CN114599131A - 具有过电流保护电路的负载控制装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及具有过电流保护电路的负载控制装置。用于控制从交流电源递送到电力负载的电力的负载控制装置可以包括：可控导电装置；控制电路；以及过电流保护电路，所述过电流保护电路被配置成在可控导电装置为非导电时被停用。所述控制电路可以被配置成在AC电源的每个半周期开始时将可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间使可控导电装置为导电的(例如，使用正向相位控制调光技术)。所述过电流保护电路可以被配置成在可控导电装置中出现过电流条件时使可控导电装置为非导电的。所述过电流保护电路在可控导电装置为非导电时可以停用并且在每个半周期期间在使可控导电装置为导电的触发时间之后启用。

Description

具有过电流保护电路的负载控制装置
本申请是申请日为2018年6月8日、申请号为201880047104.4、发明名称为“具有过电流保护电路的负载控制装置”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年6月9日提交的美国临时专利申请No.62/517,484的优先权，该申请的全部公开通过引用并入本文中。
背景技术
现有技术的负载控制装置(诸如调光器开关)可以按串联电连接联接在交流(AC)电源与照明负载之间以控制从所述AC电源递送到所述照明负载的电力的量。标准的调光器开关通常可以包括双向半导体开关，例如，可控硅(例如，诸如双向可控硅)或成反串联连接的两个场效应晶体管(FET)。所述双向半导体开关可以串联地联接在所述AC电源与负载之间并且被控制而在所述AC电源的半个周期的部分内为导电和非导电的，因此控制递送给电力负载的电力的量。大体上，调光器开关可以使用正向相位控制调光技术或反向相位控制调光技术以便控制何时使双向半导体开关为导电和非导电的以因此控制递送给所述负载的电力。所述调光器开关可以包括用于将照明负载开启和关闭的拨转致动器以及用于调整所述照明负载的强度的强度调整致动器。在以下各案中更详细地描述了现有技术的调光器开关的实例：在1993年9月29日颁布的标题为“LIGHTING CONTROL DEVICE”的共同受让的美国专利No.5,248,919；以及在2005年11月29日颁布的标题为“ELECTRONIC CONTROLSYSTEMS AND METHODS”的美国专利No.6,969,959；以上各案的全部公开通过引用并入本文中。
为了节省能量，正使用高效率的照明负载(诸如，例如发光二极管(LED)光源)来替代或替换常规的白炽灯或卤素灯。与白炽灯和卤素灯相比，高效率光源通常消耗较少电力并且提供较长的操作寿命。为了恰当地照明，负载调节电路(例如，诸如电子调光镇流器或LED驱动器)可以联接在AC电源与相应的高效率光源(例如，紧凑型荧光灯或LED光源)之间以调节供应给所述高效率光源的电力。一些高效率照明负载可以与负载调节电路一起一体地容纳在单个壳体中。这种壳体可以具有旋入式灯头，所述旋入式灯头允许机械地附接到标准螺口插座并且提供与AC电源的不带电侧以及AC电源的带电侧或调光器开关的调光带电端子的电连接(例如，用于接收相位控制电压)。
一种用于控制高效率光源的调光器开关可以串联地联接在AC电源与用于所述高效率光源的负载调节电路之间。所述负载调节电路可以响应于所述调光器开关的双向半导体开关的导电时间而将所述高效率光源的强度控制为所要强度。用于所述高效率光源的负载调节电路可以具有高的输入阻抗或量值在半周期内变动的输入阻抗。当现有技术的正向相位控制调光器开关联接在所述AC电源与用于所述高效率光源的负载调节电路之间时，所述负载调节电路可能无法传导足以超过可控硅的额定锁存电流和/或保持电流的电流。
发明内容
如本文中所描述，一种用于控制从交流(AC)电源递送到电力负载的电力的负载控制装置可以包括：可控导电装置；控制电路；以及过电流保护电路，所述过电流保护电路被配置成在所述可控导电装置为非导电时被停用。所述可控导电装置可以适于联接在所述AC电源与所述电力负载之间以控制递送到所述电力负载的电力。举例来说，所述可控导电装置可以包括按反串联连接联接的两个场效应晶体管(FET)。所述控制电路可以被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述可控导电装置。所述控制电路可以在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间时使所述可控导电装置为导电的。所述过电流保护电路可以联接到所述可控导电装置并且可以在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的。所述过电流保护电路在所述可控导电装置为非导电时可以停用，并且在每个半周期期间在使所述可控导电装置为导电的所述触发时间之后启用。
