CN114514473A - 基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进 - Google Patents

基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进 Download PDF

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Abstract

某些方面涉及一种用于改进光刻配置的方法。在光刻配置中，源照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂。处理器确定基于缺陷的聚焦曝光窗口(FEW)。基于缺陷的FEW是在晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于缺陷的FEW基于在晶片上出现缺陷的预测概率分布而被确定。处理器还确定基于关键尺寸(CD)的FEW。基于CD的FEW是在晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于CD的FEW基于晶片上的预测CD而被确定。光刻配置基于增加基于缺陷的FEW和基于CD的FEW之间的重叠区域而被修改。

Description

基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年09月25日提交的美国临时专利申请序列号62/905,771、“Stochastic Window Centering for Semiconductor Process Defect Mode”以及于2019年09月30日提交的美国临时专利申请序列号62/907,901、“Stochastic Window Centeringfor Semiconductor Process Defect Mode”的优先权。所有上述内容的主题通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本公开涉及光刻，并且更具体地，涉及使用对缺陷和关键尺寸的预测来改进光刻过程。
背景技术
半导体晶片的制造中的一个步骤涉及光刻。在通常的光刻过程中，源产生光，光被收集/照射光学器件收集和引导以照射掩模。投影光学器件将由被照射掩模产生的图案中继到晶片上，根据照射图案将晶片上的抗蚀剂曝光。然后，图案化的抗蚀剂被用于在晶片上制造结构的过程中。对于给定掩模，光刻装备可以在一定范围的聚焦设置和一定范围的曝光设置上操作，同时仍然产生可接受的结果。该范围被称为焦深(例如，以纳米表示的聚焦)和曝光宽容度(例如，以毫焦耳每平方厘米表示的曝光)。由可接受的焦深和曝光宽容度定义的区域被称为针对掩模和光刻装备的光刻配置的聚焦曝光窗口(FEW)。
随着光刻向更短的波长范围(例如，在大约13.3nm-13.7nm的EUV)和更小的几何形状(例如，10nm、7nm和更小的技术节点，具有20nm、14nm和更小的特征尺寸)移动，对制造变化的敏感性增加。例如，较高的光子能量会导致相同能量曝光的光子计数较低。这可能导致在较长波长和较大几何形状下可忽略或不存在的随机缺陷机制。当前的光刻优化方法可能会忽略这些影响，因此可能导致次优的光刻配置。
发明内容
某些方面涉及一种用于改进光刻配置的方法。在光刻配置中，源照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂。处理器确定基于缺陷的聚焦曝光窗口(FEW)。基于缺陷的FEW是在晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于缺陷的FEW基于在晶片上出现缺陷的预测概率分布而被确定。处理器还确定基于关键尺寸(CD)的FEW。基于CD的FEW是在晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于CD的FEW基于晶片上的预测CD而被确定。光刻配置基于增加基于缺陷的FEW和基于CD的FEW之间的重叠区域而被修改。
其他方面包括部件、设备、系统、改进、方法、过程、应用、计算机可读介质和与上述任一项相关的其他技术。
附图说明
专利或申请文件包含至少一幅以彩色绘制的图。官方将根据请求和支付必要的费用提供本专利或专利申请出版物的具有彩色附图的副本。
将从下面给出的详细描述以及从本公开的实施例的附图更全面地理解本公开。附图用于提供对本公开的实施例的知识和理解，并且不将本公开的范围限制于这些特定实施例。此外，附图不一定按比例绘制。
图1描绘了适于与本公开的实施例一起使用的EUV光刻系统。
图2描绘了根据本公开的一些实施例的用于基于关键尺寸和缺陷概率模型来改进光刻系统的流程图。
