CN114916439A - 一种温控培育印度南瓜杂交制种的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种温控培育印度南瓜杂交制种的方法，涉及植物遗传育种技术领域。主要包括以下步骤：S1印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为8‑14℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为10‑19℃；S2印度南瓜杂交种父本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为12‑24℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为13‑34℃；S3杂交授粉：印度南瓜制种田间设计按母本3‑5行、父本1‑2行进行种植和管理，父本加扣二膜提高温度，母本则不扣，出现花蕾后，田间放蜜蜂进行辅助授粉。本发明可以节省劳动力和降低伪杂种的出现，能够显著提高印度南瓜制种质量和产量。
Description
技术领域
本发明涉及植物遗传育种技术领域，具体涉及一种南瓜的聚合育种选育方法，尤其涉及一种温控培育印度南瓜杂交制种的方法。
背景技术
南瓜为葫芦科南瓜属中的1年生草本植物，起源于美洲大陆，南瓜很早传人我国，在我国有悠久的栽培历史。南瓜属生产上有印度南瓜、美洲南瓜、中国南瓜三个主要种。
印度南瓜产品深受我国消费者的欢迎，市场前景广阔。南瓜为异花授粉作物，育种上采用杂交种往往可以体现出较强的杂种优势。杂交种制种成功的关键在于双亲的花期是否相遇，就是花期相遇也往往无雄花或雌花受到影响。南瓜的开花受到温度的影响，同期播种或分期播种都不能解决，母本的多雌花和父本多雄花的需求，影响印度南瓜的杂交种的质量和产量。
在水稻、玉米等作物上的杂种优势利用已经很成熟，其中水稻的光敏不孕二系制种获得巨大成功，南瓜是个小作物，目前还没有相关的温度调控杂交种制种技术。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种通过温度调控培育印度南瓜杂交种制种技术。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是通过温度调控培育印度南瓜杂交种制种技术，使得印度南瓜在杂交制种过程中使母本具有更多的雌花，父本具有更多的雄花，二者花期能更好的相遇的关键问题，显著提高印度南瓜制种质量和产量。
为实现上述目的，本发明提供了一种温控培育印度南瓜杂交制种的方法，主要包括以下步骤：
S1印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为8-14℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为10-19℃；
S2印度南瓜杂交种父本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为12-24℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为13-34℃；
S3杂交授粉：印度南瓜制种田间设计按母本4-6行、父本1-3行进行种植和管理，父本加扣二膜20-30天，提高温度，待温度稳定在18℃以上或进入快速伸蔓期前撤除，母本则不扣，出现花蕾后，田间放蜜蜂进行辅助授粉。
在本发明的较佳实施方式中，步骤S1中，第一阶段苗期控制温度白天10-14℃，晚上8-10℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天15-19℃，晚上10-12℃，处理时间7-9天。
在本发明的另一较佳实施方式中，步骤S2中，第一阶段苗期控制温度白天20-24℃，晚上12-14℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天30-34℃，晚上13-17℃，处理时间7-9天。
本发明中，步骤S1和上S2中，所述印度南瓜杂交种所使用的母本或父本通过亲本自交繁殖。
优选的，所述印度南瓜亲本自交繁殖的方法为：制种的母本和父本在第一阶段的种子子叶出土后，控制温度为10-19℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为12-24℃。
进一步的，所述亲本自交繁殖中，第一阶段苗期控制温度白天15-19℃，晚上10-12℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天20-24℃，晚上12-14℃，处理时间7-9天。
在本发明的较佳实施方式中，田间采用电加热控制温度。
在本发明的较佳实施方式中，步骤S3中，父本加扣的二膜包括宽0.7-1m地膜和高0.6-0.8m小棚。
进一步的，步骤S3中，当出现花蕾后，若母本有出现雄花，则需在花蕾未开前去除花蕾。
优选的，所述母本为艾瑞吉16-19，父本为艾瑞吉16-115。
与有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明把温度调控引进印度南瓜的杂交种制种过程中，提供一种以温度调控培育印度南瓜杂交种的制种方法，本发明印度南瓜母本可以达到99％的雌花，印度南瓜父本可以达到99％的雄花，可以节省劳动力和降低伪杂种的出现，能够显著提高印度南瓜制种质量和产量。
本发明实施简便，能创新性的提高印度南瓜杂交种的制种效果。
以下将对本发明的构思及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
具体实施方式
以下介绍本发明的多个优选实施例，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
瓜类的性别除了本身的遗传基因控制之外同时也受到环境因素的影响，环境条件改变会影响花原基的发育，在生长的特定时期，低温可以使雄性原基转化成为雌性原基，高温也可以使雌性原基转化为雄性原基。本发明把温度调控引进印度南瓜的杂交种制种过程中，提供一种以温度调控培育印度南瓜杂交种的制种方法，能够显著提高印度南瓜制种质量和产量。
以下是印度南瓜皇家一号的杂交种制种三个实施例：
实施例一
(1)印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天10℃，晚上8℃，处理时间9天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天15℃，晚上10℃，处理时间7天。
(2)印度南瓜杂交种父本强雄花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天20℃，晚上12℃，处理时间9天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天30℃，晚上13℃，处理时间7天。
(3)印度南瓜杂交制种的亲本自交繁殖
制种的母本和父本在第一阶段的种子子叶出土后，苗期控制温度白天15℃，晚上10℃。低温处理时间9天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天20℃，晚上12℃，处理时间7天。
(4)印度南瓜杂交种制种方法
