CN114531026B - 多相降压变换电路、装置及设备 - Google Patents

多相降压变换电路、装置及设备 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种多相降压变换电路、装置及设备，所述电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器、第二驱动器、第一控制器、第二控制器、电压分压模块、第一运算放大器、参考电压源、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，能够产生多相位信号，从而提升了降压变换器的实用性。

Description

多相降压变换电路、装置及设备
技术领域
本申请涉及电路结构技术领域，具体涉及一种多相降压变换电路、装置及设备。
背景技术
使用RBCOT架构来实现降压变换器的应用越来越多，由于其优异的瞬态负载响应特性和接近传统定频变换器的开关频率，受到更多用户的关注。但是RBCOT本身没有频率发生电路导致在调整频率大小或者多相系统中需要相位产生电路，因为没有固定时钟发生器，导致无法通过调整或者提升固定时钟发生器频率来达到频率调整或者分频来产生多相的相位信号，如果不能很好的调整频率或者产生多相相位信号，则导致降低了降压变换器的实用性。
发明内容
本申请实施例提供一种多相降压变换电路、装置及设备，能够产生多相位信号，从而提升了降压变换器的实用性。
本申请实施例的第一方面提供了一种多相降压变换电路，所述电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器、第二驱动器、第一控制器、第二控制器、电压分压模块、第一运算放大器、参考电压源、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，
所述第一开关S1的第一端与所述第三开关S3的第一端、信号输入端相连接，所述第一开关S1的第二端与所述第二开关S2的第一端、所述第一电感L1的第一端相连接，所述第一开关S1的控制端口与所述第一驱动器的第一端相连接，所述第二开关S2的第二端接地，
所述第一电感L1的第二端与所述第二电感L2的第二端、所述输出电阻R0的第一端、所述负载电阻RL的第一端、所述电压分压模块的第一端相连接，其中，所述负载电阻RL的第一端为信号输出端口，
所述输出电阻R0的第二端与所述输出电容C0的第一端相连接，所述输出电容C0的第二端接地，所述负载电阻RL的第二端接地，
所述第一驱动器的第二端与所述第二开关S2的控制端口相连接，所述第一驱动器的第三端与所述第一控制器的第一端相连接，所述第一控制器的第二端与所述第二控制器的第一端相连接，所述第一控制器第三端与所述第一运算放大器的输出端相连接，
所述第二控制器的第二端与所述第二驱动器的第一端相连接，所述第二驱动器的第二端与所述第三开关S3的控制端相连接，所述第二驱动器的第三端与所述第四开关S4的控制端相连接，
所述第三开关S3的第二端与所述第四开关S4的第一端、所述第二电感L2的第一端相连接，所述第四开关S4的第二端接地，
所述第一运算放大器的第一端与所述电压分压模块的第二端相连接，所述第一运算放大器的第二端与所述参考电压源的第一端相连接，所述参考电压源的第二端接地。
结合第一方面，在一个可能的实现方式中，所述第一控制器包括：第二运算放大器、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7、第一电阻R1，其中，
所述第二运算放大器的第一端与电压输入端口相连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一MOS管M1的第一端相连接，所述第二运算放大器的第二端与所述第一MOS管M1的第二端、第一电阻R1的第一端相连接，所述第一电阻R1的第二端接地，
所述第一MOS管M1的第三端与第二MOS管M2的第一端、所述第二MOS管M2的第二端、所述第三MOS管M3的第一端、第四MOS管M4的第一端、第五MOS管M5的第一端相连接，所述第二MOS管M2的第三端与电源相连接，
所述第三MOS管M3的第二端与所述第一电容C1的第一端、所述第五开关S5的第一端、所述第一比较器的第一端相连接，所述第三MOS管M3的第三端与所述电源相连接，
所述第一比较器的第二端与输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第一比较器的输出端口与第一信号端口相连接，
所述第一电容C1的第二端与所述第五开关S5的第二端相连接且接地，
所述第四MOS管M4的第二端与所述第二电容C2的第一端、所述第六开关S6的第一端、所述第二比较器的第一端相连接，所述第四MOS管M4的第三端与所述电源相连接，
所述第二比较器的第二端与输出K5比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第二比较器的输出端口与时钟信号端口相连接，
所述第二电容C2的第二端与所述第六开关S6的第二端相连接且接地，