图3描绘了用于基于优化源来改进光刻系统的流程图。
图4描绘了用于基于优化掩模来改进光刻系统的流程图。
图5描绘了用于创建随机模型的流程图。
图6A至图6C描绘了使用基于CD的过程窗口和基于缺陷的过程窗口的源掩模优化的示例。
图7描绘了根据本公开的一些实施例的在集成电路的设计和制造期间使用的各种过程的流程图。
图8描绘了本公开的实施例可以在其中操作的示例计算机系统的抽象图。
具体实施方式
本公开的方面涉及基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进。为了制造半导体设备，光刻工具必须能够在针对给定掩模的聚焦设置和曝光设置的范围内成像。该范围被称为焦深(例如，以纳米为单位测量的聚焦)和曝光宽容度(例如，以毫焦耳每平方厘米测量的曝光)。焦深和曝光宽容度定义了一个二维空间。在该空间的某些区域上，光刻工具将满足晶片上的关键尺寸(CD)的要求。该区域可以被称为过程窗口或聚焦曝光窗口(FEW)。此外，光刻过程中的随机变化导致的随机图案失效也受焦深和曝光宽容度的影响。因此，存在两种FEW：一种基于CD变化(基于CD的过程窗口)，一种基于缺陷出现的概率(基于缺陷的过程窗口)。
在通常的设计方法中，这两个过程窗口可能没有大的重叠区域。例如，如果假设随机变化可忽略或以其他方式被忽略，则在设计过程中将不考虑基于缺陷的过程窗口。所得到的设计可能具有一个基于缺陷的过程窗口，该基于缺陷的过程窗口与基于CD的过程窗口不明显重叠。这将减少总产量。相反，在设计阶段考虑CD变化和缺陷概率分布两者，可以产生在两个过程窗口之间具有较大重叠的光刻配置，从而在操作光刻装备方面提供较大的容差并且增加产量。
图1描绘了适于与本公开的实施例一起使用的极紫外(EUV)光刻系统。在该系统中，源110产生EUV光，该EUV光被收集/照射光学器件120收集和引导以照射掩模130。投影光学器件140将由被照射掩模产生的图案中继到晶片150上，根据照射图案曝光晶片上的抗蚀剂。曝光的抗蚀剂然后被显影，在晶片上产生图案化的抗蚀剂。这用于例如通过沉积、掺杂、蚀刻或其他过程而在晶片上制造结构。
在图1中，光在EUV波长范围内，大约13.5nm或在13.3nm至13.7nm范围内。在这些波长处，部件通常是反射性的，而不是透射性的。掩模130是反射性掩模，并且光学器件120、140也是反射性的和离轴的。这仅是一个示例。也可以使用其他类型的光刻系统，包括在其他波长下，使用透射性掩模和/或光学器件，以及使用正抗蚀剂或负抗蚀剂。
图2描绘了用于基于关键尺寸和缺陷概率模型来改进光刻系统的流程图。虚线框包括总体光刻配置200的仿真或模型。为方便起见，分开的框被示出以对应于物理部件或过程，但仿真不需要以该方式被实现。例如，源210表示源110的模型，并且照射光学器件212表示照射光学器件120的效果。这些用于预测掩模的源照射215。然而，实际仿真可以使用或可以不使用针对源210和光学器件212的独立模型。在一些情况下，两者可以被组合成预测源照射215的单个模型或仿真。掩模220对掩模130对入射照射215的影响建模。投影光学器件222表示光学器件140的效果。源照射215由掩模220过滤，并且由投影光学器件220中继以产生空间像225，空间像225将晶片上的抗蚀剂曝光。抗蚀剂通过曝光230和显影232被建模，产生图案化的抗蚀剂235。附加建模可以用于预测蚀刻、掺杂、沉积或其他半导体制造过程。
图案化的抗蚀剂235的质量的一种量度是关键尺寸(CD)。CD是图案化的抗蚀剂中的重要特征的尺寸。通常，CD是印刷在抗蚀剂中的最小线宽或间距宽度。因此，它是衡量抗蚀剂和光刻过程的分辨率的量度。模型200可以用于预测260针对给定光刻配置的CD。光刻配置200的改变将导致图案化的抗蚀剂235的改变和CD中的变化262。
光刻系统的两个重要操作参数是曝光和聚焦。曝光(或剂量)是照射抗蚀剂的能量的量。曝光的变化可以被称为曝光宽容度。聚焦是指不同部件的光学对齐，例如，投影光学器件对齐到何种程度以将掩模完美地成像到抗蚀剂上。聚焦的变化可以被称为散焦。给定模型200，可以预测取决于曝光宽容度和散焦的CD变化262。相反，也可以预测产生可接受CD变化水平的曝光宽容度的值和散焦的值。这被称为基于CD的过程窗口265。
图案化的抗蚀剂235的质量的另一个量度是缺陷。缺陷的示例包括：当应当分离的两个打印线被合并时，当应当连续的打印线具有中断时，以及当在中心应当具有孔的打印特征实际上被填充时。
