CN114660680A - 一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法 - Google Patents

一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，包括以下步骤：S1：利用两种不同介质层构建一维PC单元；S2：将若干一维PC单元依次贴合得到一维拓扑界面态的复合周期结构。本发明通过将晶格常数不同的一维PC单元组合构建出一维拓扑界面态的复合周期结构，得到的光子晶体具有操纵自旋相关的拓扑界面态，可以通过透射光谱直接显示出来，同时实现了自旋相关拓扑界面状态的可调性。

Description

一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法
技术领域
本发明涉及光子晶体结构技术领域，更具体地，涉及一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法。
背景技术
近年来，拓扑光子学蓬勃发展，彻底改变了控制光的行为的方法，光学环境下的工程拓扑界面态近年来受到了极大的关注，在广泛的平台上得到了广泛的应用，成为当前拓扑光子学研究的强大驱动力。光子晶体是指具有光子带隙特性的由不同折射率的介质周期性排列而成的人造电介质结构。光子晶体具有波长选择的功能，可以有选择地使某个波段的光通过而阻止其它波长的光通过。按照光子晶体的光子禁带在空间中所存在的维数，可以将其分为一维光子晶体、二维光子晶体和三维光子晶体，如图8。
当能隙经历从打开到关闭再到打开的过程，往往伴随着拓扑相的变化。在传统波导中，波向两个方向传输，具有正的和负的群速度，因此当遇到障碍物或者散射体的时候会产生背向反射，而这种反射是不必要反馈的主要来源，同时也会损失很多能量，这严重的阻碍了大尺寸的光学集成。
现有技术中，公开了一种基于拓扑界面态和光学克尔效应的光子晶体限幅结构，该限幅结构由四种介质按一定顺序周期性排列成光子晶体构成。设四种介质为A、B、C和D，则包含N个周期的光子晶体结构为(A0.5BA0.5)N(C0.5DC0.5)N，其中介质A和B为非线性光学材料，构成光子晶体左侧部分(PC_L)，介质C和D为线性光学材料，构成光子晶体右侧部分(PC_R)，下标0.5表示介质基本单元的一半。所述的光子晶体左侧部分与光子右晶体左侧部分的拓扑性质相异。该方案是基于拓扑界面态和光学克尔效应对激光限幅，没有实现操纵自旋相关的拓扑界面态。
发明内容
本发明为克服上述现有技术缺少具有拓扑界面态的光子晶体的缺陷，提供一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法。
本发明的首要目的是为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，包括以下步骤：
S1：利用两种不同介质层构建一维PC单元；
S2：将若干一维PC单元依次贴合得到一维拓扑界面态的复合周期结构。
进一步的，所述两种不同的介质层分别记为第一介质层和第二介质层，当第一介质层和第二介质层贴合后，光线从第一介质层射入第二介质层时入射角大于折射角。
进一步的，当电场波矢以夹角θi通过一段厚度为di、折射率为ni的介质时，一维PC单元相位变化传输矩阵为：
Figure BDA0003559499800000021
一维拓扑界面态的复合周期结构的相位变化传输矩阵由每个一维PC单元的传输矩阵相乘得到。
进一步的，当第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第一PC单元，在第一PC单元中第一介质层的厚度记为da1，第二介质层的厚度记为db1，且L1＝da1+db1，L1表示第一PC单元的晶格常数；
当第二介质层的厚度大于第一介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第二PC单元，在第二PC单元中第一介质层的厚度记为da2，第二介质层的厚度记为db2，且L2＝da2+db2，L2表示第二PC单元的晶格常数。
进一步的，所述一维拓扑界面态的复合周期结构包括N个第一PC单元和N个第二PC单元，其中N为正整数。
进一步的，N的取值为10。
进一步的，所述第一介质层为二氧化硅，其折射率na＝1.46、所述第二介质层为二氧化钛，折射率nb＝2.4，若第一介质层和第二介质层排列的结构在设定的角度下的能带图存在界面态，则应满足如下预测相交公式：
Figure BDA0003559499800000022
其中，m1分别表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m1条能带，m2表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m2条能带，α表示能带序号比例系数。
进一步的，当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第一PC单元参数如下：晶格常数L1＝300nm，其中da1＝0.65×L1＝195nm，db1＝0.35×L1＝105nm。
进一步的，当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第二PC单元参数如下：
L2＝200nm，其中da2＝0.4×L2＝80nm，db2＝0.6×L2＝120nm。
进一步的，两种不同介质层为具有不同折射率的介质材料。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：
本发明通过将晶格常数不同的一维PC单元组合构建出一维拓扑界面态的复合周期结构，得到的光子晶体具有操纵自旋相关的拓扑界面态，可以通过透射光谱直接显示出来，同时实现了自旋相关拓扑界面状态的可调性。
附图说明
图1为本发明实施例用于TE模式的一维PC单元的示意图。
图2为本发明实施例两种介质层界面处的电磁波示意图。
图3为本发明实施例第一PC单元和第二PC单元组成的复合结构示意图。
图4为本发明实施例PC1结构能带随入射角变化关系图。
图5为本发明实施例TE模式下的能带示意图。
图6为本发明实施例PC1在TE模式下的Zak相计算结果图。
图7为本发明实施例复合结构界面态分析图。
图8为本发明实施例现有技术光子晶体示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例1
