CN114499704B - 功率检测电路及终端 - Google Patents

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CN114499704B CN202210045071.8A CN202210045071A CN114499704B CN 114499704 B CN114499704 B CN 114499704B CN 202210045071 A CN202210045071 A CN 202210045071A CN 114499704 B CN114499704 B CN 114499704B
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Abstract

本申请公开了一种功率检测电路，属于通信技术领域。所述功率检测电路包括第一射频收发器、第一功率放大器模组、第一基带信号处理器和天线，第一射频收发器包括第一信号下变频混频器、第一信号上变频混频器和第一低噪放大器；第一功率放大器模组包括第一功率放大器、第一单刀双掷开关、第一射频滤波器、第一耦合器、第二单刀双掷开关和第一衰减器，第一基带信号处理器包括第一解码器、第一编码器、第一基带信号处理单元、第二基带信号处理单元、第一信号比较器和第三单刀双掷开关。

Description

功率检测电路及终端
技术领域
本申请属于通信技术领域，具体涉及一种功率检测电路及终端。
背景技术
终端在与基站通信过程中，根据接收信号的强弱调整发射信号的功率大小，要实现终端自动调整发射信号功率，就需要终端实时监测自身发射信号功率的大小。为了实现对终端发射信号功率的实时反馈，射频时分双工系统和射频频分双工系统配置专门的反馈信号接收通路，增加了射频时分双工系统和射频频分双工系统的布局空间，而且反馈信号接收通路在射频时分双工系统的RX时隙不能工作，造成了电路资源的浪费。
发明内容
本申请旨在提供一种功率检测电路及终端，解决射频时分双工系统和射频频分双工系统配置单独的反馈信号接收通路造成的电路资源浪费问题以及增加系统的布局空间的问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种功率检测电路，包括第一射频收发器RFIC102、第一功率放大器模组PAMID 101、第一基带信号处理器BBIC 103和天线ANT，
所述第一射频收发器RFIC 102包括第一信号下变频混频器RX DC 1022、第一信号上变频混频器TX UC 1023和第一低噪放大器LNA1 10211；
所述第一功率放大器模组PAMID 101包括第一功率放大器PA 1011、第一单刀双掷开关SPDT1 1012、第一射频滤波器1013、第一耦合器1014、第二单刀双掷开关SPDT2 1017和第一衰减器ATT 1016，
所述第一基带信号处理器BBIC 103包括第一解码器RX ADC 10311、第一编码器TXDAC 1032、第一基带信号处理单元RX BB 10331、第二基带信号处理单元TX BB 10332、第一信号比较器COMP 1034和第三单刀双掷开关SPDT3 1035；
所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第三端口通过所述第一射频滤波器1013与所述第一耦合器1014的第一端口连接；所述第一耦合器1014的直通端口与所述天线ANT连接；所述第一衰减器ATT 1016的输入端口与所述第一耦合器1014的耦合端口连接；所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第一端口与所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第二端口连接，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第二端口与所述第一衰减器ATT 1016的输出端口连接，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第三端口与所述第一射频收发器RFIC的RFRX端口连接；
所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第三端口与所述第一基带信号处理单元RXBB 10331的第二端口连接，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第二端口与所述第一信号比较器COMP 1034的第一输入端口连接，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第一端口输出射频接收解调信号。
第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第一方面所述的功率检测电路。
第三方面，本申请实施例提供了一种功率检测电路，包括第二射频收发器RFIC202、第二功率放大器模组PAMID 201、第二基带信号处理器BBIC 203和天线ANT，
其中，所述第二功率放大器模组PAMID 201包括第一频段的第一通路、第二频段的第二通路、第四单刀双掷开关SPDT4 20151、第五单刀双掷开关SPDT5 20152、第二衰减器ATT 2016和第二耦合器2013；
所述第一频段的第一通路包括第二功率放大器PA2 20111、第一双工器Duplexer1 20121以及第六单刀双掷开关SPDT6 20153，
其中，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第一端口与所述第一双工器Duplexer 1 20121的第二端口连接，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第二端口与所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第一端口连接，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第三端口与所述第二射频收发器RFIC 202的第一RF RX端口连接；所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153用于切换第一频段的射频接收信号RX与第二频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第二频段的第二通路包括第三功率放大器PA3 20112、第二双工器Duplexer220122以及第七单刀双掷开关SPDT7 20154，
