CN114822386A - Mled显示面板及终端设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种MLED显示面板及终端设备,其中,MLED显示面板包括多个像素驱动电路,至少一个像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、电容以及第一发光组件,其中:第一晶体管的第一端口分别与第二晶体管的第一端口以及电容的一端电连接;第一晶体管的第二端口分别与第二晶体管的第三端口以及电容的另一端电连接;第二晶体管的第二端口与第一发光组件的一端电连接;第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接。本申请通过在像素驱动电路中设置第二晶体管,能够减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种MLED显示面板及终端设备。
背景技术
MLED包括Mini-LED显示技术以及Micro-LED显示技术。Mini-LED显示技术以及Micro-LED显示技术被广泛认为是继TFT-LCD显示技术之后的下一代显示技术,但目前遇到了一些非常难以突破的技术瓶颈,例如驱动电路的稳定性、巨量转移的方法和良率等。
具体来说,对于驱动电路的稳定性方面,主要涉及的是薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)器件的稳定性。在TFT-LCD产品中,对器件的稳定性要求不高,原因包括:第一,TFT器件的作用是通过寻址开关动作,将数据驱动的电压信号写入像素(即,Pixel)中,而由于写入的是电压信号,只需要充电电流足够大,在开启时间内,能够将电容充电至指定电压即可,其工作状态只有开关两种状态。在这种情况下,TFT的阈值电压(即,Vth)、迁移率的漂移在一定的幅度范围内是可以接受的,不会影响到显示器的正常显示;第二,在LCD中,TFT器件开启的时间占总时间的很小一部分,因此器件中的电流应力(即,stress)效应较小;第三,LCD由于驱动模式的限制,必须引入正负帧反转操作。在这种情况下,TFT器件在相邻两帧之间的电流方向是相反的,电流应力效应会受到抑制。
因此,在Mini-LED以及Micro-LED中,相比于LCD而言电流应力效应会更加明显,进而更加容易造成TFT器件性能的漂移。为此,相关技术在每个像素单元设置两路LED来接收驱动电流,从而实现发光,以抑制电流应力效应。然而,这两路驱动电流差异较大,且在低灰阶时差异尤其明显,影响显示电路的稳定性,且增加了电路功耗。
发明内容
有鉴于此,本申请提出了一种MLED显示面板及终端设备,能够减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
根据本申请的一方面,提供了一种MLED显示面板,所述MLED显示面板包括多个像素驱动电路,至少一个所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、电容以及第一发光组件,其中:所述第一晶体管的第一端口分别与所述第二晶体管的第一端口以及所述电容的一端电连接,形成第一内部结点;所述第一晶体管的第二端口分别与所述第二晶体管的第三端口以及所述电容的另一端电连接,形成第二内部结点;所述第二晶体管的第二端口与所述第一发光组件的一端电连接;所述第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,所述第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第三晶体管,其中:所述第三晶体管的第一端口与对应的扫描线电连接,所述第三晶体管的第二端口与对应的数据线电连接,所述第三晶体管的第三端口与所述第一内部结点电连接。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第四晶体管,其中:所述第四晶体管的第一端口与感测信号电连接,所述第四晶体管的第二端口与所述第二内部结点电连接,所述第四晶体管的第三端口与参考信号电连接。
进一步地,所述第一发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。
进一步地,至少一个所述发光部件的阳极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阴极与所述第二电源电压电连接;至少一个所述发光部件的阴极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阳极与所述第二电源电压电连接。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第二发光组件,所述第二发光组件的一端与所述第一电源电压电连接,所述第二发光组件的另一端与所述第一晶体管的第三端口电连接。
