腔室衬垫116的一侧。上凸缘320可包括在下表面上的一个或多个引导销(未示出)，用于将腔室衬垫116与腔室主体106对准。在一些实施方式中，上凸缘320包括多个开口334，用于将盖104安装到腔室衬垫116。
上凸缘320可包括多个槽(groove)336，其设置在多个开口330中的相邻一个开口之间以容纳垫圈至盖104与腔室衬垫116和/或腔室主体106与腔室衬垫116之间的密封或增强的电连接中的至少一者。在一些实施方式中，设置在多个弧段322中的多个槽336具有弧形形状并且设置在多个直线段324中的多个槽336具有直线形状。
图4是根据本公开内容的一些实施方式的限制板154的顶部等距视图。在一些实施方式中，限制板154包括具有环形形状的内板208，内板208耦接至具有环形形状的外板210。在一些实施方式中，内板208置放在外板210的内壁架上。在一些实施方式中，内板208经由多个紧固件404耦接至外板210。在一些实施方式中，多个紧固件404延伸穿过内板208并将内板208耦接至外板210的内凸缘。在一些实施方式中，内板208包括从内板208的内边缘向上延伸的内唇406以帮助阻止流过限制板154。在一些实施方式中，内唇406延伸约0.3至约0.9英寸。内板208和外板210通常由金属制成，例如铝。
在一些实施方式中，限制板154的多个狭槽156包括设置在内板208中的多个外径狭槽420。多个外径狭槽420的尺寸经设置以减少或防止等离子体从中泄漏。在一些实施方式中，多个外径狭槽420具有变化的长度。例如，多个外径狭槽420具有在靠近泵端口141的限制板154的第一侧408上较短的长度和在远离泵端口141的限制板154的第二侧402上较长的长度，以有利地提供通过限制板154的更均匀的流动。在一些实施方式中，多个外径狭槽420具有均匀的宽度。在一些实施方式中，多个外径狭槽420的每一者的宽度为约0.1至约0.4英寸。
在一些实施方式中，多个狭槽156包括设置在内板208中的多个内径狭槽410。多个内径狭槽410的尺寸经设置以减少或防止等离子体从中泄漏。在一些实施方式中，多个内径狭槽410具有均匀的长度。在一些实施方式中，多个内径狭槽410具有均匀的宽度。在一些实施方式中，多个内径狭槽410的每一者的宽度为约0.1至约0.4英寸。在一些实施方式中，多个内径狭槽410的每一者的宽度类似于多个外径狭槽420的每一者的宽度。在一些实施方式中，多个内径狭槽410的每一者的长度等于或大于多个外径狭槽420的每一者的长度。
在一些实施方式中，内板208由单件材料制成。在一些实施方式中，内板208有利地包括多个内板段424以便于服务和安装。在一些实施方式中，如图4所示，内板208包括四个内板段424，其间具有间隙412。在一些实施方式中，间隙412小于多个内径狭槽410的每一者的宽度。多个内板段424耦接至外板210。
在一些实施方式中，外板210包括用于将外板210与腔室衬垫116对准的对准销414。在一些实施方式中，外板210包括设置在外板210和腔室衬垫116之间的界面处的多个槽436。多个槽436被配置为容纳弹簧构件诸如RF垫圈，以维持和增强限制板154和腔室衬垫116之间的电连接。在一些实施方式中，多个槽436的每一者设置在用于多个紧固件314的相邻开口之间。在一些实施方式中，对准销414、多个槽436、和用于紧固件314的开口沿着与外板210的中心轴相距共同直径而设置。
在一些实施方式中，内板208和外板210的至少一者包括多个带凹槽(straprecess)426以促进多个接地带184与限制板154的对准和耦接。在一些实施方式中，如图4所示，多个带凹槽426设置在外板210的上表面上的多个外径狭槽420的组之间。在一些实施方式中，多个带凹槽426的每一者以规则间隔设置在限制板154周围。在一些实施方式中，多个带凹槽426的每一者包括一个或多个开口428。
图5是根据本公开内容的一些实施方式的屏蔽环128的顶部等距视图。在一些实施方式中，屏蔽环128包括外壁176、从外壁176径向向内延伸的壁架174、从壁架174向上延伸的内壁172、和从内壁172径向向内延伸的上凸缘502。在一些实施方式中，边缘环187置放在上凸缘502上。在一些实施方式中，上凸缘502包括开口506以将屏蔽环128耦接至底座136。
