CN114491973A - 一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例适用于电力系统技术领域，提供了一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备，所述方法包括：接收待校核变电站的配置描述文件；从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。通过上述方法，能够自动对虚端子回路进行校核。

Description

一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备

技术领域

本申请属于电网技术领域，特别是涉及一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备。

背景技术

变电站配置描述(Substation Configuration Description，SCD)配置文件以虚端子回路映射反应站内二次设备的配置连接关系，是变电站二次系统的核心。

虚端子回路配置的正确与否将直接影响到继电保护功能、电网的安全稳定运行，因此在变电站建设、运维、检修等多个阶段均需对SCD文件虚端子回路配置正确性进行校核。随着智能变电站建设的大量开展，110kV智能变电站SCD配置文件的管控相继上线，与以往仅开展220kV及以上电压等级相比，校核工作量激增，因配置错误导致继电保护不正确动作的风险很大。

目前变电站配置文件校核主要采用人工校核方式，涉及的虚端子配置连接数量多、耦合关系复杂，依赖人工经验完成配置和校核，不仅效率低下，而且易出现漏联、错联等重大缺陷。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种虚端子回路校核方法、装置和终端设备，用以提高变电站中虚端子回路。

本申请实施例的第一方面提供了虚端子回路校核方法，应用于终端设备，所述方法包括：

接收待校核变电站的配置描述文件；

从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；

根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；

根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；

若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；

采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；

根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

本申请实施例的第二方面提供了一种虚端子回路校核装置，应用于终端设备，所述装置包括：

接收模块，用于接收待校核变电站的配置描述文件；

提取模块，用于从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；

第一拓扑结构确定模块，用于根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；

第二拓扑结构确定模块，用于根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；

比较模块，用于若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；

校核模块，用于采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；

报告生成模块，用于根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

本申请实施例的第三方面提供了一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的方法。

本申请实施例的第四方面提供了一种计算机程序产品，当所述计算机程序产品在终端设备上运行时，使得所述终端设备执行上述第一方面所述的方法。

与现有技术相比，本申请实施例包括以下优点：

本申请实施例，通过获取变电站的变电站配置描述文件，然后从中提取出系统规格描述信息和二次设备的设备名称，从而可以根据系统规格描述信息确定变电站的第一拓扑结构，根据设备名称确定变电站的第二拓扑结构。在将第一拓扑结构与第二拓扑结构进行比较后，若二者相同，则可以采用预设的虚端子回路校验规则对虚端子回路进行校核。本申请实施例在装置信息提取的过程中，分别从两个渠道获取到配置信息，实现了装置信息的双确认，保证了校核的准确性；此外，基于虚端子回路校核知识库，可以实现虚端子回路的自动校核，避免了人工逐一审查，提高了校核工作的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种虚端子回路校核方法的步骤流程示意图；

图2是本申请实施例提供的国网自主可控模型规范图；

图3是本申请实施例提供的SCD文件中IED与SSD配置关系图；

图4是本申请实施例提供的一种二次设备的映射关系图；

图5是本申请实施例提供的一种变电站的智慧电子设备的拓扑结构图；

图6是本申请实施例提供的一种采用虚端子回路自动校核系统进行校核的流程；

图7是本申请实施例提供的一种虚端子回路校核流程图；

图8是本申请实施例的一种虚端子回路校核装置的示意图；

图9是本申请实施例的一种终端设备的示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其他实施例中也可以实现本申请。在其他情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

变电站配置描述虚端子回路的连接是根据变电站主接线方式、一次系统的配置、电压等级、间隔配置等有直接关系，确定了一次系统拓扑结构，然后再根据间隔下二次设备的功能需要，完成二次设备之间的虚回连接，实现完整的二次回路拓扑关系图。具体而言，要完成变电站配置描述文件中虚回路连接关系，需要完善如下信息：

