CN114726317A - 一种高线性度宽带正交调制器 - Google Patents

一种高线性度宽带正交调制器 Download PDF

Info

Publication number
CN114726317A
CN114726317A CN202210445165.4A CN202210445165A CN114726317A CN 114726317 A CN114726317 A CN 114726317A CN 202210445165 A CN202210445165 A CN 202210445165A CN 114726317 A CN114726317 A CN 114726317A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
triode
electrode
resistors
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210445165.4A
Other languages
English (en)
Inventor
吴舒桐
刘雪莲
时黛
戚福伟
张甘英
蒋颖丹
张沁枫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 58 Research Institute
Original Assignee
CETC 58 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 58 Research Institute filed Critical CETC 58 Research Institute
Priority to CN202210445165.4A priority Critical patent/CN114726317A/zh
Publication of CN114726317A publication Critical patent/CN114726317A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03C—MODULATION
    • H03C3/00—Angle modulation
    • H03C3/38—Angle modulation by converting amplitude modulation to angle modulation
    • H03C3/40—Angle modulation by converting amplitude modulation to angle modulation using two signal paths the outputs of which have a predetermined phase difference and at least one output being amplitude-modulated
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/16—Multiple-frequency-changing
    • H03D7/165—Multiple-frequency-changing at least two frequency changers being located in different paths, e.g. in two paths with carriers in quadrature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/16—Networks for phase shifting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/32—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
    • H04L27/20—Modulator circuits; Transmitter circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/32—Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
    • H04L27/34—Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
    • H04L27/36—Modulator circuits; Transmitter circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开一种高线性度宽带正交调制器，属于集成电路信号处理领域，包括移相器模块、混频器模块和差分转单端模块。移相器模块对本振差分输入信号进行移相，生成本振正交信号输出；混频器模块将移相器模块的输出信号以及基带输入信号进行混频输出；差分转单端模块将混频器模块的输出差分信号转化为单端信号后输出。与传统正交调制器技术相比，本发明的本振正交产生采用多相滤波器方法，采用电阻和电容实现，芯片面积更小，并且可实现超宽带操作，涵盖50MHz～6GHz的本振输入频率范围；边带抑制约为‑50dBc，载波泄露约为‑40dBm，可在宽带工作频率范围内达到出色的调制性能。混频器模块采用电感峰化，差分转单端模块采用宽带有源巴伦结构，实现增益补偿和高线性度。

