CN114696091A - 高整合度场型可变化多天线阵列 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高整合度场型可变化多天线阵列，包含接地导体结构、第一、第二天线阵列以及阵列共构接地结构。第一天线阵列的其中一第一倒L型共振结构具有第一馈入点，其他的第一倒L型共振结构各自具有第一开关并且电气连接或耦接于接地导体结构。第二天线阵列的其中一第二倒L型共振结构具有第二馈入点，其他的第二倒L型共振结构均各自具有第二开关并且电气连接或耦接于接地导体结构。第一、第二天线阵列分别产生第一、第二共振模态。第二以及第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，并且具有阵列共构电容性结构电气连接或耦接于接地导体结构。

Description

高整合度场型可变化多天线阵列

技术领域

本发明涉及一种高整合度多天线设计，特别是涉及一种能场型可变化的高整合度多天线阵列设计架构。

背景技术

由于无线通信信号质量与传输速度需求的不断提升，导致了多输入多输出(MIMO，Multi-Input Multi-Output System)多天线技术的快速发展。多输入多输出(MIMO)多天线技术有机会能提高频谱效率，增加信道容量及数据传输速率，并且有机会通过多天线配置来提升无线通信的接收信号可靠度。除此之外，具有辐射场型变化特性的波束成型天线阵列技术，由于有机会能够通过产生多样化的辐射波束指向性，来降低同频段中不同无线通信数据传流之间的破坏干扰，因此波束成型天线阵列技术与多输入多输出多天线技术均已成为下世代Multi-Gbps通信系统的发展重点。

在现有技术文献中，已分别有许多波束成型天线阵列架构以及多输入多输出多天线技术被发表。然而，要如何才能够成功将波束成型天线阵列以及多输入多输出多天线技术两种不同架构的技术功能性互补整合，并同时能具有高整合度、良好匹配以及降低无线通信信道环境变化干扰的优势，却是一项不易克服的技术挑战，也是目前有待解决的一项重要课题。因为许多波束成型天线阵列架构的场型切换机制，容易造成多输入多输出多天线系统的近场耦合能量干扰。因此需要一种可以解决上述这些考虑的设计方式，以满足未来高数据传输速度多天线通信装置或设备的实际应用需求。

发明内容

有鉴于此，本公开的实施范例公开一种高整合度场型可变化多天线阵列。依据范例的一些实作例能解决上述等技术考虑。

根据一实施范例，本公开提出一种高整合度场型可变化多天线阵列。所述高整合度场型可变化多天线阵列，包含一接地导体结构、一第一天线阵列、一第二天线阵列以及一阵列共构接地结构。所述第一天线阵列包含多个第一倒L型共振结构。所述多个第一倒L型共振结构均各自具有一第一共振路径。其中一第一倒L型共振结构具有一第一馈入点，其他的第一倒L型共振结构均各自具有一第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。所述第一开关具有一第一开关中心点。所述第一天线阵列产生一第一共振模态。所述第二天线阵列包含多个第二倒L型共振结构。所述多个第二倒L型共振结构均各自具有一第二共振路径，其中一第二倒L型共振结构具有一第二馈入点，其他的第二倒L型共振结构均各自具有一第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。所述第二开关具有一第二开关中心点。所述第二天线阵列产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构具有一阵列共构电容性结构，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构、其中一第二倒L型共振结构以及所述接地导体结构。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列1的结构图。

图2为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列2的结构图。

图3A为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的结构图。

图3B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的返回损失曲线图。

图3C为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123导通、所述第一开关3133导通、所述第二开关3223导通以及所述第二开关3233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3D为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123不导通、所述第一开关3133不导通、所述第二开关3223不导通以及所述第二开关3233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3E为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123不导通、所述第一开关3133不导通、所述第二开关3223导通以及所述第二开关3233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3F为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123导通、所述第一开关3133导通、所述第二开关3223不导通以及所述第二开关3233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3G为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123不导通、所述第一开关3133不导通、所述第二开关3223不导通以及所述第二开关3233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3H为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123不导通、所述第一开关3133导通、所述第二开关3223不导通以及所述第二开关3233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图3I为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3在所述第一开关3123不导通、所述第一开关3133导通、所述第二开关3223不导通以及所述第二开关3233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4A为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的结构图。

图4B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的返回损失曲线图。

图4C为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123导通、所述第一开关4133导通、所述第二开关4223导通以及所述第二开关4233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4D为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123导通、所述第一开关4133不导通、所述第二开关4223导通以及所述第二开关4233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4E为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123导通、所述第一开关4133不导通、所述第二开关4223不导通以及所述第二开关4233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4F为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123不导通、所述第一开关4133导通、所述第二开关4223不导通以及所述第二开关4233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4G为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123导通、所述第一开关4133不导通、所述第二开关4223不导通以及所述第二开关4233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4H为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123不导通、所述第一开关4133导通、所述第二开关4223导通以及所述第二开关4233不导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图4I为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4在所述第一开关4123不导通、所述第一开关4133不导通、所述第二开关4223导通以及所述第二开关4233导通情况下的2D辐射场型曲线图。

图5为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列5的结构图。

图6为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列6的结构图。

图7为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列7的结构图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

本公开提出一种高整合度场型可变化多天线阵列。所述高整合度场型可变化多天线阵列，包含一接地导体结构、一第一天线阵列、一第二天线阵列以及一阵列共构接地结构。所述第一天线阵列包含多个第一倒L型共振结构。所述多个第一倒L型共振结构均各自具有一第一共振路径。其中一第一倒L型共振结构具有一第一馈入点，其他的第一倒L型共振结构均各自具有一第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。所述第一开关具有一第一开关中心点。所述第一天线阵列产生一第一共振模态。所述第二天线阵列包含多个第二倒L型共振结构。所述多个第二倒L型共振结构均各自具有一第二共振路径，其中一第二倒L型共振结构具有一第二馈入点，其他的第二倒L型共振结构均各自具有一第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。所述第二开关具有一第二开关中心点。所述第二天线阵列产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构具有一阵列共构电容性结构，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构、其中一第二倒L型共振结构以及所述接地导体结构。