其中，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第一端口与所述第二双工器Duplexer 2 20122的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第二端口与所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第三端口与所述第二射频收发器RFIC 202的第二RF RX端口连接；所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154用于切换第二频段的射频接收信号RX与第一频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第三端口连接所述第二耦合器1014的第一端口，所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第二端口与所述第二双工器Duplexer 220122的第三端口连接，所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第一端口与所述第一双工器Duplexer 1 201221的第三端口连接；所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151为所述第一频段的公共端信号和第二频段的公共端信号工作切换开关；
所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第三端口通过所述第二衰减器ATT 2016连接所述第二耦合器1014的耦合端口，所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152用于切换第一频段的发射功率反馈模拟信号和第二频段的发射功率反馈模拟信号。
第四方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第三方面所述的功率检测电路。
在本申请实施例中，在功率放大器模组PAMID中增加第二单刀双掷开关SPDT2和衰减器ATT，在基带信号处理器BBIC中增加第三单刀双掷开关SPDT3，使反馈信号的接收复用射频时分双工系统的信号接收电路，既精简了射频时分双工系统专门设置的反馈电路，还消除了射频时分双工系统的信号接收电路因为存在时隙不能充分利用的弊端，提高了电路资源利用率，同时，省略了功率放大器模组PAMID功率检测端口的设置，节省了端口资源。
附图说明
图1是现有射频时分双工系统功率放大器模组PAMID的结构示意图；
图2是现有射频时分双工系统射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的功率放大器模组PAMID的结构示意图之一；
图4是本申请实施例提供的射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图之一；
图5是现有的射频频分双工系统功率放大器模组PAMID的结构示意图；
图6是本申请实施例提供的功率放大器模组PAMID的结构示意图之二；
图7是本申请实施例提供的射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图之二；
附图标记：
101：第一功率放大器模组PAMID；102：第一射频收发器RFIC；
103：第一基带信号处理器BBIC；1011：第一功率放大器PA；
1012：第一单刀双掷开关SPDT1；1013：第一射频滤波器；
1014：第一耦合器；1015：第一功率检测端口CPL；1016：第一衰减器ATT；
1017：第二单刀双掷开关SPDT2；10211：第一低噪放大器LNA1；
10212：第二低噪放大器LNA2；1022：第一信号下变频混频器RX DC；
1023：第一信号上变频混频器TX UC；1024：第二信号下变频混频器FBRX DC；
10311：第一解码器RX ADC；10312：第二解码器FBRX ADC；
1032：第一编码器TX DAC；
10331：第一基带信号处理单元RX BB；10332：第二基带信号处理单元TX BB；
10333：第三基带信号处理单元FBRX BB；1034：第一信号比较器COMP；
1035：第三单刀双掷开关SPDT3；
201：第二功率放大器模组PAMID；202：第二射频收发器RFIC；
203：第二基带信号处理器BBIC；20111：第二功率放大器PA2；
20112：第三功率放大器PA3；20121：第一双工器Duplexer1；
20122：第二双工器Duplexer2；2013：第二耦合器；
2014：第二功率检测端口CPL；
20151：第四单刀双掷开关SPDT4；20152：第五单刀双掷开关SPDT5；
20153：第六单刀双掷开关SPDT6；20154：第七单刀双掷开关SPDT7；
2016：第二衰减器ATT；20211：第三低噪放大器LNA3；
20212：第四低噪放大器LNA4；20221：第三信号下变频混频器RX3 DC；
20222：第四信号下变频混频器RX4 DC；20231：第二信号上变频混频器TX2 UC；
20232：第三信号上变频混频器TX3 UC；20241：第八单刀双掷开关SPDT8；
20242：第九单刀双掷开关SPDT9；20311：第三解码器RX3 ADC；
20312：第四解码器RX4 ADC；20321：第二编码器TX2 DAC；
20322：第三编码器TX3 DAC；20331：第四基带信号处理单元TX4 BB；
20332：第五基带信号处理单元RX5 BB；20333：第六基带信号处理单元TX6 BB；
20334：第七基带信号处理单元RX7 BB；2034：第二信号比较器COMP；
20351：第十单刀双掷开关SPDT10；20352：第十一单刀双掷开关SPDT11；
20353：第十二单刀双掷开关SPDT12；20354：第十三单刀双掷开关SPDT13；
20355：第十四单刀双掷开关SPDT14；
a：直通端口；b：耦合端口。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面首先对在实现本申请过程中，发明人发现的现有技术中存在的问题进行详细阐述。
图1为现有射频时分双工系统功率放大器模组PAMID的结构示意图，如图1所示，该第一功率放大器模组PAMID 101包括第一功率放大器PA 1011、第一单刀双掷开关SPDT11012、第一射频滤波器1013、第一耦合器1014和第一功率检测端口CPL 1015，第一耦合器1014的耦合端口b与功率检测端口CPL 1015连接，反馈信号经由第一耦合器1014的耦合端口b、第一功率检测端口CPL 1015以及外部走线传输到第一射频收发器RFIC 102。
图2为现有射频时分双工系统射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图，如图2所示，该第一射频收发器RFIC 102包括第一信号下变频混频器RX DC 1022、第一信号上变频混频器TX UC 1023、第二信号下变频混频器FBRX DC 1024、第一低噪放大器LNA1 10211和第二低噪放大器LNA2 10212，该第一基带信号处理器BBIC 103包括第一解码器RX ADC 10311、第一编码器TX DAC 1032、第二解码器FBRX ADC 10312、第一基带信号处理单元RX BB 10331、第二基带信号处理单元TX BB 10332、第三基带信号处理单元FBRX BB10333和第一信号比较器COMP 1034。