Description

一种高线性度宽带正交调制器
技术领域
本发明涉及集成电路信号处理技术领域，特别涉及一种高线性度宽带正交调制器。
背景技术
随着射频集成电路技术的发展飞速，射频电路的应用越来越广泛，尤其是在无线通信领域。无线通信系统的实现主要是依靠射频通信电路，射频通信电路经过多年的不断的研究和积累，基本形成了典型的组成结构，主要包括调制、变频、放大和解调等几个部分。最近这几年，射频通信电路的应用领域主要包括航空航天通信、雷达卫星通信，船载通信、个人移动通信、无线局域网、物联网和车联网等。
射频电路参数直接决定了系统性能，已成为通信系统核心部分。通信技术应用要求越来越高，越来越苛刻。这就迫切需要无线通信设备能够在任何时间、任何地方都能够提供安全可靠的通信功能，而且变得重量更轻、体积更小、功耗更低。由于这些原因，射频通信电路的设计面临更多的要求和挑战。在射频通信电路中，混频器是信号收发机中最为核心的模块。利用混频器可以改变振荡源输出信号的频率，从而实现信号的调制解调。调制器主要用于发射机中，将基带信号调制到射频信号后输出。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高线性度宽带正交调制器，以实现一种适用于50MHz～6GHz射频工作频率范围的高线性度宽带正交调制器。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种高线性度宽带正交调制器，包括：
移相器模块，对本振差分输入信号进行移相，生成本振正交信号输出；
混频器模块，将所述移相器模块的输出信号以及基带输入信号进行混频输出；
差分转单端模块，将所述混频器模块的输出差分信号转化为单端信号后输出。
在本发明的一种实施方式中，所述移相器模块包括依次相连的多相滤波器和限幅放大器；所述多相滤波器对本振差分输入信号进行移相，生成正交差分信号；所述限幅放大器对正交差分信号的幅度、相位失配进行校准，得到本振正交信号输出。
在本发明的一种实施方式中，所述多相滤波器包括电容C1～C12、电阻R1～R12；
电容C1、C2、C3、C4的第一端分别和电阻R1、R2、R3、R4的第一端相连，电容C1、C2、C3、C4的第二端分别和电阻R2、R3、R4、R1的第二端相连；电阻R1和R2的第一端互连，电阻R3和R4的第一端互连；电容C5、C6、C7、C8的第一端分别和电阻R5、R6、R6、R8的第一端相连，电容C5、C6、C7、C8的第二端分别和电阻R6、R7、R8、R5的第二端相连；电容C9、C10、C11、C12的第一端分别和电阻R9、R10、R11、R12的第一端相连，电容C9、C10、C11、C12的第二端分别和电阻R10、R11、R12、R9的第二端相连；
电阻R5的第一端连接电阻R1的第二端，电阻R6的第一端连接电阻R2的第二端，电阻R7的第一端连接电阻R3的第二端，电阻R8的第一端连接电阻R4的第二端，电阻R9的第一端连接电阻R5的第二端，电阻R10的第一端连接电阻R6的第二端，电阻R11的第一端连接电阻R7的第二端，电阻R12的第一端连接电阻R8的第二端。
在本发明的一种实施方式中，所述限幅放大器模块包括三极管Q1～Q16、电阻R13～R26和电容C13；
三极管Q1和Q2的集电极分别连接电阻R14和R15的第二端，电阻R14和R15的第一端通过电阻R13接VDD，三极管Q1和Q2的发射极均接三极管Q3的集电极；三极管Q5的基极接三极管Q1的集电极，发射极接三极管Q7的集电极；三极管Q6的基极接三极管Q2的集电极，发射极接三极管Q8的集电极；
三极管Q5和Q6的集电极均接三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极和集电极均接VDD；三极管Q3、Q7、Q8的基极均接偏置电压VB1，发射极分别通过电阻R16、R17、R18接地GND；三极管Q9的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q10的基极连接三极管Q6的发射极，
三极管Q9和Q10的集电极分别连接电阻R20和R21的第二端，电阻R20和R21的第一端通过电阻R19接VDD，三极管Q9和Q10的发射极分别通过电阻R22和R23连接至三极管Q11的集电极，电容C13的两端分别连接三极管Q9和Q10的发射极；三极管Q13的基极接三极管Q9的集电极，发射极接三极管Q15的集电极；三极管Q14的基极接三极管Q10的集电极，发射极接三极管Q16的集电极；
三极管Q13和Q14的集电极均接Q12的发射极，Q12的基极和集电极接VDD；三极管Q11、Q15、Q16的基极均接偏置电压VB2，发射极分别通过电阻R24、R25、R26接地GND。
在本发明的一种实施方式中，所述混频器模块采用吉尔伯特单元，包括三极管Q17～Q28、电阻R27～R32、电感L1和L2、电容C18～C21；
三极管Q17、Q19、Q21和Q23的集电极均依次通过电阻R28和电感L2连接至VDD；三极管Q18、Q20、Q22、Q24的集电极均依次通过电阻R27和电感L1连接至VDD；
三极管Q17和Q20的基极互连，三极管Q18和Q19的基极互连，三极管Q21和Q24的基极互连，三极管Q22和Q23的基极互连；三极管Q17和Q18的发射极均连接至三极管Q25的集电极，三极管Q25的发射极通过电阻R29接地GND；三极管Q19和Q20的发射极均连接至三极管Q26的集电极，三极管Q26的发射极通过电阻R30接地GND；三极管Q21和Q22的发射极均连接至三极管Q27的集电极，三极管Q27的发射极通过电阻R31接地GND；三极管Q23和Q24的发射极均连接至三极管Q28的集电极，三极管Q28的发射极通过电阻R32接地GND；