为了能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本发明所提出所述高整合度场型可变化多天线阵列，通过设计其中所述第一倒L型共振结构具有一第一开关并且电气连接所述接地导体结构，以及设计其中所述第二倒L型共振结构具有一第二开关并且电气连接所述接地导体结构，以及改变所述第一开关以及所述第二开关于导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列以及所述第二天线阵列辐射场型变化的效果。并通过设计所述阵列共构接地结构具有所述阵列共构电容性结构，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构、其中一第二倒L型共振结构以及所述接地导体结构，来成功减少所述第一天线阵列以及所述第二天线阵列的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列以及所述第二天线阵列之间的相互耦合程度，以及降低所述第一开关以及所述第二开关在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。因此本发明所提出所述高整合度场型可变化多天线阵列1，能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。

图1为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列1的结构图。如图1所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列1，包含一接地导体结构10、一第一天线阵列11、一第二天线阵列12以及一阵列共构接地结构13。所述第一天线阵列11包含多个第一倒L型共振结构111、112。所述多个第一倒L型共振结构111、112均各自具有一第一共振路径1111、1121。其中一第一倒L型共振结构111具有一第一馈入点1112，另一第一倒L型共振结构112具有一第一开关1123并且电气连接或耦接在所述接地导体结构10，具有电气连接点1126。所述第一开关1123具有一第一开关中心点1124。所述第一天线阵列11产生一第一共振模态。所述第二天线阵列12包含多个第二倒L型共振结构121、122。所述多个第二倒L型共振结构121、122均各自具有一第二共振路径1211、1221，其中一第二倒L型共振结构121具有一第二馈入点1212，另一第二倒L型共振结构122具有一第二开关1223并且电气连接或耦接在所述接地导体结构10，具有电气连接点1226。所述第二开关1223具有一第二开关中心点1224。所述第二天线阵列12产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构13具有一阵列共构电容性结构133，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构111、其中一第二倒L型共振结构121以及所述接地导体结构10，所述第一倒L型共振结构111具有所述第一馈入点1112，所述第二倒L型共振结构121具有所述第二馈入点1212。其中，具有电气连接点131、132、136。所述阵列共构电容性结构133为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构111、112或所述多个第二倒L型共振结构121、122也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态以及所述第二共振模态的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点1112与其相邻的第一开关中心点1124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。所述第二馈入点1212与其相邻的第二开关中心点1224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。各所述第一共振路径1111、1121的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径1211、1221的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关1123以及所述第二开关1223可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点1112以及所述第二馈入点1212各自通过第一传输线1411、1421电气连接或耦接于一第一电路14，具有电气连接点141、142。所述第一传输线1411、1421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路14可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关1123以及各所述第二开关1223各自通过第二传输线1511、1521电气连接或耦接于一第二电路15，具有电气连接点151、152。所述第二传输线1511、1521可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路15可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

