CN114496833A - 一种清洗装置、清洗系统及清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，涉及化学机械抛光技术领域，在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下，降低对晶圆表面的欠清洗和/或过清洗的风险。该清洗装置应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗，晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件。供液单元通过供液管路向清洗刷组件供应清洗液。清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应一个待清洗区域。供液管路向至少两个清洗区域提供不同的清洗力。本发明还提供一种清洗系统及清洗方法。

Description

一种清洗装置、清洗系统及清洗方法
技术领域
本发明涉及化学机械抛光技术领域，特别是涉及一种清洗装置、清洗系统及清洗方法。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，缩写为CMP)是一种表面全局平坦化技术。随着化学机械抛光在半导体器件制造过程中的广泛应用，例如，形成层间介质层(ILD)后的CMP、形成金属塞后的CMP、形成金属互连线后的CMP。CMP后的清洗变得尤为重要。
CMP后的清洗的主要目的是去除CMP工艺中带来的杂质，如磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及磨料带来的化学玷污物等。
相关技术提供的清洗方式一般包括毛刷清洗、酸性喷淋清洗、兆声波清洗等。毛刷清洗相对于其他清洗方式因具有去除杂质的能力强、效率高而被广泛应用。
但是，采用相关技术提供的毛刷清洗装置对晶圆的表面进行清洗时，存在欠清洗和/或过清洗的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种清洗装置、清洗系统及清洗方法，在精确控制清洗装置所包括的清洗刷组件作用在晶圆不同待清洗区域上的清洗压力的情况下，降低对晶圆表面的欠清洗和/或过清洗的风险。
为了实现上述目的，本发明提供一种清洗装置，应用于晶圆抛光后的清洗，晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件。供液单元通过供液管路向清洗刷组件供应清洗液。清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应一个待清洗区域。供液管路向至少两个清洗区域提供不同的清洗力，以使得通过清洗区域作用在待清洗区域上的清洗压力不同。
与现有技术相比，本发明提供的清洗装置应用在化学机械抛光后的晶圆的清洗时，在晶圆的表面具有至少两个待清洗区域，以及至少两个待清洗区域所需要的清洗压力不同的情况下，可以通过控制供液管路向清洗刷组件所具有的清洗区域(与待清洗区域在空间上相对应)提供的清洗力不同，实现对晶圆表面不同待清洗区域的精确清洗。也就是说，当晶圆表面的其中一个待清洗区所需要的清洗压力较大时，可以增大供液管路向清洗刷组件所具有的清洗区域(与上述待清洗区域相对应)供应的清洗液的流速，在清洗区域清洗液的流速增大的情况下，可以提高清洗液对待清洗区域的冲击力，以提高通过清洗区域作用在晶圆所具有的待清洗区域上的清洗压力。基于此，可以有效的去除上述待清洗区域上的杂质，以降低对上述待清洗区域造成的欠清洗的风险。当晶圆表面的另外一个待清洗区所需要的清洗压力较小时，可以减小供液管路向清洗刷组件所具有的清洗区域(与上述待清洗区域相对应)供应的清洗液的流速，在清洗区域清洗液的流速减小的情况下，可以降低清洗液对待清洗区域的冲击力，以降低通过清洗区域作用在晶圆所具有的待清洗区域上的清洗压力。基于此，在有效的去除上述待清洗区域上的杂质的同时，还可以降低对上述待清洗区域造成的过清洗的风险。
本发明还提供一种清洗系统，该清洗系统包括通信单元，用于获取晶圆表面的杂质分布特性信息。处理单元与通信单元通信连接。处理单元根据晶圆表面的杂质分布特性信息确定晶圆表面的待清洗区域，以及待清洗区域所需的清洗压力控制信号。以及本发明任意一种实现方式提供的清洗装置，清洗装置与通信单元通信连接。