第一射频收发器RFIC 102接收到反馈信号后，通过第二低噪放大器LNA2 10212和第二信号下变频混频器FBRX DC 1024处理该反馈信号，并将反馈信号发送给第一基带信号处理器BBIC 103；第一基带信号处理器BBIC 103通过第一解码器RX ADC 10311和第三基带信号处理单元FBRX BB 10333处理反馈信号，并将处理结束的反馈信号发送到第一信号比较器COMP 1034，第一信号比较器COMP 1034根据反馈信号计算出发送信号在通路上的损耗，对发送信号进行补偿。
如图1和图2所示的射频时分双工系统，为了实现对反馈信号的接收，设置反馈信号接收通路，反馈信号接收通路在TX时隙工作，在RX时隙处于闲置状态，由于反馈信号接收通路在RX时隙处于闲置状态降低了对于电路资源的利用率，而且设置单独的反馈信号接收通路，放大器模组PAMID同步配置耦合端输出端口CPL，同时PCB板需要设计走线连接，单独的反馈信号接收通路和PCB走线设计都会增加系统的布局空间。
为了解决上述问题，本申请实施例提供一种功率检测电路，参考图3和图4。
其中，图3是本申请实施例提供的功率放大器模组PAMID的结构示意图之一，图4是本申请实施例提供的射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图之一，如图3和图4所示，该功率检测电路，包括第一射频收发器RFIC 102、第一功率放大器模组PAMID101、第一基带信号处理器BBIC 103和天线ANT，
所述第一射频收发器RFIC 102包括第一信号下变频混频器RX DC 1022、第一信号上变频混频器TX UC 1023和第一低噪放大器LNA1 10211；
所述第一功率放大器模组PAMID 101包括第一功率放大器PA 1011、第一单刀双掷开关SPDT1 1012、第一射频滤波器1013、第一耦合器1014、第二单刀双掷开关SPDT2 1017和第一衰减器ATT 1016，
所述第一基带信号处理器BBIC 103包括第一解码器RX ADC 10311、第一编码器TXDAC 1032、第一基带信号处理单元RX BB 10331、第二基带信号处理单元TX BB 10332、第一信号比较器COMP 1034和第三单刀双掷开关SPDT3 1035；
所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第三端口通过所述第一射频滤波器1013与所述第一耦合器1014的第一端口连接；所述第一耦合器1014的直通端口与所述天线ANT连接；所述第一衰减器ATT 1016的输入端口与所述第一耦合器1014的耦合端口连接；所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第一端口与所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第二端口连接，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第二端口与所述第一衰减器ATT 1016的输出端口连接，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第三端口与所述第一射频收发器RFIC的RFRX端口连接；
所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第三端口与所述第一基带信号处理单元RXBB 10331的第二端口连接，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第二端口与所述第一信号比较器COMP 1034的第一输入端口连接，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第一端口输出射频接收解调信号。
本发明实施例中，第一功率放大器PA 1011的输入端口与第一信号上变频混频器TX UC 1023的输出端口连接，第一功率放大器PA 1011的输出端口与第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第一端口连接。
需要说明的是，第一信号上变频混频器TX UC 1023的输出端口为第一射频收发器RFIC 102的RF TX端口，第一功率放大器PA 1011用于接收第一信号上变频混频器TX UC1023输出的射频发射信号TX，对射频发射信号TX进行功率放大。
第一射频滤波器1013的第一端口与第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第三端口连接，第一射频滤波器1013的第二端口和第一耦合器1014的第一端口连接。
第一耦合器1014的直通端口a与天线ANT连接，第一耦合器1014的直通端口a输出射频发射信号TX或接收射频接收信号RX。
第一衰减器ATT 1016的输入端口与第一耦合器1014的耦合端口b连接，第一衰减器ATT 1016用于对第一耦合器1014的耦合端口b输出的发射功率反馈模拟信号进行功率衰减。
第二单刀双掷开关SPDT2 1017用于输出功率衰减后的发射功率反馈模拟信号或者射频接收信号RX。
需要说明的是，第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第三端口通过第一射频收发器RFIC 102的RF RX端口，与第一低噪放大器LNA1 10211的输入端口连接。
第一低噪放大器LNA1 10211的输出端口与第一信号下变频混频器RX DC 1022的输入端口连接。
需要说明的是，第一低噪放大器LNA1 10211用于将接收到的发射功率反馈模拟信号或者射频接收信号RX进行放大，第一信号下变频混频器RX DC 1022用于基于射频接收本振信号RX LO对接收到的信号进行下变频。
第一信号下变频混频器RX DC 1022的输出端口与第一解码器RX ADC 10311的输入端口连接，第一解码器RX ADC 10311用于将射频接收信号RX解码为射频接收解调信号，或者将功率衰减后的发射功率反馈模拟信号解码为发射功率反馈数字信号。
第一基带信号处理单元RX BB 10331的第一端口与第一解码器RX ADC 10311的输出端口连接，第一基带信号处理单元RX BB 10331的第二端口和第三单刀双掷开关SPDT31035的第三端口连接。
需要说明的是，第一基带信号处理单元RX BB 10331用于接收射频接收解调信号或发射功率反馈数字信号，对射频接收解调信号或发射功率反馈数字信号进行滤波、放大操作。
第一信号比较器COMP 1034的输出端口与第二基带信号处理单元TX BB 10332的第二输入端口连接，第一信号比较器COMP 1034的第二输入端口和第二基带信号处理单元TX BB 10332的第一输入端口接收射频发射数字信号，第一信号比较器COMP 1034用于根据发射功率反馈数字信号对射频发射数字信号进行补偿，输出补偿信号。
第二基带信号处理单元TX BB 10332用于基于补偿信号和射频发射数字信号，输出补偿后的射频发射数字信号。
第一编码器TX DAC 1032的第一端口与第二基带信号处理单元TX BB 10332的输出端口连接，第一编码器TX DAC 1032的第二端口和第一信号上变频混频器TX UC 1023的输入端口连接，用于接收补偿后的射频发射数字信号，将补偿后的射频发射数字信号编码为所述射频发射信号TX。