南方地区宜在早春大棚育苗，田间采用电加热控制温度。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，印度南瓜制种田间设计按母本3行、父本1行进行种植和管理，父本加扣二膜20天，即宽0.8m地膜和高0.6m小棚提高温度，待夜温或全天温度都稳定在18℃以上或进入快速伸蔓期前撤除二膜，母本则不扣。出现花蕾后，母本如出现个别的雄花在未开前去除花蕾，田间可以放蜜蜂进行辅助授粉。
采用本发明的制种方法，印度南瓜母本可以达到99％的雌花，印度南瓜父本可以达到99％的雄花，可以节省劳动力和降低伪杂种的出现。本发明实施简便，能创新性的提高印度南瓜杂交种的制种效果。
实施例二
(1)印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天12℃，晚上9℃，处理时间10天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天17℃，晚上11℃，处理时间8天。
(2)印度南瓜杂交种父本强雄花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天22℃，晚上13℃，处理时间10天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天32℃，晚上15℃，处理时间8天。
(3)印度南瓜杂交制种的亲本自交繁殖
制种的母本和父本在第一阶段的种子子叶出土后，苗期控制温度白天17℃，晚上11℃。低温处理时间10天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天22℃，晚上13℃，处理时间8天。
(4)印度南瓜杂交种制种方法
南方地区宜在早春大棚育苗，田间采用电加热控制温度。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，印度南瓜制种田间设计按母本4行、父本1.5行进行种植和管理，父本加扣二膜25天，即宽0.8m地膜和高0.6m小棚提高温度，待夜温或全天温度都稳定在18℃以上或进入快速伸蔓期前撤除二膜，母本则不扣。出现花蕾后，母本如出现个别的雄花在未开前去除花蕾，田间可以放蜜蜂进行辅助授粉。
采用本发明的制种方法，印度南瓜母本可以达到99％的雌花，印度南瓜父本可以达到99％的雄花，可以节省劳动力和降低伪杂种的出现。本发明实施简便，能创新性的提高印度南瓜杂交种的制种效果。
实施例三
(1)印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天14℃，晚上10℃，处理时间11天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天19℃，晚上12℃，处理时间9天。
(2)印度南瓜杂交种父本强雄花系的培育
第一阶段在种子子叶出土后，苗期控制温度白天24℃，晚上14℃，处理时间11天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天34℃，晚上17℃，处理时间9天。
(3)印度南瓜杂交制种的亲本自交繁殖
制种的母本和父本在第一阶段的种子子叶出土后，苗期控制温度白天19℃，晚上12℃。低温处理时间11天。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，控制温度白天24℃，晚上14℃，处理时间9天。
(4)印度南瓜杂交种制种方法
南方地区宜在早春大棚育苗，田间采用电加热控制温度。第二阶段2叶1芯后移苗到大棚，印度南瓜制种田间设计按母本5行、父本2行进行种植和管理，父本加扣二膜30天，即宽0.8m地膜和高0.6m小棚提高温度，待夜温或全天温度都稳定在18℃以上或进入快速伸蔓期前撤除二膜，母本则不扣。出现花蕾后，母本如出现个别的雄花在未开前去除花蕾，田间可以放蜜蜂进行辅助授粉。
采用本发明的制种方法，印度南瓜母本可以达到99％的雌花，印度南瓜父本可以达到99％的雄花，可以节省劳动力和降低伪杂种的出现。本发明实施简便，能创新性的提高印度南瓜杂交种的制种效果。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (10)
1.一种温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
S1印度南瓜杂交种母本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为8-14℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为10-19℃；
S2印度南瓜杂交种父本强雌花系的培育：在种子子叶出土后的第一阶段控制温度为12-24℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为13-34℃；
S3杂交授粉：印度南瓜制种田间设计按母本3-5行、父本1-2行进行种植和管理，父本加扣二膜20-30天，提高温度，待温度稳定在18℃以上或进入快速伸蔓期前撤除，母本则不扣，出现花蕾后，田间放蜜蜂进行辅助授粉。
2.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，步骤S1中，第一阶段苗期控制温度白天10-14℃，晚上8-10℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天15-19℃，晚上10-12℃，处理时间7-9天。
3.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，步骤S2中，第一阶段苗期控制温度白天20-24℃，晚上12-14℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天30-34℃，晚上13-17℃，处理时间7-9天。
4.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，步骤S1和上S2中，所述印度南瓜杂交种所使用的母本或父本通过亲本自交繁殖。
5.如权利要求4所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，所述印度南瓜亲本自交繁殖的方法为：制种的母本和父本在第一阶段的种子子叶出土后，控制温度为10-19℃，当种子出现2叶1芯后移苗到大棚后的第二阶段控制温度为12-24℃。
6.如权利要求5所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，所述亲本自交繁殖中，第一阶段苗期控制温度白天15-19℃，晚上10-12℃，处理时间9-11天；第二阶段控制温度白天20-24℃，晚上12-14℃，处理时间7-9天。
7.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，田间采用电加热控制温度。
8.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，步骤S3中，父本加扣的二膜包括宽0.7-1m地膜和高0.6-0.8m小棚。
9.如权利要求1所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，步骤S3中，当出现花蕾后，若母本有出现雄花，则需在花蕾未开前去除花蕾。
10.如权利要求1-9任一项所述的温控培育印度南瓜杂交制种的方法，其特征在于，所述母本为艾瑞吉16-19，父本为艾瑞吉16-115。
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