如图1所示，一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，包括以下步骤：
S1：利用两种不同介质层构建一维PC单元；
需要说明的是，首选利用两种不同的介质层构建一维PC单元，如图1所示(A表示第一介质层，B表示第二介质层)为TE模式的一维PC单元，其中两者不同的介质其折射率不同，当电场波矢以夹角θi通过一段厚度为di、折射率为ni的介质时，一维PC单元相位变化传输矩阵为：
Figure BDA0003559499800000041
一维拓扑界面态的复合周期结构的相位变化传输矩阵由每个一维PC单元的传输矩阵相乘得到。如图2所示为两种介质层界面处的电磁波示意图，利用传输矩阵法进行,周期型结构(如图1)的电场磁场关系的相关计算，最终得到能带结构关系。
S2：将若干一维PC单元依次贴合得到一维拓扑界面态的复合周期结构。
需要说明的是，一维PC单元不同的介质层分别记为第一介质层和第二介质层，当第一介质层和第二介质层贴合后，光线从第一介质层射入第二介质层时入射角大于折射角。如图1中，θa是入射角，θb是折射角。
如图3所示，(A表示第一介质层，B表示第二介质层)，当第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第一PC单元，在第一PC单元中第一介质层的厚度记为da1，第二介质层的厚度记为db1，且L1＝da1+db1，L1表示第一PC单元的晶格常数；
当第二介质层的厚度大于第一介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第二PC单元，在第二PC单元中第一介质层的厚度记为da2，第二介质层的厚度记为db2，且L2＝da2+db2，L2表示第二PC单元的晶格常数。
进一步的，通过将N个第一PC单元和N个第二PC单元组合得到一维拓扑界面态的复合周期结构，其中N为正整数，其中N个第一PC单元的组合记作PC1，N个第二PC单元组合记作PC2。
进一步的，N的取值为10。
实施例2
在本实施例中，所述第一介质层为二氧化硅，其折射率na＝1.46、所述第二介质层为二氧化钛，折射率nb＝2.4，若第一介质层和第二介质层排列的结构在设定的角度下的能带图存在界面态，则应满足如下预测相交公式：
Figure BDA0003559499800000051
其中，m1分别表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m1条能带，m2表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m2条能带，α表示能带序号比例系数。
在具体的实验中，为了得到介质层二氧化硅、二氧化钛排列成的结构在一定角度下的能带图存在界面态，即如图5(a)所示，使得第2条能带与第3条能带相交。根据预测相交的公式即：
Figure BDA0003559499800000052
由于两张介质材料折射率已知，根据上述比例即可得到两种介质的厚度比例即da1和db1的比例，由此进行调试最终得到实际所需要的，能获得一维拓扑界面态的复合周期结构的结构参数。当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第一PC单元参数如下：晶格常数L1＝300nm，其中da1＝0.65×L1＝195nm，db1＝0.35×L1＝105nm；
进一步的，当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第二PC单元参数如下：
L2＝200nm，其中da2＝0.4×L2＝80nm，db2＝0.6×L2＝120nm。
需要说明的是，本发明设计为从空气中进行斜入射如图3，角度为θi，进入材料A在复合结构中传输，最后从材料B中射出。具体入射角度在已定角度下进行调整，以此找到能达到最佳结果的斜入射角度。
实施例3
本实施例在上述实施例的基础上，通过在TE、TM模式下实验来分析复合周期结构的具有拓扑界面态。
如图4(a)、(b)所示，PC1(即N个第一PC单元的组合)在TE、TM模式下能带随入射角变化关系局部放大图，TE存在闭合点，而在同等情况下TM打开。因此TE存在“打开—闭合—打开”状态，而此角度频率下的TM模式一直处于“闭合”状态。
TM的带隙一直打开没有闭合，则一定不存在界面态，TE可能存在界面态，具体的拓扑相是否发生变化还需要进一步分析研究。如图5中(a)为PC1在TE模式下的能带示意图，圈出部分为局部放大部分,图5中(c)局部放大图,图5中(b)-(d)为PC1在不同角度下的局部放大能带图，结果存在“打开—闭合—打开”状态，而图5中(e)-(g)为PC2局部放大图，在和PC1同等状态下一直打开，即不存在拓扑相的改变。由此初步得出PC1和PC2可能为不同拓扑相的两种结构，具体的PC1是否存在拓扑反转，其拓扑相分析还需要计算Zak相来验证。
能带结构的拓扑性质是否发生变化可以从边缘态对称性的变化中看出，具体如图6，PC1在不同角度的能带在图6(a)和图6(f)中突出显示，边缘用字母标记，通过检查电场分布绝对值的对称性，可以了解各波段Zak相位的差异。
图6(b)-(e)是图6(a)情况时在边缘各点的电场图，在A点和B点，波函数的绝对值在黑色虚线处都是极大值，振幅几乎相同。但在C点和D点，波函数的绝对值在黑色虚线处一个为0一个为极大值，振幅不同。而当边缘处同时为0或不为0时Zak相为0，一个为0一个不为0时Zak相为π。对于图6(g)-(j)也是如此。因此，图6(a)和图6(f)相应的Zak相用黑色表示，两个角度角度经过闭合点后，Zak相发生了变化。
在TE模式下，复合结构的透射图如图7(a)，存在一种界面态，此时PC1和PC2的能带图图7(b)和图7(c)在禁带中，对应的复合结构位移场图图7(e)在中心存在峰值也很好地验证了界面态。而在TM模式下的透射图如图7(d)，不存在界面态。
由此得出由PC1和PC2复合而成的结构在TE模式下，存在一种界面态，而在同等情况下，TM完全不存在界面态。因此在此条件下将TM和TE彻底分裂。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：利用两种不同介质层构建一维PC单元；