所述第五MOS管M5的第二端与所述第三电容C3的第一端、所述第七开关S7的第一端、所述第三比较器的第一端相连接，所述第五MOS管M5的第三端与所述电源相连接，
所述第三比较器的第二端与所述输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第三比较器的输出端口与第二信号端口相连接，
所述第三电容C3的第二端与所述第七开关S7的第二端相连接且接地。
结合第一方面，在一个可能的实现方式中，所述第二MOS管M2用于向第三MOS管M3输出K2比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第四MOS管M4输出K4比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第五MOS管M5输出K3比例的输出电流信号，其中，K3的数值用于指示多相降压变换电路的工作频率。
结合第一方面，在一个可能的实现方式中，所述K2比例的输出信号包括K2比例的输出信号生成的第二相位的PWM信号。
结合第一方面，在一个可能的实现方式中，所述电路还包括第二电阻R2，所述第二电阻R2的第一端与所述第一开关S1的第二端相连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第二开关S2的第一端相连接。
本申请实施例的第二方面提供一种多相降压变换装置，所述装置包括电路板和如第一方面中任一项所述的多相降压变换电路。
本申请实施例的第三方面提供一种多相降压变换设备，所述设备包括壳体和如第二方面中所述的多相降压变换装置。
实施本申请实施例，至少具有如下有益效果：
多相降压变换电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器、第二驱动器、第一控制器、第二控制器、电压分压模块、第一运算放大器、参考电压源、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，所述第一开关S1的第一端与所述第三开关S3的第一端、信号输入端相连接，所述第一开关S1的第二端与所述第二开关S2的第一端、所述第一电感L1的第一端相连接，所述第一开关S1的控制端口与所述第一驱动器的第一端相连接，所述第二开关S2的第二端接地，所述第一电感L1的第二端与所述第二电感L2的第二端、所述输出电阻R0的第一端、所述负载电阻RL的第一端、所述电压分压模块的第一端相连接，其中，所述负载电阻RL的第一端为信号输出端口，所述输出电阻R0的第二端与所述输出电容C0的第一端相连接，所述输出电容C0的第二端接地，所述负载电阻RL的第二端接地，所述第一驱动器的第二端与所述第二开关S2的控制端口相连接，所述第一驱动器的第三端与所述第一控制器的第一端相连接，所述第一控制器的第二端与所述第二控制器的第一端相连接，所述第一控制器第三端与所述第一运算放大器的输出端相连接，所述第二控制器的第二端与所述第二驱动器的第一端相连接，所述第二驱动器的第二端与所述第三开关S3的控制端相连接，所述第二驱动器的第三端与所述第四开关S4的控制端相连接，所述第三开关S3的第二端与所述第四开关S4的第一端、所述第二电感L2的第一端相连接，所述第四开关S4的第二端接地，所述第一运算放大器的第一端与所述电压分压模块的第二端相连接，所述第一运算放大器的第二端与所述参考电压源的第一端相连接，所述参考电压源的第二端接地，因此，能够产生多相位信号，从而提升了降压变换器的实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1 为本申请实施例提供了一种多相降压变换电路的结构示意图；
图2 为本申请实施例提供了一种第一控制器的结构示意图；
图3 为本申请实施例提供了另一种多相降压变换电路的结构示意图；
图4 为本申请实施例提供了一种多相降压变换电路的工作波示意形图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1，图1 为本申请实施例提供了一种多相降压变换电路的结构示意图。如图1所示，多相降压变换电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器10、第二驱动器20、第一控制器30、第二控制器40、电压分压模块50、第一运算放大器60、参考电压源70、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，
所述第一开关S1的第一端与所述第三开关S3的第一端、信号输入端相连接，所述第一开关S1的第二端与所述第二开关S2的第一端、所述第一电感L1的第一端相连接，所述第一开关S1的控制端口与所述第一驱动器10的第一端相连接，所述第二开关S2的第二端接地，
所述第一电感L1的第二端与所述第二电感L2的第二端、所述输出电阻R0的第一端、所述负载电阻RL的第一端、所述电压分压模块50的第一端相连接，其中，所述负载电阻RL的第一端为信号输出端口，