为了能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列1，通过设计其中所述第一倒L型共振结构112具有一第一开关1123并且电气连接所述接地导体结构10，以及设计其中所述第二倒L型共振结构122具有一第二开关1223并且电气连接所述接地导体结构10，以及改变所述第一开关1123以及所述第二开关1223在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12辐射场型变化的效果。并通过设计所述阵列共构接地结构13具有所述阵列共构电容性结构133，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构111、其中一第二倒L型共振结构121以及所述接地导体结构10，来成功减少所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12之间的相互耦合程度，以及降低所述第一开关1123以及所述第二开关1223在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列1，同时通过设计所述第一馈入点1112与其相邻的第一开关中心点1124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及通过设计所述第二馈入点1212与其相邻的第二开关中心点1224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间，来降低所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串传流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列1，并通过设计各所述第一共振路径1111、1121的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径1211、1221的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列11产生所述第一共振模态以及所述第二天线阵列12产生所述第二共振模态具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12于所述第一通信频段中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列1，能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开所述高整合度场型可变化多天线阵列1可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12可配置在所述接地导体结构10的同一侧边，所述第一天线阵列11以及所述第二天线阵列12也可配置在所述接地导体结构10相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图2为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列2的结构图。如图2所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列2，包含一接地导体结构20、一第一天线阵列21、一第二天线阵列22以及一阵列共构接地结构23。所述第一天线阵列21包含多个第一倒L型共振结构211、212、213。所述多个第一倒L型共振结构211、212、213均各自具有一第一共振路径2111、2121、2131。其中一第一倒L型共振结构211具有一第一馈入点2112，其他的第一倒L型共振结构212、213均各自具有一第一开关2123、2133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构20，具有电气连接点2126、2136。所述第一开关2123、2133均各自具有一第一开关中心点2124、2134。所述第一天线阵列21产生一第一共振模态。所述第二天线阵列22包含多个第二倒L型共振结构221、222、223。所述多个第二倒L型共振结构221、222、223均各自具有一第二共振路径2211、2221、2231，其中一第二倒L型共振结构221具有一第二馈入点2212，其他的第二倒L型共振结构222、223均各自具有一第二开关2223、2233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构20，具有电气连接点2226、2236。所述第二开关2223、2233均各自具有一第二开关中心点2224、2234。所述第二天线阵列22产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构23具有一阵列共构电容性结构233，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构211、其中一第二倒L型共振结构221以及所述接地导体结构20，所述第一倒L型共振结构211具有所述第一馈入点2112，所述第二倒L型共振结构221具有所述第二馈入点2212。其中，具有电气连接点231、232、236。所述阵列共构电容性结构233为一间隙耦合电容结构，所述间隙耦合电容结构之间隙小于或等于所述第一通信频段最低操作频率的0.02波长。所述多个第一倒L型共振结构211、212、213或所述多个第二倒L型共振结构221、222、223也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态以及所述第二共振模态的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点2112与其相邻的第一开关中心点2124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第一开关中心点2124、2234之间均具有一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。所述第二馈入点2212与其相邻的第二开关中心点2224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点2224、2234之间具有一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径2111、2121、2131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径2211、2221、2231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关2123、2133以及所述第二开关2223、2233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点2112以及所述第二馈入点2212各自通过第一传输线2411、2421电气连接或耦接于一第一电路24，具有电气连接点241、242。所述第一传输线2411、2421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路24可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关2123、2133以及各所述第二开关2223、2233各自通过第二传输线2511、2521、2531、2541电气连接或耦接于一第二电路25，具有电气连接点251、252、253、254。所述第二传输线2511、2521、2531、2541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路25可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图2中本公开实施所述高整合度场型可变化多天线阵列2，虽然其所述第一倒L型共振结构212的配置方向与所述高整合度场型可变化多天线阵列1的所述第一倒L型共振结构112的配置方向有所差异。此外，所述高整合度场型可变化多天线阵列2增加配置了所述第一倒L型共振结构213与所述第一开关2133，以及增加配置了所述第二倒L型共振结构223与所述第一开关2233。并且所述高整合度场型可变化多天线阵列2的所述阵列共构电容性结构233为一间隙耦合电容结构，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列1的所述阵列共构电容性结构133有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列2，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构212、213均各自具有一第一开关2123、2133并且电气连接所述接地导体结构20，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构222、223均各自具有一第二开关2223、2233并且电气连接所述接地导体结构20，以及改变各所述第一开关2123、2133以及各所述第二开关2223、2233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22辐射场型变化的效果。并同样通过设计所述阵列共构接地结构23具有所述阵列共构电容性结构233，并且电气连接相邻的其中一所述第一倒L型共振结构211、其中一所述第二倒L型共振结构221以及所述接地导体结构20，来成功减少所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关2123、2133以及各所述第二开关2223、2233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列2，同时通过设计所述第一馈入点2112与其相邻的第一开关中心点2124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻的各所述第一开关中心点2124、2134之间均具有一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。并同时通过设计所述第二馈入点2212与其相邻的第二开关中心点2224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻的各所述第二开关中心点2224、2234之间均具有一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列2，并同样通过设计各所述第一共振路径2111、2121、2131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径2211、2221、2231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列21产生所述第一共振模态以及所述第二天线阵列22产生所述第二共振模态具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22于所述第一通信频段中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列2，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开高整合度场型可变化多天线阵列2可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22可配置在所述接地导体结构20的同一侧边，所述第一天线阵列21以及所述第二天线阵列22也可配置在所述接地导体结构20相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图3A为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的结构图。图3B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的返回损失曲线图。图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I分别为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233在不同导通或不导通情况下的2D辐射场型曲线图。如图3A以及图3B所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列3，包含一接地导体结构30、一第一天线阵列31、一第二天线阵列32以及一阵列共构接地结构33。所述第一天线阵列31包含多个第一倒L型共振结构311、312、313。所述多个第一倒L型共振结构311、312、313均各自具有一第一共振路径3111、3121、3131。其中一第一倒L型共振结构311具有一第一馈入点3112，其他的第一倒L型共振结构312、313均各自具有一第一开关3123、3133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构30，具有电气连接点3126、3136。所述第一倒L型共振结构311的短边具有部分的蜿蜒共振路径。其中所述第一倒L型共振结构311具有一第一电容结构3115，所述第一电容结构3115为集总电容组件或芯片电容组件。各所述第一开关3123、3133均各自具有一第一开关中心点3124、3134。所述第一天线阵列31产生一第一共振模态31121(如图3B所示)。所述第二天线阵列32包含多个第二倒L型共振结构321、322、323。所述多个第二倒L型共振结构321、322、323均各自具有一第二共振路径3211、3221、3231，其中一第二倒L型共振结构321具有一第二馈入点3212，其他的第二倒L型共振结构322、323均各自具有一第二开关3223、3233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构30，具有电气连接点3226、3236。所述第一倒L型共振结构321的短边具有部分的蜿蜒共振路径。其中所述第二倒L型共振结构321具有一第二电容结构3215，所述第二电容结构3215为集总电容组件或芯片电容组件。各所述第二开关3223、3233均各自具有一第二开关中心点3224、3234。所述第二天线阵列32产生一第二共振模态32121(如图3B所示)。所述第二共振模态32121以及所述第一共振模态31121涵盖至少一相同的第一通信频段31325(如图3B所示)。所述阵列共构接地结构33具有一阵列共构电容性结构333，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构311、其中一第二倒L型共振结构321以及所述接地导体结构30，所述第一倒L型共振结构311具有所述第一馈入点3112，所述第二倒L型共振结构321具有所述第二馈入点3212。其中，具有电气连接点331、332、336。所述阵列共构电容性结构333为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构311、312、313或所述多个第二倒L型共振结构321、322、323也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态31121以及所述第二共振模态32121的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点3112与其相邻的第一开关中心点3124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第一开关中心点3124、3134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。所述第二馈入点3212与其相邻的第二开关中心点3224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点3224、3234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径3111、3121、3131的长度介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径3211、3221、3231的长度介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关3123、3133以及所述第二开关3223、3233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点3112以及所述第二馈入点3212各自通过第一传输线3411、3421电气连接或耦接在一第一电路34，具有电气连接点341、342。所述第一传输线3411、3421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路34激发所述第一天线阵列31产生所述第一共振模态31121及激发所述第二天阵列线32产生所述第二共振模态32121(如图3B所示)。所述第一电路34可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233各自通过第二传输线3511、3521、3531、3541电气连接或耦接在一第二电路35，具有电气连接点351、352、353、354。所述第二传输线3511、3521、3531、3541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路35可控制各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233在不同导通或不导通的情况。所述第二电路35可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图3A中本公开实施各所述高整合度场型可变化多天线阵列3，虽然其所述多个第一倒L型共振结构311、312、313以及所述多个第二倒L型共振结构321、322、323的配置方向与形状，与所述高整合度场型可变化多天线阵列2的所述多个第一倒L型共振结构211、212、213以及所述多个第二倒L型共振结构221、222、223的配置方向与形状不完全相同。此外，所述高整合度场型可变化多天线阵列3其中所述第一倒L型共振结构311配置具有一第一电容结构3115，以及其中所述第二倒L型共振结构321配置具有一第二电容结构3215。并且所述高整合度场型可变化多天线阵列3的所述阵列共构电容性结构333为一集总电容组件或芯片电容组件，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列2的所述阵列共构电容性结构233有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列3，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构312、313均各自具有一第一开关3123、3133并且电气连接所述接地导体结构30，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构322、323均各自具有一第二开关3223、3233并且电气连接所述接地导体结构30，以及改变各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32辐射场型变化的效果。并同样通过设计所述阵列共构接地结构33具有所述阵列共构电容性结构333，并且电气连接相邻的其中一所述第一倒L型共振结构311、其中一所述第二倒L型共振结构321以及所述接地导体结构30，来成功减少所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列3，同样通过设计所述第一馈入点3112与其相邻的第一开关中心点3124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻的各所述第一开关中心点3124、3134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。并通过设计所述第二馈入点3212与其相邻的第二开关中心点3224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第二开关中心点3224、3234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列3，并同样通过设计各所述第一共振路径3111、3121、3131的长度介于所述第一通信频段31325最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径3211、3221、3231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列31产生所述第一共振模态31121以及所述第二天线阵列32产生所述第二共振模态32121具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32在所述第一通信频段31325中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列3，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。