光刻过程具有随机变化。例如，抗蚀剂图案235的质量取决于曝光期间光子吸收事件的均匀性以及抗蚀剂中的后续光化学反应的均匀性。随着源光子计数输出减少，光子统计(例如散粒噪声)变得越来越重要，因为光子吸收事件的数目是光刻过程中的随机过程链中的一个随机过程。EUV光刻系统以光子输出低和通过工具的源生产量低两者来被表征。由于这些原因，光子散粒噪声可能在EUV系统中发挥更大的作用，尤其是在特征尺寸为14nm或小于14nm的技术节点下。考虑随机过程产生缺陷预测270，缺陷预测270是概率性的272而不是确定性的。例如，仿真可以产生晶片上出现缺陷的概率分布-对晶片(或晶片的一部分)实现任何特定缺陷的概率或缺陷率。
给定根据曝光宽容度和散焦来预测缺陷概率272的能力，也可以确定基于缺陷的过程窗口275。这是产生可接受缺陷概率水平的曝光宽容度值和散焦值。
给定基于CD的过程窗口265和基于缺陷的过程窗口275，可以确定两个窗口之间的重叠280。这表示可用的过程窗口，至少就CD变化和缺陷概率而言。即使两个分开的过程窗口265、275较大，但如果它们相对于彼此移动，那么可用的过程窗口280将相对较小。因此，光刻配置200可以被修改290以改进重叠区域。在一些情况下，可以通过改进两个过程窗口265、275相对于彼此的对齐或居中，来增加重叠区域280。在其他情况下，可以通过增加一个或两个过程窗口265、275的区域，来增加重叠区域280。
图3和图4描绘了对光刻配置的不同类型的改进。在图3中，例如通过修改390源210来修改源照射215。在一种方法中，缺陷概率模型被用在源掩模优化(SMO)中以优化源的形状来防止缺陷。成本函数与SMO一起被使用，来驱动源的形状以减少晶片上的缺陷。这可以通过构建允许更多光子(更高曝光能量)的最终源形状来实现所需CD来实现。缺陷的概率与光子的数目成反比。然而，CD也将随光子数目而改变，因此源必须考虑这两种效应。
在源被选择之后，还可以进一步优化光刻配置的其他部分，例如掩模。这可以通过光学邻近校正(OPC)、亚分辨率辅助特征(SRAF)和/或相移(在相移掩模的情况下)来实现。如图4中所示，这些掩模优化技术也可以被用来与源优化无关地修改490掩模。
在这些优化的情况下，可以使用成本函数来减小缺陷出现的概率。例如，缺陷出现的概率可以从3sigma改进到5sigma。
在图2至图4中，可以以不同方式计算缺陷概率272。在一种方法中，使用针对光刻配置中的随机变化的概率分布，来计算晶片上出现缺陷的概率分布。例如，光子计数可以具有已知分布，这取决于每个区域的光子总数目。仿真可以预测曝光抗蚀剂的平均光子数目，然后可以将平均光子数目与基于光子计数的平均数目的概率分布重叠。类似的方法可以用于其他随机变化。概率分布可以是基于第一原理、启发式近似或经验观察。
备选地，光刻配置200的建模中的不同部件可以具有随机分量，并且这些随机分量可以通过仿真传播。例如，假设所有随机分量具有高斯分布。继而，在仿真中不同点处的概率分布可以通过计算仿真中该点处的均值和方差来被跟踪。如果源210具有某一均值和方差，并且照射光学器件212的效果是已知的，则源照射215的均值和方差可以被计算。不同的部件单独也可以是随机的。例如，来自掩模220的散射可以具有一些随机变化，该随机变化被添加到源照射215。
图5描绘了用于创建随机模型的一个示例的流程图。如所示的，在第一校准510期间，抗蚀剂过程的参数514与光学模型512一起被使用以生成抗蚀剂模型516。在随机校准520期间，随机参数522与抗蚀剂模型516一起被用来生成随机模型524。在一些实施例中，光学模型512和抗蚀剂模型516确定与光学信号相关联的光学信号强度和光学信号阈值。在一些实施例中，随机模型524获得与光学信号相关联的确定的光学信号强度和确定的光学信号阈值。备选地，在一些实施例中，随机模型524确定光学信号强度和光学信号阈值。
在一些实施例中，使用光学信号阈值来提取光学信号轮廓被执行。提取光学信号轮廓可以被随机执行。通常，针对两个变量(诸如，光学信号强度I(x)，以及光学信号到达的表面上的点x)的函数的轮廓线是曲线，函数沿该曲线具有常数值，以便曲线连接相等值的点。在一些实施例中，光学信号轮廓是函数I(x)的二维图的平行于x平面的平面截面。在一些实施例中，与光学信号相关联的信号场被创建。之后，与光学信号相关联的、用于图案转移的光学信号阈值被确定。在一些实施例中，光学信号阈值是常数。在一些实施例中，光学信号阈值由预期到达一个点的光子数目定义，即截止剂量除以与区域相关联的剂量。例如，如果光学信号阈值为0.2，并且与区域相关联的剂量是每平方纳米20个光子，则截面为1平方纳米的特定区域接收少于或多于4个光子(即20*0.2)的截止剂量的概率，指示在特定区域上形成边缘的不确定性。在一些实施例中，边缘在光学信号阈值位置处不具有无限斜率和曲率，一旦考虑相邻体素(即三维像素)的相关效应，这会导致可能的有限模糊。作为示例，对于正显影，假设高于光学信号阈值的光学信号被清除，并且假设低于光学信号阈值的光学信号保持完整。