所述输出电阻R0的第二端与所述输出电容C0的第一端相连接，所述输出电容C0的第二端接地，所述负载电阻RL的第二端接地，
所述第一驱动器10的第二端与所述第二开关S2的控制端口相连接，所述第一驱动器10的第三端与所述第一控制器30的第一端相连接，所述第一控制器30的第二端与所述第二控制器40的第一端相连接，所述第一控制器30第三端与所述第一运算放大器60的输出端相连接，
所述第二控制器40的第二端与所述第二驱动器20的第一端相连接，所述第二驱动器20的第二端与所述第三开关S3的控制端相连接，所述第二驱动器20的第三端与所述第四开关S4的控制端相连接，
所述第三开关S3的第二端与所述第四开关S4的第一端、所述第二电感L2的第一端相连接，所述第四开关S4的第二端接地，
所述第一运算放大器60的第一端与所述电压分压模块50的第二端相连接，所述第一运算放大器60的第二端与所述参考电压源70的第一端相连接，所述参考电压源70的第二端接地。
本示例中，多相降压变换电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器、第二驱动器、第一控制器、第二控制器、电压分压模块、第一运算放大器、参考电压源、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，所述第一开关S1的第一端与所述第三开关S3的第一端、信号输入端相连接，所述第一开关S1的第二端与所述第二开关S2的第一端、所述第一电感L1的第一端相连接，所述第一开关S1的控制端口与所述第一驱动器的第一端相连接，所述第二开关S2的第二端接地，所述第一电感L1的第二端与所述第二电感L2的第二端、所述输出电阻R0的第一端、所述负载电阻RL的第一端、所述电压分压模块的第一端相连接，其中，所述负载电阻RL的第一端为信号输出端口，所述输出电阻R0的第二端与所述输出电容C0的第一端相连接，所述输出电容C0的第二端接地，所述负载电阻RL的第二端接地，所述第一驱动器的第二端与所述第二开关S2的控制端口相连接，所述第一驱动器的第三端与所述第一控制器的第一端相连接，所述第一控制器的第二端与所述第二控制器的第一端相连接，所述第一控制器第三端与所述第一运算放大器的输出端相连接，所述第二控制器的第二端与所述第二驱动器的第一端相连接，所述第二驱动器的第二端与所述第三开关S3的控制端相连接，所述第二驱动器的第三端与所述第四开关S4的控制端相连接，所述第三开关S3的第二端与所述第四开关S4的第一端、所述第二电感L2的第一端相连接，所述第四开关S4的第二端接地，所述第一运算放大器的第一端与所述电压分压模块的第二端相连接，所述第一运算放大器的第二端与所述参考电压源的第一端相连接，所述参考电压源的第二端接地，因此，能够产生多相位信号，从而提升了降压变换器的实用性。
在一个可能的实现方式中，第一控制器30包括：第二运算放大器301、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、第三比较器CMP3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7、第一电阻R1，其中，
所述第二运算放大器的第一端与电压输入端口相连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一MOS管M1的第一端相连接，所述第二运算放大器的第二端与所述第一MOS管M1的第二端、第一电阻R1的第一端相连接，所述第一电阻R1的第二端接地，
所述第一MOS管M1的第三端与第二MOS管M2的第一端、所述第二MOS管M2的第二端、所述第三MOS管M3的第一端、第四MOS管M4的第一端、第五MOS管M5的第一端相连接，所述第二MOS管M2的第三端与电源相连接，
所述第三MOS管M3的第二端与所述第一电容C1的第一端、所述第五开关S5的第一端、所述第一比较器的第一端相连接，所述第三MOS管M3的第三端与所述电源相连接，
所述第一比较器的第二端与输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第一比较器的输出端口与第一信号端口相连接，
所述第一电容C1的第二端与所述第五开关S5的第二端相连接且接地，
所述第四MOS管M4的第二端与所述第二电容C2的第一端、所述第六开关S6的第一端、所述第二比较器的第一端相连接，所述第四MOS管M4的第三端与所述电源相连接，
所述第二比较器的第二端与输出K5比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第二比较器的输出端口与时钟信号端口相连接，
所述第二电容C2的第二端与所述第六开关S6的第二端相连接且接地，
所述第五MOS管M5的第二端与所述第三电容C3的第一端、所述第七开关S7的第一端、所述第三比较器的第一端相连接，所述第五MOS管M5的第三端与所述电源相连接，
所述第三比较器的第二端与所述输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第三比较器的输出端口与第二信号端口相连接，