进一步地,所述第二发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。
进一步地,至少一个所述发光部件的阳极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阴极与所述第一电源电压电连接;至少一个所述发光部件的阴极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阳极与所述第一电源电压电连接。
进一步地,任一所述第一晶体管的第一端口为该所述第一晶体管的栅极,任一所述第一晶体管的第二端口为该所述第一晶体管的源极,任一所述第一晶体管的第三端口为该所述第一晶体管的漏极;和/或者任一所述第二晶体管的第一端口为该所述第二晶体管的栅极,任一所述第二晶体管的第二端口为该所述第二晶体管的漏极,任一所述第二晶体管的第三端口为该所述第二晶体管的源极。
根据本申请的另一方面,提供了一种终端设备,所述终端设备包括终端主体和所述MLED显示面板,所述MLED显示面板与所述终端主体连接。
通过在至少一个所述像素驱动电路中设置第二晶体管,并设置所述第一晶体管的第一端口分别与所述第二晶体管的第一端口以及所述电容的一端电连接;所述第一晶体管的第二端口分别与所述第二晶体管的第三端口以及所述电容的另一端电连接;所述第二晶体管的第二端口与所述第一发光组件的一端电连接;所述第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,所述第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接,根据本申请的各方面能够减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1示出相关技术中的MLED电路正向驱动的示意图。
图2示出相关技术中的MLED电路反向驱动的示意图。
图3示出相关技术中的MLED驱动电流的示意图。
图4示出相关技术中的MLED驱动电压的示意图。
图5示出本申请实施例的像素驱动电路的示意图。
图6示出本申请实施例的MLED驱动电流的示意图。
图7示出本申请实施例的像素驱动电路的示意图。
图8示出本申请实施例的MLED驱动电流的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接连接,也可以通过中间媒介间接连接,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。在一些实例中,对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述,以便于凸显本申请的主旨。
图1示出相关技术中的MLED电路正向驱动的示意图。
如图1所示,相关技术中的MLED电路可以是3T1C驱动架构。该驱动架构包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3以及存储电容C1。
参见图1,相关技术中,晶体管T1的栅极与扫描信号Vscan电连接,晶体管T1的漏极与数据信号Vdata电连接,晶体管T1的源极分别与晶体管T2的栅极以及电容C1的一端电连接,形成第一内部结点G;晶体管T2的源极分别与晶体管T3的源极以及电容C1的另一端电连接,形成第二内部结点S。晶体管T2的漏极与电源电压V_High电连接。发光二极管D1的阳极以及发光二极管D2阴极均电连接至第二内部结点S,发光二极管D1的阴极以及发光二极管D2阳极均与电源电压V_Low电连接。晶体管T3的栅极与感应信号VsenG电连接,晶体管T3的漏极通过开关K1与参考电压Vref电连接。
在实际工作中,当扫描信号Vscan为高电平时,晶体管T1打开,晶体管T1的源极与漏极之间处于导通状态,此时,数据信号Vdata通过晶体管T1写入到第一内部结点G。第一内部结点G电压拉高,使得晶体管T2打开,晶体管T2的源极与漏极之间处于导通状态,此时,由于电源电压V_High的存在,晶体管T2的源极与漏极之间开始产生驱动电流,发光二极管D1在该驱动电流的作用下发光;发光二极管D2由于阳极接入的为V_Low,没有驱动电流流过,不进行发光。由于存储电容C1的存在,当晶体管T1关闭时,第一内部结点G仍能维持高电位,进而使得晶体管T2持续处于打开状态,发光二极管D1连续发光。
因此,相关技术中,MLED电路的驱动属于电流驱动。当数据信号Vdata发生改变时,会使得第一内部结点G的电压以及第二内部结点S发生改变,进而使得晶体管T2的栅源电压Vgs发生改变,晶体管T2的源极与漏极之间的驱动电流也发生改变,最终实现对应发光二极管亮度的调整,实现灰阶切分。
