CN114649485A - 有机发光二极管和包含其的有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一发射部分，其包括第一发射材料层和空穴注入层并且位于第一电极和所述第二电极之间，其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，且位于第一电极和第一发射材料层之间，并且其中所述第一空穴注入材料是引达省衍生物，所述第二空穴注入材料包括具有不同结构的芴衍生物中的至少一种。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年12月21日在韩国提交的第10-2020-0179673号韩国专利申请的权益，其通过引用的方式全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管(OLED)，更具体而言，涉及具有低驱动电压和高发光效率及寿命的OLED以及包含该OLED的有机发光装置。
背景技术
目前，对占用面积小的平板显示装置的需求不断上升。在平板显示装置中，包括OLED的有机发光显示装置的技术发展迅速。
OLED通过将电子从作为电子注入电极的阴极和将空穴从作为空穴注入电极的阳极注入有机发射层，使电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态来发光。柔性透明基板，例如塑料基板，可以用作在其上形成元件的基底基板。此外，OLED可以在比操作其它显示装置所需的电压更低的电压(例如，10V或更低)下操作，并且具有较低的功耗。此外，来自OLED的光具有极佳的颜色纯度。
OLED可以包括第一电极作为阳极，面向第一电极的第二电极作为阴极，以及在所述第一和第二电极之间的有机发光层。
为了提高OLED的发光效率，有机发射层可以包括依序堆叠在第一电极上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
在OLED中，来自作为阳极的第一电极的空穴通过HIL和HTL传输到EML中，来自作为阴极的第二电极的电子通过EIL和ETL传输到EML中。空穴和电子在EML中结合形成激子，并且激子从激发态转变为基态而发光。
为提供低OLED的驱动电压和足够的发光效率以及寿命，需要足够的空穴注入效率和足够的空穴传输效率。
发明内容
本公开的实施方案涉及OLED和有机发光装置，其基本上消除了与相关常规技术的限制和缺陷有关的一个或多个问题。
本公开的其它特征和优点在下面的描述中阐述，并且从描述中其将显而易见，或者通过本公开的实践而清楚可见。本公开的目的和其它优点通过本文以及附图中描述的特征来实现和获得。
为了实现根据本公开实施方案的目的的这些和其它优点，如本文所述，本公开的一个方面是一种有机发光二极管，其包括第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及第一发射部分，所述第一发射部分包括第一发射材料层和空穴注入层并且位于所述第一和第二电极之间，其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，并且位于第一电极和所述第一发射材料层之间，其中所述第一空穴注入材料是式1-1的有机化合物：[式1-1]
其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地为被以下至少一种取代的苯基：C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，其中第二空穴注入材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[式2]
[式3]
本公开的另一方面是一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；第一发射部分，其包括第一发射材料层且位于所述第一和第二电极之间；第二发射部分，其包括第二发射材料层且位于所述第一发射部分和第二电极之间；以及第一p型电荷产生层，其包括第一电荷产生材料和第二电荷产生材料且位于所述第一和第二发射部分之间，其中所述第一电荷产生材料是式1-1的有机化合物：[式1-1]
其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地为被以下至少一种取代的苯基：C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，其中所述第二电荷产生材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[式2]
[式3]
本公开的另一方面是一种有机发光装置，其包括：基板；位于所述基板上的上述有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装膜。
应理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在进一步解释所主张的本公开。
附图说明
所包含的附图用于提供对本公开的进一步理解且并入本说明书中并且构成本说明书中的一部分，附图示出了本公开的实施方案并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光装置的示意性截面图。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图。
图5是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
图6是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参考附图中示出的一些示例和优选实施方案。
本公开涉及OLED和包括所述OLED的有机发光装置。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机发光装置。作为示例，将主要描述有机发光显示装置，其为包括本公开的OLED的显示装置。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，栅极线GL和数据线DL以及电源线PL形成在有机发光显示装置中，栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素(像素)P。开关薄膜晶体管(TFT)Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D形成在像素P中。像素P可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。此外，像素P还可以包括白色像素。
开关薄膜晶体管Ts连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts和电源线PL之间。OLED D连接到驱动薄膜晶体管TD。当通过栅极线GL施加的栅极信号导通开关薄膜晶体管Ts时，通过数据线DL施加的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加到驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极中。
驱动薄膜晶体管Td通过施加到栅电极中的数据信号导通，使得与数据信号成比例的电流通过驱动薄膜晶体管Tr从电源线PL供应给OLED D。OLED D发出光，其亮度与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例。在这种情况下，存储电容器Cst被与数据信号成比例的电压充电，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示装置能够显示所需的图像。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示。有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和OLED D，OLED D设置在平坦化层150上并连接到TFT Tr。例如，有机发光显示装置100可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，且OLED D可以形成在红色、绿色和蓝色像素的每一个中。也就是说，发射红光、绿光和蓝光的OLED D可以分别设置在红色、绿色和蓝色像素中。
基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
所述基板上形成缓冲层120，缓冲层120上形成TFT Tr。缓冲层120可以省略。
在缓冲层120上形成半导体层122。半导体层122可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层122包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。通过遮光图案遮蔽或阻挡到半导体层122的光，从而可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包括多晶硅时，可将杂质掺杂到半导体层122的两侧中。
在半导体层122上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
在栅绝缘层124上形成由导电材料(例如金属)形成的栅电极130，以与半导体层122的中心对应。
在图2中，在基板110的整个表面上形成栅极绝缘层124。或者，栅极绝缘层124可以图案化以具有与栅电极130相同的形状。
在栅电极130上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括暴露半导体层122两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧，以从栅电极130分隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136穿过栅极绝缘层124形成。或者，当栅极绝缘层124经图案化以具有与栅电极130相同的形状时，仅穿过层间绝缘层132形成第一和第二接触孔134和136。
在层间绝缘层132上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极140和漏电极142。
源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此隔开，并分别穿过第一和第二接触孔134和136接触半导体层122的两侧。
半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于驱动TFT Td(图1)。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极140和漏电极142位于半导体层122之上。即，TFTTr具有共平面结构。