1)一次系统拓扑结构关系：需要明确变电站的主接线方式、电压等级、间隔类型、一次设备等配置信息，同时需要明确二次设备用于哪个间隔下的哪个一次设备对象。

2)针对每种保护类型，需要明确各种情况下，所需要连接的二次回路信息，即本设备的哪个信号需要接入什么间隔下、什么设备的哪个信号，以便完成保护功能。

当前，变电站配置描述文件中只有智能电子装备(Intelligent electronicdevice，IED)的配置、以及各智能电子装备之间虚回路的连接关系，并没有智能电子装备设置之间一次系统拓扑配置关系，比如哪几个智能电子装备处于同一个间隔下；并且，显然国网标准规范对设备的虚端子做了统一的定义，但端子之间的连接关系并没有明确。因此，依据目前现有的规范和工程实践用的变电站配置描述文件，不足以提供虚回路智能校核所需的必要信息。

基于此，本申请中提供了一种基于二次设备拓扑结构的变电站配置描述文件虚端子回路自动校核系统，采用此系统执行对虚端子回路的校核。

下面通过具体实施例来说明本申请的技术方案。

参照图1，示出了本申请实施例提供的一种虚端子回路校核方法的步骤流程示意图，具体可以包括如下步骤：

S101，接收待校核变电站的配置描述文件。

具体地，本实施例的执行主体为终端设备，终端设备中可以配置自动校核系统，采用自动校核系统实现本实施例中的虚端子回路的校核方法。

上述配置描述文件可以为变电站配置描述SCD文件。在需要对变电站进行配置描述文件虚端子回路校核时，可以将变电站配置描述文件输入到自动校核系统中。自动校核系统接收该配置描述文件。然后自动校核系统可以基于该配置描述文件进行校核。

在本实施例中，虚端子回路可以为根据配置文件得到的二次设备可以连通的回路以及二次设备的接口可以连接的回路。对于虚端子回路的校核，是确保虚端子回路正确，从而避免因配置错误导致的继电保护风险。

S102，从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称。

具体地，自动校核系统中可以包括系统规格描述(System SpecificationDescription，SSD)配置解析模块和智能电子装备名称IEDName配置解析模块。通过SSD配置解析模块可以从SCD文件中提取并解析SSD配置。通过IEDName配置解析模块可以从SCD文件中获取电子智能装备的名称。在本申请实施例中，电子智能装备具体为二次设备，二次设备与变电站之间还具有一次设备。

SCD文件中可以包括ICFD文件，ICD就是IED Capability Description的简称，中文为IED能力描述文件。ICD文件描述了具体IED的功能和工程能力，包含模型自描述信息，但不包括IED实例名称和通讯参数。ICD文件还应包含设备厂家名、设备类型、版本号、版本修改信息、明确描述修改时间、修改版本号等内容，同一型号IED具有相同的ICD模板文件，ICD文件不包含Communication元素。

图2是本申请实施例提供的国网自主可控模型规范图，图2的配置信息可以呈现于ICD文件中。变电站SCD文件集成时，根据变电站现场实际的配置，完成iedName的实例化，即可将SCD中IED与间隔、一次设备建立所属关系，如图3所示，图3是本申请实施例提供的SCD文件中IED与SSD配置关系图。

如图3所示，二次设备C_E2201X、P_E2201A2、P_E2201A、P_E2201B2、P_E2201B位于220kV侧母联200开关间隔，所保护的一次设备的200开关。利用iedName在IED节点下查找，可以定位出该IED的具体信息及配置。图4是本申请实施例提供的一种二次设备的映射关系图，如图4所示，C_E2201X为北京四方CSI-200F-DM-1-ZK的测控装置。

S103，根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构。

系统规格描述信息可以包括待校核变电站中的二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备；根据多个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，可以构建第一拓扑结构。

图5是本申请实施例提供的一种拓扑结构的示意图，如图4所示，拓扑结构图中，变电站可以对应n个电压等级；一个电压等级下可以对应n个间隔；每个间隔下可以包括n个一次设备对象；一个一次设备对象下可以对应n个二次设备；一个二次设备下可以对应多个虚端子回路。根据系统规格描述信息，可以确定变电站下的电压等级、间隔、一次设备、二次设备，从而确定第一拓扑图。

