CN114902546A - 缓冲电路 - Google Patents

Abstract

连接到变压器的二级侧开关的、根据本发明的实施例的缓冲电路包括：连接到二级侧开关的输入端子的二极管；连接到二极管的输出端子的电容器；与电容器并联连接的电阻器；以及用于连接电阻器和接地的缓冲开关。

Description

缓冲电路

技术领域

本发明涉及一种缓冲电路，并且更加具体地涉及一种仅仅在参考电压以上操作的缓冲电路。

背景技术

在包括各种类型的线圈的电路中，存在与线圈一起地包括开关元件并且通过控制开关元件的接通/关断(on/off)来控制流过线圈的电流和电压以实现期望意图的电路。在这种电路中，当开关元件接通时，电流平稳地流过线圈和开关元件，并且当开关元件从接通到关断改变状态时，由于从线圈自身产生的反电动势电压，过度(excessive)电压可能即刻在相应的电路中产生。这种过度电压对开关元件造成大的负担。特别地，由于从预定电压范围偏离的高频分量，在当状态从接通到关断改变时的时刻，失真的过冲(overshoot)电压可能在开关元件中发生，并且这种过冲电压可能对开关元件造成更大的负担。

缓冲电路(snubber circuit)是另外地连接到电力开关以在电力开关的切换操作期间减小由诸如电感器电流的外部能量引起的电压应力的电路。使用缓冲电路的典型实例是反激式转换器(flyback converter)。当开关关断时，存储在转换器漏电感中的能量在电力开关的漏极上创建过度电压应力。这可能引起电力开关烧毁，从而有必要限制施加到电力开关的漏极端子的最大电压。

发明内容

技术主题

本发明所要解决的技术问题在于提供一种仅仅在参考电压以上操作的缓冲电路。

本发明的问题不限于以上提到的问题，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未提到的其他问题。

技术方案

为了解决该技术问题，连接到变压器的二级侧开关(secondary side switch)的、根据本发明的实施例的缓冲电路包括：连接到二级侧开关的输入端子的二极管；连接到二极管的输出端子的电容器；与电容器并联连接的电阻器；以及连接电阻器和接地(ground)的缓冲开关(snubber switch)。

另外，当缓冲开关接通时，包括电阻器的路径可以被连接，使得电阻器可以释放存储在电容器中的能量。

另外，可以包括根据施加到二级侧开关的电压的大小来操作缓冲开关的接通/关断的控制器。

另外，当电容器电压的大小等于或者大于阈值时，缓冲开关可以被接通。

另外，当二级侧开关的前端处的电压的大小大于或者等于阈值时，控制器可以接通缓冲开关。

另外，二级侧开关可以被配置为MOSFET。

另外，可以根据缓冲开关的占空比来控制缓冲开关的接通/关断。

另外，缓冲开关的占空比可以与施加到二级侧开关的电压的大小成比例。

另外，可以包括用于调制用于缓冲开关的控制器的控制信号的脉冲宽度的脉冲宽度调制器。

另外，控制器可以包括OP-AMP。

另外，控制器可以包括：感测电容器的电压的感测电阻器；以及通过电容器的检测电压与参考电压的比较来控制缓冲开关的操作和占空比的OP-AMP。

另外，缓冲开关可以被配置为MOSFET。

另外，缓冲开关的切换频率(switching frequency)可以小于或者等于二级侧开关的切换频率。

为了解决以上技术问题，连接到变压器的多个二级侧开关的、根据本发明的另一实施例的缓冲电路包括：与多个二级侧开关中的每个并联连接的多个二极管；连接到被连接到多个二极管的输出端子的一个节点的一个电容器；与电容器并联连接的电阻器；连接电阻器和接地的缓冲开关；以及根据施加到二级侧开关的电压的大小来操作缓冲开关的控制器。

有益效果

根据本发明的实施例，缓冲损耗能够被减小。另外，通过使用电容器的电压，可以防止由超过二级侧功率MOSFET的耐受电压而引起的烧毁源(source of burnout)。另外，可以降低缓冲电阻器的电阻值，从而在输入电压过冲发生的情况中，它能够被快速地稳定。此外，能够在操作停止的状态中阻断从输出侧流动到缓冲电路的暗电流。

