CN114497993A - 辐射元件、天线组件以及基站天线 - Google Patents

辐射元件、天线组件以及基站天线 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于天线阵列的辐射元件,所述天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,其中,所述辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值。此外,本发明还涉及一种天线组件以及基站天线。

Description

辐射元件、天线组件以及基站天线
技术领域
本发明一般涉及无线电通信,更具体地说,涉及一种辐射元件、具有所述辐射元件的天线组件以及相关的基站天线。
背景技术
在一些基站天线、例如波束成形基站天线中安装有多个紧密间距的、例如构造用于波束成形的辐射元件阵列。在这样的多阵列基站天线中,如图1所示,不同阵列的辐射元件之间的水平等效间距d_c通常小于相同阵列的辐射元件之间的竖直等效间距d_e,而辐射元件的辐射器的水平延伸尺寸d_h基本上等于其竖直延伸尺寸d_v,这导致辐射元件的不对称的近场电磁环境。这种不对称的电磁环境可能导致基站天线的较差的辐射性能,例如辐射方向图的失真或由多阵列基站天线形成的“天线波束”的失真、和/或降低的交叉极化鉴别率等。
为了减少各辐射元件之间的耦合并且改善基站天线的交叉极化鉴别率,可以在不同的天线阵列之间以及在相同的天线阵列的辐射元件之间安装有寄生元件。在一些情况下,还需要调整寄生元件的高度,以便创建辐射元件的相对对称的近场电磁环境。由于在各辐射元件周围安装了寄生元件,这样的基站天线具有复杂的结构并且导致了额外的制造成本。这是不希望的。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种能够克服现有技术中至少一个缺陷的辐射元件、包括所述辐射元件的天线组件以及相关的基站天线。
按照本发明的第一方面,提供一种用于波束成形天线阵列的辐射元件,所述波束成形天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,其中,所述辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值。
在辐射元件阵列具有不对称的布局的情况下,通过使用具有不对称的辐射器的辐射元件来匹配原本不对称的耦合环境,以实现各辐射元件之间的相对对称的耦合干扰。由此,能够在相对宽泛的扫描角范围内获得基站天线的相对对称的辐射方向图,从而能够改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。
按照本发明的第二方面,提供一种辐射元件,其中,所述辐射元件可以构成为交叉偶极子辐射元件,所述交叉偶极子辐射元件具有辐射器,所述辐射器包括沿第一轴线延伸的第一偶极子和沿第二轴线延伸的第二偶极子所述辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸。
按照本发明的第三方面,提供一种天线组件,包括波束成形天线阵列,其中,所述波束成形天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,其中,一个辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值。
按照本发明的第四方面,提供一种天线组件,其特征在于,所述天线组件包括具有不对称布局的波束成形天线阵列,在所述具有不对称布局的波束成形天线阵列中设置有具有不对称的辐射器的辐射元件。
按照本发明的第五方面,提供一种基站天线,其中,所述基站天线可以包括:根据本发明的辐射元件的阵列或根据本发明的天线组件。
根据本发明的一些实施例的基站天线的结构型式简化,易于装配和拆卸。此外,根据本发明的一些实施例的基站天线很好地控制了基站天线的制造成本。
附图说明
下面参照附图借助具体实施方式来更详细地说明本发明。示意性的附图简要说明如下:
图1是根据现有技术的天线组件的示意性正视图;
图2是根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图;
图3是根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图,在所述天线组件的辐射元件阵列之间安装有寄生元件;
图4是根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图,所述天线组件的辐射元件阵列彼此错开排布;