第一信号上变频混频器TX UC 1023用于基于射频发射本振信号TX LO对射频发射信号TX进行上变频。
本申请的实施例提供的功率检测电路，在功率放大器模组PAMID中增加第二单刀双掷开关SPDT2和衰减器ATT，在基带信号处理器BBIC中增加第三单刀双掷开关SPDT3，使反馈信号的接收复用射频时分双工系统的信号接收电路，即精简了射频时分双工系统专门设置的反馈电路，还消除了射频时分双工系统的信号接收电路因为存在时隙不能充分利用的弊端，提高了电路资源利用率，同时，省略了功率放大器模组PAMID功率检测端口的设置，节省了端口资源。
进一步地，在发射TX时隙，所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第一端口与所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第二端口与所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关SPDT21017的第三端口输出所述发射功率反馈模拟信号，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第三端口与所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第二端口导通；
其中，所述发射功率反馈模拟信号依次经过所述第一低噪放大器LNA1 10211、第一信号下变频混频器RX DC 1022、第一解码器RX ADC 10311、第一基带信号处理单元RX BB10331的处理，转换为发射功率反馈数字信号，所述发射功率反馈数字信号由所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第二端口输出至所述第一信号比较器COMP 1034，用于实现对射频发射数字信号的补偿。
进一步地，在接收RX时隙，所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第二端口与所述第一单刀双掷开关SPDT1 1012的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第一端口与所述第二单刀双掷开关SPDT2 1017的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关SPDT21017的第三端口输出射频接收信号RX，所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第三端口与所述第三单刀双掷开关SPDT3 1035的第一端口导通；
其中，所述射频接收信号RX依次经过所述第一低噪放大器LNA1 10211、第一信号下变频混频器RX DC 1022、第一解码器RX ADC 10311、第一基带信号处理单元RX BB 10331的处理，转换为射频接收解调信号，所述射频接收解调信号由所述第三单刀双掷开关SPDT31035的第一端口输出。
本申请实施例提供的功率检测电路，设置多个单刀双掷开关，使信号接收通路在接收时隙接收射频接收信号RX，在发射时隙接收功率反馈信号，依靠信号接收通路在发射时隙接收功率反馈信号，节省了反馈信号接收通路消耗的电路资源，提高了电路资源的利用率。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述实施例所述的功率检测电路。
本申请实施例提供的电子设备的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
图5是现有的射频频分双工系统功率放大器模组PAMID的结构示意图，如图5所示，射频频分双工系统的第二功率放大器模组PAMID 201包括功率放大器PA、双工器Duplexer、第二耦合器2013和第二功率检测端口CPL 2014，第二耦合器2013的耦合端口b与第二功率检测端口CPL 2014连接，发射功率反馈信号经由第二耦合器2013的耦合端口b、第二功率检测端口CPL 2014以及外部走线传输到第二射频收发器RFIC 202的FBRx端口。
射频频分双工系统的射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构，和射频频分双工系统的相同，如图2所示，在此不再赘述。
如图2和图5所示的射频频分双工系统，为了实现对反馈信号的接收，设置专门的反馈信号接收通路，同时功率放大器模组PAMID配置耦合端输出端口CPL，PCB板需要设计走线连接，增加了射频频分双工系统的布局空间，而且当射频频分双工系统的一个频段通路工作时，与这一频段通路频率相近的频段通路处于闲置状态，电路资源不能被充分利用。
为了解决上述问题，本申请实施例提供一种功率检测电路，参考图6和图7。当射频频分双工系统的一个频段通路工作时，通过与这一频段通路频率相近的频段通路来传输该频段通路的发射功率反馈信号。
图6为本申请实施例提供的功率放大器模组PAMID的结构示意图之二，图7为本申请实施例提供的射频收发器RFIC和基带信号处理器BBIC的结构示意图之二，如图6和图7所示，该功率检测电路，包括第二射频收发器RFIC 202、第二功率放大器模组PAMID 201、第二基带信号处理器BBIC 203和天线ANT，
其中，所述第二功率放大器模组PAMID 201包括第一频段的第一通路、第二频段的第二通路、第四单刀双掷开关SPDT4 20151、第五单刀双掷开关SPDT5 20152、第二衰减器ATT 2016和第二耦合器2013；
所述第一频段的第一通路包括第二功率放大器PA2 20111、第一双工器Duplexer1 20121以及第六单刀双掷开关SPDT6 20153，
其中，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第一端口与所述第一双工器Duplexer 1 20121的第二端口连接，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第二端口与所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第一端口连接，所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153的第三端口与所述第二射频收发器RFIC 202的第一RF RX端口连接；所述第六单刀双掷开关SPDT6 20153用于切换第一频段的射频接收信号RX与第二频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第二频段的第二通路包括第三功率放大器PA3 20112、第二双工器Duplexer220122以及第七单刀双掷开关SPDT7 20154，