图3B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的返回损失曲线图。其选择下列尺寸进行实验:所述接地导体结构长度约200mm为，宽度约为150mm；所述多个第一共振路径3111、3121、3131的长度分别约为17.25mm、16.75mm以及16.75mm；所述第一间距d11224的距离约为15.44mm；所述第二间距d12434的距离约为15mm；所述多个第二共振路径3211、3221、3231的长度分别约为17.25mm、16.75mm以及16.75mm；所述第三间距d21224的距离约为15.44mm；所述第四间距d22434的距离约为15mm；所述阵列共构电容性结构333的电容值约为1.2pF。如图3B所示，所述第一天线阵列31可成功产生一第一共振模态31121，所述第二天线阵列32可成功产生一第二共振模态32121，并且所述第一共振模态31121及所述第二共振模态32121涵盖一相同的第一通信频段31325(3400MHz～3600MHz)，所述第一通信频段31325的最低操作频率为3400MHz。所述第一共振模态31121及所述第二共振模态32121，在所述第一通信频段31325中均达到良好的阻抗匹配成度，因此验证所述第一天线阵列31与所述第二天线阵列32均能达成不错的特性表现。

图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I分别为所述高整合度场型可变化多天线阵列3的各所述第一开关3123、3133以及各所述第二开关3223、3233在不同导通或不导通情况下的2D辐射场型曲线图。其中呈现了第一共振模态的2D辐射场型曲线31122以及第二共振模态的2D辐射场型曲线32122。由图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I所示可以清楚看到，所述高整合度场型可变化多天线阵列3能够成功多样化辐射场型变化的技术效果。

图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H及图3I所涵盖的通信系统频段操作以及实验数据，仅是为了实验证明图3A中本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列3的技术效果。并未用来限制本公开高整合度场型可变化多天线阵列3在实际应用情况所能涵盖的通信频段操作、应用与规格。本公开高整合度场型可变化多天线阵列3可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32可配置在所述接地导体结构30的同一侧边，所述第一天线阵列31以及所述第二天线阵列32也可配置在所述接地导体结构30相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图4A为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的结构图。图4B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的返回损失曲线图。图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I分别为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233在不同导通或不导通情况下的2D辐射场型曲线图。如图4A以及图4B所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列4，包含一接地导体结构40、一第一天线阵列41、一第二天线阵列42以及一阵列共构接地结构43。所述第一天线阵列41包含多个第一倒L型共振结构411、412、413。所述多个第一倒L型共振结构411、412、413均各自具有一第一共振路径4111、4121、4131。其中一第一倒L型共振结构411具有一第一馈入点4112，其他的第一倒L型共振结构412、413均各自具有一第一开关4123、4133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构40，具有电气连接点4126、4136。所述第一开关4123、4133均各自具有一第一开关中心点4124、4134。所述第一天线阵列41产生一第一共振模态41121(如图4B所示)。其中，各所述第一倒L型共振结构411、412、413并各自具有一第一电容性结构4115、4125、4135。各所述第一电容性结构4115、4125、4135均为间隙耦合电容结构。所述第一天线阵列41并具有一第一共构接地结构46，所述第一共构接地结构46电气连接其中二相邻的各所述第一倒L型共振结构412、413，并且具有一第一共构电容性结构463电气连接或耦接在所述接地导体结构40，具有电气连接点461、462、466。所述第二天线阵列42包含多个第二倒L型共振结构421、422、423。所述多个第二倒L型共振结构421、422、423均各自具有一第二共振路径4211、4221、4231。其中一第二倒L型共振结构421具有一第二馈入点4212，其他的第二倒L型共振结构422、423均各自具有一第二开关4223、4233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构40，具有电气连接点4226、4236。所述第二开关4223、4233均各自具有一第二开关中心点4224、4234。所述第二天线阵列42产生一第二共振模态42121(如图4B所示)。所述第二共振模态42121以及所述第一共振模态41121涵盖至少一相同的第一通信频段41425(如图4B所示)。其中，各所述第二倒L型共振结构421、422、423并各自具有一第二电容性结构4215、4225、4235。各所述第二电容性结构4215、4225、4235均为间隙耦合电容结构。所述第二天线阵列42并具有一第二共构接地结构47，所述第二共构接地结构47电气连接其中二相邻的各所述第二倒L型共振结构422、423，并且具有一第二共构电容性结构473电气连接或耦接在所述接地导体结构40，具有电气连接点471、472、476。各所述第一电容性结构4115、4125、4135以及各所述第二电容性结构4215、4225、4235之间隙耦合电容结构间隙均小于或等于所述第一通信频段最低操作频率的0.02波长。所述阵列共构接地结构43具有一阵列共构电容性结构433，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构411、一第二倒L型共振结构421以及所述接地导体结构40，所述第一倒L型共振结构411具有所述第一馈入点4112，所述第二倒L型共振结构421具有所述第二馈入点4212。其中，具有电气连接点431、432、436。所述阵列共构电容性结构433为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构411、412、413或所述多个第二倒L型共振结构421、422、423也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态41121以及所述第二共振模态42121的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点4112与其相邻的第一开关中心点4124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第一开关中心点4124、4134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。所述第二馈入点4212与其相邻的第二开关中心点4224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点4224、4234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径4111、4121、4131的长度介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径4211、4221、4231的长度介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关4123、4133以及所述第二开关4223、4233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点4112以及所述第二馈入点4212各自通过第一传输线4411、4421电气连接或耦接于一第一电路44具有电气连接点441、442。所述第一传输线4411、4421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路44激发所述第一天线阵列41产生所述第一共振模态41121及激发所述第二天阵列线42产生所述第二共振模态42121(如图4B所示)。所述第一电路44可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233各自通过第二传输线4511、4521、4531、4541电气连接或耦接在一第二电路45，具有电气连接点451、452、453、454。所述第二传输线4511、4521、4531、4541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路45可控制各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233在不同导通或不导通的情况。所述第二电路45可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图4A中本公开实施所述高整合度场型可变化多天线阵列4，虽然其所述多个第一倒L型共振结构411、412、413以及所述多个第二倒L型共振结构421、422、423的配置方向与形状，与所述高整合度场型可变化多天线阵列3的所述多个第一倒L型共振结构311、312、313以及所述多个第二倒L型共振结构321、322、323的配置方向与形状不完全相同。此外，所述高整合度场型可变化多天线阵列4其中各所述多个第一倒L型共振结构411、412、413均配置各自具有一第一电容结构4115、4125、4135，以及其中所述多个第二倒L型共振结构421、422、423均配置各自具有一第二电容结构4215、4225、4235。并且所述第一天线阵列41具有一第一共构接地结构46，以及所述第二天线阵列42具有一第二共构接地结构47，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列3之间有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列4，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构412、413均各自具有一第一开关4123、4133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构40，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构422、423均各自具有一第二开关4223、4233并且电气连获耦接在所述接地导体结构40，以及改变各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42辐射场型变化的效果。并且同样通过设计所述阵列共构接地结构43具有所述阵列共构电容性结构433，并且电气连接相邻的所述第一倒L型共振结构411、所述第二倒L型共振结构421以及所述接地导体结构40，来成功减少所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列4，同样通过设计所述第一馈入点4112与其相邻的第一开关中心点4124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第一开关中心点3124、3134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。并通过设计所述第二馈入点4212与其相邻的第二开关中心点4224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第二开关中心点4224、4234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列4，并通过设计各所述第一共振路径4111、4121、4131的长度介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径4211、4221、4231的长度介于所述第一通信频段41425最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列41产生所述第一共振模态41121以及所述第二天线阵列42产生所述第二共振模态42121具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42于所述第一通信频段41425中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列4，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。