另外，在本文中还公开了一种控制从交流(AC)电源递送到电力负载的电力的方法。所述方法可以包括：(1)使用正向相位控制技术来控制可控导电装置以使负载电流传导通过所述电力负载而控制递送到所述电力负载的所述电力；(2)在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的；(3)在每个半周期期间在所述可控导电装置为非导电时停用过电流保护电路，所述过电流保护电路联接到所述可控导电装置并且对所述负载电流的量值作出响应；(4)在每个半周期期间在触发时间时使所述可控导电装置为导电的；以及(5)在每个半周期期间在使所述可控导电装置为导电的所述触发时间之后启用所述过电流保护电路以允许所述过电流保护电路在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的。
附图说明
图1是用于控制递送给电力负载(诸如，照明负载)的电力的量的示例性负载控制装置(例如，调光器开关)的简化框图。
图2是另一个示例性负载控制装置的简化示意图，所述示意图展示了过电流保护电路和超控电路。
图3展示了说明图2的负载控制装置的操作的简化波形。
具体实施方式
图1是用于控制递送给电力负载(诸如，照明负载102)的电力的量的示例性负载控制装置100(例如，调光器开关)的简化框图。负载控制装置100可以具有联接到交流(AC)电源104以接收AC干线电压VAC的带电端子H以及联接到照明负载102的调光带电端子DH。
负载控制装置100可以包括可控导电装置110，诸如可以按反串联连接联接在所述带电端子与所述调光带电端子DH之间的两个场效应晶体管(FET)Q112、Q114。所述FET的结可以联接到电路的公共端。负载控制装置100可以包括用于控制FET Q112、Q114以使负载电流I负载传导通过照明负载102的控制电路115，例如数字控制电路。控制电路115可以包括以下一者或多者：处理器(例如，微处理器)、微控制器、可编程逻辑装置(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)或任何合适的控制器或处理装置。控制电路115可以产生第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号可以分别经由第一栅极驱动电路116和第二栅极驱动电路118耦合到相应的FET Q112、Q114的栅极以在所述FET的栅极处产生栅极电压VG1、VG2。举例来说，第一栅极电压VG1和第二栅极电压VG2可以是相应的驱动信号VDR1、VDR2的反相。当在AC电源104的正半周期期间使可控导电装置110为导电时，可以使负载电流I负载传导通过第一FET Q112的漏极-源极通道以及第二FET Q114的体二极管。当在AC电源104的负半周期期间使可控导电装置110为导电时，可以使负载电流I负载传导通过第二FET Q114的漏极-源极通道以及第一FET Q112的体二极管。
控制电路115可以从零交叉检测电路120接收表示AC电源104的AC干线电压的零交叉点的零交叉控制信号VZC。控制电路115可以被配置成使用相位控制调光技术(例如，正向相位控制调光技术和/或反向相位控制调光技术)相对于AC波形的零交叉点在预定时间(例如，在触发时间或触发角度时)使FET Q112、Q114为导电和/或非导电的以产生相位控制电压VPC。在以下各案中更详细地描述了调光器的实例：在2007年7月10日颁布的标题为“DIMMER HAVING APOWER SUPPLY MONITORING CIRCUIT”的共同受让的美国专利No.7,242,150；在2009年6月9日颁布的标题为“DIMMER HAVING A MICROPROCESSOR-CONTROLLEDPOWER SUPPLY”的美国专利No.7,546,473；以及在2014年3月4日颁布的标题为“TWO-WIREDIMMER SWITCH FOR LOW-POWER LOADS”的美国专利No.8,664,881，以上各案的全部公开通过引用并入本文中。
负载控制装置100可以包括电源供应器122。电源供应器122可以产生用于对控制电路115以及负载控制装置100的其他低电压电路供电的直流(DC)电源电压VCC。电源供应器100可以与FET Q112、Q114的串联组合并联地联接。电源供应器122可以被配置成使充电电流传导通过照明负载102以产生DC电源电压VCC。
负载控制装置100还可以包括过电流保护电路130，所述过电流保护电路可以联接在FET Q112、Q114的串联组合的两端以接收在所述FET两端形成的电压。在FET Q112、Q114的串联组合的两端形成的电压可以随着负载电流I负载的量值和导电FET的导通电阻RDS-导通以及非导电FET的体二极管的正向电压降而变。因此，在可控导电装置110的两端(例如，在FET Q112、Q114的串联组合的两端)形成的电压可以表示负载电流I负载的量值。过电流保护电路130可以对负载电流I负载的量值作出响应(例如，对在可控导电装置110两端形成的电压的量值作出响应，所述电压量值可以指示负载电流I负载的量值)。过电流保护电路130可以电联接到FET Q112、Q114的栅极以在出现过电流条件时控制FET Q112、Q114。举例来说，过电流保护电路130可以被配置成通过使相应的FET Q112、Q114的栅极短接到电路的公共端来将栅极电压VG1、VG2的量值控制为约零伏。