然而,一方面,由于晶体管T2在整个显示周期内均处于打开状态,且晶体管T2的驱动电流需要精确控制以达到灰阶切分的目的,当晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率等参数漂移时,会直接作用于驱动电流上,进而造成显示异常。因此,MLED对晶体管器件的稳定性要求更高。另一方面,一般的MLED电路中,V_High以及V_Low通常为固定电压,晶体管T2长时间打开,导致驱动电流的方向固定不变,在开始时间长以及电流方向固定这两个因素的作用下,驱动电流的应力效应非常明显,更加容易造成晶体管器件性能的漂移。
因此,相关技术引入了一种新的驱动方式,将LCD中正负帧反转的概念引入MLED驱动中。具体来说,参见图1,将一般MLED中的一个发光二极管增加至两个发光二极管。
图2示出相关技术中的MLED电路反向驱动的示意图。
参见图2,图2与图1的电路结构相同,不同的是驱动电源的设置。结合图1以及图2可以看出,两个发光二极管反向并联,电源电压采用交流信号,每一帧电源电压互换。例如,在第N帧时,晶体管T2的漏极接入电源电压V_High,为高电压,此时,驱动电流的途径为:电源电压V_High、晶体管T2、发光二极管D1、电源电压V_Low,发光二极管D1点亮,发光二极管D2不亮;在第N+1帧时,晶体管T2的漏极接入电源电压V_Low,为低电压,此时,驱动电流的途径为:电源电压V_Low、发光二极管D2、晶体管T2、电源电压V_High,发光二极管D1不亮,发光二极管D2点亮。
图3示出相关技术中的MLED驱动电流的示意图。
如图3所示,相关技术中,横坐标可表示输入到该像素单元的灰阶,灰阶与数据信号的大小相关,左边的纵坐标ILED(A)可表示流经发光二极管的驱动电流的大小,右边的Mistake可表示正向驱动电流Iforward与反向驱动电流Ibackward之间的差异,用百分比表示。示例性的,所述灰阶可以划分为1-15共15个等级,正向驱动电流Iforward为曲线32,反向驱动电流Ibackward为曲线31,误差Mistake为曲线33,误差Mistake可用正向驱动电流减去反向驱动电流得到的差值与正向驱动电流的比值确定。
从图3中可以看出,在低灰阶时正向驱动电流与反向驱动电流的大小几乎接近-100%,随着灰阶的增加,正向驱动电流与反向驱动电流的差异逐渐变为0%,然后随着灰阶的继续增加,正向驱动电流与反向驱动电流的差异也随之增加。
图4示出相关技术中的MLED驱动电压的示意图。
如图4所示,相关技术中,曲线41可表示晶体管T2的栅源电压的漂移ΔVgs随灰阶变化的情况,曲线42可表示晶体管T2的源漏电压的漂移ΔVds随灰阶变化的情况。其中,图4横坐标的灰阶变化与图3类似,不再赘述。图4左边的纵坐标可表示晶体管T2栅源电压漂移后的值减去偏移前的值得到的差值与偏移前的值的比值,图4右边的纵坐标可表示晶体管T2源漏电压漂移后的值减去偏移前的值得到的差值与偏移前的值的比值。
从图4可以看出,在低灰阶时晶体管T2的栅源电压漂移以及源漏电压漂移均较为严重,而在高灰阶时晶体管T2的栅源电压漂移以及源漏电压漂移相对较小。
因此,综合以上对相关技术的描述可以看出,相关技术通过借用LCD中的帧反转概念,降低了晶体管T2的电流应力效应,进而提高器件的稳定性。并且,由于切换两路发光二极管轮流工作,降低了光效,发光二极管的温度不会过高,发光二极管的电流应力效应也会得到抑制。此外,由于每个像素设置有两个发光二极管,当其中一个发光二极管损坏时,另外一个发光二极管可以提供一半的亮度,降低坏点的影响。虽然相关技术的技术方案具有上述优点,但在实际工作中发现,相关技术的正向电流与反向电流差异较大,且在低灰阶时差异尤其明显。这会影响显示电路的稳定性,增加了电路功耗,而且,相关技术的Vref也需要采用交流驱动才能正常工作,会进一步增加功耗以及驱动的复杂性。
有鉴于此,本申请提供了一种MLED显示面板,所述MLED显示面板包括多个像素驱动电路,图5示出本申请实施例的像素驱动电路的示意图。
如图5所示,至少一个所述像素驱动电路包括第一晶体管T51、第二晶体管T52、电容C1以及第一发光组件,其中:第一晶体管T51的第一端口分别与第二晶体管T52的第一端口以及电容C1的一端电连接,形成第一内部结点G;第一晶体管T51的第二端口分别与第二晶体管T52的第三端口以及电容C1的另一端电连接,形成第二内部结点S;第二晶体管T52的第二端口与所述第一发光组件的一端电连接。
