CN114498011A - 一种高性能微带阵列天线 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种高性能微带阵列天线,包括基板,基板包括上层基板以及设置在上层基板底面的下层基板,下层基板底面设有金属接地层,上层基板顶面呈矩形阵列设有若干微带辐射贴片,且微带辐射贴片水平方向阵列的数量和垂直方向阵列的数量均为偶数,基板上位于微带辐射贴片的矩阵中心处设有金属化过孔,金属化过孔中焊接设有金属探针且金属探针通过设置在上层基板顶面的功率分配网络与每一微带辐射贴片连接,金属探针用于向微带阵列天线馈电,功率分配网络用于分配微波信号至各个微带辐射贴片,金属探针与上层基板顶面的连接处设有微带短截线。本发明在馈电中心点处优化设计微带短截线,有效消除馈电金属化过孔的寄生感抗,提升馈电处阻抗匹配特性。

Description

一种高性能微带阵列天线
技术领域
本发明涉及通信天线技术领域,尤其涉及一种高性能微带阵列天线。
背景技术
阵列天线由许多相同的单个天线(如对称天线)按一定规律排列组成的天线系统,也称天线阵,组成天线阵的独立单元称为阵元或天线单元。如果阵元排列在同一直线或同一平面上,则称为直线阵列或平面阵列。现有阵列天线中,馈电金属过孔易产生寄生感抗,天线的阻抗匹配特性较差,无法得到最大的功率传输,甚至会导致功率分配网络损坏。
发明内容
本发明的目的在于针对已有的技术现状,提供一种高性能微带阵列天线,在馈电中心点处优化设计微带短截线,有效消除馈电金属化过孔的寄生感抗,提升馈电处阻抗匹配特性。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种高性能微带阵列天线,包括基板,所述基板包括上层基板以及设置在上层基板底面的下层基板,所述下层基板底面设有金属接地层,所述上层基板顶面呈矩形阵列设有若干微带辐射贴片,且微带辐射贴片水平方向阵列的数量和垂直方向阵列的数量均为偶数,所述基板上位于微带辐射贴片的矩阵中心处设有金属化过孔,所述金属化过孔中焊接设有金属探针且金属探针通过设置在上层基板顶面的功率分配网络与每一微带辐射贴片连接,金属探针用于向微带阵列天线馈电,功率分配网络用于分配微波信号至各个微带辐射贴片,所述金属探针与上层基板顶面的连接处设有微带短截线。
进一步的,所述微带短截线的长度为a,a为微带阵列天线工作频段波长的四分之一,所述微带短截线的宽度为b,
Figure BDA0003443610300000021
C是微带短截线的等效寄生电容,εr是基板的介电常数,d为基板的厚度,r为金属化过孔的半径,其中,微带短截线的寄生感抗为L,
Figure BDA0003443610300000022
μ0是真空导磁率,微带短截线的等效寄生电容与其寄生感抗满足
Figure BDA0003443610300000023
进一步的,所述微带辐射贴片为长方形,微带辐射贴片矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与微带辐射贴片的长度方向和宽度方向一致。
进一步的,所述微带辐射贴片矩形阵列中,水平方向上相邻微带辐射贴片的间距与垂直方向上相邻微带辐射贴片的间距相等,所述功率分配网络包括分别将每一水平方向阵列中的微带辐射贴片并联连接的单元馈电网络,且每一水平方向阵列的微带辐射贴片的功率从中心向两边符合泰勒线性阵,沿微带辐射贴片矩形阵列的垂直方向,单元馈电网络的中心处、金属探针依次连接,且每一单元馈电网络的功率相同。
进一步的,所述单元馈电网络包括依次相连的子功率分配网络,子功率分配网络包括第一微带线以及与第一微带线连接的第一阻抗变换单元和第二阻抗变换单元,子功率分配网络通过第一阻抗变换单元与下一子功率分配网络连接,子功率分配网络通过第二阻抗变换单元与微带辐射贴片连接。