所述第三电容C3的第二端与所述第七开关S7的第二端相连接且接地。
本申请实施例中的第一控制器和第二控制器的电路结构相同。
在一个可能的实现方式中，所述第二MOS管M2用于向第三MOS管M3输出K2比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第四MOS管M4输出K4比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第五MOS管M5输出K3比例的输出电流信号，其中，K3的数值用于指示多相降压变换电路的工作频率。
在一个可能的实现方式中，所述K2比例的输出信号包括K2比例的输出信号生成的第二相位的PWM信号。
在一个可能的实现方式中，如图3所示，所述电路还包括第二电阻R2，所述第二电阻R2的第一端与所述第一开关S1的第二端相连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第二开关S2的第一端相连接。
在一个具体的实施例中，本申请实施例提供了一种具体的多相降压变换电路的工作原理的示例。
图2所示电路为多相系统工作时的TON发生电路（控制器），其中相比单相TON发生电路，结构中多了两组电流比例和斜坡发生电路，以及两个比较器，M2中电流经过K4比例到M4中，M4漏端接相位斜坡信号第二电容C2，第二电容C2接开关S6，开关S6受PHASE_CONTROL控制，另一端接第二比较器CMP2，第二比较器CMP2正相端接参考电压K5*VIN，产生相位输出信号，M2中电流再一次经过K3比列到M5中，M5的漏端接一个第三电容C3，同样第三电容C3接第七开关S7，第七开关S7受PWM2信号控制，第三电容C3接第三比较器CMP3，CMP3正相端接K2*VOUT参考电压产生第二相位PWM的TON信号。VIN为输入电压。
系统工作波形示意图如图4所示，根据单相工作系统TSW周期公式，K3系数可以用来调节系统工作频率，那么K4系数和第二电容C2容值进行组合就可以产生相位起始信号，以两相为例，两个相位差为180度，即第二相位要比第一相位延迟半个周期TDELAY=1*TSW/2，根据单相工作中的TSW公式TSW= K2*CTON/（K3/R1），其中，CTON为与MOS管相连接的电容，假定C1和C2电容一致的情况下,相位斜坡的斜坡时间公式为TDELAY=K5*C2/(K4*K1/R1) ，假定C1=C2，同时设定K5=K2，K4=2*K3，可以得到TDELAY={K2*CTON/(K3*K1/R1)}*(1/2)=1*TSW/2,由此可见相位斜坡信号实现了1/2周期的时间信号，同理可以通过简单调整K4与K3的比例实现两相、三相以及四相以上的其他任意相位组合。如图4所示，假定VOUT电压处于周期内最低点，电压反馈环路比较器输出为高，PWM_RST信号置高，第一相PWM1信号置高，同时PHASE_CONTROL信号置高，第一电容C1上电压开始上升，第二电容C2电压也开始上升，当第一相位TON斜坡电压达到设定值时，比较器CMP1输出置0，PWM1被置0，同理当第二电容C2斜坡电压达到设定值时，即相对于第一相位的PWM_RST延时1/2*TSW，比较器CMP2输出置0，并产生一个PHASE2_RST窄脉冲信号，第三电容C3开始充电，同时第二相位PWM2信号被置高，当第三电容C3斜坡电压到达后，PWM2信号被置0，等待新的周期起始信号，PWM2信号置0后等待一段时间第一相位的周期时间TSW到达，PWM_RST再一次置高，PWM1被再一次置高进入新的周期循环，同时第二电容C2也开始产生新的斜坡电压，当第二电容C2斜坡电压到达后，意味着相对第一相位的第二个周期起始信号又延时了1/2*TSW时间，此时第二相位接收到新的PHASE2_RST信号，第二相位PWM2重新置高，开始新的周期循环。
多相降压变换电路还可以进行频率调节，其进行频率调节的原理为：M2的电流和M1中电流相等且等于电阻R1中电流，根据EA工作特性得到IR1=K*VIN/R1,则可以得到M3中电流为K3*（K1*VIN/R1），根据第一比较器CMP1正相端参考电压K2*VOUT，假设斜坡上升时间为TON，根据电容电压电荷公式I*T=C*V可以得到TON*K3*（K1*VIN/R1）=K2*VOUT*C1，那么可以得到TON表达式为TON=K2*VOUT*C1/（K3*VIN/R1）={ K2*C1/(K3*K1/R1) }*VOUT/VIN，根据降压转换器的工作频率与输入输出电压关系可以得到TON=TSW*（VOUT/VIN），其中TSW为转换器工作周期时间，比较两个TON公式，可以得到系统工作周期TSW= K2*C1/（K3/R1），其中K2，C1以及R1为固定常量，K3为可调变量，从而可以得到在K3固定的情况下系统工作周期为固定的，即系统工作频率基本不随输入或者输出的变化而变化，同时可以通过调整K3的数值来实现不同的频率设定调节功能。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (6)