更多细节可以在美国临时申请号62/980913、“Stochastic Signal Predictionin Compact Modeling”和美国临时申请号63/035468“Calibrating Stochastic Signalsin Compact Modeling”中找到，上述申请通过引用并入本文。
在又一种方法中，可以使用蒙特卡罗方法来开发缺陷的概率分布。
图6A至图6C描绘了使用上述技术的源掩模优化的示例。每个图示出了不同的情况，从图6A进行到图6C。在每个图中，较小的黑白图像是源掩模610。主彩色图像绘制不同的量，该量取决于散焦(x轴)和曝光宽容度(y轴)。
图6A示出了在源掩模优化被执行之后的情况，但仅考虑CD效应而不考虑随机缺陷。所得到的源掩模610A被示出。图6A绘制了成对的同色曲线，其中两个曲线之间的带是可接受CD变化的区域。青色区域620A表示所有曲线的总体可接受过程窗口，因为它落在所有曲线对的内部带内。椭圆665A是内切在青色区域620A内的最佳拟合椭圆。它具有6％的曝光宽容度，并且具有118nm的焦深，但它仅表示基于CD的过程窗口。
图6B示出了针对与图6A相同情况的基于缺陷的过程窗口。掩模610A与图6B中的相同。为了清楚起见，来自图6A的曲线对未被示出。图6B中的新颜色曲线表示可接受缺陷概率的区域。青色区域620B表示所有曲线的总体可接受过程窗口，因为它落入所有颜色曲线的可接受范围内。椭圆675B是内切在青色区域620B内的最佳拟合椭圆。它具有6％的曝光宽容度，并且具有43nm的焦深。这比图6A的过程窗口680A小得多，但它是用于源掩模610A的实际过程窗口，因为它也考虑了缺陷。
图6C示出了考虑CD效应和随机缺陷两者来优化源掩模时的情况。为方便起见，仅针对缺陷概率的彩色曲线被示出。CD彩色曲线未被示出，因为它们没有限制性。所得到的源掩模610C与以前不同。然而，总体过程窗口680C具有6％的曝光宽容度，并且具有70nm的焦深，这显著大于图6A和图6B中的可用过程窗口。
图7图示了在诸如集成电路的制品的设计、验证和制造期间使用的过程700的示例集合，以转换和验证表示集成电路的设计数据和指令。这些过程中的每个过程可以被结构化和使能为多个模块或操作。术语‘EDA’表示术语‘电子设计自动化’。这些过程从利用设计师提供的信息创建产品构思710开始，该信息被转换以使用EDA过程712的集合来产生制品。在完成设计时，设计被流片734，这是将集成电路的图稿(例如，几何图案)发送到制造工厂以制造掩模组的时间，然后掩模组被用来制造集成电路。在流片之后，制造736半导体裸片，并且执行封装和组装过程738以生产成品集成电路740。
电路或电子结构的规格范围可能从低级晶体管材料布局到高级描述语言。使用诸如VHDL、Verilog、SystemVerilog、SystemC、MyHDL或OpenVera的硬件描述语言(‘HDL’)，可以使用高级抽象来设计电路和系统。HDL描述可以被转换为逻辑水平的寄存器传输级(‘RTL’)描述、门级描述、布局级描述或掩模级描述。每个较低的抽象水平(即不太抽象的描述)将更多有用的细节添加到设计描述中，例如，针对包括该描述的模块的更多细节。较低的抽象水平(即不太抽象的描述)可以由计算机生成，从设计库导出或由另一个设计自动化过程创建。用于指定更多详细描述的较低抽象语言水平的规范语言的一个示例是SPICE，它用于具有许多模拟部件的电路的详细描述。在每个抽象水平处的描述被使能，以供该层的对应工具使用(例如形式验证工具)。设计过程可以使用图7中描述的序列。所描述的过程由EDA产品(或工具)使能。
在系统设计714期间，指定要被制造的集成电路的功能。可以针对期望特性(诸如功耗、性能、面积(物理和/或代码行)和成本降低等)对设计进行优化。在该阶段，可以将设计划分为不同类型的模块或部件。
在逻辑设计和功能验证717期间，以一种或多种描述语言指定电路中的模块或部件，并且检查该规格的功能准确性。例如，可以验证电路的部件，以生成与所设计的电路或系统的规格要求进行匹配的输出。功能验证可以使用仿真器和其他程序，诸如测试台生成器、静态HDL检查器和正式验证器。在一些实施例中，被称为‘仿真器’或‘原型系统’的部件的特殊系统被用来加速功能验证。
在用于测试的综合和设计718期间，HDL代码被转换为网表。在一些实施例中，网表可以是图形结构，其中图形结构的边缘表示电路的部件，并且其中图形结构的节点表示部件如何被互连。HDL代码和网表两者是制造的分层产品，其可以由EDA产品使用来验证：集成电路在被制造时是否根据指定的设计执行。可以针对目标半导体制造技术优化网表。附加地，成品集成电路可以被测试，以验证集成电路是否满足规格的要求。