与现有技术相比，本发明提供的清洗系统的有益效果与上述技术方案的清洗装置的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明还提供一种清洗方法，该清洗方法包括：
获取晶圆表面的杂质分布特性信息。
根据晶圆表面的杂质分布特性信息，确定晶圆表面的待清洗区域，以及待清洗区域所需的清洗压力，根据清洗压力确定清洗压力控制信号。
向清洗装置提供清洗压力控制信号，清洗装置在清洗压力控制信号的控制下，为待清洗区域提供所需的清洗压力。
与现有技术相比，本发明提供的清洗方法的有益效果与上述技术方案的清洗系统的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明实施例提供的清洗装置的示意图；
图2是清洗液流速与晶圆表面待清洗区域的清洗压力的关系图；
图3是本发明实施例提供的清洗装置的原理图；
图4是本发明实施例提供的具有不同待清洗区域的晶圆的示意图；
图5是本发明实施例提供的清洗装置的应用状态图；
图6是本发明实施例提供的清洗系统的示意图。
其中：
1-晶圆， 10-待清洗区域， 100-第一待清洗区域，
101-第二待清洗区域， 102-第三待清洗区域， 103-第四待清洗区域；
20-供液单元， 21-供液管路， 210-供液主路，
211-供液支路， 212-流量控制阀， 22-清洗刷组件，
220-清洗区域， 2200-第一清洗区域， 2201-第二清洗区域，
2202-第三清洗区域， 2203-第四清洗区域， 221-旋转轴，
222-刷头， 223-通道， 224-喷射口；
3-通信单元， 4-处理单元， 5-信息采集单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
在附图中示出本发明实施例的各种示意图，这些图并非按比例绘制。其中，为了清楚明白的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
此外，本发明中，“上”、“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义，应当能理解到，这些方向性术语是相对概念，它们用于相对的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位变化而相应地发生变化。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连。
化学机械抛光是一种表面平坦化技术，其利用化学机械抛光设备实现晶圆表面平坦化的目的。利用化学机械抛光设备实现对晶圆的表面平坦化后，通常会在晶圆的表面(包括晶圆的抛光面、与抛光面相对的另一面、以及侧面等)残留有杂质，上述杂质包括磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及磨料带来的化学玷污物等。
相关技术提供一种利用清洗刷和清洗液对晶圆表面进行清洗的方式。上述清洗液可以是去离子水、氢氧化铵、氢氧化铵和氢氟酸等。其中清洗刷和去离子水适用于层间介质层CMP后的清洗，清洗刷和氢氧化铵适用于金属钨CMP后的清洗，清洗刷与氢氧化铵及氢氟酸同样适用于金属钨CMP后的清洗。
采用上述方式对晶圆的表面进行清洗时，可以是清洗刷转动并压在晶圆(此时，晶圆也可以转动)的表面，而且，与此同时，还可以利用清洗刷向晶圆的表面喷射清洗液，或者，单独通过清洗液供应装置向晶圆的表面喷射清洗液。在清洗刷和清洗液的综合作用下，有效的去除晶圆表面的杂质。
发明人发现，利用化学机械抛光设备实现对晶圆的表面平坦化后，晶圆表面的不同区域残留的杂质的分布特性不同。例如，有的区域残留的杂质的密度和/或厚度较大，有的区域残留的杂质的密度和/或厚度较小。此时，如果清洗刷施加在上述各个区域上的清洗压力相同，那么对晶圆表面的清洗结果可能是，对于密度和/或厚度较大的区域存在欠清洗(清洗不充分)的情况，对于密度和/或厚度较小的区域存在过清洗(过度清洗)的情况。基于此，会影响对晶圆的清洗效果，甚至是晶圆的品质。将上述晶圆应用在半导体器件时，则会降低半导体器件的工作性能。