控制电路115可以联接到过电流保护电路130以启用和停用过电流保护电路130。举例来说，控制电路115可以产生用于启用和停用过电流保护电路130的启用控制信号V启用。当控制电路115使用正向相位控制调光技术来控制FET Q112、Q114时，控制电路115可以被配置成在AC电源104的每个半周期期间在可控导电装置110为非导电时(例如，在使FETQ112、Q114中的一者为非导电以阻止负载电流I负载的流时)停用过电流保护电路130。在每个半周期期间在所述可控导电装置110为非导电时可以停用所述过电流保护电路130以防止过电流保护电路130在每个半周期期间在使所述可控导电装置110为导电时(例如，在触发时间或触发角度时)跳开。在控制电路115控制FET Q112、Q114中的一者以使可控导电装置100为导电之后，相位控制电压VPC的量值可以在切换时间段(例如，上升时间段和/或接通时间段)内从约零伏转为约为AC干线电压VAC的量值。另外，控制电路115可以被配置成在每个半周期期间在控制FET Q112、Q114中的一者以使可控导电装置110为导电的时间之后的延迟时间段内推迟启用过电流保护电路130，例如，以允许所述FET在切换时间段期间变为完全导电的。
虽然在图1中展示了两个FET Q112、Q114，但是所述两个FET可以被全波整流桥中的单个FET替代。在此类实现方式中，控制电路115可以产生单个驱动电压以在所述桥中的FET的栅极处产生单个栅极电压。所述过电流保护电路130可以联接在所述桥中的FET两端并且将会对所述FET两端的电压并且因此对传导通过所述FET的电流作出响应。过电流保护电路130可以被配置成在出现过电流条件时从所述FET的栅极移除所述栅极电压。控制电路115将被配置成以如上文所描述的类似方式在每个半周期期间在所述FET为非导电时停用所述过电流保护电路。
图2是用于控制递送到电力负载(诸如照明负载(例如，照明负载102))的电力的量的另一个示例性负载控制装置200(例如，图1中所示的负载控制装置100)的简化示意图。图3展示说明负载控制装置200的操作的简化波形。负载控制装置200可以包括可控导电装置210，所述可控导电装置例如包括按反串联连接联接在带电端子H(例如，所述带电端子可以联接到AC电源)与调光带电端子DH(例如，所述调光带电端子可以联接到所述照明负载)之间的两个FET Q212、Q214。FET Q212、Q214的结可以联接到电路的公共端。负载控制装置200可以包括控制电路215(例如，数字控制电路)，所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述FET Q212、Q214以产生将被提供到照明负载的相位控制电压VPC(例如，如图3中所示的正向相位控制电压)并且使负载电流I负载传导通过所述照明负载。控制电路215可以包括以下一者或多者：处理器(例如，微处理器)、微控制器、可编程逻辑装置(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)或任何合适的控制器或处理装置。控制电路215可以从第一电源电压VCC1(例如，约3.3伏或5伏)汲取电力，所述第一电源电压可以由负载控制装置200的电源供应器(例如，图1中所示的电源供应器122)产生。
控制电路215可以产生第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2以用于在每个半周期开始时在非导电时间段TNC内将相位控制电压的量值控制为约等于零伏并且在每个半周期的末尾在导电时间段TCON内将相位控制电压的量值控制为约等于AC线路电压的量值。控制电路215可以被配置成在正半周期期间在非导电时间段TNC内将第一驱动信号VDR1驱动为高(例如，朝向第一电源电压VCC1)以使第一FET Q212为非导电的，并且在负半周期期间在非导电时间段TNC内将第二驱动信号VDR2驱动为高(例如，朝向第一电源电压VCC1)以使第一FETQ212为非导电的(例如，如图3中所示)。第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2可以分别经由第一栅极驱动电路216和第二栅极驱动电路218联接到相应FET Q212、Q214的栅极以产生栅极电压VG1、VG2。在朝向电路的公共端将相应的驱动信号VDR1、VDR2驱动为低时，第一栅极驱动电路216和第二栅极驱动电路218可以朝向第二电源电压VCC2(例如，约12伏)将相应FETQ212、Q214的栅极上拉(如图3中所示)。在栅极电压VG1、VG2被驱动到高于FET的额定栅极阈值电压时，可以使FET Q212、Q214为导电的。