在网表验证720期间，检查网表是否符合时序约束以及是否与HDL代码相对应。在设计规划722期间，构造并分析集成电路的总体平面图，以进行时序和顶层布线。
在布局或物理实现724期间，进行物理放置(电路部件(诸如晶体管或电容器)的放置)和布线(电路部件通过多个导体的连接)，并且可以执行从库中选择单元以使能特定的逻辑功能。如本文所使用的，术语‘单元’可以指定晶体管、其他部件和互连的集合，其提供布尔逻辑功能(例如，AND、OR、NOT、XOR)或存储功能(诸如，触发器或锁存器)。如本文所使用的，电路‘块’可以指代两个以上的单元。单元和电路块两者可以被称为模块或部件，并且可以被使能为物理结构和仿真两者。诸如大小的参数被指定为用于所选择的单元格(基于‘标准单元’)，并且使得在数据库中可访问，以供EDA产品使用。
在分析和提取726期间，在布局水平验证电路功能，该布局水平允许对布局设计的改进。在物理验证728期间，检查布局设计以确保制造约束(诸如DRC约束、电气约束、光刻约束)是正确的，并且确保电路功能与HDL设计规格匹配。在解析增强730期间，布局的几何形状被转变以改善电路设计被制造的方式。
在流片期间，创建数据以用于(如果合适，在应用光刻增强之后)生产光刻掩模。在掩模数据准备732期间，‘流片’数据用于产生光刻掩模，该光刻掩模用于生产成品集成电路。
计算机系统(诸如，图8的计算机系统800)的存储子系统可以用于存储程序或数据结构，该程序和数据结构由本文所述的一些或所有EDA产品使用，并且由用于开发库的单元的产品以及用于使用该库的物理和逻辑设计的产品使用。
图8图示了计算机系统800的示例机器，在其中可以执行用于使该机器执行本文所讨论的方法中的任何一个或多个的指令集。在备选实施方式中，该机器可以连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其他机器。该机器可以在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的能力操作，可以作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器操作，也可以作为云计算基础架构或环境中的服务器或客户端计算机操作。
机器可以是个人计算机(PC)、平板电脑、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或能够执行指令集(顺序指令或其他指令)的任何机器，指令集指定要由该机器执行的行动。此外，虽然图示了单个机器，但是术语“机器”也应当被理解为包括机器的任何集合，这些机器单独地或共同地执行一组(或多组)指令以执行本文讨论的任何一个或多个方法。
示例计算机系统800包括处理设备802、主存储器804(例如，只读存储器(ROM)、闪存、诸如同步DRAM(SDRAM)的动态随机存取存储器(DRAM))、静态存储器806(例如，闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等))以及数据存储设备818，它们经由总线830彼此通信。
处理设备802表示一个或多个处理器，诸如微处理器、中央处理单元等。更具体地，处理设备可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器，或者是实现其他指令集的处理器，或者是实现指令集的组合的处理器。处理设备802还可以是一个或多个专用处理设备，诸如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理设备802可以被配置成执行指令826以执行本文描述的操作和步骤。
计算机系统800可以还包括网络接口设备808，以通过网络820进行通信。计算机系统800还可以包括视频显示单元810(例如，液晶显示器(LCD)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入设备812(例如键盘)、光标控制设备814(例如鼠标)、图形处理单元822、信号生成设备816(例如扬声器)、图形处理单元822、视频处理单元828和音频处理单元832。
数据存储设备818可以包括机器可读存储介质824(也被称为非暂态计算机可读介质)，其上存储着体现本文所述的方法或功能中的任何一个或多个方法或功能的一个或多个指令集826或软件。在计算机系统800执行指令826的过程中，指令826也可以全部或至少部分地驻留在主存储器804内和/或驻留在处理设备802内，主存储器804和处理设备802也构成机器可读存储介质。