针对上述技术问题，本发明实施例提供一种清洗装置。图1示出了本发明实施例提供的清洗装置的示意图。如图1所示，本发明实施例提供的清洗装置可以应用于化学机械抛光后的晶圆的清洗，当然，也可以应用于采用其他抛光方式抛光后的晶圆的清洗。抛光后的晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同。上述杂质分布特性可以包括杂质厚度分布特性和/或杂质密度分布特性等。上述杂质分布特性不同，去除上述待清洗区域的杂质时所需要的清洗压力不同。应理解，上述清洗压力可以是清洗刷组件22施加在晶圆表面上的压力。
上述清洗装置包括供液单元20、供液管路21和清洗刷组件22。其中，供液单元20通过供液管路21向清洗刷组件22供应清洗液。清洗刷组件22具有至少两个清洗区域，一个清洗区域对应晶圆上的一个待清洗区域。供液管路21向至少两个清洗区域提供不同的清洗力，与此同时，清洗区域为与其对应的待清洗区域提供不同的清洗压力。应理解，上述清洗区域提供的清洗力越大，则施加在晶圆表面的待清洗区域的清洗压力越大，对晶圆表面的杂质的去除效果越明显。
图2示出了清洗液流速与晶圆表面待清洗区域的清洗压力的关系图。如图2所示，施加在晶圆表面待清洗区域的清洗压力随着清洗液流速的增大而增加。当供液单元20通过供液管路21向清洗刷组件22所具有的不同清洗区域供应清洗液时，供应在清洗区域上的清洗液的流速越大，则通过清洗区域的清洗液对于上述清洗区域相对应的晶圆表面的待清洗区域的冲击力越大。也就是说，通过清洗区域施加在待清洗区域上的清洗压力越大，反之则越小。
图3示出了本发明实施例提供的清洗装置的原理图，如图3所示，可以通过控制供液管路21所具有的供液支路211向清洗刷组件22所具有的不同清洗区域220提供清洗液的流速，以控制清洗刷组件22所具有的不同清洗区域220向与其对应的晶圆上的待清洗区域提供的的冲击力(可以定义为清洗力)。进一步的，当清洗刷组件22所具有的不同清洗区域220施加至晶圆所具有的待清洗区域10上的冲击力后，不同的待清洗区域10则相应的获得不同的清洗压力，此时，不同待清洗区域10上的杂质在与其相应的清洗压力的作用下被去除。
参见图1，上述供液单元20可以包括储液池(图中未示出)，用于储存清洗液，清洗液可以是去离子水、氢氧化铵、氢氧化铵和氢氟酸的混合溶液等。供液单元20还可以包括供液泵(图中未示出)，用于将清洗液从储液池中泵入供液管路21中。当然，供液单元20中还可以包括连通供液泵和供液管路21的连接管路(图中未示出)和设置在连接管路上的流量控制阀(图中未示出)等。
参见图1，上述供液管路21是向清洗刷组件22所具有的至少两个清洗区域提供不同清洗力的构件。因此，经供液管路21输送至清洗刷组件22所具有的至少两个清洗区域的清洗液的流速应当是可调的。以通过调节或控制与清洗区域对应的供液管路21中的清洗液的流速调节或控制施加在清洗区域上的清洗力，进一步的，调节或控制通过清洗区域施加至晶圆所具有的待清洗区域上的清洗压力。
参见图1，上述供液管路21可以包括与供液单元20所包括的供液泵连通的供液主路210，当供液泵和供液主路210之间具有连接管路，而且连接管路上设置有流量控制阀的情况下，可以通过控制上述流量控制阀的开度控制流经供液主路210上的清洗液的流速。上述供液管路21还可以包括与供液主路210连通的供液支路211。供液支路211的设置数量与晶圆所具有的待清洗区域的数量有关。也就是说，晶圆所具有的待清洗区域的数量与清洗刷组件22所具有的清洗区域的数量有关，而清洗刷组件22所具有的清洗区域的数量与供液支路211的数量有关。例如，当晶圆所具有的待清洗区域的数量为4个时，清洗刷组件22所具有的清洗区域的数量，以及供液支路211的数量至少为4个。此时，至少一个供液支路211为一个清洗区域提供清洗液。为了可以精确控制流经上述每一个供液支路211上的清洗液的流速。可以在上述每一个供液支路211上设置至少一个流量控制阀212。通过控制上述流量控制阀212的开度，控制流经每一个供液支路211上的清洗液的流速。此时，可以控制与上述供液支路211相对应的清洗刷组件22所具有的清洗区域的清洗力。
参见图1，当清洗刷组件22包括旋转轴221以及套设在旋转轴上的刷头222，而且旋转轴221具有沿旋转轴221的轴向开设的通道223，以及沿旋转轴221的径向开设的喷射口224的情况下，供液管路21与清洗刷组件22的位置关系可以是：