图5是根据本发明的基站天线在46°水平扫描角下的辐射方向图。
具体实施方式
以下将参照附图描述本发明,其中的附图示出了本发明的若干实施例。然而应当理解的是,本发明可以以多种不同的方式呈现出来,并不局限于下文描述的实施例;事实上,下文描述的实施例旨在使本发明的公开更为完整,并向本领域技术人员充分说明本发明的保护范围。还应当理解的是,本文公开的实施例能够以各种方式进行组合,从而提供更多额外的实施例。
应当理解的是,在所有附图中,相同的附图标记表示相同的元件。在附图中,为清楚起见,某些特征的尺寸可以进行变形。
应当理解的是,说明书中的用辞仅用于描述特定的实施例,并不旨在限定本发明。说明书使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)除非另外定义,均具有本领域技术人员通常理解的含义。为简明和/或清楚起见,公知的功能或结构可以不再详细说明。
说明书使用的单数形式“一”、“所述”和“该”除非清楚指明,均包含复数形式。说明书使用的用辞“包括”、“包含”和“含有”表示存在所声称的特征,但并不排斥存在一个或多个其它特征。说明书使用的用辞“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任意和全部组合。说明书使用的用辞“在X和Y之间”和“在大约X和Y之间”应当解释为包括X和Y。本说明书使用的用辞“在大约X和Y之间”的意思是“在大约X和大约Y之间”,并且本说明书使用的用辞“从大约X至Y”的意思是“从大约X至大约Y”。
在说明书中,称一个元件位于另一元件“上”、“附接”至另一元件、“连接”至另一元件、“耦合”至另一元件、或“接触”另一元件等时,该元件可以直接位于另一元件上、附接至另一元件、连接至另一元件、联接至另一元件或接触另一元件,或者可以存在中间元件。相对照的是,称一个元件“直接”位于另一元件“上”、“直接附接”至另一元件、“直接连接”至另一元件、“直接耦合”至另一元件或、或“直接接触”另一元件时,将不存在中间元件。在说明书中,一个特征布置成与另一特征“相邻”,可以指一个特征具有与相邻特征重叠的部分或者位于相邻特征上方或下方的部分。
在说明书中,诸如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“高”、“低”等的空间关系用辞可以说明一个特征与另一特征在附图中的关系。应当理解的是,空间关系用辞除了包含附图所示的方位之外,还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,在附图中的装置倒转时,原先描述为在其它特征“下方”的特征,此时可以描述为在其它特征的“上方”。装置还可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位),此时将相应地解释相对空间关系。
根据本发明各实施例的辐射元件222可以适用于多种类型的基站天线,例如可以适用于波束成形天线。
现在将参考附图更详细地描述本发明的一些实施例。
图2示出根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图。
如图2所示,基站天线包括天线组件200。天线组件200包括反射体210和安装在反射体210上的辐射元件222阵列220。反射体210可以用作用于辐射元件222的接地平面。辐射元件222被安装成从反射体210沿着前向方向延伸。辐射元件222阵列220可以包括一个或多个高频带辐射元件阵列、一个或多个中频带辐射元件阵列和/或一个或多个低频辐射元件阵列。低频带辐射元件覆盖频带例如可以为617MHz至960MHz或者其中的一个或多个部分范围。中频带辐射元件覆盖频带例如可以为1427MHz至2690MHz或者其中的一个或多个部分范围。高频带辐射元件覆盖频带例如可以为3GHz至5GHz或者其中的一个或多个部分范围。辐射元件222可以是低频辐射元件、中频带辐射元件或高频带辐射元件。在一些实施例中,辐射元件222还可以是宽频带辐射元件。在图2中,辐射元件222象征性地用叉形符号表示。
在图2的实施例中,天线组件200可以包括三个竖直延伸的辐射元件222阵列220。第一阵列2201包括三个竖直排布的第一辐射元件;第二阵列2202包括三个竖直排布的第二辐射元件;第三阵列2203包括三个竖直排布的第三辐射元件。在此,应当理解的是,天线组件200可以包括任意数量的竖直延伸的辐射元件222阵列220,各辐射元件222阵列220可以包括任意数量的竖直排布的辐射元件222。