三极管Q25的基极通过电容C18接GND，三极管Q26的基极通过电容C19接GND，三极管Q27的基极通过电容C20接GND，三极管Q28的基极通过电容C21接GND。
在本发明的一种实施方式中，所述差分转单端模块包括三极管Q29～Q33、电阻R33～R38、电容C14～C17和电感L3；
三极管Q29的基极连接电容C14和电阻R34的第一端，集电极连接VDD，发射极依次通过电阻R33和电感L3连接至三极管Q33的集电极，电阻R34的第二端接VDD；三极管Q30的基极连接至电容C15和电阻R35的第一端，发射极通过电阻R34接GND，集电极连接至三极管Q33的发射极；电阻R35的第二端连接至三极管Q31的发射极、电阻R36的第一端和电容C16的第一端，电容C16的第二端连接到GND，电阻R36的第二端连接到三极管Q32的基极，三极管Q31的基极连接三极管Q32的集电极、电阻R37的第一端、三极管Q33的基极和电容C17的第一端，电容C17的第二端连接到GND，电阻R37的第二端接VDD，三极管Q31的集电极接VDD，三极管Q32的发射极通过电阻R38接GND。
在本发明的一种实施方式中，所述多相滤波器生成的正交差分信号为四路，且相位相差90°。
在本发明提供的高线性度宽带正交调制器中，包括移相器模块、混频器模块和差分转单端模块，可实现50MHz～6GHz宽带工作频率。移相器模块对本振差分输入信号进行移相，生成本振正交信号输出；混频器模块将所述移相器模块的输出信号以及基带输入信号进行混频输出；差分转单端模块将所述混频器模块的输出差分信号转化为单端信号后输出。与传统正交调制器技术相比，本发明的本振正交产生采用多相滤波器方法，采用电阻和电容实现，芯片面积更小，并且可实现超宽带操作，涵盖50MHz～6GHz的本振输入频率范围；边带抑制约为-50dBc，载波泄露约为-40dBm，可在宽带工作频率范围内达到出色的调制性能。混频器模块采用电感峰化，差分转单端模块采用宽带有源巴伦结构，实现增益补偿和高线性度。
附图说明
图1是本发明提供的高线性度宽带正交调制器的结构示意图；
图2是高线性度宽带正交调制器中移相器模块的结构示意图；
图3是移相器模块中多相滤波器的电路示意图；
图4是移相器模块中限幅放大器的电路示意图；
图5是高线性度宽带正交调制器中混频器模块的电路示意图；
图6是高线性度宽带正交调制器中差分转单端模块的电路示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种高线性度宽带正交调制器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供了一种高线性度宽带正交调制器，其结构如图1所示，包括移相器模块、混频器模块和差分转单端模块，可实现50MHz～6GHz宽带工作频率。所述移相器模块对本振差分输入信号LOP和LON进行移相，生成本振正交信号输出；所述混频器模块将所述移相器模块的输出信号以及基带输入信号BBIP、BBIN、BBQP、BBQN进行混频输出；所述差分转单端模块将所述混频器模块的输出差分信号转化为单端信号后输出RFout。
所述移相器模块的原理如图2所示，包括多相滤波器以及两个限幅放大器。具体的请参阅图3，所述多相滤波器包括电容C1～C12、电阻R1～R12；电容C1、C2、C3、C4的第一端分别和电阻R1、R2、R3、R4的第一端相连，电容C1、C2、C3、C4的第二端分别和电阻R2、R3、R4、R1的第二端相连；电阻R1和R2的第一端互连，电阻R3和R4的第一端互连；电容C5、C6、C7、C8的第一端分别和电阻R5、R6、R6、R8的第一端相连，电容C5、C6、C7、C8的第二端分别和电阻R6、R7、R8、R5的第二端相连；电容C9、C10、C11、C12的第一端分别和电阻R9、R10、R11、R12的第一端相连，电容C9、C10、C11、C12的第二端分别和电阻R10、R11、R12、R9的第二端相连。另外，电阻R5的第一端连接电阻R1的第二端，电阻R6的第一端连接电阻R2的第二端，电阻R7的第一端连接电阻R3的第二端，电阻R8的第一端连接电阻R4的第二端，电阻R9的第一端连接电阻R5的第二端，电阻R10的第一端连接电阻R6的第二端，电阻R11的第一端连接电阻R7的第二端，电阻R12的第一端连接电阻R8的第二端。两个限幅放大器的结果相同，请参阅图4，每个限幅放大器分别包括三极管Q1～Q16、电阻R13～R26和电容C13；三极管Q1和Q2的集电极分别连接电阻R14和R15的第二端，电阻R14和R15的第一端通过电阻R13接VDD，三极管Q1和Q2的发射极均接三极管Q3的集电极；三极管Q5的基极接三极管Q1的集电极，发射极接三极管Q7的集电极；三极管Q6的基极接三极管Q2的集电极，发射极接三极管Q8的集电极；三极管Q5和Q6的集电极均接三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极和集电极均接VDD；三极管Q3、Q7、Q8的基极均接偏置电压VB1，发射极分别通过电阻R16、R17、R18接地GND；三极管Q9的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q10的基极连接三极管Q6的发射极，三极管Q9和Q10的集电极分别连接电阻R20和R21的第二端，电阻R20和R21的第一端通过电阻R19接VDD，三极管Q9和Q10的发射极分别通过电阻R22和R23连接至三极管Q11的集电极，电容C13的两端分别连接三极管Q9和Q10的发射极；三极管Q13的基极接三极管Q9的集电极，发射极接三极管Q15的集电极；三极管Q14的基极接三极管Q10的集电极，发射极接三极管Q16的集电极；三极管Q13和Q14的集电极均接Q12的发射极，Q12的基极和集电极接VDD；三极管Q11、Q15、Q16的基极均接偏置电压VB2，发射极分别通过电阻R24、R25、R26接地GND。