参见图1，供液主路210与供液支路211连接的部分以及供液支路211可以设置在通道223内，例如，当清洗刷组件22上具有4个清洗区域时，可以从供液主路210上分支出4个供液支路211。其中每一个供液支路211所具有的出口均设置在一个清洗区域内。在空间上，供液支路211可以沿旋转轴221的轴向依次间隔分布在通道223内。
参见图1，应理解，沿旋转轴221的径向开设的喷射口224为多个，例如，喷射口224可以沿旋转轴221的圆周以阵列的形式均布在旋转轴221上。此时，每一清洗区域均对应多个喷射口224。
参见图1，为了确保每一个清洗区域内，沿旋转轴221的圆周方向均布的多个喷射口224喷射出的清洗液的清洗力一致，可以在每一个清洗区域内设置多个供液支路211，多个供液支路211所具有的出口均布在通道223的周向。
为了更为清楚的了解本发明实施例提供的清洗装置对晶圆的清洗过程，下面以晶圆1具有4个待清洗区域、清洗刷组件具有4个清洗区域为例，进行详细的说明。应理解，以下说明仅作为解释，不作为限定。
参见图4和图5，为了便于阐述，自晶圆1的中心向晶圆1的边缘，将上述4个待清洗区域10依次定义为第一待清洗区域100、第二待清洗区域101、第三待清洗区域102和第四待清洗区域103。清洗刷组件分别与第一待清洗区域100、第二待清洗区域101、第三待清洗区域102和第四待清洗区域103相对应的清洗区域定义为第一清洗区域2200、第二清洗区域2201、第三清洗区域2202和第四清洗区域2203。
其中，第三待清洗区域102上的杂质分布特性与其他三个待清洗区域上的杂质分布特性不同。也就是说，第三待清洗区域102上分布的杂质的密度和/或厚度等较其他三个待清洗区域上的杂质的密度和/或厚度大。此时，第三待清洗区域102上所需要的清洗压力较其他三个待清洗区域上所需要的清洗压力大。
参见图5，采用本发明实施例提供的清洗装置对具有上述特点的晶圆1进行清洗时，在晶圆1的抛光面和与抛光面相对的另一面均需要同等清洗压力的情况下，可以在晶圆1的抛光面以及与抛光面相对的另一面均设置本发明实施例提供的清洗装置所具有的清洗刷组件22，此时，其中一个清洗刷组件22压在晶圆1的抛光面，另一个清洗刷组件22压在晶圆1的另一面(与抛光面相对的一面)。上述两个清洗刷组件22可以共用一个供液单元20，一个清洗刷组件22对应设置一套供液管路21。也就是说，两套供液管路21共用一个供液单元20。需要进一步解释的是，待清洗的晶圆1可以由晶圆承载装置(图中未示出)承载，而且晶圆承载装置可以带动晶圆1旋转。
参见图5，清洗时，清洗刷组件22和晶圆1同时转动，而且，与此同时，清洗液自供液单元20流经供液管路21，并经供液管路21所包括的供液支路211输送至清洗区域10，自清洗区域10内的喷射口224喷出。
参见图5，由于晶圆1上的第三待清洗区域102所需要的清洗压力大于其他三个待清洗区域所需要的清洗压力。因此，可以控制与第三待清洗区域102相对应的供液支路211上的流量控制阀212的开度，使得清洗液对与第三待清洗区域102相对的清洗刷组件22所具有的清洗区域(第三清洗区域2202)中的刷头222部分的冲击力变大。在刷头222压在晶圆1表面的基础上，刷头222在清洗液所提供的较大冲击力的作用下，会发生膨胀，此时，刷头作用在晶圆1所具有的第三待清洗区域102上的清洗压力变大。当上述清洗压力作用在第三待清洗区域102时，可以有效的去除第三待清洗区域102上的杂质，以降低对第三待清洗区域102造成的欠清洗的风险。
参见图5，相应的，由于晶圆1上的其他三个待清洗区域所需要的清洗压力小于第三待清洗区域102所需要的清洗压力。因此，可以控制与其他三个待清洗区域相对应的供液支路211上的流量控制阀212的开度，使得清洗液对与其他三个待清洗区域相对的清洗刷组件22所具有的清洗区域10中的刷头222的冲击力变小。在刷头22压在晶圆1表面的基础上，刷头22在清洗液所提供的较小冲击力的作用下，不会发生膨胀或发生较小的膨胀，此时，刷头222作用在晶圆1所具有的其他三个待清洗区域上的清洗压力变小。当上述清洗压力作用在其他三个待清洗区域时，在有效的去除三个待清洗区域上的杂质的同时，还可以降低对三个待清洗区域造成的过清洗的风险。