如图2所示,相邻两个阵列220可以间隔开第一等效间距d_c,例如第一阵列2201与第二阵列2201——在图2中为第一辐射元件与相邻的第二辐射元件——可以间隔开第一等效间距d_c。单个阵列220中的两个相邻辐射元件222可以间隔开第二等效间距d_e,例如第一阵列2201中的两个相邻的第一辐射元件222可以间隔开第二等效间距d_e。第一等效间距d_c通常不等于第二等效间距d_e。在波束成形天线中,由于竖直延伸的各辐射元件222阵列220通常紧密地布置在长形的面积有限的反射体210上,因此第一等效间距d_c通常小于第二等效间距d_e。在一些实施例中,“第一等效间距d_c”可以理解为两个相邻的阵列之间的距离。在一些实施例中,“第一等效间距d_c”可以理解为相邻阵列的两个相邻辐射元件组的平均相位中心之间的间距。在一些实施例中,“第二等效间距d_e”可以理解为一个阵列内两个相邻的辐射元件组的平均相位中心之间的间距。一个“辐射元件组”可以包括至少一个辐射元件222,例如1、2、3、4或更多个辐射元件,所述至少一个辐射元件安装在同一馈电板上并且由同一馈源馈电、例如由移相器的同一输出端馈电,所述至少一个辐射元件在仰角平面中可具有一个平均相位中心。在图2的实施例中,一个“辐射元件组”包括恰好一个辐射元件222,因此“等效间距”可以理解为两个辐射元件222的相位中心之间的间距,但这不应该理解为对本发明的限制。
在本发明的一些实施例中,第一等效间距d_c例如可以设定为阵列220的操作频带的中心频率对应的波长的0.3至0.6倍、例如阵列220的操作频带的中心频率对应的波长的0.5倍,第二等效间距d_e例如可以设定为阵列220的操作频带的中心频率对应的波长的0.6至1倍。由此,根据本发明的一些实施例,安装在反射体210上的辐射元件222阵列220可以具有一种不对称的布局。
在本发明中,“不对称的布局”可以包括多种形式的不对称的排布方式,例如一个辐射元件222与同一阵列220中的相邻的辐射元件222之间的等效间距不等于所述一个辐射元件222与相邻阵列220中的相邻的辐射元件222之间的等效间距。不对称的排布方式也可以是不同阵列中的各辐射元件以不同的间隔和/或尺寸和/或定位布置;不对称的排布方式也可以是同一个阵列中的各辐射元件以不同的间隔和/或尺寸和/或定位布置。
在不对称的布局情况下,若各辐射元件222的辐射器如现有技术中那样设计成对称的、即各辐射元件222的辐射器在两个互相垂直的方向上具有基本上相同的延伸尺寸,则各相邻的辐射元件222对所述一个辐射元件222的耦合干扰也以一种不对称的方式呈现。这导致所述辐射元件222具有不对称的耦合环境中。这种不对称的耦合环境可能导致基站天线的辐射方向图的失真,并且可能导致基站天线的交叉极化鉴别率性能降低。
为此,本发明提出了一种用于上述类型的多阵列天线的辐射元件222。根据本发明的辐射元件222可以具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器使得辐射元件222具有不对称的耦合效应、例如不对称的边缘耦合效应,从而使得辐射元件222能够匹配于在辐射元件222周围的不对称的耦合环境,以便补偿由不对称的耦合环境带来的辐射方向图的失真、改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。在本发明中,“不对称的辐射器”可以理解为:所述辐射器在两个互相垂直的方向(例如水平方向H和竖直方向V)上具有不同的延伸尺寸。以这种方式,通过辐射元件222自身的不对称的设计来补偿辐射元件222周围的不对称的耦合环境。由此,可以减少基站天线的辐射方向图的失真,从而可以改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。例如,对于交叉偶极子辐射元件,“辐射器”是指交叉偶极子,因此根据本发明实施例的具有不对称辐射器的交叉偶极子辐射元件具有如下交叉偶极子,所述交叉偶极子在两个互相垂直方向上具有不同的延伸尺寸。作为另一实施例,对于贴片辐射元件,“辐射器”是指贴片辐射器,因此根据本发明实施例的具有不对称辐射器的贴片辐射元件具有如下贴片辐射器,所述贴片辐射器在两个相互垂直方向上具有不同的延伸尺寸。