所述混频器模块采用吉尔伯特单元，请参阅图5，所述混频器模块包括三极管Q17～Q28、电阻R27～R32、电感L1和L2和电容C18～C21；三极管Q17、Q19、Q21和Q23的集电极均依次通过电阻R28和电感L2连接至VDD；三极管Q18、Q20、Q22、Q24的集电极均依次通过电阻R27和电感L1连接至VDD；三极管Q17和Q20的基极互连，三极管Q18和Q19的基极互连，三极管Q21和Q24的基极互连，三极管Q22和Q23的基极互连；三极管Q17和Q18的发射极均连接至三极管Q25的集电极，三极管Q25的发射极通过电阻R29接地GND；三极管Q19和Q20的发射极均连接至三极管Q26的集电极，三极管Q26的发射极通过电阻R30接地GND；三极管Q21和Q22的发射极均连接至三极管Q27的集电极，三极管Q27的发射极通过电阻R31接地GND；三极管Q23和Q24的发射极均连接至三极管Q28的集电极，三极管Q28的发射极通过电阻R32接地GND。三极管Q25的基极通过电容C18接GND，三极管Q26的基极通过电容C19接GND，三极管Q27的基极通过电容C20接GND，三极管Q28的基极通过电容C21接GND。
请参阅图6，所述差分转单端模块包括三极管Q29～Q33、电阻R33～R38、电容C14～C17和电感L3；三极管Q29的基极连接电容C14和电阻R34的第一端，集电极连接VDD，发射极依次通过电阻R33和电感L3连接至三极管Q33的集电极，电阻R34的第二端接VDD；三极管Q30的基极连接至电容C15和电阻R35的第一端，发射极通过电阻R34接GND，集电极连接至三极管Q33的发射极；电阻R35的第二端连接至三极管Q31的发射极、电阻R36的第一端和电容C16的第一端，电容C16的第二端连接到GND，电阻R36的第二端连接到三极管Q32的基极，三极管Q31的基极连接三极管Q32的集电极、电阻R37的第一端、三极管Q33的基极和电容C17的第一端，电容C17的第二端连接到GND，电阻R37的第二端接VDD，三极管Q31的集电极接VDD，三极管Q32的发射极通过电阻R38接GND。
如图2所示，本振差分输入信号LOP和LON经过多相滤波器进行移相，生成四路相位相差90°的正交差分信号IP、IN、QP和QN；这四路信号经过限幅放大器对正交差分信号的幅度、相位失配进行校准，得到最终的本振正交信号LOIP、LOIN、LOQP、LOQN作为混频器开关级的输入信号。
如图5所示，输入四路正交差分BB信号BBIP、BBIN、BBQP、BBQN作为所述混频器模块的基带输入信号。电阻R29、R30、R31、R32分别为三极管Q25、Q26、Q27、Q28的发射极负反馈，能有效提高跨导级的线性度；输出差分两端由负载电阻(即电阻R27和R28，电感L1和L2)连接。最后一级的差分转单端模块采用有源巴伦结构，如图6所示。将混频器模块输出的差分信号转换为单端信号后输出。
本发明的高线性度宽带正交调制器采用SiGe工艺设计流片，在本实施例中的电源电压为5V，涵盖从50MHz到6GHz的工作频率范围。在2GHz时，其输出1dB压缩点为14.7dBm，输出三阶交调点为24.5dBm，二阶交调点为73dBm，具有出色的线性度性能。本振采用多相滤波器实现移相，从而可实现超宽带操作。边带抑制约为-50dBc，载波泄露约为-40dBm，可在宽带工作频率范围内达到出色的调制性能。混频器模块采用电感峰化，差分转单端模块采用宽带有源巴伦结构，实现增益补偿和高线性度，可实现-0.9dB的电压增益。
本发明提出的高线性度宽带正交调制器，适用于50MHz～6GHz工作频率的高性能正交调制器的设计，可基于现有成熟的SiGe工艺平台，实现宽带、高线性度、低误差性能之间的折衷。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (7)

1.一种高线性度宽带正交调制器，其特征在于，包括：
移相器模块，对本振差分输入信号进行移相，生成本振正交信号输出；
混频器模块，将所述移相器模块的输出信号以及基带输入信号进行混频输出；
差分转单端模块，将所述混频器模块的输出差分信号转化为单端信号后输出。
2.如权利要求1所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述移相器模块包括依次相连的多相滤波器和限幅放大器；所述多相滤波器对本振差分输入信号进行移相，生成正交差分信号；所述限幅放大器对正交差分信号的幅度、相位失配进行校准，得到本振正交信号输出。
3.如权利要求2所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述多相滤波器包括电容C1～C12、电阻R1～R12；