进一步的,所述第二阻抗变换单元平行于微带辐射贴片的宽度方向,且其与微带辐射贴片上边沿的中部连接。
进一步的,所述基板为长方形,微带辐射贴片矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与基板的长度方向和宽度方向一致。
本发明的有益效果为:
在馈电中心点处优化设计微带短截线,有效消除馈电金属化过孔的寄生感抗,提升馈电处阻抗匹配特性;采用基于泰勒线性阵的并联馈电网络,有效地减少了馈线损耗和杂散辐射;所设计的微带阵列天线具有高增益、窄波束、低旁瓣、易集成等特性。
附图说明
图1为本发明微带阵列天线的正面结构示意图;
图2为本发明微带阵列天线中心馈电点处的结构示意图;
图3为本发明微带阵列天线水平方向上功率分配示意图;
图4为本发明微带阵列天线垂直方向上功率分配示意图;
图5为本发明微带阵列天线的驻波仿真结果图;
图6为本发明微带阵列天线的三维辐射方向图仿真结果;
图7为本发明微带阵列天线仿真测试的水平面方向图(3dB波宽4.2°,旁瓣抑制17.9dB);
图8为本发明微带阵列天线仿真测试的垂直面方向图(3dB波瓣宽度6.0°,旁瓣抑制18dB);
图9为本发明微带阵列天线水平面测试归一化结果图(增益25.5dBi,3dB波宽4.0°)。
标注说明:1、基板,2、微带辐射贴片,3、功率分配网络,301、第一微带线,302、第一阻抗变换单元,303、第二阻抗变换单元,4、金属探针,5、微带短截线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1:
请参阅图1-2所示,一种高性能微带阵列天线,包括基板1,基板1包括上层基板以及设置在上层基板底面的下层基板,下层基板底面设有金属接地层。基板结构为现有技术,此处不再赘述。
上层基板顶面呈矩形阵列设有若干微带辐射贴片2(辐射单元),即水平方向阵列间距相同、垂直方向阵列间距相同,且微带辐射贴片2水平方向阵列的数量和垂直方向阵列的数量均为偶数。需要说明的是,实际生产制作时,微带辐射贴片2水平方向阵列的数量和垂直方向阵列的数量会根据基板1的形状调整。
基板1上位于微带辐射贴片2的矩阵中心处设有金属化过孔(中心馈电点),金属化过孔中焊接设有金属探针4且金属探针4通过设置在上层基板顶面的功率分配网络3与每一微带辐射贴片2连接,金属探针4用于向微带阵列天线馈电,功率分配网络3用于分配微波信号至各个微带辐射贴片2。
天线馈电采用同轴线探针馈电,将同轴线内导体接到辐射面馈电网络上,外导体接到接地面。相比于微带传输线馈电和偶和馈电方式,该馈电方式具有易于匹配,寄生辐射低的优点,同时,制造和后期装配也比较简单。
金属探针4与上层基板顶面的连接处设有微带短截线5。
微带短截线5的长度为a,a为微带阵列天线工作频段波长的四分之一。
微带短截线5的宽度为b,
Figure BDA0003443610300000051
C是微带短截线5的等效寄生电容,εr是基板1的介电常数,d为基板1的厚度,其中,微带短截线5的寄生感抗为L,
Figure BDA0003443610300000052
μ0是真空导磁率,r为金属化过孔的半径,微带短截线5的等效寄生电容与其寄生感抗满足
Figure BDA0003443610300000053
本实施例中,在馈电中心点处优化设计微带短截线5,有效消除馈电金属化过孔的寄生感抗,提升馈电处阻抗匹配特性。
实施例2:
请参阅图1-4所示,在实施例1的基础上,微带辐射贴片为长方形2,微带辐射贴片2矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与微带辐射贴片2的长度方向和宽度方向一致。可选的是,基板1为长方形,微带辐射贴片2矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与基板1的长度方向和宽度方向一致。