而且，在清洗液和清洗刷组件的共同作用下，除了实现对晶圆表面的清洗作用下，还可以利用清洗液的腐蚀以及清洗刷组件作用在晶圆表面的清洗力，实现对晶圆表面的化学机械抛光的目的。基于此，实现对晶圆表面的清洗的同时，还可以实现对晶圆表面的平坦化处理。
本发明实施例还提供一种清洗系统，图6示出了本发明实施例提供的清洗系统的结构示意图。如图6所示，该清洗系统包括通信单元3、与通信单元3通信连接的处理单元4、以及与通信单元3通信连接的清洗装置。通信单元3用于获取晶圆1表面的杂质分布特性信息。处理单元4根据晶圆1表面的杂质分布特性信息确定晶圆1表面的多个待清洗区域10，以及多个待清洗区域10所需的清洗压力。在多个待清洗区域10所需的清洗压力确定的情况下，利用清洗装置向上述多个待清洗区域10提供清洗压力。
参见图6，上述晶圆1表面的杂质分布特性信息包括但不限于杂质密度分布信息和杂质厚度分布信息等。应理解，分布在晶圆1表面的杂质密度越大和/或杂质厚度越厚，则通过清洗装置施加在晶圆1表面上的清洗压力需要越大。
参见图6，在实际应用过程中，利用通信单元3获取经化学机械抛光处理后的晶圆1表面的杂质分布特性信息，并将晶圆1表面的杂质分布特性信息发送至处理单元4，处理单元4接收到晶圆1表面的杂质分布特性信息后，根据晶圆1表面的杂质分布特性信息将晶圆1表面分为多个待清洗区域10。
参见图6，例如，可以利用通信单元3获取晶圆1的实际厚度信息，处理单元4中预存有经化学机械抛光处理后的晶圆1的预设厚度信息，实际厚度信息与预设厚度信息的差值可以定义为晶圆1表面的杂质分布厚度信息，将此作为晶圆1表面的杂质分布特性信息。处理单元4可以根据杂质分布厚度信息将晶圆1表面分为多个待清洗区域10。在晶圆表面的待清洗区域10确定之后，处理单元还可以根据每一个待清洗区域10中杂质分布厚度信息生成清洗压力控制信号。
参见图6，通信单元3还可以接收并向清洗装置发送清洗压力控制信号，清洗装置根据清洗压力控制信号，控制供液管路向清洗刷组件22所具有的不同的清洗区域220提供清洗力，上述清洗区域220与晶圆表面的待清洗区域10相对。基于此，晶圆1表面的多个待清洗区域10可以获得不同的清洗压力。
参见图6，上述清洗系统还可以包括信息采集单元5，上述信息采集单元5与通信单元3通信连接。利用信息采集单元5可以采集晶圆1表面的杂质分布特性信息，并将晶圆1表面的杂质分布特性信息发送至通信单元3。
在上述晶圆表面的杂质分布特性信息为晶圆表面的杂质分布厚度信息时，可以利用如电感式位移传感器、电容式位移传感器、电位器式位移传感器、霍尔式位移传感器等接触式传感器，或者，如电涡流厚度传感器、磁性厚度传感器、电容厚度传感器、超声波厚度传感器、核辐射厚度传感器、X射线厚度传感器、微波厚度传感器等非接触式传感器检测经化学机械抛光后的晶圆的厚度。
本发明实施例还提供一种清洗方法，该清洗方法包括：
参见图6，获取晶圆1表面的杂质分布特性信息。当晶圆1表面的杂质分布特性信息为晶圆表面的杂质分布厚度信息时，可以首先利用信息采集单元5采集经化学机械抛光后的晶圆1的厚度(定义为晶圆的实际厚度)。利用通信单元3接收来自于信息采集单元5的晶圆1的实际厚度。
参见图6，根据晶圆1表面的杂质分布特性信息，确定晶圆1表面的多个待清洗区域10，以及多个待清洗区域10所需要的清洗压力，根据清洗压力确定清洗压力控制信号。在通信单元3接收来自于信息采集单元5的晶圆1的实际厚度的情况下，通信单元3将晶圆1的实际厚度发送至处理单元4，处理单元4中可以预先存储有晶圆1的预设厚度信息。晶圆1的实际厚度信息和晶圆的预设厚度之间的差值为晶圆1表面的杂质分布厚度信息。处理单元3可以根据晶圆1表面的杂质分布厚度信息确定晶圆1表面的待清洗区域10，应理解，晶圆1表面处于同一待清洗区域10的杂质分布厚度信息基本一致，晶圆1表面处于不同待清洗区域10的杂质分布厚度信息存在差异。晶圆表面的待清洗区域10确定后，处理单元3还可以根据待清洗区域10的杂质分布厚度信息确定各个待清洗区域10所需的清洗压力。进一步的，处理单元3还可以根据待清洗区域10所述的清洗压力生成各个待清洗区域10所对应的清洗压力控制信号。
向清洗装置提供清洗压力控制信号，清洗装置在清洗压力控制信号的控制下，为待清洗区域10提供所需的所述清洗压力。在处理单元4生成待清洗区域所对应的清洗压力控制信号的情况下，通信单元3还可以接收上述清洗压力控制信号，并将上述清洗压力控制信号发送至清洗装置。清洗装置在上述清洗压力控制信号的控制下，为待清洗区域10提供所需的所述清洗压力。