电容C1、C2、C3、C4的第一端分别和电阻R1、R2、R3、R4的第一端相连，电容C1、C2、C3、C4的第二端分别和电阻R2、R3、R4、R1的第二端相连；电阻R1和R2的第一端互连，电阻R3和R4的第一端互连；电容C5、C6、C7、C8的第一端分别和电阻R5、R6、R6、R8的第一端相连，电容C5、C6、C7、C8的第二端分别和电阻R6、R7、R8、R5的第二端相连；电容C9、C10、C11、C12的第一端分别和电阻R9、R10、R11、R12的第一端相连，电容C9、C10、C11、C12的第二端分别和电阻R10、R11、R12、R9的第二端相连；
电阻R5的第一端连接电阻R1的第二端，电阻R6的第一端连接电阻R2的第二端，电阻R7的第一端连接电阻R3的第二端，电阻R8的第一端连接电阻R4的第二端，电阻R9的第一端连接电阻R5的第二端，电阻R10的第一端连接电阻R6的第二端，电阻R11的第一端连接电阻R7的第二端，电阻R12的第一端连接电阻R8的第二端。
4.如权利要求2所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述限幅放大器模块包括三极管Q1～Q16、电阻R13～R26和电容C13；
三极管Q1和Q2的集电极分别连接电阻R14和R15的第二端，电阻R14和R15的第一端通过电阻R13接VDD，三极管Q1和Q2的发射极均接三极管Q3的集电极；三极管Q5的基极接三极管Q1的集电极，发射极接三极管Q7的集电极；三极管Q6的基极接三极管Q2的集电极，发射极接三极管Q8的集电极；
三极管Q5和Q6的集电极均接三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极和集电极均接VDD；三极管Q3、Q7、Q8的基极均接偏置电压VB1，发射极分别通过电阻R16、R17、R18接地GND；三极管Q9的基极连接三极管Q5的发射极，三极管Q10的基极连接三极管Q6的发射极，
三极管Q9和Q10的集电极分别连接电阻R20和R21的第二端，电阻R20和R21的第一端通过电阻R19接VDD，三极管Q9和Q10的发射极分别通过电阻R22和R23连接至三极管Q11的集电极，电容C13的两端分别连接三极管Q9和Q10的发射极；三极管Q13的基极接三极管Q9的集电极，发射极接三极管Q15的集电极；三极管Q14的基极接三极管Q10的集电极，发射极接三极管Q16的集电极；
三极管Q13和Q14的集电极均接Q12的发射极，Q12的基极和集电极接VDD；三极管Q11、Q15、Q16的基极均接偏置电压VB2，发射极分别通过电阻R24、R25、R26接地GND。
5.如权利要求1所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述混频器模块采用吉尔伯特单元，包括三极管Q17～Q28、电阻R27～R32、电感L1和L2、电容C18～C21；
三极管Q17、Q19、Q21和Q23的集电极均依次通过电阻R28和电感L2连接至VDD；三极管Q18、Q20、Q22、Q24的集电极均依次通过电阻R27和电感L1连接至VDD；
三极管Q17和Q20的基极互连，三极管Q18和Q19的基极互连，三极管Q21和Q24的基极互连，三极管Q22和Q23的基极互连；三极管Q17和Q18的发射极均连接至三极管Q25的集电极，三极管Q25的发射极通过电阻R29接地GND；三极管Q19和Q20的发射极均连接至三极管Q26的集电极，三极管Q26的发射极通过电阻R30接地GND；三极管Q21和Q22的发射极均连接至三极管Q27的集电极，三极管Q27的发射极通过电阻R31接地GND；三极管Q23和Q24的发射极均连接至三极管Q28的集电极，三极管Q28的发射极通过电阻R32接地GND；
三极管Q25的基极通过电容C18接GND，三极管Q26的基极通过电容C19接GND，三极管Q27的基极通过电容C20接GND，三极管Q28的基极通过电容C21接GND。
6.如权利要求1所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述差分转单端模块包括三极管Q29～Q33、电阻R33～R38、电容C14～C17和电感L3；
三极管Q29的基极连接电容C14和电阻R34的第一端，集电极连接VDD，发射极依次通过电阻R33和电感L3连接至三极管Q33的集电极，电阻R34的第二端接VDD；三极管Q30的基极连接至电容C15和电阻R35的第一端，发射极通过电阻R34接GND，集电极连接至三极管Q33的发射极；电阻R35的第二端连接至三极管Q31的发射极、电阻R36的第一端和电容C16的第一端，电容C16的第二端连接到GND，电阻R36的第二端连接到三极管Q32的基极，三极管Q31的基极连接三极管Q32的集电极、电阻R37的第一端、三极管Q33的基极和电容C17的第一端，电容C17的第二端连接到GND，电阻R37的第二端接VDD，三极管Q31的集电极接VDD，三极管Q32的发射极通过电阻R38接GND。
7.如权利要求2所述的高线性度宽带正交调制器，其特征在于，所述多相滤波器生成的正交差分信号为四路，且相位相差90°。
CN202210445165.4A 2022-04-26 2022-04-26 一种高线性度宽带正交调制器 Pending CN114726317A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210445165.4A CN114726317A (zh) 2022-04-26 2022-04-26 一种高线性度宽带正交调制器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210445165.4A CN114726317A (zh) 2022-04-26 2022-04-26 一种高线性度宽带正交调制器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114726317A true CN114726317A (zh) 2022-07-08