或者，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层之上，使得TFT Tr可以具有倒置交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。
尽管未示出，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且所形成的开关TFT与栅极线和数据线相连。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。
此外，还可以形成与栅极线和数据线中的一条平行且间隔开的电源线，以及用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压的存储电容器。
形成平坦化层150以覆盖TFT Tr，平坦化层150包括暴露TFT Tr的漏电极142的漏极接触孔152。
通过漏极接触孔152连接TFT Tr的漏电极142的第一电极160分别形成在每个像素中和平坦化层150上。第一电极160可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成。例如，第一电极160可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)或氧化铝锌(Al:ZnO、AZO)形成。
当有机发光显示装置100以底发光型操作时，第一电极160可以具有透明导电氧化物的单层结构。当有机发光显示装置100以顶发光型操作时，反射电极或反射层可以形成在第一电极160下方。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极160可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
在平坦化层150上形成堤岸层166，以覆盖第一电极160的边缘。即，堤岸层166位于像素的边界处，并且暴露像素中的第一电极160的中心。
在第一电极160上形成有机发射层162。有机发射层162包括发射材料层(EML)，所述发射材料层包括发光材料，和EML下方的空穴注入层(HIL)。此外，有机发射层162还可以包括空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
如下所述，HIL包括被丙二腈基团取代的引达省衍生物(例如，引达省化合物)作为空穴注入掺杂剂和芴衍生物作为空穴注入主体。因此，将空穴从阳极有效地注入和/或输送到EML中。
在其上形成有机发射层162的基板110上形成第二电极164。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或它们的合金(例如，Al-Mg合金(AlMg)或Ag-Mg合金(MgAg))形成。在顶发光型有机发光显示装置100中，第二电极164可以具有薄的轮廓(小厚度)以提供光透射特性(或半透射特性)。
即，第一电极160和第二电极164中的一个是透明(或半透明)电极，第一电极160和第二电极164中的另一个是反射电极。
第一电极160、有机发射层162和第二电极164构成OLED D。
在第二电极164上形成封装膜170，以防止湿气渗透到OLED D中。封装膜170包括依序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但并不局限于此。封装膜170可以省略。
有机发光显示装置100还可以包括滤色器层(未示出)。滤色器层可以包括分别对应于红色像素、绿色像素和蓝色像素的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。可以通过滤色器层来提高有机发光显示装置100的色纯度。
有机发光显示装置100还可以包括偏振板(未示出)以减少环境光反射。例如，偏振板可以是圆形偏振板。在底发光型有机发光显示装置100中，偏振板可以设置在基板110的下方。在顶发光型有机发光显示装置100中，偏振板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，在顶发光型有机发光显示装置100中，可将覆盖窗口(未示出)连接到封装膜170或偏振板。在这种情况下，基板110和覆盖窗口具有柔性性质，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据第二实施方案的OLED的示意性截面图。
如图3所示，OLED D包括彼此相对的第一电极160和第二电极164，以及位于第一电极160和第二电极164之间的有机发射层162。有机发射层162包括位于第一电极160和第二电极164之间的EML 240，以及位于第一电极160和EML 240之间的HIL210。
第一电极160是阳极，且第二电极164是阴极。第一电极160和第二电极164中的一个是透明电极(或半透明电极)，且第一电极160和第二电极164中的另一个是反射电极。
空穴从第一电极160通过HIL 210注入和/或传输到EML 240，电子从第二电极164传输到该EML。
有机发射层162还可以包括位于HIL 210和EML 240之间的HTL 220。此外，有机发射层162还可以包括位于第二电极164和EML 240之间的EIL 260和位于EML 240和EIL 260之间的ETL 250中的至少一个。
尽管未示出，有机发射层162还可以包括位于HTL 220与EML 240之间的EBL和位于ETL 250与EML 240之间的HBL中的至少一个。
例如，HTL 220可包括选自以下组中的至少一种化合物：N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(NPD)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](聚TPD)、(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但并不局限于此。例如，HTL 220可以包括NPD，且其厚度为
优选
EBL可包括选自下列的至少一种化合物：三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、三[4-(二乙氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、酞菁铜(CuPc)、N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但并不局限于此。EBL的厚度可以为
优选
HBL可包括选自下列的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，螺环-PBD、羟基喹啉锂(Liq)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟连)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)，3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-(((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但并不局限于此。例如，HBL的厚度可以为
优选
ETL 250可包括选自下列的至少一种化合物：1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi)、三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、2-联苯基-4-基-4,6-双-(4'-吡啶-2-基-联苯-4-基)-[1,3,5]三嗪(DPT)和双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基酚合)铝(BAlq)，但并不局限于此。例如，ETL 250可以包括基于吖嗪的化合物，例如TmPyPB，或者基于咪唑的化合物，例如TPBi，并且可以具有50至
的厚度，优选
EIL 260可以包括碱金属(例如Li)、碱卤化合物(例如LiF、CsF、NaF或BaF2)和有机金属化合物(例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种，但并不局限于此。例如，EIL260的厚度可以为
优选
红色像素中的EML 240包括主体和红色掺杂剂，绿色像素中的EML 240包括主体和绿色掺杂剂，蓝色像素中的EML 240包括主体和蓝色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和蓝掺杂剂中的每一个可以是荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一种。
例如，在红色像素中的EML 240中，主体可以是4,4'-双(咔唑-9-基)-联苯(CBP)，且红色掺杂剂可以选自双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)和八乙基卟啉铂(PtOEP)。红色像素中的EML 240可以提供具有约600～650nm的波长范围(例如，发射波长范围)的光。
在绿色像素中的EML 240中，主体可以是CBP，且绿色掺杂剂可以是面式-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。然而，并不局限于此。绿色像素中的EML240可以提供具有约510～570nm波长范围的光。
在蓝色像素中的EML 240中，主体可以是蒽衍生物，蓝色掺杂剂可以是芘衍生物。然而，并不局限于此。例如，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽,蓝色掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。在蓝色像素中的EML 240中，蓝色掺杂剂可以具有0.1至20重量％，优选1-10重量％。蓝色像素中的EML 240厚度可以为
优选
并且可以提供具有大约440～480nm波长范围的光。
HIL 210包括第一空穴注入材料212和第二空穴注入材料214，第一空穴注入材料212是被丙二腈取代的引达省衍生物(例如，基于引达省的有机化合物)，第二空穴注入材料214是芴衍生物(例如，基于芴的有机化合物)。第二空穴注入材料214的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第一空穴注入材料212的最高占据分子轨道能级。
第一空穴注入材料212由式1-1表示。
[式1-1]
在式1-1中，R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基。R3至R6中每一个独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个和R5和R6中的至少一个是丙二腈。X和Y各自独立地为被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一种取代的苯基。