图4B为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的返回损失曲线图。其选择下列尺寸进行实验:所述接地导体结构长度约300mm为，宽度约为220mm；所述多个第一共振路径4111、4121、4131的长度均约为19.8mm；所述第一间距d11224的距离约为21.7mm；所述第二间距d12434的距离约为25mm；所述多个第二共振路径4211、4221、4231的长度均约为19.8mm；所述第三间距d21224的距离约为21.7mm；所述第四间距d22434的距离约为25mm；所述阵列共构电容性结构433的电容值约为1pF。如图4B所示，所述第一天线阵列41可成功产生一第一共振模态41121，所述第二天线阵列42可成功产生一第二共振模态42121，并且所述第一共振模态41121及所述第二共振模态42121涵盖一相同的第一通信频段41425(2400MHz～2500MHz)，所述第一通信频段41425的最低操作频率为2400MHz。所述第一共振模态41121及所述第二共振模态42121，在所述第一通信频段41425中均达到良好的阻抗匹配成度，因此验证所述第一天线阵列41与所述第二天线阵列42均能达成不错的特性表现。

图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I分别为所述高整合度场型可变化多天线阵列4的各所述第一开关4123、4133以及各所述第二开关4223、4233在不同导通或不导通情况下的2D辐射场型曲线图。其中呈现了第一共振模态的2D辐射场型曲线41122以及第二共振模态的2D辐射场型曲线42122。由图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I所示可以清楚看到，所述高整合度场型可变化多天线阵列4也同样能够成功多样化辐射场型变化的技术效果。