微带辐射贴片2矩形阵列中,水平方向上相邻微带辐射贴片2的间距与垂直方向上相邻微带辐射贴片2的间距相等,保证每个单片微带辐射贴片2在中心频点处间隔360°相位差。
功率分配网络3包括分别将每一水平方向阵列中的微带辐射贴片2并联连接的单元馈电网络,且每一水平方向阵列的微带辐射贴片2的功率从中心向两边符合泰勒线性阵(详见表1),沿微带辐射贴片2矩形阵列的垂直方向,单元馈电网络的中心处、金属探针4依次连接,且每一单元馈电网络的功率相同。
表1:泰勒线性阵馈电网络各端口归一化功率比值
Port1 Port2 Port3 Port4 Port5 Port6 Port7 Port8 Port9 Port10 Port11 Port12
0.27 0.32 0.39 0.45 0.53 0.61 0.72 0.81 0.89 0.91 0.9 1.00
单元馈电网络包括依次相连的子功率分配网络,子功率分配网络包括第一微带线301以及与第一微带线301连接的第一阻抗变换单元302和第二阻抗变换单元303,子功率分配网络通过第一阻抗变换单元302与下一子功率分配网络连接,子功率分配网络通过第二阻抗变换单元303与微带辐射贴片2连接,上述子功率分配网络即T型不等功分器。优选的是,第二阻抗变换单元303平行于微带辐射贴片2的宽度方向,且其与微带辐射贴片2上边沿的中部连接。
上述子功率分配网络之间不需要增加额外的传输线,减小了馈线尺寸及空间长度,降低了传输损耗和馈电网络跳变点电磁辐射对天线辐射性能的影响。
按照上述技术方案,针对24GHz测速雷达产品收发前端设计一款22×16单元微带天线。该雷达产品工作频段为24GHz~24.3GHz。相比同类天线,该天线基于泰勒线性阵,采用并联馈电网络,有效地减少了馈线损耗和杂散辐射。所设计的微带阵列天线具有高增益、窄波束、低旁瓣、易集成等特性。
具体的,上述微带阵列天线的设计过程如下:
一、天线辐射单元设计
微带天线的辐射机理实际上是高频的电磁泄露。一个微波电路如果不是被导体完全封闭,电路中的不连续处就会产生电磁辐射。在微带电路的开路端,结构尺寸的突变、折弯等不连续处也会产生电磁辐射(泄露)。当频率较低时,这些部分的电尺寸很小,因此电磁泄露也很小;但随着频率的增高,电尺寸增大,泄露就大。经过特殊设计。即放大尺寸做成贴片状,并使其工作在谐振状态。辐射就明显增强,辐射效率大大提高,从而成为有效的天线。
微带天线辐射单元可为矩形、圆形、环形和三角形等,它们各有特点。但在设计制作大阵时,考虑到天线的加工制作、馈电线及其匹配、极化纯度等因素,一般采用矩形贴片单元。矩形辐射元结构是印制单极子超宽带天线的最基本原型,它可看作粗柱状振子宽带单极子天线的等效变形。相比于圆形和三角形辐射单元,矩形辐射单元带宽好,辐射效率高。对于矩形辐射单元,其长Lp和宽Wp尺寸可由以下公式估算:
Figure BDA0003443610300000071
Figure BDA0003443610300000072
式中,c是光在真空中的传播速度,εre是介质基板的有效相对介电常数,fl和fc是天线工作频带的低频点和中心频点,Δl为考虑基板厚度引入长度修正因子。
基板1采用Taconic TLY-5板材,尺寸为200·160·0.254mm,介电常数为2.2,辐射面做镀银工艺处理,基板1上铜箔的厚度均为1盎司(0.035mm),即金属接地层、微带辐射贴片2、第一微带线301、第一阻抗变换单元302、第二阻抗变换单元303的厚度均为1盎司。
根据基板1的介电常数和厚度,计算得出单片辐射单元(微带辐射贴片2)的尺寸为5·4mm。
二、并联馈电网络设计