根据本发明的效果不受以上例示的内容限制，并且在本说明书中包括更多的各种效果。

附图简要说明

图1示意根据与本发明的对照实例的缓冲电路。

图2是根据本发明的实施例的缓冲电路的框图。

图3和图4是用于解释根据本发明的实施例的缓冲电路的操作的图表。

图5至图8是用于解释根据本发明的另一实施例的缓冲电路的图表。

图9示意应用于根据本发明的实施例的缓冲电路的结果。

图10和图11是根据本发明的另一实施例的缓冲电路的框图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。

然而，本发明的技术思想不限于将要描述的某些实施例，而是能够以各种形式实现，并且在本发明的技术思想的范围内，构成元件中的一个或者多个可以在实施例之间选择性地组合或者替代。

另外，在本发明的实施例中使用的术语(包括技术和科学术语)，除非明确地定义和描述，能够被解释为本领域技术人员能够一般地理解的含义，并且通常使用的术语诸如在词典中定义的术语可以考虑到相关技术的上下文的含义来解释。

另外，在本说明书中使用的术语用于描述实施例而非旨在限制本发明。

在本说明书中，单数形式可以包括复数形式，除非在短语中特别声明，并且当描述为“A和B和C中的至少一个(或者多于一个)时”，这可以包括能够与A、B和C组合的所有的组合中的一个或者多个。

另外，在描述本发明的实施例的构件时，可以使用术语诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)。这些术语仅仅旨在将构件彼此区分，并且这些术语并不限制构件的性质、顺序或者序列。

并且，当构件被描述为“连接”、“耦接”或者“互连”到另一构件时，构件不仅被直接地连接、耦接或者互连到其他构件，而且还可以包括由于在其他构件之间的另一构件而被“连接”、“耦接”或者“互连”的情形。

另外，当被描述为在每个构件“上(上方)”或者“下(下方)”形成或者布置时，“上(上方)”或者“下(下方)”意味着这不仅包括两个构件直接地接触的情形，而且还包括一个或者多个其他构件在两个构件之间形成或者布置的情形。另外，当被表达为“上(上方)”或者“下(下方)”时，可以包括基于一个构件不仅向上方向而且还有向下方向的含义。

图1示意根据与本发明的对照实例的缓冲电路。

参考图1，缓冲电路10可以被连接到开关Q1(20)从而减小开关Q1(20)的电压应力。这里，开关Q1(20)可以是变压器的二级侧开关。当开关Q1(20)被关断时，能量通过缓冲二极管被转移到作为缓冲电容器的电容器C(12)，并且被存储，并且存储在缓冲电容器C(12)中的能量与电容器C(12)并联连接，并且其在缓冲电阻器R(13)中被消耗。相应地，在由MOSFET配置的开关Q1(20)的漏极和源极之间的电压降低。

这种缓冲电路由电阻器、电容器和二极管形成并且称为RCD缓冲电路，并且它总是与开关操作的电压水平无关地操作。另外，缓冲电路的RC值以最大操作电压被选择以满足开关的额定电压，从而存在问题，即当操作电压范围宽时，在最大电压以下出现不必要的缓冲损耗，由此减小轻负载效率。

为了解决这个损耗，根据本发明的实施例的缓冲电路可以如在图2中所示形成。

图2是根据本发明的实施例的缓冲电路的框图。

根据本发明的实施例的缓冲电路100是连接到变压器的二级侧开关的缓冲电路，并且由二极管110、电容器120、电阻器130和缓冲开关140配置，并且可以进一步包括控制器150。

二极管110被连接到二级侧开关220的输入端子。更加具体地，二极管110是包括缓冲电路的缓冲二极管并且与作为变压器的二级侧开关的二级侧开关220并联连接，以接收并联施加到二级侧开关220的电压。

电容器120被连接到二极管110的输出端子。更加具体地，电容器120是包括缓冲电路的缓冲电容器并且与二极管110串联连接以存储根据二级侧开关220的操作产生的能量。

电阻器130与电容器120并联连接。更加具体地，电阻器130是包括缓冲电路的缓冲电阻器并且与电容器120并联连接。即，它从二极管110分支并且与电容器120并联连接，并且当缓冲开关140接通时，存储在电容器120中的能量被消耗。