图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H及图4I所涵盖的通信系统频段操作以及实验数据，仅是为了实验证明图4A中本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列4的技术效果。并未用来限制本公开高整合度场型可变化多天线阵列4在实际应用情况所能涵盖的通信频段操作、应用与规格。本公开高整合度场型可变化多天线阵列4可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42可配置在所述接地导体结构40的同一侧边，所述第一天线阵列41以及所述第二天线阵列42也可配置在所述接地导体结构40相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图5为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列5的结构图。如图5所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列5，包含一接地导体结构50、一第一天线阵列51、一第二天线阵列52以及一阵列共构接地结构53。所述第一天线阵列51包含多个第一倒L型共振结构511、512、513。所述多个第一倒L型共振结构511、512、513均各自具有一第一共振路径5111、5121、5131。其中一第一倒L型共振结构511具有一第一馈入点5112，其他的第一倒L型共振结构512、513均各自具有一第一开关5123、5133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构50，具有电气连接点5126、5136。所述第一开关5123、5133均各自具有一第一开关中心点5124、5134。所述第一天线阵列51产生一第一共振模态。其中，各所述第一倒L型共振结构511、512、513并各自具有一第一电容性结构5115、5125、5135。所述第一电容性结构5115、5135为集总电容组件或芯片电容组件。所述第一电容性结构5125为一间隙耦合电容结构。所述第一天线阵列51并具有一第一共构接地结构56，所述第一共构接地结构56电气连接其中二相邻的各所述第一倒L型共振结构512、513，并且具有一第一共构电容性结构563电气连接或耦接在所述接地导体结构50，具有电气连接点561、562、566。所述第一共构电容性结构563为一间隙耦合电容结构。所述第二天线阵列52包含多个第二倒L型共振结构521、522、523。所述多个第二倒L型共振结构521、522、523均各自具有一第二共振路径5211、5221、5231。其中一第二倒L型共振结构521具有一第二馈入点5212，其他的第二倒L型共振结构522、523均各自具有一第二开关5223、5233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构50，具有电气连接点5226、5236。所述第二开关5223、5233均各自具有一第二开关中心点5224、5234。所述第二天线阵列52产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。其中，各所述第二倒L型共振结构521具有一第二电容性结构5215。所述第二电容性结构5215为间隙耦合电容结构。所述第一电容性结构5125、所述第一共构电容性结构563以及所述第二电容性结构5215之间隙耦合电容结构间隙均小于或等于所述第一通信频段最低操作频率的0.02波长。所述高整合度场型可变化多天线阵列5并具有一寄生共振结构58，所述寄生共振结构58配置邻近于所述第二倒L型共振结构523并电气连接在所述接地导体结构50，具有电气连接点581。所述阵列共构接地结构53具有一阵列共构电容性结构533，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构511、一第二倒L型共振结构521以及所述接地导体结构50，所述第一倒L型共振结构511具有所述第一馈入点5112，所述第二倒L型共振结构521具有所述第二馈入点5212。其中，具有电气连接点531、532、536。所述阵列共构电容性结构533为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构511、512、513或所述多个第二倒L型共振结构521、522、523也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态以及所述第二共振模态的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点5112与其相邻的第一开关中心点5124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第一开关中心点5124、5134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。所述第二馈入点5212与其相邻的第二开关中心点5224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点5224、5234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径5111、5121、5131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径5211、5221、5231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关5123、5133以及所述第二开关5223、5233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点5112以及所述第二馈入点5212各自通过第一传输线5411、5421电气连接或耦接在一第一电路54，具有电气连接点541、542。所述第一传输线5411、5421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路54激发所述第一天线阵列51产生所述第一共振模态及激发所述第二天阵列线52产生所述第二共振模态。所述第一电路54可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关5123、5133以及各所述第二开关5223、5233各自通过第二传输线5511、5521、5531、5541电气连接或耦接在一第二电路55，具有电气连接点551、552、553、554。所述第二传输线5511、5521、5531、5541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电55可控制各所述第一开关5123、5133以及各所述第二开关5223、5233在不同导通或不导通的情况。所述第二电路55可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图5中本公开实施所述高整合度场型可变化多天线阵列5，虽然其所述多个第二倒L型共振结构521、522、523的配置方向与形状，与所述高整合度场型可变化多天线阵列4的所述多个第二倒L型共振结构421、422、423的配置方向与形状不完全相同。此外，所述第一电容性结构5115、5125、5135也与所述所述高整合度场型可变化多天线阵列4的所述多个第一电容性结构4115、4125、4135不完全相同。所述高整合度场型可变化多天线阵列5具有一寄生共振结构58，并且其中所述第二倒L型共振结构522、523均并不具有第二共构接地结构以及第二电容性结构，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列4之间有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列5，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构512、513均各自具有一第一开关5123、5133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构50，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构522、523均各自具有一第二开关5223、5233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构50，以及改变所述第一开关5123、5133以及所述第二开关5223、5233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52辐射场型变化的效果。并且同样通过设计所述阵列共构接地结构53具有所述阵列共构电容性结构533，并且电气连接相邻的所述第一倒L型共振结构511、所述第二倒L型共振结构521以及所述接地导体结构50，来成功减少所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关5123、5133以及各所述第二开关5223、5233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列5，同样通过设计所述第一馈入点5112与其相邻的第一开关中心点5124之间具有一第一间距d11224，所述第一间距d11224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第一开关中心点5124、5134之间均具有各自的一第二间距d12434，所述第二间距d12434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。并通过设计所述第二馈入点5212与其相邻的第二开关中心点5224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第二开关中心点5224、5234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列5，并通过设计各所述第一共振路径5111、5121、5131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径5211、5221、5231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列51产生所述第一共振模态以及所述第二天线阵列52产生所述第二共振模态具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52在所述第一通信频段中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列5，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开高整合度场型可变化多天线阵列5可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52可配置在所述接地导体结构50的同一侧边，所述第一天线阵列51以及所述第二天线阵列52也可配置在所述接地导体结构50相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图6为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列6的结构图。如图6所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列6，包含一接地导体结构60、一第一天线阵列61、一第二天线阵列62以及一阵列共构接地结构63。所述第一天线阵列61包含多个第一倒L型共振结构611、612、613。所述多个第一倒L型共振结构611、612、613均各自具有一第一共振路径6111、6121、6131。其中一第一倒L型共振结构611具有一第一馈入点6112，其他的第一倒L型共振结构612、613均各自具有一第一开关6123、6133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60，具有电气连接点6126、6136。所述第一开关6123、6133均各自具有一第一开关中心点6124、6134。所述第一天线阵列61产生一第一共振模态。所述第二天线阵列62包含多个第二倒L型共振结构621、622、623。所述多个第二倒L型共振结构621、622、623均各自具有一第二共振路径6211、6221、6231。其中一第二倒L型共振结构621具有一第二馈入点6212，其他的第二倒L型共振结构622、623均各自具有一第二开关6223、6233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60，具有电气连接点6226、6236。所述第二开关6223、6233均各自具有一第二开关中心点6224、6234。所述第二天线阵列62产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构63具有一阵列共构电容性结构633，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构612、一第二倒L型共振结构623以及所述接地导体结构60，所述第一倒L型共振结构612具有所述第一开关6123并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60，所述第二倒L型共振结构623具有所述第一开关6233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60。其中，具有电气连接点631、632、636。所述阵列共构电容性结构633为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构611、612、613或所述多个第二倒L型共振结构621、622、623也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态以及所述第二共振模态的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点6112与其相邻的第一开关中心点6124、6134之间均具有各自的一第一间距d11224、d11234，各所述第一间距d11224、d11234的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。所述第二馈入点6212与其相邻的第二开关中心点6224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点6224、6234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径6111、6121、6131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径6211、6221、6231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关6123、6133以及各所述第二开关6223、6233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。所述第一馈入点6112以及所述第二馈入点6212各自通过第一传输线6411、6421电气连接或耦接在一第一电路64，具有电气连接点641、642。所述第一传输线6411、6421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路64激发所述第一天线阵列61产生所述第一共振模态及激发所述第二天阵列线62产生所述第二共振模态。所述第一电路64可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关6123、6133以及各所述第二开关6223、6233各自通过第二传输线6511、6521、6531、6541电气连接或耦接在一第二电路65，具有电气连接点651、652、653、654。所述第二传输线6511、6521、6531、6541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路65可控制各所述第一开关6123、6133以及各所述第二开关6223、6233在不同导通或不导通的情况。所述第二电路65可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图6中本公开实施所述高整合度场型可变化多天线阵列6，虽然其所述多个第二倒L型共振结构621、622、623的配置方向与形状，与所述高整合度场型可变化多天线阵列2的所述多个第二倒L型共振结构221、222、223的配置方向与形状不完全相同。此外，所述阵列共构电容性结构633，以及所述阵列共构接地结构63所电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构612与一第二倒L型共振结构623，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列2之间有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列6，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构612、613均各自具有一第一开关6123、6133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构622、623均各自具有一第二开关6223、6233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构60，以及改变所述第一开关6123、6133以及所述第二开关6223、6233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62辐射场型变化的效果。并且同样通过设计所述阵列共构接地结构63具有所述阵列共构电容性结构633，并且电气连接相邻的所述第一倒L型共振结构612、所述第二倒L型共振结构623以及所述接地导体结构60，来成功减少所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关6123、6133以及各所述第二开关6223、6233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列6，同样通过设计所述第一馈入点6112与其相邻的第一开关中心点6124、6134之间均具有各自的一第一间距d11224、d11234，所述第一间距d11224、d11234的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。并通过设计所述第二馈入点6212与其相邻的第二开关中心点6224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第二开关中心点6224、6234之间具有一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列6，并通过设计各所述第一共振路径6111、6121、6131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径6211、6221、6231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列61产生所述第一共振模态以及所述第二天线阵列62产生所述第二共振模态具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62在所述第一通信频段中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列6，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开高整合度场型可变化多天线阵列6可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62可配置在所述接地导体结构60的同一侧边，所述第一天线阵列61以及所述第二天线阵列62也可配置在所述接地导体结构60相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