其中，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第一端口与所述第二双工器Duplexer 2 20122的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第二端口与所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154的第三端口与所述第二射频收发器RFIC 202的第二RF RX端口连接；所述第七单刀双掷开关SPDT7 20154用于切换第二频段的射频接收信号RX与第一频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第三端口连接所述第二耦合器1014的第一端口，所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第二端口与所述第二双工器Duplexer 220122的第三端口连接，所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151的第一端口与所述第一双工器Duplexer 1 20121的第三端口连接；所述第四单刀双掷开关SPDT4 20151为所述第一频段的公共端信号和第二频段的公共端信号工作切换开关；
所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152的第三端口通过所述第二衰减器ATT 2016连接所述第二耦合器1014的耦合端口，所述第五单刀双掷开关SPDT5 20152用于切换第一频段的发射功率反馈模拟信号和第二频段的发射功率反馈模拟信号。
本发明实施例中，第二耦合器2013的直通端口a与天线ANT连接，第二耦合器2013的直通端口a输出射频发射信号TX或接收射频接收信号RX。
第二衰减器ATT 2016的输入端口与第二耦合器2013的耦合端口b连接，第二衰减器ATT 2016用于对所述第二耦合器2013的耦合端口b输出的发射功率反馈模拟信号进行功率衰减。
第二功率放大器PA2 20111的输出端口与第一双工器Duplexer1 20121的第一端口连接，第三功率放大器PA3 20112的输出端口与第二双工器Duplexer2 20122的第一端口连接。
第二功率放大器PA2 20111和第三功率放大器PA3 20112用于接收第二射频收发器RFIC 202输出的射频发射信号TX，对射频发射信号TX进行功率放大。
在第一频段工作时，第四单刀双掷开关STDP4 20151切换到第一端口(即第四单刀双掷开关STDP4 20151的第三端口与第一端口导通)，发射TX信号或接收RX信号由第一双工器Duplexer 1 20121的第三端口通过第四单刀双掷开关STDP4 20151与天线ANT进行收发，第六单刀双掷开关SPDT6 20153切换到第一端口，接收RX信号由第一双工器Duplexer 120121的第二端口通过第六单刀双掷开关SPDT6 20153，由RF RX1端口输出到第二射频收发器RFIC 202，第五单刀双掷开关STDP5 20152切换到第二端口，第七单刀双掷开关STDP720154切换到第二端口，发射功率反馈模拟信号由第二耦合器2013的耦合端口b输出，经过第二衰减器ATT 2016、第五单刀双掷开关STDP5 20152和第七单刀双掷开关STDP7 20154，最终由RF RX2端口输出到第二射频收发器RFIC 202。
在第二频段工作时，第四单刀双掷开关STDP4 20151切换到第二端口，发射TX信号或接收RX信号由第二双工器Duplexer 2 20122的第三端口通过第四单刀双掷开关STDP420151与天线ANT进行收发，第七单刀双掷开关SPDT7 20154切换到第一端口，接收RX信号由第二双工器Duplexer 2 20122的第二端口通过第七单刀双掷开关SPDT7 20154，由RF RX2端口输出到第二射频收发器RFIC 202，第五单刀双掷开关STDP5 20152切换到第一端口，第六单刀双掷开关STDP6 20153切换到第二端口，发射功率反馈模拟信号由第二耦合器2013的耦合端口b输出，经过第二衰减器ATT 2016、第五单刀双掷开关STDP5 20152和第六单刀双掷开关STDP6 20153，最终由RF RX1端口输出到第二射频收发器RFIC 202。
进一步地，所述第二射频收发器RFIC 202包括：第三低噪放大器LNA3 20211、第三信号下变频混频器RX3 DC 20221、第八单刀双掷开关SPDT8 20241以及第二信号上变频混频器TX2 UC 20231；
以及，
第四低噪放大器LNA4 20212、第四信号下变频混频器RX4 DC 20222、第九单刀双掷开关SPDT9 20242以及第三信号上变频混频器TX3 UC 20232；
其中，所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241用于对第三信号下变频混频器RX3 DC20221的输入本振信号进行切换，即第三信号下变频混频器RX3 DC 20221的输入本振信号可以是RX1 LO或TX2LO；所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242用于对第四信号下变频混频器RX4 DC 20222的输入本振信号进行切换,即第四信号下变频混频器RX4 DC 20222的输入本振信号可以是RX2 LO或TX1 LO；
所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241的第一端口接收第一射频接收本振信号RX1LO，所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241的第二端口接收第二射频发射本振信号TX2 LO，所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241的第三端口与所述第三信号下变频混频器RX3 DC 20221的第二输入端口连接；
所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242的第一端口接收第二射频接收本振信号RX2LO，所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242的第二端口接收第一射频发射本振信号TX1 LO，所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242的第三端口与所述第四信号下变频混频器RX4 DC 20222的第二输入端口连接。
本发明实施例中，第二信号上变频混频器TX2 UC 20231的输出端口与第二功率放大器PA2 20111的输入端口通过第二射频收发器RFIC 202的第一RF TX端口连接。
第三信号上变频混频器TX3UC 20232的输出端口与第三功率放大器PA3 20112的输入端口通过第二射频收发器RFIC 202的第二RF TX端口连接。
第三低噪放大器LNA3 20211的输入端口与第二射频收发器RFIC 202的第一RF RX端口连接，第四低噪放大器LNA4 20212的输入端口与第二射频收发器RFIC 202的第二RFRX端口连接。
第三信号下变频混频器RX3 DC 20221的第一输入端口与第三低噪放大器LNA320211的输出端口连接，用于接收射频接收信号RX或者发射功率反馈模拟信号。
第四信号下变频混频器RX4 DC 20222的第一输入端口与第四低噪放大器LNA420212的输出端口连接，用于接收射频接收信号RX或者发射功率反馈模拟信号。