负载控制装置200还可以包括过电流保护电路230，所述过电流保护电路可以联接在FET Q212、Q214的串联组合的两端以接收在所述FET两端形成的电压。过电流保护电路230可以包括两个电阻器R231、R232，所述两个电阻器可以联接在FET Q212、Q214的串联组合的两端。电阻器R231、R232的结可以经由感测电阻器R234联接到电路的公共端，使得第一电阻器R231和感测电阻器R234的串联组合可以与第一FET Q212的漏极-源极结并联联接，并且第二电阻器R232与感测电阻器R234的串联组合可以与第二FET Q214的漏极-源极结并联联接。感测电阻器R234可以联接在晶体管Q236(例如，NPN双极结晶体管(BJT))的基极-发射极结的两端。晶体管Q236的集电极可以经由二极管D238联接到第一FET Q212的栅极并且经由二极管D239联接到第二FET Q214的栅极。
在可控导电装置210为导电时在出现过电流条件时(例如，如果负载电流I负载的量值超过过电流阈值)，过电流保护电路230可以使FET Q212、Q214为非导电的。举例来说，过电流保护电路230可以例如通过朝向电路的公共端控制栅极电压VG1、VG2的量值(例如，控制为小于FET的额定栅极阈值电压的电压)以使所述两个FET为非导电的来使可控导电装置210为非导电的。可以设定所述过电流阈值，使得过电流保护电路230在正常操作期间不会使FET Q212、Q214为非导电的(例如，甚至在首次开启照明负载时在传导浪涌电流期间)。举例来说，可以设定所述过电流阈值，使得如果负载电流I负载的量值超过约70安，则过电流保护电路230使FET Q212、Q214为非导电的。另外，过电流保护电路230可以产生过电流反馈信号，所述过电流反馈信号可以指示过电流条件并且可以被控制电路215接收，并且所述控制电路可以被配置成响应于所述过电流反馈信号而控制栅极电压VG1、VG2以使FET Q212、Q214为非导电的。
在使第一FET Q212为导电时，如果传导通过第一FET Q212的负载电流I负载的量值超过过电流阈值，则过电流保护电路230可以使FET Q212、Q214为非导电的。在第一FETQ212的漏极-源极通道传导负载电流I负载时，在第一电阻器R231和感测电阻器R234的串联组合的两端形成的电压可以随着负载电流I负载的量值和第一FET Q212的导通电阻RDS-导通1而变。当负载电流I负载的量值在过电流条件期间增大时，在第一FET Q212两端形成的电压归因于导通电阻RDS-导通1而可能会显著地增大。因为第二FET Q214的体二极管联接在第二电阻器R232和感测电阻器R234的两端，所以在第二FET Q214两端形成的电压在过电流条件期间不会明显地影响在感测电阻器R236两端形成的电压。当负载电流I负载的量值超过过电流阈值时，在感测电阻器R234两端的电压可能会超过晶体管Q236的额定基极-发射极电压，这可能会使晶体管Q236为导电的。因此，可以通过第一二极管D238和晶体管Q236将第一FET Q212的栅极朝向电路的公共端下拉，因此使第一FET Q212为非导电的。由于第一FET Q212为非导电的，因此在FET Q212、Q214两端形成的电压可以约等于AC干线电压VAC，这可以使晶体管Q236维持为导电的并且使第一FET Q212维持为非导电的(例如，直到AC干线电压VAC的量值在下一个零交叉时掉落到零伏为止)。
过电流保护电路230可以响应于第二FET Q214中的过电流条件而以类似的方式操作。在第二FET Q214的漏极-源极通道传导负载电流I负载时，在第二电阻器R232和感测电阻器R234的串联组合的两端形成的电压可以随着负载电流I负载的量值和第二FET Q214的导通电阻RDS-导通2而变。当负载电流I负载的量值超过过电流阈值时，在第二FET Q214两端形成的电压归因于导通电阻RDS-导通2而可能会显著地增大，这可能会使感测电阻器R234两端的电压超过晶体管Q236的额定基极-发射极电压并且致使晶体管Q236为导电的。可以通过第二二极管D239和晶体管Q236将第二FET Q214的栅极朝向电路的公共端下拉，因此使第二FET Q214为非导电的。由于第二FET Q214为非导电的，因此在FET Q212、Q214两端形成的电压可以约等于AC干线电压VAC，这可以使晶体管Q236维持为导电的并且使第二FET Q214维持为非导电的(例如，直到AC干线电压VAC的量值在下一个零交叉时掉落到零伏为止)。