例如，通信单元3可以将上述清洗压力控制信号发送至清洗装置所包括的供液支路211上的流量控制阀212，以控制流量控制阀212的开度，进而控制各个供液支路211上的清洗液的流速，使得各个供液支路211所对应的清洗区域220具有不同的清洗力，当上述清洗力作用在晶圆1表面且与清洗区域220相对应的待清洗区域10时，上述各个待清洗区域10上具有不同的清洗压力。
需要进一步解释的是，上述晶圆表面的杂质分布特性信息还可以包括晶圆表面的杂质分布密度信息和杂质的类型等。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于设备实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种清洗装置，其特征在于，应用于晶圆抛光后的清洗，所述晶圆具有至少两个待清洗区域，至少两个待清洗区域上的杂质分布特性不同；所述清洗装置包括供液单元、供液管路和清洗刷组件；
所述供液单元通过所述供液管路向所述清洗刷组件供应清洗液；
所述清洗刷组件具有至少两个清洗区域，一个所述清洗区域对应一个所述待清洗区域；
所述供液管路向至少两个所述清洗区域提供不同的清洗力，以使得通过所述清洗区域作用在所述待清洗区域上的清洗压力不同。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述供液管路包括与所述供液单元连通的供液主路，以及与所述供液主路连通的至少两个供液支路；至少一个所述供液支路对应为一个所述清洗区域提供所述清洗液。
3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，每一个所述供液支路上均具有至少一个流量控制阀。
4.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗刷组件包括旋转轴以及套设在所述旋转轴上的刷头；
所述旋转轴具有沿所述旋转轴的轴向开设的通道，以及沿所述旋转轴的径向开设的喷射口；所述喷射口与所述通道连通；
至少所述供液管路所包括的所述供液支路设置在所述通道内。
5.一种清洗系统，其特征在于，包括：
通信单元，用于获取晶圆表面的杂质分布特性信息；
处理单元，所述处理单元与所述通信单元通信连接；所述处理单元根据所述晶圆表面的杂质分布特性信息确定晶圆表面的待清洗区域，以及所述待清洗区域所需的清洗压力控制信号；
以及权利要求1至4任一项所述的清洗装置，所述清洗装置与所述通信单元通信连接。
6.根据权利要求5所述的清洗系统，其特征在于，所述清洗系统还包括：
信息采集单元，所述信息采集单元与所述通信单元通信连接；所述信息采集单元用于采集所述晶圆表面的杂质分布特性信息，并将所述晶圆表面的杂质分布特性信息发送至所述通信单元。
7.根据权利要求5所述的清洗系统，其特征在于，在待清洗区域所需的清洗压力确定的情况下，所述通信单元还用于向所述清洗装置发送清洗压力控制信号，所述清洗装置在所述清洗压力控制信号的控制下向所述清洗区域提供所述清洗压力。
8.一种清洗方法，其特征在于，包括：
获取晶圆表面的杂质分布特性信息；
根据所述晶圆表面的杂质分布特性信息，确定晶圆表面的待清洗区域，以及所述待清洗区域所需的清洗压力，根据所述清洗压力确定清洗压力控制信号；
向清洗装置提供所述清洗压力控制信号，所述清洗装置在所述清洗压力控制信号的控制下，为所述待清洗区域提供所需的所述清洗压力。
9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述晶圆表面的杂质分布特性信息包括杂质分布厚度信息、杂质分布密度信息和杂质类型信息。
10.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，向清洗装置提供所述清洗压力控制信号，所述清洗装置在所述清洗压力控制信号的控制下，为所述待清洗区域提供所需的所述清洗压力，包括：
控制供液管路向清洗刷组件所具有的清洗区域供应的清洗液的流量，所述清洗区域与所述待清洗区域相对。
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