在一些实施方式中，指令826包括用于实现与本公开相对应的功能的指令。尽管在示例实施方式中将机器可读存储介质824示为单个介质，但是术语“机器可读存储介质”应当被认为包括单个介质或多个介质(例如，中心化或分布式数据库，和/或相关联的缓存和服务器)来存储一个或多个指令集。术语“机器可读存储介质”也应当被认为包括能够存储或编码指令集的任何介质，该指令集用于由机器执行并且使机器和处理设备802执行本公开的方法中的任何一个或多个。因此，术语“机器可读存储介质”应当被认为包括但不限于固态存储器、光学介质和磁性介质。
已经根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示，呈现了前述详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向本领域的其他技术人员传达其工作实质的方式。算法可以是导致期望结果的操作的序列。这些操作是需要对物理量进行物理操纵的操作。这种量可以采取能够被存储、组合、比较以及以其他方式操纵的电或磁信号的形式。这种信号可以被称为位、值、元素、符号、字符、项、数字等。
但是，应当记住，所有这些和类似术语均应当与适当的物理量相关联，并且仅仅是应用于这些量的方便标签。除非从本公开中另外明确指出，否则应当理解，贯穿本描述，某些术语指代计算机系统或类似电子计算设备的行动和过程，其将计算机系统的寄存器内的表示为物理(电子)量的数据操纵和转换为其他数据，该其他数据类似地被表示为计算机系统存储器或寄存器或其他这种信息存储设备内的物理量。
本公开还涉及用于执行本文中的操作的装置。该装置可以被特别构造以用于预期目的，或者它可以包括由计算机中存储的计算机程序选择性地激活或重新配置的计算机。这种计算机程序可以被存储在计算机可读存储介质中，诸如但不限于任何类型的磁盘(包括软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘)、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光学卡，或适于存储电子指令的任何类型的介质，每个均耦合到计算机系统总线。
本文提出的算法和显示不与任何特定的计算机或其他装置固有地相关。各种其他系统可以与根据本文的教导的程序一起使用，或者它可以被证明易于构造更专用的装置来执行该方法。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应当理解，可以使用各种编程语言来实现如本文所述的本公开的教导。
本公开可以被提供为计算机程序产品或软件，其可以包括其上存储有指令的机器可读介质，该指令可以用于对计算机系统(或其他电子设备)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读介质包括用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。例如，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读存储介质，诸如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存设备等。
在前述公开中，已经参考本公开的具体示例实施方式描述了本公开的实施方式。明显的是，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改。在本公开以单数形式指代一些元素的情况下，在附图中可以描绘一个以上的元素，并且相同的元素用相同的附图标记来标记。因此，本公开和附图应当被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (20)

1.一种用于改进光刻配置的方法，所述光刻配置包括照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂的源，所述方法包括：
由处理器基于所述晶片上出现缺陷的预测概率分布，来确定基于缺陷的聚焦曝光窗口FEW，其中所述基于缺陷的FEW是在所述晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域，
由处理器基于所述晶片上的预测关键尺寸CD，来确定基于CD的FEW；其中所述基于CD的FEW是在所述晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域；以及