具体而言,如图2所示,根据本发明一些实施例的辐射元件222具有所谓的不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向(在此例如为水平方向H)上的第一延伸尺寸d_h和与第一方向垂直的第二方向(在此例如为竖直方向V)上的第二延伸尺寸d_v。第一延伸尺寸d_h不等于(在此例如小于)第二延伸尺寸d_v。根据本发明的一些实施例规定:第一等效间距d_c相对于第二等效间距d_e具有第一比值,而第一延伸尺寸d_h相对于第二延伸尺寸d_v具有第二比值,其中,所述第二比值可以被设定成匹配于所述第一比值。在本发明中,“第二比值匹配于第一比值”可以理解为,第二比值的取值范围与第一比值具有关联性。换句话说,第二比值可以设定为围绕第一比值一定范围内的数值。例如,第二比值减去第一比值的绝对值小于第一比值的10%、5%、2%或1%。在一些实施例中,第二比值可以被设定成基本上等于第一比值。以这种方式,具有不对称的辐射器的辐射元件222能够匹配于所述辐射元件222周围的不对称的耦合环境,从而可以获得基站天线的相对对称的辐射方向图,并且改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。
如上所述并且如图2所示,在一些实施例中,根据本发明的辐射元件222可以构成为偶极子辐射元件。所述偶极子辐射元件例如可以构成为交叉偶极子辐射元件,所述交叉偶极子辐射元件包括沿第一轴线延伸的第一偶极子和沿第二轴线延伸的第二偶极子。第一轴线可以不垂直于第二轴线。然而,应当理解的是,交叉偶极子辐射元件可以根据实际需要而构造成其他结构型式。例如,在一些未示出的实施例中,交叉偶极子辐射元件可以包括彼此垂直交叉的第一偶极子臂部分和从第一偶极子臂部分朝外弯折的竖直延伸的第二偶极子臂部分。在一些未示出的实施例中,辐射元件222可以构成为贴片辐射元件。所述贴片辐射元件可以具有矩形、椭圆形或类似的轮廓。
图3是根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图,在所述天线组件的辐射元件阵列之间安装有寄生元件。
为了进一步降低各阵列220之间的耦合干扰,从而实现各辐射元件222之间的相对对称的耦合干扰,在本发明的一些实施例中,如图3所示,在反射体210上还可以附加地安装有用于相应的辐射元件222阵列220的寄生元件230。每个寄生元件230可以是例如前向安装在反射体210上的相邻于一个或多个辐射元件222的导电元件。寄生元件230可以被构成用于隔离相邻的辐射元件222之间的耦合干扰。示例性地,图3中的天线组件200包括9个在竖直方向V上延伸的寄生元件230,即寄生元件2301~2309。这些寄生元件2301~2309分别布置在辐射元件222阵列220的各辐射元件222的(水平方向H的)两侧。应理解的是,在图3中示出的寄生元件230的布置方式只是一种示例性的实施例,其数量和布置方式也可以根据实际需要进行改变。例如,天线组件200还可以包括多个在水平方向H上延伸的寄生元件230,所述寄生元件230分别布置在辐射元件阵列220的辐射元件222的(竖直方向的)两侧。通过在辐射元件222周围布置寄生元件230,能够进一步降低对相应的辐射元件222的耦合干扰作用,由此能够为各辐射元件222创造一个相对对称的隔离环境,从而能够进一步改善基站天线的(尤其是在大的水平扫描角、例如46°水平扫描角下的)辐射方向图,并且能够进一步改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。
图4是根据本发明一些实施例的天线组件的示意性正视图,所述天线组件的辐射元件阵列彼此错开排布。
如图4所示,在一些实施例中,相邻辐射元件222阵列220′可以设计成彼此错开排布,也就是说,相邻辐射元件222阵列220′中的辐射元件222的馈电点在竖直方向V上发生错开、即不再如图2中所示那样水平对齐。由此,能够增大相邻辐射元件222的同一极化的辐射器(例如偶极子辐射器)间的空间距离,从而能够提高相邻两个阵列220′中的辐射元件222之间的隔离度。以这种方式,能够进一步减少各辐射元件222阵列220′之间的耦合干扰,并且因此能够进一步改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。
图5示出根据本发明的基站天线在46°水平扫描角下的辐射方向图。从图5中可以清楚地看出,根据本发明的基站天线即使在大的水平扫描角(在此例如为46°水平扫描角)下仍能够获得良好的交叉极化鉴别率(在此例如为-23dB)。由此,可以表明,根据本发明的基站天线可以在相对宽泛的扫描角范围内获得良好的交叉极化鉴别率性能。
按照本发明的天线组件200能够带来一项或多项以下优点:第一,在辐射元件222阵列220具有所谓的不对称的布局的情况下,通过使用具有不对称的辐射器的辐射元件222来匹配原本不对称的耦合环境,以实现各辐射元件222之间的相对对称的耦合干扰;第二,基站天线的结构型式简化,易于装配和拆卸;第三,能够在相对宽泛的扫描角范围内获得基站天线的相对对称的辐射方向图,从而能够改善基站天线的交叉极化鉴别率性能。