S104，根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构。

具体地，可以根据设备名称和二次设备的命名规则，对设备名称进行解析，得到字符对应的配置信息；然后根据字符对应的配置信息，可以构建第二拓扑结构。具体地，可以根据字符对应的配置信息，确定二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备；然后根据多个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，构建第二拓扑结构。

具体地，在国网《自主可控新一代变电站二次系统技术规范通用系列规范8变电站设备信息模型》附录G中明确了IEDname的命名规则。具体而言IED name命名原则，采用5层结构命名：IED类型、归属设备类型、电压等级、归属设备编号、间隔内同类装置序号，IEDName由上述5个部分中不同分类按照现场实际自由组合而成，如表1所示。

表1：

按照命名规则，对设备名称进行拆解，可以确定对应的拓扑图。比如，对C_E2201X进行拆解可以得到：

装置类型为测控装置(C_)；

归属于的设备类型为母联(E)；

所属的电压等级为220kV(22)；

归属的设备编号为母联一(01)；

IED编号为单套(X)。

根据变电站中各个设备的设备名称，可以确定设备的连接关系，从而确定出第二拓扑结构。

S105，若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路。

具体地，可以将第一拓扑结构中每个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与第二拓扑结构中每个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备进行比对；若第一拓扑结构中每个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与第二拓扑结构中每个二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备均相同，则从配置描述文件中获取二次设备的设备能力描述文件；然后根据设备能力描述文件和第一拓扑结构，确定虚端子回路。

若两个拓扑结构是不同的，则可以报错；作业人员根据报错信息重新配置，然后采用重新配置后的变电站配置描述文件进行校核。

S106，采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核。

具体地，可以调用预设的回路连接规则库对虚端子回路的连接关系进行回路校核；若虚端子回路通过回路校核，则从虚端子回路中确定单条虚端子信息；然后采用预设的装置虚端子回路连接规则库，对单条虚端子信息进行校核。

若虚端子回路未通过回路校核，则输出校验出错结果报告；确定该变电站的虚端子回路未通过校核。

S107，根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

变电站对应的虚端子回路包括多条，在逐一进行校核之后，可以根据校核结果生成校核报告。校核报告中可以包括虚端子回路的错连、漏连和重连信息，作业人员可以根据校核报告对变电站的配置进行修正，从而保证变电站的安全。

在本申请实施例中，可以根据变电站系统配置描述文件中已有的信息、不需要或少量的额外信息补充，既可以完成虚端子回路校核所需要的所有信息，提高了校核工作的便捷性；同时，虚端子回路的校核从回路设计的源头和功能出发进行校核算法的设计，在装置信息提取的过程中，分别从两个渠道获取到了同样的配置信息，实现了装置信息的双确认，保证了校核的准确性；此外，基于虚端子回路校核知识库，可以实现虚端子回路的自动校核，避免了人工逐一审查，提供了校核工作的效率。

参照图2，示出了本申请一个实施例的一种采用虚端子回路自动校核系统进行校核的流程。本申请实施例中还包括基于IED拓扑结构的SCD文件虚端子回路自动校核系统，该自动校核系统可以设有SSD配置解析模块、IEDName配置解析模块、IED拓扑结构校核模块和虚端子回路校核模块。

该自动校核系统可以设置在个人电脑上，系统接收作业人员导入的SCD文件，SSD配置解析模块从SCD文件中提取并解析SSD配置，形成IED拓扑结构1；IEDName配置解析模块从SCD文件中提取并解析IEDName配置，形成IED拓扑结构2；IED拓扑结构校核模块接收SSD配置解析模块输出的IED拓扑结构1和IEDName配置解析模块输出的IED拓扑结构2，完成IED拓扑结构的校核，输出一份完成IED拓扑结构；虚端子回路校核模块接收IED拓扑结构，调用装置回路连接规则库完成和装置虚端子回路连接规则库完成装置虚端子回路的校核，生成自动校核结果报告。

SSD配置解析模块从SCD文件中提取并解析SSD配置。SSD描述变电站使用了哪些一次设备、一次设备怎样连接、一次设备功能逻辑节点与宿主的二次设备以及一次设备的关系。