具体来说,参见图5,本申请相比于现有技术增加设置了第二晶体管T52。当第一内部结点电压G升高时,所述第一晶体管以及所述第二晶体管均处于导通状态,发光二极管D1发光,发光二极管D2不发光,此时,第一晶体管的源漏之间存在源漏电压,第二晶体管的源漏之间也存在源漏电压,因此,发光二极管D1的阳极的电位相比于现有技术更低,导致发光二极管D2的反向电压也更低,流经发光二极管D2的反向电流也更小,发光二极管D2更加不容易被反向击穿;同样,当发光二极管D2发光,发光二极管D1不发光时,由于第二晶体管T52的设置,第二晶体管的源漏之间存在源漏电压,使得发光二极管D2的阳极的电位相比于现有技术更低,导致发光二极管D1的反向电压也更低,流经发光二极管D1的反向电流也更小,发光二极管D1更加不容易被反向击穿,从而减少不同方向驱动电流之间的差异,提高了电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
其中,多个像素驱动电路的第一发光组件可以阵列设置,形成发光阵列。一个像素驱动电路可以用于驱动一行或多行所述第一发光组件,也可以用于驱动一个所述第一发光组件。可以理解,本申请对于所述多个像素驱动电路与所述第一发光组件的映射关系并不限定。
需要说明的是,在本申请中,任一所述第一晶体管的第一端口为该所述第一晶体管的栅极,任一所述第一晶体管的第二端口为该所述第一晶体管的源极,任一所述第一晶体管的第三端口为该所述第一晶体管的漏极;和/或者任一所述第二晶体管的第一端口为该所述第二晶体管的栅极,任一所述第二晶体管的第二端口为该所述第二晶体管的漏极,任一所述第二晶体管的第三端口为该所述第二晶体管的源极。即,本申请中的晶体管可以为N型,也可以为P型。示例性的,本申请中的晶体管可以为薄膜晶体管(即,TFT)。可以理解,本申请对于晶体管的类型并不限定。
进一步地,所述第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,所述第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接。例如,在图5中,第一晶体管T51的漏极可以与第一电源电压Vdd电连接,而第一发光组件的另一端与第二电源电压Vss电连接。示例性的,所述第一电源电压为高电压,所述第二电源电压为低电压,高电压和低电压的具体数值可以根据实际需要设置,本申请并不限定。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第三晶体管,其中:所述第三晶体管的第一端口与对应的扫描线电连接,所述第三晶体管的第二端口与对应的数据线电连接,所述第三晶体管的第三端口与所述第一内部结点电连接。例如,在图5中,第三晶体管T53的栅极与对应的扫描线Vscan电连接,第三晶体管T53的漏极与对应的数据线Vdata电连接,第三晶体管的源极与第一内部结点G电连接。
其中,所述扫描线可以用于扫描所述MLED显示面板的一行像素,也可以扫描所述MLED显示面板的多行像素,MLED显示面板的每个像素中均可设置例如图5的两个发光二极管。所述数据线上的数据信号可以根据实际需要进行调整。可以理解,本申请对于所述MLED显示面板的像素架构并不限定。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第四晶体管,其中:所述第四晶体管的第一端口与感测信号电连接,所述第四晶体管的第二端口与所述第二内部结点电连接,所述第四晶体管的第三端口与参考信号电连接。例如,在图5中,第四晶体管T54的栅极与感测信号VsensG电连接,第四晶体管T54的源极可以与第二内部结点S电连接,第四晶体管T54的漏极可以与参考信号Vref电连接。
其中,所述感测信号VsensG可以由外部装置(例如,处理器)发出,用于控制是否侦测第二内部结点S的电压,以便外部装置进行下一步处理。当感测信号为高电平时,第四晶体管T54打开,第二内部结点S的电压可以送到其他装置中进一步处理。
进一步地,所述第一发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。如图5所示,所述第一发光组件可以包括两个发光部件,这两个发光部件分别为发光二极管D1以及发光二极管D2,发光二极管D1以及发光二极管D2的设置方向相反。需要说明的是,所述第一发光组件包含的发光二极管的数量也可以是其他数量。例如,所述第一发光组件还可包括发光二极管D1、发光二极管D2、发光二极管D1’、发光二极管D2’。此时,发光二极管D1可以与对应的发光二极管D1’反向设置,发光二极管D2可以与对应的发光二极管D2’反向设置。
由于第一发光组件包括至少两个并联且反向设置的发光二极管,本申请实施例能够减少处于反向状态的二极管的反向电压,进而减少处于反向状态的二极管的反向电流,进一步减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