阵列天线一般通过并联馈电或串联馈电两种形式对各个单片辐射单元进行幅、相权值激励。并联馈电网络一般是由多级简单型的一分二功率分配器组成,传输线比较长。在毫米波段,微带传输线的传输损耗比较大,而且功率分配器的切角、拐弯等处的不规则跳变点比较多,这些跳变点都会产生一定量的电磁辐射,影响天线的方向图,使得天线副瓣升高,增益变低。因此,本阵列天线选取基于泰勒线性阵的并联馈电网络,对阵列天线进行馈电。馈电网络传输线短,不规则跳变点少,有效地减少了传输损耗和降低馈线辐射对天线方向图的影响。
根据计算,在中心频点24.15GHz处,360°相位线长应为8.953mm,考虑到天线布局结构和制版精度,辐射单元间距选取8.95mm。单元馈电网络的端口关于中心两两对称,在24~24.3GHz频段内幅度与相位分布一致性较好。
微带辐射贴片2矩形阵列中,水平方向上单个子功率分配网络由两段四分之一介质波长阻抗变换段(第一段的特性阻抗值为Zn1,第二段的特性阻抗值为Zn2)和一段二分之一介质波长主传输线(特性阻抗值为Z0)组成。通过调节两四分之一变换段的特性阻抗值Zn1与Zn2之比,实现调节两个功率分配支路输出的电流值之比,达到对各个单片辐射单元间的不同幅度权值激励,即功率分配网络向两边的微带辐射贴片2所分配的功率逐渐减小。
微带辐射贴片2矩形阵列中,垂直方向上以中心馈电点为中心,分为上下两路四分之一波长的微带线L1和微带线L2,再经过四分之一波长的微带线L3阻抗变换后分成三路。即通过威尔金森等功率分配,实现天线垂直方向功率对称波束赋型,水平两路第一微带线301和垂直一路微带线L4,横向两路第一微带线进入水平方向微带阵列天线。由于垂直阻抗是横向阻抗的一半,则分得的功率是横向部分的一倍,实现各水平方向微带阵列天线拥有相同的输入功率。
根据阵列天线设计原理,为得到副瓣低和主瓣窄的阵列天线,激励电流的幅度沿中心馈电点的垂直方向呈轴对称分布,并且从中心天线单元向阵列两端的天线单元锥削(逐渐减小)。
从中心馈电点出来,微带阵列关于中心两边对称,首先功分比例为1:1分,每一边都是第一级和后面所有剩余总和分,假定第一级功率为p1,第二级功率为p2 2=p1 2k2,第三级的功率p3 2=p2 2+p1 2,依次类推,从中心天线单元向阵列两端的天线单元的功率比例:1.00:0.9:0.91:0.89:0.81:0.72:0.61:0.53:0.45:0.39:0.32:0.27。
输入即第一微带线301阻抗为特征阻抗Z0,第二路输出即第一阻抗变换单元302的输出阻抗为Zn1和第一路输出即第二阻抗变换单元303的输出阻抗为Zn2。其中Zn1 2=Zn2 2k2
Figure BDA0003443610300000091
由上述功率比值,可以设计出各个单元馈电网络从中心向两边的子功率分配网络的第一阻抗变换单元302的宽依次为:1.28mm,1.16mm,1.05mm,0.97mm,0.87mm,0.8mm,0.74mm,0.63mm,0.5mm,0.28mm且长度都为2.24mm;从中心向两边子功率分配网络的第二阻抗变换单元303的长度依次为:1.6mm,1.66mm,1.72mm,1.76mm,1.81mm,1.83mm,1.87mm,1.93mm,1.99mm,2.1mm,宽度考虑到一致性和降低加工难度,第二阻抗变换单元303宽度都为1.6mm。
请参阅图5-8所示,按照以上设计,使用三维电磁仿真软件对天线辐射方向图进行仿真计算,微带阵列天线仿真设计指标在24~24.3GHz频段内驻波比<1.7,水平面3dB波瓣宽度4.2°,垂直面3dB波瓣宽度6.0°,天线增益30dBi。仿真结果满足产品系统需求,并留有一定余量。
请参阅图9所示,根据仿真计算结果,制作了天线实物。实物测试后,对比仿真和实测结果,天线驻波比、水平面3dB波束宽度和垂直面3dB波束宽度等指标的实测数据和仿真结果相当。扣除高频板材损耗和天线接头插损,天线实测增益为25.5dBi。天线各项指标实测结果与仿真计算值基本一致,满足系统需求。