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的重叠区域，来修改所述光刻配置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述基于缺陷的FEW是基于所述晶片的缺陷率，并且所述晶片的所述缺陷率基于所述晶片上出现缺陷的所述预测概率分布而被确定。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻配置在极紫外EUV波长范围操作，并且所述晶片上出现缺陷的所述概率分布是曝光所述抗蚀剂的光子的随机变化的结果。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使用针对所述光刻配置中的随机变化的概率分布，来计算所述晶片上出现缺陷的所述概率分布。
5.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述光刻配置的蒙特卡罗仿真，来计算所述晶片上出现缺陷的所述概率分布。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：预测所述晶片上出现缺陷的所述概率分布，其中预测出现缺陷的所述概率分布包括：
确定曝光所述抗蚀剂的光学信号的轮廓，其中所述光学信号由概率分布表征；
至少部分地基于所述光学信号的强度来定义第一参数；
定义指示所述光学信号的由所述抗蚀剂吸收的部分的第二参数；以及
至少部分地基于所述光学信号轮廓以及所述第一参数和所述第二参数，来预测出现缺陷的所述概率分布。
7.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述光刻配置包括：
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域，来修改所述源。
8.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述光刻配置包括：
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域，来修改所述掩模。
9.根据权利要求8所述的方法，其中修改所述掩模还包括：
使用亚分辨率辅助特征和光学邻近校正中的至少一项，来修改所述掩模。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述掩模包括相移元件，并且修改所述掩模还包括：
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域，来修改所述相移元件。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻配置在极紫外EUV波长范围并且在具有14nm或小于14nm的特征尺寸的技术节点操作。
12.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述光刻配置包括：
定义成本函数，所述成本函数取决于所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域；以及
基于改进所述成本函数来修改所述光刻配置。
13.一种用于改进光刻配置的系统，所述光刻配置包括照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂的源，所述系统包括：
存储器，存储指令；以及
处理器，与所述存储器耦合并且执行所述指令，所述指令在被执行时使所述处理器：
基于所述晶片上出现缺陷的预测概率分布，来确定基于缺陷的聚焦曝光窗口FEW，其中所述基于缺陷的FEW是在所述晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域，
基于所述晶片上的预测关键尺寸CD，来确定基于CD的FEW；其中所述基于CD的FEW是在所述晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域；以及
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的重叠区域，来修改所述光刻配置。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述光刻配置在极紫外EUV波长范围操作，并且所述晶片上出现缺陷的所述概率分布是曝光所述抗蚀剂的光子的随机变化的结果。
15.根据权利要求13所述的系统，其中所述光刻配置在极紫外EUV波长范围并且在具有14nm或小于14nm的特征尺寸的技术节点操作。
16.一种非暂态计算机可读介质，包括用于改进光刻配置的被存储的指令，所述光刻配置包括照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂的源，所述指令在由处理器执行时使所述处理器：
基于所述晶片上出现缺陷的预测概率分布，来确定基于缺陷的聚焦曝光窗口FEW，其中所述基于缺陷的FEW是在所述晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域，