图7为本公开实施例高整合度场型可变化多天线阵列7的结构图。如图7所示，所述高整合度场型可变化多天线阵列7，包含一接地导体结构70、一第一天线阵列71、一第二天线阵列72以及一阵列共构接地结构73。所述第一天线阵列71包含多个第一倒L型共振结构711、712、713。所述多个第一倒L型共振结构711、712、713均各自具有一第一共振路径7111、7121、7131。其中一第一倒L型共振结构711具有一第一馈入点7112，其他的第一倒L型共振结构712、713均各自具有一第一开关7123、7133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构70，具有电气连接点7126、7136。所述第一开关7123、7133均各自具有一第一开关中心点7124、7134。所述第一天线阵列71产生一第一共振模态。所述第二天线阵列72包含多个第二倒L型共振结构721、722、723。所述多个第二倒L型共振结构721、722、723均各自具有一第二共振路径7211、7221、7231。其中一第二倒L型共振结构721具有一第二馈入点7212，其他的第二倒L型共振结构722、723均各自具有一第二开关7223、7233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构70，具有电气连接点7226、7236。所述第二开关7223、7233均各自具有一第二开关中心点7224、7234。所述第二天线阵列72产生一第二共振模态。所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段。所述阵列共构接地结构73具有一阵列共构电容性结构733，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构712、一第二倒L型共振结构721以及所述接地导体结构70，所述第一倒L型共振结构712具有所述第一开关7123并且电气连接或耦接在所述接地导体结构70，所述第二倒L型共振结构721具有所述第二馈入点7212。其中，具有电气连接点731、732、736。所述阵列共构电容性结构733为集总电容组件或芯片电容组件。所述多个第一倒L型共振结构711、712、713或所述多个第二倒L型共振结构721、722、723也可具有部分的转折或蜿蜒区段，来调整所述第一共振模态以及所述第二共振模态的阻抗匹配程度。

所述第一馈入点7112与其相邻的第一开关中心点7124、7134之间均具有各自的一第一间距d11224、d11234，各所述第一间距d11224、d11234的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。所述第二馈入点7212与其相邻的第二开关中心点7224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。相邻各所述第二开关中心点7224、7234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。各所述第一共振路径7111、7121、7131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。各所述第二共振路径7211、7221、7231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。所述第一开关7123、7133以及所述第二开关7223、7233可为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。各所述第一馈入点7112以及所述第二馈入点7212各自通过第一传输线7411、7421电气连接或耦接在一第一电路74，具有电气连接点741、742。所述第一传输线7411、7421可为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。所述第一电路74激发所述第一天线阵列71产生所述第一共振模态及激发所述第二天阵列线72产生所述第二共振模态。所述第一电路74可为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。各所述第一开关7123、7133以及各所述第二开关7223、7233各自通过第二传输线7511、7521、7531、7541电气连接或耦接在一第二电路75，具有电气连接点751、752、753、754。所述第二传输线7511、7521、7531、7541可为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。所述第二电路75可控制各所述第一开关7123、7133以及各所述第二开关7223、7233在不同导通或不导通的情况。所述第二电路75可为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