控制电路215可以经由超控电路240联接到过电流保护电路230以启用和停用过电流保护电路230。超控电路240可以接收第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2并且可以产生用于启用和停用过电流保护电路230的启用控制信号V启用。超控电路240可以包括两个二极管D241、D242，所述二极管具有被联接以分别接收第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2的阳极以及联接在一起的阴极。二极管D241、D242的结可以经由具有电阻器R246和电容器R248的电阻器-电容器(RC)电路而联接到晶体管Q244(例如，NPN双极结晶体管)的基极。可以在晶体管Q244的集电极处产生启用控制信号V启用，所述集电极可以联接到过电流保护电路230的晶体管Q236的基极。另外，控制电路215可以产生启用控制信号V启用(例如，在输出接脚处)，使得可能不需要超控电路240。
当朝向电源电压VCC将第一驱动信号VDR1或第二驱动信号VDR2驱动为高时，电容器C248可以经由相应的二极管D241、D242和电阻器R246来充电。当电容器C248两端的电压超过晶体管Q244的额定基极-发射极电压时，可以使所述晶体管为导电的，因此朝向电路的公共端将启用控制信号V启用下拉。当启用控制信号V启用为低时，防止使得过电流保护电路230的晶体管Q236为导电的，因此停用过电流保护电路。由于第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2被驱动为高而使相应的FET Q212、Q214为非导电的，因此在FET Q212、Q214为非导电时，停用过电流保护电路230。
当将第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2中的一者驱动为低而使相应的FETQ212、Q214为导电时，可以在从相应的驱动信号被驱动为低时开始的第一延迟时段T延迟1之后启用过电流保护电路230(例如，如图3中所示)。举例来说，超控电路240的RC电路可以提供第一延迟时段T延迟1(例如，使电容器C248放电到某程度所需的时间，在所述程度时晶体管Q244的基极-发射极结两端的电压掉落到额定基极-发射极电压以下)。第一延迟时段T延迟1可以是例如约60微秒，这可能比FET Q212、Q214的切换时段长。类似地，可以在从第一驱动信号VDR1和第二驱动信号VDR2中的一者被驱动为高而使相应的FET Q212、Q214为非导电时开始的第二延迟时段T延迟2(例如，约为60微秒)之后停用过电流保护电路230。
如果在每个半周期开始时在可控导电装置210为非导电时(例如，在FET Q212、Q214中的一者或两者为非导电时)控制电路215将要启用过电流保护电路230，那么在可控导电装置两端形成的电压可以约等于AC干线电压VAC，这可能会致使过电流保护电路230将相应FET Q212、Q214的栅极处的栅极电压VG1、VG2朝向电路的公共端下拉。因此，控制电路215将无法将栅极电压VG1、VG2驱动到高于FET Q212、Q214的额定栅极阈值电压，并且因此将无法在触发时间时使FET Q212、Q214为导电的。因此，控制电路215可以被配置为在可控导电装置210为非导电时停用过电流保护电路230，以防止过电流保护电路230控制FET Q212、Q214的栅极电压VG1、VG2，直到在每个半周期期间在触发时间时使可控导电装置为导电之后(例如，直到第一延迟时段T延迟1之后)。

Claims (55)

1.一种调光器开关，用于控制从交流AC电源递送到照明负载的电力，所述调光器开关包括：
可控导电装置，所述可控导电装置适于联接在所述AC电源与所述照明负载之间以传导负载电流通过电力负载来控制递送到所述照明负载的电力的量和照明负载的强度；
控制电路，所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述可控导电装置以调整照明负载的强度，所述控制电路被配置成在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间处使所述可控导电装置为导电的；以及
过电流保护电路，所述过电流保护电路联接到所述可控导电装置并且被配置成在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的；
其中所述过电流保护电路被配置为接收启用控制信号，用于在所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路并且在每个半周期期间在使所述可控导电装置为导电的所述触发时间之后启用所述过电流保护电路。
2.如权利要求1所述的调光器开关，其中所述可控导电装置包括按反串联连接电联接的第一场效应晶体管FET和第二场效应晶体管FET。
3.如权利要求2所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：
第一栅极驱动电路，所述第一栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第一驱动信号并且在所述第一FET的栅极处产生第一栅极电压；以及
第二栅极驱动电路，所述第二栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第二驱动信号并且在所述第二FET的栅极处产生第二栅极电压。