例如，C1-C10卤代烷基可以是三氟甲基，C1-C10卤代烷氧基可以是三氟甲氧基。此外，卤素可以是F、Cl、Br和I中的一个。
在式1-1中，R3和R4中的一个以及R5和R6中的一个可以是丙二腈，R3和R4中的另一个以及R5和R6中的另一个可以是氰基。
例如，在式1-1中，R3和R6可以是丙二腈。或者，在式1-1中，R4和R6可以是丙二腈。即，式1-1中的第一空穴注入材料212可以由式1-2或1-3表示。
[式1-2]
[式1-3]
在式1-1中，在引达省核的第一侧处的取代基可以不同于在引达省核的第二侧处的取代基，使得式1-1中的第一空穴注入材料212可以具有不对称结构。
例如，X和Y中的每一个可以独立地是被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，并且X和Y可以在取代基中的至少一个和取代基的位置上具有差异。即，为X的苯基部分和为Y的苯基部分可以具有不同的取代基和/或可以在不同位置具有相同的取代基或不同的取代基。
例如，式1-1中的第一空穴注入材料212可以由式1-4表示。
[式1-4]
在式1-4中，X1至X3中的每一个和Y1至Y3中的每一个独立地选自H、C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)X1和Y1不同，ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。
第二空穴注入材料214包括第一化合物216和第二化合物218中的至少一种，第一化合物216的胺部分(或氨基)直接或通过连接基L1结合(连接、链接或接合)到芴部分(或螺芴部分)的第二位置，第二化合物218的胺部分直接或通过连接基L1结合到芴部分的第三位置。
第一化合物216的HOMO能级高于第二化合物218的HOMO能级。例如，第一化合物216的HOMO能级可以等于或高于-5.50eV，第二化合物218的HOMO能级可以低于-5.50eV。第一化合物216的HOMO能级与第二化合物218的HOMO能级之间的差可以为0.3eV或更小。
第一化合物216由式2表示。
[式2]
式2中，X1和X2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，a为0或1。R1至R14中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R1至R14中相邻的两个彼此连接(结合或接合)以形成稠环。
在上述式2和下式3中，C6至C30芳基(或亚芳基)可选自：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、并环萜烯基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基、庚搭烯基(heptalenyl)、联亚苯基(biphenylenyl)、引达省基、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基(triphenylenyl)、
基、四苯基、tetrasenyl、苉基、五苯基(pentaphenyl)、并五苯基(pentacenyl)、芴基、茚并芴基和螺芴基。
在上述式2和下式3中，C5-C30杂芳基(或杂亚芳基)可选自：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基(pyrrolizinyl)、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、quinozolinyl、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、
啶基(perimidinyl)、菲啶基、蝶啶基、噌啉基、萘啶基、呋喃基、噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、dioxynyl、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、氧杂蒽基(xantenyl)、色满基、异色满基、硫代嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃吡嗪基、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并噻吩苯并噻吩基、苯并噻吩二苯并噻吩基、苯并噻吩苯并呋喃基和苯并噻吩二苯并呋喃基。
在上述式2和下式3中，C6-C30芳基和C5-C30杂芳基中的每一个可以包括取代的和未取代的。即，C6-C30芳基和C5-C30杂芳基中的每一个可以是未取代的或被C1-C10烷基(例如甲基、乙基或叔丁基)取代的。
在式2中，X1和X2可以相同或不同。X1和X2中的每一个可以选自芴基、螺芴基、苯基、联苯基、三联苯基、叔丁基苯基、芴基苯基、咔唑基和咔唑基苯基，且L1可以是亚苯基。R1至R14中的每一个可以选自H、D、C1-C10烷基(例如叔丁基)和C6-C30芳基(例如苯基)，且R1至R14中相邻的两个(例如R1和R6)可以连接形成稠环。所述稠环可以是芳香环、脂环族环和杂芳环中的一种。
第二化合物218由式3表示。
[式3]
在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，且b为0或1。R21至R34中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接(结合或接合)形成稠环。
在式3中，Y1和Y2可以相同或不同。Y1和Y2中的每一个可以选自芴基、螺芴基、苯基、联苯基、三联苯基、叔丁基苯基、芴基苯基、咔唑基和咔唑基苯基，且L1可以是亚苯基。R21至R34中的每一个可以选自H、D、C1-C10烷基(例如叔丁基)和C6-C30芳基(例如苯基)，且R21至R34中相邻的两个(例如R21和R26)可以连接形成稠环。所述稠环可以是芳香环、脂环族环和杂芳环中的一种。
在HIL 210中，第一空穴注入材料212的重量百分比可以小于第二空穴注入材料214的重量百分比。即，在HIL 210中，可以将第二空穴注入材料214称为主体，可以将第一空穴注入材料212称为掺杂剂。例如，在HIL 210中，第一空穴注入材料212可以具有约1至25的重量％，第二空穴注入材料214可以具有约75至99的重量％。
在本公开的OLED D中，HIL 210包括可以为主体的第一空穴注入材料212，以及其中每一个都可以是掺杂剂的第一和第二化合物216和218中的至少一种，使得HIL 210具有优异的空穴注入性能。因此，从作为阳极的第一电极160的空穴注入效率得到提高。
更具体而言，通过具有高HOMO能级的第一化合物216来改善从第一电极160的空穴注入性能，并且通过具有低HOMO能级的第二化合物218来降低HIL 210和HTL 220之间的势垒。
当HIL 210包括所有第一空穴注入材料212、第一化合物216和第二化合物218时，第一空穴注入材料212的重量百分比可以小于第一和第二化合物216和218中的每一个的重量百分比。此外，第一化合物216的重量百分比可以等于或大于第二化合物218的重量百分比。例如，第一化合物216与第二化合物218的重量百分比比率可为约5：5至6：4。当第一化合物216的重量百分比小于本公开的重量百分比范围时，自第一电极160的空穴注入性能下降。当第一化合物216的重量百分比大于本公开的重量百分比范围时，相邻层(例如HIL 210和HTL 220)之间的势垒增加，从而空穴传输性能下降。
式1-1中的第一空穴注入材料212可以是式4中的化合物之一。
[式4]
式2中的第一化合物216可以是式5中的化合物之一。
[式5]
式3中的第二化合物218可以是式6中的化合物之一。
[式6]
[合成]
1.化合物A04的合成
(1)化合物4-A
[反应式1-1]
将2,2'-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(180g,573mmol)、甲苯(6L)、碘化铜(CuI,44mmol)、四(三苯基膦)钯(44mmol)、二异丙胺(2885mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(5L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶得到化合物4-A(104g)。(收率45％，MS[M+H]+＝403)
(2)化合物4-B
[反应式1-2]
将化合物4-A(104g，258mmol)、甲苯(3L)、CuI(21mmol)、四(三苯基膦)钯(21mmol)、二异丙胺(1290mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲氧基)苯(258mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(2L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶得到化合物4-B(39.3g)。(收率30％，MS[M+H]+＝509)。
(3)化合物4-C
[反应式1-3]
将化合物4-B(39g，77mmol)、1,4-二噁烷(520mL)、二苯基亚砜(462mmol)、溴化铜(II)(CuBr(II)，15mmol)、醋酸钯(15mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，并过滤后得到化合物4-C(7g)。(收率17％，MS[M+H]+＝537)
(4)化合物A04
[反应式1-4]
加入化合物4-C(7g,13mmol)、二氯甲烷(220mL)和丙二腈(96mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(IV)(65mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(75mL)中的吡啶(97.5mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(130mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并通过升华提纯得到化合物A04(1.6g)。(收率20％，MS[M+H]+＝633)
2.化合物A13的合成
(1)化合物13-A
[反应式2-1]
将2,2'-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(200g，637mmol)、甲苯(6L)、碘化铜(CuI,51mmol)、四(三苯基膦)钯(51mmol)、二异丙胺(3185mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(5L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶得到化合物13-A(105g)。(收率35％，MS[M+H]+＝471)