IED拓扑结构校核模块接收SSD配置解析模块输出的IED拓扑结构1和IEDName配置解析模块输出的IED拓扑结构2，完成IED拓扑结构的校核。IED拓扑结构的校核是根据拓扑结构中变电站、电压等级、间隔、一设备对象、二次设备的各节点信息的完全一致，包括名称、类别、个数、类型都完全一致。如果不一致则告警输出SSD与IEDName配置不一致信息，提示修改SCD文件，直到信息完全一致、校核通过，IED拓扑结构1和IED拓扑结构2合成一份IED拓扑结构，进行下一步。

虚端子回路校核模块接收IED拓扑结构，调用装置回路连接规则库完成和装置虚端子回路连接规则库完成装置虚端子回路的校核。

虚端子校验规则是虚端子校核的核心，校核的目的是为了防止虚端子出现错连、漏连、重连的现象。图7是本申请实施例提供的一种虚端子回路校核流程图，如图7所示，以装置为单位校验Inputs里每一根虚回路的正确性。首先判断装置类型以及装置所属间隔及间隔类型；然后提取出Inputs里每一根装置虚回路对端的装置信息(包括装置类型以及装置所属间隔及间隔类型)；其次，以装置对装置为参数输入到装置回路连接规则库进行回路连接校验，如果校验失败则提示失败信息并输入校验结果报告，如果校验通过，则进入下一步，此步校验能有效校验虚端子回路的错连；最后，以装置里的每一跟虚端子回路为单位，结果装置信息，输入到装置虚端子回路连接规则库，实现每根虚端子回路的校验，能有效校验出虚端子回路的错连、漏连和重连。以装置为单位，识别装置与装置是否必然存在回路连接，如果不存在而实际发生了虚端子回路连接，则判为错连。以装置为单位，扫描装置的虚回路，如果虚回路的连接个数和类别少于装置虚端子回路连接规则库的定义，则提示告警和报错。以装置为单位，描述装置的虚端子回路，如果同类别的虚端子回路的连接个数多余装置虚端子回路连接规则库的定义，则提示告警和报错。校验完成后，校验结果以文本模式生成和输出自动校核结果报告。

需要说明的是，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

参照图8，示出了本申请一个实施例的一种虚端子回路的校核装置的示意图，具体可以包括接收模块81、提取模块82、第一拓扑结构确定模块83、第二拓扑结构确定模块84、比较模块85、校核模块86和报告生成模块87，其中：

接收模块81，用于接收待校核变电站的配置描述文件；

提取模块82，用于从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；

第一拓扑结构确定模块83，用于根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；

第二拓扑结构确定模块84，用于根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；

比较模块85，用于若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；

校核模块86，用于采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；

报告生成模块87，用于根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

在一种可能的实现方式中，上述系统规格描述信息包括所述待校核变电站中的二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备，上述第一拓扑结构确定模块83，包括：

构建子模块，用于根据多个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，构建所述第一拓扑结构。

在一种可能的实现方式中，上述第二拓扑结构确定模块84，包括：

配置信息获取子模块，用于根据所述设备名称和所述二次设备的命名规则，对所述设备名称进行解析，得到所述字符对应的配置信息；

构建子模块，用于根据所述字符对应的配置信息，构建所述第二拓扑结构。

在一种可能的实现方式中，上述构建子模块包括：

确定单元，用于根据所述字符对应的配置信息，确定所述二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备；

构建单元，用于根据多个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，构建所述第二拓扑结构。

在一种可能的实现方式中，上述比较模块85，包括：

比对子模块，用于将所述第一拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与所述第二拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备进行比对；

判断子模块，用于若所述第一拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与所述第二拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备均相同，则从所述配置描述文件中获取所述二次设备的设备能力描述文件；

确定子模块，用于根据所述设备能力描述文件和所述第一拓扑结构，确定所述虚端子回路。

在一种可能的实现方式中，上述校核模块86，包括：

调用子模块，用于调用预设的回路连接规则库对所述虚端子回路的连接关系进行回路校核；

判断子模块，用于若所述虚端子回路通过所述回路校核，则从所述虚端子回路中确定单条虚端子信息；

校核子模块，用于采用预设的装置虚端子回路连接规则库，对所述单条虚端子信息进行校核。

在一种可能的实现方式中，上述校核模块86还包括：

校验出错子模块，用于若所述虚端子回路未通过所述回路校核，则输出校验出错结果报告；

失败判定子模块，用于确定该变电站的虚端子回路未通过校核。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例部分的说明即可。