1.一种多相降压变换电路，其特征在于，所述电路包括：第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第一驱动器、第二驱动器、第一控制器、第二控制器、电压分压模块、第一运算放大器、参考电压源、第一电感L1、第二电感L2、输出电阻R0、负载电阻RL、输出电容C0，其中，
所述第一开关S1的第一端与所述第三开关S3的第一端、信号输入端相连接，所述第一开关S1的第二端与所述第二开关S2的第一端、所述第一电感L1的第一端相连接，所述第一开关S1的控制端口与所述第一驱动器的第一端相连接，所述第二开关S2的第二端接地，
所述第一电感L1的第二端与所述第二电感L2的第二端、所述输出电阻R0的第一端、所述负载电阻RL的第一端、所述电压分压模块的第一端相连接，其中，所述负载电阻RL的第一端为信号输出端口，
所述输出电阻R0的第二端与所述输出电容C0的第一端相连接，所述输出电容C0的第二端接地，所述负载电阻RL的第二端接地，
所述第一驱动器的第二端与所述第二开关S2的控制端口相连接，所述第一驱动器的第三端与所述第一控制器的第一端相连接，所述第一控制器的第二端与所述第二控制器的第一端相连接，所述第一控制器第三端与所述第一运算放大器的输出端相连接，
所述第二控制器的第二端与所述第二驱动器的第一端相连接，所述第二驱动器的第二端与所述第三开关S3的控制端相连接，所述第二驱动器的第三端与所述第四开关S4的控制端相连接，
所述第三开关S3的第二端与所述第四开关S4的第一端、所述第二电感L2的第一端相连接，所述第四开关S4的第二端接地，
所述第一运算放大器的第一端与所述电压分压模块的第二端相连接，所述第一运算放大器的第二端与所述参考电压源的第一端相连接，所述参考电压源的第二端接地；
所述第一控制器包括：第二运算放大器、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7、第一电阻R1，其中，
所述第二运算放大器的第一端与电压输入端口相连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一MOS管M1的第一端相连接，所述第二运算放大器的第二端与所述第一MOS管M1的第二端、第一电阻R1的第一端相连接，所述第一电阻R1的第二端接地，
所述第一MOS管M1的第三端与第二MOS管M2的第一端、所述第二MOS管M2的第二端、所述第三MOS管M3的第一端、第四MOS管M4的第一端、第五MOS管M5的第一端相连接，所述第二MOS管M2的第三端与电源相连接，
所述第三MOS管M3的第二端与所述第一电容C1的第一端、所述第五开关S5的第一端、所述第一比较器的第一端相连接，所述第三MOS管M3的第三端与所述电源相连接，
所述第一比较器的第二端与输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第一比较器的输出端口与第一信号端口相连接，
所述第一电容C1的第二端与所述第五开关S5的第二端相连接且接地，
所述第四MOS管M4的第二端与所述第二电容C2的第一端、所述第六开关S6的第一端、所述第二比较器的第一端相连接，所述第四MOS管M4的第三端与所述电源相连接，
所述第二比较器的第二端与输出K5比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第二比较器的输出端口与时钟信号端口相连接，
所述第二电容C2的第二端与所述第六开关S6的第二端相连接且接地，
所述第五MOS管M5的第二端与所述第三电容C3的第一端、所述第七开关S7的第一端、所述第三比较器的第一端相连接，所述第五MOS管M5的第三端与所述电源相连接，
所述第三比较器的第二端与所述输出K2比例的输出信号的信号输出端口相连接，所述第三比较器的输出端口与第二信号端口相连接，
所述第三电容C3的第二端与所述第七开关S7的第二端相连接且接地。
2.根据权利要求1所述的变换电路，其特征在于，所述第二MOS管M2用于向第三MOS管M3输出K2比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第四MOS管M4输出K4比例的输出电流信号，所述第二MOS管M2用于向第五MOS管M5输出K3比例的输出电流信号，其中，K3的数值用于指示多相降压变换电路的工作频率。
3.根据权利要求2所述的变换电路，其特征在于，所述K2比例的输出信号包括K2比例的输出信号生成的第二相位的PWM信号。
4.根据权利要求1-3任一项所述的变换电路，其特征在于，所述电路还包括第二电阻R2，所述第二电阻R2的第一端与所述第一开关S1的第二端相连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第二开关S2的第一端相连接。
5.一种多相降压变换装置，其特征在于，所述装置包括电路板和如权利要求1-4任一项所述的多相降压变换电路。
6.一种多相降压变换设备，其特征在于，所述设备包括壳体和如权利要求5所述的多相降压变换装置。
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