(2)化合物13-B
[反应式2-2]
将化合物13-A(105g，223mmol)、甲苯(3L)、CuI(18mmol)、四(三苯基膦)钯(18mmol)、二异丙胺(1115mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苯甲腈(223mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(2L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶得到化合物13-B(32.6g)。(收率25％，MS[M+H]+＝586)
(3)化合物13-C
[反应式2-3]
将化合物13-B(32g，55mmol)、1,4-二噁烷(480mL)、二苯基亚砜(330mmol)、CuBr(II)(11mmol)、醋酸钯(11mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，过滤后得到化合物13-C(5g)。(收率15％，MS[M+H]+＝614)
(4)化合物A13
[反应式2-4]
加入化合物13-C(5g,8.2mmol)、二氯甲烷(150mL)和丙二腈(49.2mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(IV)(41mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(50mL)中的吡啶(61.5mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(82mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并升华提纯得到化合物A13(1g)。(收率18％，MS[M+H]+＝710)
3.化合物A37的合成
(1)化合物37-A
[反应式3-1]
将2,2'-(4,6-二溴-2-氟-1,3-亚苯基)二乙腈(300g，903.7mmol)、甲苯(9L)、CuI(72.3mmol)、四(三苯基膦)钯(72.3mmol)、二异丙胺(4518mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(903.7mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(8L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶，得到化合物37-A(137g)。(收率31％，MS[M+H]+＝489)
(2)化合物37-B
[反应式3-2]
将化合物37-A(137g，280mmol)、甲苯(4.1L)、CuI(22mmol)、四(三苯基膦)钯(22mmol)、二异丙胺(1400mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苯甲腈(280mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(3L)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶，得到化合物37-B(33.8g)。(收率20％，MS[M+H]+＝603)
(3)化合物37-C
[反应式3-3]
将化合物37-B(33g，54.7mmol)、1,4-二噁烷(500mL)、二苯基亚砜(328.2mmol)、CuBr(II)(10.9mmol)、醋酸钯(10.9mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，并过滤后得到化合物37-C(4.8g)。(收率14％，MS[M+H]+＝632)
(4)化合物37
[反应式3-4]
加入化合物37-C(4.8g,7.6mmol)、二氯甲烷(145mL)和丙二腈(45.6mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(IV)(38mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(48mL)中的吡啶(57mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(76mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，然后用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并升华提纯得到化合物A37(1.1g)。(收率20％，MS[M+H]+＝728)
如上所述，在本公开的OLED D中，HIL 210包括第一空穴注入材料212和第二空穴注入材料214，第一空穴注入材料212为式1-1中的有机化合物，第二空穴注入材料214包括为式2中的有机化合物的第一化合物216和为式3中的有机化合物的第二化合物218中的至少一种，使得空穴从第一电极160有效地注入和/或传输到EML 240中。因此，降低了OLED D的驱动电压，并提高了OLED D的发光效率和寿命。
图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图。图5是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图，且图6是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
如图4所示，有机发光显示装置300包括：第一基板310，其中限定了红色像素BP、绿色像素GP和蓝色像素BP；面向第一基板310的第二基板370；位于第一基板310和第二基板370之间并提供白光发射的OLED D，以及位于OLED D和第二基板370之间的滤色器层380。
第一基板310和第二基板370中的每一个可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板310和第二基板370中的每一个可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在所述基板上形成缓冲层320，在缓冲层320上形成与红色、绿色、蓝色像素RP、GP和BP中的每一个对应的TFT Tr。缓冲层320可以省略。
在缓冲层320上形成半导体层322。半导体层322可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
栅极绝缘层324形成在半导体层322上。栅极绝缘层324可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
在栅绝缘层324上形成由导电材料(例如金属)形成栅电极330，以与半导体层322的中心对应。
在栅电极330上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯)形成。
层间绝缘层332包括暴露半导体层322两侧的第一接触孔334和第二接触孔336。第一接触孔334和第二接触孔336位于栅电极330的两侧，以与栅电极330分隔开。
在层间绝缘层332上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。
源电极340和漏电极342相对于栅电极330彼此隔开，并分别穿过第一接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两侧。
半导体层322、栅电极330、源电极340和漏电极342构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于驱动TFT Td(图1)。
尽管未示出，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且所形成的开关TFT与栅极线和数据线相连。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。
此外，还可以形成与栅极线和数据线中的一条平行并间隔开的电源线，以及用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压的存储电容器。
所形成的平坦化层350覆盖TFT Tr，平坦化层350包括暴露TFT Tr的漏电极342的漏极接触孔352。
通过漏极接触孔352连接TFT Tr的漏电极342的第一电极360分别形成在每个像素中和平坦化层350上。第一电极360可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成。第一电极360可进一步包括反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在顶发光型有机发光显示装置300中，第一电极360可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
在平坦化层350上形成堤岸层366，以覆盖第一电极360的边缘。即，堤岸层366位于像素的边界处，并且暴露像素中的第一电极360的中心。由于OLED D在红色、绿色、蓝色像素RP、GP和BP中发射白光，所以有机发射层162可以不加分离地形成为红色、绿色和蓝色像素RP、GP和BP中的共有层。可以形成堤岸层366以防止在第一电极360的边缘处电流泄漏，且堤岸层366可以省略。
在第一电极360上形成有机发射层362。
参考图5，有机发射层362包括第一发射部分410，第二发射部分430，以及位于第一发射部分410和第二发射部分430之间的电荷产生层(CGL)450，所述第一发射部分410包括第一EML 416和HIL 420，所述第二发射部分430包括第二EML 434。
CGL 450位于第一发射部分410和第二发射部分430之间，并且第一发射部分410、CGL 450和第二发射部分430依次堆叠在第一电极360上。即，第一发射部分410位于第一电极360与CGL 450之间，且第二发射部分430位于第二电极364与CGL 450之间。
在第一发射部分410中，HIL 420位于第一EML 416下方。即，HIL 420位于第一电极360和第一EML 416之间。
第一发射部分410还可以包括位于HIL 420和第一EML 416之间的第一HTL 414和位于第一EML 416之上的第一ETL 418中的至少一个。
尽管未示出，但第一发射部分410可进一步包括第一HTL 414与第一EML 416之间的EBL和第一EML 416与第一ETL 418之间的HBL中的至少一个。
第二发射部分430可进一步包括第二EML 434上方的至少一个EIL 436。此外，第二发射部分430还可以包括第二EML 434下方的第二HTL 432和在第二EML 434和EIL 436之间的第二ETL 440中的至少一个。
尽管未示出，但第二发射部分430可进一步包括位于第二HTL 432和第二EML 434之间的EBL与位于第二EML 434和第二ETL 440之间的HBL中的至少一个。
第一EML 416和第二EML 434中的一个提供具有约440～480nm波长范围的光，第一EML 416和第二EML 434中的另一个提供具有约500～550nm波长范围的光。例如，第一EML416可提供具有约440～480nm波长范围的光，第二EML 434可提供具有约500～550nm波长范围的光。或者，第二EML 434可以具有发射红光的第一层和发射绿光的第二层的双层结构。在这种情况下，发射红光的第一层可以包括主体和红色掺杂剂，发射绿光的第二层可以包括主体和绿色掺杂剂。
在具有440～480nm波长范围的第一EML 416中，主体可以是蒽衍生物，且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，在第一EML 416中，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。在具有500～550nm波长范围的第二EML 434中，主体可以是咔唑衍生物，且掺杂剂可以是铱衍生物(配合物)。例如，在第二EML 434中，主体可以是4,4’-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)，且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)3)。
CGL 450包括n型CGL 452和p型CGL 454。n型CGL 452位于第一ETL 418与第二HTL432之间，且p型CGL 454位于n型CGL 452与第二HTL 432之间。
n型CGL 452向第一ETL 418提供电子，且电子通过第一ETL 418被传输到第一EML416中。p型CGL 454向第二HTL 432提供空穴，且空穴通过第二HTL 432被传输到第二EML434中。因此，在具有二叠层(双叠层)结构的OLED D中，降低了驱动电压，并提高了发射效率。
n型CGL 452包括n型电荷产生材料，并且可以具有100到
的厚度。例如，n型电荷产生材料可选自：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，螺环-PBD、羟基喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟连)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)，3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-(((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)。在本公开的一个实施方案中，n型电荷产生材料可以是菲咯啉衍生物，例如，红菲咯啉(Bphen)。
此外，n型CGL 452还可以包括辅助型n型电荷产生材料。例如，辅助型n型电荷产生材料可以是碱金属，例如Li、Cs、K、Rb、Na或Fr，或者碱土金属，例如Be、Mg、Ca、Sr、Ba或Ra。在n型CGL 452中，辅助型n型电荷产生材料可具有约0.1至20的重量％，优选约1-10重量％。
HIL 420和p型CGL 454中的至少一个包括式1-1中的有机化合物、式2中的有机化合物和式3中的有机化合物中的至少一个。例如，HIL 420可包括第一空穴注入材料422和第二空穴注入材料424。在这种情况下，第一空穴注入材料422是式1-1中的有机化合物，且第二空穴注入材料424包括为式2中的有机化合物的第一化合物426和为式3中的有机化合物的第二化合物428中的至少一种。p型CGL 454可以包括第一p型电荷产生材料456和第二p型电荷产生材料457。在这种情况下，第一p型电荷产生材料456是式1-1中的有机化合物，且第二p型电荷产生材料457包括为式2中的有机化合物的第三化合物458和为式3中的有机化合物的第四化合物459中的至少一种。
HIL 420中的第一空穴注入材料422和p型CGL 454中的第一p型电荷产生材料456可以相同或不同。HIL 420中的第一化合物426和第二化合物428中的每一个以及p型CGL454中的第三化合物458和第四化合物459中的每一个可以分别相同或不同。
在HIL 420中，第一空穴注入材料422的重量百分比可以小于第二空穴注入材料424的重量百分比。即，在HIL 420中，可以将第二空穴注入材料424称为主体，且可以将第一空穴注入材料422称为掺杂剂。例如，在HIL 420中，第一空穴注入材料422可以具有约1至25的重量％，且第二空穴注入材料424可以具有约75至99的重量％。
当HIL 420包括所有第一空穴注入材料422、第一化合物426和第二化合物428时，第一空穴注入材料422的重量百分比可以小于第一化合物426和第二化合物428中的每一个的重量百分比。此外，第一化合物426的重量百分比可以等于或大于第二化合物428的重量百分比。例如，第一化合物426与第二化合物428的重量百分比比率可为约5：5至6：4。HIL420可具有约50至
的厚度。
在p型CGL 454中，第一p型电荷产生材料456的重量百分比可以小于第二p型电荷产生材料457的重量百分比。即，在p型CGL 454中，第二p型电荷产生材料457可称为主体，而第一p型电荷产生材料456可称为掺杂剂。例如，在p型CGL 454中，第一p型电荷产生材料456可具有约1至25的重量％，且第二p型电荷产生材料457可具有约75至99的重量％。
当p型CGL 454包括所有第一p型电荷产生材料456、第三化合物458和第四化合物459时，第一p型电荷产生材料456的重量百分比可以小于第三化合物458和第四化合物459中每一个的重量百分比。此外，第三化合物458的重量百分比可以等于或大于第四化合物459的重量百分比。例如，第三化合物458与第四化合物459的重量百分比比率可为约5：5至6：4。p型CGL 454可具有约100至
的厚度。
当HIL 420包括第一空穴注入材料422、第一化合物426和第二化合物428，且p型CGL 454包括第一p型电荷产生材料456、第三化合物458和第四化合物459时，HIL 420中第一化合物426相对于第二化合物428的重量百分比比率可以小于p型CGL 454中第三化合物458相对于第四化合物459的重量百分比比率。例如，第一化合物426和第二化合物428在HIL420中可以具有相同的重量百分比，并且在p型CGL 454中第三化合物458的重量百分比可以大于第四化合物459的重量百分比。
如上所述，为式2中的有机化合物的第一化合物426和第三化合物458具有相对高的HOMO能级和优异的空穴注入性能。HIL 420可用于将空穴从作为阳极的第一电极360注入第一HTL 414，且p型CGL 454可用于将空穴直接注入第二发射部分430。因此，p型CGL 454中为式2中的有机化合物的第三化合物458的比率相对较高，从而能够进一步提高p型CGL 454的空穴注入性能。
例如，当HIL 420和p型CGL 454分别包括为式1-1中的有机化合物的第一空穴注入材料422和为式1-1中的有机化合物的第一p型电荷产生材料456时，p型CGL 454中的第一p型电荷产生材料456的重量百分比可以等于或大于HIL 420中的第一空穴注入材料422的重量百分比。
包括具有440～480nm波长范围的第一发射部分410和具有500～550nm波长范围的第二发射部分430的OLED D提供白光发射，且包括第一p型电荷产生材料456和第二p型电荷产生材料457的CGL 450设置在第一发射部分410和第二发射部分430之间。因此，OLED D在驱动电压、发射效率和寿命方面都具有优势。
参考图6，有机发射层362包括：包括第一EML 516和HIL 520的第一发射部分510，包括第二EML 534的第二发射部分530，包括第三EML 554的第三发射部分550，以及位于第一发射部分510和第二发射部分530之间的第一CGL 570和位于第二发射部分530和第三发射部分550之间的第二CGL 580。
第一CGL 570位于第一发射部分510和第二发射部分530之间，且第二CGL 580位于第二发射部分530和第三发射部分550之间。即，第一发射部分510、第一CGL 570、第二发射部分530、第二CGL 580和第三发射部分550依次堆叠在第一电极360上。换言之，第一发射部分510位于第一电极360和第一CGL 570之间，第二发射部分530位于第一CGL 570和第二CGL580之间，且第三发射部分550位于第二电极364和第二CGL 580之间。
在第一发射部分510中，HIL 520位于第一EML 516下方。即，HIL 520位于第一电极360和第一EML 516之间。
第一发射部分510还可以包括位于HIL 520和第一EML 516之间的第一HTL 514和位于第一EML 516之上的第一ETL 518中的至少一个。
尽管未示出，但第一发射部分510可进一步包括位于第一HTL 514与第一EML 516之间的EBL和位于第一EML 516与第一ETL 518之间的HBL中的至少一个。
第二发射部分530可以进一步包括第二EML 534下方的第二HTL 532和第二EML534上方的第二ETL 540中的至少一个。
尽管未示出，但第二发射部分530可进一步包括位于第二HTL 532和第二EML 534之间的EBL与位于第二EML 534和第二ETL 540之间的HBL中的至少一个。
第三发射部分550还可以包括EIL 556。此外，第三发射部分550还可以包括在第三EML 554下方的第三HTL 552和在第三EML 554与EIL 556之间的第三ETL 560中的至少一个。
尽管未示出，但第三发射部分550可进一步包括位于第三HTL 552与第三EML 554之间的EBL和位于第三EML 554与第三ETL 560之间的HBL中的至少一个。
第一EML 516和第三EML 554中的每一个提供具有约440～480nm波长范围的光，且第二EML534提供具有约500～550nm波长范围的光。或者，第二EML 534可以具有发射红光的第一层和发射绿光的第二层的双层结构。此外，第二EML 534可以具有三层结构：第一层包括主体和红色掺杂剂，第二层包括主体和黄绿掺杂剂，且第三层包括主体和绿色掺杂剂。
在第一EML 516和第三EML 554的每一个中，主体可以是蒽衍生物，且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，在第一EML 516和第三EML 554的每一个中，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。
在第二EML 534中，主体可以是咔唑衍生物，且掺杂剂可以是铱衍生物(配合物)。例如，在第二EML 534中，主体可以是4,4’-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)，且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)3)。
第一CGL 570包括第一n型CGL 572和第一p型CGL 574。第一n型CGL 572位于第一ETL 518与第二HTL 532之间，且第一p型CGL 574位于第一n型CGL 572与第二HTL 532之间。
第二CGL 580包括第二n型CGL 582和第二p型CGL 584。第二n型CGL 582位于第二ETL 540与第三HTL 552之间，且第二p型CGL 584位于第二n型CGL 582与第三HTL 552之间。
第一n型CGL 572向第一ETL 518提供电子，且所述电子通过第一ETL 518被传输到第一EML 516中。第一p型CGL 574向第二HTL 532提供空穴，且所述空穴通过第二HTL 532被传输到第二EML 534中。
第二n型CGL 582向第二ETL 540提供电子，且所述电子通过第二ETL 540被传输到第二EML 534中。第二p型CGL 584向第三HTL 552提供空穴，且所述空穴通过第三HTL 552被传输到第三EML 554中。
因此，在具有三叠层(三层重叠)结构的OLED D中，降低了驱动电压，并提高了发射效率。
第一n型CGL 572和第二n型CGL 582中的每一个包括n型电荷产生材料，并且可以具有100至
的厚度。例如，所述n型电荷产生材料可以是Bphen。此外，第一n型CGL 572和第二n型CGL 582中的每一个还可以包括辅助型n型电荷产生材料。例如，所述辅助型n型电荷产生材料可以是碱金属或碱土金属。
HIL 520、第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的至少一个包括式1-1中的有机化合物，以及式2中的有机化合物和式3中的有机化合物中的至少一个。例如，HIL520可包括第一空穴注入材料522和第二空穴注入材料524。在这种情况下，第一空穴注入材料522是式1-1中的有机化合物，且第二空穴注入材料524包括为式2中的有机化合物的第一化合物526和为式3中的有机化合物的第二化合物528中的至少一种。第一p型CGL 574可以包括第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料577。在这种情况下，第一p型电荷产生材料576是式1-1中的有机化合物，且第二p型电荷产生材料577包括为式2中的有机化合物的第三化合物578和为式3中的有机化合物的第四化合物579中的至少一种。第二p型CGL 584可以包括第三p型电荷产生材料586和第四p型电荷产生材料587。在这种情况下，第三p型电荷产生材料586是式1-1中的有机化合物，且第四p型电荷产生材料587包括为式2中的有机化合物的第五化合物588和为式3中的有机化合物的第六化合物589中的至少一种。
HIL 520中的第一空穴注入材料522、和第一p型CGL 574中的第一p型电荷产生材料576和第二p型CGL 584中的第三p型电荷产生材料586可以相同或不同。HIL 520中的第一化合物526和第二化合物528中的每一个以及第一p型CGL 574中的第三化合物578和第四化合物579中的每一个可以分别相同或不同。HIL 520中的第一化合物526和第二化合物528中的每一个以及第二p型CGL 584中的第五化合物588和第六化合物589中的每一个可以分别相同或不同。第一p型CGL 574中的第三化合物578和第四化合物579中的每一个以及第二p型CGL 584中的第五化合物588和第六化合物589中的每一个可以分别相同或不同。
在HIL 520中，第一空穴注入材料522的重量百分比可以小于第二空穴注入材料524的重量百分比。即，在HIL 520中，可以将第二空穴注入材料524称为主体，且将第一空穴注入材料522称为掺杂剂。例如，在HIL 520中，第一空穴注入材料522可以具有约1至25的重量％，且第二空穴注入材料524可以具有约75至99的重量％。
当HIL 520包括所有第一空穴注入材料522、第一化合物526和第二化合物528时，第一空穴注入材料522的重量百分比可以小于第一和第二化合物526和528中的每一个的重量百分比。此外，第一化合物526的重量百分比可以等于或大于第二化合物528的重量百分比。例如，第一化合物526与第二化合物528的重量百分比比率可为约5：5至6：4。HIL 520可具有约50至
的厚度。
在第一p型CGL 574中，第一p型电荷产生材料576的重量百分比可以小于第二p型电荷产生材料577的重量百分比。即，在第一p型CGL 574中，第二p型电荷产生材料577可称为主体，而第一p型电荷产生材料576可称为掺杂剂。例如，在第一p型CGL 574中，第一p型电荷产生材料576可具有约1至25的重量％，且第二p型电荷产生材料577可具有约75至99的重量％。
当第一p型CGL 574包括所有第一p型电荷产生材料576、第三化合物578和第四化合物579时，第一p型电荷产生材料576的重量百分比可以小于第三化合物578和第四化合物579中每一个的重量百分比。此外，第三化合物578的重量百分比可以等于或大于第四化合物579的重量百分比。例如，第三化合物578与第四化合物579的重量百分比比率可为约5：5至6：4。第一p型CGL 574可具有约100至
的厚度。
在第二p型CGL 584中，第三p型电荷产生材料586的重量百分比可以小于第四p型电荷产生材料587的重量百分比。即，在第二p型CGL 584中，第四p型电荷产生材料587可称为主体，而第三p型电荷产生材料586可称为掺杂剂。例如，在第二p型CGL 584中，第三p型电荷产生材料586可具有约1至25的重量％，且第四p型电荷产生材料587可具有约75至99的重量％。
当第二p型CGL 584包括所有第三p型电荷产生材料586、第五化合物588和第六化合物589时，第三p型电荷产生材料586的重量百分比可以小于第五化合物588和第六化合物589中每一个的重量百分比。此外，第五化合物588的重量百分比可以等于或大于第六化合物589的重量百分比。例如，第五化合物588与第六化合物589的重量百分比比率可为约5：5至6：4。第二p型CGL 584可具有约100至
的厚度。
当HIL 520包括第一空穴注入材料522、第一化合物526和第二化合物528时，第一p型CGL 574包括第一p型电荷产生材料576、第三化合物578和第四化合物579，且第二p型CGL584包括第三p型电荷产生材料586、第五化合物588和第六化合物589，HIL 520中第一化合物726相对于第二化合物528的重量百分比比率可以小于第一p型CGL 574中第三化合物578相对于第四化合物579的重量百分比比率和第二p型CGL 584中第五化合物588相对于第六化合物589的重量百分比比率中的每一个。例如，在HIL 520中第一化合物526和第二化合物528的重量百分比可以相同，在第一p型CGL 574中第三化合物578的重量百分比可以大于第四化合物579的重量百分比，且在第二p型CGL 584中第五化合物588的重量百分比可以大于第六化合物589的重量百分比。
例如，当HIL 520、第一p型CGL 574和第二p型CGL 584分别包括为式1-1中有机化合物的第一空穴注入材料522、为式1-1中有机化合物的第一p型电荷产生材料576和为式1-1中有机化合物的第三p型电荷产生材料586时，第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的第一p型电荷产生材料576和第三p型电荷产生材料586中的每一种的重量百分比可以等于或大于HIL 520中的第一空穴注入材料522的重量百分比。
包括具有440～480nm波长范围的第一发射部分510和第三发射部分550以及具有500～550nm波长范围的第二发射部分430的OLED D提供白光发射。此外，包括第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料577的第一CGL 570设置在第一和第二发射部分510和530之间，且包括第三p型电荷产生材料586和第四p型电荷产生材料587的第二CGL 580设置在第二发射部分530和第三发射部分550之间。因此，OLED D在驱动电压、发射效率和寿命方面都具有优势。
参考图4，在其中形成有机发射层362的第一基板310上形成第二电极364。
在有机发光显示装置300中，由于从有机发射层362发射的光通过第二电极364入射到滤色器层380，所以第二电极364具有用于透射光的薄轮廓。
第一电极360、有机发光层362和第二电极364构成OLED D。
滤色器层380位于OLED D上方，并包括分别对应于红色、绿色和蓝色像素RP、GP和BP的红色滤色器382、绿色滤色器384和蓝色滤色器386。红色滤色器382可以包括红色染料和红色颜料中的至少一种，绿色滤色器384可以包括绿色染料和绿色颜料中的至少一种，且蓝色滤色器386可以包括蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
尽管未示出，但是滤色器层380可以通过使用粘合剂层附着到OLED D。或者，滤色器层380可以直接在OLED D上形成。
可以形成封装膜(未示出)以防止湿气渗透到OLED D中。例如，封装膜可以包括依序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但并不局限于此。封装膜可以省略。
可以在顶发光型OLED D上设置用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。举例而言，所述偏振板可以是圆形偏振板。
在图4的OLED中，第一电极360和第二电极364分别是反射电极和透明(或半透明)电极，并且滤色器层380设置在OLED D上。或者，当第一电极360和第二电极364分别是透明(或半透明)电极和反射电极时，滤色器层380可以设置在OLED D和第一基板310之间。
可以在OLED D和滤色器层380之间形成颜色转换层(未示出)。颜色转换层可以包括分别对应于红色、绿色和蓝色像素RP、GP和BP的红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。通过所述红色、绿色、蓝色转换层将来自OLED D的白光分别转换为红光、绿光和蓝光。例如，颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高有机发光显示装置300的色纯度。
可以包括颜色转换层来代替滤色器层380。
如上所述，在有机发光显示装置300中，红色、绿色和蓝色像素RP、GP和BP中的OLEDD发射白光，并且来自有机发光二极管D的白光穿过红色滤色器382、绿色滤色器384和蓝色滤色器386。因此，从红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中分别提供红光、绿光和蓝光。
在图4中，将发射白光的OLED D用于显示装置。或者，OLED D可以形成在基板的整个表面上，而不需要驱动元件和滤色层器中的至少一个用于照明装置。每一个都包括本公开的OLED D的显示装置和照明装置可以称为有机发光装置。
在OLED D和有机发光显示装置300中，HIL和p型CGL中的至少一个包括式1-1中的有机化合物，以及式2中的有机化合物和式3中的有机化合物中的至少一个，使得朝向EML的空穴注入/传输性能得到改善。因此，在OLED D和有机发光显示装置300中，降低了驱动电压，并且提高了发射效率和寿命。
[OLED1]
在阳极(ITO)上,依次沉积HIL(HIL,
NPD+HATCN(10wt％))、第一HTL(HTL1,
NPD)、第一EML(EML1,
主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-双(二苯基氨基)芘,3重量％),第一ETL(ETL1,
1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB)),n型CGL(N-CGL,
Bphen+Li(2wt％))、p型CGL(P-CGL,
)、第二HTL(HTL2,
NPD)、第二EML(EML2,
主体(CBP)和掺杂剂(Ir(ppy)3，8重量％))、第二ETL(ETL2,
2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi))、EIL(LiF,
)和阴极(Al,
)以形成OLED。
1.比较例
(1)比较例1(Ref1)
用NPD和HATCN(20wt％)形成p型CGL。
(2)比较例2(Ref2)
用式5中的化合物H1-1和HATCN(20wt％)形成p型CGL。
(3)比较例3(Ref3)
用式6中的化合物H2-8和HATCN(20wt％)形成p型CGL。
(3)比较例3(Ref3)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式6中的化合物H2-8(40wt％)和HATCN(20wt％)形成p型CGL。
2.实施例
(1)实施例1(Ex1)
用式5中的化合物H1-1和式4中的化合物S07(20wt％)形成p型CGL。
(2)实施例2(Ex2)
用式5中的化合物H2-8和式4中的化合物S07(20wt％)形成p型CGL。
(3)实施例3(Ex3)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式6中的化合物H2-8(40wt％)和式4中的化合物S07(20wt％)形成p型CGL。
(4)实施例4(Ex4)
用式5中的化合物H1-1和式4中的化合物S20(20wt％)形成p型CGL。
(5)实施例5(Ex5)
用式5中的化合物H2-8和式4中的化合物S20(20wt％)形成p型CGL。
(6)实施例6(Ex6)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式6中的化合物H2-8(40wt％)和式4中的化合物S20(20wt％)形成p型CGL。
(7)实施例7(Ex7)
用式5中的化合物H1-1和式4中的化合物A13(20wt％)形成p型CGL。
(8)实施例9(Ex9)
用式5中的化合物H2-8和式4中的化合物A13(20wt％)形成p型CGL。
(9)实施例9(Ex9)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式6中的化合物H2-8(40wt％)和式4中的化合物A13(20wt％)形成p型CGL。
(10)实施例10(Ex10)
用式5中的化合物H1-15(40wt％)、式6中的化合物H2-1(40wt％)和式4中的化合物A13(20wt％)形成p型CGL。
在比较例1-4(Ref1-Ref4)和实施例1-10(Ex1-Ex10)的OLED中，测量并在表1中列出它们的特性，即驱动电压(V)、效率(Cd/A)和寿命(hr)。测量了p型CGL中所用有机化合物的HOMO能级和LUMO能级，并在表2中列出。
表1
表2
| HOMO(eV) | LUMO(eV) | |
| HATCN | -8.55 | -6.07 |
| S07 | -8.21 | -6.34 |
| S20 | -8.27 | -6.46 |
| A13 | -8.22 | -6.32 |
| NPD | -5.45 | -2.18 |
| H1-1 | -5.46 | -2.19 |
| H1-15 | -5.38 | -2.12 |
| H2-1 | -5.51 | -2.25 |
| H2-8 | -5.59 | -2.28 |
| H2-21 | -5.56 | -2.27 |
如表1所示，与使用NPD和HATCN形成p型CGL的Ref1的OLED相比，使用式2中的有机化合物和/或式3中的有机化合物与HAT-CN一起形成p型CGL的Ref2至Ref5的OLED在驱动电压、发射效率和寿命方面仍然存在局限性。也就是说，即使在p型CGL中使用式2中的有机化合物和/或式3中的有机化合物，但有机化合物的能级和HATCN(例如，掺杂剂)不匹配，使得Ref2至Ref4的OLED的性能存在局限性。
另一方面，在Ex1至Ex10的OLED中，在p型CGL中包括式1-1的化合物(即化合物S07、化合物S20或化合物A13)，以及式2的化合物(即化合物H1-1或化合物H1-15)与式3的化合物(即化合物H2-1或化合物H2-8)中的至少一种，驱动电压显著降低，发射效率和寿命显著增加。
此外，在Ex3、Ex6、Ex9和Ex10的OLED中，其中在p型CGL中包括式2化合物和式3化合物以及式1-1化合物，驱动电压进一步降低，发射效率和寿命进一步增加。此外，在EX7至Ex10的OLED中，其中在p型CGL中包括具有非对称结构的引达省衍生物，驱动电压显著降低，发射效率和寿命显著增加。
[OLED2]
在阳极(ITO)上依次沉积HIL(HIL，
)、HTL(HTL，
NPD)、EML(EML，
主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-双(二苯基氨基)芘,3wt％))、ETL(ETL，
TmPyPB)、EIL(LiF,
)和阴极(Al,
)形成OLED。
3.比较例
(1)比较例5(Ref5)
用NPD和HATCN(20wt％)形成HIL。
(2)比较例6(Ref6)
用式5中的化合物H1-1和HATCN(20wt％)形成HIL。
(3)比较例7(Ref7)
用式6中的化合物H2-8和HATCN(20wt％)形成HIL。
(3)比较例8(Ref8)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式6中的化合物H2-8(40wt％)和HATCN(20wt％)形成HIL。
4.实施例
(1)实施例11(Ex11)
用式5中的化合物H1-1和式4中的化合物A13(20wt％)形成HIL。
(2)实施例12(Ex12)
用式5中的化合物H2-8和式4中的化合物A13(20wt％)形成HIL。
(3)实施例13(Ex13)
用式5中的化合物H1-1(40wt％)、式5中的化合物H2-8(40wt％)和式4中的化合物A13(20wt％)形成HIL。
(4)实施例14(Ex14)
用式5中的化合物H1-15(40wt％)、式5中的化合物H2-1(40wt％)和式4中的化合物A13(20wt％)形成HIL。
在比较例5-8(Ref5-Ref8)和实施例11-14(Ex11-Ex14)的OLED中，测量并在表3中列出它们的特性，即驱动电压(V)、效率(Cd/A)和寿命(hr)。
表3
如表3所示，与Ref4至Ref8的OLED相比，在Ex11至Ex14的OLED中，其中在p型CGL中包括式1-1的化合物(即化合物A13)，和式2的化合物(即化合物H1-1或化合物H1-15)与式3的化合物(即化合物H2-1或化合物H2-8)中的至少一种，驱动电压显著降低，发射效率和寿命显著增加。
此外，在Ex13和Ex14的OLED中，其中在p型CGL中包括式2化合物和式3化合物以及式1-1化合物，驱动电压进一步降低，发射效率和寿命进一步增加。
对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开的实施方案进行各种修改和变化。因此，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内，这些修改和变化就包含在本公开中。
Claims (35)
1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
第一发射部分，所述第一发射部分包括第一发射材料层和空穴注入层，且位于所述第一电极和所述第二电极之间，
其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，且位于所述第一电极和所述第一发射材料层之间，
其中所述第一空穴注入材料是式1-1中的有机化合物：
[式1-1]
其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，
其中R3至R6中的每一个独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个和R5和R6中的至少一个是丙二腈，
其中X和Y各自独立地为被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，
其中所述第二空穴注入材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[式2]
[式3]
其中在式2中，X1和X2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，且L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，
其中a为0或1，
其中R1至R14中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R1至R14中相邻的两个彼此连接以形成稠环，
其中在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，
其中b为0或1，并且
其中R21至R34中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接以形成稠环。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，并且
其中所述第一空穴注入材料的重量百分比小于所述第一化合物和所述第二化合物中的每一个的重量百分比。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，并且