在一些实施方式中，壁架174包括多个凹陷部分510以促进将屏蔽环128耦接至多个接地带184。在一些实施方式中，多个凹陷部分510围绕屏蔽环128以规则间隔布置。在一些实施方式中，多个凹陷部分510是矩形的，尽管他们也可以是其他形状。在一些实施方式中，多个凹陷部分510的每一者包括开口512以允许多个接地带184中的接地带的一端穿过并且便于将接地带耦接至限制板154。在一些实施方式中，多个凹陷部分510的每一者包括开口512和一对阶梯表面516，所述阶梯表面516在开口512的任一侧上从壁架174的上表面凹陷。在一些实施方式中，一对阶梯表面516的每一者包括一个或多个开口518以促进将每个接地带耦接至屏蔽环128。在一些实施方式中，壁架174的上表面包括环形槽508以容纳屏蔽环盖178。屏蔽环盖178被配置为覆盖用于将多个接地带184耦接至屏蔽环128的紧固件或任何其他硬件，所述紧固件或任何其他硬件在暴露于等离子体时可能产生污染物。在一些实施方式中，壁架174包括从环形槽508延伸的一个或多个狭槽，以便于安装或移除屏蔽环盖178。
图6是根据本公开内容的一些实施方式的多个接地带184中的接地带的等距视图。在一些实施方式中，多个接地带184在多个接地带184中的每个接地带的第一端604处耦接至屏蔽环128并且在每个接地带的第二端608处耦接至限制板154。多个接地带184被配置为经由限制板154、腔室衬垫116、和腔室主体106维持屏蔽环128与接地115之间的电连接。
在一些实施方式中，多个接地带184的每一者包括上板610、下板620、和耦接至上板610和下板620两者的金属带615。在一些实施方式中，上板601、下板620、和金属带615由不锈钢制成。在一些实施方式中，金属带615具有约5.0英寸至约9.0英寸的长度以在第一位置和第二位置中保持限制板154和屏蔽环128之间的电连接。
在一些实施方式中，下板620小于上板610。在一些实施方式中，下板620小于屏蔽环128中的开口512以允许下板620穿过其中，使得下板620可以耦接至限制板154。在一些实施方式中，下板620的宽度小于金属带615的宽度。在一些实施方式中，紧固件616延伸穿过下板620和金属带615进入限制板154的开口428中的一个开口中以将限制板154耦接至下板620。
在一些实施方式中，上板610的尺寸经设置以延伸进入屏蔽环128的多个凹陷部分510之一中。在一些实施方式中，上板610包括中央部分606，其被配置为延伸到多个凹陷部分510的每一者的开口512中。在一些实施方式中，上板610包括在中央部分606的任一侧上的阶梯部分612，所述阶梯部分612被配置为置放在屏蔽环128的多个凹陷部分510的每一者的一对阶梯表面516上。在一些实施方式中，紧固件618延伸穿过上板610的阶梯部分612并进入屏蔽环128的开口518以将上板610耦接至屏蔽环128。
虽然前述内容是针对本公开内容的实施方式，但在不背离本公开内容的基本范围下，可设想本公开内容的其他和进一步的实施方式。

Claims (20)

1.一种用于处理腔室的处理配件，包括：
腔室衬垫，所述腔室衬垫具有管状主体，所述管状主体具有上部和下部；
限制板，所述限制板耦接至所述腔室衬垫的所述下部并从所述腔室衬垫径向向内延伸，其中所述限制板包括多个狭槽；
屏蔽环，所述屏蔽环设置在所述腔室衬垫内并可在所述腔室衬垫的所述上部和所述腔室衬垫的所述下部之间移动；和
多个接地带，所述多个接地带在所述多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至所述屏蔽环，并且在每个接地带的第二端处耦接至所述限制板，以在所述屏蔽环移动时保持所述屏蔽环与所述腔室衬垫之间的电连接。
2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述多个接地带中的每一个接地带包括上板、下板、和其间的金属带。
3.如权利要求2所述的处理配件，其中所述上板耦接至所述屏蔽环并且所述下板耦接至所述限制板。