图7中本公开实施所述高整合度场型可变化多天线阵列7，虽然其所述多个第一倒L型共振结构711、712、713以及所述多个第二倒L型共振结构721、722、723的配置方向与形状，与所述高整合度场型可变化多天线阵列2的所述多个第一倒L型共振结构211、212、213以及所述多个第二倒L型共振结构221、222、223的配置方向与形状不完全相同。此外，所述阵列共构电容性结构733，以及所述阵列共构接地结构73所电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构712与一第二倒L型共振结构721，也与所述高整合度场型可变化多天线阵列2之间有所差异。然而所述高整合度场型可变化多天线阵列7，其同样通过设计其中各所述第一倒L型共振结构712、713均各自具有一第一开关7123、7133并且电气连接或耦接在所述接地导体结构70，以及设计其中各所述第二倒L型共振结构722、723均各自具有一第二开关7223、7233并且电气连接或耦接在所述接地导体结构70，以及改变所述第一开关7123、7133以及所述第二开关7223、7233在导通以及不导通的不同状态组合，而成功达成控制所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72辐射场型变化的效果。并且同样通过设计所述阵列共构接地结构73具有所述阵列共构电容性结构733，并且电气连接相邻的所述第一倒L型共振结构712、所述第二倒L型共振结构721以及所述接地导体结构70，来成功减少所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72的整体尺寸，并且能成功降低所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72之间的相互耦合程度，以及降低各所述第一开关7123、7133以及各所述第二开关7223、7233在导通以及不导通的不同状态组合变化情况下的相互干扰，进而成功达成产生多样化辐射场型的效果。所述高整合度场型可变化多天线阵列7，同样通过设计所述第一馈入点7112与其相邻的第一开关中心点7124、7134之间均具有各自的一第一间距d11224、d11234，所述第一间距d11224、d11234的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。并通过设计所述第二馈入点7212与其相邻的第二开关中心点7224之间具有一第三间距d21224，所述第三间距d21224的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。以及设计相邻各所述第二开关中心点7224、7234之间均具有各自的一第四间距d22434，所述第四间距d22434的距离介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。来降低所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72之间辐射场型的相关性，而成功降低多数据串流之间的相互干扰。所述高整合度场型可变化多天线阵列7，并通过设计各所述第一共振路径7111、7121、7131的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，以及设计各所述第二共振路径7211、7221、7231的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间，来达成所述第一天线阵列71产生所述第一共振模态以及所述第二天线阵列72产生所述第二共振模态具有良好阻抗匹配的效果，并且同时可提高所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72在所述第一通信频段中的辐射场型指向性变化程度。因此本公开实施例所述高整合度场型可变化多天线阵列7，同样能够成功达成缩小化、高整合度、多样化辐射场型变化以及多串流高数据量通信的技术效果。本公开高整合度场型可变化多天线阵列7可以单一组或多组实现于通信装置当中，其中所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72可配置在所述接地导体结构70的同一侧边，所述第一天线阵列71以及所述第二天线阵列72也可配置在所述接地导体结构70相邻的不同侧边。此外所述通信装置可为移动通信装置、无线通信装置、移动运算装置、计算机系统、电信设备、基站设备、网络设备或计算机或网络的外围设备等。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (31)

1.一种高整合度场型可变化多天线阵列，包含：

接地导体结构；

第一天线阵列，其包含多个第一倒L型共振结构，所述多个第一倒L型共振结构均各自具有第一共振路径，其中一第一倒L型共振结构具有第一馈入点，其他的第一倒L型共振结构均各自具有第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第一开关均各自具有第一开关中心点，所述第一天线阵列产生第一共振模态；

第二天线阵列，其包含多个第二倒L型共振结构，所述多个第二倒L型共振结构均各自具有第二共振路径，其中一第二倒L型共振结构具有第二馈入点，其他的第二倒L型共振结构均各自具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二开关均各自具有第二开关中心点，所述第二天线阵列产生第二共振模态，所述第二共振模态以及所述第一共振模态涵盖至少一相同的第一通信频段；以及

阵列共构接地结构，其具有阵列共构电容性结构，并且电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构、其中一第二倒L型共振结构以及所述接地导体结构。

2.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一馈入点与其相邻的第一开关中心点之间具有各自的第一间距，各所述第一间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。

3.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，相邻各所述第一开关中心点之间均具有各自的第二间距，各所述第二间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。

4.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二馈入点与其相邻的第二开关中心点之间具有各自的第三间距，各所述第三间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.6波长之间。

5.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，相邻各所述第二开关中心点之间均具有各自的第四间距，各所述第四间距的距离均介于所述第一通信频段最低操作频率的0.05波长到0.5波长之间。

6.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，各所述第一共振路径的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。

7.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，各所述第二共振路径的长度介于所述第一通信频段最低操作频率的0.1波长到0.5波长之间。

8.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有所述第一馈入点，所述第二倒L型共振结构具有所述第二馈入点。

9.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二倒L型共振结构具有所述第二馈入点。

10.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构接地结构电气连接相邻的其中一第一倒L型共振结构以及其中一第二倒L型共振结构，所述第一倒L型共振结构具有第一开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构，所述第二倒L型共振结构具有第二开关并且电气连接或耦接在所述接地导体结构。

11.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述阵列共构电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

12.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，部分或全部所述多个第一倒L型共振结构各自具有第一电容性结构。

13.根据权利要求12所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

14.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，部分或全部所述多个第二倒L型共振结构各自具有第二电容性结构。

15.根据权利要求14所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

16.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一开关为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。

17.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二开关为二极管开关、机械式开关、半导体开关、射频开关、微机电开关或芯片开关。

18.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一馈入点以及所述第二馈入点各自通过第一传输线电气连接或耦接于第一电路。

19.根据权利要求18所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一传输线为射频传输线、同轴传输线、微带传输线、平板传输线或夹心带线。

20.根据权利要求18所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一电路为功率合成电路、相位控制电路、升降频电路、阻抗匹配电路、放大器模块、集成电路芯片、射频模块或多输入多输出收发机模块。

21.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，各所述第一开关以及各所述第二开关各自通过第二传输线电气连接或耦接于第二电路。

22.根据权利要求21所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二传输线为信号控制线、电线、导体线、导体线或漆包线。

23.根据权利要求21所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二电路为算法处理电路、开关电路、微控制器、开关控制模块或信号处理集成电路芯片。

24.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一天线阵列具有第一共构接地结构，所述第一共构接地结构电气连接其中二相邻的第一倒L型共振结构，并且具有第一共构电容性结构电气连接或耦接在所述接地导体结构。

25.根据权利要求24所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第一共构电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

26.根据权利要求24所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述二相邻的第一倒L型共振结构各自具有第一开关并且各自具电气连接或耦接在所述接地导体结构。

27.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二天线阵列具有第二共构接地结构，所述第二共构接地结构电气连接其中二相邻的第二倒L型共振结构，并且具有第二共构电容性结构电气连接或耦接在所述接地导体结构。

28.根据权利要求27所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述第二共构电容性结构为集总电容组件、芯片电容组件或间隙耦合电容结构。

29.根据权利要求27所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，所述二相邻的第二倒L型共振结构各自具有第二开关并且各自电气连接或耦接在所述接地导体结构。

30.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，部分或全部所述多个第一倒L型共振结构具有部分的转折或蜿蜒区段。

31.根据权利要求1所述的高整合度场型可变化多天线阵列，其中，部分或全部所述多个第二倒L型共振结构具有部分的转折或蜿蜒区段。

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