4.如权利要求3所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：
超控电路，所述超控电路被配置成产生所述启用控制信号，所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。
5.如权利要求4所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成从所述控制电路接收所述驱动信号并且在所述FET中的至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路。
6.如权利要求5所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的至少一者被控制为导电的以使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。
7.如权利要求6所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的所述至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。
8.如权利要求3所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路联接到所述第一FET和所述第二FET的栅极以在出现所述过电流条件时将相应的栅极电压的量值控制为约零伏而使所述FET为非导电的。
9.如权利要求2所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路联接在FET的串联组合的两端并且被配置成响应于FET的串联组合的两端产生的电压而检测所述过电流条件。
10.如权利要求9所述的调光器开关，其中所述FET的两端产生的电压的量值代表所述负载电流的量值。
11.如权利要求9所述的调光器开关，其中所述FET的串联组合的两端产生的电压的量值取决于所述FET中的每一者的相应导通电阻。
12.如权利要求1所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：
超控电路，所述超控电路被配置成产生所述启用控制信号，所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。
13.如权利要求12所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。
14.如权利要求13所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。
15.如权利要求1所述的调光器开关，其中所述可控导电装置包括全波整流桥中的场效应晶体管FET。
16.如权利要求15所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路联接在FET的两端并且被配置成响应于FET的两端产生的电压而检测所述过电流条件。
17.如权利要求1所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路被配置成在所述负载电流的量值超过过电流阈值时使所述可控导电装置为非导电的。
18.如权利要求1所述的调光器开关，其中所述控制电路被配置成产生所述启用控制信号，所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。
19.如权利要求1所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：
零交叉检测电路，所述零交叉检测电路被配置为产生表示由AC电源产生的AC线电压的零交叉点的零交叉控制信号；
其中，所述控制电路被配置成接收所述零交叉控制信号并且相对于从零交叉信号确定的所述AC线电压的零交叉点在每个半周期的触发时间处使所述可控导电装置为导电的。
20.如权利要求1所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：
电源，被配置成产生用于为控制电路供电的电源电压，所述电源与所述可控导电装置并联联接，并被配置成传导充电电流通过照明负载以产生电源电压。
21.一种负载控制装置，所述负载控制装置包括：
可控导电装置；
过电流保护电路，所述过电流保护电路用于检测跨所述可控导电装置的过电流情况；以及
控制电路，所述控制电路被可操作地联接到所述可控导电装置和所述过电流保护电路，所述控制电路用于：
在导电状态和非导电状态之间转变所述可控导电装置，以提供相位控制的交流AC输出，使得每个AC半周期被分成导电部分和非导电部分；和
在每个AC半周期的导电部分期间启用所述过电流保护电路，并在每个AC半周期的非导电部分期间停用所述过电流保护电路。
22.如权利要求21所述的负载控制系统，所述控制电路进一步：