可以根据将由缓冲电路100保护的二级侧开关220的额定电压来设定电容器120和电阻器130的规格。

缓冲开关140连接电阻器130和接地。更加具体地，当缓冲开关140接通时，电阻器130和接地被连接，并且当缓冲开关140关断时，电阻器130和接地被断开。

当缓冲开关140接通时，包括电阻器130的路径被连接，使得电阻器130释放电容器120中存储的能量。当缓冲开关140接通并且电阻器130和接地被连接时，由电容器120、电阻器130和接地形成的路径被连接，使得电阻器130消耗电容器120中存储的将被释放的能量。当缓冲开关140关断时，电阻器130不被连接到接地，并且因为由电容器120和电阻器130形成的路径不被连接到接地，所以电阻器130不消耗存储在电容器120中的能量。由此，电阻器130并不恒定地释放存储在电容器120中的能量，而是仅当有必要时才释放存储在电容器120中的能量，由此减小在电阻器130中发生的不必要的损耗。

缓冲开关140可以被配置为MOSFET。MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，并且由源极、漏极和栅极构成。根据所使用的半导体器件的特性，它被划分成NMOS或者PMOS。当电压被施加到栅极时，沟道在源极和漏极之间被形成，使得电流流过已经形成的沟道，并且因此它能够使用这种操作原理而被用作开关。控制器150可以控制缓冲开关140的栅极电压以操作缓冲开关140。通过将缓冲开关140配置为MOSFET，可以通过根据栅极信号控制电阻器130中的能量释放的阻断来减小损耗，并且当变压器不工作时，从输出侧流动到缓冲电路的暗电流也可以被阻断。

控制器150可以根据施加到二级侧开关220的电压的大小来接通/关断缓冲开关140。

更加具体地，为了减小在电阻器130中发生的损耗，有必要控制将电阻器130连接到接地的缓冲开关140的操作，并且当电阻器130需要消耗存储在电容器120中的能量时，控制器150接通缓冲开关140，并且因为缓冲电路100是用于保护二级侧开关220的电路，所以它可以根据施加到二级侧开关220的电压的大小来接通和关断缓冲开关140。当施加到二级侧开关220的电压变得大于或者接近二级侧开关220的额定电压时，控制器150操作缓冲开关140从而不从额定于二级侧开关220的额定电压偏离。

因为通过控制器150，能量能够有效率地在电阻器130中被消耗，所以缓冲电路的电阻值能够被设定为低。通过使用带有低电阻值的电阻器作为缓冲电路的电阻，在瞬时输入电压超过额定电压的过冲情况中，快速消耗是可能的。例如，当不使用控制器150时，缓冲电阻器的大小能够从10KΩ减小到100Ω，并且因为功耗为V²/R，所以R的值越小，其中的功耗越大，由此被快速地稳定。

控制器150可以通过控制开关的占空比来执行缓冲开关140的接通/关断操作。控制器150可以当操作缓冲开关140并且控制接通/关断时控制占空比。这里，占空比是电流流动时间与非电流流动时间的比率。在开关的情形中，占空比意味着接通比，并且还称作负载比。即，能够通过控制开关接通的速率来控制马达的驱动速度或者驱动时间。在操作速度的情形中，它能够通过在短时间段内改变重复接通-关断的程度被控制。驱动速度在重复接通-关断操作的情形中比在连续地接通的情形中变得更慢。开关的接通-状态时间根据占空比而改变，并且由电阻器130消耗的能量能够相应地调节，从而能够有效地减小损耗。

控制器150可以将缓冲开关140的占空比控制为与施加到二级侧开关220的电压的大小成比例。随着施加到二级侧开关220的电压的大小增加，为了保护二级侧开关220，因为将在电阻器130中消耗的能量可以增加，所以缓冲开关140的占空比可以增加或者缓冲开关140可以被维持在接通状态。缓冲开关的占空比能够被设定为100。

为了控制缓冲开关140的占空比，可以包括用于调制用于缓冲开关的控制器150的控制信号的脉冲宽度的脉冲宽度调制器。脉冲宽度调制(PWM)是一种根据信号的振幅来改变脉冲宽度的方法。当施加到二级侧开关220的电压增加时，通过改变占空比以增加用于接通缓冲开关140的控制信号的脉冲宽度，损耗率能够有效地减小。

根据本发明的实施例的缓冲电路可以在如在图3中所示电路上被形成。缓冲电路在开关中被形成以保护变压器的二级侧开关Q1和Q2。二极管D1被并联连接到二级侧开关Q1，并且包括缓冲电路310的并联连接的电容器C1和电阻器R1被连接到D1。包括D1、C1和R1的缓冲电路310可以钳位作为二级侧开关的Q1的电压尖峰(voltage spike)。缓冲开关Q3(320)被连接到R1以接通/关断在R1和接地之间的路径。此时，用于操作缓冲开关Q3的控制器330比较测量电压和参考电压，并且使用比较结果来操作缓冲开关Q3(320)。在此情形中，缓冲开关Q3(320)可以通过使用脉冲宽度调制(PWM)的脉冲宽度调制被控制。这里，缓冲开关Q3可以被配置为MOSFET。

如在图4中所示，控制器150可以被实现为OP-AMP。能够通过使用OP-AMP实现控制器150来同时执行测量电压和参考电压的比较和脉冲宽度调制。更加具体地，控制器150可以包括用于感测电压的感测电阻器130；以及通过在已经检测的电压和参考电压之间的比较来控制缓冲开关140的操作和占空比的OP-AMP 420。

使用感测电阻器410来检测电容器120的电压或者二级侧开关220的前端的电压VSN，并且可以通过比较由OP-AMP 420检测的电压与参考电压VSN_ref来操作缓冲开关140。

电容器120的电压或者二级侧开关220的前端处的电压可以被用作由控制器150测量的电压以操作缓冲开关140。

首先，控制器150可以使用电容器120的电压的大小作为用于操作缓冲开关以保护二级侧开关220的参考。如在图5中所示，控制器150测量在电容器的前端子510处施加到电容器120的电压，并且当电容器120的测量电压大于或者等于阈值时，可以操作缓冲开关140。用于控制缓冲开关140的阈值可以根据二级侧开关220的额定电压被设定为参考电压。当额定电压被施加到二级侧开关220时，在相应的位置处的电压的大小可以被设定为参考电压，或者通过将裕量应用于参考电压，比参考电压小了裕量电压的电压可以被设定为参考电压。或者，它可以由用户设定。随着作为阈值的参考电压增加，缓冲开关操作的电压的大小增加，并且因此保护二级侧开关的稳定性可能劣化，同时损耗率能够减小。相反，参考电压越小，二级侧开关的稳定性越高，但是损耗率也能够更高，因此能够通过设定适当的参考电压来增强损耗率和稳定性这两者。

因为施加到电容器120的电压被限制为小于施加到二级侧开关的电压，所以可以通过使用施加到电容器120的电压来根本地防止由超过二级侧开关的耐受电压而引起的烧毁。

可以如在图6中所示实现其中控制器150测量电容器120的电压以操作缓冲开关140的缓冲电路。在用于转换电压的变压器610中，保护二级侧开关的缓冲电路620可以被连接到二级侧开关。

这里，变压器可以是开关模式电源(SMPS)。SMPS是一种开关模式电源，其使用半导体元件，诸如功率MOSFET，作为开关以将DC输入电压转换成方波电压(square wavevoltage)，并且然后通过滤波器获得受到控制的DC输出电压，并且它是一种带有高效率和强耐用性的稳定的电源，并且通过经由半导体元件的开关来控制电力的流动，在小型化和轻量化方面是有利的。通过增加切换频率以使能量存储器件小型化，SMPS具有小型化和轻量化的优点，但是存在的缺点在于，通过增加切换频率，开关损耗增加。它接收输入电压，使用多个半桥电路将其转换成多相，并且执行转换，但是使用包括电感器和电容器的滤波器输出DC电压。此时，变压器的二级侧连接开关以作为DC电压输出施加到每个相的电压。为了保护二级侧开关，缓冲电路可以被连接。

具体地，当二极管D1被并联连接到二级侧开关Q1时，缓冲电路接收施加到Q1的电压，并且施加到D1的电压，作为能量，被存储在包括缓冲电路100的电容器C1中。电阻器R1被并联连接到C1，并且与R1串联连接的缓冲开关Q3可以接通/关断在R1和接地之间的连接。它可以包括用于通过比较用于测量电容器的电压的感测电阻器与测量电压VSN和参考电压VSN_ref来控制Q3的OP-AMP。即，缓冲开关Q3根据电容器C1的电压的大小来操作，并且当Q3接通时，能量消耗最终在R1中实现，从而损耗率能够减小。

当变压器是多相变压器时，变压器的二级侧开关可以是多个。在此情形中，多个二级侧开关Q1和Q2可以共享一个缓冲电路620。即，通过将二极管D2与Q2并联连接并且将电路配置为与D1组合并且被连接到电容器C1，可以用一个缓冲电路不仅保护Q1而且还保护Q2。

不同于图5和6，控制器150测量二级侧开关220的前端处的电压，如在图7和8中所示，并且当二级侧开关220的前端处的电压的大小大于或者等于阈值时，可以操作缓冲开关140。如在图7中所示，控制器150在前端710处测量二级侧开关220并且可以根据测量电压的大小来操作缓冲开关140。此时，二级侧开关220被配置为MOSFET，并且当二级侧开关220的漏极电压大于或者等于阈值时，控制器150可以操作缓冲开关140。当二级侧开关220被配置为MOSFET时，因为二级侧开关220的输入端子侧对应于漏极电压，所以控制器150测量二级侧开关220的漏极电压的大小，可以当二级侧开关220的漏极电压大于或者等于阈值时操作缓冲开关140。

参考图8，不同于其中测量电容器的电压VSN1的图6，测量二级侧开关Q1的漏极电压VDS1，并且通过与参考电压进行比较来操作缓冲开关Q3。此时，当缓冲开关使用漏极电压Q1操作而不经过二极管D1时，难以为多个二级侧开关共享一个缓冲电路，从而缓冲电路应该被连接到每个二级侧开关。即，如在图8中所示，因为缓冲电路621和622中的每个应该被连接到二级侧开关Q1和Q2，所以与图6相比较，包括缓冲电路的构件的数目可以增加。

图9是示出根据本发明的实施例的根据缓冲电路的操作的图，如在图9(A)中那样，当输入电压低时，如在图9(B)中那样，由缓冲器(snubber)测量的缓冲电压(snubbervoltage)低于缓冲参考电压，或者如在图9(C)中所示，二级侧开关的漏-源电压的大小低，并且此时，如在图9(D)中所示，缓冲开关不操作。被实现为OP-AMP的控制器的输出处于低状态并且缓冲开关也维持关断状态，并且此时，通过缓冲电路，损耗为0W。

此后，当输入电压增加时，由缓冲器测量的缓冲电压增加并且变得大于缓冲参考电压，或者当二级侧开关的漏-源电压变得大于阈值时，缓冲开关的漏-源电压增加，并且缓冲开关接通并且操作。即，OP-AMP的输出处于高状态以接通缓冲开关，并且随着输入电压增加，缓冲开关的占空比可以增加。

在操作缓冲开关时，缓冲开关的切换频率可以被限制于小于或者等于二级侧开关的切换频率。SMPS通过增加二级侧开关的切换频率来操作，但是当缓冲开关的切换频率大于二级侧开关的切换频率时，噪声等可以被产生。因此，缓冲开关的切换频率可以被限制于小于或者等于二级侧开关的切换频率。

如以上描述地，能够通过根据电压的大小控制电阻器中的能量消耗来解决具有高损耗率的无源缓冲电路的问题。另外，在有源缓冲电路的情形中，要求用于控制开关的能量存储器件，诸如电感器或者栅极驱动器IC，然而，根据本发明的实施例的缓冲电路能够仅仅用比较测量电压和参考电压的OP-AMP来控制开关，并且因此，当与有源缓冲电路相比较时，电路不复杂并且能够被简单地实现。

图10和图11是根据本发明的另一实施例的缓冲电路的框图。图10和图11的缓冲电路的每个配置的详细描述对应于图1至图9的缓冲电路的相应的配置的详细描述，并且以下将省略重复的描述。

在被连接到变压器210的多个二级侧开关220和221的缓冲电路中，根据图10的实施例的缓冲电路将缓冲电路配置成为多个二级侧开关220和221共享一个缓冲电路。可以如在图6中所示实现根据图10的实施例的缓冲电路。

它可以包括：一个电容器120，其中多个二极管110和111与并联的多个二级侧开关220和221中的每个并联连接，其被连接到一个节点1010，所述一个节点1010被连接到多个二极管的输出端子；与电容器120并联连接的电阻器130；连接电阻器130和接地的缓冲开关140；以及根据施加到二级侧开关的电压的大小来操作缓冲开关140的控制器150。因为多相变压器的二级侧开关互补地操作，所以可以使用一个缓冲电路来保护多个二级侧开关，相应地缓冲电路能够通过使用多个二极管110和111、一个电容器120、一个电阻器130、一个缓冲开关140和一个控制器150被实现。此时，用于确定缓冲开关140是否操作的电压使用电容器120的电压。