需要说明的是，第三信号下变频混频器RX3 DC 20221和第四信号下变频混频器RX4 DC 20222用于基于射频接收本振信号RX LO或者射频发射本振信号TX LO，对接收到的信号进行下变频。
第二信号上变频混频器TX2 UC 20231和第三信号上变频混频器TX3 UC 20232，用于基于射频发射本振信号TX LO对接收到的信号进行上变频。
进一步地，所述第二基带信号处理器BBIC 203包括：第一频段的第三通路、第二频段的第四通路、第二信号比较器COMP 2034、第十单刀双掷开关SPDT10 20351、第十一单刀双掷开关SPDT11 20352、第十二单刀双掷开关SPDT12 20353、第十三单刀双掷开关SPDT1320354和第十四单刀双掷开关SPDT14 20355；
其中，所述第一频段的第三通路包括：第三解码器RX3 ADC 20311、第二编码器TX2DAC 20321、第四基带信号处理单元TX4 BB 20331、第五基带信号处理单元RX5 BB 20332；
所述第二频段的第四通路包括：第四解码器RX4 ADC 20321、第三编码器TX3 DAC20322、第六基带信号处理单元TX6 BB 20333、第七基带信号处理单元RX7 BB 20334；
其中，所述第一频段的第三通路和第二频段的第四通路共用所述第二信号比较器COMP 2034；
所述第十四单刀双掷开关SPDT14 20355用于切换所述第一频段的射频接收解调信号和第二频段的发射功率反馈数字信号；
所述第十一单刀双掷开关SPDT11 20352用于切换所述第二频段的射频接收解调信号和第一频段的发射功率反馈数字信号；
所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353为所述第一频段与第二频段的射频发射数字信号输入到所述第二信号比较器COMP 2034的切换开关；
所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354为所述第一频段与第二频段的发射功率反馈数字信号输入到所述第二信号比较器COMP 2034的切换开关；
所述第十单刀双掷开关SPDT1020351为所述第二信号比较器COMP 2034对第一频段与第二频段的TX通路补偿信号的切换开关；
其中，
所述第十四单刀双掷开关SPDT14 20355的第三端口与所述第五基带信号处理单元RX5 BB 20332的输出端口与连接，所述第十四单刀双掷开关SPDT14 20355的第二端口与所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354的第二端口连接，所述第十四单刀双掷开关SPDT1420355的第一端口输出第一射频接收解调信号RX1；
所述第十一单刀双掷开关SPDT11 20352的第三端口与所述第七基带信号处理单元RX7 BB 20334的输出端口连接，所述第十一单刀双掷开关SPDT11 20352的第二端口连接所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354的第一端口，所述第十一单刀双掷开关SPDT1120352的第一端口输出第二射频接收解调信号RX2；
所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353的第一端口与第二频段的TX2端口连接，所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353的第二端口与第一频段的TX1端口连接，所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353的第三端口与所述第二信号比较器COMP 2034的第二输入端口连接；
所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354的第三端口与所述第二信号比较器COMP2034的第一输入端口连接；
所述第二信号比较器COMP 2034的输出端口与所述第十单刀双掷开关SPDT1020351的第三端口连接；
所述第十单刀双掷开关SPDT10 20351的第一端口与所述第六基带信号处理单元TX6 BB 20333的第一输入端口连接，所述第十单刀双掷开关SPDT10 20351的第二端口与所述第四基带信号处理单元TX4 BB 20331的第一输入端口连接，所述第十单刀双掷开关SPDT10 20351用于选择输出所述补偿信号的频段通路。
本发明实施例，第三解码器RX3ADC 20311的输入端口与第三信号下变频混频器RX3DC 20221的输出端口连接，第四解码器RX4ADC 20312的输入端口与第四信号下变频混频器RX4DC 20222的输出端口连接。
第二编码器TX2 DAC 20321的输出端口与第二信号上变频混频器TX2 UC 20231的输入端口连接，第三编码器TX3 DAC 20322的输出端口与第三信号上变频混频器TX3 UC20232的输入端口连接。
第五基带信号处理单元RX5 BB 20332的输入端口与第三解码器RX3 ADC 20311的输出端口连接，第三解码器RX3 ADC 20311用于将接收到的射频接收信号RX解码为射频接收解调信号，或者将发射功率反馈信号解码为发射功率反馈数字信号。
第五基带信号处理单元RX5 BB 20332的输出端口与第十四单刀双掷开关SPDT1420355的第三端口连接，第五基带信号处理单元RX5 BB 20332用于将接收到的射频接收解调信号或者所述发射功率反馈数字信号进行滤波和放大操作。
第七基带信号处理单元RX7 BB 20334的输入端口与第四解码器RX4 ADC 20312的输出端口连接，第四解码器RX4 ADC 20312用于将接收到的射频接收信号RX解码为射频接收解调信号，或者将发射功率反馈模拟信号解码为发射功率反馈数字信号。
第七基带信号处理单元RX7 BB 20334的输出端口与第十一单刀双掷开关SPDT1120352的第三端口连接，第七基带信号处理单元RX7 BB 20334用于对接收到的射频接收解调信号或者发射功率反馈数字信号进行滤波和放大操作。
第二信号比较器COMP 2034用于根据发射功率反馈数字信号对射频发射数字信号进行补偿，输出补偿信号。
第四基带信号处理单元TX4 BB 20331的第二输入端口接收第三通路的射频发射数字信号，第四基带信号处理单元TX4BB 20331的输出端口与第二编码器TX2 DAC 20321的输入端口连接，第四基带信号处理单元TX4 BB 20331用于基于补偿信号和射频发射数字信号，输出补偿后的射频发射数字信号。
第二编码器TX2 DAC 20321用于接收补偿后的射频发射数字信号，将补偿后的射频发射数字信号编码为射频发射信号TX。
第六基带信号处理单元TX6 BB 20333的第二输入端口用于接收第四通路的射频发射数字信号，第六基带信号处理单元TX6 BB 20333的输出端口与第三编码器TX3 DAC20322的输入端口连接，第六基带信号处理单元TX6 BB 20333用于基于补偿信号和射频发射数字信号，输出补偿后的射频发射数字信号。
第三编码器TX3 DAC 20322用于接收补偿后的射频发射数字信号，将补偿后的射频发射数字信号编码为射频发射信号TX。