进一步地,至少一个所述发光部件的阳极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阴极与所述第二电源电压电连接;至少一个所述发光部件的阴极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阳极与所述第二电源电压电连接。例如,在图5中,发光二极管D1的阳极与第二晶体管T52的源极电连接,阴极与第二电源电压Vss电连接;发光二极管D2的阴极与第二晶体管T52的第二端口电连接,阳极与第二电源电压Vss电连接。
图6示出本申请实施例的MLED驱动电流的示意图。
如图6所示,61表示本申请实施例的正向驱动电流Iforward,62表示本申请实施例的反向驱动电流Ibackward,63表示正向驱动电流Iforward与反向驱动电流Ibackward的差异Mistake。
图6是基于图5的像素驱动电路得到的。可以看出,由于图5新增了一颗第二晶体管T52,大幅度提高了电路的对称性,相比与相关技术,正向驱动电流与反向驱动电流的差异大幅度降低,在低灰阶时尤其低至2%左右,能够满足实际需求。并且,基于图5优化后的电路架构,参考电压Vref不再需要交流驱动,将Vref电压的交流驱动改为直流驱动,能够进一步降低功耗以及驱动的复杂性,改善驱动器件的稳定性。
进一步地,至少一个所述像素驱动电路还包括第二发光组件,所述第二发光组件的一端与所述第一电源电压电连接,所述第二发光组件的另一端与所述第一晶体管的第三端口电连接。
图7示出本申请实施例的像素驱动电路的示意图。
如图7所示,在图5的基础上,本申请实施例还可再新增所述第二发光组件。例如,在图7中,所述第二发光组件的一端可与第一电源电压Vdd电连接,所述第二发光组件的另一端可以与第一晶体管T51的漏极电连接。
进一步地,所述第二发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。如图7所示,所述第二发光组件可以包括两个发光部件,这两个发光部件分别为发光二极管D3以及发光二极管D4,发光二极管D3以及发光二极管D4的设置方向相反。需要说明的是,所述第二发光组件包含的发光二极管的数量也可以是其他数量。例如,所述第二发光组件还可包括发光二极管D3、发光二极管D4、发光二极管D3’、发光二极管D4’。此时,发光二极管D3可以与对应的发光二极管D3’反向设置,发光二极管D4可以与对应的发光二极管D4’反向设置。
进一步地,至少一个所述发光部件的阳极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阴极与所述第一电源电压电连接;至少一个所述发光部件的阴极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阳极与所述第一电源电压电连接。例如,在图7中,发光二极管D4的阳极与第一晶体管T51的漏极电连接,阴极与第一电源电压Vdd电连接;发光二极管D3的阴极与第一晶体管T51的漏极电连接,阳极与第一电源电压Vdd电连接。
其中,反向并联的LED灯可以采用PKG打件方式,以降低成本。本申请的反向并联设计可以扩展至显示面板的各种内部补偿以及外部补偿电路中,应用于Mini-LED以及Micro-LED背光或直显产品,甚至是OLED显示产品。可以理解,本申请对于像素驱动电路的应用场景并不限定。
由于本申请增加设置了第二发光组件,当第一内部结点电压G升高时,所述第一晶体管以及所述第二晶体管均处于导通状态,此时,发光二极管D3以及发光二极管D1均发光,发光二极管D2以及发光二极管D4均不发光。由于D1和D3关于第一内部结点G对称,D2和D4关于第一内部结点G对称,在工作时,流经D2和D4的反向电流会更小,进而使得D2和D4更加不容易被反向击穿;同样,当发光二极管D2以及发光二极管D4均发光,发光二极管D1以及发光二极管D3均不发光时,由于D1和D3关于第一内部结点G对称,D2和D4关于第一内部结点G对称,在工作时,流经D1和D3的反向电流会更小,进而使得D1和D3更加不容易被反向击穿。另外,D3和D4本身的压降也可将处于反向状态的二极管的反向电压压缩的更低。因此,本申请设置的第二发光组件,能够进一步减少不同方向驱动电流之间的差异,提高了电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
图8示出本申请实施例的MLED驱动电流的示意图。
图8与图6的表示方式类似,81表示正向驱动电流,82表示反向驱动电流。如图8所示,基于图7的架构,在第一发光组件的基础上再增加第二发光组件,能够进一步提高电路的对称性。此时,正向驱动电流与反向驱动电路几乎完全相等,不存在差异,提高了正向驱动电流与反向驱动电流的一致性。