总的来说,根据测试雷达系统指标需求,利用三维电磁仿真软件设计制作了工作于24~24.3GHz频段的二维微带阵列天线。天线各项指标测试结果与仿真结果吻合较好,这表明本发明的微带阵列天线,具有高增益、小体积、高极化纯度等优点。该阵列天线为后期车载防撞雷达系统的研发奠定了技术基础。
当然,以上仅为本发明较佳实施方式,并非以此限定本发明的使用范围,故,凡是在本发明原理上做等效改变均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种高性能微带阵列天线,包括基板,所述基板包括上层基板以及设置在上层基板底面的下层基板,所述下层基板底面设有金属接地层,其特征在于:所述上层基板顶面呈矩形阵列设有若干微带辐射贴片,且微带辐射贴片水平方向阵列的数量和垂直方向阵列的数量均为偶数,所述基板上位于微带辐射贴片的矩阵中心处设有金属化过孔,所述金属化过孔中焊接设有金属探针且金属探针通过设置在上层基板顶面的功率分配网络与每一微带辐射贴片连接,金属探针用于向微带阵列天线馈电,功率分配网络用于分配微波信号至各个微带辐射贴片,所述金属探针与上层基板顶面的连接处设有微带短截线。
2.根据权利要求1所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述微带短截线的长度为a,a为微带阵列天线工作频段波长的四分之一,所述微带短截线的宽度为b,
Figure FDA0003443610290000011
C是微带短截线的等效寄生电容,εr是基板的介电常数,d为基板的厚度,r为金属化过孔的半径,其中,微带短截线的寄生感抗为L,
Figure FDA0003443610290000012
μ0是真空导磁率,微带短截线的等效寄生电容与其寄生感抗满足
Figure FDA0003443610290000013
3.根据权利要求2所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述微带辐射贴片为长方形,微带辐射贴片矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与微带辐射贴片的长度方向和宽度方向一致。
4.根据权利要求3所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述微带辐射贴片矩形阵列中,水平方向上相邻微带辐射贴片的间距与垂直方向上相邻微带辐射贴片的间距相等,所述功率分配网络包括分别将每一水平方向阵列中的微带辐射贴片并联连接的单元馈电网络,且每一水平方向阵列的微带辐射贴片的功率从中心向两边符合泰勒线性阵,沿微带辐射贴片矩形阵列的垂直方向,单元馈电网络的中心处、金属探针依次连接,且每一单元馈电网络的功率相同。
5.根据权利要求4所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述单元馈电网络包括依次相连的子功率分配网络,子功率分配网络包括第一微带线以及与第一微带线连接的第一阻抗变换单元和第二阻抗变换单元,子功率分配网络通过第一阻抗变换单元与下一子功率分配网络连接,子功率分配网络通过第二阻抗变换单元与微带辐射贴片连接。
6.根据权利要求5所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述第二阻抗变换单元平行于微带辐射贴片的宽度方向,且其与微带辐射贴片上边沿的中部连接。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的一种高性能微带阵列天线,其特征在于:所述基板为长方形,微带辐射贴片矩形阵列的水平方向和垂直方向分别与基板的长度方向和宽度方向一致。
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