Family

ID=82245019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210445165.4A Pending CN114726317A (zh) 2022-04-26 2022-04-26 一种高线性度宽带正交调制器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114726317A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Blaakmeer et al. The blixer, a wideband balun-LNA-I/Q-mixer topology
CN107786168B (zh) 一种高增益高隔离毫米波双平衡无源亚谐波混频器
Koh et al. Subharmonically pumped CMOS frequency conversion (up and down) circuits for 2-GHz WCDMA direct-conversion transceiver
JP2003152563A (ja) ダイレクトコンバージョン送信回路及び集積化送受信回路
Rao et al. An ultra-wideband high-linearity CMOS mixer with new wideband active baluns
Lee et al. A 120 GHz I/Q transmitter front-end in a 40 nm CMOS for wireless chip to chip communication
Meng et al. A fully integrated 150-GHz transceiver front-end in 65-nm CMOS
US20050062540A1 (en) Amplifier and frequency converter
Maeda et al. A low-power dual-band triple-mode WLAN CMOS transceiver
Nam et al. A compact I/Q upconversion chain for a 5G wireless transmitter in 65-nm CMOS technology
Trinh et al. A 260–300-GHz mixer-first IQ receiver with fundamental LO driver in 130-nm SiGe process
CN114421894B (zh) 一种宽带正交混频器
CN114726317A (zh) 一种高线性度宽带正交调制器
Gadallah et al. A 250-300 GHz Frequency Multiplier-by-8 Chain in SiGe Technology
Naskas et al. Wideband mmWave transceiver IC for 5G radios
CN116015332A (zh) 一种毫米波双频带镜像抑制接收机及接收方法
CN113965167A (zh) 一种适用于5g通信系统的超宽带镜像抑制混频器
Kuo et al. A 40-GHz high linearity transmitter in 65-nm CMOS technology with 32-dBm OIP3
Johnson et al. A packaged SiGe x2 sub-harmonic mixer for U-NII band applications
Lee et al. H-band down-conversion and up-conversion mixers with wide IF bandwidth
CN114094941B (zh) 一种高精度宽带正交解调器
Naik et al. A 1 V Double-Balanced Mixer for 2.4-2.5 GHz ISM Band Applications
Sah et al. A low power 8 th sub-harmonic injection locked receiver for mm-Wave beamforming applications
Jiang et al. A High-Linear Radio Frequency Quadrature Modulator with Improved Sideband Suppression and Carrier Leakage Performance
Choi et al. A 5.8 GHz SiGe HBT direct-conversion I/Q-channel sub-harmonic mixer for low power and simplified receiver architecture

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination