CN114637463A - 一种事件记录存储方法及应用该方法的电能表 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种事件记录存储方法,在设定时间内查询某一个事件记录通道下触发的所有事件;记录上述某一个事件的所有记录对象所对应的数据,并组成一条事件记录,之后临时缓存到RAM中;接着将事件yi对应的事件记录复制多条,并临时缓存到RAM中;获取其他m‑1个事件的第二记录对象所对应的数据,并将该m‑1个事件的第二记录对象所对应的数据一对一替换掉m‑1条事件记录中第二记录对象所对应的数据;最后将所有事件记录全部写入到EEPROM中。还公开了一种使用上述事件记录存储方法的电能表。该方法能减少写入EEPROM的次数,同时通过复制其中一条事件记录而能避免多次收集数据固定的记录对象,从而提高了事件记录存储效率。
Description
技术领域
本发明涉及数据存储领域,尤其涉及一种事件记录存储方法及应用该方法的电能表。
背景技术
事件是表计运行过程中的异常信息,具有以下特点:1.事件触发条件各不相同,触发时间随机,随环境变化而变化;2.事件记录对象多样,且在不同时刻事件对象的信息不同,不同时刻捕获的数据可能不同;3.事件记录通道多样,记录的事件被归类成不同类型,记录在不同事件通道;4.在同一事件记录通道下,事件记录顺序按触发时间排序,第一个记录对象为时间。
当前事件记录方法为:在X通道下,A事件触发后,立刻获取A事件记录对象的数据,并存储事件记录对象在EEPROM(带电可擦可编程只读存储器);同一时刻在X通道下,B事件触发后,立刻获取B事件记录对象的数据,并存储该事件记录对象的数据在EEPROM中。但随着电能表功能和各种记录要求的增加,同一时刻存在对EEPROM 的多次写入,影响运行效率和EEPROM使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的第一个技术问题是针对上述现有技术提供一种能增加EEPROM使用寿命和提高运行效率的事件记录存储方法。
本发明所要解决的第二个技术问题是针对上述现有技术提供一种应用上述事件记录存储方法的电能表。
本发明解决上述第一个技术问题所采用的技术方案为:一种事件记录存储方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1、在设定时间T内,查询某一个事件记录通道X下触发的所有事件y1、 y2、…ym;并获取在该事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象;
其中,y1为第1个事件;y2为第2个事件;ym为第m个事件,m为发生的事件总数;
步骤2、记录步骤1中某一个事件yi的所有记录对象所对应的数据,并组成一条事件记录,之后临时缓存到RAM中;yi∈{y1、y2、…ym};其中事件yi的所有记录对象包括事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象和数据变化的第二记录对象;
步骤3、将步骤2中事件yi对应的事件记录复制m-1条,并临时缓存到RAM中;
步骤4、获取步骤1中除事件yi以外的其他m-1个事件的第二记录对象所对应的数据,并将该m-1个事件的第二记录对象所对应的数据一对一替换掉步骤3中m-1条事件记录中第二记录对象所对应的数据;
步骤5、将RAM中所有事件记录全部写入到EEPROM中。
为了使存储更加清晰,优选地,将RAM分成多个临时存储区,至少包括用于存储步骤1中触发事件的第一临时存储区、存储步骤2中事件yi所对应的事件记录的第二临时存储区以及步骤3中复制的m-1条事件记录的第三临时存储区。
为了提高数据存储速率,优选地,在设定时间T内,设置某一个事件记录通道X 下触发的事件最大个数为J;
当m>J时,则将其中J个事件按照上述步骤2~步骤5的方式进行事件记录存储,其他的m-J个事件在下一个设定时间T内再进行记录存储或者等J个事件记录存储后再按照上述相同的方式进行存储;
当m≤J时,则按照上述步骤2~步骤5的方式进行所有事件的记录存储。
在上述方案中,所述J的取值范围为5~20。
优选地,所述J取值为10。
进一步的,所述事件记录通道X下所有事件的记录对象至少包括事件检测时间和事件代码,其中事件检测时间为第一记录对象,事件代码为第二记录对象。
在上述方案中,所述步骤1中设定时间T为事件检测时间。
优选地,所述步骤1中设定时间T为1s。
本发明解决上述第二个技术问题所采用的技术方案为:一种电能表,包括MCU和与MCU相连接的EEPROM,其特征在于:还包括与MCU相连接的RAM,所述MCU 使用上述事件记录存储方法进行事件记录存储。
优选地,所述事件中的至少一个为掉电事件。
与现有技术相比,本发明的优点在于:通过将同一个事件记录通道下的多个事件临时缓存在RAM中,并通过先将获取其中一个事件的所有记录对象所对应的数据临时存储到RAM中,之后将该事件记录复制多条,最后即用其他事件第二记录对象所对应的数据替换掉其他事件记录的数据,即将得到的所有事件记录全部写入到EEPROM中。因此该方法通过RAM能减少写入EEPROM的次数,以增加EEPROM使用寿命和提高运行效率;同时该事件记录存储方法通过复制其中一条事件记录而能避免多次收集数据固定的记录对象,从而提高了事件记录存储效率。
具体实施方式
以下对本发明作进一步详细描述。
本实施例中的事件记录存储方法包括以下步骤:
步骤1、在设定时间T内,查询某一个事件记录通道X下触发的所有事件y1、 y2、…ym;并获取在该事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象;
其中,y1为第1个事件;y2为第2个事件;ym为第m个事件,m为发生的事件总数;
步骤2、记录步骤1中某一个事件yi的所有记录对象所对应的数据,并组成一条事件记录,之后临时缓存到RAM中;yi∈{y1、y2、…ym};其中事件yi的所有记录对象包括事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象和数据变化的第二记录对象;
步骤3、将步骤2中事件yi对应的事件记录复制m-1条,并临时缓存到RAM中;
步骤4、获取步骤1中除事件yi以外的其他m-1个事件的第二记录对象所对应的数据,并将该m-1个事件的第二记录对象所对应的数据一对一替换掉步骤3中m-1条事件记录中第二记录对象所对应的数据;
步骤5、将RAM中所有事件记录全部写入到EEPROM中。
其中将RAM分成多个临时存储区,至少包括用于存储步骤1中触发事件的第一临时存储区、存储步骤2中事件yi所对应的事件记录的第二临时存储区以及步骤3中复制的m-1条事件记录的第三临时存储区。这样即能使存储更加细致,以能更加方便存储。
另外由于受RAM空间限制,如果一次存储太多事件的话,则极易出现存储过慢的情况,为此本实施例中,在设定时间T内,设置某一个事件记录通道X下触发的事件最大个数为J;
当m>J时,则将其中J个事件按照上述步骤2~步骤5的方式进行事件记录存储,其他的m-J个事件在下一个设定时间T内再进行记录存储或者等J个事件记录存储后再按照上述相同的方式进行存储;
当m≤J时,则按照上述步骤2~步骤5的方式进行所有事件的记录存储。
上述J的取值范围为5~20;本实施例中,J取值为10。该J值可以根据实际事件的大小和RAM的运行内存作适应性的更改。
事件记录通道X下所有事件的记录对象至少包括事件检测时间和事件代码,其中事件检测时间为第一记录对象,事件代码为第二记录对象。其中步骤1中设定时间T为事件检测时间,本实施例中,设定时间T为1s。
上述事件记录存储方法可应用在电能表中,本实施例中的电能表包括MCU以及与MCU相连接的EEPROM和RAM,MCU使用上述事件记录存储方法进行事件记录存储。此外电能表中最常见的事件为掉电事件。特别是在掉电时刻,存在大量的事件触发。
为了便于理解本发明中的事件记录存储方法,本实施例中以下例进行说明,假定事件通道X下,事件记录对象A为时间(步进为1s),事件记录对象B为事件代码(事件触发条件不同,记录事件代码不同),事件记录对象C为电量(每秒更新一次数据);
上述事件检测时间为1s(即设定时间T为1s),在1s内同时触发多个事件时,同一个事件通道X下捕获的数据,只有事件记录对象B会更改,事件记录对象A和C不会被更改。
在1s内的事件记录存储步骤为:
1.每秒循环查询事件记录通道X下,事件触发条件是否满足,若满足,则记录触发事件的事件代码,临时缓存在RAM_Code中,如RAM_Code中1s内缓存的事件代码信息为:事件代码B1+事件代码B2+事件代码B3;同时得知记录事件条数为3条; 2.查询结束后,捕获一次在事件记录通道X下的事件记录对象A和C的数据后,并组成一条事件记录(事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1,该事件记录对应为每个事件记录对象所对应的数据),临时缓存在RAM_Data1中;
3.将RAM_Data1中数据复制3条,临时缓存在RAM_Data2中,格式如下:
事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1
事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1
事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1
4.将RAM_Data2中事件记录对象B1的数据替换成RAM_Code的数据,格式如下:
事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1
事件记录对象A1+事件记录对象B2+事件记录对象C1
事件记录对象A1+事件记录对象B3+事件记录对象C1
5.将RAM_Data2中的数据一次性写入EEPROM中。
上述RAM_Code、RAM_Data1和RAM_Data2均分别对应为RAM中指定的一个存储区,是为了使数据存储更加清晰明了,当然也可以不特意指定存储区域;另外,事件记录对象A1+事件记录对象B1+事件记录对象C1、事件记录对象A1+事件记录对象B2+ 事件记录对象C1和事件记录对象A1+事件记录对象B3+事件记录对象C1这三个事件记录的意思为:在同一个事件检测时间A1(1s)内发生了事件B1、事件B2和事件B3,由于电量每秒更新一次数据,因此该事件检测时间A1(1s)内的电量C1为同一个值;当然,也可以根据实际事件记录其他数据不同的事件记录对象。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种事件记录存储方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1、在设定时间T内,查询某一个事件记录通道X下触发的所有事件y1、y2、…ym;并获取在该事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象;
其中,y1为第1个事件;y2为第2个事件;ym为第m个事件,m为发生的事件总数;
步骤2、记录步骤1中某一个事件yi的所有记录对象所对应的数据,并组成一条事件记录,之后临时缓存到RAM中;yi∈{y1、y2、…ym};其中事件yi的所有记录对象包括事件记录通道X下所有事件数据固定的第一记录对象和数据变化的第二记录对象;
步骤3、将步骤2中事件yi对应的事件记录复制m-1条,并临时缓存到RAM中;
步骤4、获取步骤1中除事件yi以外的其他m-1个事件的第二记录对象所对应的数据,并将该m-1个事件的第二记录对象所对应的数据一对一替换掉步骤3中m-1条事件记录中第二记录对象所对应的数据;
步骤5、将RAM中所有事件记录全部写入到EEPROM中。
2.根据权利要求1所述的事件记录存储方法,其特征在于:将RAM分成多个临时存储区,至少包括用于存储步骤1中触发事件的第一临时存储区、存储步骤2中事件yi所对应的事件记录的第二临时存储区以及步骤3中复制的m-1条事件记录的第三临时存储区。
3.根据权利要求1所述的事件记录存储方法,其特征在于:在设定时间T内,设置某一个事件记录通道X下触发的事件最大个数为J;
当m>J时,则将其中J个事件按照上述步骤2~步骤5的方式进行事件记录存储,其他的m-J个事件在下一个设定时间T内再进行记录存储或者等J个事件记录存储后再按照上述相同的方式进行存储;
当m≤J时,则按照上述步骤2~步骤5的方式进行所有事件的记录存储。
4.根据权利要求3所述的事件记录存储方法,其特征在于:所述J的取值范围为5~20。
5.根据权利要求4所述的事件记录存储方法,其特征在于:所述J取值为10。
6.根据权利要求1~5任一项所述的事件记录存储方法,其特征在于:所述事件记录通道X下所有事件的记录对象至少包括事件检测时间和事件代码,其中事件检测时间为第一记录对象,事件代码为第二记录对象。
7.根据权利要求6所述的事件记录存储方法,其特征在于:所述步骤1中设定时间T为事件检测时间。
8.根据权利要求7所述的事件记录存储方法,其特征在于:所述步骤1中设定时间T为1s。
9.一种电能表,包括MCU和与MCU相连接的EEPROM,其特征在于:还包括与MCU相连接的RAM,所述MCU使用上述如权利要求1~8任一项事件记录存储方法进行事件记录存储。
10.根据权利要求9所述的电能表,其特征在于:所述事件中的至少一个为掉电事件。
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CN202210168309.6A CN114637463A (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 一种事件记录存储方法及应用该方法的电能表 |
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CN115470216A (zh) * | 2022-11-01 | 2022-12-13 | 安徽南瑞中天电力电子有限公司 | 一种基于ftl的智能物联表的存储管理方法及存储介质 |
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2022
- 2022-02-23 CN CN202210168309.6A patent/CN114637463A/zh active Pending
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