本申请经过分析,发现电路的不对称是影响相关技术中电流应力效应以及驱动稳定性的重要因素。而且,在相关技术的电路架构下,同样需要采用交流驱动,才能够正常工作,也增加了驱动功耗以及复杂性。因此,本申请通过设置第二晶体管和/或增加发光组件,能够减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
根据本申请的另一方面,提供了一种终端设备,所述终端设备包括终端主体和所述MLED显示面板,所述MLED显示面板与所述终端主体连接。有关所述终端设备的具体细节,可以参考所述MLED显示面板,不再赘述。
综上所述,本申请实施例通过在至少一个所述像素驱动电路中设置第二晶体管,并设置所述第一晶体管的第一端口分别与所述第二晶体管的第一端口以及所述电容的一端电连接;所述第一晶体管的第二端口分别与所述第二晶体管的第三端口以及所述电容的另一端电连接;所述第二晶体管的第二端口与所述第一发光组件的一端电连接;所述第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,所述第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接,能够减少不同方向驱动电流之间的差异,提高电路的对称性以及稳定性,降低驱动器件的电流电力效应,并进一步降低功耗,简化驱动方式。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的MLED显示面板及终端设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种MLED显示面板,其特征在于,所述MLED显示面板包括多个像素驱动电路,至少一个所述像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、电容以及第一发光组件,其中:
所述第一晶体管的第一端口分别与所述第二晶体管的第一端口以及所述电容的一端电连接,形成第一内部结点;
所述第一晶体管的第二端口分别与所述第二晶体管的第三端口以及所述电容的另一端电连接,形成第二内部结点;
所述第二晶体管的第二端口与所述第一发光组件的一端电连接;
所述第一晶体管的第三端口与第一电源电压电连接,所述第一发光组件的另一端与第二电源电压电连接。
2.根据权利要求1所述的MLED显示面板,其特征在于,至少一个所述像素驱动电路还包括第三晶体管,其中:
所述第三晶体管的第一端口与对应的扫描线电连接,所述第三晶体管的第二端口与对应的数据线电连接,所述第三晶体管的第三端口与所述第一内部结点电连接。
3.根据权利要求1所述的MLED显示面板,其特征在于,至少一个所述像素驱动电路还包括第四晶体管,其中:
所述第四晶体管的第一端口与感测信号电连接,所述第四晶体管的第二端口与所述第二内部结点电连接,所述第四晶体管的第三端口与参考信号电连接。
4.根据权利要求1所述的MLED显示面板,其特征在于,所述第一发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。
5.根据权利要求4所述的MLED显示面板,其特征在于,至少一个所述发光部件的阳极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阴极与所述第二电源电压电连接;
至少一个所述发光部件的阴极与所述第二晶体管的第二端口电连接,阳极与所述第二电源电压电连接。
6.根据权利要求1所述的MLED显示面板,其特征在于,至少一个所述像素驱动电路还包括第二发光组件,所述第二发光组件的一端与所述第一电源电压电连接,所述第二发光组件的另一端与所述第一晶体管的第三端口电连接。
7.根据权利要求6所述的MLED显示面板,其特征在于,所述第二发光组件包括至少两个发光部件,其中,至少两个所述发光部件并联且反向设置。
8.根据权利要求7所述的MLED显示面板,其特征在于,至少一个所述发光部件的阳极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阴极与所述第一电源电压电连接;
至少一个所述发光部件的阴极与所述第一晶体管的第三端口电连接,阳极与所述第一电源电压电连接。
9.根据权利要求1所述的MLED显示面板,其特征在于,任一所述第一晶体管的第一端口为该所述第一晶体管的栅极,任一所述第一晶体管的第二端口为该所述第一晶体管的源极,任一所述第一晶体管的第三端口为该所述第一晶体管的漏极;和/或者
任一所述第二晶体管的第一端口为该所述第二晶体管的栅极,任一所述第二晶体管的第二端口为该所述第二晶体管的漏极,任一所述第二晶体管的第三端口为该所述第二晶体管的源极。
10.一种终端设备,其特征在于,所述终端设备包括终端主体和如权利要求1至9中任一项权利要求所述的MLED显示面板,所述MLED显示面板与所述终端主体连接。
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