S2：将若干一维PC单元依次贴合得到一维拓扑界面态的复合周期结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，所述两种不同的介质层分别记为第一介质层和第二介质层，当第一介质层和第二介质层贴合后，光线从第一介质层射入第二介质层时入射角大于折射角。
3.根据权利要求1所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，当电场波矢以夹角θi通过一段厚度为di、折射率为ni的介质时，一维PC单元相位变化传输矩阵为：
Figure FDA0003559499790000011
一维拓扑界面态的复合周期结构的相位变化传输矩阵由每个一维PC单元的传输矩阵相乘得到。
4.根据权利要求2所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，当第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第一PC单元，在第一PC单元中第一介质层的厚度记为da1，第二介质层的厚度记为db1，且L1＝da1+db1，L1表示第一PC单元的晶格常数；
当第二介质层的厚度大于第一介质层的厚度时，此时构建出的一维PC单元记作第二PC单元，在第二PC单元中第一介质层的厚度记为da2，第二介质层的厚度记为db2，且L2＝da2+db2，L2表示第二PC单元的晶格常数。
5.根据权利要求4所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，所述一维拓扑界面态的复合周期结构包括N个第一PC单元和N个第二PC单元，其中N为正整数。
6.根据权利要求5所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，N的取值为10。
7.根据权利要求2所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，所述第一介质层为二氧化硅，其折射率na＝1.46、所述第二介质层为二氧化钛，折射率nb＝2.4，若第一介质层和第二介质层排列的结构在设定的角度下的能带图存在界面态，则应满足如下预测相交公式：
Figure FDA0003559499790000021
其中，m1分别表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m1条能带，m2表示第一介质层和第二介质层构成的PC单元在设定角度下能带图存在界面态所需的第m2条能带，α表示能带序号比例系数。
8.根据权利要求7所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第一PC单元参数如下：晶格常数L1＝300nm，其中da1＝0.65×L1＝195nm，db1＝0.35×L1＝105nm。
9.根据权利要求1所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，当所述第一介质层为二氧化硅，所述第二介质层为二氧化钛时，由第一介质层和第二介质层组合成的第二PC单元参数如下：
L2＝200nm，其中da2＝0.4×L2＝80nm，db2＝0.6×L2＝120nm。
10.根据权利要求1所述的一种具有拓扑界面态的光子晶体结构设计方法，其特征在于，两种不同介质层为具有不同折射率的介质材料。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101597799A (zh) * 2009-06-29 2009-12-09 天津师范大学 异质结构的一维光子晶体
US20160252652A1 (en) * 2014-02-25 2016-09-01 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for broadband angular selectivity of electromagnetic waves
CN107976733A (zh) * 2017-11-24 2018-05-01 苏州大学 一种全介质偏振无关的角度滤波器
CN109031519A (zh) * 2018-07-28 2018-12-18 中国地质大学（北京） 一种窄带光滤波器及全光二极管
CN109270684A (zh) * 2018-09-30 2019-01-25 西安石油大学 一种Fibonacci序列光子晶体薄膜光学合束器件的设计与制作工艺
CN110908017A (zh) * 2019-11-30 2020-03-24 华南理工大学 一种基于光子晶体的可调谐带阻滤波器
CN112882227A (zh) * 2021-01-19 2021-06-01 滁州学院 一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101597799A (zh) * 2009-06-29 2009-12-09 天津师范大学 异质结构的一维光子晶体
US20160252652A1 (en) * 2014-02-25 2016-09-01 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for broadband angular selectivity of electromagnetic waves
CN107976733A (zh) * 2017-11-24 2018-05-01 苏州大学 一种全介质偏振无关的角度滤波器
CN109031519A (zh) * 2018-07-28 2018-12-18 中国地质大学（北京） 一种窄带光滤波器及全光二极管
CN109270684A (zh) * 2018-09-30 2019-01-25 西安石油大学 一种Fibonacci序列光子晶体薄膜光学合束器件的设计与制作工艺
CN110908017A (zh) * 2019-11-30 2020-03-24 华南理工大学 一种基于光子晶体的可调谐带阻滤波器
CN112882227A (zh) * 2021-01-19 2021-06-01 滁州学院 一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法

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