在每个AC半周期的导电部分期间，将所述过电流保护电路的启用在将所述可控导电装置转变为导电状态之后延迟第一延迟时间段。
23.如权利要求22所述的负载控制系统，所述控制电路进一步：
在每个AC半周期的非导电部分期间，将所述过电流保护电路的停用在将所述可控导电装置转变为非导电状态之后延迟第二延迟时间段。
24.如权利要求21所述的负载控制系统，其中为了在导电状态和非导电状态之间转变所述可控导电装置，所述控制电路进一步：
使第一栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第一场效应晶体管FET，以在导电状态和非导电状态之间转变第一FET；以及
使第二栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第二FET，第一FET和第二FET按反串联连接进行联接。
25.如权利要求24所述的负载控制系统，所述控制电路进一步响应于从所述过电流保护电路接收到包括指示跨所述可控导电装置的过电流情况的数据的信号：
将第一栅极驱动电压设定为将第一FET置于非导电状态的电平；和
将第二栅极驱动电压设定为将第二FET置于非导电状态的电平。
26.一种负载控制方法，所述负载控制方法包括：
通过控制电路，在导电状态和非导电状态之间转变可操作地联接到所述控制电路的可控导电装置，以提供相位控制的交流AC输出，使得每个AC半周期被分成导电部分和非导电部分；和
通过控制电路，在每个AC半周期的导电部分期间启用过电流保护电路，并在每个AC半周期的非导电部分期间停用所述过电流保护电路，所述过电流保护电路可操作地联接到所述控制电路和所述可控导电装置。
27.如权利要求26所述的负载控制方法，所述负载控制方法还包括：
通过所述控制电路，在每个AC半周期的导电部分期间，将所述过电流保护电路的启用在将所述可控导电装置转变为导电状态之后延迟第一延迟时间段。
28.如权利要求27所述的负载控制方法，所述负载控制方法还包括：
通过所述控制电路，在每个AC半周期的非导电部分期间，将所述过电流保护电路的停用在将所述可控导电装置转变为非导电状态之后延迟第二延迟时间段。
29.如权利要求26所述的负载控制方法，其中在导电状态和非导电状态之间转变所述可控导电装置还包括：
通过所述控制电路，使第一栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第一场效应晶体管FET，以在导电状态和非导电状态之间转变第一FET；以及
通过所述控制电路，使第二栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第二FET，第一FET和第二FET按反串联连接进行联接。
30.如权利要求29所述的负载控制方法，所述负载控制方法还包括：
响应于所述控制电路从所述过电流保护电路接收到包括指示跨所述可控导电装置的过电流情况的数据的信号：
通过所述控制电路，将第一栅极驱动电压设定为将第一FET置于非导电状态的电平；和
通过所述控制电路，将第二栅极驱动电压设定为将第二FET置于非导电状态的电平。
31.一种非暂态机器可读的存储装置，包括指令，所述指令当由负载控制系统控制电路执行时，使所述控制电路：
在导电状态和非导电状态之间转变可操作地联接到所述控制电路的可控导电装置，以提供相位控制的交流AC输出，使得每个AC半周期被分成导电部分和非导电部分；和
在每个AC半周期的导电部分期间启用过电流保护电路，并在每个AC半周期的非导电部分期间停用所述过电流保护电路，所述过电流保护电路可操作地联接到所述控制电路和所述可控导电装置。
32.如权利要求31所述的非暂态机器可读的存储装置，其中所述指令当由负载控制系统控制电路执行时，进一步使所述控制电路：
在每个AC半周期的导电部分期间，将所述过电流保护电路的启用在将所述可控导电装置转变为导电状态之后延迟第一延迟时间段。
33.如权利要求32所述的非暂态机器可读的存储装置，其中所述指令当由负载控制系统控制电路执行时，进一步使所述控制电路：
在每个AC半周期的非导电部分期间，将所述过电流保护电路的停用在将所述可控导电装置转变为非导电状态之后延迟第二延迟时间段。
34.如权利要求31所述的非暂态机器可读的存储装置，其中使所述控制电路在导电状态和非导电状态之间转变所述可控导电装置的所述指令进一步使所述控制电路：
使第一栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第一场效应晶体管FET，以在导电状态和非导电状态之间转变第一FET；以及
使第二栅极驱动电路可操作地联接到包括在所述可控导电装置中的第二FET，第一FET和第二FET按反串联连接进行联接。
35.如权利要求34所述的非暂态机器可读的存储装置，其中所述指令当由控制电路执行时，进一步使所述控制电路：
响应于所述控制电路从所述过电流保护电路接收到包括指示跨所述可控导电装置的过电流情况的数据的信号：
将第一栅极驱动电压设定为将第一FET置于非导电状态的电平；和
将第二栅极驱动电压设定为将第二FET置于非导电状态的电平。