图9为本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图。如图9所示，该实施例的终端设备9包括：至少一个处理器90(图9中仅示出一个)处理器、存储器91以及存储在所述存储器91中并可在所述至少一个处理器90上运行的计算机程序92，所述处理器90执行所述计算机程序92时实现上述任意各个方法实施例中的步骤。

所述终端设备9可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端终端设备等计算设备。该终端设备可包括，但不仅限于，处理器90、存储器91。本领域技术人员可以理解，图9仅仅是终端设备9的举例，并不构成对终端设备9的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如还可以包括输入输出设备、网络接入设备等。

所称处理器90可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，该处理器90还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

所述存储器91在一些实施例中可以是所述终端设备9的内部存储单元，例如终端设备9的硬盘或内存。所述存储器91在另一些实施例中也可以是所述终端设备9的外部存储设备，例如所述终端设备9上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器91还可以既包括所述终端设备9的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器91用于存储操作系统、应用程序、引导装载程序(BootLoader)、数据以及其他程序等，例如所述计算机程序的程序代码等。所述存储器91还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行时实现可实现上述各个方法实施例中的步骤。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种虚端子回路校核方法，其特征在于，应用于终端设备，所述方法包括：

接收待校核变电站的配置描述文件；

从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；

根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；

根据所述设备名称，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；

若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；

采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；

根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述系统规格描述信息包括所述待校核变电站中的二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备，所述根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构，包括：

根据多个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，构建所述第一拓扑结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设备名称包括多个字符，所述根据所述设备名称，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构，包括：

根据所述设备名称和所述二次设备的命名规则，对所述设备名称进行解析，得到所述字符对应的配置信息；

根据所述字符对应的配置信息，构建所述第二拓扑结构。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述字符对应的配置信息，构建所述第二拓扑结构，包括：

根据所述字符对应的配置信息，确定所述二次设备的电压等级以及连接的间隔对象和一次设备；

根据多个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备，构建所述第二拓扑结构。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路，包括：

将所述第一拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与所述第二拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备进行比对；

若所述第一拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备分别与所述第二拓扑结构中每个所述二次设备的电压等级、间隔对象和一次设备均相同，则从所述配置描述文件中获取所述二次设备的设备能力描述文件；

根据所述设备能力描述文件和所述第一拓扑结构，确定所述虚端子回路。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核，包括：

调用预设的回路连接规则库对所述虚端子回路的连接关系进行回路校核；

若所述虚端子回路通过所述回路校核，则从所述虚端子回路中确定单条虚端子信息；

采用预设的装置虚端子回路连接规则库，对所述单条虚端子信息进行校核。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述虚端子回路未通过所述回路校核，则输出校验出错结果报告；

确定该变电站的虚端子回路未通过校核。

8.一种虚端子回路校核装置，其特征在于，应用于终端设备，所述装置包括：

接收模块，用于接收待校核变电站的配置描述文件；

提取模块，用于从所述配置描述文件中提取所述待校核变电站的系统规格描述信息和二次设备的设备名称；

第一拓扑结构确定模块，用于根据所述系统规格描述信息，确定所述待校核变电站的第一拓扑结构；

第二拓扑结构确定模块，用于根据所述设备名称信息，确定所述待校核变电站的第二拓扑结构；

比较模块，用于若所述第一拓扑结构和所述第二拓扑结构相同，则确定所述第一拓扑结构中每个二次设备对应的虚端子回路；

校核模块，用于采用预设的虚端子回路校验规则，对所述虚端子回路进行校核；

报告生成模块，用于根据所述虚端子回路的校核结果，生成所述待校核变电站的校核报告。

9.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任一项所述的方法。

10.一种计算机程序产品，其特征在于，当所述计算机程序产品在终端设备上运行时，使得所述终端设备执行如权利要求1-7任一项所述的方法。

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