虽然已经描述了本公开的示例性实施例,但是本领域技术人员应当理解的是,在本质上不脱离本公开的精神和范围的情况下能够对本公开的示范实施例进行多种变化和改变。因此,所有变化和改变均包含在权利要求所限定的本公开的保护范围内。本公开由附加的权利要求限定,并且这些权利要求的等同物也包含在内。

Claims (10)

1.一种用于波束成形天线阵列的辐射元件,所述波束成形天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,
其特征在于,所述辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,
其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值。
2.根据权利要求1所述的用于波束成形天线阵列的辐射元件,其特征在于,所述第二比值被设定成基本上等于所述第一比值;和/或
所述第一延伸尺寸小于所述第二延伸尺寸;和/或
所述辐射元件构成为偶极子辐射元件。
3.根据权利要求1或2所述的用于波束成形天线阵列的辐射元件,其特征在于,所述辐射元件构成为交叉偶极子辐射元件,所述交叉偶极子辐射元件包括沿第一轴线延伸的第一偶极子和沿第二轴线延伸的第二偶极子;和/或
所述第一轴线不垂直于所述第二轴线;和/或
所述辐射元件构成为贴片辐射元件;和/或
所述贴片辐射元件具有矩形或椭圆形的轮廓。
4.一种辐射元件,其特征在于,所述辐射元件构成为交叉偶极子辐射元件,所述交叉偶极子辐射元件具有辐射器,所述辐射器包括沿第一轴线延伸的第一偶极子和沿第二轴线延伸的第二偶极子所述辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸。
5.根据权利要求4所述的辐射元件,其特征在于,所述第一轴线不垂直于所述第二轴线;和/或
所述第一延伸尺寸小于所述第二延伸尺寸。
6.一种天线组件,包括波束成形天线阵列,其特征在于,所述波束成形天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,
其中,一个辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,
其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值。
7.根据权利要求6所述的天线组件,其特征在于,所述第二比值被设定成基本上等于所述第一比值;和/或
所述第一等效间距小于所述第二等效间距;和/或
所述第一等效间距为波束成形天线阵列的操作频带的中心频率对应的波长的0.3至0.6倍,所述第二等效间距为波束成形天线阵列的操作频带的中心频率对应的波长的0.6至1倍;和/或
所述第一等效间距基本上为波束成形天线阵列的操作频带的中心频率对应的波长的0.5倍;和/或
第一阵列的各辐射元件相对于第二阵列的各辐射元件在竖直方向上错开;和/或
所述波束成形天线组件包括竖直延伸的寄生元件,所述寄生元件布置在第一阵列和/或第二阵列的水平方向的侧旁。
8.一种天线组件,其特征在于,所述天线组件包括具有不对称布局的波束成形天线阵列,在所述具有不对称布局的波束成形天线阵列中设置有具有不对称的辐射器的辐射元件。
9.根据权利要求8所述的天线组件,其特征在于,所述辐射元件具有不对称的辐射器,所述不对称的辐射器具有用于至少部分地平衡波束成形天线阵列的不对称布局;和/或
所述波束成形天线阵列包括竖直延伸的第一阵列和相邻的竖直延伸的第二阵列,第一阵列与第二阵列间隔开第一等效间距,第一阵列和/或第二阵列中的两个相邻的辐射元件间隔开第二等效间距,其中,第一等效间距不等于第二等效间距,
其中,所述不对称的辐射器具有第一方向上的第一延伸尺寸和与第一方向垂直的第二方向上的第二延伸尺寸,其中,第一延伸尺寸不等于第二延伸尺寸,
其中,第一等效间距相对于第二等效间距具有第一比值,而第一延伸尺寸相对于第二延伸尺寸具有第二比值,其中,所述第二比值被设定成匹配于所述第一比值;和/或
所述第二比值被设定成基本上等于所述第一比值。
10.一种基站天线,其特征在于,所述基站天线包括:根据权利要求1至3之一所述的用于波束成形天线阵列的辐射元件的阵列;或根据权利要求4至5之一所述的辐射元件的阵列;或根据权利要求6至9之一所述的天线组件。
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