其中所述第一化合物的重量百分比等于或大于所述第二化合物的重量百分比。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一空穴注入材料由式1-2至1-4中之一表示：
[式1-2]
[式1-3]
[式1-4]
其中在式1-4中，X1至X3中的每一个和Y1至Y3中的每一个独立地选自H、C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)X1和Y1不同，和ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一空穴注入材料是式4中的化合物之一：
[式4]
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式5中的化合物之一：
[式5]
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物是式6中的化合物之一：
[式6]
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一空穴注入材料的重量百分比小于所述第二空穴注入材料的重量百分比。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：
第二发射部分，所述第二发射部分包括第二发射材料层，且位于所述第一发射部分和所述第二电极之间；和
第一p型电荷产生层，所述第一p型电荷产生层包括第一p型电荷产生材料和第二p型电荷产生材料，且位于所述第一发射部分和所述第二发射部分之间。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第一p型电荷产生材料是式1-1中的有机化合物，且所述第二p型电荷产生材料包括式2中的第三化合物和式3中的第四化合物中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，在所述第一p型电荷产生层中，所述第一p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第二p型电荷产生材料的重量百分比。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及
其中所述第一p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第三化合物和所述第四化合物中的每一个的重量百分比。
13.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及
其中所述第三化合物的重量百分比等于或大于所述第四化合物的重量百分比。
14.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，且所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及
其中所述第一化合物相对于所述第二化合物的重量百分比比率小于所述第三化合物相对于所述第四化合物的重量百分比比率。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物和所述第二化合物具有相同的重量百分比，并且所述第三化合物的重量百分比大于所述第四化合物的重量百分比。
16.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中，所述第一发射材料层具有440～480nm的发射波长范围，且所述第二发射材料层具有500～550nm的发射波长范围。
17.根据权利要求9所述的有机发光二极管，还包括：
第三发射部分，所述第三发射部分包括第三发射材料层，且位于所述第二发射部分和所述第二电极之间；和
第二p型电荷产生层，所述第二p型电荷产生层包括第三p型电荷产生材料和第四p型电荷产生材料，且位于所述第二发射部分和所述第三发射部分之间。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中所述第三p型电荷产生材料是式1-1中的有机化合物，且所述第四p型电荷产生材料包括式2中的第五化合物和式3中的第六化合物中的至少一种。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，在所述第二p型电荷产生层中，所述第三p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第四p型电荷产生材料的重量百分比。
20.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，所述第二p型电荷产生层包括所述第三p型电荷产生材料、所述第五化合物和所述第六化合物，并且
其中所述第三p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第五化合物和所述第六化合物中的每一个的重量百分比。
21.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其中，所述第二p型电荷产生层包括所述第三p型电荷产生材料、所述第五化合物和所述第六化合物，并且
其中所述第五化合物的重量百分比等于或大于所述第六化合物的重量百分比。
22.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中，所述第一发射材料层和所述第三发射材料层中的每一个具有440～480nm的发射波长范围，且所述第二发射材料层具有500～550nm的发射波长范围。
23.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；
第一发射部分，所述第一发射部分包括第一发射材料层，且位于所述第一电极和所述第二电极之间；
第二发射部分，所述第二发射部分包括第二发射材料层，且位于所述第一发射部分和所述第二电极之间；和
第一p型电荷产生层，所述第一p型电荷产生层包括第一电荷产生材料和第二电荷产生材料，且位于所述第一发射部分和所述第二发射部分之间，
其中所述第一电荷产生材料是式1-1中的有机化合物：
[式1-1]
其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，
其中R3至R6中的每一个独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个和R5和R6中的至少一个是丙二腈，
其中X和Y各自独立地为被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，
其中所述第二电荷产生材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[式2]
[式3]
其中在式2中，X1和X2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，且L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，
其中a为0或1，
其中R1至R14中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R1至R14中相邻的两个彼此连接以形成稠环，
其中在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，L1选自C6-C30亚芳基和C5-C30杂亚芳基，
其中b为0或1，并且
其中R21至R34中的每一个独立地选自H、D、C1-C10烷基、C6-C30芳基和C5-C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接以形成稠环。
24.根据权利要求23所述的有机发光装置，其中所述第一p型电荷产生材料由式1-2至1-4中之一表示：
[式1-2]
[式1-3]
[式1-4]
其中在式1-4中，X1至X3中的每一个和Y1至Y3中的每一个独立地选自H、C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)X1和Y1不同，和ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。
25.根据权利要求23所述的有机发光装置，其中所述第一p型电荷产生材料是式4中的化合物之一：
[式4]
26.根据权利要求23所述的有机发光装置，其中所述第一化合物是式5中的化合物之一：
[式5]
27.根据权利要求23所述的有机发光装置，其中所述第二化合物是式6中的化合物之一：
[式6]
28.根据权利要求23所述的有机发光装置，其中，所述第一p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第二p型电荷产生材料的重量百分比。
29.根据权利要求23所述的有机发光装置，还包括：
第三发射部分，所述第三发射部分包括第三发射材料层，且位于所述第二发射部分和所述第二电极之间；和
第二p型电荷产生层，所述第二p型电荷产生层包括第三p型电荷产生材料和第四p型电荷产生材料，且位于所述第二发射部分和所述第三发射部分之间。
30.根据权利要求29所述的有机发光装置，其中所述第三p型电荷产生材料是式1-1中的有机化合物，且所述第四p型电荷产生材料包括式2中的第五化合物和式3中的第六化合物中的至少一种。
31.根据权利要求30所述的有机发光二极管，其中，在所述第二p型电荷产生层中，所述第三p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第四p型电荷产生材料的重量百分比。
32.一种有机发光装置，包括：
基板；
根据权利要求1所述的有机发光二极管，其位于所述基板上；和
覆盖所述有机发光二极管的封装膜。
33.根据权利要求32所述的有机发光装置，其中，在所述基板上限定红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且所述有机发光装置对应于所述红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个，并且
其中所述有机发光装置还包括：
滤色器层，所述滤色器层设置在所述基板与所述有机发光二极管之间或在所述有机发光二极管上，并且对应于所述红色像素、绿色像素和蓝色像素。
34.一种有机发光装置，包括：
基板；
根据权利要求23所述的有机发光二极管，其位于所述基板上；和
覆盖所述有机发光二极管的封装膜。
35.根据权利要求34所述的有机发光装置，其中，在所述基板上限定红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且所述有机发光二极管对应于所述红色像素、绿色像素和蓝色像素中的每一个，以及
其中所述有机发光装置还包括：
滤色器层，所述滤色器层设置在所述基板与所述有机发光二极管之间或在有机发光二极管上，并且对应于所述红色像素、绿色像素和蓝色像素。
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