在连接到变压器210的多个二级侧开关220和222的多个缓冲电路中，根据图11的实施例的缓冲电路包括用于多个二级侧开关220和222中的每个的缓冲电路。可以如在图8中所示实现根据图11的实施例的缓冲电路。

多个缓冲电路的每个缓冲电路包括：与多个二级侧开关220和222中的一个并联连接的二极管110和112；与二极管110和112串联连接的电容器120和122；与电容器110和112并联连接的电阻器130和132；连接电阻器130和132和接地的缓冲开关140和142；以及用于根据施加到其中二极管110和112被并联连接的二级侧开关的电压的大小来操作缓冲开关140和142的控制器150和152。为了确定缓冲开关140和142的操作，通过使用每个二级侧开关的前端处的电压而非电容器的电压，在每个二级侧开关上配置缓冲电路。

同时，本发明的实施例能够在计算机-可读记录介质上被实现为计算机可读代码。计算机可读记录介质包括其中存储由计算机系统可读的数据的所有类型的记录器件。

作为计算机可读记录介质的实例，有ROM、RAM、CD-ROM、磁带、软盘和光学数据存储器件，并且另外，它们以其中计算机可读代码能够被存储并且执行的分布方式跨网络计算机系统分布。并且本发明所属技术领域的程序员能够易于推断用于实现本发明的功能程序、代码和代码段。

如以上描述地，在本发明中，已经描述了具体事项诸如具体构件，等；以及有限的实施例和绘图，但是这些仅仅被提供用于帮助更一般地理解本发明，并且本发明不限于以上实施例，并且对于本发明所属领域的普通技术人员而言，根据这些描述，各种修改和变型都是可能的。

因此，本发明的精神不应该限于所描述的实施例，并且不仅将在以后描述的权利要求，还有所有带有与权利要求等同或者等价修改的那些都将被认为属于本发明的精神的范围。

Claims (10)

1.一种连接到变压器的二级侧开关的缓冲电路，包括：

二极管，所述二极管被连接到所述二级侧开关的输入端子；

电容器，所述电容器被连接到所述二极管的输出端子；

电阻器，所述电阻器与所述电容器并联连接；以及

缓冲开关，所述缓冲开关连接所述电阻器和接地。

2.根据权利要求1所述的缓冲电路，

其中，当所述缓冲开关被接通时，包括所述电阻器的路径被连接，使得所述电阻器释放所述电容器中存储的能量。

3.根据权利要求1所述的缓冲电路，包括：

控制器，所述控制器被配置为根据施加到所述二级侧开关的电压的大小来操作所述缓冲开关的接通/关断。

4.根据权利要求3所述的缓冲电路，

其中，当所述二级侧开关的前端处的所述电压的大小大于或者等于阈值时，所述控制器接通所述缓冲开关。

5.根据权利要求3所述的缓冲电路，

其中，所述控制器包括：

感测电阻器，所述感测电阻器被配置为检测所述电容器的电压；以及

OP-AMP，所述OP-AMP被配置为通过比较所述电容器的检测电压与参考电压来控制所述缓冲开关的操作和占空比。

6.根据权利要求1所述的缓冲电路，

其中，根据所述缓冲开关的占空比来控制所述缓冲开关的接通/关断。

7.根据权利要求6所述的缓冲电路，

其中，所述缓冲开关的占空比与施加到所述二级侧开关的电压的大小成比例。

8.根据权利要求1所述的缓冲电路，

其中，当所述电容器的电压的大小等于或者大于阈值时，所述缓冲开关被接通。

9.根据权利要求1所述的缓冲电路，

其中，所述缓冲开关的切换频率小于或者等于所述二级侧开关的切换频率。

10.一种连接到变压器的多个二级侧开关的缓冲电路，包括：

多个二极管，所述多个二极管与所述多个二级侧开关中的每个并联连接；

一个电容器，所述一个电容器被连接到一个节点，所述一个节点被连接到所述多个二极管的输出端子；

电阻器，所述电阻器与所述电容器并联连接；

缓冲开关，所述缓冲开关连接所述电阻器和接地；以及

控制器，所述控制器被配置为根据施加到所述二级侧开关的电压的大小来操作所述缓冲开关。

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