进一步地，在所述第一频段工作时，所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241切换到第一端口，所述第十四单刀双掷开关SPDT14 20355切换到第一端口，射频接收信号RX由RFRX1端口输入，经过第三低噪放大器LNA3 20211、第三信号下变频混频器RX3 DC 20221、第三解码器RX3 ADC 20311、第五基带信号处理单元RX5 BB 20332、第十四单刀双掷开关SPDT14 20355，由Digital RX1端口(即第一频段的RX1端口)输出；所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242切换到第二端口，所述第十一单刀双掷开关SPDT11 20352切换到第二端口，所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354切换到第一端口，发射功率反馈模拟信号由RF RX2端口输入，经过第四低噪放大器LNA4 20212、第四信号下变频混频器RX4 DC 20222、第四解码器RX4 ADC 20312、第七基带信号处理单元RX7 BB 20334、第十一单刀双掷开关SPDT1120352、第十三单刀双掷开关SPDT13 20354，输入到第二信号比较器COMP 2034；所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353切换到第二端口，射频发射数字信号经过所述第十二单刀双掷开关SPDT12 20353输入到所述第二信号比较器COMP 2034；所述第十单刀双掷开关SPDT1020351切换到第二端口，所述第二信号比较器COMP 2034输出补偿信号通过所述第十单刀双掷开关SPDT10 20351输入到第四基带信号处理单元TX4 BB 20331，以实现对射频发射数字信号进行补偿。
进一步地，在所述第二频段工作时，所述第九单刀双掷开关SPDT9 20242切换到第一端口，第七单刀双掷开关SPDT7 20154切换到第一端口，射频接收信号RX由RF RX2端口输入，经过第四低噪放大LNA4 20212、第四信号下变频混频器RX4 DC 20222、第四解码器RX4ADC 20312、第七基带信号处理单元RX7 BB 20334、第十一单刀双掷开关SPDT11 20352，由Digital RX2端口(即第二频段的RX2端口)输出；所述第八单刀双掷开关SPDT8 20241切换到第二端口，所述第十四单刀双掷开关SPDT14 20355切换到第二端口，所述第十三单刀双掷开关SPDT13 20354切换到第二端口，发射功率反馈模拟信号由RF RX1端口输入，经过第三低噪放大器LNA3 20211、第三信号下变频混频器RX3 DC 20221、第三解码器RX3 ADC20311、第五基带信号处理单元RX5 BB 20332、第十四单刀双掷开关SPDT14 20355、第十三单刀双掷开关SPDT13 20354，输入到第二信号比较器COMP 2034；第十二单刀双掷开关SPDT12 20353切换到第一端口，射频发射数字信号经过第十二单刀双掷开关SPDT12 20353输入到第二信号比较器COMP 2034；第十单刀双掷开关SPDT10 20351切换到第一端口，第二信号比较器COMP 2034输出补偿信号通过第十单刀双掷开关SPDT10 20351输入到第六基带信号处理单元TX6 BB 20333，以实现对射频发射数字信号进行补偿。
本申请的实施例提供的功率检测电路，在射频频分双工系统中，将频率相近的两个频段通路进行连接，在第一频段通路工作时，复用第二频段通路的接收通路，接收第一频段通路的反馈信号，充分利用了射频频分双工系统的电路资源，而且通过通路的复用，去掉了专门设置的反馈电路，省略了功率放大器模组PAMID功率检测端口的设置，减少了系统的布局空间和PCB走线设计，节省了端口资源。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述实施例所述的功率检测电路。
本申请实施例提供的电子设备的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种功率检测电路，其特征在于，包括第一射频收发器、第一功率放大器模组、第一基带信号处理器和天线，
所述第一射频收发器包括第一信号下变频混频器、第一信号上变频混频器和第一低噪放大器；
所述第一功率放大器模组包括第一功率放大器、第一单刀双掷开关、第一射频滤波器、第一耦合器、第二单刀双掷开关和第一衰减器，
所述第一基带信号处理器包括第一解码器、第一编码器、第一基带信号处理单元、第二基带信号处理单元、第一信号比较器和第三单刀双掷开关；
所述第一单刀双掷开关的第三端口通过所述第一射频滤波器与所述第一耦合器的第一端口连接；所述第一耦合器的直通端口与所述天线连接；所述第一衰减器的输入端口与所述第一耦合器的耦合端口连接；所述第二单刀双掷开关的第一端口与所述第一单刀双掷开关的第二端口连接，所述第二单刀双掷开关的第二端口与所述第一衰减器的输出端口连接，所述第二单刀双掷开关的第三端口与所述第一射频收发器的RF RX端口连接；
所述第三单刀双掷开关的第三端口与所述第一基带信号处理单元的第二端口连接，所述第三单刀双掷开关的第二端口与所述第一信号比较器的第一输入端口连接，所述第三单刀双掷开关的第一端口输出射频接收解调信号。
2.根据权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于，在发射时隙，所述第一单刀双掷开关的第一端口与所述第一单刀双掷开关的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关的第二端口与所述第二单刀双掷开关的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关的第三端口输出发射功率反馈模拟信号，所述第三单刀双掷开关的第三端口与所述第三单刀双掷开关的第二端口导通；
其中，所述发射功率反馈模拟信号依次经过所述第一低噪放大器、第一信号下变频混频器、第一解码器、第一基带信号处理单元的处理，转换为发射功率反馈数字信号，所述发射功率反馈数字信号由所述第三单刀双掷开关的第二端口输出至所述第一信号比较器，用于实现对射频发射数字信号的补偿。
3.根据权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于，在接收时隙，所述第一单刀双掷开关的第二端口与所述第一单刀双掷开关的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关的第一端口与所述第二单刀双掷开关的第三端口导通，所述第二单刀双掷开关的第三端口输出射频接收信号，所述第三单刀双掷开关的第三端口与所述第三单刀双掷开关的第一端口导通；
其中，所述射频接收信号依次经过所述第一低噪放大器、第一信号下变频混频器、第一解码器、第一基带信号处理单元的处理，转换为射频接收解调信号，所述射频接收解调信号由所述第三单刀双掷开关的第一端口输出。
4.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1所述的功率检测电路。