基于所述晶片上的预测关键尺寸CD，来确定基于CD的FEW；其中所述基于CD的FEW是在所述晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域；以及
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的重叠区域，来修改所述光刻配置。
17.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述光刻配置包括：
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域，来修改所述源。
18.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述光刻配置包括：
基于增加所述基于缺陷的FEW和所述基于CD的FEW之间的所述重叠区域，来修改所述掩模。
19.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述光刻配置基于改进所述基于缺陷的FEW与所述基于CD的FEW的对齐。
20.根据权利要求16所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述光刻配置基于增加所述基于缺陷的FEW的所述区域和/或增加所述基于CD的FEW的所述区域。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115167019A (zh) * 2022-07-15 2022-10-11 苏州华星光电技术有限公司 曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202211075A (zh) * 2020-06-05 2022-03-16 美商新思科技股份有限公司 校正在精簡模型中的隨機訊號

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330648B2 (ja) * 1992-10-06 2002-09-30 富士通株式会社 光源形状の最適化方法
JP4700672B2 (ja) 2006-11-08 2011-06-15 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用
NL2003699A (en) * 2008-12-18 2010-06-21 Brion Tech Inc Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction.
NL2009982A (en) 2012-01-10 2013-07-15 Asml Netherlands Bv Source mask optimization to reduce stochastic effects.
JP6346297B2 (ja) 2014-02-11 2018-06-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 任意パターンにおける確率的変動を計算するためのモデル
US11681849B2 (en) 2016-10-24 2023-06-20 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing a patterning device pattern
US10474042B2 (en) 2017-03-22 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation Stochastically-aware metrology and fabrication
WO2020094389A1 (en) 2018-11-08 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. Failure model for predicting failure due to resist layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115167019A (zh) * 2022-07-15 2022-10-11 苏州华星光电技术有限公司 曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法

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