36.一种负载控制装置，用于控制从交流AC电源递送到电力负载的电力，所述负载控制装置包括：
可控导电装置，所述可控导电装置适于联接在所述AC电源与所述电力负载之间以传导负载电流通过所述电力负载来控制递送到所述电力负载的所述电力；
控制电路，所述控制电路被配置成在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间处使所述可控导电装置为导电的；以及
过电流保护电路，所述过电流保护电路联接到所述可控导电装置并且被配置成在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的；
其中所述控制电路被配置为生成启用控制信号，用于在所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路并且在每个半周期期间在使所述可控导电装置为导电的所述触发时间之后启用所述过电流保护电路。
37.如权利要求36所述的负载控制装置，其中所述可控导电装置包括按反串联连接电联接的第一场效应晶体管FET和第二场效应晶体管FET。
38.如权利要求37所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述FET。
39.如权利要求38所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成在所述FET中的至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路。
40.如权利要求39所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的至少一者被控制为导电的以使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。
41.如权利要求40所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的所述至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。
42.如权利要求37所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成产生用于分别控制第一FET和第二FET的第一驱动信号和第二驱动信号。
43.如权利要求42所述的负载控制装置，还包括：
第一栅极驱动电路，所述第一栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第一驱动信号并且在所述第一FET的栅极处产生第一栅极电压；以及
第二栅极驱动电路，所述第二栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第二驱动信号并且在所述第二FET的栅极处产生第二栅极电压。
44.如权利要求43所述的负载控制装置，其中所述过电流保护电路联接到所述第一FET和所述第二FET的栅极以在出现所述过电流条件时将相应的栅极电压的量值控制为约零伏从而使所述FET为非导电的。
45.如权利要求37所述的负载控制装置，其中所述过电流保护电路联接在所述可控导电装置的两端并且被配置成响应于所述FET中的每一者的相应导通电阻而检测所述过电流条件。
46.如权利要求45所述的负载控制装置，其中所述FET的两端产生的电压的量值代表所述负载电流的量值。
47.如权利要求45所述的负载控制装置，其中所述FET的串联组合的两端产生的电压的量值取决于所述FET中的每一者的相应导通电阻。
48.如权利要求36所述的负载控制装置，其中所述可控导电装置包括全波整流桥中的场效应晶体管FET。
49.如权利要求48所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述FET。
50.如权利要求49所述的负载控制装置，其中所述控制电路被配置成在所述FET被控制为非导电时停用所述过电流保护电路。
51.如权利要求48所述的负载控制装置，其中，所述控制电路被配置为生成单个驱动信号，用于在所述桥中的所述FET的栅极处产生单个栅极电压，以使所述FET为导电的。
52.如权利要求51所述的负载控制装置，其中所述过电流保护电路联接到所述FET的栅极以在出现所述过电流条件时将栅极电压的量值控制为约零伏从而使所述FET为非导电的。
53.如权利要求48所述的负载控制装置，其中所述过电流保护电路联接在FET的两端并且被配置成响应于FET的两端产生的电压而检测所述过电流条件。
54.如权利要求53所述的负载控制装置，其中所述FET的两端产生的电压的量值代表所述负载电流的量值。
55.如权利要求36所述的负载控制装置，其中所述过电流保护电路被配置成在所述负载电流的量值超过过电流阈值时使所述可控导电装置为非导电的。
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