5.一种功率检测电路，包括第二射频收发器、第二功率放大器模组、第二基带信号处理器和天线，
其中，所述第二功率放大器模组包括第一频段的第一通路、第二频段的第二通路、第四单刀双掷开关、第五单刀双掷开关、第二衰减器和第二耦合器；
所述第一频段的第一通路包括第二功率放大器、第一双工器以及第六单刀双掷开关，
其中，所述第六单刀双掷开关的第一端口与所述第一双工器的第二端口连接，所述第六单刀双掷开关的第二端口与所述第五单刀双掷开关的第一端口连接，所述第六单刀双掷开关的第三端口与所述第二射频收发器的第一RF RX端口连接；所述第六单刀双掷开关用于切换第一频段的射频接收信号与第二频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第二频段的第二通路包括第三功率放大器、第二双工器以及第七单刀双掷开关，
其中，所述第七单刀双掷开关的第一端口与所述第二双工器的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关的第二端口与所述第五单刀双掷开关的第二端口连接，所述第七单刀双掷开关的第三端口与所述第二射频收发器的第二RF RX端口连接；所述第七单刀双掷开关用于切换第二频段的射频接收信号与第一频段的发射功率反馈模拟信号；
所述第四单刀双掷开关的第三端口连接所述第二耦合器的第一端口，所述第四单刀双掷开关的第二端口与所述第二双工器的第三端口连接，所述第四单刀双掷开关的第一端口与所述第一双工器的第三端口连接；所述第四单刀双掷开关为所述第一频段的公共端信号和第二频段的公共端信号工作切换开关；
所述第五单刀双掷开关的第三端口通过所述第二衰减器连接所述第二耦合器的耦合端口，所述第五单刀双掷开关用于切换第一频段的发射功率反馈模拟信号和第二频段的发射功率反馈模拟信号。
6.根据权利要求5所述的功率检测电路，其特征在于，所述第二射频收发器包括：第三低噪放大器、第三信号下变频混频器、第八单刀双掷开关以及第二信号上变频混频器；
以及，
第四低噪放大器、第四信号下变频混频器、第九单刀双掷开关以及第三信号上变频混频器；
其中，所述第八单刀双掷开关用于对第三信号下变频混频器的输入本振信号进行切换；所述第九单刀双掷开关用于对第四信号下变频混频器的输入本振信号进行切换；
所述第八单刀双掷开关的第一端口接收第一射频接收本振信号，所述第八单刀双掷开关的第二端口接收第二射频发射本振信号，所述第八单刀双掷开关的第三端口与第一信号下变频混频器的第二输入端口连接；
所述第九单刀双掷开关的第一端口接收第二射频接收本振信号，所述第九单刀双掷开关的第二端口接收第一射频发射本振信号，所述第九单刀双掷开关的第三端口与第二信号下变频混频器的第二输入端口连接。
7.根据权利要求5或6所述的功率检测电路，其特征在于，所述第二基带信号处理器包括：第一频段的第三通路、第二频段的第四通路、第二信号比较器、第十单刀双掷开关、第十一单刀双掷开关、第十二单刀双掷开关、第十三单刀双掷开关和第十四单刀双掷开关；
其中，所述第一频段的第三通路包括：第三解码器、第二编码器、第四基带信号处理单元、第五基带信号处理单元；
所述第二频段的第四通路包括：第四解码器、第三编码器、第六基带信号处理单元、第七基带信号处理单元；
其中，所述第一频段的第三通路和第二频段的第四通路共用所述第二信号比较器；
所述第十四单刀双掷开关用于切换所述第一频段的射频接收解调信号和第二频段的发射功率反馈数字信号；
所述第十一单刀双掷开关用于切换所述第二频段的射频接收解调信号和第一频段的发射功率反馈数字信号；
所述第十二单刀双掷开关为所述第一频段与第二频段的射频发射数字信号输入到所述第二信号比较器的切换开关；
所述第十三单刀双掷开关为所述第一频段与第二频段的发射功率反馈数字信号输入到所述第二信号比较器的切换开关；
所述第十单刀双掷开关为所述第二信号比较器对第一频段与第二频段的TX通路补偿信号的切换开关；
其中，
所述第十四单刀双掷开关的第三端口与所述第五基带信号处理单元的输出端口与连接，所述第十四单刀双掷开关的第二端口与所述第十三单刀双掷开关的第二端口连接，所述第十四单刀双掷开关的第一端口输出第一射频接收解调信号；
所述第十一单刀双掷开关的第三端口与所述第七基带信号处理单元的输出端口连接，所述第十一单刀双掷开关的第二端口连接所述第十三单刀双掷开关的第一端口，所述第十一单刀双掷开关的第一端口输出第二射频接收解调信号；
所述第十二单刀双掷开关的第一端口与第二频段的TX2端口连接，所述第十二单刀双掷开关的第二端口与第一频段的TX1端口连接，所述第十二单刀双掷开关的第三端口与所述第二信号比较器的第二输入端口连接；
所述第十三单刀双掷开关的第三端口与所述第二信号比较器的第一输入端口连接；
所述第二信号比较器的输出端口与所述第十单刀双掷开关的第三端口连接；
所述第十单刀双掷开关的第一端口与所述第六基带信号处理单元的第一输入端口连接，所述第十单刀双掷开关的第二端口与所述第四基带信号处理单元的第一输入端口连接，所述第十单刀双掷开关用于选择输出所述补偿信号的频段通路。
8.根据权利要求7所述的功率检测电路，其特征在于，在所述第一频段工作时，第八单刀双掷开关切换到第一端口，所述第十四单刀双掷开关切换到第一端口，射频接收信号由端口输入，经过第三低噪放大器、第三信号下变频混频器、第三解码器、第五基带信号处理单元、第十四单刀双掷开关，由Digital RX1端口输出；第九单刀双掷开关切换到第二端口，所述第十一单刀双掷开关切换到第二端口，所述第十三单刀双掷开关切换到第一端口，发射功率反馈模拟信号由RF RX2端口输入，经过第四低噪放大器、第四信号下变频混频器、第四解码器、第七基带信号处理单元、第十一单刀双掷开关、第十三单刀双掷开关，输入到第二信号比较器；所述第十二单刀双掷开关切换到第二端口，射频发射数字信号经过所述第十二单刀双掷开关输入到所述第二信号比较器；所述第十单刀双掷开关切换到第二端口，所述第二信号比较器输出补偿信号通过所述第十单刀双掷开关输入到第四基带信号处理单元，以实现对射频发射数字信号进行补偿。
9.根据权利要求7所述的功率检测电路，其特征在于，在所述第二频段工作时，第九单刀双掷开关切换到第一端口，第七单刀双掷开关切换到第一端口，射频接收信号由RF RX2端口输入，经过第四低噪放大、第四信号下变频混频器、第四解码器、第七基带信号处理单元、第十一单刀双掷开关，由Digital RX2端口输出；第八单刀双掷开关切换到第二端口，所述第十四单刀双掷开关切换到第二端口，所述第十三单刀双掷开关切换到第二端口，发射功率反馈模拟信号由RF RX1端口输入，经过第三低噪放大器、第三信号下变频混频器、第三解码器、第五基带信号处理单元、第十四单刀双掷开关、第十三单刀双掷开关，输入到第二信号比较器；第十二单刀双掷开关切换到第一端口，射频发射数字信号经过第十二单刀双掷开关输入到第二信号比较器；第十单刀双掷开关切换到第一端口，第二信号比较器输出补偿信号通过第十单刀双掷开关输入到第六基带信号处理单元，以实现对射频发射数字信号进行补偿。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5-9中任一项所述的功率检测电路。
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