4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述屏蔽环包括内壁、从所述内壁径向向外延伸的壁架、和从所述壁架向上延伸的外壁，其中气流路径在所述屏蔽环的所述外壁和所述腔室衬垫之间围绕所述屏蔽环延伸，而不延伸穿过所述屏蔽环。
5.如权利要求4所述的处理配件，进一步包括设置在所述屏蔽环的所述壁架上的由陶瓷材料制成的屏蔽环盖。
6.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，其中所述限制板包括耦接至外板的内板，其中所述多个狭槽包括设置在所述内板中的多个内径狭槽和设置在所述外板中的多个外径狭槽。
7.如权利要求6所述的处理配件，其中所述多个外径狭槽具有不同的长度并且所述多个内径狭槽具有均匀的长度。
8.如权利要求6所述的处理配件，其中所述多个内径狭槽的每一者的长度大于所述多个外径狭槽的每一者的长度。
9.如权利要求6所述的处理配件，其中所述内板包括耦接至所述外板的多个内板段。
10.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，其中所述腔室衬垫的所述下部包括从所述下部的下表面径向向内延伸的下壁架。
11.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，进一步包括等离子体限制环，所述等离子体限制环耦接至或置放在所述腔室衬垫的所述上部上。
12.如权利要求11所述的处理配件，其中所述等离子体限制环包括管状主体和从所述管状主体的上表面径向向外延伸的上凸缘，并且其中所述上凸缘置放在所述腔室衬垫的上部内凹口上。
13.如权利要求11所述的处理配件，其中所述屏蔽环包括内壁和外壁，并且其中当所述屏蔽环处于上部位置时，所述等离子体限制环在所述内壁和所述外壁之间延伸，并且当所述屏蔽环处于下部位置时，所述等离子体限制环不会在所述内壁和所述外壁之间延伸。
14.如权利要求11所述的处理配件，其中所述等离子体限制环包括穿过其中延伸的通道，以促进所述处理容积内的直接压力测量。
15.一种处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体在其中具有内部容积；
喷头，所述喷头设置在所述内部容积中以向所述内部容积提供处理气体；
基板支撑件，所述基板支撑件设置在与所述喷头相对的所述内部容积中以支撑基板，其中所述基板支撑件被配置为从第一位置垂直移动到第二位置，其中所述第二位置比所述第一位置更靠近所述喷头；和
如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，其中所述处理配件的所述腔室衬垫耦接至所述腔室主体并设置在所述基板支撑件周围，并且其中所述屏蔽环耦接至所述基板支撑件并可随着所述基板支撑件移动。
16.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括等离子体限制环，所述等离子体限制环设置在靠近所述喷头的所述腔室衬垫内以将等离子体限制在其中，其中当处于所述第二位置时，所述屏蔽环的内壁设置在所述等离子体限制环内。
17.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括下衬垫，所述下衬垫耦接至所述基板支撑件并围绕所述基板支撑件设置，其中在所述第二位置中，所述下衬垫设置在所述屏蔽环和所述限制板之间且所述下衬垫的外径小于所述限制板的内径。
18.如权利要求15所述的处理腔室，其中在所述第一位置中，所述基板支撑件距离所述喷头约3.0英寸至约5.0英寸，并且其中在所述第二位置中，所述基板支撑件距离所述喷头约0.2英寸至约1.0英寸。
19.如权利要求15所述的处理腔室，其中所述限制板包括从所述限制板的内边缘向上延伸的内唇。
20.如权利要求15所述的处理腔室，进一步包括泵端口，所述泵端口设置在所述基板支撑件的一侧上的所述腔室主体中，其中所述限制板的所述多个狭槽的长度在靠近所述泵端口的所述限制板的一侧处长度较短，并在远离所述泵端口的所述限制板的一侧上长度较长。
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